JP2009098667A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示性能と耐湿熱性の両方に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、光源と、一対の基板と該基板に挟持された液晶層とを有する液晶セルと、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムとを有し、該フィルムが、該液晶セルの該光源に近い側に配置されている。また、本発明の液晶表示装置は、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムを有し、該フィルムの面内レタデーション（Re）及び厚さ方向レタデーション（Rth）がそれぞれ10nm以下であり、該フィルム上に光学異方性層を有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、低電圧・低消費電力で小型化・薄膜化が可能であるなど様々な利点からパーソナルコンピューターや携帯機器のモニター、テレビ用途に広く利用されている。このような液晶表示装置は液晶セル内の液晶分子の配列状態により様々なモードが提案されている。
従来、各種液晶表示装置には、光学補償を目的として位相差板が使用されている。このような位相差板としては、例えば、光学的二軸位相差板があげられ、これらは主に、ロール間引張り延伸法、ロール間圧縮延伸法、テンター横一軸延伸法等の各種ポリマーフィルム延伸法等や（例えば、特許文献１参照）、二軸延伸により異方性を持たせる方法等によって作製することができる（例えば、特許文献２参照。）。また、この他にも、正の光学異方性を持つ一軸延伸ポリマーフィルムと、面内の位相差値が小さい負の光学異方性を持つ二軸延伸ポリマーフィルムとを併用した位相差板や（特許文献３参照）、前述のような延伸方法ではなく、例えば、ポリイミドの性質により、基板上で可溶性ポリイミドをフィルム化することによって、負の一軸性が付与された位相差板もある（例えば、特許文献４参照）。

前述のようなフィルム延伸技術等によれば、形成される延伸フィルムには、例えば、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚという光学特性を付与することができる。ここで、ｎｘ、ｎｙ、ｎｚとは、前記フィルムにおけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の屈折率をそれぞれ示し、Ｘ軸とは、フィルム面内において最大の屈折率を示す軸方向であり、Ｙ軸は、前記面内において前記Ｘ軸に対して垂直な軸方向であり、Ｚ軸は、前記Ｘ軸及びＹ軸に垂直な厚み方向を示す。このような光学特性を有する複屈折性フィルムは、例えば、液晶表示装置の液晶セルと偏光子との間に配置すれば、前記液晶表示装置の表示特性を広視野角化できるため、前記液晶セルの視角補償フィルムとして有用である。
また、各種の液晶表示装置の表示モードに対して、視野角特性等を改善するための位相差板、光学補償フィルムの特性は様々であり、それらに応じた位相差板、光学補償フィルムの支持体に対する要求性能も様々である。その結果、位相差板や光学補償フィルムの支持体の光学的異方性を高めたものや、光学的等方性を高めたものなどの要求が多様化するとともに、表示光学特性、例えば正面コントラストの向上の観点から、位相差板や光学補償フィルムのヘイズ等の光学性能にも要求が厳しくなってきている。

また、偏光板保護フィルム及び多くの位相差板や光学補償フィルムには、光学的等方性が高く、透湿性に富み、偏光子として用いられるＰＶＡとの接着性が高い、セルロースアセテートフィルムが従来から用いられてきた。
しかし、最近、液晶表示装置において、長時間の使用時などで内部の回路やバックライトの放熱によりパネル温度が上昇するほか、高温高湿度や低湿の過酷な環境下にて用いられる場合、上記の偏光板の保護フィルムであるトリアセチルセルロースフィルムが温度、湿度や時間経時でＲｅ、Ｒｔｈなどの光学特性、含水率や寸法などの物理特性が変化し、その光学補償能に変化が生じ、黒表示時に光が漏れる、色味が変わる、又は画像にムラが生じることが問題視されるようになってきている。

一方、特許文献５には、ラクトン環含有重合体を主成分として含有するか、あるいは、ラクトン環含有重合体とその他の熱可塑性樹脂とを含有する熱可塑性樹脂材料を、それぞれ特定条件下で、フィルム化又はシート化すると、透明性や耐熱性に加えて、光学用保護フィルム、光学フィルム、光学シートそれぞれに適した光学特性や機械的特性を有する光学用面状熱可塑性樹脂組成物が開示されている。

また、液晶表示装置のモードとしては、従来は液晶セルの下側基板から上側基板に向かって約９０°捩れた配列状態になるＴＮモードが主流であった。

一般に液晶表示装置は液晶セル、光学補償シート、偏光子から構成される。光学補償シートは画像着色を解消したり、視野角を拡大したりするために用いられており、延伸した複屈折フィルムや透明フィルムに液晶を塗布したフィルムが使用されている。例えば、特許文献６にはディスコティック液晶をトリアセチルセルロースフィルム上に塗布し配向させて固定化した光学補償シートをＴＮモードの液晶セルに適用し、視野角を広げる技術が開示されている。しかしながら、大画面で様々な角度から見ることが想定されるテレビ用途の液晶表示装置は視野角依存性に対する要求が厳しく、前述のような手法をもってしても要求を満足することはできていない。そのため、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード、ＯＣＢ（Optically Compensatory Bend）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モードなど、ＴＮモードとは異なる液晶表示装置が研究されている。特にＶＡモードはコントラストが高く、比較的製造の歩留まりが高いことからテレビ用の液晶表示装置（ＬＣＤ）として着目されている（特許文献６）。

このような液晶表示装置の視野角度を拡大して、斜め方向から見た場合にも高いコントラストを維持し、階調反転が発生し難い液晶表示装置として、視野角補償用の位相差フィルムを用いた液晶表示装置も知られている。視野角補償用の位相差フィルムとしては、例えば面内のレタデーション（Ｒｅ）が概ね０でありフィルム面に垂直な方向に光学軸を有する負の一軸性位相差フィルム、Ｒｅが１００ｎｍ以下でありフィルムの厚み方向のレタデーション（Ｒｔｈ）が１００ｎｍ以上である二軸性の位相差フィルムなどが知られている。これらの位相差フィルムの材質としては、例えばポリカーボネート系高分子、ポリアリレート系高分子、ポリエステル系高分子などの芳香族系高分子や、アクリル系高分子、環状ポリオレフィン系高分子などが知られている（特許文献７）。

特許文献８には、特定の光弾性係数および、Ｒｅ、Ｒｔｈ発現性を有する高分子を用いることで、視野角補償機能を有し、かつ高温暴露時のコントラストのムラを低減する技術が開示されている。

特許文献９には、特定の化学構造を有すことで、比較的薄膜で可視光領域（波長４００〜７００ｎｍの領域）で１／４波長板、或いは１／２波長板の波長分散特性を示す位相差板が開示されている。

特許文献１０には、ラクトン環含有重合体を主成分とする保護フィルムが開示されており、これを用いることによって、偏光子と保護フィルムとの接着強度が高く、優れた耐湿熱性を有する偏光板が得られるとされている。しかしながら、液晶表示装置における保護フィルムの配置位置と、液晶表示装置の表示性能との関係については、何ら示唆はない。
特開平３−３３７１９号公報 特開平３−２４５０２号公報 特開平４−１９４８２０号公報 特表平８−５１１８１２号公報 国際公開ＷＯ２００６／０２５４４５Ａ１号公報 特許第２５８７３９８号公報 特開平１１−９５２０８号公報 特開２００１−２７７０７号公報 特開２００６−１７１４６４号公報 特開２００７−１２７８９２号公報

従って、本発明の第１の目的は、光学性能の環境依存性、特に湿度依存性が小さく、さらには、正面コントラストに優れ、更に耐久性に優れる液晶表示装置を提供することである。

また、特許文献７では、芳香族系高分子からなる位相差フィルムを用いているため、高温に暴露した際に液晶表示装置のコントラストのムラが発生しやすいという問題があった。また、アクリル系高分子や環状ポリオレフィン系高分子からなるフィルムは、液晶表示装置で要求される高いＲｅ、Ｒｔｈとするために、２枚または３枚以上を重ね合せて用いる必要があり、近年の価格競争の激しい液晶表示装置業界においては、高コスト、生産性低下につながり好ましくない。このため、１枚でかつ高温暴露時のコントラストムラを低減する技術が要望されている。

また、特許文献８では、改良したとされる高温暴露時のコントラストムラ抑制は不十分であり、近年要求されている液晶表示装置の表示性能品質を確保できないことが判明した。さらに保護フィルム、偏光子、位相差フィルムの順に積層した偏光板形態での高温暴露試験では、偏光板のカールが発生し、コントラストムラがさらに悪化することが判明した。このコントラストムラは光学用フィルム、およびその偏光板を液晶表示装置に積載したときにも、目視でムラとして認識されるレベルのものであり、高温暴露時のコントラストムラを低減した光学用フィルムの開発が要望されている。

本発明の第２の目的は、面内および膜厚方向レタデーションの発現性に優れ、偏光板加工適性に優れ、環境変化時に耐久性に優れ、さらには安価で生産性よく製造可能な液晶表示装置を提供することである。

すなわち、本発明の前記第１の目的と前記第２の目的とに共通する目的は、表示性能と耐湿熱性の両方に優れた液晶表示装置を提供することである。

我々は上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す光学補償シート、偏光板、及び液晶表示装置を見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の上記第１の目的は以下の手段により達成される。
［１］ 光源と、一対の基板と該基板に挟持された液晶層とを有する液晶セルと、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムとを少なくとも有し、該フィルムが、該液晶セルの該光源に近い側に配置されているＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
［２］ ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムを少なくとも有し、該フィルムの面内レタデーション（Re）及び厚さ方向レタデーション（Rth）がそれぞれ10nm以下であり、該フィルム上に光学異方性層を有することを特徴とするＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
［３］ 前記光学異方性層は、前記フィルムに、液状化されたポリマーを塗布することにより形成される、前記［２］に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
［４］ 前記光学異方性層はポリイミドを含む、前記［２］に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。

本発明は以下の手段によって上記第２の目的を達成したものである。

［５］ 液晶セルと、該液晶セルの外側に配置された２枚の偏光板と、該液晶セルと該偏光板の間のどちらか一方に配置される光学異方性層とを有し、該光学異方性層がラクトン環含有重合体を含み、該光学異方性層における面内レタデーションＲｅと厚み方向のレタデーションＲｔｈが下記式（Ａ）、（Ｂ）を満たすＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
（Ａ） ４０ｎｍ ≦Ｒｅ（５５０）≦ ２７５ｎｍ
（Ｂ） ０ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５５０）≦ ２７５ｎｍ
〔式中、Ｒｅ（５５０）、Ｒｔｈ（５５０）は、波長５５０（ｎｍ）における面内、及び、厚み方向のレタデーション（ｎｍ）を表す〕
［６］ 液晶セルと、該液晶セルの外側に配置された２枚の偏光板と、該液晶セルと該偏光板の間の両方に配置される光学異方性層とを有し、該光学異方性層がラクトン環含有重合体を含み、該光学異方性層における面内レタデーションＲｅと厚み方向のレタデーションＲｔｈが下記式（Ｃ）、（Ｄ）を満たすＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
（Ｃ） ３０ｎｍ ≦Ｒｅ（５５０）≦ ８０ｎｍ
（Ｄ） ７５ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５５０）≦ １５５ｎｍ
［７］ 前記ラクトン環含有重合体を含む光学異方性層が、レタデーション発現剤を少なくとも１種含む[５]または[６]に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
［８］ 前記レタデーション発現剤が下記一般式（Ｉ）で表される化合物である[７]に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
式(Ｉ)

(式中、Ｘ^１は、単結合、−ＮＲ^４−、−Ｏ−又はＳ−であり；Ｘ^２は、単結合、−ＮＲ^５−、−Ｏ−又はＳ−であり；Ｘ^３は、単結合、−ＮＲ^６−、−Ｏ−又はＳ−である。また、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基又は複素環基であり、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基を表す。)
[９] 前記レタデーション発現剤が下記一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする[７]に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
式(II)

（式中、Ｌ^１及びＬ^２は各々独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^１及びＡ^２は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は各々独立に置換基を表す。Ｘは６族、５族又は４族原子を表す。ｎは０から２までの整数を表す。）
[１０] 前記レタデーション発現剤が下記一般式（III）で表される化合物である[７]に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
式(III) Ａｒ^１−Ｌ^２−Ｘ−Ｌ^３−Ａｒ^２
（式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌ^２及びＬ^３は、それぞれ独立に、−Ｏ−ＣＯ−又はＣＯ−Ｏ−基より選ばれる二価の連結基であり、Ｘは、１，４−シクロへキシレン基、ビニレン基又はエチニレン基である。)
[１１] 前記ラクトン環重合体を含有する光学異方性層が、少なくとも１方向に延伸されたものである[５]〜[１０]に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
[１２] 前記延伸時の延伸倍率が１.３〜５倍である[１１]に記載の液晶表示装置。

本発明により、表示性能と耐湿熱性の両方に優れた液晶表示装置を提供することができる。

本発明の一実施形態によれば、光学性能の環境依存性、特に湿度依存性が小さく、さらには、正面コントラストに優れ、更に耐久性に優れる液晶表示装置が提供される。

また、本発明の別の実施形態によれば、広範囲の視野角において高いコントラストの画像を表示可能であり、且つカラーシフト（斜め方向から見た際の色味変化）が軽減されたＶＡモードの液晶表示装置を提供することができる。しかも、この実施形態によれば、本発明の液晶表示装置は、簡便な方法で製造可能である。

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。本明細書において、アルキル基等の「基」は、特に述べない限り、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。さらに、炭素原子数が限定されている基の場合、該炭素原子数は、置換基が有する炭素原子数を含めた数を意味している。また実質的に直交もしくは平行とは、厳密な角度±１０°の範囲を意味する。

また、本明細書において、Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーション及び厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。

測定されるフィルムが１軸又は２軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）のフィルム法線方向に対して法線方向から片側５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて全部で６点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
尚、遅相軸を傾斜軸（回転軸）として（遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする）、任意の傾斜した２方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基に、以下の式（１０）及び式（１１）よりＲｔｈを算出することもできる。

式中、上記のＲｅ（θ）は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値をあらわす。
また式中、ｎｘは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、ｎｙは面内においてｎｘに直交する方向の屈折率を表し、ｎｚはｎｘ及びｎｙに直交する方向の屈折率を表し、ｄは膜厚（μｍ）を表す。

測定されるフィルムが１軸や２軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸（ｏｐｔｉｃ ａｘｉｓ）がないフィルムの場合には、以下の方法によりＲｔｈ（λ）は算出される。
Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）を、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−５０度から＋５０度まで１０度ステップで各々その傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて１１点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値及び入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲが算出する。
上記の測定において、平均屈折率の仮定値は ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：
セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。
これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ又はＷＲはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ、ｎｙ、ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）がさらに算出される。
また、本明細書において、測定波長を特に付記しない場合は、波長５５０ｎｍにおけるＲｅ及びＲｔｈであるとする。

＜実施形態１-１及び１-２＞
本発明の実施形態１-１に係るＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置は、光源と、一対の基板と該基板に挟持された液晶層とを有する液晶セルと、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムとを少なくとも有し、該フィルムが、該液晶セルの該光源に近い側に配置されていることを特徴とする。ここで、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムは、後述する光学補償シートにおける“ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルム”の説明をそのまま参照することができる。

ここで、「フィルムが、液晶セルの光源に近い側に配置されている」とは、液晶セルの光源側に１層以上のフィルムが設けられる際、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムが最表層（すなわち、最も光源側）に設けられることを意味し、このフィルムは好ましくは偏光板の保護膜として設けられる
本発明の実施形態１-１に係るＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置によれば、光学性能の環境依存性、特に湿度依存性が小さく、さらにはヘイズが小さく、正面コントラストに優れ、更に耐久性や環境依存性に優れる。

本発明の実施形態１-２に係るＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置は、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムを少なくとも有し、該フィルムの面内レタデーション（Re）及び厚さ方向レタデーション（Rth）がそれぞれ10nm以下であり、該フィルム上に光学異方性層を有することを特徴とする。
本発明の実施形態１-２に係るＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置によれば、面内および膜厚方向レタデーションの発現性に優れ、偏光板加工適性に優れ、環境変化時に耐久性に優れ、さらには液晶表示装置を安価で生産性よく製造可能である。

図１に本発明の実施形態１-１及び１-２において使用され得る光学補償シートの一例の概略断面図を示す。
図１に示す光学補償シート１０は、所定の重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルム１２と光学異方性層１４との積層体である。光学異方性層１４は、塗布により形成されたポリマー層からなる。光学補償シート１０は、光学補償の対象となる液晶セルのモード等に応じて、その光学特性が調整されている。熱可塑性樹脂フィルム１２は、光学補償に寄与する光学異方性のフィルムであっても、また、光学等方性のフィルムであってもよいが、熱可塑性樹脂フィルム１２が等方性であると、光学補償シート１０の光学特性の最適化の調整が容易である。例えば、熱可塑性樹脂フィルム１２上に、塗布によりポリマー層を形成した後、延伸処理を施して、光学特性を調整する際に、熱可塑性樹脂フィルム１２の寄与分を考慮せずに、ポリマー層を延伸して得られる光学異方性層１４の光学特性のみの寄与分を考慮して、延伸条件を決定すればよい。勿論、熱可塑性樹脂フィルム１２が光学異方性であってもよい。熱可塑性樹脂フィルム１２が光学異方性であると、光学異方性層１４の光学特性の光学補償能への寄与分を軽減でき、ポリマー層の厚みをより薄くできる等の点で好ましい。

図２に本発明の偏光板の一例の概略断面図を示す。
図２に示す偏光板２０は、光学補償シート１０と、偏光膜１６、及び保護フィルム１８とを有する。光学補償シート１０の熱可塑性樹脂フィルム１２は、偏光膜１６の保護フィルムとしても機能している。保護フィルム１８は、セルロースアシレートフィルム、シクロオレフィン系ポリマーフィルム等のポリマーフィルムからなる。熱可塑性樹脂フィルム１２と同一であってもよい。
なお、偏光板２０を液晶表示装置内に配置する際は、光学補償シート１０を液晶セル側、即ち、内側にして、配置するのが好ましい。

本実施形態における光学補償シート１０は、ポリマー層からなる光学異方性層１４と、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルム１２とが積層された構成であるので、光学性能の環境依存性、特に環境湿度依存性が小さく、面内レターデーション（Ｒｅ）や厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）の環境による変動が少ない。その結果、これを保護フィルムとして有する偏光板２０の性能も環境に依存して変動し難く、これを備えた、液晶表示装置のコントラスト等の表示特性も、環境依存性が小さく、耐久性に優れる。一方で、熱可塑性樹脂フィルム１２のみを延伸処理等して、光学補償能に十分な光学特性を持たせると、ヘイズ値が上昇して、光学補償シートとしての特性を損なうことになる。本実施形態では、熱可塑性フィルム１２とポリマー層１４との積層体とすることで、ヘイズを上昇させることなく、その光学性能の環境依存性を軽減している。

本実施形態における光学補償シートは、所定の重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムと、塗布により形成したポリマー層との積層体からなり、この構成により、ヘイズが小さく、且つ光学特性の環境湿度依存性が小さいという特性を示す。具体的には、上記実施形態１-２に係る液晶表示装置を得ることができる。
本実施形態における光学補償シートの上記熱可塑性樹脂フィルムは、２５℃１０％ＲＨ環境下で測定した面内レターデーション（Ｒｅ）値と厚み方向のレターデーション（Ｒｔｈ）値と、２５℃８０％ＲＨ環境下で測定したＲｅ値とＲｔｈ値の差異が、いずれも１０ｎｍ以下であるのが好ましく、０〜５ｎｍであるのがより好ましい。
また、本実施形態における光学補償シートは、２５℃８０％ＲＨ環境下で平衡含水率が、１．５％以下であるのが好ましい。
本実施形態における光学補償シートは、ヘイズ値が、１．５％以下であるのが好ましく、０〜１．０％であるのがより好ましい。

以下、本実施形態における光学補償シートの作製に用いられる種々の材料、及び製造方法について詳細に説明する。
本実施形態における光学補償シートは、塗布により形成されるポリマー層からなる光学性異方性層と、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムとが積層された光学補償シートである。
［光学異方性層］
本発明では、光学異方性層は、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムに、液状化されたポリマーを塗布することにより形成されるのが好ましい。すなわち、光学異方性層は、塗布により形成されたポリマー層からなるのが好ましい。より具体的には、ポリマー層は、ポリマーを液状化（溶媒に溶解して溶液化することも含む）してそれを展開し、その展開層を固体化させてなる塗工膜として形成される（以下、「塗工方式」という）。即ち、塗布により形成されたポリマー層である。塗工方式で形成することにより、光学異方性層の厚さが０．１〜２０μｍ程度であっても、十分な光学特性の光学異方性層となる。一枚のポリマーフィルムを延伸して光学特性を発現される延伸フィルム方式では、フィルム強度の点より厚さを２０μｍ以下とすることが困難であり、特にその厚さで目的とする位相差特性を付与することが困難である。本発明では、ポリマー層を上記方法により形成することによって、薄型化が可能である。薄型化や目的とする位相差特性の付与性の点より、ポリマー層の厚さは、１５μｍ以下であるのが好ましく、１２μｍ以下であるのがより好ましく、１０μｍ以下であるのがさらに好ましい。

ポリマー層の形成に用いられるポリマー材料については特に制限はなく、塗工方式により膜形成が可能であり、光学補償に十分な光学特性を延伸処理なしで又は延伸処理を経て発現可能であれば、いずれの材料を用いてもよい。塗工方式でＲｅ（６３０）が０〜２００ｎｍ、かつＲｔｈ（６３０）が０〜４００の範囲にあるポリマー層を形成しうるポリマー材料から選択するのが好ましい。中でも、光透過率が７５％以上、特に８５％以上の透光性に優れるポリマー層を形成しうる耐熱性の良好なポリマー材料から選択するのが好ましい。膜形成性等の点より、ポリエーテルケトン（特にポリアリールエーテルケトン）、ポリアミド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド及びポリエステルイミドから選択される１種、又は２種以上を混合したものなどが好ましく用いられる。とりわけ、光学異方性層はポリイミドを含むのが好ましく、これによって、光学特性の安定性に優れたものとなる。
なお、ポリマー層は、重合性液晶組成物を所定の配向状態とし、その配向状態を重合等によって硬化させて形成したポリマー層であってもよい。

前記したポリエーテルケトン、特にポリアリールエーテルケトンの具体例としては、特開２００１−４９１１０号公報に記載のものが挙げられ、具体的には、下記の一般式（１）で表される繰返し単位を有するものなどが挙げられる。

上記一般式（１）において、Ｘはハロゲン、アルキル基又はアルコキシ基である。
上記一般式（１）におけるＸとしてのハロゲンとしては、例えばフッ素原子や臭素原子、塩素原子やヨウ素原子などがあげられ、中でもフッ素原子が好ましい。またアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、及びブチル基のように炭素数が１〜６のアルキル基及びそのハロゲン置換アルキル基が好ましく、中でも炭素数が１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルキル基及びそのハロゲン置換アルキル基が好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、及びそれらトリフルオロメチル基などが挙げられる。

Ｘが表すアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、及びブトキシ基のように、炭素数が１〜６のアルコキシ基及びそのハロゲン置換アルコキシ基が好ましく、中でも炭素数１〜４の直鎖又は分岐鎖のアルコキシ基及びそのハロゲン置換アルコキシ基が好ましい。より具体的には、メトキシ基、エトキシ基、及びトリフルオロメトキシ基などが挙げられる。
Ｘは、特に、フッ素原子であるのが好ましい。

前記一般式（１）中、ｑは、ベンゼン環へのＸの結合数を意味し、ｐ−テトラフルオロベンゾイレン基及びオキシアルキレン基との結合位置を除いた水素原子の置換数であり、即ち、０〜４の整数である。

前記一般式（１）中、Ｒ¹は下記の一般式（２）で表される基であり、ｍは０又は１である。さらにｎは、重合度を表し、２〜５０００であり、５〜５００が好ましい。

前記一般式（２）で表される基において、Ｘ’はハロゲン、アルキル基又はアルコキシ基であり、ベンゼン環へのＸ’の結合数ｑ’の値は、０〜４の整数である。Ｘ’としてのハロゲン、アルキル基又はアルコキシ基としては、前記したＸと同じものが例示できる。

Ｘ’の好ましい例には、フッ素原子、メチル基やエチル基、それらのトリフルオロメチル基の如きハロゲン化アルキル基、メトキシ基やエトキシ基、それらのトリフルオロメトキシ基の如きハロゲン化アルコキシ基が含まれる。中でも、フッ素原子が好ましい。

前記一般式（１）及び（２）において、ＸとＸ’は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。また一般式（１）及び（２）においてｑ又はｑ’が２以上であることに基づいて分子中に２個以上存在するＸ又はＸ’は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。

特に好ましいＲ¹は、下記の一般式（３）で表される基である。

前記一般式（２）及び（３）においてＲ²は、２価の芳香族基であり、ｐは０又は１である。前記２価の芳香族基の例には、（ｏ，ｍ又はｐ−）フェニレン基、ナフタレン基、ビフェニル基、アントラセン基、（ｏ，ｍ又はｐ−）テルフェニル基、フェナントレン基、ジベンゾフラン基、ビフェニルエーテル基、ビフェニルスルホン基、及び下記群Ｉから選択される２価の芳香族基などが含まれる。なお、当該２価の芳香族基は、その芳香環に直接結合する水素が前記したハロゲン、アルキル基又はアルコキシ基で置換されていてもよい。

前記２価の芳香族基（Ｒ²）は、下記の式で表されるものである。

前記一般式（１）で表されるポリアリールエーテルケトンは、同一の繰返し単位からなっていてもよいし、異なる繰返し単位の２種又は３種以上を有するものであってもよい。後者の場合、各繰返し単位は、ブロック状に存在していてもよいし、ランダムに存在していてもよい。

上記一般式（１）で表されるポリアリールエーテルケトンの中でも、下記一般式（４）で表されるものが好ましい。

また分子末端の基を含めた場合の好ましいポリアリールエーテルケトンは、一般式（１）に対応して下記の一般式（５）で表されるものであり、一般式（４）に対応するものは下記の一般式（６）で表されるものである。これらは分子内のｐ−テトラフルオロベンゾイレン基側にフッ素原子が結合し、オキシアルキレン基側に水素原子が結合したものである。

一般式（４）〜（６）中、Ｒ^１、Ｘ、ｍ、ｎ及びｑは、一般式（１）と同義である。

一方、上記したポリアミド又はポリエステルの具体例としては、例えば下記の一般式（７）で表される繰返し単位を有するものなどがあげられる。

前記一般式（７）において、Ｂは、ハロゲン、炭素数１〜３のアルキル基若しくはそのハロゲン化物、それらの１種若しくは２種以上で置換されたフェニル基、又は非置換のフェニル基である。ｚは０〜３の整数である。

Ｅは、共有結合、炭素数２のアルケニル基若しくはそのハロゲン化物、ＣＨ₂基、Ｃ(ＣＸ₃)₂基、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ₂基、Ｓｉ(Ｒ)₂基、又はＮＲ基である。
前記のＣ(ＣＸ₃)₂基におけるＸは、水素原子又はハロゲンであり、Ｓｉ(Ｒ)₂基及びＮＲ基におけるＲは、炭素数１〜３のアルキル基又はそのハロゲン化物である。なおＥは、カルボニル基又はＹ基に対してメタ位又はパラ位にある。またハロゲンは、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子又は臭素原子である（以下、一般式（７）において同じ）。

さらにＹは、Ｏ原子又はＮＨ基である。Ａは、水素原子、ハロゲン、炭素数１〜３のアルキル基若しくはそのハロゲン化物、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜３のチオアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基若しくはそのハロゲン化物、アリール基若しくはそのハロゲン化物、炭素数１〜９のアルキルエステル基、炭素数１〜１２のアリールエステル基若しくはその置換誘導体、又は炭素数１〜１２のアリールアミド基若しくはその置換誘導体である。

またｎは０〜４の整数、ｐは０〜３の整数、ｑは１〜３の整数、ｒは０〜３の整数である。好ましいポリアミド又はポリエステルは、前記のｒとｑが１であり、そのビフェニル環の少なくとも１個が２位及び２'位で置換されてなる下記の一般式（８）で表される繰返し単位を有するものである。

前記一般式（８）においてｍは０〜３の整数、好ましくは１又は２であり、ｘ及びｙは０又は１で、かつ共に０であることはない。なお、他の記号は前記の一般式（７）の場合と同義であるが、Ｅはカルボニル基又はＹ基に対してパラ配向の共有結合である。

前記一般式（７）及び（８）において、Ｂ、Ｅ、Ｙ又はＡが分子中に複数存在する場合、それらは同じであってもよいし、異なっていてもよい。ｚ、ｎ、ｍ、ｘ、ｙも同様に同じであってもよいし、異なっていてもよい。なおその場合、Ｂ、Ｅ、Ｙ、Ａ、ｚ、ｎ、ｍ、ｘ、ｙは、それぞれ独立に判断される。

前記一般式（７）で表されるポリアミド又はポリエステルは、同じ繰返し単位からなっていてもよいし、異なる繰返し単位の２種又は３種以上を有するものであってもよい。後者の場合、各繰返し単位は、ブロック状に存在していてもよいし、ランダムに存在していてもよい。

他方、上記したポリイミドの具体例としては、例えば９，９−ビス（アミノアリール）フルオレンと芳香族テトラカルボン酸二無水物との縮合重合生成物を含み、下記の一般式（９）で表される繰返し単位を１単位以上有するものなどがあげられる。

前記一般式（９）において、Ｒは、水素原子、ハロゲン、フェニル基、１〜４個のハロゲン若しくは１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基で置換されたフェニル基、又は１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基である。４個のＲは、各々独立に決定でき、０〜４個の範囲で置換することができる。その置換基は、前記のものであることが好ましいが、一部に異なるものを含んでいてもよい。なおハロゲンは、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子又は臭素原子である（以下、一般式（９）において同じ）。

Ｚは、６〜２０個の炭素原子を有する三置換芳香族基である。好ましいＺは、ピロメリット基、あるいはナフチレン基やフルオレニレン基、ベンゾフルオレニレン基やアントラセニレン基の如き多環式芳香族基若しくはその置換誘導体、又は下記の一般式（１０）で表される基である。なお前記多環式芳香族基の置換誘導体における置換基としては、ハロゲン、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基又はそのフッ素化物などがあげられる。

前記一般式（１０）において、Ｄは、共有結合、Ｃ(Ｒ²)₂基、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ₂基、Ｓｉ(Ｃ₂Ｈ₅)₂基、Ｎ(Ｒ³)₂基又はそれらの組合せであり、ｍは１〜１０の整数である。なお、上記の２個のＲ²は、各々独立に、水素原子又はＣ(Ｒ⁴)₃基である。また、上記の２個のＲ³は、各々独立に、水素原子、１〜約２０個の炭素原子を有するアルキル基、又は約６〜約２０個の炭素原子を有するアリール基である。上記３個のＲ⁴は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又は塩素原子である。

また、前記以外のポリイミドとして下記の一般式（１１）、（１２）で表される単位を有するものなどもあげることができる。一般式（１３）で表される単位を有するポリイミドが好ましい。

上記の一般式（１１）、（１２）、（１３）において、Ｔ及びＬは、ハロゲン、炭素数１〜３のアルキル基若しくはそのハロゲン化物、それらの１種若しくは２種以上で置換されたフェニル基、又は非置換のフェニル基である。前記のハロゲンは、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子又は臭素原子である（以下、一般式（１１）、（１２）、（１３）において同じ）。ｚは０〜３の整数である。

またＧ及びＪは、共有結合若しくは結合ボンド、ＣＨ₂基、Ｃ(ＣＸ₃)₂基、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ₂基、Ｓｉ(Ｃ₂Ｈ₅)₂基、又はＮ(ＣＨ₃)基である。前記Ｃ(ＣＸ₃)₂基におけるＸ₃は、水素原子又はハロゲンである。

Ａは、水素原子、ハロゲン、アルキル基若しくはそのハロゲン化物、ニトロ基、シアノ基、チオアルキル基、アルコキシ基若しくはそのハロゲン化物、アリール基若しくはそのハロゲン化物、又はアルキルエステル基若しくはその置換誘導体である。

Ｒは、水素原子、ハロゲン、フェニル基若しくはそのハロゲン化物等の置換フェニル基、又はアルキル基若しくはそのハロゲン化物等の置換アルキル基である。ｍは０〜２の整数、ｎは０〜４の整数、ｐは０〜３の整数、ｑは１〜３の整数である。

なお、前記の一般式（１１）、（１２）、（１３）においてＴ、Ａ、Ｒ又はＬは、それぞれ独立に、分子中に複数存在する場合、それらは同じであってもよいし、異なっていてもよい。ｚ、ｎ、ｍも同様に同じであってもよいし、異なっていてもよい。なおその場合、Ｔ、Ａ、Ｒ、Ｌ、ｚ、ｎ、ｍは、それぞれ独立に判断される。

前記一般式（９）、（１１）、（１２）、（１３）で表されるポリイミドは、同じ繰返し単位からなっていてもよいし、異なる繰返し単位の２種又は３種以上を有するものであってもよい。その異なる繰返し単位は、前記以外の酸二無水物及びジアミンの少なくともいずれかを共重合させて形成したものであってもよい。ジアミンとしては、特に芳香族ジアミンが好ましい。後者の異なる繰返し単位を有する場合、各繰返し単位は、ブロック状に存在していてもよいし、ランダムに存在していてもよい。

前記異なる繰返し単位を形成するための酸二無水物としては、例えばピロメリト酸二無水物、３，６−ジフェニルピロメリト酸二無水物、３，６−ビス（トリフルオロメチル）ピロメリト酸二無水物、３，６−ジブロモピロメリト酸二無水物、３，６−ジクロロピロメリト酸二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３'，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２'，３，３'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３'，４，４'−ビフェニルカルボン酸二無水物、ビス（２，３−ジカルボフェニル）メタン二無水物があげられる。

またビス（２，５，６−トリフルオロ−３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物（４，４'−オキシジフタル酸無水物）、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物（３，３'，４，４'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸無水物）、４，４'−〔４，４'−イソプロピリデン−ジ（ｐ−フェニレンオキシ）〕ビス（フタル酸無水物）も前記酸二無水物の例としてあげられる。

さらにＮ，Ｎ−（３，４−ジカルボキシフェニル）−Ｎ−メチルアミン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジエチルシラン二無水物、２，３，６，７−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物や１，２，５，６−ナフタレン−テトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロ−ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物の如きナフタレンテトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物やピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ピリジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物の如き複素環式芳香族テトラカルボン酸二無水物なども前記酸二無水物の例としてあげられる。

好ましく用いうる酸二無水物は、２，２'−ジブロモ−４，４'，５，５'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物や２，２'−ジクロロ−４，４'，５，５'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２'−トリハロ置換二無水物の如き２，２'−置換二無水物などであり、特に２，２−ビス（トリフルオロメチル）−４，４'，５，５'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物が好ましい。

一方、前記した異なる繰返し単位を形成するためのジアミンとしては、例えば（ｏ，ｍ又はｐ−）フェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、１，４−ジアミノ−２−メトキシベンゼン、１，４−ジアミノ−２−フェニルベンゼン、１，３−ジアミノ−４−クロロベンゼンの如きベンゼンジアミン、４，４'−ジアミノビフェニル、４，４−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、３，４'−ジアミノジフェニルエーテル、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンがあげられる。

また４，４'−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４'−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルチオエ一テル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、２，２'−ジアミノベンゾフェノン、３，３'−ジアミノベンゾフェノン、１，８−ジアミノナフタレンや１，５−ジアミノナフタレンの如きナフタレンジアミン、２，６−ジアミノピリジンや２，４−ジアミノピリジン、２，４−ジアミノ−Ｓ−トリアジンの如き複素環式芳香族ジアミンなども前記したジアミンの例としてあげられる。

好ましく用いうるポリイミドは、例えば２，２'−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物や４，４'−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−２，２−ジフェニルプロパン二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物やビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物などの芳香族系酸二無水物を用いて調製された、耐熱性で溶媒可溶性のポリイミドである。

またジアミンとして、例えば４，４−（９−フルオレニリデン）−ジアニリンや２，２'−ビス（トリフルオロメチル）−４，４'−ジアミノビフェニル、３，３'−ジクロロ−４，４'−ジアミノジフェニルメタンや２，２'−ジクロロ−４，４'−ジアミノビフェニル、２，２'，５，５'−テトラクロロベンジジンや２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンや１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンや１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンなどの芳香族系ジアミンを用いて調製された、耐熱性で溶媒可溶性のポリイミドも好ましく用いうる。

他方、上記したポリアミドイミド又はポリエステルイミドとしては、特に限定はなく適宜なものを１種又は２種以上用いうる。特開昭６１−１６２５１２号公報に記載されたポリアミドイミドや、特開昭６４−３８４７２号公報に記載されたポリエステルイミドなどが好ましく用いうる。

一般式（９）に示すように主鎖に対してフルオレン環のような環構造の盤面が垂直に立つユニットを導入することで、ポリマー層を延伸した場合に延伸方向と直交方向の屈折率が増大し、ロールフィルムにおいて縦一軸延伸によって、幅方向の屈折率が大きなフィルムを得ることができる。このようなフィルムを使用することで縦一軸延伸フィルムでも、偏光膜とＲｏｌｌ−ｔｏ―Ｒｏｌｌで貼り合わせて光学補償機能を有する偏光板を作製することができる。

また、一般式（９）に示すように主鎖に対してフルオレン環のような環構造の盤面が垂直に立つユニットと、主鎖方向に沿って芳香族環が並んだユニットの割合を調整することで、ポリマー層の波長分散を調整することができる。

ポリマー層形成に用いるポリマーの分子量は、特に限定はないが溶剤に可溶であることが好ましい。塗工膜の厚さ制度や表面精度ないし表面平滑性、膜強度、フィルム化した場合の伸縮や歪等によるクラック発生の防止性、溶剤に対する溶解性（ゲル化防止）などの点より質量平均分子量に基づいて１万〜１００万であるのが好ましく、２万〜５０万であるのがより好ましく、５万〜２０万であるのがさらに好ましい。なお質量平均分子量は、ポリエチレンオキサイドを標準試料とし、ジメチルホルムアミド溶媒を使用してゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した値である。

ポリマー層の形成には上記のポリアリールエーテルケトン、ポリアミド、ポリエステルやポリイミド等のポリマーを単独で用いてもよいし、同種物を２種以上混合して用いてもよい。また、例えばポリアリールエーテルケトンとポリアミドの混合物の如く、異なる官能基を持つ２種以上のポリマーの混合物として用いてもよい。

またポリマー層を形成には、上記以外の適宜なポリマーの１種又は２種以上を併用してもよい。その併用ポリマーの例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ＡＢＳ樹脂及びＡＳ樹脂、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリケトン、ポリイミド、ポリシクロヘキサンジメタノールテレフタレート、ポリアリレート、液晶ポリマー（光重合性液晶モノマーを含む）などの熱可塑性樹脂があげられる。

またエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂の如き熱硬化性樹脂なども前記併用ポリマーの例としてあげられる。併用ポリマーの使用量は、前記ポリエーテルケトン等の配向性が著しく低下しない範囲であれば特に制限されないが、通常５０質量％以下であるのが好ましく、４０質量％以下であるのがより好ましく、３０質量％以下であるのがさらに好ましい。

上記のように複数のポリマーを併用することで、光学異方性、波長分散特性、強度・弾性率等の力学物性、透水性、平面性、ポリマーフィルムとの密着性、粘着剤との密着性等の種々の物性を好ましい範囲に調整することができる。

ポリマー層を形成する固体ポリマーの液状化には、熱可塑性ポリマーを加熱して溶融させる方式や、固体ポリマーを溶媒に溶解させて溶液とする方法などの適宜な方式を採ることができる。従って当該展開層の固体化は、前者の溶融液ではその展開層を冷却させることにより、また後者の溶液ではその展開層より溶媒を除去して乾燥させることにより行うことができる。ポリマー層の形成に際しては、安定剤や可塑剤や金属類等からなる種々の添加剤を必要に応じて配合することができる。

ポリマー層の膜厚ムラは光学補償シートのＲｅ（λ）及びＲｔｈ（λ）のムラの原因となるため低減することが好ましい。ポリマー層の膜厚ムラは塗布手段の調整、乾燥手段の調整によって低減が可能であり、またポリマー層を塗布する支持体の平滑性を向上させることによっても低減が可能である。ポリマー層の塗布液中にレベリング剤を添加することにより著しく膜厚ムラを低減できる。レベリング剤としては、ポリマー層の塗布液の表面張力を低下させる界面活性能のある材料を用いる。

このようなレベリング剤としては、ノニルフェノールエチレンオキサイド付加物、ステアリン酸エチレンオキサイド付加物等のポリエチレングリコール型非イオン系界面活性剤；ソルビタンパルチミン酸モノエステル、ソルビタンステアリン酸モノエステル、ソルビタンステアリン酸トリエステル等の多価アルコール型非イオン系界面活性剤；パーフルオロアルキルエチレンオキサイド付加物、パーフルオロアルキルカルボン酸塩、パーフルオロアルキルベタイン等のフッ素系界面活性剤；アルキル変成シリコーンオイル、ポリエーテル変成シリコーンオイル等のシリコーン系界面活性剤等があげられる。より具体的にはシリコーン系界面活性剤としては、ディスパロンＬＳ−００９（楠本化成製）、フッ素系界面活性剤としてはディフェンサーＭＣＦ−３２３、メガファックＦ−１７１、Ｆ−１７２、Ｆ−１７７、Ｆ−１４２Ｄ、Ｆ−１４４Ｄ、Ｆ−１４０ＮＫ（以上、大日本インキ化学工業製）、フロラードＦＣ−４３０、ＦＣ−１７０、ＦＣ−１７０Ｃ（以上、住友スリーエム製）、アクリル系界面活性剤としてはディスパロンＬ−１９８０（楠本化成製）、モダフロー（日本モンサント製）等があげられる。また、特開平９−２３０１４３号公報記載のものも使用できる。

上記のレベリング剤は界面活性能があるためポリマー層の表面に多く分布する。形成されたポリマー層の表面にレベリング剤が多く存在すると、液晶セルに偏光板を貼り付ける際に使用する粘着剤とポリマー層との接着性が弱くなり、偏光板に不具合があった場合に偏光板を液晶セルから剥がすリワーク作業において粘着剤が液晶セルに残ってしまい、別途粘着剤を有機溶剤でふき取る等作業性が悪くなる。特にフッ素系界面活性剤を使用する場合、粘着剤と接着性が弱くなる場合がある。レベリング剤はポリマー層の厚みムラを低減するために非常に有効であるが、ポリマー層が形成された後にポリマー層表面に残存している必要はなく、むしろポリマー層表面からはなくなったほうが好ましい。ポリマー層を有する光学補償シートを偏光膜に貼り合せる際に行う鹸化処理によって、ポリマー層表面のレベリング剤は除去されることが好ましい。また、有機溶剤でレベリング剤を洗い流してもよい。

ポリマー材料を塗工した後、乾燥して、ポリマー層を形成してもよい。乾燥には自然乾燥（風乾）方式や加熱乾燥方式、特に４０〜２００℃の加熱乾燥方式、減圧乾燥方式などの適宜な方式の１種又は２種以上を採ることができる。乾燥時の乾燥ムラによる厚みムラ低減のためには、塗布直後の環境の風を層流とすることが好ましく、また風速を１ｍ／ｍiｎ以下とすることが好ましい。さらに、塗布直後に吹かせる乾燥風の動きによる塗布膜の厚みムラ発生を抑えるために乾燥風を吹かせない凝縮乾燥を行うことが好ましい。

前記溶媒としては、例えばクロロホルムやジクロロメタン、四塩化炭素やジクロロエタン、テトラクロロエタンやトリクロロエチレン、テトラクロロエチレンやクロロベンゼン、オルソジクロロベンゼンの如きハロゲン化炭化水素類、フェノールやパラクロロフェノールの如きフェノール類、ベンゼンやトルエン、キシレンやメトキシベンゼン、１，２−ジメトキシベンゼンの如き芳香族炭化水素類、アセトンやメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンやシクロヘキサノン、シクロペンタノンや２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの如きケトン類、酢酸エチルや酢酸ブチルの如きエステル類が挙げられる。

また、ｔ−ブチルアルコールやグリセリン、エチレングリコールやトリエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテルやジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールやジプロピレングリコール、２−メチル−２，４−ペンタンジオールの如きアルコール類、ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミドの如きアミド類、アセトニトリルやブチロニトリルの如きニトリル類、ジエチルエーテルやジブチルエーテル、テトラヒドロフランの如きエーテル類、その他、塩化メチレンや二硫化炭素、エチルセロソルブやブチルセロソルブなども前記溶媒の例としてあげられる。

溶媒は、単独で、あるいは２種以上を適宜な組合せで混合して用いることができる。溶液は、塗工粘度等の点より、溶媒１００質量部に対して固体ポリマーを２〜１００質量部、就中５〜５０質量部、特に１０〜４０質量部溶解させたものが好ましい。

上記の溶剤はポリマー層を形成する材料を溶解する機能を有するものを選択することはもちろんであるが、ポリマー層溶液を塗布する支持体を浸食しないものを選択することが好ましい。

液状化したポリマーの展開には、例えばスピンコート法やロールコート法、フローコート法やプリント法、ディップコート法や流延成膜法、バーコート法やグラビア印刷法等のキャスティング法、押出法などの適宜なフィルム形成方式を採ることができる。就中、厚さムラや配向歪ムラ等の少ないフィルムの量産性などの点より、キャスティング法等の溶液製膜法が好ましく適用することができる。

光学補償効果の点から、ポリマー層のＲｅ（６３０）は０〜２００ｎｍが好ましく、５〜１００ｎｍがさらに好ましく、１０〜５０ｎｍが特に好ましい。また、ポリマー層のＲｔｈ（６３０）は０〜４００ｎｍが好ましく、１０〜２００ｎｍが好ましく、２０〜１５０ｎｍが特に好ましい。

ポリマー層は、展開層を固体化させた後、そのＲｅ等の制御を目的に必要に応じて、面内における分子を配向させる処理を施したものであってもよい。すなわち当該展開層を固体化させただけの状態では、Ｒｅが小さいことが普通である。ちなみに層厚を５μｍとした場合、Ｒｅは通例、１５ｎｍ以下であるのが好ましく、０．１〜１０ｎｍであるのがより好ましい。

一方、前記の配向処理を施すことにより、面内における配向軸の精度を高めることができて、Ｒｅを増大させることができる。従ってＲｔｈ（λ）、Ｒｅ（λ）等の位相差特性を制御することができる。

前記した面内で分子を配向させる処理は、伸張処理及び収縮処理の少なくともいずれかの処理として施すことができ、その伸張処理は、例えば延伸処理などとして施すことができる。延伸処理には逐次方式や同時方式等による二軸延伸方式、自由端方式や固定端方式等の一軸延伸方式などの適宜な方式の１種又は２種以上を適用することができる。ボーイング現象を抑制する点よりは一軸延伸方式が好ましい。

一方、収縮処理は、例えばポリマー層の塗工形成を基材上で行って、その基材の温度変化等に伴う寸法変化を利用して収縮力を作用させる方式などにより行うことができる。その場合、熱収縮性フィルムなどの収縮能を付与した基材を用いることもでき、そのときには延伸機等を利用して収縮率を制御することが望ましい。

ポリマー層の好ましい形成方式は、溶媒に溶解させて液状化したポリマー溶液を後述する熱可塑性樹脂フィルムの表面に展開して乾燥させ、必要に応じて、該フィルムを介して伸張処理又は収縮処理の一方又は両方を施す方式である。この方式によれば、ポリマー層を熱可塑性樹脂フィルムで支持した状態で処理できて製造効率や処理精度などに優れており、連続製造も可能である。

〔ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルム〕
本実施形態における光学補償シートは、ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムを有する。該フィルムは、光学異方性であっても、光学等方性であってもよい
以下、本発明のラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムについて詳しく説明するが、本発明の範囲はこれらの説明に拘束されることはなく、以下の例示以外についても、本発明の趣旨を損なわない範囲で適宜変更して実施することができる。

《ラクトン環含有重合体》
本実施形態で用いるラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムは、好ましくはフィルム幅が１３００ｍｍ以上であるが、より好ましくは１５００ｍｍ以上である。また、該フィルムの膜厚は好ましくは２０μｍ〜１００μｍであるが、より好ましくは２０〜６５μｍである。本発明で用いるラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムは、ラクトン環含有重合体を主成分として含有する。その他の熱可塑性樹脂を含有していてもよい。

ラクトン環含有重合体は、好ましくは、下記式（２０）で示されるラクトン環構造を有する。

式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１〜２０の有機残基を表し、有機残基は酸素原子を含有していてもよい。

有機残基の炭素数は１〜１５が好ましく、１〜１２がより好ましく、１〜８がさらに好ましく、１〜５がさらにより好ましい。有機残基として、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のアルコシ基などを挙げることができ、アルキル基（メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基など）が好ましい。置換基としては、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、などを挙げることができる。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³として、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基であり、さらに好ましくは水素原子、メチル基、エチル基であり、さらにより好ましくは水素原子、メチル基である。

ラクトン環含有重合体の構造中における上記式（２０）で示されるラクトン環構造の含有割合は、好ましくは５〜９０質量％、より好ましくは１０〜７０質量％、さらに好ましくは１０〜６０質量％、特に好ましくは１０〜５０質量％である。ラクトン環構造の含有割合を５質量％以上とすることにより、得られた重合体の耐熱性、耐溶剤性及び表面硬度が向上する傾向にあり、ラクトン環構造の含有割合を９０質量％以下とすることにより、得られた重合体の成形加工性が向上する傾向にある。

ラクトン環含有重合体は、上記式（２０）で示されるラクトン環構造以外の構造を有していてもよい。上記式（２０）で示されるラクトン環構造以外の構造としては、例えば、ラクトン環含有重合体の製造方法として後述するような、（メタ）アクリル酸エステルと、ヒドロキシ基含有単量体と、不飽和カルボン酸と、下記式（２１）で示される単量体とからなる群から選択される少なくとも１種の単量体を重合して形成される重合体構造単位（繰り返し構造単位）が好ましい。

式中、Ｒ⁴は水素原子又はメチル基を表し、Ｘは水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、アリール基、−ＯＡｃ基、−ＣＮ基、−ＣＯ−Ｒ⁵基、又は−ＣＯ−Ｏ−Ｒ⁶基を表し、Ａｃはアセチル基を表し、Ｒ⁵及びＲ⁶は水素原子又は炭素原子数１〜２０の有機残基を表す。炭素原子数１〜２０の有機残基については、上記式（２０）における有機残基の説明を参照することができる。
ここで、Ｘは、アルキル基又はアリール基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基など）が好ましい。

ラクトン環含有重合体の構造中における上記式（２０）で示されるラクトン環構造以外の構造の含有割合は、（メタ）アクリル酸エステルを重合して形成される重合体構造単位（繰り返し構造単位）の場合、好ましくは１０〜９５質量％、より好ましくは１０〜９０質量％、さらに好ましくは４０〜９０質量％、特に好ましくは５０〜９０質量％であり、ヒドロキシ基含有単量体を重合して形成される重合体構造単位（繰り返し構造単位）の場合、好ましくは０〜３０質量％、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１５質量％、特に好ましくは０〜１０質量％である。また、不飽和カルボン酸を重合して形成される重合体構造単位（繰り返し構造単位）の場合、好ましくは０〜３０質量％、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１５質量％、特に好ましくは０〜１０質量％である。さらに、上記式（２１）で示される単量体を重合して形成される重合体構造単位（繰り返し構造単位）の場合、好ましくは０〜３０質量％、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１５質量％、特に好ましくは０〜１０質量％である。

ラクトン環含有重合体の製造方法は、特に限定されるものではないが、例えば、重合工程によって分子鎖中にヒドロキシ基とエステル基とを有する重合体（ａ）を得た後、得られた重合体（ａ）を加熱処理することによりラクトン環構造を重合体に導入するラクトン環化縮合工程を行うことによって得られる。

重合工程においては、例えば、下記式（２２）で示される単量体を配合した単量体成分の重合反応を行うことにより、分子鎖中にヒドロキシ基とエステル基とを有する重合体が得られる。

式中、Ｒ⁷及びＲ⁸は、互いに独立して、水素原子又は炭素原子数１〜２０の有機残基を表す。
ここで、炭素原子数１〜２０の有機残基としては、上記式（２０）における有機残基の説明を参照することができる。

上記式（２２）で示される単量体としては、例えば、２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸メチル、２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸エチル、２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸イソプロピル、２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸ｎ−ブチル、２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチルなどが挙げられる。これらの単量体のうち、２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸メチル、２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸エチルが好ましく、耐熱性を向上させる効果が高いことから、２−（ヒドロキシメチル）アクリル酸メチルが特に好ましい。これらの単量体は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。

重合工程に供する単量体成分中における上記式（２２）で示される単量体の含有割合は、好ましくは５〜９０質量％、より好ましくは１０〜７０質量％、さらに好ましくは１０〜６０質量％、特に好ましくは１０〜５０質量％である。上記式（２２）で示される単量体の含有割合を５質量％以上とすると、得られた重合体の耐熱性、耐溶剤性及び表面硬度が向上する傾向にある。逆に、上記式（２２）で示される単量体の含有割合を９０質量％以下とすると、重合工程やラクトン環化縮合工程においてゲル化が起こることや、得られた重合体の成形加工性が向上する傾向にある。

重合工程に供する単量体成分には、上記式（２２）で示される単量体以外の単量体を配合してもよい。このような単量体としては、特に限定されるものではないが、例えば、（メタ）アクリル酸エステル、ヒドロキシ基含有単量体、不飽和カルボン酸、およぴ、上記式（２１）で示される単量体などが挙げられる。これらの単量体は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、上記式（２２）で示される単量体以外の（メタ）アクリル酸エステルである限り、特に限定されるものではないが、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸ベンジルなどのアクリル酸エステル；メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸ベンジルなどのメタクリル酸エステル；などが挙げられる。これらの（メタ）アクリル酸エステルは、単独で用いても２種以上を併用してもよい。これらの（メタ）アクリル酸エステルのうち、得られた重合体の耐熱性や透明性が優れることから、メタクリル酸メチルが特に好ましい。

上記式（２２）で示される単量体以外の（メタ）アクリル酸エステルを用いる場合、重合工程に供する単量体成分中におけるその含有割合は、好ましくは１０〜９５質量％、より好ましくは１０〜９０質量％、さらに好ましくは４０〜９０質量％、特に好ましくは５０〜９０質量％である。

ヒドロキシ基含有単量体としては、上記式（２２）で示される単量体以外のヒドロキシ基含有単量体である限り、特に限定されるものではないが、例えば、α−ヒドロキシメチルスチレン、α−ヒドロキシエチルスチレン、２−（ヒドロキシエチル）アクリル酸メチルなどの２−（ヒドロキシアルキル）アクリル酸エステル；２−（ヒドロキシエチル）アクリル酸などの２−（ヒドロキシアルキル）アクリル酸；などが挙げられる。これらのヒドロキシ基含有単量体は、単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。

上記式（２２）で示される単量体以外のヒドロキシ基含有単量体を用いる場合、重合工程に供する単量体成分中におけるその含有割合は、好ましくは０〜３０質量％、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１５質量％、特に好ましくは０〜１０質量％である。

不飽和カルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、α−置換アクリル酸、α−置換メタクリル酸などが挙げられる。これらの不飽和カルボン酸は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。これらの不飽和カルボン酸のうち、本発明の効果を十分に発揮させる点で、アクリル酸、メタクリル酸が特に好ましい。

不飽和カルボン酸を用いる場合、重合工程に供する単量体成分中におけるその含有割合は、好ましくは０〜３０質量％、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１５質量％、特に好ましくは０〜１０質量％である。

上記式（２１）で示される単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、アクリロニトリル、メチルビニルケトン、エチレン、プロピレン、酢酸ビニルなどが挙げられる。これらの単量体は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。これらの単量体のうち、スチレン、α−メチルスチレンが特に好ましい。

上記式（２１）で示される単量体を用いる場合、重合工程に供する単量体成分中におけるその含有割合は、好ましくは０〜３０質量％、より好ましくは０〜２０質量％、さらに好ましくは０〜１５質量％、特に好ましくは０〜１０質量％である。

単量体成分を重合して分子鎖中にヒドロキシ基とエステル基とを有する重合体を得るための重合反応の形態としては、溶剤を使用する重合形態であることが好ましく、溶液重合が特に好ましい。

重合温度や重合時間は、使用する単量体の種類や割合などに応じて変化するが、例えば、好ましくは、重合温度が０〜１５０℃、重合時問が０．５〜２０時間であり、より好ましくは、重合温度が８０〜１４０℃、重合時間が１〜１０時間である。

溶剤を使用する重合形態の場合、重合溶剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンケトンなどのケトン系溶剤；テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤などが挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。また、溶剤の沸点が高すぎると、最終的に得られるラクトン環含有重合体の残存揮発分が多くなることから、沸点が５０〜２００℃である溶剤が好ましい。

重合反応時には、必要に応じて、重合開始剤を添加してもよい。重合開始剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔｅｒｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエ−トなどの有機過酸化物；２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）などのアゾ化合物；などが挙げられる。これらの重合開始剤は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。重合開始剤の使用量は、単量体の組合せや反応条件などに応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。

重合を行う際には、反応液のゲル化を抑制するために、重合反応混合物中の生成した重合体の濃度が５０質量％以下となるように制御することが好ましい。具体的には、重合反応混合物中の生成した重合体の濃度が５０質量％を超える場合には、重合溶剤を重合反応混合物に適宜添加して５０質量％以下となるように制御することが好ましい。重合反応混合物中の生成した重合体の濃度は、より好ましくは４５質量％以下、さらに好ましくは４０質量％以下である。な・BR>ィ、重合反応混合物中に生成した重合体の濃度が低すぎると生産性が低下する場合があるので、重合反応混合物中に生成した重合体の濃度は、好ましくは１０質量％以上、より好ましくは２０質量％以上である。

重合溶剤を重合反応混合物に適宜添加する形態としては、特に限定されるものではなく、例えば、連続的に重合溶剤を添加してもよいし、間欠的に重合溶剤を添加してもよい。このように重合反応混合物中に生成した重合体の濃度を制御することによって、反応液のゲル化をより充分に抑制することができ、特に、ラクトン環含有割合を増やして耐熱性を向上させるために分子鎖中のヒドロキシ基とエステル基の割合を高めた場合であっても、ゲル化を充分に抑制することができる。添加する重合溶剤としては、例えば、重合反応の初期仕込み時に使用した溶剤と同じ種類の溶剤であってもよいし、異なる種類の溶剤であってもよいが、重合反応の初期仕込み時に使用した溶剤と同じ種類の溶剤を用いることが好ましい。また、添加する重合溶剤は、１種のみの単一溶剤であっても２種以上の混合溶剤であってもよい。

以上の重合工程を終了した時点で得られる重合反応混合物中には、通常、得られた重合体以外に溶剤が含まれているが、溶剤を完全に除去して重合体を固体状態で取り出す必要はなく、溶剤を含んだ状態で、続くラクトン環化縮合工程に導入することが好ましい。また、必要な場合は、固体状態で取り出した後に、続くラクトン環化縮合工程に好適な溶剤を再添加してもよい。

重合工程で得られた重合体は、分子鎖中にヒドロキシ基とエステル基とを有する重合体（ａ）であり、重合体（ａ）の質量平均分子量は、好ましくは１，０００〜２，０００，０００、より好ましくは５，０００〜１，０００，０００、さらに好ましくは１０，０００〜５００，０００、特に好ましくは５０，０００〜５００，０００である。重合工程で得られた重合体（ａ）は、続くラクトン環化縮合工程において、加熱処理されることによりラクトン環構造が重合体に導入され、ラクトン環含有重合体となる。

重合体（ａ）にラクトン環構造を導入するための反応は、加熱により、重合体（ａ）の分子鎖中に存在するヒドロキシ基とエステル基とが環化縮合してラクトン環構造を生じる反応であり、その環化縮合によってアルコールが副生する。ラクトン環構造が重合体の分子鎖中（重合体の主骨格中）に形成されることにより、高い耐熱性が付与される。ラクトン環構造を導く環化縮合反応の反応率が不充分であると、耐熱性が充分に向上しないことや、成形時の加熱処理によって成形途中に縮合反応が起こり、生じたアルコールが成形品中に泡やシルバーストリークとなって存在することがある。

ラクトン環化縮合工程において得られるラクトン環含有重合体は、好ましくは、上記式（２０）で示されるラクトン環構造を有する。

重合体（ａ）を加熱処理する方法については、特に限定されるものではなく、従来公知の方法を利用すればよい。例えば、重合工程によって得られた、溶剤を含む重合反応混合物を、そのまま加熱処理してもよい。あるいは、溶剤の存在下で、必要に応じて閉環触媒を用いて加熱処理してもよい。あるいは、揮発成分を除去するための真空装置あるいは脱揮装置を備えた加熱炉や反応装置、脱揮装置を備えた押出機などを用いて加熱処理を行うこともできる。

環化縮合反応を行う際に、重合体（ａ）に加えて、他の熱可塑性樹脂を共存させてもよい。また、環化縮合反応を行う際には、必要に応じて、環化縮合反応の触媒として一般に用いられるｐ−トルエンスルホン酸等のエステル化触媒又はエステル交換触媒を用いてもよいし、酢酸、プロピオン酸、安息香酸、アクリル酸、メタクリル酸などの有機カルボン酸類を触媒として用いてもよい。さらに、例えば、特開昭６１−２５４６０８号公報や特開昭６１−２６１３０３号公報に開示されているように、塩基性化合物、有機カルボン酸塩、炭酸塩などを用いてもよい。

あるいは、特開２００１−１５１８１４号公報に示されているように環化縮合反応の触媒として有機リン化合物を用いてもよい。有機リン化合物を触媒として用いることにより、環化縮合反応率を向上させることができると共に、得られるラクトン環含有重合体の着色を大幅に低減することができる。さらに、有機リン化合物を触媒として用いることにより、後述の脱揮工程を併用する場合において起こり得る分子量低下を抑制することができ、優れた機械的強度を付与することができる。

環化縮合反応の触媒として用いることができる有機リン化合物としては、例えば、メチル亜ホスホン酸、エチル亜ホスホン酸、フェニル亜ホスホン酸等のアルキル（アリール）亜ホスホン酸（ただし、これらは、互変異性体であるアルキル（アリール）ホスフィン酸になっていてもよい）及びこれらのモノエステル又はジエステル；ジメチルホスフィン酸、ジエチルホスフィン酸、ジフェニルホスフィン酸、フェニルメチルホスフィン酸、フェニルエチルホスフィン酸などのジアルキル（アリール）ホスフィン酸及びこれらのエステル；メチルホスホン酸、エチルホスホン酸、トリフルオルメチルホスホン酸、フェニルホスホン酸などのアルキル（アリール）ホスホン酸及びこれらのモノエステル又はジエステル；メチル亜ホスフィン酸、エチル亜ホスフィン酸、フェニル亜ホスフィン酸などのアルキル（アリール）亜ホスフィン酸及びこれらのエステル；亜リン酸メチル、亜リン酸エチル、亜リン酸フェニル、亜リン酸ジメチル、亜リン酸ジエチル、亜リン酸ジフェニル、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸トリフェニルなどの亜リン酸モノエステル、ジエステル又はトリエステル；リン酸メチル、リン酸エチル、リン酸２−エチルヘキシル、リン酸オクチル、リン酸イソデシル、リン酸ラウリル、リン酸ステアリル、リン酸イソステアリル、リン酸フェニル、リン酸ジメチル、リン酸ジエチル、リン酸ジ−２−エチルヘキシル、リン酸ジイソデシル、リン酸ジラウリル、リン酸ジステアリル、リン酸ジイソステアリル、リン酸ジフェニル、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリイソデシル、リン酸トリラウリル、リン酸トリステアリル、リン酸トリイソステアリル、リン酸トリフェニルなどのリン酸モノエステル、ジエステル又はトリエステル；メチルホスフィン、エチルホスフィン、フェニルホスフィン、ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリフェニルホスフィンなどのモノ−、ジ−又はトリ−アルキル（アリール）ホスフィン；メチルジクロロホスフィン、エチルジクロロホスフィン、フェニルジクロロホスフィン、ジメチルクロロホスフィン、ジエチルクロロホスフィン、ジフェニルクロロホスフィンなどのアルキル（アリール）ハロゲンホスフィン；酸化メチルホスフィン、酸化エチルホスフィン、酸化フェニルホスフィン、酸化ジメチルホスフィン、酸化ジエチルホスフィン、酸化ジフェニルホスフィン、酸化トリメチルホスフィン、酸化トリエチルホスフィン、酸化トリフェニルホスフィンなどの酸化モノ−、ジ−又はトリ−アルキル（アリール）ホスフィン；塩化テトラメチルホスホニウム、塩化テトラエチルホスホニウム、塩化テトラフェニルホスホニウムなどのハロゲン化テトラアルキル（アリール）ホスホニウム；などが挙げられる。これらの有機リン化合物は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。これらの有機リン化合物のうち、触媒活性が高くて着色性が低いことから、アルキル（アリール）亜ホスホン酸、亜リン酸モノエステル又はジエステル、リン酸モノエステル又はジエステル、アルキル（アリール）ホスホン酸が好ましく、アルキル（アリール）亜ホスホン酸、亜リン酸モノエステル又はジエステル、リン酸モノエステル又はジエステルがより好ましく、アルキル（アリール）亜ホスホン酸、リン酸モノエステル又はジエステルが特に好ましい。

環化縮合反応の際に用いる触媒の使用量は、特に限定されるものではないが、例えば、重合体（ａ）に対して、好ましくは０．００１〜５質量％、より好ましくは０．０１〜２．５質量％、さらに好ましくは０．０１〜１質量％、特に好ましくは０．０５〜０．５質量％である。触媒の使用量を０．００１質量％以上とすることにより、環化縮合反応の反応率が向上する傾向にある。逆に、触媒の使用量を５質量％以下とすると、得られた重合体が着色しにくくなる傾向にあり、また、重合体が架橋して溶融賦形が因難になることを抑止できる傾向にある。

触媒の添加時期は、特に限定されるものではなく、例えば、反応初期に添加してもよいし、反応途中に添加してもよいし、それらの両方で添加してもよい。

環化縮合反応を溶剤の存在下で行い、かつ、環化縮合反応の際に、脱揮工程を併用することが好ましい。この場合、環化縮合反応の全体を通じて脱揮工程を併用する形態、及び、脱揮工程を環化縮合反応の過程全体にわたっては併用せずに過程の−部においてのみ併用する形態などが挙げられる。脱揮工程を併用する方法では、縮合環化反応で副生するアルコールを強制的に脱揮させて除去するので、反応の平衡が生成側に有利となる。

脱揮工程とは、溶剤、残存単量体などの揮発分と、ラクトン環構造を導く環化縮合反応により副生したアルコールを、必要に応じて減圧加熱条件下で、除去処理する工程を意味する。この除去処理が不充分であると、得られた重合体中の残存揮発分が多くなり、成形時の変質などによって着色することや、泡やシルパーストリークなどの成形不良が起こることがある。

環化縮合反応の全体を通じて脱揮工程を併用する形態の場合、用いる装置については、特に限定されるものではないが、例えば、本発明をより効果的に行うために、熱交換器と脱揮槽からなる脱揮装置やベント付き押出機、また、脱揮装置と押出機を直列に配置したものを用いることが好ましく、熱交換器と脱揮槽からなる脱揮装置又はベント付き押出機を用いることがより好ましい。

熱交換器と脱揮槽からなる脱揮装置を用いる場合の反応処理温度は、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３００℃である。反応処理温度を１５０℃以上とすると、環化縮合反応が充分となって残存揮発分が少なくなる傾向にあり、反応処理温度を３５０℃以下とすると、得られた重合体の着色や分解が起こりにくくなる傾向にある。

熱交換器と脱揮槽からなる脱揮装置を用いる場合の反応処理圧力は、好ましくは９３１ｈＰａ〜１．３３ｈＰａ（７００ｍｍＨｇ〜１ｍｍＨｇ）、より好ましくは７９８ｈＰａ〜６６．５ｈＰａ（６００ｍｍＨｇ〜５０ｍｍＨｇ）である。反応処理圧力を９３１ｈＰａ（７００ｍｍＨｇ）以上とすることにより、アルコールを含めた揮発分が残存しにくくなる。逆に、反応処理圧力を１．３３ｈＰａ（１ｍｍＨｇ）以下とすると、工業的に実施しやすい傾向にある。

ベント付き押出機を用いる場合、ベントは１個でも複数個でもいずれでもよいが、複数個のベントを有する方が好ましい。

ベント付き押出機を用いる場合の反応処理温度は、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３００℃である。反応処理温度を１５０℃以上とすると、環化縮合反応が充分に進行しやすく残存揮発分が少なくなる傾向にある。逆に、反応処理温度を３５０℃以下とすることにより、得られた重合体の着色や分解が起こリにくい傾向にある。

ベント付き押出機を用いる場合の反応処理圧力は、好ましくは９３１ｈＰａ〜１．３３ｈＰａ（７００ｍｍＨｇ〜１ｍｍＨｇ）、より好ましくは７９８ｈＰａ〜１３．３ｈＰａ（６００ｍｍＨｇ〜１０ｍｍＨｇ）である。反応処理圧力を９３１ｈＰａ（７００ｍｍＨｇ）以上とすることにより、アルコールを含めた揮発分が残存しにくくなり、反応処理圧力を１．３３ｈＰａ（１ｍｍＨｇ）以下とすると、工業的な実施が行いやすい傾向にある。

なお、環化縮合反応の全体を通じて脱揮工程を併用する形態の場合、後述するように、厳しい熱処理条件では得られるラクトン環含有重合体の物性が劣化することがあるので、前述した脱アルコール反応の触媒を用い、できるだけ温和な条件で、ベント付き押出機などを用いて行うことが好ましい。

また、環化縮合反応の全体を通じて脱揮工程を併用する形態の場合、好ましくは、重合工程で得られた重合休（ａ）を溶剤と共に環化縮合反応装置系に導入するが、この場合、必要に応じて、もう一度ベント付き押出機などの環化縮合反応装置に通してもよい。

脱揮工程を環化縮合反応の過程全体にわたっては併用せずに、過程の一部においてのみ併用する形態を行ってもよい。例えば、重合体（ａ）を製造した装置を、さらに加熱し、必要に応じて脱揮工程を一部併用して、環化縮合反応を予めある程度進行させておき、その後に引き続いて脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応を行い、反応を完結させる形態である。

先に述べた環化縮合反応の全体を通じて脱揮工程を併用する形態では、例えば、重合体（ａ）を、二軸押出機を用いて、２５０℃付近、あるいはそれ以上の高温で熱処理する時に、熱履歴の違いにより環化縮合反応が起こる前に一部分解などが生じ、得られるラクトン環含有重合体の物性が劣化することがある。そこで、脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応を行う前に、予め環化縮合反応をある程度進行させておくと、後半の反応条件を緩和でき、得られるラクトン環含有重合体の物性の劣化を抑制できるので好ましい。特に好ましい形態としては、例えば、脱揮工程を環化縮合反応の開始から時間をおいて開始する形態、すなわち、重合工程で得られた重合体（ａ）の分子鎖中に存在するヒドロキシ基とエステル基とを予め環化縮合反応させて環化縮合反応率をある程度上げておき、引き続き、脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応を行う形態などが挙げられる。具体的には、例えば、予め釜型反応器を用いて溶剤の存在下で環化縮合反応をある程度の反応率まで進行させておき、その後、脱揮装置を備えた反応器、例えば、熱交換器と脱揮槽とからなる脱揮装置や、ベント付き押出機などで、環化縮合反応を完結させる形態が好ましく挙げられる。特に、この形態の場合、環化縮合反応用の触媒が存在していることがより好ましい。

前述したように、重合工程で得られた重合体（ａ）の分子鎖中に存在するヒドロキシ基とエステル基を予め環化縮合反応させて環化縮合反応率をある程度上げておき、引き続き、脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応を行う方法は、本発明においてラクトン環含有重合体を得る上で好ましい形態である。この形態により、ガラス転移温度がより高く、環化縮合反応率もより高まり、耐熱性に優れたラクトン環含有重合体が得られる。この場合、環化縮合反応率の目安としては、例えば、実施例に示すダイナッミクＴＧ測定における１５０〜３００℃の範囲内における質量減少率が、好ましくは２％以下、より好ましくは１．５％以下であり、さらに好ましくは１％以下である。

脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応の前に予め行う環化縮合反応の際に採用できる反応器は、特に限定されるものではないが、例えば、オートクレーブ、釜型反応器、熱交換器と脱揮槽とからなる脱揮装置などが挙げられ、さらに、脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応に好適なベント付き押出機も使用可能である。これらの反応器のうち、オートクレーブ、釜型反応器が特に好ましい。しかし、ベント付き押出機などの反応器を用いる場合でも、ベント条件を温和にしたり、ベントをさせなかったり、温度条件やバレル条件、スクリュー形状、スクリュー運転条件などを調整することにより、オートクレーブや釜型反応器での反応状態と同じ様な状態で環化縮合反応を行うことが可能である。

脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応の前に予め行う環化縮合反応の際には、例えば、重合工程で得られた重合体（ａ）と溶剤とを含む混合物を、（ｉ）触媒を添加して、加熱反応させる方法、（ｉｉ）無触媒で加熱反応させる方法、及び、前記（ｉ）又は（ｉｉ）を加圧下で行う方法などが挙げられる。

なお、ラクトン環化縮合工程において環化縮合反応に導入する「重合体（ａ）と溶剤とを含む混合物」とは、重合工程で得られた重合反応混合物それ自体、あるいは、いったん溶剤を除去した後に環化縮合反応に適した溶剤を再添加して得られた混合物を意味する。

脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応の前に予め行う環化縮合反応の際に再添加できる溶剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類；クロロホルム、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン；などが挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。重合工程に用いた溶剤と同じ種類の溶剤を用いることが好ましい。

方法（ｉ）で添加する触媒としては、例えば、一般に使用されるｐ−トルエンスルホン酸などのエステル化触媒又はエステル交換触媒、塩基性化合物、有機カルボン酸塩、炭酸塩などが挙げられるが、本発明においては、前述の有機リン化合物を用いることが好ましい。独媒の添加時期は、特に限定されるものではないが、例えば、反応初期に添加してもよいし、反応途中に添加してもよいし、それらの両方で添加してもよい。触媒の添加量は、特に限定されるものではないが、例えば、重合体（ａ）の質量に対して、好ましくは０．００１〜５質量％、より好ましくは０．０１〜２．５質量％、さらに好ましくは０．０１〜０．１質量％、特に好ましくは０．０５〜０．５質量％である。方法（ｉ）の加熱温度と加熱時間は、特に限定されるものではないが、例えば、加熱温度は、好ましくは室温〜１８０℃、より好ましくは５０℃〜１５０℃であり、加熱時問は、好ましくは１〜２０時間、より好ましくは２〜１０時間である。加熱温度を室温以上とすることにより、又は、加熱時間を１時間以上とすることにより、環化縮合反応率が向上する傾向にある。逆に、加熱温度を１８０℃以下とすることにより、又は、加熱時間を２０時間以下とすることにより、樹脂の着色や分解が起りにくくなる。

方法（ｉｉ）は、例えば、耐圧性の釜型反応器などを用いて、重合工程で得られた重合反応混合物をそのまま加熱すればよい。方法（ｉｉ）の加熱温度や加熱時間は、特に限定されるものではないが、例えば、加熱温度は、好ましくは１００〜１８０℃、より好ましくは１００〜１５０℃であり、加熱時間は、好ましくは１〜２０時間、より好ましくは２〜１０時間である。加熱温度を１００℃以上とすることにより、又は、加熱温度を１時間以上とすることにより、環化縮合反応率が向上する傾向にある。逆に、加熱温度を１８０℃以下とすることにより、又は、加熱時間を２０時間以下とすることにより、樹脂の着色や分解が起こりにくくなる。

いずれの方法においても、条件によっては、加圧下となっても何ら問題はない。

脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応の前に予め行う環化縮合反応の際には、溶剤の一部が反応中に自然に揮発しても何ら問題ではない。

脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応の前に予め行う環化縮合反応の終了時、すなわち、脱揮工程開始直前における、ダイナミックＴＧ測定における１５０〜３００℃の範囲内における質量減少率は、好ましくは２％以下、より好ましくは１、５％以下、さらに好ましくは１％以下である。質量減少率を２％以下とすることにより、続けて脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応を行ったときに環化縮合反応率が進行しやすく、得られるラクトン環含有重合体の物性が向上する傾向にある。なお、上記の環化縮合反応を行う際に、重合体（ａ）に加えて、他の熱可塑性樹脂を共存させてもよい。

重合工程で得られた重合体（ａ）の分子鎖中に存在するヒドロキシ基とエステル基とを予め環化縮合反応させて環化縮合反応率をある程度上げておき、引き続き、脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応を行う形態の場合、予め行う環化縮合反応で得られた重合体（分子鎖中に存在するヒドロキシ基とエステル基との少なくとも一部が環化縮合反応した重合体）と溶剤を、そのまま脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応に導入してもよいし、必要に応じて、前記重合体（分子鎖中に存在するヒドロキシ基とエステル基との少なくとも一部が環化縮合反応した重合体）を単離してから溶剤を再添加するなどのその他の処理を経てから脱揮工程を同時に併用した環化縮合反応に導入しても構わない。

脱揮工程は、環化縮合反応と同時に終了することには限らず、環化縮合反応の終了から時間をおいて終了しても構わない。

ラクトン環含有重合体の質量平均分子量は、好ましくは１，０００〜２，０００，０００、より好ましくは５，０００〜１，０００，０００、さらに好ましくは１０，０００〜５００，０００、特に好ましくは５０，０００〜５００，０００である。

ラクトン環含有重合体は、ダイナミックＴＧ測定における１５０〜３００℃の範囲内における質量減少率が好ましくは１％以下、より好ましくは０．５％以下、さらに好ましくは０．３％以下である。

ラクトン環含有重合体は、環化縮合反応率が高いので、成形後の成形品中に泡やシルバーストリークが入るという欠点が回避できる。さらに、高い環化縮合反応率によってラクトン環構造が重合体に充分に導入されるので、得られたラクトン環含有重合体が充分に高い耐熱性を有している。

ラクトン環含有重合体は、濃度１５質量％のクロロホルム溶液にした場合、その着色度（ＹＩ）が、好ましくは６以下、より好ましくは３以下、さらに好ましくは２以下、特に好ましくは１以下である。着色度（ＹＩ）が６以下であれば、着色を防いでより高い透明性が得られやすい傾向がある。

ラクトン環含有重合体は、熱質量分析（ＴＧ）における５％質量減少温度が、好ましくは２８０℃以上、より好ましくは２９０℃以上、さらに好ましくは３００℃以上、またさらに好ましくは３３０℃以上、特に好ましくは３５０℃以上、最も好ましくは３６０℃以上である。熱質量分析（ＴＧ）における５％質量減少温度は、熱安定性の指標であり、これを２８０℃以上とすることにより、充分な熱安定性が発揮されやすい傾向にある。

ラクトン環含有重合体は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、好ましくは１１５℃以上、より好ましくは１２５℃以上、さらに好ましくは１３０℃以上、特に好ましくは１３５℃以上、最も好ましくは１４０℃以上である。

ラクトン環含有重合体は、それに含まれる残存揮発分の総量が、好ましくは５，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは２，０００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１，５００ｐｐｍ、特に好ましくは１，０００ｐｐｍである。残存揮発分の総量が５０００ｐｐｍ以下であれば、成形時の変質等によって着色したり、発泡したり、シルバーストリークしたりするなどの成形不良をより効果的に防ぎやすくなる傾向がある。

ラクトン環含有重合体は、射出成形により得られる成形品に対するＡＳＴＭ−Ｄ−１００３に準拠した方法で測定された全光線透過率が、好ましくは８５％以上、より好ましくは８８％以上、さらに好ましくは９０％以上である。全光線透過率は、透明性の指標であり、これを８５％以上とすると、透明性が向上する傾向にある。

〔その他の熱可塑性樹脂〕
前記熱可塑性樹脂フィルムは、その他の熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。その他の熱可塑性樹脂は、ラクトン環含有重合体と混合して、フィルム化したときに、ガラス転移温度が１２０℃以上、面方向の厚さ１００μｍあたりの位相差が２０ｎｍ以下、全光線透過率が８５％以上の性能であれば、特に種類は問わないが、熱力学的に相溶する熱可塑性樹脂は、透明性や耐熱性、低位相差、優れた機械的強度の性能を有する光学フィルムを提供できるという観点から好ましい。

前記熱可塑性樹脂フィルム中におけるラクトン環含有重合体とその他の熱可塑樹脂との含有割合は、好ましくは６０〜９９：１〜４０質量％、より好ましくは７０〜９７：３〜３０質量％、さらに好ましくは８０〜９５：５〜２０質量％である。

その他の熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）などのオレフィン系ポリマー；塩化ビニル、塩素化ビニル樹脂などの含ハロゲン系ポリマー；ポリメタクリル酸メチルなどのアクリル系ポリマー；ポリスチレン、スチレン−メタクリル酸メチル共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体などのスチレン系ポリマー；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル；ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０などのポリアミド；ポリアセタール；ポリカーボネート；ポリフェニレンオキシド；ポリフェニレンスルフィド；ポリエーテルエーテルケトン；ポリサルホン；ポリエーテルサルホン；ポリオキシベンジレン；ポリアミドイミド；ポリブタジエン系ゴム、アクリル系ゴムを配合したＡＢＳ樹脂やＡＳＡ樹脂などのゴム質重合体；などが挙げられる。ゴム質重合体は、その表面に、ラクトン環含有重合体と相溶し得る組成のグラフト部分を有するのが好ましく、また、ゴム質重合体の平均粒子サイズは、フィルム状とした際の透明性を向上させる観点から、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下である。

ラクトン環含有重合体と熱力学的に相溶する熱可塑性樹脂としては、シアン化ビニル系単量体単位と芳香族ビニル系単量体単位とを有する共重合体、具体的には、アクリロニトリル−スチレン系共重合体や、ポリ塩化ビニル樹脂、メタクリル酸エステル類を５０質量％以上含有する重合体が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂のうち、アクリロニトリル−スチレン系共重合体を用いると、ガラス転移温度が１２０℃以上、面方向の厚さ１００μｍあたりの位相差が２０ｎｍ以下、全光線透過率が８５％以上である光学フィルムが容易に得られる。なお、ラクトン環含有重合体とその他の熱可塑性樹脂とが熱力学的に相溶することは、これらを混合して得られた熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度を測定することによって確認することができる。具体的には、示差走査熱量測定器により測定されるガラス転移温度がラクトン環含有重合体とその他の熱可塑性樹脂との混合物について１点のみ観測されることによって、熱力学的に相溶していると言える。

その他の熱可塑性樹脂としてアクリロニトリル−スチレン系共重合体を用いる場合、その製造方法は、乳化重合法や懸濁重合法、溶液重合法、バルク重合法などを用いることができるが、得られる熱可塑性樹脂フィルムの透明性や光学性能の観点から溶液重合法又はバルク重合法を用いることが好ましい。

前記熱可塑性樹脂フィルムの原料である熱可塑樹脂組成物は、種々の添加剤を含有していてもよい。添加剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系、リン系、イオウ系などの酸化防止剤；耐光安定剤、耐候安定剤、熱安定剤などの安定剤；ガラス繊維、炭素繊維などの補強材；フェニルサリチレート、（２，２’−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−ヒドロキシベンゾフェノンなどの紫外線吸収剤；近赤外線吸収剤；トリス（ジブロモプロピル）ホスフェート、トリアリルホスフェート、酸化アンチモンなどの難燃剤；アニオン系、カチオン系、ノニオン系の界面活性剤などの帯電防止剤；無機顔料、有機顔料、染料などの着色剤；有機フィラーや無機フィラー；樹脂改質剤；有機充填剤や無機充填剤；可塑剤；滑剤；帯電防止剤；難燃剤；などが挙げられる。

前記熱可塑性樹脂フィルム中における前記添加剤の含有割合は、好ましくは０〜５質量％、より好ましくは０〜２質量％、さらに好ましくは０〜０．５質量％である。

前記熱可塑性樹脂フィルムの製造は、例えば、ラクトン環含有重合体と、所望によりその他の熱可塑性樹脂及び添加剤などを、従来公知の混合方法で充分に混合し、これをフィルム状に成形して製造することができる。

前記熱可塑性樹脂フィルムは、ガラス転移温度が１２０℃以上、好ましくは１２５℃以上、より好ましくは１３０℃以上である。

前記熱可塑性樹脂フィルムは、面方向の厚さ１００μｍあたりの位相差が好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下である。

前記熱可塑性樹脂フィルムは、全光線透過率が好ましくは８５％以上、より好ましくは８７％以上、より好ましくは９０％以上である。

前記熱可塑性樹脂フィルムは、位相差の入射角依存性が小さく、入射角０°の厚さ１００μｍあたりの位相差Ｒ₀と入射角４０°の厚さ１００μｍあたりの位相差Ｒ₄₀との差（Ｒ₄₀−Ｒ₀）が、好ましくは２０ｎｍ未満、より好ましくは１０ｎｍ未満である。

前記熱可塑性樹脂フィルムは、厚さが好ましくは１μｍ以上１００μｍ未満、より好ましくは１０μｍ以上８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下である。厚さを１μｍ以上とすることにより、機械的強度が向上する傾向にあり、延伸を行う場合に破断などが起こりにくい。

本実施形態のラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムは、ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２−６１Ｔに準拠して測定した引張強度が好ましくは１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満、より好ましくは３０ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満である。引張強度を１０ＭＰａ以上とすることにより、充分な機械的強度が発現されやすい傾向にあり、引張強度を１００ＭＰａ未満とすることにより、加工性が向上する傾向にあり好ましい。

本実施形態のラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムは、ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２−６１Ｔに準拠して測定した伸び率が好ましくは１％以上、より好ましく３％以上である。伸び率の上限は、特に限定されるものではないが、通常、好ましくは１００％以下である。伸び率を１％以上とすることにより、靭性が向上する傾向にあり好ましい。

本実施形態のラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムは、ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２−６１Ｔに準拠して測定した引張弾性率が好ましくは０．５ＧＰａ以上、より好ましくは１ＧＰａ以上、さらに好ましくは２ＧＰａ以上である。引張弾性率の上限は、特に限定されるものではないが、通常、好ましくは２０ＧＰａ以下である。引張弾性率を０．５ＧＰａ以上とすることにより、機械的強度が向上する傾向にあり好ましい。

本発明のラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂フィルムの製造方法は、特に限定されるものではない。例えば、ラクトン環含有重合体、及び所望によりその他の熱可塑樹脂と添加剤などを、従来公知の混合方法で混合し、予め熱可塑性樹脂組成物とし、それをフィルム状に成形することで製造することができる。この熱可塑性樹脂組成物の製造方法は、例えば、オムニミキサーなどの混合機でプレブレンドした後、得られた混合物を押出混練する方法を採用することができる。この場合、押出混練に用いる混練機は、特に限定されるものではなく、例えば、単軸押出機、二軸押出機などの押出機や加圧ニーダーなど、従来公知の混練機を用いることができる。

フィルム成形の方法としては、従来公知のフィルム成形方法を使用すればよく、例えば、溶液キャスト法（溶液流延法）、溶融押出法、カレンダー法、圧縮成形法などが挙げられる。これらのフィルム成形方法のうち、溶液キャスト法（溶液流延法）、溶融押出法が特に好ましい。この際、前述のように予め押出し混練した熱可塑性樹脂組成物を用いてもよいし、ラクトン環含有重合体とその他の熱可塑樹脂と、必要に応じて、添加剤などを、別々に溶液に溶解して均一な混合液とした後、溶液キャスト法（溶液流延法）や溶融押出法のフィルム成形工程に付してもよい。

溶液キャスト法（溶液流延法）に使用される溶媒としては、例えば、クロロホルム、ジクロロメタンなどの塩素系溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、２−ブタノールなどのアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、ジエチルエーテル；などが挙げられる。これら溶媒は、単独で用いても２種以上を併用してもよい。

溶液キャスト法（溶液流延法）を行うための装置としては、例えば、ドラム式キャスティングマシン、バンド式キャスティングマシン、スピンコーターなどが挙げられる。

溶融押出法としては、Ｔダイ法、インフレーション法などが挙げられ、その際の、フィルムの成形温度は、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３００℃である。

溶液キャスト法、溶融押出法などの製膜速度は、特に制限はないが、生産性の観点から、２０ｍ／ｍｉｎ以上の速度であることが好ましい。但し、製膜速度を速くすると、表面の平滑性が悪化し、ヘイズが顕著に悪化することや、搬送性や巻き取り性が悪化するため、５０ｍ／ｍｉｎ以下が好ましい範囲である。

Ｔダイ法でフィルム成形する場合は、公知の単軸押出し機や二軸押出し機の先端部にＴダイを取り付け、フィルム状に押出したフィルムを巻取りロール状のフィルムを得ることができる。この際、巻取りロールの温度を適宜調整して、押出し方向に延伸を加えることで、一軸延伸工程とすることも可能である。また、押出し方向と垂直な方向にフィルムを延伸する工程を加えることで、逐次二軸延伸、同時二軸延伸などの工程を加えることも可能である。

本発明における光学フィルムは、未延伸フィルムであってもよいし、延伸フィルムであってもよい。延伸する場合は、一軸延伸フィルムでもよいし、二軸延伸フィルムでもよい。二軸延伸フィルムとする場合は、同時二軸延伸したものでもよいし、逐次二軸延伸したものでもよい。二軸延伸した場合は、機械強度が向上しフィルム性能が向上する。本発明における光学フィルムは、その他の熱可塑性樹脂を混合することにより、延伸しても位相差の増大を抑制することができ、光学的等方性を保持することができる。

延伸は、好ましくは、フィルム原料の熱可塑樹脂組成物のガラス転移温度付近で行われる。具体的な延伸温度としては、好ましくは（ガラス転移温度−３０℃）〜（ガラス転移温度+１００℃）、より好ましくは（ガラス転移温度−２０℃）〜（ガラス転移温度+８０℃）である。延伸温度が（ガラス転移温度−３０℃）未満であると、充分な延伸倍率が得られないことがある。逆に、延伸温度が（ガラス転移温度+１００℃）を超えると、樹脂が流動して安定な延伸を行えないことがある。

面積比で定義した延伸倍率は、好ましくは１．１〜２５倍、より好ましくは１．３〜１０倍である。延伸倍率を１．１倍以上とすると、延伸による靭性が向上する傾向にある。逆に、延伸倍率を２５倍以下とすると、延伸倍率を上げた効果が発揮されやすい傾向にある。

延伸速度（一方向）としては、好ましくは１０〜２０，０００％／分、より好ましくは１００〜１０，０００％／分である。延伸速度を１０％／分以上とすると、充分な延伸倍率を得るための時間が短縮できる傾向にあり、製造コストを抑得やすい。逆に、延伸速度を２０，０００％／分以下とすることにより、延伸フィルムの破断などが起こりにくくなる傾向にある。

フィルムの光学的等方性や機械的特性を安定化させるために、延伸処理後に熱処理（アニーリング）などを行うこともできる。

［光学補償シートの製造］
本実施形態における光学補償シートは、上記熱可塑性樹脂フィルムの表面に、ポリマー溶液又はポリマー溶融液を塗布し、乾燥してポリマー層を形成することで製造することができる。ポリマー層の形成については上記した通りである。
また、上記した通り、熱可塑性樹脂フィルム上にポリマー層を形成した後、ポリマー層のＲｔｈ（λ）、Ｒｅ（λ）等の位相差特性を制御するために、延伸処理又は収縮処理を行うのが好ましい。延伸処理及び収縮処理の好まし
い例についても、上記した通りである。

本実施形態における光学補償シートは、種々のモードの液晶表示装置に用いることができる。本発明の光学補償シートは、そのまま単独の部材として、液晶表示装置に用いることができる。また、偏光膜と貼り合わせ、偏光板の一部材として液晶表示装置に用いることもできる。以下、本実施形態における光学補償シートを有する偏光板について説明する。
［偏光板］
本実施形態における偏光板は、偏光膜と、本発明の光学補償シートとを少なくとも有する。前記光学補償シートを、直接偏光膜の表面に貼り合せ、偏光膜の保護フィルムとして利用してもよい。かかる態様では、熱可塑性樹脂フィルムの裏面（光学異方性層が形成されていない側の面）を、偏光膜の表面に貼り合せるのが好ましい。また、偏光膜の他方の面にも、セルロースアシレートフィルム等の保護フィルムが貼り合せられているのが好ましい。

＜偏光膜＞
偏光膜には、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜があり、本発明にはいずれを使用してもよい。ヨウ素系偏光膜及び染料系偏光膜は、一般にポリビニルアルコール系フィルムを用いて製造する。
＜保護フィルム＞
他方の表面に貼合される保護フィルムは、透明なポリマーフィルムが用いることが好ましい。透明であるとは、光透過率が８０％以上であることを意味する。保護フィルムとしては、セルロースアシレートフィルム、及びポリオレフィンを含むポリオレフィンフィルムが好ましい。セルロースアシレートフィルムの中でも、セルローストリアセテート（: Tri Acetyl Cellulose、以下ＴＡＣと表記する）フィルムが好ましい。また、ポリオレフィンフィルムの中でも、環状ポリオレフィンを含むポリノルボルネンフィルムが好ましい。
保護フィルムの厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、５０〜２００μｍであることがさらに好ましい。
なお、保護フィルムの表面に、さらに反射防止層等の機能層を配置してもよい。

＜実施形態２−１及び２−２＞
本発明の実施形態２−１に係るＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置は、液晶セルと、該液晶セルの外側に配置された２枚の偏光板と、該液晶セルと該偏光板の間のどちらか一方に配置される光学異方性層とを有し、該光学異方性層がラクトン環含有重合体を含み、該光学異方性層における面内レタデーションＲｅと厚み方向のレタデーションＲｔｈが下記式（Ａ）、（Ｂ）を満たすことを特徴とする。
（Ａ） ４０ｎｍ ≦Ｒｅ（５５０）≦ ２７５ｎｍ
（Ｂ） ０ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５５０）≦ ２７５ｎｍ
〔式中、Ｒｅ（５５０）、Ｒｔｈ（５５０）は、波長５５０（ｎｍ）における面内、及び、厚み方向のレタデーション（ｎｍ）を表す〕

本発明の実施形態２−２に係るＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置は、液晶セルと、該液晶セルの外側に配置された２枚の偏光板と、該液晶セルと該偏光板の間の両方に配置される光学異方性層とを有し、該光学異方性層がラクトン環含有重合体を含み、該光学異方性層における面内レタデーションＲｅと厚み方向のレタデーションＲｔｈが下記式（Ｃ）、（Ｄ）を満たすことを特徴とする。
（Ｃ） ３０ｎｍ ≦Ｒｅ（５５０）≦ ８０ｎｍ
（Ｄ） ７５ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５５０）≦ １５５ｎｍ

本実施形態における光学異方性層は、ラクトン環含有重合体を含む熱可塑性樹脂組成物からなるのが好ましく、ラクトン環含有重合体については、上記実施形態１−１及び１−２におけるラクトン環含有重合体の説明をそのまま参照することができる。また、本実施形態における熱可塑性樹脂組成物は、実施形態１−１及び１−２と同様、その他の熱可塑性樹脂及びその他の添加剤を含んでも良く、これらについても、種類や含有量も含めて、上記実施形態１−１及び１−２における説明をそのまま参照することができる。

前記光学異方性層としての条件を満足するために、光学異方性層は、レタデーション発現剤を少なくとも１種含むのが好ましい。ここで、「レタデーション発現剤」とは光学異方性層の面内方向、もしくは、厚み方向に複屈折を発現する性質を有する化合物である。以下、レタデーション発現剤について詳述する。

［レタデーション発現剤］
前記レタデーション発現剤としては、２５０ｎｍ〜３８０ｎｍの波長範囲に吸収極大を有する分極率異方性の大きい化合物が好ましい。前記レタデーション発現剤としては、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を特に好ましく使用できる。

式中、Ｘ^１は、単結合、−ＮＲ^４−、−Ｏ−又はＳ−であり；Ｘ^２は、単結合、−ＮＲ^５−、−Ｏ−又はＳ−であり；Ｘ^３は、単結合、−ＮＲ^６−、−Ｏ−又はＳ−である。また、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基又は複素環基であり；Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基である。

以下に前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい例（Ｉ−（１）〜ＩＶ−（１０））を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

前記レタデーション発現剤としては、下記一般式（II）−１で表される化合物の少なくとも一種を含有していてもよい。
式（II）−１

式中、Ｌ^１及びＬ^２は各々独立に単結合又は二価の連結基を表し；Ａ^１及びＡ^２は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表し；Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は各々独立に置換基を表し；Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表し（ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい）；ｎは０〜２までのいずれかの整数を表す。

前記一般式（II）−１で表される化合物の中でも、レタデーション発現剤としては、下記一般式（II）−２で表される化合物が好ましい。
式（II）−２

一般式（II）−２中、Ｌ^１及びＬ^２は各々独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^１及びＡ^２は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す。）、−Ｓ−及びＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^５は各々独立に置換基を表す。ｎは０〜２の整数を表す。

一般式（II）−１又は（II）−２において、Ｌ^１及びＬ^２が表す二価の連結基としては、好ましくは下記の例が挙げられる。

さらに好ましくは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−である。

一般式（II）−１又は（II）−２において、Ｒ^１は置換基であり、複数存在する場合は同じでも異なっていてもよく、環を形成してもよい。置換基の例としては下記のものが適用できる。

ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル基）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル基）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル基、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル基）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族又は非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５又は６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。

上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

Ｒ^１は好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基、アミノ基であり、さらに好ましくは、ハロゲン原子、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基である。

Ｒ^２、Ｒ^３は各々独立に置換基を表す。例としては上記Ｒ^１の例があげられる。好ましくは置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のシクロヘキサン環である。より好ましくは置換基を有するベンゼン環、置換基を有するシクロヘキサン環であり、さらに好ましくは４位に置換基を有するベンゼン環、４位に置換基を有するシクロヘキサン環である。

Ｒ^４、Ｒ^５は各々独立に置換基を表す。例としては上記Ｒ^１の例があげられる。好ましくは、ハメットの置換基定数σ_ｐ値が０より大きい電子吸引性の置換基であることが好ましく、σ_ｐ値が０〜１．５の電子吸引性の置換基を有していることがさらに好ましい。このような置換基としてはトリフルオロメチル基、シアノ基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。また、Ｒ^４とＲ^５とが結合して環を形成してもよい。
なお、ハメットの置換基定数のσ_ｐ、σ_ｍに関しては、例えば、稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」（丸善）、日本化学会編「新実験化学講座１４ 有機化合物の合成と反応Ｖ」２６０５頁（丸善）、仲谷忠雄著「理論有機化学解説」２１７頁（東京化学同人）、ケミカル レビュー，９１巻，１６５〜１９５頁（１９９１年）等の成書に詳しく解説されている。

Ａ^１及びＡ^２は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基）、−Ｓ−及びＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。好ましくは−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは置換基を表し、例としては上記Ｒ^１の例が挙げられる）又はＳ−である。

Ｘは第１４〜１６族の非金属原子を表す。ただし、Ｘには水素原子又は置換基が結合してもよい。Ｘは＝Ｏ、＝Ｓ、＝ＮＲ、＝Ｃ（Ｒ）Ｒが好ましい（ここでＲは置換基を表し、例としては上記Ｒ^１の例が挙げられる）。
ｎは０〜２の整数を表し、好ましくは０、１である。

以下に、（II）−１又は（II）−２で表される化合物の具体例を示すが、前記レタデーション発現剤の例は以下の具体例に限定されるものではない。下記化合物に関しては、指定のない限り括弧（ ）内の数字にて例示化合物（Ｘ）と示す。

前記（II）−１又は（II）−２で表される化合物の合成は、既知の方法を参照して行うことができる。例えば、例示化合物（１）は、下記スキームに従って合成することができる。

前記スキーム中、化合物（１−Ａ）から化合物（１−Ｄ）までの合成は、“Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｙ”（１９９７）；２７（９）；ｐ．５１５−５２６．に記載の方法を参照して行うことができる。
さらに、前記スキームに示したように、化合物（１−Ｅ）のテトラヒドロフラン溶液に、メタンスルホン酸クロライドを加え、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを滴下し攪拌した後、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンを加え、化合物（１−Ｄ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下し、その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）のテトラヒドロフラン溶液を滴下することで、例示化合物（１）を得ることができる。

また、特開２００４−５０５１６号公報の１１〜１４頁に記載の棒状芳香族化合物を、前記レタデーション発現剤として用いてもよい。
また、レタデーション発現剤として、一種の化合物を単独で、又は二種類以上の化合物を混合して用いることができる。レタデーション発現剤として互いに異なる二種類以上の化合物を用いると、レタデーションの調整範囲が広がり、容易に所望の範囲に調整できるので好ましい。

前記レタデーション発現剤としては、下記一般式（III）で表される化合物の少なくとも一種を含有していてもよい。
一般式（III）：Ａｒ^１−Ｌ^１２−Ｘ−Ｌ^１３−Ａｒ^２

上記一般式（III）において、Ａｒ^１及びＡｒ^２はそれぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌ^１２及びＬ^１３はそれぞれ独立に、−Ｏ−ＣＯ−又はＣＯ−Ｏ−基より選ばれる二価の連結基であり、Ｘは、１，４−シクロへキシレン基、ビニレン基又はエチニレン基である。
本明細書において、芳香族基は、アリール基（芳香族性炭化水素基）、置換アリール基、芳香族性ヘテロ環基及び置換芳香族性ヘテロ環基を含む。
アリール基及び置換アリール基の方が、芳香族性ヘテロ環基及び置換芳香族性ヘテロ環基よりも好ましい。芳香族性へテロ環基のヘテロ環は、一般には不飽和である。芳香族性ヘテロ環は、５員環、６員環又は７員環であることが好ましく、５員環又は６員環であることがさらに好ましい。芳香族性へテロ環は一般に最多の二重結合を有する。ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子が好ましく、窒素原子又は硫黄原子がさらに好ましい。
芳香族基の芳香族環としては、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリミジン環及びピラジン環が好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。

置換アリール基及び置換芳香族性ヘテロ環基の置換基の例には、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ヒドロキシル基、カルボキシル基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミノ基（例、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基）、ニトロ基、スルホ基、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基（例、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ−エチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基）、スルファモイル基、アルキルスルファモイル基（例、Ｎ−メチルスルファモイル基、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基）、ウレイド基、アルキルウレイド基（例、Ｎ−メチルウレイド基、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド基、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルウレイド基）、アルキル基（例、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、イソプロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−アミル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基）、アルケニル基（例、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基）、アルキニル基（例、エチニル基、ブチニル基）、アシル基（例、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ヘキサノイル基、ラウリル基）、アシルオキシ基（例、アセトキシ基、ブチリルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウリルオキシ基）、アルコキシ基（例、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基）、アリールオキシ基（例、フェノキシ基）、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基）、アリールオキシカルボニル基（例、フェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニルアミノ基（例、ブトキシカルボニルアミノ基、ヘキシルオキシカルボニルアミノ基）、アルキルチオ基（例、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基）、アリールチオ基（例、フェニルチオ基）、アルキルスルホニル基（例、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基、ブチルスルホニル基、ペンチルスルホニル基、ヘプチルスルホニル基、オクチルスルホニル基）、アミド基（例、アセトアミド基、ブチルアミド基、ヘキシルアミド基、ラウリルアミド基）及び非芳香族性複素環基（例、モルホリル基、ピラジニル基）が含まれる。

置換アリール基及び置換芳香族性ヘテロ環基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキル置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基及びアルキル基が好ましい。
アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基のアルキル部分とアルキル基とは、さらに置換基を有していてもよい。アルキル部分及びアルキル基の置換基の例には、ハロゲン原子、ヒドロキシル、カルボキシル、シアノ、アミノ、アルキルアミノ基、ニトロ、スルホ、カルバモイル、アルキルカルバモイル基、スルファモイル、アルキルスルファモイル基、ウレイド、アルキルウレイド基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルスルホニル基、アミド基及び非芳香族性複素環基が含まれる。アルキル部分及びアルキル基の置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル、アミノ、アルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシ基が好ましい。

以下に、一般式（III）で表される化合物の具体例を示すが、前記レタデーション発現剤の例は以下の具体例に限定されるものではない。

具体例（１）〜（３４）、（４１）、（４２）は、シクロヘキサン環の１位と４位とに二つの不斉炭素原子を有する。ただし、具体例（１）、（４）〜（３４）、（４１）、（４２）は、対称なメソ型の分子構造を有するため光学異性体（光学活性）はなく、幾何異性体（トランス型とシス型）のみ存在する。具体例（１）のトランス型（１−ｔｒａｎｓ）とシス型（１−ｃｉｓ）とを、以下に示す。

前述したように、棒状化合物は直線的な分子構造を有することが好ましい。そのため、トランス型の方がシス型よりも好ましい。
具体例（２）及び（３）は、幾何異性体に加えて光学異性体（合計４種の異性体）を有する。幾何異性体については、同様にトランス型の方がシス型よりも好ましい。光学異性体については、特に優劣はなく、Ｄ、Ｌあるいはラセミ体のいずれでもよい。
具体例（４３）〜（４５）では、中心のビニレン結合にトランス型とシス型とがある。上記と同様の理由で、トランス型の方がシス型よりも好ましい。

前記レタデーション発現剤としては下記一般式（Ｖ）で表される化合物も好ましい。
式（Ｖ）

一般式（Ｖ）中、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１３はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ^１、Ｌ^２はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ^１はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、Ａｒ^２はアリール基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ^２、Ａｒ^１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ^１１、Ｒ^１３は互いに異なっており、Ｒ^１３で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（Ｖ）中、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。

一般式（Ｖ）におけるＲ^２として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４、より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基であり、最も好ましくは水素原子である。

一般式（Ｖ）におけるＲ^４として好ましくは、水素原子又は電子供与性基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、更に好ましくは、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６、特に好ましくは炭素数１〜４）であり、特に好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、最も好ましくは水素原子、メトキシ基である。

一般式（Ｖ）におけるＲ^５として好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、水酸基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４より好ましくはメチル基である。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくは炭素数１〜６特に好ましくは炭素数１〜４）である。特に好ましくは水素原子、メチル基、メトキシ基である。最も好ましくは水素原子である。

一般式（Ｖ）におけるＲ^１１、Ｒ^１３はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１３は互いに異なっており、Ｒ^１３で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。ここでヘテロ原子とは水素原子、炭素原子以外の原子のことを表し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン、ケイ素、ハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、ホウ素などが挙げられる。
Ｒ^１１、Ｒ^１３で表されるアルキル基としては、直鎖、分岐、又は環状であって、置換もしくは無置換のアルキル基を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数３〜３０の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、炭素数５〜３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基（つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基。）、更に環構造が多いトリシクロ構造などが挙げられる。

Ｒ^１１、Ｒ^１３で表されるアルキル基の好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、１，１，３−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、２−ヘキシルデシル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、２−ヘキセニル基、オレイル基、リノレイル基、リノレニル基等を挙げることができる。また、シクロアルキル基としては、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル、ビシクロアルキル基としては、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イルなどを挙げることができる。

Ｒ^１１として更に好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくはメチル基である。
Ｒ^１３として特に好ましくは、炭素原子２個以上を含むアルキル基であり、より好ましくは炭素原子３個以上を含むアルキル基である。分岐又は環状構造をもったものは特に好ましく用いられる。

以下にＲ^１３で表されるアルキル基の具体例（Ｏ−１〜Ｏ−２０）を挙げて説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。尚、下記具体例中、「＃」は酸素原子側を意味する。

一般式（Ｖ）におけるＡｒ^１はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、繰り返し単位中のＡｒ^１は、すべて同一であっても異なっていてもよい。また、Ａｒ^２はアリール基又は芳香族へテロ環を表す。
一般式（Ｖ）中、Ａｒ^１で表されるアリーレン基として好ましくは炭素数６〜３０のアリーレン基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ^１で表されるアリーレン基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニレン基、ｐ−メチルフェニレン基、ナフチレン基などが挙げられる。
一般式（Ｖ）中、Ａｒ^２で表されるアリール基として好ましくは炭素数６〜３０のアリール基であり、単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。また、可能な場合には置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ａｒ^２で表されるアリール基としてより好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。

一般式（Ｖ）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２で表される芳香族ヘテロ環は、酸素原子、窒素原子又は硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環であることができ、好ましくは５〜６員環の酸素原子、窒素原子又は硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。また、可能な場合にはさらに置換基を有してもよい。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。

一般式（Ｖ）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２で表される芳香族ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン、ピロロトリアゾール、ピラゾロトリアゾールなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましいものは、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾールである。

一般式（Ｖ）中、Ｌ^１、Ｌ^２はそれぞれ独立に単結合、又は２価の連結基を表す。Ｌ^１、Ｌ^２は、同じであってもよく異なっていてもよい。また、繰り返し単位中のＬ^２は、すべて同一であっても異なっていてもよい。
前記二価の連結基として好ましいものは、−Ｏ−、−ＮＲ―（Ｒは水素原子又は置換基を有してもよいアルキル基又はアリール基をあらわす）、−ＣＯ−、−ＳＯ_２−、−Ｓ−、アルキレン基、置換アルキレン基、アルケニレン基、置換アルケニレン基、アルキニレン基及びこれらの二価の基を２つ以上組み合わせて得られる基であり、その内より好ましいものは−Ｏ−、−ＮＲ−、−ＣＯ−、−ＳＯ_２ＮＲ−、−ＮＲＳＯ_２−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、及びＯＣＯ−、アルキニレン基である。Ｒは好ましくは水素原子を表す。

本発明における一般式（Ｖ）で表される化合物において、Ａｒ^１はＬ^１及びＬ^２と結合するが、Ａｒ^１がフェニレン基である場合、Ｌ^１−Ａｒ^１−Ｌ^２、及びＬ^２−Ａｒ^１−Ｌ^２は互いにパラ位（１，４−位）の関係にあることが特に好ましい。

一般式（Ｖ）中、ｎは３以上の整数を表し、好ましくは３〜７であり、より好ましくは３〜６であり、さらに好ましくは３〜５である。

前記一般式（Ｖ）で表される化合物としては、下記一般式（Ｖ）−１及び（Ｖ）−２で表される化合物を特に好ましく用いることができる。

式（Ｖ）−１

一般式（Ｖ）−１中、Ｒ^２、Ｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１３は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ^１、Ｌ^２は、それぞれ独立に、単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ^１はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、Ａｒ^２はアリール基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ^２、Ａｒ^１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ^１１、Ｒ^１３は互いに異なっており、Ｒ^１３で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（Ｖ）−１中、Ｒ^２、Ｒ^５、Ｒ^１１、Ｒ^１３は一般式（Ｖ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。また、Ｌ^１、Ｌ^２、Ａｒ^１、Ａｒ^２についても一般式（Ｖ）におけるそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。

式（Ｖ）−２

一般式（Ｖ）−２中、Ｒ^２、Ｒ^５はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１３、Ｒ^１４はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ^１、Ｌ^２はそれぞれ独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ^１はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、Ａｒ^２はアリール基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ^２、Ａｒ^１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ^１１、Ｒ^１３は互いに異なっており、Ｒ^１３で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（Ｖ）−２中、Ｒ^２、Ｒ^５、Ｒ^１１、Ｒ^１３は一般式（Ｖ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。また、Ｌ^１、Ｌ^２、Ａｒ^１、Ａｒ^２は一般式（Ｖ）におけるそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。
一般式（Ｖ）−２において、Ｒ^１４は水素原子又はアルキル基を表し、アルキル基としてはＲ^１１、Ｒ^１３の好ましい例として示したアルキル基が好ましく用いられる。前記Ｒ^１４として好ましくは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基であり、さらに好ましくはメチル基である。Ｒ^１１とＲ^１４とは同一であってもよいし異なっていてもよいが、ともにメチル基であることが特に好ましい。

また、前記一般式（Ｖ）−２で表される化合物としては、一般式（Ｖ）−２−Ａもしくは一般式（Ｖ）−２−Ｂで表される化合物も好ましい。

式（Ｖ）−２−Ａ

一般式（Ｖ）−２−Ａ中、Ｒ^２、Ｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１３は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ^１、Ｌ^２は、それぞれ独立に、単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ^１はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ^２、Ａｒ^１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ^１１、Ｒ^１３は互いに異なっており、Ｒ^１３で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（Ｖ）−２−Ａ中、Ｒ^２、Ｒ^５、Ｒ^１１、Ｒ^１３、Ｌ^１、Ｌ^２、Ａｒ^１、ｎは一般式（Ｖ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

式（Ｖ）−２−Ｂ

一般式（Ｖ）−２−Ｂ中、Ｒ^２、Ｒ^５は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１３、Ｒ^１４は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ^１、Ｌ^２は、それぞれ独立に、単結合又は二価の連結基を表す。Ａｒ^１はアリーレン基又は芳香族へテロ環を表し、ｎは３以上の整数を表し、ｎ種存在するＬ^１、Ａｒ^１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。ただしＲ^１１、Ｒ^１３は互いに異なっており、Ｒ^１３で表されるアルキル基はへテロ原子を含まない。

一般式（Ｖ）−２−Ｂ中、Ｒ^２、Ｒ^５、Ｒ^１１、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｌ^１、Ｌ^２、Ａｒ^１、ｎは一般式（Ｖ）及び（Ｖ）−２におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。

以下に前述の置換基Ｔについて説明する。
置換基Ｔとして好ましくはハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル基）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５〜３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルケニル基、例えば、ビニル基、アリル基）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３〜３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換又は無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５〜３０の置換又は無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリール基、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換又は無置換の、芳香族又は非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜３０の５又は６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）、

シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−メトキシエトキシ基）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−ニトロフェノキシ基、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ基）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３〜２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ基）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ基、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ基）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｎ−オクチルカルボニルオキシ基）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ基、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ基）、

アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアニリノ基、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アニリノ基、Ｎ−メチル−アニリノ基、ジフェニルアミノ基）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ラウロイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ基、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ基）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ基、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ基、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ基）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ基、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ基）、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ基、ブチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ基）、メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、ｍ−メトキシフェニルチオ基）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２〜３０の置換又は無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ基、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ基）、

スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０の置換又は無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル基、Ｎ−アセチルスルファモイル基、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル基、Ｎ−（Ｎ’フェニルカルバモイル）スルファモイル基）、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルフィニル基、６〜３０の置換又は無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ｐ−メチルフェニルスルフィニル基）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のアルキルスルホニル基、６〜３０の置換又は無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニル基）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２〜３０の置換又は無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールカルボニル基、例えば、アセチル基、ピバロイルベンゾイル基）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７〜３０の置換又は無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル基、ｏ−クロロフェノキシカルボニル基、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜３０の置換又は無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル基、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル基）、アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６〜３０の置換又は無置換のアリールアゾ基、炭素数３〜３０の置換又は無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ基、ｐ−クロロフェニルアゾ基、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ基）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、メチルフェノキシホスフィノ基）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル基、ジオクチルオキシホスフィニル基、ジエトキシホスフィニル基）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ基、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ基）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２〜３０の置換又は無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ基、ジメチルアミノホスフィニルアミノ基）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜３０の置換又は無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、フェニルジメチルシリル基）を表わす。

上記の置換基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられ、具体例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル基、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル基、アセチルアミノスルホニル基、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。

また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（Ｖ）−２−Ａで表される化合物として好ましいものは、Ｒ^１１がいずれもメチル基であり、Ｒ^２、Ｒ^５がいずれも水素原子であり、Ｒ^１３が炭素原子３個以上をもつアルキル基であり、Ｌ^１が、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ−、−ＳＯ_２ＮＲ−、−ＮＲＳＯ_２−、−ＣＯＮＲ−、−ＮＲＣＯ−、−ＣＯＯ−、及びＯＣＯ−、アルキニレン基
（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、Ｌ^２が−Ｏ−又はＮＲ−（Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アリール基を表す。好ましくは水素原子である。）であり、Ａｒ^１がアリーレン基であり、ｎが３〜６であるものを挙げることができる。

以下に一般式（Ｖ）−２−Ａ及び（Ｖ）−２−Ｂで表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。

一般式（Ｖ）で表される化合物はまず置換安息香酸を合成した後に、この置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体との一般的なエステル反応もしくはアミド化反応によって合成でき、エステル結合、アミド結合形成反応であればどのような反応を用いてもよい。例えば、置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法、縮合剤あるいは触媒を用いて置換安息香酸とフェノール誘導体もしくはアニリン誘導体を脱水縮合する方法などが挙げられる。
一般式（Ｖ）で表される化合物の製造方法としては、製造プロセス等を考慮すると置換安息香酸を酸ハロゲン化物に官能基変換した後、フェノール誘導体もしくはアニリン誘導体と縮合する方法が好ましい。

一般式（Ｖ）で表される化合物の製造方法においては、反応溶媒として、炭化水素系溶媒（好ましくはトルエン、キシレンが挙げられる。）、エーテル系溶媒（好ましくはジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどが挙げられる）、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。これらの溶媒は単独でも数種を混合して用いてもよく、前記溶媒として好ましくはトルエン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドである。

反応温度としては、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは０〜１００℃、更に好ましくは０〜９０℃であり、特に好ましくは２０℃〜９０℃である。
また、本反応には塩基を用いないのが好ましい。塩基を用いる場合には有機塩基、無機塩基のどちらでもよく、好ましくは有機塩基であり、ピリジン、３級アルキルアミン（好ましくはトリエチルアミン、エチルジイソプルピルアミンなどが挙げられる）である。

一般式（Ｖ）−２−Ａ及び（Ｖ）−２−Ｂで表される化合物は、公知の方法で合成することができ、例えば、ｎ＝４である化合物の場合、下記構造体Ａを有する原料化合物と水酸基、アミノ基等の反応性部位を有する誘導体との反応により得られた下記中間体Ｂ ２分子を、下記化合物Ｃ １分子により連結することによって得ることができる。ただし、一般式（Ｖ）−２−Ａ及び（Ｖ）−２−Ｂで表される化合物の合成法はこの例に限定されない。

式中、Ａは水酸基、ハロゲン原子等の反応性基を表し、Ｒ^１１、Ｒ^２、Ｒ^１３、及びＲ^５は先に記載した通りであり、Ｒ^４は水素原子もしくは前述のＯＲ^１４で表される置換基である。

式中、Ａ’はカルボキシル基等の反応性基を表し、Ｒ^１１、Ｒ^２、Ｒ^１３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ａｒ^１、及びＬ^１は先に記載した通りである。

式中、Ｂ及びＢ’は水酸基、アミノ基等の反応性基を表し、Ａｒ^２及びＬ^２は先に記載したＡｒ^１、Ｌ^１と同義である。

前記一般式（Ｖ）、(Ｖ)−１、（Ｖ）−２で表される化合物の一種を単独で用いてもよいし、２種類以上混合して用いることができる。

本発明に有用なベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の具体例として、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−（３”，４”，５”，６”−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール、オクチル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートと２−エチルヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートの混合物等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、市販品として、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１０９、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）１７１、チヌビン（ＴＩＮＵＶＩＮ）３２６（何れもチバ・スペシャルティ・ケミカルズ（株）製）を好ましく使用できる。

［可塑剤］
前記光学異方性層には、トリフェニルホスフェート、ビフェニルホスフェート等の可塑剤を添加してもよい。

一般的に、大画面表示装置において、斜め方向のコントラストの低下及び色味付きが顕著となるので、本実施形態の光学異方性層を含む光学フィルム（光学補償シートとも言う）は、特に大画面液晶表示装置に用いるのに適している。大画面用液晶表示装置用の光学フィルムとして用いる場合は、例えば、フィルム幅を１４７０ｍｍ以上として成形するのが好ましい。また、本発明の光学フィルムには、液晶表示装置にそのまま組み込むことが可能な大きさに切断されたフィルム片の態様のフィルムのみならず、連続生産により、長尺状に作製され、ロール状に巻き上げられた態様のフィルムも含まれる。後者の態様の光学フィルムは、その状態で保管・搬送等され、実際に液晶表示装置に組み込む際や偏光子等と貼り合わされる際に、所望の大きさに切断されて用いられる。また、同様に長尺状に作製されたポリビニルアルコールフィルム等からなる偏光子等と、長尺状のまま貼り合わされた後に、実際に液晶表示装置に組み込む際に、所望の大きさに切断されて用いられる。ロール状に巻き上げられた光学フィルムの一態様としては、ロール長が２５００ｍ以上のロール状に巻き上げられた態様が挙げられる。

［偏光板］
また、本実施形態は、偏光子と、該偏光子の片面に本発明の光学フィルムを有する偏光板にも関する。本実施形態における光学フィルムと同様、本発明の偏光板の態様は、液晶表示装置にそのまま組み込むことが可能な大きさに切断されたフィルム片の態様の偏光板のみならず、連続生産により、長尺状に作製され、ロール状に巻き上げられた態様（例えば、ロール長２５００ｍ又は３９００ｍ以上）の偏光板も含まれる。大画面液晶表示装置用とするためには、上記した通り、偏光板の幅は１４７０ｍｍ以上であることが好ましい。

図８、図９に本実施形態の液晶表示装置の一例の概略模式図を示した。ＶＡモード液晶表示装置は、液晶セルＬＣ（上側基板１、下側基板３、および液晶層５、からなる）と、液晶セルＬＣを挟持して配置される一対の上側偏光板Ｐ１及び下側偏光板Ｐ２とを有する。なお、偏光膜は、双方の表面に保護フィルムを有する偏光板として液晶表示装置に組み込まれるのが一般的であるが、図８、図９では、図面の簡略化のため偏光膜の外側保護フィルムは省略した。偏光板Ｐ１及びＰ２は、それぞれ偏光膜８ａ及び８ｂを有し、その吸収軸９ａ及び９ｂを互いに直交方向にして配置されている。液晶セルＬＣはＶＡモードの液晶セルであり、黒表示時には、液晶層５はホメオトロピック配向となる。上側基板１と下側基板３は、それぞれ内面に、配向膜（図示せず）と電極層（図示せず）を有し、さらに観察者側の基板１の内面には、カラーフィルタ層(図示せず)を有する。

上側基板１と上側偏光膜８ａとの間、及び下側基板３と下側偏光膜８ｂとの間には、前述した本実施形態の光学異方性層１０ａ及び１０ｂがそれぞれ配置されている。

実施形態２−１における図８の光学異方性層１０ｂのＲｅ（５５０）とＲｔｈ（５５０）は、下記式（A）と(B)を満足し、光学異方性層１０ｂは、その面内遅相軸１１ｂを、下側偏光膜８ｂの吸収軸９ｂと直交にして配置される。即ち、光学異方性層１０ｂはそれぞれの遅相軸を直交にして配置される。
（Ａ） ４０ｎｍ ≦Ｒｅ（５５０）≦ ２７５ｎｍ
（Ｂ） ０ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５５０）≦ ２７５ｎｍ
また光学異方性層１０ａは、面内レタデーションが実質的に０nmであり、厚み方向のＲｔｈが０〜３５０nmであることが好ましい。ここで１０ａと１０ｂの位置を入れ替えても何ら問題はない。

実施形態２−２における図９の光学異方性層１０ａと１０ｂは（C）と（D）をそれぞれ満足し、光学異方性層１０ａ、１０ｂは、その面内遅相軸１１ａ、１１ｂを、上側偏光膜８ａ及び下側偏光膜８ｂの吸収軸９ａ、９ｂと直交にして配置される。即ち、光学異方性層１０ａ及び１０ｂは、それぞれの遅相軸を直交にして配置される。
（Ｃ） ３０ｎｍ ≦Ｒｅ（５５０）≦ ８０ｎｍ
（Ｄ） ７５ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５５０）≦ １５５ｎｍ

本実施形態では、Ｒｅ（５５０）は３０〜８０ｎｍであるのが好ましく、４０〜７０ｎｍであるのがさらに好ましく；及び位相差膜のＲｔｈ（５５０）は、７０〜１５５ｎｍであるのが好ましく、８０〜１３０ｎｍであるのがさらに好ましい。

本実施形態の液晶表示装置は、ＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置であるため、これにより、前記位相差（Ｒｅ、Ｒｔｈで斜め視野での光学補償が効果的となる。ＶＡモードの中でも、一画素を複数の領域に分割するマルチドメインと呼ばれる構造にすると上下左右の視野角特性が平均化され、表示品質が向上するので好ましい（上記実施形態１−１，１−２についても同様）。

本実施形態の液晶表示装置は、駆動方法により、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）のような３端子又は２端子反導体素子を用いたアクティブマトリックス液晶表示装置と、時分割駆動と呼ばれるＳＴＮ型に代表されるパッシブマトリックス液晶表示装置に適用した態様があり、本発明はいずれにおいても有効である（上記実施形態１−１，１−２についても同様）。

本実施形態における光学フィルムは、位相差の入射角依存性が小さく、入射角０°の１００μｍあたりの位相差Ｒ０と入射角４０°の１００μｍあたりの位相差Ｒ４０との差（Ｒ４０−Ｒ０）が、好ましくは２０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下である。
本実施形態の光学フィルムの膜厚は、１μｍ以上５００μｍ未満が好ましく、より好ましくは１０μｍ以上３００μｍ未満である。膜厚が１μｍよりも薄い光学フィルムは、強度に乏しいため好ましくないし、延伸を行う場合に破断等が起こりやすい。

本実施形態における光学フィルムの製造方法は、特に限定されないが、例えば、ラクトン環含有重合体と、その他の熱可塑樹脂やその他の添加剤などを、従来公知の混合方法にて混合し、予め熱可塑性樹脂組成物としてから、光学フィルムを製造する事ができる。この熱可塑性樹脂組成物の製造方法は、例えば、オムニミキサー等の混合機でプレブレンドした後、得られた混合物を押出混練する方法を採用することができる。この場合、押出混練に用いる混練機は、特に限定されるものではなく、例えば、単軸押出機、二軸押出機等の押出機や加圧ニーダー等、従来公知の混練機を用いることができる。

フィルム成形の方法としては、溶液キャスト法（溶液流延法）、溶融押出法、カレンダー法、圧縮成形法など、公知のフィルム成形方法が挙げられる。これらの中でも、溶液キャスト法（溶液流延法）、溶融押出法が好ましい。この際、前述のように予め押出し混練した熱可塑性樹脂組成物を用いてもよいし、ラクトン環含有重合体と、その他の熱可塑樹脂やその他の添加剤などを、別々に溶液に溶解して均一な混合液とした後、溶液キャスト法（溶液流延法）や溶融押出法のフィルム成形工程に供してもよい。

溶液キャスト法（溶液流延法）に用いられる溶媒としては、例えば、クロロホルム、ジクロロメタンなどの塩素系溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼン、およびこれらの混合溶媒などの芳香族系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、２−ブタノールなどのアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルフォキシド、ジオキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、酢酸エチル、ジエチルエーテル；などが挙げられる。これら溶媒は１種のみ用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

溶液キャスト法（溶液流延法）を行うための装置としては、例えば、ドラム式キャスティングマシン、バンド式キャスティングマシン、スピンコーターなどが挙げられる。

溶融押出法としては、Ｔダイ法、インフレーション法などが挙げられ、その際の、フィルムの成形温度は、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３００℃である。上記Ｔダイ法でフィルム成形する場合は、公知の単軸押出し機や２軸押出し機の先端部にＴダイを取り付け、フィルム状に押出したフィルムを巻取りロール状のフィルムを得る事ができる。この際、巻取りロールの温度を適宜調整して、押出し方向に延伸を加えることで、一軸延伸工程とする事も可能である。また、押出し方向と垂直な方向にフィルムを延伸する工程を加える事で、逐次二軸延伸、同時二軸延伸などの工程を加えることも可能である。

本実施形態における光学フィルムは、レタデーション発現のため延伸することが好ましい。その場合は、一軸延伸フィルムでもよいし、２軸延伸フィルムでもよい。２軸延伸フィルムとする場合は、同時２軸延伸したものでもよいし、逐次２軸延伸したものでもよい。２軸延伸した場合は、機械強度が向上しフィルム性能が向上する。本発明の光学フィルムは、その他の熱可塑性樹脂を混合する事により、延伸しても位相差の増大を抑制する事ができ、光学等方性を保つ事ができる。
また、本実施形態におけるラクトン環含有重合体を含む光学異方性層は、少なくとも１方向に延伸されたものであるのが、好ましく、これにより、位相差を付与することができる。ここで、延伸時の延伸倍率は１．３〜５倍（延伸倍率３０％〜４００％に相当）であることが好ましく、これにより、特に所望の位相差を得ることができる。

［液晶表示装置］
本実施形態における光学補償シート及び偏光板は、種々のモードの液晶表示装置に用いることができる。また、透過型、反射型、及び半透過型のいずれの液晶表示装置にも用いることができる。

以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。

図３に、本発明の実施形態１-１及び１-２における液晶表示装置の実施例の構成概略図を示す。図３のＶＡ（: Vertical Alignment, 垂直配向）型液晶表示装置は、少なくとも一方に電極を有し対向配置された一対の基板１０５・１０７と、該一対の基板の内側に液晶性分子を含有する液晶層１０６から成る液晶セルを有し、該液晶層を挟んで配置された偏光膜１０２・１１０と該偏光膜の少なくとも一方の面に設けられた保護膜１０１・１１１とを有する一対の偏光板とを有する。また、該液晶層と該一対の偏光板の少なくとも一方との間に、光学異方性層１０４・１０８を有していてもよい。液晶層１０６内の液晶分子は、電圧無印加時、即ち黒表示時に、基板面に対して垂直配向する。電圧を印加していくと、液晶分子は傾斜していき、透過率が上昇していく。

図４は、図３の概略断面図を示し、以下に説明する実施例及び比較例の層構成はこれに準じる。なお、図４及び後に説明する図５〜図７においては、上側偏光板外側保護膜１０１の上に表面層（表面ＦＩＬＭ）を図示したが、これは、本発明におけるフィルム積層体の一実施形態を示すものであって、表面層（表面ＦＩＬＭ）を設けなくても良く、実際、実施例及び比較例においては、このような表面層（表面ＦＩＬＭ）を設けていない。干渉式膜厚計で測定したところ、上側・下側偏光板外側保護膜(部材１０１，１１１に相当)の厚みは８０μｍ、上側・下側偏光板偏光膜(部材１０２，１１０に相当)の厚みは２５μｍ、支持体（部材１０３，１０９に相当）の厚みは８０μｍ、上側・下側光学異方性層(部材１０４，１０８に相当)の厚みは８０μｍであった。

＜実施例及び比較例における各層について＞
（１）上側・下側偏光板外側保護膜としてのラクトンフィルム（環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルム）(後述する実施例１−１〜１−４及び比較例１−６〜１−８で使用)
国際公開ＷＯ２００６／０２５４４５Ａ１の［０２３０］〜［０２３２］に記載された合成方法に従い、ラクトン環含有重合体のペレットを得た。次いで、このペレットを、２０ｍｍφのスクリューを有する二軸押出し機を用いて、幅２００ｍｍのコートハンガータイプＴダイから溶融押出し、上側・下側偏光板外側保護膜としてのラクトンフィルム（厚み８０μｍ）を作製した。

（２）支持体としてのラクトンフィルム（後述する実施例１−２，１−３，１−５〜１−８、比較例１−２，１−３，１−５〜１−８、実施例２−１〜２−３及び実施例３−１〜３−３で使用）
上記した上側・下側偏光板外側保護膜としてのラクトンフィルムの製造方法と同様の方法で、支持体としてのラクトンフィルム（厚み８０μｍ）を作製した。

（３）上側・下側偏光板外側保護膜としてのＴＡＣフィルム（後述する実施例１−１〜１−３、比較例１−１〜１−３、１−５〜１−８、実施例２−１〜２−３、比較例２−１〜２−３、実施例３−１〜３−３及び比較例３−１〜３−３で使用）
フジタックＴＤ８０ＵＬ（富士フイルム株式会社製）（厚み８０μｍ）を使用した。

（４）支持体としてのＴＡＣフィルム（後述する実施例１−１〜１−４、１−６、比較例１−１〜１−４、１−６、１−７、実施例２−１、２−２、比較例２−１〜２−３、実施例３−１、実施例３−２及び比較例３−１〜３−３で使用）
フジタックＴＤ８０ＵＬ（富士フイルム株式会社製）（厚み８０μｍ）を使用した。

（５）光学異方性層としてのＴＡＣフィルム（後述する実施例１−１〜１−８、及び、比較例１−１〜１−８）
特開２００１−２４９２２３号公報の［００３９］〜［００４３］に準じて作製したセルロースアセテートフィルム（厚み８０μｍ）を使用した。

（６）光学異方性層としての塗布層（後述する実施例２−１〜２−３、及び、比較例２−１〜２−３）
特開平６−２１４１１６号公報の［００８５］〔実施例２〕に準じて作製される液晶溶液（ＳＥ−１）の光照射による硬化層を塗布層として使用した。

（７）光学異方性層としてのポリイミド層（後述する実施例２−１〜２−３、及び、比較例２−１〜２−３）
特開２００５−２０８６７６号公報の［００８７］（実施例１）に準じて作製されるポリイミド層を使用した。

＜光学補償シートの製造方法＞
実施例１−１〜１−８及び比較例１−１〜１−８において、光学補償シートは、支持体に、光学異方性層用のフィルムを、ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、貼り付けることによって得た。
実施例２−１〜２−３において、支持体としてのラクトンフィルムに光学異方性層としての塗布層が設けられた光学補償シートは、特開平６−２１４１１６号公報の［００８５］〔実施例２〕の支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルムを、上記のように作製した支持体としてのラクトンフィルムに置き換えることにより得た。
比較例２−１〜２−３において、支持体としてのＴＡＣフィルムに光学異方性層としての塗布層が設けられた光学補償シートは、特開平６−２１４１１６号公報の［００８５］〔実施例２〕の支持体であるポリエチレンテレフタレートフィルムを、上記の支持体としてのＴＡＣフィルムに置き換えることにより得た。
実施例３−１〜３−３において、支持体としてのラクトンフィルムに光学異方性層としてのポリイミド層が設けられた光学補償シートは、特開２００５−２０８６７６号公報の［００８７］（実施例１）の支持体であるＴＡＣフィルムを上記のように作製した支持体としてのラクトンフィルムに置き換えることにより得た。
比較例３−１〜３−３において、支持体としてのＴＡＣフィルムに光学異方性層としてのポリイミド層が設けられた光学補償シートは、特開２００５−２０８６７６号公報の［００８７］（実施例１）の支持体であるＴＡＣフィルム（ＵＺ−ＴＡＣ；富士フイルム株式会社製）を、上記の支持体としてのＴＡＣフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＬ；富士フイルム株式会社製）に置き換えることにより得た。

＜偏光板の製造方法＞
上記のように作製した偏光板外側保護膜、及び、光学補償シートの支持体側の面をそれぞれアルカリ鹸化処理した。また、実施例２−１，２−２及び比較例２−１，２−２（図６参照）及び実施例３−１，３−２及び比較例３−１，３−２（図７参照）で使用される“光学異方層が設けられない支持体（以下、単に支持体という）”に関しては、その支持体をアルカリ鹸化処理した。
より具体的には、これらの保護膜／光学補償シート／支持体を１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に５５℃で２分間浸漬し、室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。次いで、再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。
一方、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して厚さ２０μｍの偏光膜を得た。
ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、アルカリ鹸化処理した偏光板外側保護膜と、アルカリ鹸化処理した光学補償シートあるいは支持体とを、これらの鹸化した面が偏光膜側となるようにして偏光膜を間に挟んで貼り合わせ、偏光板をそれぞれ作製した。

＜光学特性評価＞
後述する実施例２−１〜２−３、比較例２−１〜２−３、実施例３−１〜３−３及び比較例３−１〜３−３において、Ｒｅ及びＲｔｈの値は、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ、新王子計測器（株）製）の位相差測定の標準モードで測定した。Ｒｔｈは平均屈折率を１．４８として算出した。
作製した光学補償シート（支持体１０３、１０９に光学異方性層１０４、１０８が設けられたもの）の両端から２５ｍｍを除く部分を幅方向で１０ｍｍ間隔、長手方向に１０００ｍｍを１０ｍｍ間隔でＲｅ、Ｒｔｈを測定し、平均値を算出した。その結果、実施例２−１〜２−３で用いた上記光学補償シートにおける支持体のＲｅは３ｎｍ、Ｒｔｈは５２ｎｍであった。また、実施例３−１〜３−３で用いた上記光学補償シートにおける支持体のＲｅは３ｎｍ、Ｒｔｈは５２ｎｍであった。一方、比較例２−１〜２−３で用いた上記光学補償シートにおける支持体のＲｅは３ｎｍ、Ｒｔｈは５２ｎｍであった。また、比較例３−１〜３−３で用いた上記光学補償シートにおける支持体のＲｅは３ｎｍ、Ｒｔｈは５２ｎｍであった。

＜表示特性の評価＞
作製した液晶表示装置について、測定機（EZ-Contrast160D, ELDIM社製）を用いて、黒表示と白表示で全方位視野角の輝度を測定した。正面コントラスト（正面ＣＲ）は、液晶表示装置の垂直方向の白輝度を黒輝度で割った値とした。なお、表１−１には、各実施例及び各比較例における黒輝度の値も表示した。

＜表示性能の湿度依存性＞
作製した液晶表示装置を、２５℃６０％ＲＨの雰囲気下に７２時間放置後、上記測定機を使用して黒輝度を測定した。
次いで、２５℃１０％ＲＨの雰囲気下に７２時間放置後、上記測定機を使用して黒輝度を測定した。

２５℃６０％ＲＨの雰囲気下の測定における黒輝度を基準とした、２５℃１０％ＲＨの雰囲気下の測定における黒輝度の変化率を算出することによって、表示性能の湿度変化を評価した。

より具体的には、表示性能の湿度変化は、以下の式で算出される変化率を求め、下記基準に従い、評価した。
「変化率（％）」＝（「２５℃１０％ＲＨの雰囲気に７２時間放置された液晶表示装置の黒輝度」／「２５℃６０％ＲＨの雰囲気に７２時間放置された液晶表示装置の黒輝度」−１）×１００

☆： １０％未満
◎： １０％以上２０％未満
○： ２０％以上２５％未満
△： ２５％以上３０％未満
×： ３０％以上

［実施例１−１〜１−８］
図５に、液晶セルから見て最も光源側にラクトンフィルムを使用した液晶表示装置の層構成を示す。光学異方性層には、すべて上記のＴＡＣフィルムを使用する。
ＶＡモードの液晶ＴＶ（ＬＣ３０−ＡＤ１、シャープ（株）製）のパネルの表裏の偏光板（光学補償シートを含む）を剥がし、作製した偏光板を、視認側には偏光板の透過軸が画面の鉛直方向となるように、光源側には偏光板の透過軸が画面の水平方向になるように、貼り付けた。
［比較例１−１〜１−８］
図５に、偏光板の光源側にＴＡＣフィルムを使用した液晶表示装置の層構成を示す。光学異方性層には、すべてＴＡＣを使用する。実施例１と同様に、偏光板をＶＡ液晶パネルに貼り付けた。

［実施例２−１〜２−３］
図６に、表示面側及び光源側の少なくとも一方側に、ラクトンフィルム上に光学異方性層として塗布層を設けたフィルムを使用した液晶表示装置の層構成を示す。実施例１と同様に、偏光板をＶＡ液晶パネルに貼り付けた。
［比較例２−１〜２−３］
図６に、表示面側及び光源側の少なくとも一方側に、ＴＡＣフィルム上に光学異方性層として塗布層を設けたフィルムを使用した液晶表示装置の層構成を示す。実施例１と同様に、偏光板をＶＡ液晶パネルに貼り付けた。

［実施例２−１〜２−３］
図７に、表示面側及び光源側の少なくとも一方側に、ラクトンフィルム上に光学異方性層としてポリイミドを含む層を設けたフィルムを使用した液晶表示装置の層構成を示す。実施例１と同様に、偏光板をＶＡ液晶パネルに貼り付けた。
［比較例２−１〜２−３］
図７に、表示面側及び光源側の少なくとも一方側に、ＴＡＣフィルム上に光学異方性層としてポリイミドを含む層を設けたフィルムを使用した液晶表示装置の層構成を示す。実施例１と同様に、偏光板をＶＡ液晶パネルに貼り付けた。

以上の結果を表１−１に示す。
ラクトンフィルムを、液晶セルの光源側の偏光板に、より多く、使用した液晶表示装置では、正面コントラストがより高く、２５℃１０％ＲＨの雰囲気下と２５℃６０％ＲＨの雰囲気下での表示性能差が小さく、比較例のフィルムを使用した場合より優れていることがわかる。なお、表１−１中、光源側における“外側”、“内側”及び“光学異方性層”は、それぞれ、図４及び図５の部材１１１、部材１０９及び部材１０８に対応し、表示面における“外側”、“内側”及び“光学異方性層”は、部材１０１、部材１０３及び部材１０４に対応する。また、表中、“−”に対応する部材は設けられていないことを意味する。

次に、本発明の実施形態２−１及び２−２に対応する実施例を説明する。

［ラクトン環含有重合体］
国際公開ＷＯ２００６／０２５４４５Ａ１の［０２３０］〜［０２３２］に記載された合成方法に従い、ラクトン環含有重合体を得た。

［実施例１０１〜１０９の光学補償フィルムの作製］
表２−１に記載の割合になるように各成分を混合してラクトン溶液を調製した。表２−１のトリフェニルホスフェート、ビフェニルホスフェート、レタデーション発現剤の値は上記ラクトン環含有重合体を１００質量部としたときの値(単位は質量部)である。またこれらには溶媒として、それぞれメチレンクロライド４３０質量部、メタノール６４質量部を混合している。これらの調製されたラクトン溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後、１２０℃の条件下、ＴＤ方向に表２−１記載の延伸率で延伸したのち乾燥して、表２−１記載の各膜厚とRe(550)/Rth(550)である光学異方性層としての光学補償フィルム１０１〜１０９を作製した。表２−１記載のレタデーション発現剤はそれぞれ以下の構造式で表される物質であり、表２−２も同様である。

［比較例 ２０１〜２０８の光学補償フィルムの作製］
表２−２に記載の割合になるように各成分を混合してラクトン溶液を調製した。表２−２のトリフェニルホスフェート、ビフェニルホスフェート、レタデーション発現剤の値は上記ラクトン環含有重合体を１００質量部としたときの値(単位は質量部)である。またこれらには溶媒として、それぞれメチレンクロライド４３０質量部、メタノール６４質量部を混合している。これらの調製されたラクトン溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後、１２０℃の条件下、ＴＤ方向に表２−２記載の延伸率で延伸したのち乾燥して、表２−２記載の各膜厚とRe(550)Rth(550)である光学異方性層としての光学補償フィルム２０１〜２０８を作製した。

［比較例 ２０９〜２１０の光学補償フィルムの作製］
表２−２に記載の割合になるように各成分を混合してセルロースアシレート溶液を調製した。表２−２のトリフェニルホスフェート、ビフェニルホスフェート、レタデーション発現剤の値はセルロースアシレートを１００質量部としたときの値(単位は質量部)である。またこれらには溶媒として、それぞれメチレンクロライド４３０質量部、メタノール６４質量部を混合している。これらの調製されたセルロースアシレート溶液を、バンド流延機を用いて流延し、得られたウェブをバンドから剥離し、その後、１２０℃の条件下、ＴＤ方向に表２記載の延伸率で延伸したのち乾燥して、表２−２記載の各膜厚とRe(550)Rth(550)である光学異方性層としての光学補償フィルム２０９〜２１０を作製した。

［実施例の偏光板１０１〜１０９、及び、比較例の偏光板２０１〜２１０の作製］
支持体としての上記で作製した各光学補償フィルムをアルカリ鹸化処理した。より具体的には、これらの光学補償フィルムを１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に５５℃で２分間浸漬し、室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。次いで、再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。
一方、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して厚さ２０μｍの偏光膜を得た。
ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、前記のアルカリ鹸化処理した各光学補償フィルムと、上記と同様のアルカリ鹸化処理したフジタックＴＤ８０ＵＬ（富士フイルム社製）を用意し、これらの鹸化した面が偏光膜側となるようにして偏光膜を間に挟んで貼り合わせ、各フィルムとＴＤ８０ＵＬが偏光膜の保護フィルムとなっている偏光板１０１〜１０９、および２０１〜２１０をそれぞれ作製した。

［本発明のＬＣＤ１０１〜１０９、及び、比較例のＬＣＤ２０１〜２１０の作製］
作製した各偏光板を２枚用いて、市販のＶＡ型液晶ＴＶ（ＬＣ４２ＲＸ１Ｗ シャープ（株)製）の表裏の偏光板および光学異方性層を剥がし、作製した各偏光板を保護フィルムが外側になるように液晶セルに貼り付け、ＶＡ型液晶表示装置１０１〜１０９、及び、２０１〜２１０をそれぞれ作製した。偏光板を配置する際は、視認側の偏光板の吸収軸が画面の水平方向に、バックライト側の偏光板の吸収軸が画面の鉛直方向になるように貼り付けた。

［黒表示性能、及び、黒表示性能の湿度依存性（黒表示性能変動）］
（黒表示性能） 作製したＶＡ型液晶表示装置を、２５℃６０％ＲＨの雰囲気下に７２時間放置後（表２−３の“初期性能”に相当）、黒表示にし、正面と斜め方向（極角60度、方位角0〜360度（5度おき））の表示性能をBM-5A（Topcon社製）で測定し、正面と斜めの黒色味変化Δu’v’が最大になる角度と、斜め方向の輝度を算出し、判断基準として、市販品同等以下（黒色味変化(Δu’v’)：0.06以下、斜め方向の黒輝度漏れ3[cd/m^２]以下）であるとき許容できるとし、どちらか一方が満たされない場合を許容できないとした。
ここで、黒色味変化Δu’v’は以下式に基づいて算出される。

Δu’v’=√((u’斜め-u’正面)^２＋(v’斜め-v’正面)^２)
ここで、「u’正面（斜め）」及び「v’正面（斜め）」は、それぞれ、正面（斜め）方向での色味（ＣＩＥ１９７６u’v’色度図）を示す。

○：黒色味変化、黒輝度漏れともに許容できる
×：黒色味変化もしくは黒輝度漏れが許容できない

（黒表示性能変動）
次いで、ＶＡ型液晶表示装置を、２５℃１０％ＲＨの雰囲気下に７２時間放置後（表２−３の“変動後”に相当）、黒表示性能を確認し、湿度によって表示性能が変動していないかを上記同様の判断基準を元に確認した。
○：黒色味変化、黒輝度漏れの変動が許容できる
×：黒色味変化もしくは黒輝度漏れの変動が許容できない

これらの結果を表２−３に示す。この結果から、本発明のラクトンフィルムを、光学補償フィルムとして用いた液晶表示装置では、黒表示性能がよく、湿度によらず安定した性能であり、比較例のフィルムを使用した場合より優れていることがわかる。

本発明の実施形態１−１及び１−２における光学補償シートの一例の断面外略図である。 本発明の実施形態１−１及び１−２における偏光板の一例の断面外略図である。 実施例及び比較例の液晶表示装置の断面外略図である。 実施例及び比較例の液晶表示装置の断面外略図である。 実施例１−１〜１−８及び比較例１−１〜１−８の液晶表示装置の断面外略図である。 実施例２−１〜２−３及び比較例２−１〜２−３の液晶表示装置の断面外略図である。 実施例３−１〜３−３及び比較例３−１〜３−３の液晶表示装置の断面外略図である。 本発明の実施形態２−１に係る液晶表示装置の概略模式図である。 本発明の実施形態２−２に係る液晶表示装置の概略模式図である。

符号の説明

１ 液晶セル上側基板
３ 液晶セル下側基板
５ 液晶層（液晶分子）
８ａ、８ｂ 偏光膜
９ａ、９ｂ 偏光膜吸収軸
１０ａ、１０ｂ 光学異方性層
１１ａ、１１ｂ 光学異方性層遅相軸
１０ 光学補償シート
１２ 熱可塑性樹脂フィルム
１４ 光学異方性層
１６ 偏光膜
１８ 保護フィルム
２０ 偏光板
１０１ 上側偏光板外側保護膜
１０２ 上側偏光板偏光膜
１０３ 支持体
１０４ 上側光学異方性層
１０５ 液晶セル上側基板
１０６ 液晶層
１０７ 液晶セル下側基板
１０８ 下側光学異方性層
１０９ 支持体
１１０ 下側偏光板偏光膜
１１１ 下側偏光板外側保護膜

Claims (12)

1. 光源と、
   一対の基板と該基板に挟持された液晶層とを有する液晶セルと、
   ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムと
   を少なくとも有し、
   該フィルムが、該液晶セルの該光源に近い側に配置されているＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
2. ラクトン環含有重合体を含有する熱可塑性樹脂組成物を含むフィルムを少なくとも有し、該フィルムの面内レタデーション（Re）及び厚さ方向レタデーション（Rth）がそれぞれ10nm以下であり、該フィルム上に光学異方性層を有することを特徴とするＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
3. 前記光学異方性層は、前記フィルムに、液状化されたポリマーを塗布することにより形成される、請求項２に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
4. 前記光学異方性層はポリイミドを含む、請求項２に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
5. 液晶セルと、
   該液晶セルの外側に配置された２枚の偏光板と、
   該液晶セルと該偏光板の間のどちらか一方に配置される光学異方性層とを有し、
   該光学異方性層がラクトン環含有重合体を含み、該光学異方性層における面内レタデーションＲｅと厚み方向のレタデーションＲｔｈが下記式（Ａ）、（Ｂ）を満たすＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
   （Ａ） ４０ｎｍ ≦Ｒｅ（５５０）≦ ２７５ｎｍ
   （Ｂ） ０ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５５０）≦ ２７５ｎｍ
   〔式中、Ｒｅ（５５０）、Ｒｔｈ（５５０）は、波長５５０（ｎｍ）における面内、及び、厚み方向のレタデーション（ｎｍ）を表す〕
6. 液晶セルと、
   該液晶セルの外側に配置された２枚の偏光板と、
   該液晶セルと該偏光板の間の両方に配置される光学異方性層とを有し、
   該光学異方性層がラクトン環含有重合体を含み、該光学異方性層における面内レタデーションＲｅと厚み方向のレタデーションＲｔｈが下記式（Ｃ）、（Ｄ）を満たすＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
   （Ｃ） ３０ｎｍ ≦Ｒｅ（５５０）≦ ８０ｎｍ
   （Ｄ） ７５ｎｍ ≦Ｒｔｈ（５５０）≦ １５５ｎｍ
7. 前記ラクトン環含有重合体を含む光学異方性層が、レタデーション発現剤を少なくとも１種含む請求項５または６に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
8. 前記レタデーション発現剤が下記一般式（Ｉ）で表される化合物である請求項７に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
   式(Ｉ)
   

   

   （式中、Ｘ^１は、単結合、−ＮＲ^４−、−Ｏ−又はＳ−であり；Ｘ^２は、単結合、−ＮＲ^５−、−Ｏ−又はＳ−であり；Ｘ^３は、単結合、−ＮＲ^６−、−Ｏ−又はＳ−である。また、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、芳香族環基又は複素環基であり、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環基を表す。)
9. 前記レタデーション発現剤が下記一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする請求項７に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
   式(II)
   

   

   （式中、Ｌ^１及びＬ^２は各々独立に単結合又は二価の連結基を表す。Ａ^１及びＡ^２は各々独立に、−Ｏ−、−ＮＲ−（Ｒは水素原子又は置換基を表す。）、−Ｓ−及び−ＣＯ−からなる群から選ばれる基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は各々独立に置換基を表す。Ｘは６族、５族又は４族原子を表す。ｎは０から２までの整数を表す。）
10. 前記レタデーション発現剤が下記一般式（III）で表される化合物である請求項７に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
    式(III) Ａｒ^１−Ｌ^２−Ｘ−Ｌ^３−Ａｒ^２
    （式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌ^２及びＬ^３は、それぞれ独立に、−Ｏ−ＣＯ−又はＣＯ−Ｏ−基より選ばれる二価の連結基であり、Ｘは、１，４−シクロへキシレン基、ビニレン基又はエチニレン基である。)
11. 前記ラクトン環重合体を含有する光学異方性層が、少なくとも１方向に延伸されたものである請求項５〜１０に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。
12. 前記延伸時の延伸倍率が１.３〜５倍である請求項１１に記載のＶＡ（垂直配向）型液晶表示装置。

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