JP2004172587A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ボール状の導電端子を有するＢＧＡ型の半導体装置の歩留まり及び信頼性向上を図る。
【解決手段】 第１の配線３が形成された半導体ウエハ１ａの表面に樹脂５ａを介して第１のガラス基板４を貼り合わせる。半導体ウエハ１ａの裏面は樹脂５ｂを介して第２のガラス基板６を貼り合わせる。そして第１のガラス基板４の一部をノッチングして、Ｖ字型の溝を形成する。そして、第１の配線３と接続し、第２のガラス基板６の表面に延在する第２の配線８を形成する。次に、第２の配線８上に、スプレーコートにより、有機系樹脂から成る保護膜９、及び保護膜９に開口部を設けるためのレジスト層を形成する。そして、保護膜９をソルダーマスクとして、スクリーン印刷により、導電端子１０を形成する。なお、第２のガラス基板６上に、緩衝部材７を、スプレーコートにより形成してもよい。
【選択図】 図１０

Description

本発明は、ボール状の導電端子を有するＢＧＡ（Ball Grip Array）型の半導体装置の製造方法に関するものである。

近年、三次元実装技術として、また新たなパッケージ技術として、ＣＳＰ（Chip Size Package）が注目されている。ＣＳＰとは、半導体チップの外形寸法と略同サイズの外形寸法を有する小型パッケージをいう。

従来より、ＣＳＰの一種として、ＢＧＡ型の半導体装置が知られている。このＢＧＡ型の半導体装置は、半田等の金属部材からなるボール状の導電端子をパッケージの一主面上に格子状に複数配列し、パッケージの他の面上に搭載される半導体チップと電気的に接続したものである。

そして、このＢＧＡ型の半導体装置を電子機器に組み込む際には、各導電端子をプリント基板上の配線パターンに圧着することで、半導体チップとプリント基板上に搭載される外部回路とを電気的に接続している。

このようなＢＧＡ型の半導体装置は、側部に突出したリードピンを有するＳＯＰ（Small Outline Package）やＱＦＰ（Quad Flat Package）等の他のＣＳＰ型の半導体装置に比べて、多数の導電端子を設けることが出来、しかも小型化できるという長所を有する。このＢＧＡ型の半導体装置は、例えば携帯電話機に搭載されるデジタルカメラのイメージセンサチップとしての用途がある。

図１１は、従来のＢＧＡ型の半導体装置の概略構成を成すものであり、図１１（Ａ）は、このＢＧＡ型の半導体装置の表面側の斜視図である。また、図１１（Ｂ）はこのＢＧＡ型の半導体装置の裏面側の斜視図である。

このＢＧＡ型の半導体装置１０１は、第１及び第２のガラス基板１０２、１０３の間に半導体チップ１０４がエポキシ樹脂１０５ａ、１０５ｂを介して封止されている。第２のガラス基板１０３の一主面上、即ちＢＧＡ型の半導体装置１０１の裏面上には、導電端子１０６が格子状に複数配置されている。この導電端子１０６は、第２の配線１１０を介して半導体チップ１０４へと接続される。複数の第２の配線１１０には、それぞれ半導体チップ１０４の内部から引き出されたアルミニウム配線が接続されており、各導電端子１０６と半導体チップ１０４との電気的接続がなされている。

このＢＧＡ型の半導体装置１０１の断面構造について図１２を参照して更に詳しく説明する。図１２はダイシングラインに沿って、個々のチップに分割されたＢＧＡ型の半導体装置１０１の断面図を示している。

半導体チップ１０４の表面に配置された絶縁膜１０８上に第１の配線１０７が設けられている。この半導体チップ１０４は樹脂１０５ａによって第１のガラス基板１０２と接着されている。また、この半導体チップ１０４の裏面は、樹脂１０５ｂによって第２のガラス基板１０３と接着されている。

そして、第１の配線１０７の一端は第２の配線１１０と接続されている。この第２の配線１１０は、第１の配線１０７の一端から第２のガラス基板１０３の表面に延在している。そして、第２のガラス基板１０３上に延在した第２の配線上には、ボール状の導電端子１０６が形成されている。

上述した技術は、例えば以下の特許文献１に記載されている。
特許公表２００２−５１２４３６号公報

上述したＢＧＡ型の半導体装置１０１は、上記ダイシング工程前に有機系樹脂を用いて、Ｖ字型の溝ＶＧを有した半導体装置の表面に保護膜１１１を形成している（図１３参照）。当該保護膜１１１を形成する方法として、半導体チップ１０４の裏面側を上に向けて、熱硬化性の有機系樹脂を上方からポッディング（滴下）して、半導体ウエハ自体を回転させることで、その遠心力を利用して、第２の配線１１０の表面に保護膜１１１を形成する方法をとってきた。

しかし、この方法では図１３（Ａ）に示すようにダイシングライン（図中破線）のＶ字型の溝ＶＧの底部に当該熱硬化性の有機系樹脂が必要以上に厚く溜まる。これは、当該有機系樹脂が粘性のあるペーストの性質を有するためである。このため、当該保護膜１１１をベーキング（加熱処理）によって熱硬化させると、Ｖ字型の溝ＶＧに溜まった有機系樹脂が、半導体装置１０１の他の部分を覆う有機系樹脂に比べてより大きく収縮する。その結果、Ｖ字型の溝ＶＧでより大きな収縮が生じて、半導体ウエハが反ってしまうという問題点があった（図１３（Ｂ）の矢印方向に反りが生じる）。

このような反りがある半導体ウエハでは、その後の製造工程に支障を招いていた。特に、上記保護膜１１１をマスクとしたスクリーン印刷により、導電端子１０６を形成する工程において、印刷位置合わせの精度が悪くなり、ＢＧＡ型の半導体装置１０１の歩留まりや信頼性に問題が生じるおそれがあった。

本発明は、以上の欠点に鑑み成されたものであり、ＢＧＡ型の半導体装置１０１の製造工程中に生じる半導体ウエハの反りを解消し、半導体装置の信頼性を向上させるものである。

本発明は、導電端子に加わる力を吸収する緩衝部材または保護膜または当該保護膜に開口部を設けるためのレジスト層をスプレーコートにより形成することにより、その膜厚を均一とし、半導体ウエハの反りを防止したものである。これにより、その後に行われるスクリーン印刷において、導電端子の形成位置合わせの精度が高まり、ＢＧＡ型の半導体装置の歩留まり及び信頼性を向上させることができる。

本発明によれば、緩衝部材または保護膜またはレジスト層の各層を形成する際に、成膜材料を霧状の微粒子にして噴出させコーティングするスプレーコートを用いているので、上記各層が均一の膜厚となるように形成される。そして、保護膜やレジスト層のベーキングの際に、保護膜やレジスト層が局所的に大きく収縮することが抑制されるので、半導体ウエハの反りを防止することができる。これにより、スクリーン印刷のように、半導体ウエハの平坦性が問題となる工程の精度を向上させることができ、ＢＧＡ型の半導体装置の歩留まりや信頼性を向上できる。

以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、「実施形態」と略称する）に係る半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１乃至図６は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。

まず、図１に示すように、複数の半導体チップ１を有する半導体ウエハ１ａを用意する。これらの半導体チップ１は、例えばＣＣＤのイメージセンサ用のチップであり、半導体のウエハープロセスにより形成される。半導体ウエハ１ａ上には絶縁膜２が形成されており、この絶縁膜上に、アルミニウムまたは銅を主体とする一対の第１の配線３をスパッタ法により約1μｍの厚さに形成する。

一対の第１の配線３は、半導体チップ１毎に分断するための境界ラインＳ（ダイシングラインまたはスクライブラインと呼ばれる）の両側に対向して形成する。尚、境界ラインＳを跨るように第１の配線３を形成し、その後、一対の第１の配線３となるように分断してもよい。

ここで、一対の第１の配線３は、半導体チップ１のボンディングパッドから、境界ラインＳまで拡張されたパッドである。すなわち、一対の第１の配線３は外部接続パッドであって、半導体チップ１の図示しない回路と電気的に接続されている。

次に、図２に示すように、第１の配線３が形成された半導体ウエハ１ａの表面上に、約２００μｍの膜厚を有する第１のガラス基板４を透明のエポキシ材料からなる樹脂５ａを接着剤として用いて貼り合わせる。そして、半導体ウエハ１ａをバックグラインドしてチップ厚を約１００μｍとした後、当該半導体ウエハ１ａをその裏面側から境界ラインＳに沿ってドライエッチングし、絶縁膜２を露出させる。このドライエッチングで半導体ウエハ１ａはいったん個々の半導体チップ１に分離されるが、これらの半導体チップ１は、支持基板としての第１のガラス基板４によって支持され、全体としては一枚の半導体ウエハ１ａとしての形態を呈している。

次いで、図３に示すように、樹脂５ｂを接着剤として、半導体チップ１の裏面側に約１００μｍの膜厚を有する支持基板としての第２のガラス基板６を貼り合わせる。

次に、図４（Ａ）に示すように、第２のガラス基板６の平坦部の所定位置に、柔軟性を有する感光性有機膜から成る緩衝部材７を形成することが好ましい。この緩衝部材７は、後述する導電端子１０に加わる力を吸収し、ガラス基板の割れ等を防止するためのものである。なお、上記緩衝部材７は、柔軟性を有したものであれば、感光性有機膜以外の材質により構成されてもよい。

この緩衝部材７は、成膜材料（例えば液状の感光性有機膜材料）を、不図示のスプレーコーターによって、第２のガラス基板６の表面に向けて、スプレー（噴出）させることによりコーティングを行う方法（以下、「スプレーコート」と略称する）を用いて、第２のガラス基板６の表面に形成する。

ここで、上記スプレーコーターは、例えば液状の感光性有機膜材料に圧力を加えて、これを細いノズルから第２のガラス基板６の表面に噴出させることにより、感光性有機膜材料を霧状の微粒子にする構成を有している。スプレーコーターは係る構成を備えていれば、手動制御でも自動制御でもよい。

そして、第２のガラス基板６上で均一な厚さに形成された緩衝部材７の不要部分（上記所定位置以外の箇所）を除去する。

このスプレーコートによれば、緩衝部材７は、均一な厚さで形成される。これにより、緩衝部材７の上方に、後述する導電端子１０を形成する際、導電端子１０を所定の形成位置及び高さで形成することができる。従って、導電端子１０に加わる力が均一になるため、応力によるガラス基板の割れや歪み等の発生を極力抑止できる。

その後、半導体チップ1の裏面側から境界ラインＳに沿って、ノッチングを行う。このノッチング工程では、半導体チップ１の裏面側から鋸状等の器具、例えばブレードを用いて切削加工を施すことで行われる。そして、このノッチング工程は、第２のガラス基板６から、第１のガラス基板４に至るまで、この第１のガラス基板４を幾分切削する程度まで行い、第１の配線３の側端部をノッチング表面に露出させる。このノッチングにより、境界ラインＳに沿ってＶ字型の溝ＶＧが形成される。この際にノッチングによって当該露出面が汚染される場合があるので、必要に応じてドライエッチング等によって露出面をクリーニングすると良い。

次に、図４（Ｂ）に示すように、前記第２のガラス基板６及びノッチングで形成されたＶ字型の溝ＶＧを覆うように、約３μｍの膜厚を有するアルミニウムまたは銅を主体とする金属層を形成する。その後、金属層を所定の配線パターンにパターニングして第１の配線３の露出された側端部と電気的に接続する第２の配線８を形成する。当該第２の配線８を形成した後に、不図示なＮｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）のメッキをその表面に形成する。この第２の配線８は、半導体チップ１の裏面の第２のガラス基板６の表面に延在する。この第２のガラス基板６の表面に延在する第２の配線８上には、後述する導電端子１０が形成される。

次に、図５に示すように、第２の配線８上に保護膜９を形成する。保護膜９は後のスクリーン印刷工程で、ソルダーマスクとして機能する。この保護膜９は、不図示のスプレーコーターによって、例えばエポキシ樹脂のような有機系樹脂を、同図の矢印方向に、すなわち第２の配線８が形成された面に向けてスプレーコートして、第２の配線８の表面に形成する。

ここで、上記スプレーコーターは、例えば液状の有機系樹脂に圧力を加えて、これを細いノズルから第２の配線８の形成された面に噴出させることにより、有機系樹脂を霧状の微粒子にする構成を有している。スプレーコーターは係る構成を備えていれば、手動制御でも自動制御でもよい。

このスプレーコートによれば、保護膜９は、Ｖ字型の溝ＶＧを含めて均一な厚さに形成され、Ｖ字型の溝ＶＧに厚く溜まることが無くなるため、有機系樹脂の使用量を極力少量に抑えることが可能となる。

有機系樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、保護膜９をスプレーコートした後、所定の温度に加熱してベーキングを行い、保護膜９を熱硬化させる。このとき、保護膜９は、Ｖ字型の溝ＶＧに厚く溜まることが無く、均一な厚さに形成されているので、従来のような半導体ウエハ１ａの反りは生じない。尚、当該保護膜９はレジスト材料で形成してもよい。

次に、第２のガラス基板６上方の当該保護膜９の所定位置に、後述する導電端子１０を形成するために、第２の配線８が露出するように開口部Ｋを形成する。この開口部Ｋは、緩衝部材７がある場合、緩衝部材７と対応する位置に形成する。開口部Ｋは、以下に示すように、レジスト層Ｒを用いて形成される。

図６に示すように、例えば液状のレジスト材料を、同図の矢印方向に、すなわち保護膜９が形成された面に向けてスプレーコートして、レジスト層Ｒを保護膜９の表面に形成する。スプレーコートによるレジスト層Ｒの形成は、不図示のスプレーコーターによって行われる。

ここで、上記スプレーコーターは、例えば液状のレジスト材料に圧力を加えて、これを細いノズルから保護膜９上に噴出させることにより、レジスト材料を霧状の微粒子にする構成を有している。スプレーコーターは係る構成を備えていれば、手動制御でも自動制御でもよい。

このスプレーコートによれば、レジスト層Ｒは、Ｖ字型の溝ＶＧを含めて均一な厚さに形成され、Ｖ字型の溝ＶＧに厚く溜まることが無くなるため、レジスト材料の使用量を極力少量に抑えることが可能となる。

また、レジスト材料が熱硬化性樹脂である場合には、レジスト層Ｒをスプレーコートした後、所定の温度に加熱してベーキングを行い、レジスト層Ｒを熱硬化させる。このとき、レジスト層Ｒは、Ｖ字型の溝ＶＧに厚く溜まることが無く、均一な厚さに形成されているので、従来のような半導体ウエハ１ａの反りは生じない。

次に、図７に示すように、レジスト層Ｒのうち、緩衝部材７に対応した部分を、例えば不図示のマスクを用いて露光及び現像することにより除去する。そして、図８に示すように、上記部分を除去したレジスト層Ｒをマスクとして、第２の配線８を露出させるように保護膜９の一部をエッチング等により除去し、開口部Ｋを形成する。その後、図９に示すようにレジスト層Ｒ全体を除去する。

次に、図１０（Ａ）に示すように、開口部Ｋを有した保護膜９をマスクとして、スクリーン印刷法により、当該開口部Ｋに露出された第２の配線８上に、半田等の金属から成る導電端子１０を形成する。緩衝部材７がある場合、当該導電端子１０は、緩衝部材７に対応した位置に配置される。

このとき、従来に比べ半導体ウエハ１ａの反りの発生が抑制されているので、スクリーン印刷は高精度に行うことができる。即ち、スクリーン印刷のように、半導体ウエハの平坦性が問題となる工程の精度を向上させることができ、ＢＧＡ型の半導体装置の歩留まりや信頼性を向上できる。そして、その後のリフロー工程を行う。これにより、当該導電端子１０はボール状の形状になる。次に、図１０（Ｂ）に示すように、境界ラインＳに沿ってダイシングを行い、個々の半導体チップ１に分割する。これより、ＢＧＡ型の半導体装置が完成する。

なお、上記実施形態では、開口部Ｋを形成するためのレジスト層Ｒを、スプレーコートにより保護膜９上に形成したが、本発明は、これに限定されない。即ち、パターニング時のマスク材としてレジスト層を使用する諸工程において、スプレーコートを用いて当該レジスト層を形成してもよい。

また、上記実施形態では、信頼性を確保するために半導体ウエハ１ａに第１のガラス基板４、第２のガラス基板６を貼り合わせているが、工程を簡略化するためには、第２のガラス基板６を省略してもよい。この場合、図２の工程におけるバックグラインドの後、半導体ウエハ１ａをその裏面側から境界ラインＳに沿ってエッチングして溝を形成し、第１の配線３を露出させる。このエッチングは、レジスト層を形成して行うが、このレジスト層は、スプレーコートにより、レジスト材料を半導体ウェハ１ａの裏面に塗布して形成される。

そして、チップ裏面側に緩衝部材７を形成する場合は、スプレーコートにより、半導体ウェハ１ａの裏面に緩衝部材７を形成する。さらに、第２の配線８を、半導体ウェハ１ａ（半導体チップ１）の裏面に形成して、その後、スプレーコートにより、第２の配線８上に保護膜９を形成する。

さらにまた、上記実施形態では、本発明を、半導体チップの裏面に導電端子を有するＢＧＡ型の半導体装置に適用しているが、本発明はこれに限らず、半導体チップの裏面に導電端子を有さない、いわゆるＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置に本発明を適用しても良い。即ち、第２の配線８の表面に保護膜９を形成し、この保護膜９の開口部Ｋに導電端子１０を形成しない状態の半導体装置を構成するものである。

本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。 従来の半導体装置の製造方法を示す斜視図である。 従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。 従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。

Claims (15)

1. 第１の配線が形成された半導体ウエハの表面に第１の支持基板を貼り合わせる工程と、
   前記半導体ウエハの裏面に第２の支持基板を貼り合わせる工程と、
   前記第２の支持基板の裏面からダイシングラインに沿って、前記第１の支持基板に至るまで切削を行うことによって溝を形成し、前記第１の配線を部分的に露出させる工程と、
   前記第１の配線の露出部分に接続され、前記第２の支持基板の表面に延在する第２の配線を形成する工程と、
   前記第２の配線の表面に、スプレーコートにより、有機系樹脂から成る保護膜を形成する工程と、
   前記保護膜の所定位置に前記第２の配線を露出する開口部を形成する工程と、
   を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記第２の支持基板上に、スプレーコートにより、緩衝部材を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記保護膜の表面に、スプレーコートにより、レジスト層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記開口部に露出された第２の配線上に導電端子を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１，２，３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
5. 第１の配線が形成された半導体ウエハの表面に支持基板を貼り合わせる工程と、
   前記半導体ウエハの裏面からダイシングラインに沿ってエッチングを行うことによって溝を形成し、前記第１の配線を部分的に露出させる工程と、
   前記第１の配線の露出部分に接続され、前記半導体ウエハの裏面に延在する第２の配線を形成する工程と、
   前記第２の配線の表面にスプレーコートにより有機系樹脂から成る保護膜を形成する工程と、
   前記保護膜の所定位置に前記第２の配線を露出する開口部を形成する工程と、
   を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記半導体ウェハの裏面に、スプレーコートにより、緩衝部材を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記保護膜の表面に、スプレーコートにより、レジスト層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記開口部に露出された第２の配線上に導電端子を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５，６，７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記有機系樹脂は、熱硬化性を有することを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記有機系樹脂は、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
11. 第１の配線が形成された半導体ウエハの表面に、第１の支持基板を貼り合わせる工程と、
    前記半導体ウェハを、当該半導体ウェハの裏面からダイシングラインに沿ってエッチングして、複数の半導体チップに分離する工程と、
    前記複数の半導体チップの裏面に、樹脂を介して第２の支持基板を貼り合わせる工程と、
    前記ダイシングラインに沿って、前記第２の支持基板の裏面から、前記第２の支持基板及び前記樹脂を切削し、さらに前記第１の支持基板の一部を切削することによって溝を形成し、前記第１の配線を部分的に露出させる工程と、
    前記第１の配線の露出部分に接続され、前記第２の支持基板の表面に延在する第２の配線を形成する工程と、
    前記第２の配線の表面に、スプレーコートにより、有機系樹脂から成る保護膜を形成する工程と、
    前記保護膜の所定位置に前記第２の配線を露出する開口部を形成する工程と、
    を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 前記第２の支持基板上に、スプレーコートにより、緩衝部材を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記保護膜の表面に、スプレーコートにより、レジスト層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記開口部に露出された第２の配線上に導電端子を形成する工程を具備することを特徴とする請求項１１，１２，１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
15. パターニング時のマスク材としてレジスト層を使用する工程において、スプレーコートを用いることを特徴とする請求項１，５，１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

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