TWI812843B - 製造多個晶片的方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]相較於在藉由僅對被加工物施加拉伸應力或源自負荷的應力而進行被加工物之分割的情況，降低產生加工不良的可能性。[解決手段]提供一種製造多個晶片的方法，其具備：黏貼步驟，將具有延展性的膠膜黏貼在被加工物；潛盾通道形成步驟，以將對被加工物具有穿透性之波長的脈衝狀雷射光束的聚光區域定位於被加工物之內部的方式，從被加工物的背面側沿著各分割預定線照射該雷射光束，藉此沿著各分割預定線形成分別具有細孔及包圍該細孔之變質區域的多個潛盾通道；以及分割步驟，在潛盾通道形成步驟之後，透過液體對被加工物施加超音波及進行該膠膜的擴張，藉此沿著多條分割預定線分割被加工物。

Description

製造多個晶片的方法
本發明是關於一種加工板狀的被加工物而製造多個晶片的方法。
作為沿著分割預定線而將在正面側形成有元件等之圓盤狀的晶圓等的被加工物進行分割的方法，已知有一種在沿著分割預定線形成強度比其他區域低的改質層之後，對被加工物施加外力的方法（例如，參照專利文獻1）。
為了形成改質層，例如以將對晶圓具有穿透性之波長的脈衝狀雷射光束的聚光點定位於晶圓之內部的方式，沿著晶圓的分割預定線照射雷射光束。藉此，在晶圓內部的聚光點附近產生多光子吸收，且沿著分割預定線形成機械強度降低的改質層。
然而，為了沿著分割預定線分割例如超過100μm之相對較厚的晶圓，通常需要以在晶圓的深度方向上重疊的方式形成多個改質層。例如，要以在晶圓的深度方向上重疊的方式形成三個改質層時，以將聚光點的深度位置定位於第1深度位置的狀態，沿著分割預定線照射雷射光束（第1行程）。
接著，以將聚光點的深度位置定位於比第1深度位置還靠近正面側之第2深度位置的狀態，沿著分割預定線照射雷射光束（第2行程）。進一步，以將聚光點的深度位置定位於比第2深度位置還靠近正面側之第3深度位置的狀態，再次沿著分割預定線照射雷射光束（第3行程）。
如此，在形成改質層的手法中，因為通常需要沿著分割預定線照射多個行程的雷射光束，所以會有加工相當費時的問題。於是，作為降低行程數目的加工方法，有提出一種沿著晶圓的分割預定線形成具有細孔及包圍細孔之變質區域的稱為潛盾通道的改質區域的方法（例如，參照專利文獻2）。
沿著分割預定線形成潛盾通道時，使用數值孔徑（NA）除以晶圓之折射率（N）的值（S（＝NA／N））例如為0.05以上0.2以下的聚光透鏡將雷射光束聚光。以此方式設定完S值後，將對晶圓具有穿透性之波長的脈衝狀雷射光束的聚光區域定位於晶圓的內部。
例如，若將聚光區域定位於晶圓的預定深度並從晶圓之背面側照射1脈衝的雷射光束，則能夠形成從晶圓之表面橫跨至背面的一個潛盾通道。因此，若將聚光區域定位於晶圓的預定深度並沿著分割預定線照射多次脈衝的雷射光束（即藉由1行程之雷射光束的照射），則會沿著分割預定線形成多個潛盾通道。
如此，若藉由1行程之雷射光束的照射而沿著分割預定線形成多個潛盾通道，則相較於以在晶圓的厚度方向上重疊的方式形成多個改質層的情況，具有能夠降低加工所需時間的優點。
[習知技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本特開2002－192367號公報 [專利文獻2] 日本特開2014－221483號公報
[發明所欲解決的課題] 作為沿著分割預定線而將形成有多個潛盾通道之晶圓確實地進行分割的方法，例如有一種方法是在晶圓之正面側黏貼具有延展性的樹脂製的薄片，並在晶圓的徑向上將此薄片拉伸。晶圓藉由與薄片共同往徑向的外側拉伸而被分割。
此外，作為沿著分割預定線而將形成有多個潛盾通道之晶圓確實地進行分割的方法， 例如還有一種方法是將切斷刀等的推壓構件推抵至分割預定線上，藉此對晶圓施加負荷。晶圓藉由在分割預定線於厚度方向上所施加的應力而被分割。
然而以此方式，在僅對形成有多個潛盾通道的晶圓（即被加工物）施加拉伸應力或源自負荷的應力而進行被加工物之分割的情況下，為了確實地分割被加工物而需要施加一定大小程度的應力。因此，在被加工物上會產生崩裂或裂痕等之加工不良的可能性會提高。
本發明是鑑於此問題點而完成的發明，目的在於提供一種晶片的製造方法，相較於在僅對被加工物施加拉伸應力或源自負荷的應力而進行被加工物之分割的情況，在沿著分割預定線而將形成有多個潛盾通道之被加工物進行分割的情況下，能夠降低產生加工不良的可能性。
[解決課題的技術手段] 根據本發明之一態樣，提供一種製造多個晶片的方法，沿著多條分割預定線分割被加工物而製造多個晶片，該被加工物在正面側具有藉由互相交叉的該多條分割預定線所劃分之多個區域；其中，該製造多個晶片的方法具備：黏貼步驟，將具有延展性的膠膜黏貼在該被加工物；潛盾通道形成步驟，以將對該被加工物具有穿透性之波長的脈衝狀雷射光束的聚光區域定位於該被加工物之內部的方式，從該被加工物的背面側沿著各分割預定線照射該雷射光束，藉此沿著各分割預定線形成分別具有細孔及包圍該細孔之變質區域的多個潛盾通道；以及分割步驟，在該潛盾通道形成步驟之後，透過液體對該被加工物施加超音波及進行該膠膜的擴張，藉此沿著該多條分割預定線分割該被加工物。
在該分割步驟中，較佳為藉由一邊透過液體對該被加工物施加超音波一邊擴張該膠膜，而沿著該多條分割預定線分割該被加工物。此外，該液體較佳為水。
[發明功效] 本發明之一態樣的製造多個晶片的方法中，在潛盾通道形成步驟，沿著被加工物的分割預定線形成潛盾通道之後，藉由透過液體對被加工物施加超音波，且使黏貼在被加工物之具有延展性的膠膜進行擴張，而分割被加工物。
如此，在本發明的分割步驟中，不只是對被加工物施加透過膠膜的拉伸應力，還對被加工物施加超音波，藉此能促進潛盾通道的破壞。因此，因為即使降低拉伸應力也能分割被加工物，所以相較於藉由僅對被加工物施加拉伸應力而分割被加工物的情況，能夠降低產生加工不良的可能性。
參照隨附圖式，說明本發明之一態樣的實施方式。圖1（A）為被加工物11的立體圖。被加工物11其正面11a及背面11b為圓形，且為形成為厚度從500μm至1000μm左右之圓盤狀的晶圓。
被加工物11例如以藍寶石、各種玻璃等所形成。另外，各種玻璃例如包含石英玻璃、硼矽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、無鹼玻璃。此外，被加工物11也可以矽（Si）等的半導體材料等所形成。
在被加工物11的正面11a側，以互相交叉的方式（例如格子狀）設定有多條分割預定線（切割道）13。在本實施方式中，在藉由多條分割預定線13所劃分的多個區域的每一個設置有元件15。但是，元件15並非必須。在藉由配置成格子狀的分割預定線13而劃分成矩形狀的各區域也可不設置有元件15。
以將設置有多個元件15之元件區域15a的外周包圍般，在元件區域15a的外側存在未設置有元件15的外周剩餘區域15b。在被加工物11之外周端部的局部，設置有表示晶圓之晶向的刻痕11c。另外，可設置定向平面等之其他的標記取代刻痕11c。
被加工物11例如在透過切割膠膜17而被固定於金屬製的環狀框架19之開口部的狀態（即被加工物單元21的狀態）下進行加工。圖1（B）為被加工物單元21的立體圖。
切割膠膜17為具有延展性之樹脂製的膜。切割膠膜17具有層積構造，該層積構造包含具有黏性的黏著層（未圖示）及不具有黏性的基材層（未圖示）。黏著層例如為紫外線硬化型的樹脂層，且設置於樹脂製之基材層的一面的整體。若對黏著層照射紫外線，則黏著層的黏著力降低，而變得容易從被加工物11剝離保護膠膜。
環狀框架19具有比被加工物11的直徑還長之直徑的開口。於此開口配置了被加工物11的狀態下，藉由將切割膠膜17黏貼至被加工物11的正面11a側及環狀框架19的一面而形成被加工物單元21。
在本實施方式中，使用雷射加工裝置2加工被加工物11。圖2為雷射加工裝置2的立體圖。雷射加工裝置2具備支撐各構造的基台4。基台4包含長方體狀的基台部6及壁部8，該壁部8在基台部6之Y軸方向（分度進給方向）的一側（例如－Y方向）的端部突出至上方（例如＋Z方向）。
在基台部6的上方配置有卡盤台10。在卡盤台10的外周側面固定有多個夾持單元。例如在俯視卡盤台10時，於時鐘的12點鐘方向、3點鐘方向、6點鐘方向及9點鐘方向的各位置設置一個夾持單元。
於卡盤台10的下方（例如－Z方向）設置使卡盤台10在Y軸方向上移動的Y軸移動單元16。Y軸移動單元16具備固定在基台部6的上表面且在Y軸方向上平行的一對Y軸導軌18。
在Y軸導軌18設置可滑動的Y軸移動台20。在Y軸移動台20的背面側（下表面側）設置有螺帽部（未圖示），且與Y軸導軌18平行地配置的Y軸滾珠螺桿22以可旋轉的態樣與此螺帽部結合。
在Y軸滾珠螺桿22的一端連結有Y軸脈衝馬達24。若以Y軸脈衝馬達24使Y軸滾珠螺桿22旋轉，則Y軸移動台20沿著Y軸導軌18而在Y軸方向上移動。
在Y軸移動台20的正面側（上表面側）設置有X軸移動單元26，該X軸移動單元26使卡盤台10在與Y軸方向正交的X軸方向（加工進給方向）上移動。X軸移動單元26具備固定於Y軸移動台20之上表面且在X軸方向上平行的一對X軸導軌28。
在X軸導軌28設置可滑動的X軸移動台30。X軸移動台30的背面側（下表面側）設置有螺帽部（未圖示），且與X軸導軌28平行地配置的X軸滾珠螺桿32以可旋轉的態樣與此螺帽部結合。
在X軸滾珠螺桿32的一端連結有X軸脈衝馬達34。若以X軸脈衝馬達34使X軸滾珠螺桿32旋轉，則X軸移動台30沿著X軸導軌28而在X軸方向上移動。
在X軸移動台30的正面側（上表面側）設置有支撐台36。於此支撐台36的上部配置大致呈圓盤狀的卡盤台10。卡盤台10與設置於其下方的旋轉驅動源（未圖示）連結，且藉由此旋轉驅動源而構成為可旋轉的態樣。
於卡盤台10的正面側設置有以多孔陶瓷等所形成之圓盤狀的多孔板。多孔板通過設置於卡盤台10之內部的流路（未圖示）而與噴射器等的吸引源（未圖示）連接。藉由吸引源所產生的負壓而在多孔板的表面（即保持面10a）產生吸引力。
在卡盤台10的上方設置有雷射照射單元12。雷射照射單元12的一端固定在壁部8之上部的Y軸方向之另一側（例如＋Y方向）的面。
在雷射照射單元12的另一端設置有加工頭12a。脈衝狀的雷射光束從加工頭12a朝向保持面10a呈大致垂直地照射。
在雷射照射單元12之X軸方向的一方（－X方向）側設置有攝像單元12b。攝像單元12b具有來自被拍攝體之反射光射入的物鏡（未圖示）。來自被拍攝體的反射光透過物鏡等而引導至攝像單元12b的攝像元件（未圖示）。
接著使用圖1（B）、圖3（A）、圖3（B）、圖4（A）、圖4（B）、圖5（A）、圖5（B）、圖5（C）及圖6說明晶片的製造方法。圖6為表示第1實施方式之製造多個晶片的方法的流程圖。
在第1實施方式之晶片的製造方法中，首先，如圖1（B）所示，將切割膠膜17黏貼至被加工物11之正面11a側及環狀框架19的一面而形成被加工物單元21（黏貼步驟（S10））。
在黏貼步驟（S10）是使用膠膜黏貼裝置（未圖示）。膠膜黏貼裝置具備支撐被加工物11及環狀框架19的支撐台（未圖示）。另外，在支撐台的外周部設置與被加工物11之厚度及環狀框架19之厚度的差異相對應的段差構造。
若以在支撐台的表面被加工物11之背面11b與環狀框架19之另一面相接的方式，將被加工物11及環狀框架19載置於支撐台，則其厚度的差異藉由段差構造所吸收，被加工物11之正面11a與環狀框架19之一面成為同一面。
在支撐台的上方設置有膠膜本體(未圖示)。此外，在膠膜本體的旁邊配置有滾筒狀的推壓構件(未圖示)，對被加工物11推壓從膠膜本體所送出的膠膜17。
又，在膠膜本體的旁邊設置有切斷器(未圖示)，將黏貼在被加工物11及環狀框架19的切割膠膜17切割成圓形。切斷器以切割膠膜17的直徑成為比環狀框架19之開口的內徑大且比環狀框架19之外徑小的預定直徑之方式，將切割膠膜17切割成圓形。
在黏貼步驟(S10)中，首先，以被加工物11之正面及環狀框架19之一面成為朝上的方式，將被加工物11及環狀框架19載置於支撐台的上部。
然後，將切割膠膜17配置於推壓構件及被加工物11之正面11a之間，並在以推壓構件將其推壓至正面11a側的狀態，沿著X軸方向一邊使推壓構件旋轉一邊使其移動。
之後，使用切斷器，以將切割膠膜17成為上述之預定直徑的方式，將切割膠膜17切割成圓形。藉此，被加工物11及環狀框架19透過切割膠膜17而形成一體化的被加工單元21。
在黏貼步驟(S10)之後，使用雷射加工裝置2在被加工物11形成潛盾通道(潛盾通道形成步驟(S20))。圖3(A)為使加工頭12a與卡盤台10相對移動時之被加工物11等的局部剖面側視圖；圖3(B)為使加工頭12a與卡盤台10相對移動後之被加工物11等的局部剖面側視圖。
在潛盾通道形成步驟(S20)中，首先，以被加工物11之正面11a朝向下方的態樣，將被加工物單元21載置於保持面10a上。於此狀態，使吸引源運作而使負壓作用於保持面10a。進而，以夾持單元固定環狀框架19。藉此，被加工物11的正面11a側透過切割膠膜17被卡盤台10保持。
接著，以被加工物11的分割預定線13成為與X軸方向平行的方式，調整卡盤台10的方向。然後，以讓加工頭12a之下端位於一條分割預定線13之X軸方向的一端側(例如+X方向的端部側)的方式，調整卡盤台10的位置(參照圖3(A))。
之後，從加工頭12a對被加工物11之背面11b照射脈衝狀的雷射光束L，該脈衝狀的雷射光束L為對被加工物11具有穿透性波長。此時，雷射光束L的聚光區域被定位於被加工物11的內部。
在從被加工物11之背面11b側所照射的雷射光束L之聚光區域被定位於被加工物11之內部的狀態，使X軸移動單元26運作而使卡盤台10在X軸方向上移動。
藉此，一邊使加工頭12a對卡盤台10相對地移動，一邊沿著分割預定線13照射雷射光束L。另外，在本說明書中，將於X軸方向中之加工頭12a與卡盤台10之相對移動速度稱為加工速度。
例如，將加工條件設定成以下方式來加工被加工物11。 雷射光束L的波長：1064 nm 脈衝能量：50μJ 脈衝的重複頻率：1 kHz X軸方向的加工速度：20 mm/s 行程數：1
另外，脈衝能量是指每1脈衝的能量。此外，行程數是指，在將聚光區域定位於被加工物11之內部的狀態，沿著一條分割預定線13照射雷射光束L的次數。
以從一條分割預定線13之X軸方向的一端到另一端（例如－X方向的端部）為止照射雷射光束L的方式，使卡盤台10在X軸方向上移動後，暫時停止雷射光束L的照射（參照圖3（B））。
接著，在Y軸方向上對卡盤台10進行預定分度量的分度進給，並將加工頭12a的下端定位於先前加工之一條分割預定線13的在Y軸方向相鄰之另一分割預定線13上。
然後，以從另一分割預定線13之X軸方向的另一端（例如－X的端部）到一端（例如＋X方向的端部）為止照射雷射光束L的方式，使卡盤台10在X軸方向上移動後，再次暫時停止雷射光束L的照射（參照圖3（B））。
以此方式，沿著平行於一方向之所有的分割預定線13照射雷射光束L。之後，使卡盤台10旋轉90度，並沿著平行於與一方向正交之另一方向的所有分割預定線13照射雷射光束L。藉此，沿著所有分割預定線13的每條而形成多個潛盾通道11d。
另外，若X軸方向的加工速度超過50mm／s，則變得難以沿著分割預定線13形成潛盾通道。可認為有各種原因，例如，會有潛盾通道相對於分割預定線13以蜿蜒的方式形成的情形。因此，X－Y平面方向的加工速度更佳為50mm／s以下。
圖4（A）為表示一個潛盾通道11d之構造的立體圖；另外，在圖4（A）中，省略被加工物11的厚度方向（例如從正面11a朝向背面11b的方向）的一部分。各潛盾通道11d具有沿著被加工物厚度方向而形成的細孔11e。細孔11e為直徑大約1μm之大致上呈圓柱狀的細長空間。
潛盾通道11d更具有以包圍細孔11e之側面的方式而形成的變質區域11f。變質區域11f為例如具有大約5μm至大約20μm之直徑的大致上呈圓柱狀的區域，橫跨此圓柱的高度方向且以通過圓柱底面之圓的中心的方式形成上述的細孔11e。
變質區域11f是被加工物11的局部藉由受到從雷射光束L來的能量，而成為相較於未照射雷射光束L之部分，改變了構造、密度等的區域。例如，被加工物11是以矽等的單晶材料所形成時，變質區域11f成為非晶態區域或多晶區域。
圖4（B）為表示沿著一條分割預定線而形成有多個潛盾通道11d的被加工物11的局部剖面圖。在圖4（B）中，雖然沿著分割預定線13而相鄰的兩條潛盾通道11d之變質區域11f的側部連接在一起，但兩個變質區域11f的側部亦可沿著分割預定線13而互相分離。另外，在圖4（B）中，省略被加工物11之厚度方向的一部分。
在潛盾通道形成步驟（S20）後，藉由使用超音波施加裝置38透過水（例如純水）等的液體40而對被加工物11施加超音波，及進行切割膠膜17的擴張，而破壞潛盾通道11d且分割被加工物11（分割步驟（S30））。圖5（A）為超音波施加裝置38等的局部剖面側視圖。
超音波施加裝置38具有容器42。在容器42中，將液體40充滿至預定高度位置。在容器42的內側，配置有於容器42之高度方向可伸縮的多個腳部44，且此腳部44的底部固定在容器42之內側的底部。另外，在圖5(A)中表示最大伸長極限之狀態的各腳部44。
各腳部44之上端固定有環狀的支撐部44a。於此支撐部44a的上表面載置有上述之被加工物單元21的環狀框架19。於支撐部44a的外周側面設置有多個夾持單元46。
各夾持單元46離散地配置在支撐部44a之周方向的不同位置。例如俯視支撐部44a時，四個夾持單元46設置在時鐘的12點鐘方向、3點鐘方向、6點鐘方向及9點鐘方向的位置。
在比多個腳部44更靠近內側處設置有將被加工物單元21的切割膠膜17從下方頂起的頂起裝置48。頂起裝置48具有在容器42之高度方向可伸縮的多個腳部48a，此腳部48a的底部固定在容器42之內側的底部。另外，在圖5(A)中表示定位在與腳部44相同高度位置之狀態的各腳部48a。
在各腳部48a的上端設置有環狀的頂起構件48b。位於被加工物11的外周端部與環狀框架19的內徑之間的切割膠膜17之基材層的一部分與此頂起構件48b的上表面接觸。
在容器42之內側的底部固定有超音波產生單元50。超音波產生單元50例如具有使用鋯鈦酸鉛(PZT)等之壓電材料所形成的壓電元件(未圖示)。
壓電元件藉由對壓電元件施加預定的交流電壓而振動。藉此，超音波產生單元50產生超過20kHz之預定頻率(例如從20kHz至100kHz的頻率)的超音波。
在分割步驟(S30)中，首先，如圖5(A)所示，將被加工物單元21載置於支撐部44a上。然後，以各夾具單元46壓住環狀框架19的上方。藉此，被加工物單元21藉由夾具單元46及支撐部44a而固定。
之後，以將被加工物11定位在比液體的水位低且比超音波產生單元50高之位置的方式，使腳部44及腳部48a縮短至相同的預定長度。藉此，被加工物單元2的整體浸泡在液體40。將腳部44保持在預定高度，藉此能夠固定正面11a(或背面11b)與超音波產生單元50的距離。
另外，也可將被加工物11的高度位置調整至容易傳遞超音波的預定位置。例如，在將液體40中產生之超音波的駐波的波長設為λ時，可將被 加工物11的位置定位於從超音波產生單元50之上端起{(2n-1)λ}/4的位置(其中n為1以上的自然數)。
在將被加工物11定位在適當的高度位置後，對超音波產生單元50施加預定的交流電壓而產生超音波。超音波在液體40中以疏密波(即縱波)的方式傳播。圖5(B)為表示透過液體40而對被加工物11施加超音波之態樣的圖。
接著，擴張切割膠膜17。圖5(C)為表示一邊透過液體40而對被加工物11施加超音波，一邊擴張切割膠膜17之態樣的圖。以維持腳部44之長度的狀態，將頂起裝置48的頂起構件48b定位至比支撐部44a高的預定位置。
雖然花費預定時間(例如數秒至數十秒)使腳部48a的上端緩慢地上升至預定位置，但也可以瞬間使其上升至預定位置。藉由使腳部48a的上端上升至預定位置，切割膠膜17會往徑向擴張(擴片)。藉此，被加工物11受到徑向的拉伸應力。
被加工物11所受到之徑向的拉伸應力是例如與相對腳部44之腳部48a的上端的上升量成比例。在本實施方式中，因為透過液體40施加超音波，所以相較於不透過液體40施加超音波且僅施加拉伸應力而分割被加工物11之情況中的腳部48a之上端的上升量，即使減少腳部48a的上升量也能夠沿著多條分割預定線13分割被加工物11。
亦即，因為即使降低對被加工物11所施加的拉伸應力也能夠分割被加工物11，所以相較於僅對被加工物11施加拉伸應力而分割被加工物11的情況，能夠降低產生加工不良的可能性。
另外，相較於在被加工物11及超音波產生單元50之間僅存在空氣等之氣體的情況，藉由在被加工物11及超音波產生單元50之間設置液體40，能夠降低超音波傳播至被加工物11時之音波阻抗。亦即，相較於空氣，液體40作為使超音波傳播速率提升的聲匹配層而發揮作用。
此外，因為液體40會進入細孔11e，所以在細孔11e內也能夠傳播超音波。因此，相較於在細孔11e內部不存在液體40的狀態(例如，被加工物11暴露在大氣環境的狀態)對被加工物11施加超音波的情況，能夠更有效率地破壞變質區域11f。
另外，在使腳部48a的上端緩慢地上升至預定位置時，因為液體40也會進入受到拉伸應力且正在被破壞之變質區域11f的裂縫，所以也能在變質區域11f的裂縫傳播超音波。因此，相較於瞬間使其上升至預定位置的情況更能更進一步降低產生加工不良的可能性。
此外，在被加工物11之分割時所產生的碎屑等會藉由超音波振動而擴散在液體40中，且會變得難以附著在被加工物11的背面11b。因此，能夠防止碎屑等附著在晶片23的表面。
另外，相較於蝕刻處理，藉由不使用藥品、藥液而使用水作為液體40，其廢水處理作業會變得容易。此外，同樣有利的是，對於容器42、腳部44、支撐部44a及頂起裝置48，不需要實施賦予耐酸性等之耐化學性的處理。
在分割步驟（S30）之後，拾取從被加工物11分割出的多個晶片23（拾取步驟（S40））。在拾取步驟（S40）中，為了使切割膠膜17之黏著層的黏著力下降，使用對切割膠膜17照射紫外線的紫外線照射裝置（未圖示）。此外，為了搬送晶片23，使用配置於超音波施加裝置38上方的搬送裝置（未圖示）。
搬送裝置具有在X軸（或Y軸）方向及Z軸方向上可移動的腕部（未圖示）。圓盤狀之頭部（未圖示）上表面固定在腕部的下端，在頭部的下表面設置多個吸附墊（未圖示）。各吸附墊配置於對應晶片23之位置的位置。
各吸附墊具有與噴射器等的吸引源（未圖示）連接的流路（未圖示）。此流路的一端（即開口）露出於吸附墊的下方。藉由吸引源所產生的負壓而在吸附墊的開口產生吸引力。
在拾取步驟（S40）中，首先，持續保持頂起構件48b存在於比支撐部44a高之預定位置的狀態（參照圖5（C）），並伸長腳部44及腳部48a。
此時，將切割膠膜17的背面定位在比液體40之水面還上方的位置。藉此，將多個晶片23定位在比液體40之水位還上方的位置。之後，在切割膠膜17的背面側及液體40的水面之間的空間配置紫外線照射裝置，並對切割膠膜17照射紫外線。藉此降低黏著層的黏著力。
接著，使搬送裝置的腕部在X軸方向上移動，並定位至被加工物11的正上方。之後，使腕部在Z軸方向上移動，並在使吸附墊接觸晶片23後，使吸引源運作而以吸附墊吸附晶片23。
接著，使腕部在Z軸方向上移動而將晶片23從切割膠膜17剝離，之後，使其在X軸方向上移動，並將各晶片23搬送至容納晶片23的容納匣盤（未圖示）。
另外，為了照射紫外線，也可不在被加工物單元21的底部及液體40的水面之間配置紫外線照射裝置。例如，伸長腳部44，並在將被加工物單元21定位在比液體40的水位還上方的位置後，解除夾持單元46，並將被加工物單元21搬送至另一紫外線照射裝置（未圖示）。然後，使用另一紫外線照射裝置來對切割膠膜17照射紫外線。之後，使用搬送裝置（未圖示）而將各晶片23搬送至容納匣盤。
接著，說明第2實施方式。第2實施方式的分割步驟（S30）中，在透過液體40而對被加工物11施加超音波之後，將被加工物11從液體40取出，接著藉由擴張切割膠膜17而分割被加工物11。所述此點與第1實施方式不同。
在第2實施方式的分割步驟（S30）中，首先，使用具有分別與第1實施方式相同的容器42、腳部44、支撐部44a及超音波產生單元50的超音波施加裝置52，並對被加工物11施加超音波（超音波施加步驟）。另外，在容器42中，將液體40充滿至預定深度位置。
圖7（A）為超音波施加裝置52等之局部剖面側視圖。在超音波施加步驟中，首先，將被加工物單元21載置於支撐部44a上，並以各夾持單元46壓住環狀框架19的上方。
之後，以將被加工物11定位至比液體40的水位低且比超音波產生單元50高之位置的方式，縮短腳部44且將被加工物單元21之整體浸泡至液體40。
然後，藉由超音波產生單元50產生超音波，並透過液體40而對被加工物11施加超音波。在透過液體40而對被加工物11施加超音波後，伸長腳部44且將被加工物11定位至比液體40的水位還上方的位置，並解除夾持單元46。
接著，藉由使用分割裝置60擴張切割膠膜17而分割被加工物11（擴片步驟）。圖7（B）為分割裝置60等之局部剖面側視圖。
在分割裝置60中，超音波施加裝置52的腳部44對應超音波施加裝置38的腳部54。此外，支撐部44a對應支撐部54a，且夾持單元46對應夾持單元56。另外，頂起裝置58對應頂起裝置48。
在擴片步驟中，使被加工物11從超音波施加裝置52移動至分割裝置60的支撐部44a，之後，以各夾持單元46壓住環狀框架的上方。然後，在已固定頂起裝置58之腳部58a的高度位置的狀態下，緩慢地使腳部54縮短。
藉此，將頂起構件58b定位至比支撐部54a高的預定位置，而在徑向上擴張切割膠膜17，被加工物11在徑向上受到拉伸應力。圖7（C）為表示使用分割裝置60而擴張切割膠膜17之態樣的圖。
即便是在第2實施方式中，變質區域11f相較於施加超音波前其機械強度也變得較弱，因此即使降低拉伸應力也能夠分割被加工物11。所以，相較於僅對被加工物11施加拉伸應力而分割被加工物11的情況，能夠降低產生加工不良的可能性。
在擴片步驟後，進行拾取步驟（S40）。在拾取步驟（S40）中，在切割膠膜17之背面側配置上述的紫外線照射裝置（未圖示），並對切割膠膜17照射紫外線。藉此，降低黏著層的黏著力。之後，使用上述的搬送裝置（未圖示），而將各晶片23搬送至容納匣盤（未圖示）。
另外，關於上述實施方式的構造、方法等，只要不脫離本發明之目的範圍就能適當變更而實施。
2:雷射加工裝置 4:基台 6:基台部 8:壁部 10:卡盤台 10a:保持面 11:被加工物 11a:正面 11b:背面 11c:刻痕 11d:潛盾通道 11e:細孔 11f:變質區域 12:雷射光束照射單元 12a:加工頭 12b:攝像單元 13:分割預定線 15:元件 15a:元件區域 15b:外周剩餘區域 16:Y軸移動單元 17:切割膠膜 18:Y軸導軌 19:環狀框架 20:Y軸移動台 21:被加工物單元 22:Y軸滾珠螺桿 23:晶片 24:Y軸脈衝馬達 26:X軸移動單元 28:X軸導軌 30:X軸移動台 32:X軸滾珠螺桿 34:X軸脈衝馬達 36:支撐台 38:超音波施加裝置 40:液體 42:容器 44:腳部 44a:支撐部 46:夾持單元 48:頂起裝置 48a:腳部 48b:頂起構件 50:超音波產生單元 52:超音波施加裝置 54:腳部 54a:支撐部 56:夾持單元 58:頂起裝置 58a:腳部 58b:頂起構件 60:分割裝置 L:雷射光束
圖1（A）為被加工物的立體圖；圖1（B）為被加工物單元的立體圖。 圖2為雷射加工裝置的立體圖。 圖3（A）為使加工頭與卡盤台相對移動時之被加工物等的局部剖面側視圖；圖3（B）為使加工頭與卡盤台相對移動後之被加工物等的局部剖面側視圖。 圖4（A）為表示一個潛盾通道之構造的立體圖；圖4（B）為表示沿著分割預定線而形成有多個潛盾通道的被加工物的局部剖面圖。 圖5（A）為超音波施加裝置等的局部剖面側視圖；圖5（B）為表示透過液體對被加工物施加超音波之態樣的圖；圖5（C）為表示一邊透過液體對被加工物施加超音波，一邊擴張切割膠膜之態樣的圖。 圖6為表示第1實施方式之製造多個晶片的方法的流程圖。 圖7（A）為超音波施加裝置等之局部剖面側視圖；圖7（B）為分割裝置等之局部剖面側視圖；圖7（C）為表示使用分割裝置而擴張切割膠膜之態樣的圖。
11:被加工物
11b:背面
11d:潛盾通道
17:切割膠膜
19:環狀框架
21:被加工物單元
23:晶片
38:超音波施加裝置
40:液體
42:容器
44:腳部
44a:支撐部
46:夾持單元
48:頂起裝置
48a:腳部
48b:頂起構件
50:超音波產生單元

Claims (3)

  1. 一種製造多個晶片的方法，沿著多條分割預定線分割被加工物而製造多個晶片，該被加工物在正面側具有藉由互相交叉的該多條分割預定線所劃分之多個區域；其特徵在於，該製造多個晶片的方法具備：黏貼步驟，將具有延展性的膠膜黏貼在該被加工物及環狀框架，藉此於該環狀框架的開口部配置了該被加工物之狀態下，透過該膠膜而形成該被加工物與該環狀框架一體化之被加工物單元；潛盾通道形成步驟，以將對該被加工物具有穿透性之波長的脈衝狀雷射光束的聚光區域定位於該被加工物之內部的方式，從該被加工物的背面側沿著各分割預定線照射該雷射光束，藉此沿著各分割預定線形成分別具有細孔及包圍該細孔之變質區域的多個潛盾通道；以及分割步驟，在該潛盾通道形成步驟之後，在設置於容器內之多個腳部上固定該環狀框架後，藉由多個腳部的伸縮而調整該被加工物單元的高度位置，藉此進行在已將該被加工物單元定位在比從該容器的底部充滿至預定的高度位置之液體的水位更低的位置之狀態下的透過該液體對該被加工物施加超音波，及以將該膠膜從下方頂起之頂起裝置進行該膠膜的擴張，藉此沿著該多條分割預定線分割該被加工物。
  2. 如請求項1所述之製造多個晶片的方法，其中，在該分割步驟中，藉由一邊透過液體對該被加工物施加超音波一邊擴張該膠膜，而沿著該多條分割預定線分割該被加工物。
  3. 如請求項1或2所述之製造多個晶片的方法，其中，在該分割步驟中進行施加該超音波包含以該多個腳部調整該被加工物單元的高度位置，藉此將該被加工物的高度位置調整至在該液體中容易傳遞超音波之預定的高度位置。
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