JP2017041604A - 光デバイスウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
しかるに、本発明者らの実験によると、サファイア基板からなる光デバイスウエーハにおいては、結晶方位を表すオリエンテーションフラットに平行な方向に形成された分割予定ラインとオリエンテーションフラットに直交する方向に形成された分割予定ラインに対して同じ加工条件でシールドトンネルを形成すると、オリエンテーションフラットに平行な方向に形成された分割予定ラインの方がオリエンテーションフラットに直交する方向に形成された分割予定ラインより割れにくいという問題があることが判った。
サファイア基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をサファイア基板の裏面側から内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成工程と、
該シールドトンネル形成工程が実施された光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割する分割工程と、を含み、
該シールドトンネル形成工程は、オリエンテーションフラットに平行な方向に形成された分割予定ラインに対して実施する際にはシールドトンネルの端部をサファイア基板の裏面に露出させないでシールドトンネルの端部からサファイア基板の裏面に至るクラックが生成されるようにパルスレーザー光線の集光点を内部に位置付けて実施する第1のシールドトンネル形成工程と、オリエンテーションフラットに直交する方向に形成された分割予定ラインに対して実施する際にはシールドトンネルの端部をサファイア基板の裏面に露出させるようにパルスレーザー光線の集光点をサファイア基板の内部に位置付けて実施する第2のシールドトンネル形成工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
波長 :1030nm
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :3W
スポット径 :10μm
加工送り速度 :500mm/秒
集光レンズの開口数 :0.25
なお、上記第2のシールドトンネル形成工程の加工条件は、上述した第1のシールドトンネル形成工程の加工条件と同一に設定されている。
20:サファイア基板
201:オリエンテーションフラット
21:発光層(エピ層)
221:第1の分割予定ライン
222:第2の分割予定ライン
23:光デバイス
25:シールドトンネル
26:クラック
3:環状のフレーム
4:ダイシングテープ
5:レーザー加工装置
51:レーザー加工装置のチャックテーブル
52:レーザー光線照射手段
522:集光器
6:分割装置
Claims (1)
- 結晶方位を表すオリエンテーションフラットが形成されたサファイア基板の表面に発光層が形成され格子状の複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
サファイア基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をサファイア基板の裏面側から内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを分割予定ラインに沿って形成するシールドトンネル形成工程と、
該シールドトンネル形成工程が実施された光デバイスウエーハに外力を付与し、光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割する分割工程と、を含み、
該シールドトンネル形成工程は、オリエンテーションフラットに平行な方向に形成された分割予定ラインに対して実施する際にはシールドトンネルの端部をサファイア基板の裏面に露出させないでシールドトンネルの端部からサファイア基板の裏面に至るクラックが生成されるようにパルスレーザー光線の集光点を内部に位置付けて実施する第1のシールドトンネル形成工程と、オリエンテーションフラットに直交する方向に形成された分割予定ラインに対して実施する際にはシールドトンネルの端部をサファイア基板の裏面に露出させるようにパルスレーザー光線の集光点をサファイア基板の内部に位置付けて実施する第2のシールドトンネル形成工程と、を含んでいる、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。
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