JP2001053033A

JP2001053033A - 半導体装置のダイシング方法

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Publication number: JP2001053033A
Application number: JP11228665A
Authority: JP
Inventors: Mutsumi Masumoto; 睦升本; Kenji Masumoto; 健治桝本; Katsumi Yamaguchi; 克己山口
Original assignee: Texas Instruments Japan Ltd
Current assignee: Texas Instruments Japan Ltd
Priority date: 1999-08-12
Filing date: 1999-08-12
Publication date: 2001-02-23

Abstract

(57)【要約】【課題】ダイサーの歯の樹脂による目詰まりやシリコン
くずの原因となる半導体チップのクラックを防止する半
導体装置のダイシング方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置のダイシング方法は、
主面に複数の電子回路が形成されている半導体ウエハに
上記主面から上記電子回路を区画する溝を形成する工程
と、上記溝に樹脂を充填する工程と、上記半導体ウエハ
をその裏面側から上記樹脂が露出するように研削する工
程と、上記半導体ウエハを上記溝に沿って切断すること
により上記電子回路毎に半導体装置として切り離す工程
とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置およびそ
の製造方法に関し、特に、ウエハレベルでパッケージ化
され、小型化および高密度化された半導体装置のダイシ
ング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＶＬＳＩ（Very Large Scale Int
egration）などの半導体装置においては、３年で７割の
縮小化を実現し、小型化および高密度化を達成してき
た。上記に伴い、半導体装置のパッケージ形態も小型
化、高密度化が達成されてきた。例えば、ＤＩＰ（Dual
Inline Package ）などのリード挿入型（ＴＨＤ：Thro
ugh Hall Mount Device ）から、ＱＦＰ（Quad Flat Pa
ckage ）などの表面実装型（ＳＭＤ：Surface Mount De
vice）に発展し、さらには出力端子を半導体チップの電
子回路形成面上にエリア化したＢＧＡ（Ball Grid Arra
y ）へと小型化が進められてきた。さらに、半導体チッ
プの大きさ程度でパッケージ化が可能なチップサイズパ
ッケージ（ＣＳＰ：Chip Size Package ）が開発され、
活発な研究がなれている。

【０００３】上記の従来のチップサイズパッケージ形態
の半導体装置およびその実装形態について図面を参照し
て説明する。図１１（ａ）は従来のチップサイズパッケ
ージ形態の半導体装置の斜視図であり、図１１（ｂ）は
図１１（ａ）中Ａ−Ａ’における断面図である。半導体
チップの電子回路が形成された表面は窒化シリコン膜な
どの不図示の絶縁膜で被覆されており、前記絶縁膜に
は、前記電子回路のパッド電極に接続するように開口部
が設けられ、電子回路のパッド電極に接続するように、
例えばはんだボールバンプあるいは金スタッドバンプな
どのバンプ（突起電極）が形成されている。

【０００４】図１２は、上記のチップサイズパッケージ
形態の半導体装置を実装基板に実装した装置の断面図で
ある。上記の半導体装置を実装する実装基板は、例えば
ガラスエポキシ系材料よりなる基板３０の上面におい
て、実装する半導体装置のバンプ１１の位置に対応する
位置に形成された電極３１と、電極３１に接続して基板
３０の表面上、裏面上、あるいは基板内部などに形成さ
れている図示しないプリント配線部を有している。上記
の半導体装置を上記の実装基板に実装するには、実装基
板の電極３１に半導体装置のバンプ１１を位置合わせし
てマウントし、はんだボールバンプ（金スタッドバンプ
の場合は印刷などにより供給されたクリームはんだな
ど）をリフローさせて電極３１とをバンプ１１を機械的
かつ電気的に接続し、さらに実装基板と半導体装置の間
隙部をエポキシ樹脂などの被膜樹脂４０により封止し
て、図面に示す実装形態とする。

【０００５】上記の半導体装置の製造方法について図面
を参照して説明する。まず、図１３（ａ）に示すよう
に、複数個分の半導体チップの電子回路パターンが繰り
返し形成された半導体ウエハ１０上に、半導体チップの
電子回路パターンに接続するようにはんだボールバンプ
などのバンプ１１を形成する。

【０００６】次に、図１３（ｂ）に示すように、半導体
ウエハ１０のバンプ１１形成面上に、紫外線硬化樹脂シ
ートなどからなるバックグラインド用のウエハ固定用シ
ート２０を張り付ける。ウエハ固定用シート２０は、バ
ンプ１１の高さを十分に吸収する程度の膜厚とする。次
に、電子回路形成面の裏面側から半導体ウエハ１０を所
定厚さとなるまでグラインダーＢＧにより研削する。

【０００７】次に、図１３（ｃ）に示すように、ダイサ
ーＤにより、上記のように所定の厚さとなった半導体ウ
エハ１０を所定の切断位置で切断し、個々に分割された
半導体チップ１０ａとする。上記分割された半導体チッ
プ１０ａをウエハ固定用シート２０から剥がして、図１
１に示す半導体装置とすることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
半導体装置は、図１４に示すように、ダイサーにより半
導体ウエハを所定の切断位置Ｘで切断し、個々の半導体
チップ１０ａに分割する工程において、電子回路形成面
の裏面側における半導体チップ１０ａの角部近傍の表層
部分が欠けてしまうクラックＣ（あるいはマイクロクラ
ック）が発生するという問題が生じる。クラックＣが発
生すると、半導体チップの抗折強度などの物理的強度が
低下してしまう問題を生じる他、シリコンくずの発生の
原因となり、クリーンな環境で用いる必要がある半導体
装置としては使用不可となってしまう。特に、シリコン
は電気伝導性があるので、基板配線上にシリコンくずが
落下した場合は短絡の原因となる。また、脆性の金属で
ある半導体シリコンの角部が剥き出しになっている構造
であるので、衝撃や他の部品との接触により、容易に稜
線（角部表層部）などの欠けが生じやすく、上記のシリ
コンくずを発生しやすくしている。

【０００９】上記のクラックが形成される原因について
図面を参照して説明する。図１５（ａ）に示すように、
ウエハ固定用シート２０に張り付けられて、所定の厚さ
まで研削された半導体ウエハ１０の所定の切断位置をダ
イサーＤにより切断する際に、ダイサーＤがある程度の
深さまで切り進んでいくとダイサーにより押される応力
により切断位置の近傍領域にクラックＣが発生してしま
う。このクラックは、半導体ウエハの厚さが薄くなるほ
ど発生しやすくなっており、半導体チップの小型化に伴
ってその発生が顕著になってきた。上記のクラックＣが
形成されると、図１５（ｂ）に示すように、ダイサーＤ
が完全に所定の切断位置を切断したときに、半導体チッ
プ１０ａの電子回路形成面の裏面側の角部表層部におけ
る剥がれとなってしまう。

【００１０】また、上記のようにダイサーＤが完全に所
定の切断位置を切断するときに、紫外線硬化樹脂などか
らなるウエハ固定用シートの少なくとも一部をダイサー
が切断することになるので、ダイサーＤの歯は樹脂によ
り目詰まりを起こすという問題を生じる。これは、本来
シリコン切断用のダイサーで樹脂部分を切断してしまう
からである。

【００１１】本発明は上記の問題を鑑みなされたもので
あり、本発明の目的は、ダイサーの歯が樹脂により目詰
まりを起こさず、また、シリコンくずの原因となる半導
体チップの電子回路形成面の裏面側の表層部分のクラッ
クの発生を防止して個々の半導体チップに分割すること
ができる半導体装置のダイシング方法を提供することで
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体装置のダイシング方法は、主面に複
数の電子回路が形成されている半導体ウエハに上記主面
側から上記電子回路を区画する溝を形成する工程と、上
記溝に樹脂を充填する工程と、上記半導体ウエハをその
裏面側から上記樹脂が露出するように研削する工程と、
上記半導体ウエハを上記溝に沿って切断することにより
上記電子回路毎に半導体回路として切り離す工程とを有
する。

【００１３】また、本発明の半導体装置のダイシング方
法は、好適には、上記半導体ウエハの切断工程は、個々
に切り離される上記半導体装置の側面に上記樹脂が残存
するようになされる。

【００１４】更に、本発明の半導体装置のダイシング方
法は、好適には、上記溝に樹脂を充填する際に上記半導
体ウエハの主面が樹脂で被覆される。更に、好適には、
上記溝に樹脂を充填する工程はスピンコートによりなさ
れる。

【００１５】上記の本発明の半導体装置のダイシング方
法によれば、半導体装置（半導体チップ）を半導体ウエ
ハから個々に分割する際に、半導体ウエハの切断位置に
形成された溝に埋め込まれた樹脂（側面保護層）を切断
すればよく、シリコンくずの原因となる半導体チップの
電子回路形成面の裏面側の表層部分のクラックの発生を
防止して個々の半導体チップに分割することができる。
また、上記の溝を形成するためにはシリコン用のダイサ
ーを用いることができ、側面保護層を切断するダイサー
としては樹脂用のダイサーなど、側面保護層材料に適し
たダイサーを用いることができる。従ってその製造工程
において、ダイサーの歯が樹脂などにより目詰まりを起
こすことなく製造することが可能である。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の半導体装置のダ
イシング方法の実施の形態について、図面を参照して説
明する。

【００１７】第１実施形態図１（ａ）は本実施形態にかかる半導体装置をバンプ
（突起電極）形成面側から見たときの斜視図であり、図
１（ｂ）は裏面側から見たときの斜視図である。また、
図１（ｃ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ’における断面図で
ある。半導体チップ１０ａの電子回路が形成されている
表面は窒化シリコン膜などの不図示の絶縁膜で被覆され
ており、前記絶縁膜には、前記電子回路のパッド電極に
接続するように開口部が設けられ、電子回路のパッド電
極に接続するように、例えばはんだボールバンプあるい
は金スタッドバンプなどのバンプ（突起電極）１１が形
成されている。半導体チップ１０ａは、例えば１２５μ
ｍの厚さである。上記の半導体チップ１０ａの側面は、
例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂あるいはポリイ
ミド樹脂などの熱可塑性樹脂などからなり、３０μｍの
膜厚を有する側面保護層１３ａにより被覆されている。
また、上記の半導体チップ１０ａのバンプ形成面は、少
なくともバンプ１１の一部を露出させながら例えばＢス
テージの樹脂などからなり２５μｍの膜厚を有するバン
プ形成面保護層１４により被覆されている。

【００１８】上記の本実施形態の半導体装置は、脆性な
シリコンの角部が剥き出しになっていないので、衝撃な
どによりシリコンくずを発生しにくい構造となってい
る。また、上記の半導体チップを半導体ウエハから個々
に分割する際には、半導体ウエハの切断位置に形成され
た溝に埋め込まれた上記の側面保護層を切断すればよい
構造となっており、半導体チップの電子回路形成面の裏
面側の表層部分のクラックの発生を防止して個々の半導
体チップに分割することができる。また、上記の溝を形
成するためにはシリコン用のダイサーを用いることがで
き、側面保護層を切断するダイサーとしては樹脂用のダ
イサーなど、側面保護層材料に適したダイサーを用いる
ことができる。従ってその製造工程において、ダイサー
の歯が樹脂などにより目詰まりを起こすことなく、その
切断処理を行うことが可能である。

【００１９】上記の半導体装置の製造方法について図面
を参照して説明する。まず、図２（ａ）に示すように、
複数個分の半導体チップの電子回路パターンが繰り返し
形成された半導体ウエハ１０上に、半導体チップの電子
回路パターンに接続するようにはんだボールバンプなど
のバンプ１１を形成する。

【００２０】次に、図２（ｂ）に示すように、半導体ウ
エハ１０のバンプ１１形成面に、シリコン切断用の第１
のダイサーＤ１により、半導体チップの電子回路パター
ンを所定の領域毎に区分するように、例えば８５μｍの
第１の幅Ｗ１および１５０μｍの深さｄとなる溝１２を
形成する。

【００２１】次に、図２（ｃ）に示すように、例えばス
クリーン印刷、バブルジェット印刷あるいはマイクロシ
リンジによる注入により、溝１２を例えばエポキシ樹脂
あるいはポリイミド樹脂などにより埋め込んで第１保護
層１３を形成する。

【００２２】次に、図３（ｄ）に示すように、例えばス
ピンコートによりＢステージの樹脂を塗布して、少なく
ともバンプ１１の一部を露出させながら２５μｍの膜厚
でバンプ形成面を被覆するように第２保護層（バンプ形
成面保護層）１４を形成する。

【００２３】次に、図３（ｅ）に示すように、半導体ウ
エハ１０のバンプ１１形成面上に、紫外線硬化樹脂シー
トなどからなるバックグラインド用のウエハ固定用シー
ト２０を張り付ける。ウエハ固定用シート２０は、バン
プ１１の高さを十分に吸収する程度の膜厚とする。次
に、電子回路形成面の裏面側から第１保護層１３が露出
するまで半導体ウエハ１０をグラインダーＢＧにより研
削する。例えば、半導体ウエハ１０の厚さとして、溝１
２の深さｄよりも薄い所定の厚さｔ（例えば１２５μｍ
程度）となるまで研削する。これにより、半導体ウエハ
は所定の領域毎の複数個の半導体チップ１０ａに分割さ
れる。

【００２４】次に、図４（ｆ）に示すように、樹脂切断
用の第２ダイサーＤ２により、上記のように露出した第
１保護層１３を複数個の半導体チップ１０ａの側面を被
覆するように残しながら切断して側面保護層１３ａとす
る。例えば、切り幅Ｗ２を２５μｍとし、半導体チップ
１０ａの側面にそれぞれ３０μｍずつ残すように切断す
る。またこのとき、連続的に第２保護層１４も個々の半
導体チップ毎に分割される。

【００２５】次に、図４（ｇ）に示すように、上記分割
され、側面およびバンプ形成面をそれぞれ側面保護層１
３ａおよび第２保護層（バンプ形成面保護層）により被
覆された半導体チップ１０ａをウエハ固定用シート２０
から剥がして、図１に示す半導体装置とすることができ
る。また、図４（ｈ）に示すように、上記のようにウエ
ハ固定用シート２０から剥がした後、第１保護層１３ａ
および第２保護層１４を剥離することで、ベアチップ状
態の半導体チップとして使用することも可能である。

【００２６】上記のように、本実施形態によれば、半導
体チップを半導体ウエハから個々に分割する際に、半導
体ウエハの切断位置に形成された溝に埋め込まれた第１
保護層（側面保護層）を切断すればよく、シリコンくず
の原因となる半導体チップの電子回路形成面の裏面側の
表層部分のクラックの発生を防止して個々の半導体チッ
プに分割することができる。また、溝を形成するために
はシリコン用のダイサーを用いることができ、一方第１
保護層（側面保護層）を切断するためには樹脂用のダイ
サーなど、側面保護層材料に適したダイサーを用いるこ
とができる。従って、ダイサーの歯が樹脂などにより目
詰まりを起こすことがなくなる。

【００２７】図５は、本実施形態の半導体装置を実装基
板に実装した電子回路装置の断面図である。実装基板
は、例えばガラスエポキシ系材料よりなる基板３０の上
面において、実装する半導体装置のバンプ１１の位置に
対応する位置に形成された電極３１と、電極３１に接続
され、基板３０の表面上、裏面上、あるいは基板内部な
どに形成されている図示しないプリント配線部を有して
いる。上記の半導体装置を上記の実装基板に実装するに
は、実装基板の電極３１に半導体装置のバンプ１１を位
置合わせしてマウントし、はんだボールバンプ（金スタ
ッドバンプの場合は印刷などにより供給されたクリーム
はんだなど）をリフローさせて電極３１とをバンプ１１
を機械的かつ電気的に接続する。このとき、第２保護層
（バンプ形成面保護層）１４としてＢステージの樹脂を
用いている場合、この樹脂が溶融して、実装基板と半導
体装置の間隙部を封止する封止樹脂１４ａとすることが
できる。また、別途、実装基板と半導体装置の間隙部を
樹脂により封止してもよい。

【００２８】第２実施形態図６（ａ）は本実施形態にかかる半導体装置をバンプ
（突起電極）形成面側から見たときの斜視図であり、図
６（ｂ）は裏面側から見たときの斜視図である。また、
図６（ｃ）は図６（ａ）中のＡ−Ａ’における断面図で
ある。半導体チップ１０ａの電子回路が形成されている
表面は窒化シリコン膜などの不図示の絶縁膜で被覆され
ており、前記絶縁膜には、前記電子回路のパッド電極に
接続するように開口部が設けられ、電子回路のパッド電
極に接続するように、例えばはんだボールバンプあるい
は金スタッドバンプなどのバンプ（突起電極）１１が形
成されている。半導体チップ１０ａは、例えば１２５μ
ｍの厚さである。上記の半導体チップ１０ａの側面は、
例えば３０μｍの膜厚を有する側面保護層１３ａにより
被覆されており、さらに半導体チップ１０ａのバンプ形
成面は、少なくともバンプ１１の一部を露出させながら
例えば２５μｍの膜厚を有するバンプ形成面保護層１４
により被覆されている。側面保護層１３ａとバンプ形成
面保護層１４とはエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂ある
いはポリイミド樹脂などの熱可塑性樹脂などからなり、
一体に形成されている。

【００２９】上記の本実施形態の半導体装置は、脆性な
シリコンの角部が剥き出しになっていないので、衝撃な
どによりシリコンくずを発生しにくい構造となってい
る。また、上記の半導体チップを半導体ウエハから個々
に分割する際には、半導体ウエハの切断位置に形成され
た溝に埋め込まれた上記の側面保護層を切断すればよい
構造となっており、半導体チップの電子回路形成面の裏
面側の表層部分のクラックの発生を防止して個々の半導
体チップに分割することができる。また、上記の溝を形
成するためにはシリコン用のダイサーを用いることがで
き、側面保護層を切断するダイサーとしては樹脂用のダ
イサーなど、側面保護層材料に適したダイサーを用いる
ことができる。従ってその製造工程において、ダイサー
の歯が樹脂などにより目詰まりを起こすことなく製造す
ることが可能である。

【００３０】上記の半導体装置の製造方法について図面
を参照して説明する。まず、図７（ａ）に示すように、
複数個分の半導体チップの電子回路パターンが繰り返し
形成された半導体ウエハ１０上に、半導体チップの電子
回路パターンに接続するようにはんだボールバンプなど
のバンプ１１を形成する。

【００３１】次に、図７（ｂ）に示すように、半導体ウ
エハ１０のバンプ１１形成面に、シリコン切断用の第１
のダイサーＤ１により、半導体チップの電子回路パター
ンを所定の領域毎に区分するように、例えば８５μｍの
第１の幅Ｗ１および１５０μｍの深さｄとなる溝１２を
形成する。

【００３２】次に、図７（ｃ）に示すように、例えばス
ピンコートによりエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂ある
いはポリイミド樹脂などの熱可塑性樹脂などを塗布し
て、溝１２を埋め込んで第１保護層１３を形成すると同
時に、少なくともバンプ１１の一部を露出させながら２
５μｍの膜厚でバンプ形成面を被覆するように第２保護
層（バンプ形成面保護層）１４を一体に形成する。

【００３３】次に、図８（ｄ）に示すように、半導体ウ
エハ１０のバンプ１１形成面上に、紫外線硬化樹脂シー
トなどからなるバックグラインド用のウエハ固定用シー
ト２０を張り付ける。ウエハ固定用シート２０は、バン
プ１１の高さを十分に吸収する程度の膜厚とする。次
に、電子回路形成面の裏面側から第１保護層１３が露出
するまで半導体ウエハ１０をグラインダーＢＧにより研
削する。例えば、半導体ウエハ１０の厚さとして、溝１
２の深さｄよりも薄い所定の厚さｔ（例えば１２５μｍ
程度）となるまで研削する。これにより、半導体ウエハ
は所定の領域毎の複数個の半導体チップ１０ａに分割さ
れる。

【００３４】次に、図８（ｅ）に示すように、樹脂切断
用の第２ダイサーＤ２により、上記のように露出した第
１保護層１３を複数個の半導体チップ１０ａの側面を被
覆するように残しながら切断して側面保護層１３ａとす
る。例えば、切り幅Ｗ２を２５μｍとし、半導体チップ
１０ａの側面にそれぞれ３０μｍずつ残すように切断す
る。またこのとき、連続的に第２保護層１４も個々の半
導体チップ毎に分割する。

【００３５】次に、図８（ｆ）に示すように、上記分割
され、側面およびバンプ形成面をそれぞれ側面保護層１
３ａおよび第２保護層（バンプ形成面保護層）により被
覆された半導体チップ１０ａをウエハ固定用シート２０
から剥がして、図６に示す半導体装置とすることができ
る。また、上記のようにウエハ固定用シート２０から剥
がした後、第１保護層１３ａおよび第２保護層１４を剥
離することで、ベアチップ状態の半導体チップとして使
用することも可能である。

【００３６】上記のように、本実施形態によれば、半導
体チップを半導体ウエハから個々に分割する際に、半導
体ウエハの切断位置に形成された溝に埋め込まれた第１
保護層（側面保護層）を切断すればよく、シリコンくず
の原因となる半導体チップの電子回路形成面の裏面側の
表層部分のクラックの発生を防止して個々の半導体チッ
プに分割することができる。また、溝を形成するために
はシリコン用のダイサーを用いることができ、一方第１
保護層（側面保護層）を切断するためには樹脂用のダイ
サーなど、側面保護層材料に適したダイサーを用いるこ
とができる。従って、ダイサーの歯が樹脂などにより目
詰まりを起こすことがなくなる。

【００３７】上記の本実施形態の半導体装置は、第１実
施形態と同様に実装基板上に実装して用いることができ
る。

【００３８】第３実施形態図９（ａ）は本実施形態にかかる半導体装置をバンプ
（突起電極）形成面側から見たときの斜視図であり、図
９（ｂ）は裏面側から見たときの斜視図である。また、
図９（ｃ）は図９（ａ）中のＡ−Ａ’における断面図で
ある。半導体チップ１０ａの電子回路が形成されている
表面は窒化シリコン膜などの不図示の絶縁膜で被覆され
ており、前記絶縁膜には、前記電子回路のパッド電極に
接続するように開口部が設けられ、電子回路のパッド電
極に接続するように、例えばはんだボールバンプあるい
は金スタッドバンプなどのバンプ（突起電極）１１が形
成されている。半導体チップ１０ａは、例えば１２５μ
ｍの厚さである。上記の半導体チップ１０ａの側面は、
例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂あるいはポリイ
ミド樹脂などの熱可塑性樹脂などからなり、３０μｍの
膜厚を有する側面保護層１３ａにより被覆されている。

【００３９】上記の本実施形態の半導体装置は、脆性な
シリコンの角部が剥き出しになっていないので、衝撃な
どによりシリコンくずが発生しにくい構造となってい
る。また、上記の半導体チップを半導体ウエハから個々
に分割する際には、半導体ウエハの切断位置に形成され
た溝に埋め込まれた上記の側面保護層を切断すればよい
構造となっており、半導体チップの電子回路形成面の裏
面側の表層部分のクラックの発生を防止して個々の半導
体チップに分割することができる。また、上記の溝を形
成するためにはシリコン用のダイサーを用いることがで
き、側面保護層を切断するダイサーとしては樹脂用のダ
イサーなど、側面保護層材料に適したダイサーを用いる
ことができる。従ってその製造工程において、ダイサー
の歯が樹脂などにより目詰まりを起こすことなく製造す
ることが可能である。

【００４０】上記の半導体装置の製造方法について図面
を参照して説明する。半導体ウエハ１０上にバンプ１１
を形成し、半導体チップの電子回路パターンを所定の領
域毎に区分するように溝１２を形成し、例えばスクリー
ン印刷、バブルジェット印刷あるいはマイクロシリンジ
による注入により、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂あ
るいはポリイミド樹脂などの熱可塑性樹脂などで溝１２
を埋め込んで第１保護層１３を形成する工程までは、図
２に示す第１実施形態と同様である。

【００４１】上記のように第１保護層１３を形成した
後、図１０（ｄ）に示すように、半導体ウエハ１０のバ
ンプ１１形成面上に、紫外線硬化樹脂シートなどからな
るバックグラインド用のウエハ固定用シート２０を張り
付ける。ウエハ固定用シート２０は、バンプ１１の高さ
を十分に吸収する程度の膜厚とする。次に、電子回路形
成面の裏面側から第１保護層１３が露出するまで半導体
ウエハ１０をグラインダーＢＧにより研削する。例え
ば、半導体ウエハ１０の厚さとして、溝１２の深さｄよ
りも薄い所定の厚さｔ（例えば１２５μｍ程度）となる
まで研削する。これにより、半導体ウエハは所定の領域
毎の複数個の半導体チップ１０ａに分割される。

【００４２】次に、図１０（ｅ）に示すように、樹脂切
断用の第２ダイサーＤ２により、上記のように露出した
第１保護層１３を複数個の半導体チップ１０ａの側面を
被覆するように残しながら切断して側面保護層１３ａと
する。例えば、切り幅Ｗ２を２５μｍとし、半導体チッ
プ１０ａの側面にそれぞれ３０μｍずつ残すように切断
する。

【００４３】次に、図１０（ｆ）に示すように、上記分
割され、側面を側面保護層１３ａにより被覆された半導
体チップ１０ａをウエハ固定用シート２０から剥がし
て、図９に示す半導体装置とすることができる。また、
上記のようにウエハ固定用シート２０から剥がした後、
側面保護層１３ａを剥離することで、ベアチップ状態の
半導体チップとして使用することも可能である。

【００４４】上記のように、本実施形態によれば、半導
体チップを半導体ウエハから個々に分割する際に、半導
体ウエハの切断位置に形成された溝に埋め込まれた第１
保護層（側面保護層）を切断すればよく、シリコンくず
の原因となる半導体チップの電子回路形成面の裏面側の
表層部分のクラックの発生を防止して個々の半導体チッ
プに分割することができる。また、溝を形成するために
はシリコン用のダイサーを用いることができ、一方第１
保護層（側面保護層）を切断するためには樹脂用のダイ
サーなど、側面保護層材料に適したダイサーを用いるこ
とができる。従って、ダイサーの歯が樹脂などにより目
詰まりを起こすことがなくなる。

【００４５】上記の本実施形態の半導体装置は、第１実
施形態と同様に実装基板上に実装して用いることができ
る。

【００４６】本発明の半導体装置としては、ＭＯＳトラ
ンジスタ系、バイポーラ系、ＢｉＣＭＯＳ系、あるいは
ロジックとメモリを搭載した半導体装置など、半導体装
置であれば何にでも適用可能である。

【００４７】本発明の半導体装置のダイシング方法は上
記の実施の形態に限定されない。例えば、半導体チップ
の側面やバンプ形成面を被覆する保護膜は、上記に記載
の樹脂に限定されず、種々の樹脂材料を用いることがで
きる。さらに、樹脂以外の材料を用いることも可能であ
る。また、半導体チップに形成する突起電極としては、
はんだボールバンプ、金スタッドバンプなどのバンプを
メッキ法やボールバンプ法により形成することができ、
その材料や形成方法には限定はない。さらに、再配線を
有する場合や有さない場合を含む金属ポストを用いるこ
とも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で種々の変更が可能である。

【００４８】

【発明の効果】本発明の半導体装置のダイシング方法に
よれば、ダイサーの歯が樹脂により目詰まりを起こすこ
とはなく、また、シリコンくずの原因となる半導体チッ
プの電子回路形成面の裏面側の表層部分のクラックの発
生を防止して個々の半導体チップに分割することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は第１実施形態に係る半導体装置を
バンプ（突起電極）形成面側から見たときの斜視図であ
り、図１（ｂ）は裏面側から見たときの斜視図であり、
図１（ｃ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ’における断面図で
ある。

【図２】図２は第１実施形態に係る半導体装置の製造方
法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はバンプの形
成工程まで、（ｂ）は溝の形成工程まで、（ｃ）は第１
保護層の形成工程までを示す。

【図３】図３は図２の続きの工程を示し、（ｄ）は第２
保護層の形成工程まで、（ｅ）は半導体ウエハをグライ
ンダーにより研削する工程までを示す。

【図４】図４は図３の続きの工程を示し、（ｆ）は第１
保護層を切断する工程まで、（ｇ）は半導体チップをウ
エハ固定シートから剥離する工程まで、（ｈ）は第１保
護層および第２保護層を剥離する工程までを示す。

【図５】図５は第１実施形態に係る半導体装置を実装基
板に実装したときの断面図である。

【図６】図６（ａ）は第２実施形態に係る半導体装置を
バンプ（突起電極）形成面側から見たときの斜視図であ
り、図６（ｂ）は裏面側から見たときの斜視図であり、
図６（ｃ）は図６（ａ）中のＡ−Ａ’における断面図で
ある。

【図７】図７は第２実施形態に係る半導体装置の製造方
法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はバンプの形
成工程まで、（ｂ）は溝の形成工程まで、（ｃ）は第１
保護層および第２保護層の形成工程までを示す。

【図８】図８は図７の続きの工程を示し、（ｄ）は半導
体ウエハをグラインダーにより研削する工程まで、
（ｅ）は第１保護層を切断する工程まで、（ｆ）は半導
体チップをウエハ固定シートから剥離する工程までを示
す。

【図９】図９（ａ）は第３実施形態に係る半導体装置を
バンプ（突起電極）形成面側から見たときの斜視図であ
り、図９（ｂ）は裏面側から見たときの斜視図であり、
図９（ｃ）は図９（ａ）中のＡ−Ａ’における断面図で
ある。

【図１０】図１０は第２実施形態に係る半導体装置の製
造方法の製造工程を示す断面図であり、（ｄ）は半導体
ウエハをグラインダーにより研削する工程まで、（ｅ）
は第１保護層を切断する工程まで、（ｆ）は半導体チッ
プをウエハ固定シートから剥離する工程までを示す。

【図１１】図１１（ａ）は従来例に係る半導体装置をバ
ンプ（突起電極）形成面側から見たときの斜視図であ
り、図１１（ｂ）は図１１（ａ）中のＡ−Ａ’における
断面図である。

【図１２】図１２は従来例に係る半導体装置を実装基板
に実装したときの断面図である。

【図１３】図１３は従来例に係る半導体装置の製造方法
の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はバンプの形成
工程まで、（ｂ）は半導体ウエハをグラインダーにより
研削する工程まで、（ｃ）はダイサーにより個々の半導
体チップに分割する工程までを示す。

【図１４】図１４は従来例に係る半導体装置の問題点を
説明する半導体装置の平面図である。

【図１５】図１５（ａ）および（ｂ）は従来例に係る半
導体装置の製造方法の問題点を説明する半導体装置の断
面図である。

【符号の説明】

１０…半導体ウエハ、１０ａ…半導体チップ、１１…バ
ンプ、１２…溝、１３…第１保護層、１３ａ…側面保護
層、１４…第２保護層（バンプ形成面保護層）、１４
ａ，４０…封止樹脂、３０…基板、３１…電極、Ｄ１，
Ｄ２，Ｄ…ダイサー、ＢＧ…グラインダー、Ｘ…切断位
置、Ｃ…クラック。

フロントページの続き (72)発明者山口克己大分県速見郡日出町大字川崎字高尾4260番地日本テキサス・インスツルメンツ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】主面に複数の電子回路が形成されている半
導体ウエハに上記主面側から上記電子回路を区画する溝
を形成する工程と、上記溝に樹脂を充填する工程と、上記半導体ウエハをその裏面側から上記樹脂が露出する
ように研削する工程と、上記半導体ウエハを上記溝に沿って切断することにより
上記電子回路毎に半導体回路として切り離す工程と、を有する半導体装置のダイシング方法。
【請求項２】上記半導体ウエハの切断工程は、個々に切
り離される上記半導体装置の側面に上記樹脂が残存する
ようになされる請求項１に記載の半導体装置のダイシン
グ方法。
【請求項３】上記溝に樹脂を充填する際に上記半導体ウ
エハの主面が樹脂で被覆される請求項１又は２に記載の
半導体装置のダイシング方法。
【請求項４】上記溝に樹脂を充填する工程はスピンコー
トによりなされる請求項１、２又は３に記載の半導体装
置のダイシング方法。