JP5597052B2 - レーザ加工方法 - Google Patents
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Description
[第1の実施形態]
[第2の実施形態]
Claims (3)
- 板状の加工対象物から少なくとも3つの有効部を切り出すためのレーザ加工方法であって、
互いに隣り合う3つの有効部において、第1の有効部の外縁に沿う第1の切断予定ライン、第2の有効部の外縁に沿う第2の切断予定ライン及び第3の有効部の外縁に沿う第3の切断予定ラインが1点に集合しており、
前記第1の切断予定ラインに沿って、レーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、前記第1の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に第1の改質領域を形成する第1の工程と、
前記第2の切断予定ラインに沿って、レーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、前記第2の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に第2の改質領域を形成する第2の工程と、
前記第3の切断予定ラインに沿って、レーザ光の集光点を相対的に移動させることにより、前記第3の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に第3の改質領域を形成する第3の工程と、を備え、
前記第1の工程、前記第2の工程及び前記第3の工程において、前記第1の切断予定ライン、前記第2の切断予定ライン及び前記第3の切断予定ラインが集合する前記1点から所定の距離の部分を除いた部分に、前記改質領域を形成し、前記所定の距離は、当該改質領域の形成に伴って当該改質領域からそれぞれの切断予定ラインの方向に発生する亀裂が、当該所定の距離の範囲に収まる長さとし、かつ、当該改質領域の形成に伴って当該改質領域から発生する亀裂が前記加工対象物の内部に収まるように改質領域を形成すること
を特徴とするレーザ加工方法。 - 前記第1の切断予定ライン、前記第2の切断予定ライン及び前記第3の切断予定ラインのそれぞれに対して、前記加工対象物の厚さ方向に並ぶように複数列の改質領域を形成し、少なくとも前記加工対象物のレーザ光入射面に最も近い前記改質領域を前記第1の改質領域、前記第2の改質領域及び前記第3の改質領域として形成することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。
- 前記第1の工程、前記第2の工程及び前記第3の工程の後に、前記第1の改質領域、前記第2の改質領域及び前記第3の改質領域から発生した亀裂を前記加工対象物の表面及び裏面に到達させることにより、前記第1の切断予定ライン、前記第2の切断予定ライン及び前記第3の切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する第4の工程を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ加工方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2017059686A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6525840B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-06-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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JP6576212B2 (ja) * | 2015-11-05 | 2019-09-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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JP6957187B2 (ja) * | 2017-04-18 | 2021-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | チップの製造方法、及び、シリコンチップ |
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Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006173428A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | 基板加工方法及び素子製造方法 |
KR100638732B1 (ko) * | 2005-04-15 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광소자의 제조방법 |
JP4767711B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2011-09-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2008153420A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Seiko Epson Corp | 基材の分割方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、半導体装置の製造方法、基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法 |
JP4402708B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
JP5395411B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2014-01-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP5369690B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2013-12-18 | 株式会社ブリヂストン | ホース外被用ゴム組成物 |
-
2010
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US11219966B1 (en) | 2018-12-29 | 2022-01-11 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11826846B2 (en) | 2018-12-29 | 2023-11-28 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11911842B2 (en) | 2018-12-29 | 2024-02-27 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
US11034056B2 (en) | 2019-05-17 | 2021-06-15 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
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