JP2015032794A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015032794A JP2015032794A JP2013163558A JP2013163558A JP2015032794A JP 2015032794 A JP2015032794 A JP 2015032794A JP 2013163558 A JP2013163558 A JP 2013163558A JP 2013163558 A JP2013163558 A JP 2013163558A JP 2015032794 A JP2015032794 A JP 2015032794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- single crystal
- light emitting
- crystal substrate
- shield tunnel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 112
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 106
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 18
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 10
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 33
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
- H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Dicing (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】パルスレーザー光線LBを集光する集光レンズ422aの開口数(NA)を単結晶基板20の屈折率(N)で除した値が0.05〜0.2の範囲で設定し、単結晶基板の裏面20b側からパルスレーザー光線の集光点Pを発光層21近傍に位置付けて照射することにより、発光層を除去する発光層除去工程を実施した後に、単結晶基板の裏面側からパルスレーザー光線の集光点を単結晶基板の表面20a近傍に位置付けて照射し、単結晶基板の表面から裏面に渡り細孔241と細孔をシールドする非晶質242とを成長させてシールドトンネル24を形成するシールドトンネル形成工程を実施する。
【選択図】図5
Description
また、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射すると、ウエーハの入射面近傍でアブレーション加工が施されてエネルギーがウエーハの内部まで浸透しないため、分割予定ラインに沿って複数回パルスレーザー光線を照射しなければならず生産性が悪いとともに、デブリが飛散して光デバイスの品質を低下させるという問題がある。
パルスレーザー光線を集光する集光レンズの開口数(NA)を単結晶基板の屈折率(N)で除した値が0.05〜0.2の範囲で集光レンズの開口数(NA)を設定する開口数設定工程と、
単結晶基板の裏面側からパルスレーザー光線の集光点を発光層近傍に位置付けて分割予定ラインに沿って照射することにより、分割予定ラインに沿って発光層を除去する発光層除去工程と、
該発光層除去工程が実施された光デバイスウエーハの単結晶基板の裏面側からパルスレーザー光線の集光点を単結晶基板の表面近傍に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、単結晶基板の表面から裏面に渡り細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程と、
該シールドトンネル形成工程が実施された光デバイスウエーハに外力を付与して個々の光デバイスに分割する分割工程と、を含み、
該発光層除去工程は、該シールドトンネル形成工程においてシールドトンネルを形成するパルスレーザー光線のエネルギーより小さいエネルギーで且つ集光スポットが重なるようにパルスレーザー光線を照射する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
波長 :1030nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :50kHz
1パルス当たりのエネルギー :2μJ〜6μJ
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :250mm/秒
なお、上記発光層除去工程において照射するパルスレーザー光線は、1パルス当たりのエネルギーを2μJ〜6μJに設定することが望ましい。この発光層除去工程において照射するパルスレーザー光線の1パルス当たりのエネルギーについては、後で詳細に説明する。
波長 :1030nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :50kHz
1パルス当たりのエネルギー :30μJ以上
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :500mm/秒
ここで、開口数(NA)と屈折率(N)と開口数(NA)を屈折率(N)で除した値(S=NA/N)との関係について、図6を参照して説明する。図6において集光レンズ422aに入光したパルスレーザー光線LBは光軸に対して角度(θ)をもって集光される。このとき、sinθが集光レンズ422aの開口数(NA)である(NA=sinθ)。集光レンズ422aによって集光されたパルスレーザー光線LBが単結晶基板からなる光デバイスウエーハ2に照射されると、光デバイスウエーハ2を構成する単結晶基板は空気より密度が高いのでパルスレーザー光線LBは角度(θ)から角度(α)に屈折し集光点Pに集光される。このとき、光軸に対する角度(α)は、光デバイスウエーハ2を構成する単結晶基板の屈折率(N)によって異なる。屈折率(N)は(N=sinθ/sinα)であるから、開口数(NA)を単結晶基板の屈折率(N)で除した値(S=NA/N)はsinαとなる。従って、sinαを0.05〜0.2の範囲(0.05≦sinα≦0.2)に設定することが重要である。
以下、集光レンズ422aの開口数(NA)を単結晶基板の屈折率(N)で除した値(S=NA/N)が0.05〜0.2の範囲に設定された理由について説明する。
厚みが1000μmのサファイア(Al2O3)基板(屈折率:1.7)を次の加工条件でシールドトンネルを形成し、シールドトンネルの良不良を判定した。
加工条件
波長 :1030nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :3W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :500mm/秒
集光レンズの開口数(NA) シールドトンネルの良不良 S=NA/N
0.05 なし
0.1 やや良好 0.058
0.15 良好 0.088
0.2 良好 0.117
0.25 良好 0.147
0.3 良好 0.176
0.35 やや良好 0.205
0.4 不良
0.45 不良:ボイドができる
0.5 不良:ボイドができる
0.55 不良:ボイドができる
0.6 不良:ボイドができる
以上のようにサファイア基板(屈折率:1.7)においては、パルスレーザー光線を集光する集光レンズ422aの開口数(NA)が、開口数(NA)を単結晶基板の屈折率(N)で除した値(S=NA/N)が0.05〜0.2の範囲に設定することにより、シールドトンネルが形成される。従って、サファイア基板(屈折率:1.7)においては、パルスレーザー光線を集光する集光レンズ422aの開口数(NA)は、0.1〜0.35に設定することが重要である。
厚みが1000μmの炭化珪素(SiC)基板(屈折率:2.63)を次の加工条件でシールドトンネルを形成し、シールドトンネルの良不良を判定した。
加工条件
波長 :1030nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :3W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :500mm/秒
集光レンズの開口数(NA) シールドトンネルの良不良 S=NA/N
0.05 なし
0.1 なし
0.15 やや良好 0.057
0.2 良好 0.076
0.25 良好 0.095
0.3 良好 0.114
0.35 良好 0.133
0.4 良好 0.153
0.45 良好 0.171
0.5 良好 0.19
0.55 やや良好 0.209
0.6 不良:ボイドができる
以上のように炭化珪素(SiC)基板(屈折率:2.63)においては、パルスレーザー光線を集光する集光レンズ422aの開口数(NA)を単結晶基板の屈折率(N)で除した値(S=NA/N)が0.05〜0.2の範囲に設定することにより、シールドトンネルが形成される。従って、炭化珪素(SiC)基板においては、パルスレーザー光線を集光する集光レンズ422aの開口数(NA)は、0.15〜0.55に設定することが重要である。
なお、シールドトンネルは集光点Pからレーザー光線が照射された側に形成されることから、パルスレーザー光線の集光点はパルスレーザー光線が入射される側と反対側の面に隣接する内側に位置付けられる必要がある。
厚みが1000μmのサファイア(Al2O3)基板、炭化珪素(SiC)基板に次の加工条件でパルスレーザー光線を照射し、パルスレーザー光線のエネルギー(μJ/1パルス)とシールドトンネルの長さ(μm)との関係を求めた。
加工条件
波長 :1030nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :500mm/秒
平均出力を0.05W(1μJ/1パルス)間隔でシールドトンネルが形成されるまで平均出力を上昇させ、シールドトンネルが形成された後は0.5W(10μJ/1パルス)間隔で10W(200μJ/1パルス)まで平均出力を上昇させ、シールドトンネルの長さ(μm)を計測した。
パルスエネルギー(μJ/1パルス) シールドトンネルの長さ(μm)
サファイア 炭化珪素
1 なし なし
2 なし なし
3 なし なし
4 なし なし
5 なし なし
6 なし なし
8 なし なし
9 なし なし
10 75 85
20 125 115
30 150 155
40 175 185
50 190 230
60 210 265
70 245 290
80 260 330
90 315 370
100 340 395
110 365 430
120 400 470
130 425 500
140 455 535
150 490 570
160 525 610
170 550 640
180 575 675
190 610 715
200 640 740
厚みが1000μmのサファイア基板を次の加工条件でパルスレーザー光線の波長を2940nm、1550nm、1030nm、515nm、343nm、257nm、151nmと下げていき、バンドギャップ8.0eV(波長換算:155nm)のサファイア基板にシールドトンネルが形成できるか否かを検証した。
加工条件
波長 :1030nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :3W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :500mm/秒
波長(nm) シールドトンネル良不良
2940 良好
1550 良好
1030 良好
515 良好
343 良好
257 不良
151 入射面でアブレーション不良
以上のようにサファイア基板においては、パルスレーザー光線の波長はバンドギャップ8.0eVに対応する波長(波長換算:155nm)の2倍以上に設定するとシールドトンネルが形成されることが確認できた。
厚みが1000μmの炭化珪素(SiC)基板を次の加工条件でパルスレーザー光線の波長を2940nm、1550nm、1030nm、515nm、257nmと下げていき、バンドギャップ2.9eV(波長換算:425nm)の炭化珪素(SiC)基板にシールドトンネルが形成できるか否かを検証した。
加工条件
波長 :1030nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :50kHz
パルス幅 :10ps
平均出力 :3W
集光スポット径 :φ10μm
加工送り速度 :500mm/秒
波長(nm) シールドトンネル良不良
2940 良好
1550 良好
1030 良好
515 入射面でアブレーション不良
257 入射面でアブレーション不良
以上のように炭化珪素(SiC)基板においては、パルスレーザー光線の波長はバンドギャップ2.9eVに対応する波長(波長換算:425nm)の2倍以上に設定するとシールドトンネルが形成されることが確認できた。
パルスレーザー光線の1パルス当たりのエネルギーが10μJ以上であれば上記実験2の結果からシールドトンネルを形成することができるが、光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割するにはシールドトンネルの長さが150μm以上必要であり、1パルス当たりのエネルギーが30μJ以上となる。
しかるに、上記発光層除去工程が実施されていない状態で、1パルス当たりのエネルギーが30μJ以上のパルスレーザー光線を光デバイスウエーハ2の単結晶基板であるサファイア基板20の裏面20b側から表面20a近傍に集光点を位置付けて分割予定ライン22に沿って照射すると、サファイア基板20の表面20aに積層された分割予定ライン22上の発光層21と分割予定ライン22に隣接する光デバイス23の発光層が連鎖的に破壊され、光デバイス23の品質を低下させる。
シールドトンネルを形成することができる1パルス当たりのエネルギーが10μJ、20μJのエネルギーを有するパルスレーザー光線を光デバイスウエーハ2の単結晶基板であるサファイア基板20の裏面20b側から表面20a近傍に集光点を位置付けて分割予定ライン22に沿って照射すると、分割予定ライン22上の発光層を破壊することができなかった。これは、パルスレーザー光線のエネルギーの殆どがシールドトンネルの形成に使用されたものと考えられる。
シールドトンネルを形成することができない1パルス当たりのエネルギーが1μJ〜9μJのエネルギーを有するパルスレーザー光線を光デバイスウエーハ2の単結晶基板であるサファイア基板20の裏面20b側から表面20a近傍に集光点を位置付けて分割予定ライン22に沿って照射すると、1パルス当たりのエネルギーが2μJ〜6μJの範囲において分割予定ライン22上の発光層のみを破壊することができた。
なお、1パルス当たりのエネルギーが7μJ〜9μJにおいては、分割予定ライン22上の発光層21と分割予定ライン22に隣接する光デバイス23の発光層が連鎖的に破壊された。
従って、発光層除去工程において照射するパルスレーザー光線の1パルス当たりのエネルギーは、2μJ〜6μJに設定されることが重要である。
21:発光層
22:分割予定ライン
23:光デバイス
24:シールドトンネル
3:環状のフレーム
30:ダイシングテープ
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
422:集光器
6:分割装置
Claims (2)
- 単結晶基板の表面に発光層が積層され格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って個々の光デバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
パルスレーザー光線を集光する集光レンズの開口数(NA)を単結晶基板の屈折率(N)で除した値が0.05〜0.2の範囲で集光レンズの開口数(NA)を設定する開口数設定工程と、
単結晶基板の裏面側からパルスレーザー光線の集光点を発光層近傍に位置付けて分割予定ラインに沿って照射することにより、分割予定ラインに沿って発光層を除去する発光層除去工程と、
該発光層除去工程が実施された光デバイスウエーハの単結晶基板の裏面側からパルスレーザー光線の集光点を単結晶基板の表面近傍に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、単結晶基板の表面から裏面に渡り細孔と該細孔をシールドする非晶質とを成長させてシールドトンネルを形成するシールドトンネル形成工程と、
該シールドトンネル形成工程が実施された光デバイスウエーハに外力を付与して個々の光デバイスに分割する分割工程と、を含み、
該発光層除去工程は、該シールドトンネル形成工程においてシールドトンネルを形成するパルスレーザー光線のエネルギーより小さいエネルギーで且つ集光スポットが重なるようにパルスレーザー光線を照射する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 該発光層除去工程において照射するパルスレーザー光線は1パルス当たりのエネルギーが2μJ〜6μJに設定され、該シールドトンネル形成工程において照射するパルスレーザー光線は1パルス当たりのエネルギーが30μJ以上に設定される、請求項1記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013163558A JP6121281B2 (ja) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | ウエーハの加工方法 |
TW103123609A TWI626761B (zh) | 2013-08-06 | 2014-07-09 | Optical device wafer processing method |
DE102014215392.1A DE102014215392A1 (de) | 2013-08-06 | 2014-08-05 | Optikbauelementwafer-Bearbeitungsverfahren |
CN201410381467.5A CN104339090B (zh) | 2013-08-06 | 2014-08-05 | 光器件晶片的加工方法 |
US14/453,131 US9537046B2 (en) | 2013-08-06 | 2014-08-06 | Optical device wafer processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013163558A JP6121281B2 (ja) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015032794A true JP2015032794A (ja) | 2015-02-16 |
JP6121281B2 JP6121281B2 (ja) | 2017-04-26 |
Family
ID=52389050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013163558A Active JP6121281B2 (ja) | 2013-08-06 | 2013-08-06 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9537046B2 (ja) |
JP (1) | JP6121281B2 (ja) |
CN (1) | CN104339090B (ja) |
DE (1) | DE102014215392A1 (ja) |
TW (1) | TWI626761B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016164924A (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-08 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
JP2016167552A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
KR20160121430A (ko) * | 2015-04-09 | 2016-10-19 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
JP2017041604A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
KR20170041141A (ko) * | 2015-10-06 | 2017-04-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 |
JP2017109226A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2017118096A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-06-29 | 株式会社ディスコ | 基板処理方法 |
JP2019033212A (ja) * | 2017-08-09 | 2019-02-28 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP2019513558A (ja) * | 2016-06-08 | 2019-05-30 | ハンズ レーザー テクノロジー インダストリー グループ カンパニー リミテッド | サファイアを切断するための方法及び装置 |
JP2020136511A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | 複数のチップを製造する方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6466692B2 (ja) * | 2014-11-05 | 2019-02-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6755705B2 (ja) * | 2016-05-09 | 2020-09-16 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
US11253955B2 (en) * | 2016-06-14 | 2022-02-22 | Evana Technologies, Uab | Multi-segment focusing lens and the laser processing for wafer dicing or cutting |
JP2018063407A (ja) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | 株式会社ディスコ | 貼り合わせ基板の加工方法 |
JP7032050B2 (ja) * | 2017-03-14 | 2022-03-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP7098284B2 (ja) * | 2017-07-06 | 2022-07-11 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置およびレーザー加工方法 |
JP2019125688A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | 株式会社ディスコ | 被加工物のレーザー加工方法 |
JP7345973B2 (ja) * | 2019-08-07 | 2023-09-19 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7341606B2 (ja) * | 2019-09-11 | 2023-09-11 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7383338B2 (ja) * | 2019-10-10 | 2023-11-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021064627A (ja) * | 2019-10-10 | 2021-04-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7387228B2 (ja) * | 2019-10-17 | 2023-11-28 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7301480B2 (ja) * | 2019-10-17 | 2023-07-03 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021077735A (ja) * | 2019-11-07 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2021077720A (ja) * | 2019-11-07 | 2021-05-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
US11683972B2 (en) * | 2020-01-29 | 2023-06-20 | Kyonggi University Industry & Academia Cooperation Foundation | Emitting device manufacturing method using laser shaving and manufacturing equipment for the same |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005109432A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-04-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2005209719A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工方法 |
JP2005288503A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Laser System:Kk | レーザ加工方法 |
JP2005288501A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hokkaido Univ | レーザ加工方法および装置 |
JP2007012878A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2007237221A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Hokkaido Univ | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
WO2008126742A1 (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Cyber Laser Inc. | レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法 |
JP2010082645A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Aisin Seiki Co Ltd | レーザスクライブ方法及びレーザスクライブ装置 |
JP2010272699A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハのレーザ加工方法 |
JP2013027929A (ja) * | 2012-09-27 | 2013-02-07 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP3542014B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2004-07-14 | セントラル硝子株式会社 | 単結晶または多結晶含有非晶質材料の作製方法及びその非晶質材料 |
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP2007134454A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4686625B2 (ja) * | 2009-08-03 | 2011-05-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2013503105A (ja) * | 2009-08-28 | 2013-01-31 | コーニング インコーポレイテッド | 化学強化ガラス基板からガラス品をレーザ割断するための方法 |
JP5886603B2 (ja) * | 2011-11-11 | 2016-03-16 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
KR20130081949A (ko) * | 2012-01-10 | 2013-07-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 다이싱 방법 및 이를 사용하는 발광 소자 칩의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-08-06 JP JP2013163558A patent/JP6121281B2/ja active Active
-
2014
- 2014-07-09 TW TW103123609A patent/TWI626761B/zh active
- 2014-08-05 DE DE102014215392.1A patent/DE102014215392A1/de active Pending
- 2014-08-05 CN CN201410381467.5A patent/CN104339090B/zh active Active
- 2014-08-06 US US14/453,131 patent/US9537046B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005109432A (ja) * | 2003-09-09 | 2005-04-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2005209719A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工方法 |
JP2005288503A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Laser System:Kk | レーザ加工方法 |
JP2005288501A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hokkaido Univ | レーザ加工方法および装置 |
JP2007012878A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2007237221A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Hokkaido Univ | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
WO2008126742A1 (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Cyber Laser Inc. | レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法 |
JP2010082645A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Aisin Seiki Co Ltd | レーザスクライブ方法及びレーザスクライブ装置 |
JP2010272699A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハのレーザ加工方法 |
JP2013027929A (ja) * | 2012-09-27 | 2013-02-07 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザー加工装置、被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016164924A (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-08 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
JP2016167552A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
KR20160121430A (ko) * | 2015-04-09 | 2016-10-19 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
JP2016198788A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
KR102399928B1 (ko) * | 2015-04-09 | 2022-05-18 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
TWI673127B (zh) * | 2015-04-09 | 2019-10-01 | 日商迪思科股份有限公司 | 雷射加工裝置 |
JP2017041604A (ja) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2017118096A (ja) * | 2015-09-10 | 2017-06-29 | 株式会社ディスコ | 基板処理方法 |
KR20170041141A (ko) * | 2015-10-06 | 2017-04-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 |
KR102486694B1 (ko) | 2015-10-06 | 2023-01-09 | 가부시기가이샤 디스코 | 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 |
JP2017109226A (ja) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US10981251B2 (en) | 2016-06-08 | 2021-04-20 | Han's Laser Technology Industry Group Co., Ltd | Method and device for cutting sapphire |
JP2019513558A (ja) * | 2016-06-08 | 2019-05-30 | ハンズ レーザー テクノロジー インダストリー グループ カンパニー リミテッド | サファイアを切断するための方法及び装置 |
JP2019033212A (ja) * | 2017-08-09 | 2019-02-28 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP2020136511A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 株式会社ディスコ | 複数のチップを製造する方法 |
JP7286238B2 (ja) | 2019-02-20 | 2023-06-05 | 株式会社ディスコ | 複数のチップを製造する方法 |
TWI812843B (zh) * | 2019-02-20 | 2023-08-21 | 日商迪思科股份有限公司 | 製造多個晶片的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102014215392A1 (de) | 2015-02-12 |
JP6121281B2 (ja) | 2017-04-26 |
CN104339090A (zh) | 2015-02-11 |
US9537046B2 (en) | 2017-01-03 |
TWI626761B (zh) | 2018-06-11 |
TW201513387A (zh) | 2015-04-01 |
CN104339090B (zh) | 2018-02-13 |
US20150044799A1 (en) | 2015-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6121281B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6151557B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
JP6208430B2 (ja) | レーザー加工方法 | |
JP6062287B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6189066B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6466692B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6324796B2 (ja) | 単結晶基板の加工方法 | |
JP2014216414A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014216344A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2016143766A (ja) | 単結晶部材の加工方法 | |
JP2016171214A (ja) | 単結晶基板の加工方法 | |
TW201719736A (zh) | 光元件晶圓的加工方法 | |
TWI693633B (zh) | 單晶基板之加工方法 | |
TW201715598A (zh) | 光元件晶圓的加工方法 | |
JP2006040988A (ja) | ウエーハの分割方法および分割装置 | |
JP5878292B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP6510933B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2009277778A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6576782B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2017076713A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170224 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6121281 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |