JP2018186163A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】デブリによる光デバイスの品質低下の問題、改質層を形成して外力を付与して個々のデバイスに分割した場合に表面から裏面に向かって垂直な側壁を形成できないという問題、シールドトンネルを連続的に形成した場合に前に形成されたシールドトンネルによって次のレーザー光線が散乱して発光層を損傷させるという問題が解消されたウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板に対して透過性を有するレーザー光線の集光点をウエーハ２の裏面２ｂから分割予定ラインに対応する領域に位置づけて照射し、シールドトンネル１４を所定の間隔をもって形成する工程と、基板に対して透過性を有するレーザー光線ＬＢ２の集光点をウエーハの裏面から分割予定ラインの内部に位置づけて照射し、シールドトンネルによって形成された所定の間隔に改質層２４を形成する工程と、外力を付与しウエーハを個々の光デバイスに分割する工程を備える。
【選択図】図５

Description

本発明は、サファイア基板の表面に発光層が積層され分割予定ラインによって区画されて光デバイスが形成されたウエーハを個々の光デバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
サファイア基板の表面に発光層（Ｅｐｉ層）が積層され分割予定ラインによって区画されて光デバイス（ＬＥＤ）が形成されたウエーハは、個々の光デバイスに分割され、照明機器、パソコン、携帯電話等の電気機器に利用される。サファイアはモース硬度が高いため、サファイア基板においては、切削ブレードによる切断が困難であることからレーザー加工装置を用いて分割の起点が形成される。
レーザー加工装置は、サファイアに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに照射してアブレーション加工を施しウエーハを個々のデバイスに分割するタイプ（たとえば特許文献１参照。）と、サファイアに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射して改質層を連続的に形成しウエーハを個々のデバイスに分割するタイプ（たとえば特許文献２参照。）と、開口数（ＮＡ）を単結晶基板の屈折率（ｎ）で除した値が０．０５以上０．２以下となる集光レンズを用いてサファイアに対して透過性を有する波長のレーザー光線を集光して集光点を分割予定ラインに対応する所定の位置に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し細孔と細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを連続的に形成してウエーハを個々のデバイスに分割するタイプ（たとえば特許文献３参照。）と、が存在する。
特開平１０−３０５４２０号公報 特許第３４０８８０５号公報 特開２０１４−２２１４８３号公報
しかし、アブレーション加工を施すタイプによるとデブリが飛散して光デバイスの品質を低下させるという問題がある。また、改質層を連続的に形成して外力を付与してウエーハを個々の光デバイスに分割すると分割予定ラインに沿って直線的に分割できるもののサファイアの結晶方位に起因して表面から裏面に向かって斜めに分割され垂直な側壁を形成できないという問題がある。更に、シールドトンネルを連続的に形成して外力を付与しウエーハを個々のデバイスに分割するとウエーハを垂直に分割することができるものの、前に形成されたシールドトンネルによって次のレーザー光線が散乱してウエーハの表面に形成された発光層を損傷させるという問題がある。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、デブリが飛散して光デバイスの品質を低下させるという問題がないと共に、改質層を連続的に形成して外力を付与してウエーハを個々の光デバイスに分割した場合に表面から裏面に向かって斜めに分割され垂直な側壁を形成できないという問題、および、シールドトンネルを連続的に形成した場合に前に形成されたシールドトンネルによって次のレーザー光線が散乱して表面に形成された発光層を損傷させるという問題が解消されたウエーハの加工方法を提供することである。
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のウエーハの加工方法である。すなわち、サファイア基板の表面に発光層が積層され分割予定ラインによって区画されて光デバイスが形成されたウエーハを個々の光デバイスに分割するウエーハの加工方法であって、サファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、細孔と細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを所定の間隔をもって分割予定ラインに形成するシールドトンネル形成工程と、サファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面から分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、シールドトンネルによって形成された所定の間隔に改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハに外力を付与しウエーハを個々の光デバイスに分割する分割工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法である。
本発明が提供するウエーハの加工方法は、サファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、細孔と細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを所定の間隔をもって分割予定ラインに形成するシールドトンネル形成工程と、サファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面から分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、シールドトンネルによって形成された所定の間隔に改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハに外力を付与しウエーハを個々の光デバイスに分割する分割工程と、から少なくとも構成されているので、シールドトンネルによってウエーハの裏面から表面に至る垂直な分割起点が形成されると共に、シールドトンネルとシールドトンネルとの間に形成された改質層によって分割予定ラインに沿った分割起点が形成されることから、ウエーハを個々の光デバイスに分割すると、分割された光デバイスの側面は、表面から裏面に至る垂直な面になると共に分割予定ラインに沿った面になる。したがって、本発明のウエーハの加工方法においては、アブレーション加工を行わないためデブリが飛散して光デバイスの品質を低下させるという問題がないと共に、改質層を連続的に形成して外力を付与してウエーハを個々の光デバイスに分割した場合に表面から裏面に向かって斜めに分割され垂直な側壁を形成できないという問題、および、シールドトンネルを連続的に形成した場合に前に形成されたシールドトンネルによって次のレーザー光線が散乱してウエーハの表面に形成された発光層を損傷させるという問題が解消する。
ウエーハの表面側の斜視図（ａ）及びウエーハの裏面側の斜視図（ｂ）。 シールドトンネル形成工程が実施されている状態を示す斜視図。 シールドトンネルが形成されたウエーハの断面図（ａ）及びシールドトンネルの斜視図（ｂ）。 改質層形成工程が実施されている状態を示す斜視図。 改質層が形成されたウエーハの断面図。 粘着テープを介して環状フレームに装着されたウエーハの斜視図。 分割工程が実施されている状態を示す断面図（ａ）、部分拡大断面図（ｂ）及びウエーハが分割された状態を示す断面図（ｃ）。 ウエーハが分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割された状態を示す斜視図。
以下、本発明のウエーハの加工方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１に示すとおり、厚みが５００μｍ程度の円盤状のサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板から形成されているウエーハ２の表面２ａ（サファイア基板の表面）には、厚さ１０μｍ程度の発光層（図示していない。）が積層され格子状の分割予定ライン４によって区画されて複数の矩形状の光デバイス（ＬＥＤ）６が形成されている。ウエーハ２の周縁には結晶方位を示すオリエンテーションフラット８が形成されており、格子状の分割予定ライン４は、オリエンテーションフラット８と平行な複数の第一の分割予定ライン４ａと、オリエンテーションフラット８と直交する複数の第二の分割予定ライン４ｂとから構成されている。なお、図１（ｂ）には、光デバイス６が形成されていないウエーハ２の裏面２ｂ側が示されている。
図示の実施形態では、まず、サファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハ２の裏面２ｂから分割予定ライン４に対応する領域に位置づけてレーザー光線をウエーハ２に照射し、細孔と細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを所定の間隔をもって分割予定ライン４に形成するシールドトンネル形成工程を実施する。シールドトンネル形成工程は、たとえば図２にその一部を示す第一のレーザー加工装置１０を用いて実施することができる。第一のレーザー加工装置１０は、被加工物を保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線ＬＢ１を照射する集光器１２と、チャックテーブルに保持された被加工物を撮像する撮像手段（図示していない。）とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブルは、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、Ｘ方向移動手段によってＸ方向に進退され、Ｙ方向移動手段によってＹ方向に進退される（いずれも図示していない。）。集光器１２は、第一のレーザー加工装置１０のパルスレーザー光線発振器（図示していない。）が発振したパルスレーザー光線ＬＢ１を集光して被加工物に照射するための集光レンズ（図示していない。）を含む。集光器１２の集光レンズの開口数（ＮＡ）は、開口数（ＮＡ）を被加工物の屈折率ｎで除した値が０．０５以上０．２以下に設定されている。図示の実施形態では、屈折率ｎが１．７であるサファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板からウエーハ２が形成されているので、集光器１２の集光レンズの開口数（ＮＡ）は０．０８５以上０．３４以下に設定されている。撮像手段は、可視光線により被加工物を撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕らえる光学系と、光学系が捕らえた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含む（いずれも図示していない。）。なお、Ｘ方向は図２に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図２に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定する平面は実質上水平である。
図２を参照して説明を続けると、シールドトンネル形成工程では、まず、ウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、第一のレーザー加工装置１０のチャックテーブルの上面にウエーハ２を吸着させる。次いで、第一のレーザー加工装置１０の撮像手段（図示していない。）で上方からウエーハ２を撮像する。次いで、撮像手段で撮像したウエーハ２の画像に基づいて、第一のレーザー加工装置１０のＸ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段でチャックテーブルを移動及び回転させることにより、ウエーハ２の向きを所定の向きに調整すると共にウエーハ２と集光器１２とのＸＹ平面における位置を調整する。ウエーハ２の向きを調整する際は、図２に示すとおり、オリエンテーションフラット８をＸ方向に整合させることによって、第一の分割予定ライン４ａをＸ方向に整合させると共に、第二の分割予定ライン４ｂをＹ方向に整合させる。また、ウエーハ２と集光器１２とのＸＹ平面における位置を調整する際は、Ｘ方向に整合させた第一の分割予定ライン４ａの片端部の上方に集光器１２を位置づける。このとき、ウエーハ２の裏面２ｂが上を向き、分割予定ライン４が形成されているウエーハ２の表面２ａは下を向いているが、上述のとおり、撮像手段は、赤外線照射手段と、赤外線を捕らえる光学系と、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含むので、ウエーハ２の裏面２ｂから透かして表面２ａの分割予定ライン４を撮像することができ、したがって、第一の分割予定ライン４ａの片端部の上方に集光器１２を位置づけることができる。次いで、第一のレーザー加工装置１０の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器１２を光軸方向に移動させ、集光点をウエーハ２の裏面２ｂから第一の分割予定ライン４ａに対応する領域に位置づける。次いで、ウエーハ２と集光点とを相対的にＸ方向に移動させながら、サファイア基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢ１を集光器１２からウエーハ２に照射するシールドトンネル形成加工を施す。図示の実施形態ではシールドトンネル形成加工において、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブルを所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に加工送りしている。次いで、第一の分割予定ライン４ａの間隔の分だけウエーハ２と集光点とを相対的にＹ方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第一の分割予定ライン４ａの間隔の分だけ、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブルをＹ方向移動手段によってＹ方向にインデックス送りしている。そして、シールドトンネル形成加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ方向に整合させた第一の分割予定ライン４ａのすべてにシールドトンネル形成加工を施す。また、回転手段によってチャックテーブルを９０度回転させた上で、シールドトンネル形成加工と、第二の分割予定ライン４ｂの間隔分のインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、第二の分割予定ライン４ｂのすべてにもシールドトンネル形成加工を施す。このようなシールドトンネル形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。なお、下記デフォーカスは、ウエーハ２の裏面２ｂにパルスレーザー光線ＬＢ１の集光点を位置づけた状態からの集光器１２の移動量であり、数値の前に付した「−」は集光器１２を負の光軸方向（ウエーハ２に接近する方向）に移動させることを意味する。
パルスレーザー光線の波長 ：１０３０ｎｍ
パルス幅 ：１０ｐｓ
繰り返し周波数 ：１０ｋＨｚ
集光レンズの開口数（ＮＡ） ：０．２５
平均出力 ：０．２Ｗ
デフォーカス ：−４５μｍ
集光点の直径 ：φ５μｍ
加工送り速度 ：３００ｍｍ／ｓ
シールドトンネル形成工程を行うと、図３（ａ）に示すとおり、ウエーハ２の裏面２ｂから表面２ａに至るシールドトンネル１４を所定の間隔Ｌ１をもって分割予定ライン４に形成することができる。ウエーハ２に対して垂直に延びるシールドトンネル１４は、図３（ｂ）に示すとおり、直径φ１μｍ程度の細孔１６と、細孔１６を囲繞する直径φ５μｍ程度の非晶質１８とから構成されている。また、分割予定ライン４に沿って形成されるシールドトンネル１４の間隔Ｌ１については、たとえば上記加工条件では、チャックテーブルの加工送り速度Ｖ１が３００ｍｍ／ｓであり、パルスレーザー光線ＬＢ１の繰り返し周波数Ｆ１が１０ｋＨｚであるので、
Ｌ１＝Ｖ１／Ｆ１
＝３００ｍｍ／ｓ÷１０ｋＨｚ
＝３０μｍ
となる。したがって、隣接するシールドトンネル１４の間隔が充分とれるので、前に形成されたシールドトンネル１４によって次のパルスレーザー光線ＬＢ１が散乱して発光層を損傷させることがない。
シールドトンネル形成工程を実施した後、サファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハ２の裏面２ｂから分割予定ライン４の内部に位置づけてレーザー光線を照射し、シールドトンネル１４によって形成された所定の間隔に改質層を形成する改質層形成工程を実施する。改質層形成工程は、たとえば図４にその一部を示す第二のレーザー加工装置２０を用いて実施することができる。第二のレーザー加工装置２０は、被加工物を保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線ＬＢ２を照射する集光器２２と、チャックテーブルに保持された被加工物を撮像する撮像手段（図示していない。）とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブルは、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、Ｘ方向移動手段によってＸ方向に進退され、Ｙ方向移動手段によってＹ方向に進退される（いずれも図示していない。）。集光器２２は、第二のレーザー加工装置２０のパルスレーザー光線発振器（図示していない。）が発振したパルスレーザー光線ＬＢ２を集光して被加工物に照射するための集光レンズ（図示していない。）を含む。撮像手段は、可視光線により被加工物を撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕らえる光学系と、光学系が捕らえた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含む（いずれも図示していない。）。なお、Ｘ方向は図４に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図４に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定する平面は実質上水平である。
図４を参照して説明を続けると、改質層形成工程では、まず、ウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、第二のレーザー加工装置２０のチャックテーブルの上面にウエーハ２を吸着させる。次いで、第二のレーザー加工装置２０の撮像手段（図示していない。）で上方からウエーハ２を撮像する。次いで、撮像手段で撮像したウエーハ２の画像に基づいて、第二のレーザー加工装置２０のＸ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段でチャックテーブルを移動及び回転させることにより、ウエーハ２の向きを所定の向きに調整すると共にウエーハ２と集光器２２とのＸＹ平面における位置を調整する。ウエーハ２の向きを調整する際は、図４に示すとおり、オリエンテーションフラット８をＸ方向に整合させることによって、第一の分割予定ライン４ａをＸ方向に整合させると共に、第二の分割予定ライン４ｂをＹ方向に整合させる。また、ウエーハ２と集光器２２とのＸＹ平面における位置を調整する際は、Ｘ方向に整合させた第一の分割予定ライン４ａの片端部の上方に集光器２２を位置づける。このとき、ウエーハ２の裏面２ｂが上を向き、分割予定ライン４が形成されている表面２ａは下を向いているが、第一のレーザー加工装置１０の撮像手段と同様に、第二のレーザー加工装置２０の撮像手段においても、赤外線照射手段と、赤外線を捕らえる光学系と、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含むので、ウエーハ２の裏面２ｂから透かして表面２ａの分割予定ライン４を撮像することができ、したがって、第一の分割予定ライン４ａの片端部の上方に集光器２２を位置づけることができる。次いで、第二のレーザー加工装置２０の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器２２を光軸方向に移動させ、集光点をウエーハ２の裏面２ｂから第一の分割予定ライン４ａの内部に位置づける。次いで、ウエーハ２と集光点とを相対的にＸ方向に移動させながら、サファイア基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢ２を集光器２２からウエーハ２に照射する改質層形成加工を施す。図示の実施形態では改質層形成加工において、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブルを所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に加工送りしている。次いで、第一の分割予定ライン４ａの間隔の分だけウエーハ２と集光点とを相対的にＹ方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第一の分割予定ライン４ａの間隔の分だけ、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブルをＹ方向移動手段によってＹ方向にインデックス送りしている。そして、改質層形成加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ方向に整合させた第一の分割予定ライン４ａのすべてに改質層形成加工を施す。また、回転手段によってチャックテーブルを９０度回転させた上で、改質層形成加工と、第二の分割予定ライン４ｂの間隔分のインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、第二の分割予定ライン４ｂのすべてにも改質層形成加工を施す。このような改質層形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長 ：１０３０ｎｍ
パルス幅 ：１０ｐｓ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
集光レンズの開口数（ＮＡ） ：０．８
平均出力 ：０．５Ｗ
デフォーカス ：−２５０μｍ
集光点の直径 ：φ５μｍ
加工送り速度 ：１０００ｍｍ／ｓ
改質層形成工程を行うと、図５に示すとおり、シールドトンネル１４によって形成された所定の間隔Ｌ１に改質層２４を形成することができる。これによって、シールドトンネル１４及び改質層２４から構成される分割起点が分割予定ライン４に沿って形成される。分割予定ライン４に沿って形成される改質層２４の間隔Ｌ２については、たとえば上記加工条件では、チャックテーブルの加工送り速度Ｖ２が１０００ｍｍ／ｓであり、パルスレーザー光線ＬＢ２の繰り返し周波数Ｆ２が１００ｋＨｚであるので、
Ｌ２＝Ｖ２／Ｆ２
＝１０００ｍｍ／ｓ÷１００ｋＨｚ
＝１０μｍ
となり、間隔Ｌ１に３個の改質層２４が形成される。
改質層形成工程を実施した後、ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２を個々の光デバイス６に分割する分割工程を実施する。分割工程は、たとえば図６に示すとおり、ウエーハ２の表面２ａを上に向けて、周縁が環状フレーム２６に固定された粘着テープ２８にウエーハ２を貼り付けた上で、図７にその一部を示す分割装置３０を用いて実施することができる。分割装置３０は、上下方向に延びる円筒状の基台３２と、基台３２の上端側外周面に周方向に間隔をおいて付設された複数のクランプ３４と、基台３２の径方向内方において互いに平行に配置された複数の円柱状の支持棒３６と、複数の支持棒３６上に搭載された被加工物を押圧するための押圧部材３８とを備える。押圧部材３８は支持棒３６と平行に延びており、図７（ｂ）に示すとおり、下方に向かって次第に幅が狭くなる三角形状に形成されている。
図７を参照して説明を続けると、分割工程では、まず、粘着テープ２８側を上に向け、かつ支持棒３６間に第一の分割予定ライン４ａを位置づけて、基台３２の上面に環状フレーム２６を載せる。次いで、環状フレーム２６の外周縁部を複数のクランプ３４で固定する。次いで、図７（ｂ）に示すとおり、粘着テープ２８側から第一の分割予定ライン４ａに沿って押圧部材３８でウエーハ２を押圧する。そうすると、図７（ｃ）に示すとおり、第一の分割予定ライン４ａに沿って形成されたシールドトンネル１４及び改質層２４が分割の起点となって、第一の分割予定ライン４ａに沿ってウエーハ２が分割される。そして、第一の分割予定ライン４ａの間隔の分だけ押圧部材３８を移動させながら押圧部材３８による押圧を繰り返すことにより、すべての第一の分割予定ライン４ａに沿ってウエーハ２を分割する。次いで、クランプ３４による固定を解除し、環状フレーム２６を９０度回転させて支持棒３６間に第二の分割予定ライン４ｂを位置づけ、基台３２の上面に環状フレーム２６を載せ、環状フレーム２６の外周縁部を複数のクランプ３４で固定する。次いで、第二の分割予定ライン４ｂの間隔だけ押圧部材３８を移動させながら押圧部材３８による押圧を繰り返すことにより、すべての第二の分割予定ライン４ｂに沿ってウエーハ２を分割する。これによって、図８に示すとおり、ウエーハ２を個々の光デバイス６に分割することができる。分割工程によって分割予定ライン４を起点として分割された部分（分割ライン）を図８に符号４０で示す。
以上のとおり、図示の実施形態では、シールドトンネル形成工程及び改質層形成工程を実施することにより、シールドトンネル１４によってウエーハ２の裏面２ｂから表面２ａに至る垂直な分割起点が形成されると共に、シールドトンネル１４とシールドトンネル１４との間に形成された改質層２４によって分割予定ライン４に沿った分割起点が形成されることから、分割工程においてウエーハ２を個々の光デバイス６に分割すると、分割された光デバイス６の側面は、表面から裏面に至る垂直な面になると共に分割予定ライン４に沿った面になる。したがって、図示の実施形態においては、アブレーション加工を行わないためデブリが飛散して光デバイス６の品質を低下させるという問題がないと共に、改質層を連続的に形成して外力を付与してウエーハ２を個々の光デバイス６に分割した場合に表面から裏面に向かって斜めに分割され垂直な側壁を形成できないという問題、および、シールドトンネルを連続的に形成した場合に前に形成されたシールドトンネルによって次のレーザー光線が散乱してウエーハ２の表面２ａに形成された発光層を損傷させるという問題が解消する。
なお、図示の実施形態では、シールドトンネル形成工程を実施した後に改質層形成工程を実施する例を説明したが、改質層形成工程を実施した後にシールドトンネル形成工程を実施してもよい。また、図示の実施形態では、分割工程を実施する際に、環状フレーム２６に固定された粘着テープ２８にウエーハ２を貼り付ける例を説明したが、ウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、環状フレーム２６に固定された粘着テープ２８にウエーハ２を貼り付けた上で、シールドトンネル形成工程、改質層形成工程を実施してもよい。さらに、図示の実施形態では分割装置３０を用いて分割工程を実施する例を説明したが、分割工程は、ウエーハ２を貼り付けた粘着テープ２８を拡張してウエーハ２に放射状張力を作用させる拡張手段を用いて、シールドトンネル１４及び改質層２４が形成された分割予定ライン４に沿ってウエーハ２を個々の光デバイス６に分割してもよい。
２：ウエーハ
２ａ：ウエーハの表面
２ｂ：ウエーハの裏面
４：分割予定ライン
４ａ：第一の分割予定ライン
４ｂ：第二の分割予定ライン
６：光デバイス
１４：シールドトンネル
１６：細孔
１８：非晶質
２４：改質層

Claims (1)

  1. サファイア基板の表面に発光層が積層され分割予定ラインによって区画されて光デバイスが形成されたウエーハを個々の光デバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
    サファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、細孔と細孔を囲繞する非晶質とからなるシールドトンネルを所定の間隔をもって分割予定ラインに形成するシールドトンネル形成工程と、
    サファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面から分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、シールドトンネルによって形成された所定の間隔に改質層を形成する改質層形成工程と、
    ウエーハに外力を付与しウエーハを個々の光デバイスに分割する分割工程と、
    から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。
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