JPH05160229A - ボンディングパッド検査装置 - Google Patents
ボンディングパッド検査装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ボンディング前に端子，パッド及びリードフレ
ーム２の反射光量または反射率を測定装置８と、標準の
反射光量または反射率の許容範囲内であるか否かを判定
する判定装置９と、判定結果の表示装置１０と、判定結
果をボンディング装置に指令する制御装置１１をもった
ボンディングパッド検査装置。 【効果】端子，パッド及びリードフレームのきず，ピン
ホール，ごみ，汚れなどの微小な欠陥，表面粗さ，酸化
皮膜及び材質変化などの不良を発見し、接続部の未接
合，界面剥離欠陥や接合強度の低下を低減することがで
きる。
ーム２の反射光量または反射率を測定装置８と、標準の
反射光量または反射率の許容範囲内であるか否かを判定
する判定装置９と、判定結果の表示装置１０と、判定結
果をボンディング装置に指令する制御装置１１をもった
ボンディングパッド検査装置。 【効果】端子，パッド及びリードフレームのきず，ピン
ホール，ごみ，汚れなどの微小な欠陥，表面粗さ，酸化
皮膜及び材質変化などの不良を発見し、接続部の未接
合，界面剥離欠陥や接合強度の低下を低減することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品，半導体素子
などのボンディング用端子，パッド及びリードフレーム
の新規な検査装置とボンディング装置に関する。
などのボンディング用端子，パッド及びリードフレーム
の新規な検査装置とボンディング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、金線，銅線などを電子部品，半導
体素子などのボンディング用端子，パッド及びリードフ
レームに接続する場合、はんだ付け（リフロー法含
む）、超音波接合，熱圧着，抵抗接合等によって接続が
行なわれており、特に超音波ボンディング（ウエッジ，
ボール）の適用が多い。リード線とボンディング用端
子，パッド及びリードフレームとの接続部の検査はボン
ディング中またはボンディング後に行われ、数多くの検
査方法がある。
体素子などのボンディング用端子，パッド及びリードフ
レームに接続する場合、はんだ付け（リフロー法含
む）、超音波接合，熱圧着，抵抗接合等によって接続が
行なわれており、特に超音波ボンディング（ウエッジ，
ボール）の適用が多い。リード線とボンディング用端
子，パッド及びリードフレームとの接続部の検査はボン
ディング中またはボンディング後に行われ、数多くの検
査方法がある。
【０００３】電子部品，半導体素子などのボンディング
用端子，パッド及びリードフレームは、受入れのままか
受入れ後洗浄を行い、さらに外観検査を行いボンディン
グに供されているのが現状であり、ボンディング用端
子，パッド及びリードフレームのボンディングすべき表
面のきず，ピンホールなどの微小な欠陥，表面粗さ，酸
化皮膜，材質変化などがあるにもかかわらず、ボンディ
ング前のボンディング用端子，パッド及びリードフレー
ムの検査が行き届いてないのが現状である。
用端子，パッド及びリードフレームは、受入れのままか
受入れ後洗浄を行い、さらに外観検査を行いボンディン
グに供されているのが現状であり、ボンディング用端
子，パッド及びリードフレームのボンディングすべき表
面のきず，ピンホールなどの微小な欠陥，表面粗さ，酸
化皮膜，材質変化などがあるにもかかわらず、ボンディ
ング前のボンディング用端子，パッド及びリードフレー
ムの検査が行き届いてないのが現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術であるボ
ンディング用端子，パッド及びリードフレームの検査で
は、ボンディングすべき表面のきず，ピンホールなどの
微小な欠陥，表面粗さ，酸化皮膜，材質変化などの点を
考慮されておらず、ボンディング後の接続部の未接合，
界面剥離欠陥の発生や接合強度の低下などにより品質に
問題があり不良が多いため経済性にも問題がある。
ンディング用端子，パッド及びリードフレームの検査で
は、ボンディングすべき表面のきず，ピンホールなどの
微小な欠陥，表面粗さ，酸化皮膜，材質変化などの点を
考慮されておらず、ボンディング後の接続部の未接合，
界面剥離欠陥の発生や接合強度の低下などにより品質に
問題があり不良が多いため経済性にも問題がある。
【０００５】また上記従来技術では、使用中に接続抵抗
が増加したり、接続部から断線したりして、電子部品，
半導体素子の機能低下や使用不能が起こるなど信頼性に
問題がある。
が増加したり、接続部から断線したりして、電子部品，
半導体素子の機能低下や使用不能が起こるなど信頼性に
問題がある。
【０００６】本発明の目的は、高品質で信頼性の高いボ
ンディングが可能となるボンディング用端子，パッド及
びリードフレームの検査装置を提供することにある。
ンディングが可能となるボンディング用端子，パッド及
びリードフレームの検査装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明はボンディング前に端子，パッド及びリード
フレームのボンダビリティの良否を判定する手段と、判
定結果を表示する手段と、判定結果をボンディング装置
に指令，制御する手段を設けることを特徴とする。
に、本発明はボンディング前に端子，パッド及びリード
フレームのボンダビリティの良否を判定する手段と、判
定結果を表示する手段と、判定結果をボンディング装置
に指令，制御する手段を設けることを特徴とする。
【０００８】本発明は、ボンディング前に端子，パッド
及びリードフレームのボンダビリティの良否を判定する
手段として、端子，パッドまたはリードフレームに光を
照射して、前記端子，パッドまたはリードフレームから
の反射光量または反射率を計測し、標準の反射光量また
は反射率の許容範囲内であるか否かを判定し、ボンダビ
リティの良否を判定することを特徴とする。
及びリードフレームのボンダビリティの良否を判定する
手段として、端子，パッドまたはリードフレームに光を
照射して、前記端子，パッドまたはリードフレームから
の反射光量または反射率を計測し、標準の反射光量また
は反射率の許容範囲内であるか否かを判定し、ボンダビ
リティの良否を判定することを特徴とする。
【０００９】本発明は、ボンディング前に端子，パッド
及びリードフレームのボンダビリティの良否を光の反射
光量または反射率によって判定する手段と同様に光吸収
率，上昇温度または温度上昇率を計測し、標準の光吸収
率，上昇温度または温度上昇率の許容範囲内であるか否
かを判定し、ボンダビリティの良否を判定することを特
徴とする。
及びリードフレームのボンダビリティの良否を光の反射
光量または反射率によって判定する手段と同様に光吸収
率，上昇温度または温度上昇率を計測し、標準の光吸収
率，上昇温度または温度上昇率の許容範囲内であるか否
かを判定し、ボンダビリティの良否を判定することを特
徴とする。
【００１０】本発明の端子、パッドまたはリードフレー
ムに照射する光の波長は７８０ｎｍ〜３０μｍ赤外光と
した。
ムに照射する光の波長は７８０ｎｍ〜３０μｍ赤外光と
した。
【００１１】また、本発明はボンディングする前に端
子，パッド及びリードフレームのボンダビリティの良否
を判定する手段と、判定結果に基づきボンダビリティの
悪い端子，パッド及びリードフレームのボンダビリティ
を改善する手段をもつことを特徴とする。
子，パッド及びリードフレームのボンダビリティの良否
を判定する手段と、判定結果に基づきボンダビリティの
悪い端子，パッド及びリードフレームのボンダビリティ
を改善する手段をもつことを特徴とする。
【００１２】さらに、本発明は、端子，パッド及びリー
ドフレームのボンダビリティを改善する手段としてレー
ザ，赤外線またはイオンビームを照射して端子，パッド
及びリードフレームのボンダビリティを改善することを
特徴とする。
ドフレームのボンダビリティを改善する手段としてレー
ザ，赤外線またはイオンビームを照射して端子，パッド
及びリードフレームのボンダビリティを改善することを
特徴とする。
【００１３】
【作用】電子部品，半導体素子などのボンディング用端
子，パッド及びリードフレームの検査方法及び装置とし
て、図１に従い説明する。代表的な例として図１は本発
明のボンディング用端子，パッド及びリードフレームの
検査装置を示す図である。図１に示すように、治具１上
のリードフレーム２のボンディング面３にレーザ発振器
４からのレーザ光５をレンズ６を通して照射して、リー
ドフレーム２のボンディング面からの反射光１２をレン
ズ６及びフィルタ１３を通してセンサ７により反射光１
２を検出し、測定装置８で反射光量または反射率を算出
し、判定装置９により標準の反射光量または反射率の許
容範囲内であるか否かを判定し、表示装置１０で判定結
果を表示するとともに制御装置１１でボンディング装置
を制御する検査装置及びボンディング装置である。
子，パッド及びリードフレームの検査方法及び装置とし
て、図１に従い説明する。代表的な例として図１は本発
明のボンディング用端子，パッド及びリードフレームの
検査装置を示す図である。図１に示すように、治具１上
のリードフレーム２のボンディング面３にレーザ発振器
４からのレーザ光５をレンズ６を通して照射して、リー
ドフレーム２のボンディング面からの反射光１２をレン
ズ６及びフィルタ１３を通してセンサ７により反射光１
２を検出し、測定装置８で反射光量または反射率を算出
し、判定装置９により標準の反射光量または反射率の許
容範囲内であるか否かを判定し、表示装置１０で判定結
果を表示するとともに制御装置１１でボンディング装置
を制御する検査装置及びボンディング装置である。
【００１４】本発明のボンディング方法及び装置では、
判定装置９により標準の反射光量または反射率の許容範
囲内であるか否かを判定後、表示装置１０で判定結果を
表示し、特に汚れ，きず等がひどく、判定結果が不良と
判定されたリードフレーム２についてボンダビリティ改
善する改善装置により改善を図り、リードフレーム２に
リード線１２をボンディングする方法及び装置である。
判定装置９により標準の反射光量または反射率の許容範
囲内であるか否かを判定後、表示装置１０で判定結果を
表示し、特に汚れ，きず等がひどく、判定結果が不良と
判定されたリードフレーム２についてボンダビリティ改
善する改善装置により改善を図り、リードフレーム２に
リード線１２をボンディングする方法及び装置である。
【００１５】本発明の検査方法は、ボンディング用端
子，パッド及びリードフレームに波長７８０ｎｍ〜３０
μｍ赤外光を照射し、照射した赤外光の反射光を計測し
反射率または反射光量を算出する方法である。ボンディ
ング用端子，パッド及びリードフレーム表面に酸化皮膜
や汚れが存在すると波長７８０ｎｍ〜３０μｍ赤外光を
照射すると赤外光を吸収して反射率または反射光量が減
少したり、きずや大きなごみが存在すると波長７８０ｎ
ｍ〜３０μｍ赤外光を照射すると赤外光は乱反射して反
射率または反射光量が減少したり、ボンディング用端
子，パッド及びリードフレームの材質が変化すると赤外
光を吸収しやすくなったり，反射しやすくなったり変化
する。そこでボンダビリティが良好なボンディング用端
子，パッド及びリードフレーム表面の反射光量または反
射率を標準として、その許容範囲内であるか否かで判定
した。同様に光吸収率，上昇温度または温度上昇率も酸
化皮膜，汚れ，きず，ごみ及び材質変化によって変化す
るため判定方法に有効である。本発明では、ボンディン
グ前に端子，パッド及びリードフレームのボンディング
すべき表面のきず，ピンホール，ごみ，汚れなどの微小
な欠陥，表面粗さ，酸化皮膜及び材質変化などを評価で
きるために、接続部の未接合，界面剥離欠陥の発生や接
合強度の低下を未然に防止し、不良を低減することがで
き、経済的効果が大きい。また、電子部品、半導体素子
を使用した場合に起こる接続抵抗の増加、接続部から断
線などを抑制し、製品の寿命を向上させる効果がある。
子，パッド及びリードフレームに波長７８０ｎｍ〜３０
μｍ赤外光を照射し、照射した赤外光の反射光を計測し
反射率または反射光量を算出する方法である。ボンディ
ング用端子，パッド及びリードフレーム表面に酸化皮膜
や汚れが存在すると波長７８０ｎｍ〜３０μｍ赤外光を
照射すると赤外光を吸収して反射率または反射光量が減
少したり、きずや大きなごみが存在すると波長７８０ｎ
ｍ〜３０μｍ赤外光を照射すると赤外光は乱反射して反
射率または反射光量が減少したり、ボンディング用端
子，パッド及びリードフレームの材質が変化すると赤外
光を吸収しやすくなったり，反射しやすくなったり変化
する。そこでボンダビリティが良好なボンディング用端
子，パッド及びリードフレーム表面の反射光量または反
射率を標準として、その許容範囲内であるか否かで判定
した。同様に光吸収率，上昇温度または温度上昇率も酸
化皮膜，汚れ，きず，ごみ及び材質変化によって変化す
るため判定方法に有効である。本発明では、ボンディン
グ前に端子，パッド及びリードフレームのボンディング
すべき表面のきず，ピンホール，ごみ，汚れなどの微小
な欠陥，表面粗さ，酸化皮膜及び材質変化などを評価で
きるために、接続部の未接合，界面剥離欠陥の発生や接
合強度の低下を未然に防止し、不良を低減することがで
き、経済的効果が大きい。また、電子部品、半導体素子
を使用した場合に起こる接続抵抗の増加、接続部から断
線などを抑制し、製品の寿命を向上させる効果がある。
【００１６】本発明の装置と、ボンディング方法及び装
置では、ボンディング前に端子，パッド及びリードフレ
ームのボンディングすべき表面に光を照射し、反射光，
温度を検出する方式であり、非接触式で短時間にきず，
ピンホール，ごみ，汚れなどの微小な欠陥，表面粗さ，
酸化皮膜及び材質変化が判別でき、ボンダビリティの判
定が可能である。
置では、ボンディング前に端子，パッド及びリードフレ
ームのボンディングすべき表面に光を照射し、反射光，
温度を検出する方式であり、非接触式で短時間にきず，
ピンホール，ごみ，汚れなどの微小な欠陥，表面粗さ，
酸化皮膜及び材質変化が判別でき、ボンダビリティの判
定が可能である。
【００１７】本発明の検査方法及び装置と、ボンディン
グ方法及び装置では、判定結果をボンディング装置に指
令，制御する装置１１を設けることにより、端子，パッ
ド及びリードフレームのボンディングすべき表面のき
ず，ピンホール，ごみ，汚れなどの微小な欠陥，表面粗
さ，酸化皮膜及び材質変化を判別し、判別結果に基づき
最適なボンディング条件を選定でき、高品質のボンディ
ングが可能となる。
グ方法及び装置では、判定結果をボンディング装置に指
令，制御する装置１１を設けることにより、端子，パッ
ド及びリードフレームのボンディングすべき表面のき
ず，ピンホール，ごみ，汚れなどの微小な欠陥，表面粗
さ，酸化皮膜及び材質変化を判別し、判別結果に基づき
最適なボンディング条件を選定でき、高品質のボンディ
ングが可能となる。
【００１８】また、本発明のボンディング方法及び装置
では、端子，パッド及びリードフレームのボンダビリテ
ィを改善する装置として、レーザ，イオンビーム，赤外
線の照射装置を設け、ボンディングすべき面に照射する
ことにより、不良と判定された端子，パッド及びリード
フレームを清浄にし、再生することが可能である。さら
にボンディングすべき面にレーザ，イオンビーム，赤外
線を照射する場合、不活性または還元性ガス中で行うと
良い。
では、端子，パッド及びリードフレームのボンダビリテ
ィを改善する装置として、レーザ，イオンビーム，赤外
線の照射装置を設け、ボンディングすべき面に照射する
ことにより、不良と判定された端子，パッド及びリード
フレームを清浄にし、再生することが可能である。さら
にボンディングすべき面にレーザ，イオンビーム，赤外
線を照射する場合、不活性または還元性ガス中で行うと
良い。
【００１９】
【実施例】〈実施例１〉図１に示す本発明のボンディン
グ用端子，パッド及びリードフレームの検査方法及び装
置を用いてリードフレーム上のボンディングパッド（Ａ
ｇめっき）の検査を行い、ボンディング装置によりＡｕ
リード線（φ３８μｍ）をリードフレームにボンディン
グした。
グ用端子，パッド及びリードフレームの検査方法及び装
置を用いてリードフレーム上のボンディングパッド（Ａ
ｇめっき）の検査を行い、ボンディング装置によりＡｕ
リード線（φ３８μｍ）をリードフレームにボンディン
グした。
【００２０】リードフレーム上のボンディングパッド
（Ａｇめっき）の検査は、検査個数五百個を行い、標準
の光反射率を８０％とし、光反射率が８０％以上を良
品、光反射率が８０％未満を不良品と判定した。
（Ａｇめっき）の検査は、検査個数五百個を行い、標準
の光反射率を８０％とし、光反射率が８０％以上を良
品、光反射率が８０％未満を不良品と判定した。
【００２１】個数五百個のリードフレーム上のボンディ
ングパッド（Ａｇめっき）面を検査した結果、光反射率
が８０％以上で良品と判定されたのが４９０個、光反射
率が７５〜８０％で不良品と判定されたのが七個、光反
射率が７０〜７５％で不良品と判定されたのが３個であ
った。
ングパッド（Ａｇめっき）面を検査した結果、光反射率
が８０％以上で良品と判定されたのが４９０個、光反射
率が７５〜８０％で不良品と判定されたのが七個、光反
射率が７０〜７５％で不良品と判定されたのが３個であ
った。
【００２２】そこで本発明のボンディング装置を用いて
個数五百個のリードフレーム上のボンディングパッド
（Ａｇめっき）面にＡｕリード線（φ３８μｍ）をボン
ディングした。良品であるリードフレームには、表１に
示すように通常(Ｎo.１)のボンディング条件（６０ｋＨ
ｚ，０.２Ｗ ，１２０ｇｆ，２０ｍｓ，２４０℃一定）
でボンディングを行い、接合強度約１５ｇｆでボールボ
ンディング部のネック破断であつた。これに対し、不良
品であるリードフレームには、表１に示すように本発明
の制御装置を用いて、Ｎo.４の光反射率が７５〜８０％
の場合通常のボンディング条件より超音波出力を０.３
Ｗ と大きく設定しボンディングすることで良品と同等
の品質となった。
個数五百個のリードフレーム上のボンディングパッド
（Ａｇめっき）面にＡｕリード線（φ３８μｍ）をボン
ディングした。良品であるリードフレームには、表１に
示すように通常(Ｎo.１)のボンディング条件（６０ｋＨ
ｚ，０.２Ｗ ，１２０ｇｆ，２０ｍｓ，２４０℃一定）
でボンディングを行い、接合強度約１５ｇｆでボールボ
ンディング部のネック破断であつた。これに対し、不良
品であるリードフレームには、表１に示すように本発明
の制御装置を用いて、Ｎo.４の光反射率が７５〜８０％
の場合通常のボンディング条件より超音波出力を０.３
Ｗ と大きく設定しボンディングすることで良品と同等
の品質となった。
【００２３】
【表１】
【００２４】同様にＮo.５の光反射率が７０〜７５％の
場合通常のボンディング条件より超音波出力を０.３Ｗ
と大きく、時間を３０ｍｓと長く設定しボンディングす
ることで良品と同等の品質となった。なお表１に示すＮ
o.２，３の不良品に通常のボンディング条件でボンディ
ングした場合、接合強度は約３〜５ｇｆと低く、界面剥
離を呈した。
場合通常のボンディング条件より超音波出力を０.３Ｗ
と大きく、時間を３０ｍｓと長く設定しボンディングす
ることで良品と同等の品質となった。なお表１に示すＮ
o.２，３の不良品に通常のボンディング条件でボンディ
ングした場合、接合強度は約３〜５ｇｆと低く、界面剥
離を呈した。
【００２５】不良品と判定されたパッド（Ａｇめっき）
面を観察及び分析した結果、パッド表面にきず，汚れ及
び酸化被膜が形成されており、本発明のボンディング用
端子，パッド及びリードフレームの検査方法及び装置は
ボンディング不良防止に有効であることがわかった。
面を観察及び分析した結果、パッド表面にきず，汚れ及
び酸化被膜が形成されており、本発明のボンディング用
端子，パッド及びリードフレームの検査方法及び装置は
ボンディング不良防止に有効であることがわかった。
【００２６】〈実施例２〉図２はボンディングパッドの
構造を示す図である。図１に示す本発明のボンディング
用端子，パッド及びリードフレームの検査方法及び装置
を用いて、図２に示すアルミナ基板上にモリブデン層，
ニッケル層，金層を形成されたボンディングパッドの検
査を行い、その後、ボンディング装置によりＡｕリード
線（φ３０μｍ）をパッド面にボールボンディングし
た。このボンディングパッドの検査は、検査個数２５０
個を行い、標準の光反射率を７５％とし、光反射率７５
％以上を良品、光反射率７５％未満を不良品と判定し
た。なお、ボンディングパッドには、熱処理としてＮ2
雰囲気中で７８０℃×１５min 施してある。
構造を示す図である。図１に示す本発明のボンディング
用端子，パッド及びリードフレームの検査方法及び装置
を用いて、図２に示すアルミナ基板上にモリブデン層，
ニッケル層，金層を形成されたボンディングパッドの検
査を行い、その後、ボンディング装置によりＡｕリード
線（φ３０μｍ）をパッド面にボールボンディングし
た。このボンディングパッドの検査は、検査個数２５０
個を行い、標準の光反射率を７５％とし、光反射率７５
％以上を良品、光反射率７５％未満を不良品と判定し
た。なお、ボンディングパッドには、熱処理としてＮ2
雰囲気中で７８０℃×１５min 施してある。
【００２７】パッド面の検査結果は、２５０個中２３４
個が良品と判定され、２５０個中１６個が不良品と判定
された。
個が良品と判定され、２５０個中１６個が不良品と判定
された。
【００２８】そこで本発明のボンディング装置を用いて
個数２５０個のアルミナ基板上のボンディングパッド
（Ａｕめっき）面にＡｕリード線（φ３０μｍ）をボン
ディングした。良品であるアルミナ基板上のボンディン
グパッドには、表２に示すように通常（Ｎo.１１）のボ
ンディング条件（６０ｋＨｚ，０.２Ｗ 、８０ｇｆ，２
０ｍｓ，２００℃一定）でボンディングを行い、接合強
度約１０ｇｆでボールボンディング部のネック破断であ
つた。
個数２５０個のアルミナ基板上のボンディングパッド
（Ａｕめっき）面にＡｕリード線（φ３０μｍ）をボン
ディングした。良品であるアルミナ基板上のボンディン
グパッドには、表２に示すように通常（Ｎo.１１）のボ
ンディング条件（６０ｋＨｚ，０.２Ｗ 、８０ｇｆ，２
０ｍｓ，２００℃一定）でボンディングを行い、接合強
度約１０ｇｆでボールボンディング部のネック破断であ
つた。
【００２９】
【表２】
【００３０】これに対し、不良品であるアルミナ基板上
のボンディングパッドには、本発明の制御装置を用い
て、Ｎo.１３の光反射率が７５％以下の場合通常のボン
ディング条件より超音波出力を０.３Ｗ 、加圧力を１０
０ｇｆと大きく、時間を３０ｍｓと長く設定しボンディ
ングすることで良品と同等の品質となった。なお、Ｎo.
１２の不良品に通常のボンディング条件でボンディング
した場合、約２〜３ｇｆで接合強度が低く、ボールボン
ディング部とパッド面の界面から剥離した。そこで不良
品と判定され、ボールボンディングされたパッド（Ａｇ
めっき）の剥離面を観察及び分析した結果、熱処理によ
り相互拡散しパッド材質が硬化していることがわかっ
た。このように本発明のボンディング用端子，パッド及
びリードフレームの検査方法及び装置はボンディング不
良防止に有効であることがわかった。
のボンディングパッドには、本発明の制御装置を用い
て、Ｎo.１３の光反射率が７５％以下の場合通常のボン
ディング条件より超音波出力を０.３Ｗ 、加圧力を１０
０ｇｆと大きく、時間を３０ｍｓと長く設定しボンディ
ングすることで良品と同等の品質となった。なお、Ｎo.
１２の不良品に通常のボンディング条件でボンディング
した場合、約２〜３ｇｆで接合強度が低く、ボールボン
ディング部とパッド面の界面から剥離した。そこで不良
品と判定され、ボールボンディングされたパッド（Ａｇ
めっき）の剥離面を観察及び分析した結果、熱処理によ
り相互拡散しパッド材質が硬化していることがわかっ
た。このように本発明のボンディング用端子，パッド及
びリードフレームの検査方法及び装置はボンディング不
良防止に有効であることがわかった。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、ボンディング前に端
子，パッド及びリードフレームのボンディングすべき表
面のきず，ピンホール，ごみ，汚れなどの微小な欠陥，
表面粗さ，酸化皮膜及び材質変化などの不良を未然に防
止し、接続部の未接合、界面剥離欠陥や接合強度の低下
不良を低減することができ、高品質の接続部が得られ、
経済的効果が大きい。
子，パッド及びリードフレームのボンディングすべき表
面のきず，ピンホール，ごみ，汚れなどの微小な欠陥，
表面粗さ，酸化皮膜及び材質変化などの不良を未然に防
止し、接続部の未接合、界面剥離欠陥や接合強度の低下
不良を低減することができ、高品質の接続部が得られ、
経済的効果が大きい。
【００３２】また、本発明によれば、電子部品，半導体
素子を使用した場合に起こる接続抵抗の増加，接続部か
ら断線などを抑制し、製品の寿命を延ばすことができ
る。
素子を使用した場合に起こる接続抵抗の増加，接続部か
ら断線などを抑制し、製品の寿命を延ばすことができ
る。
【図１】本発明の一実施例のボンディング用端子，パッ
ド及びリードフレームの検査装置のブロック図。
ド及びリードフレームの検査装置のブロック図。
【図２】ボンディングパッドの構造を示す断面図。
１…治具、２…リードフレーム、３…ボンディング面、
４…レーザ発振器、５…レーザ光、６…レンズ、７…セ
ンサ、８…測定装置、９…判定装置、１０…表示装置、
１１…制御装置、１２…反射光、１３…フィルタ。
４…レーザ発振器、５…レーザ光、６…レンズ、７…セ
ンサ、８…測定装置、９…判定装置、１０…表示装置、
１１…制御装置、１２…反射光、１３…フィルタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関根 節夫 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 瀬藤 時幸 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内
Claims (8)
- 【請求項１】電子部品，半導体素子などの端子、パッド
及びリードフレームにおいて、ボンディング前に前記端
子，前記パッドまたは前記リードフレームのボンダビリ
ティの良否を判定する手段と、判定結果を表示する手段
と、判定結果をボンディング装置に指令，制御する手段
とを含むことを特徴とするボンディングパッド検査装
置。 - 【請求項２】請求項１において、前記端子，前記パッド
または前記リードフレームに光を照射して、前記端子，
前記パッドまたは前記リードフレームからの反射光量ま
たは反射率を計測する手段と、標準の反射光量または反
射率の許容範囲内であるか否かを判定し、ボンダビリテ
ィの良否を判定する手段を含むボンディングパッド検査
装置。 - 【請求項３】請求項１において、前記端子，前記パッド
または前記リードフレームに光を照射して、前記端子，
前記パッドまたは前記リードフレームの光吸収率を計測
する手段と、標準の光吸収率の許容範囲内であるか否か
を判定し、ボンダビリティの良否を判定する手段とを含
むボンディングパッド検査装置。 - 【請求項４】請求項１において、前記端子，前記パッド
または前記リードフレームに光を照射して、前記端子，
前記パッドまたは前記リードフレームの光による上昇す
る温度を計測する手段と、標準の上昇温度及び温度上昇
率の許容範囲内であるか否かを判定し、ボンダビリティ
の良否を判定する手段とを含むボンディングパッド検査
装置。 - 【請求項５】請求項２，３または４において、前記端
子，前記パッドまたは前記リードフレームに照射する光
の波長は７８０ｎｍ〜３０μｍ赤外光とするボンディン
グパッド検査装置。 - 【請求項６】電子部品，半導体素子などの端子，パッド
及びリードフレームにリード線をボンディングするボン
ディング装置おいて、ボンディングする前に前記端子，
前記パッド及び前記リードフレームのボンダビリティの
良否を判定する手段と、判定結果に基づきボンデビリテ
ィの悪い前記端子，前記パッド及び前記リードフレーム
のボンダビリティを改善する手段を設けたことを特徴と
するボンディング装置。 - 【請求項７】請求項６において、レーザ，赤外線を照射
して前記端子，前記パッド及び前記リードフレームのボ
ンダビリティを改善するボンディング装置。 - 【請求項８】請求項６において、イオンビームを照射し
て前記端子，前記パッド及び前記リードフレームのボン
ダビリティを改善するボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3325538A JPH05160229A (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | ボンディングパッド検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3325538A JPH05160229A (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | ボンディングパッド検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160229A true JPH05160229A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18178003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3325538A Pending JPH05160229A (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | ボンディングパッド検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160229A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6339337B1 (en) | 1997-03-27 | 2002-01-15 | Nec Corporation | Method for inspecting semiconductor chip bonding pads using infrared rays |
| JP2007205974A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | メッキの検査方法及びリードフレームの検査方法 |
| CN107457494A (zh) * | 2016-06-02 | 2017-12-12 | 株式会社迪思科 | 漏光检测方法 |
| CN108573894A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | 欧姆龙株式会社 | 管理装置及其控制方法、信息处理程序及记录媒体 |
-
1991
- 1991-12-10 JP JP3325538A patent/JPH05160229A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6339337B1 (en) | 1997-03-27 | 2002-01-15 | Nec Corporation | Method for inspecting semiconductor chip bonding pads using infrared rays |
| JP2007205974A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | メッキの検査方法及びリードフレームの検査方法 |
| CN107457494A (zh) * | 2016-06-02 | 2017-12-12 | 株式会社迪思科 | 漏光检测方法 |
| CN108573894A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | 欧姆龙株式会社 | 管理装置及其控制方法、信息处理程序及记录媒体 |
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