CN105261560B - 晶片的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供晶片的加工方法，能够沿划分器件的分割预定线可靠地分割在基板的正面层叠有低介电常数绝缘体覆盖膜(Low‑k膜)等功能层的晶片。晶片的层叠在基板的正面上的功能层被形成为格子状的多条分割预定线划分，在通过该多条分割预定线而划分的多个区域中形成有器件，该晶片的加工方法包含：激光加工槽形成工序，对分割预定线沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽从而沿着分割预定线割断功能层；以及改质层形成工序，从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线，在基板的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层。
Description
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法，对通过层叠于基板的正面的功能层而形成有器件的晶片沿着对器件进行划分的多条分割预定线进行分割。
背景技术
如本领域技术人员公知的那样，在半导体器件制造工序中形成有如下的半导体晶片：在硅等基板的正面上通过层叠有绝缘膜与功能膜的功能层而矩阵状地形成多个IC、LSI等器件。对于这样形成的半导体晶片而言，上述器件被分割预定线划分，通过沿着该分割预定线进行分割来制造出各个半导体器件。
最近，为了提高IC、LSI等半导体器件的处理能力，实用化如下方式的半导体晶片：在硅等基板的正面上通过层叠有由SiOF、BSG(SiOB)等无机物系的膜或者作为聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等的聚合物膜的有机物系的膜构成的低介电常数绝缘体覆盖膜(Low-k膜)的功能层来形成半导体器件。
通常借助被称为切割机(dicer)的切削装置来进行沿着这样的半导体晶片的分割预定线而进行的分割。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持作为被加工物的半导体晶片；切削机构，其用于切削保持于该卡盘工作台的半导体晶片；以及移动机构，其使卡盘工作台与切削机构相对移动。切削机构包含高速旋转的旋转主轴以及安装于该主轴的切削刀具。切削刀具由圆盘状的基座以及安装于该基座的侧面外周部的环状的切削刃构成，切削刃是通过电铸将例如粒径为3μm左右的金刚石磨粒固定而形成的。
但是，上述的Low-k膜难以通过切削刀具来切削。即，存在下述问题：由于Low-k膜像云母一样非常脆，因此如果通过切削刀具沿分割预定线进行切削，则Low-k膜会发生剥离，该剥离到达器件，会对器件造成致命的损伤。
另一方面，近年来，作为对半导体晶片等板状的被加工物进行分割的方法，也尝试了如下的激光加工方法：利用对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光光线，使聚光点对准要分割的区域的内部并照射脉冲激光光线。使用该激光加工方法的分割方法从被加工物的一个面侧将聚光点定位于内部并照射对于被加工物具有透过性的红外光区域的脉冲激光光线，在被加工物的内部沿分割预定线连续形成改质层，通过沿着因形成该改质层而强度降低的分割预定线施加外力，而分割被加工物(例如，参照专利文献1)。
但是，即使使用上述的激光加工方法分割在正面层叠有低介电常数绝缘体覆盖膜(Low-k膜)的晶片，也不能沿分割预定线可靠地分割。即，即使从晶片的一个面侧使聚光点对准内部并照射对于晶片具有透过性的红外光区域的脉冲激光光线，从而在晶片的内部沿分割预定线形成改质层之后沿分割预定线施加外力，也不能使低介电常数绝缘体覆盖膜(Low-k膜)等功能层可靠地断裂。此外，即使晶片沿分割预定线断裂，也存在功能层剥离而使各个分割后的器件的品质下降的问题。
为了解决上述的问题，提出了如下技术：沿分割预定线照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线，进行烧蚀加工而形成激光加工槽从而去除功能层，此后，从基板的背面侧将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的内部并进行照射，从而在基板的内部沿分割预定线形成改质层，通过沿着因形成该改质层而强度降低的分割预定线施加外力而分割晶片(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特许第3408805号公报
专利文献1：日本特开2012-89709号公报
发明内容
然而，如果在与分割预定线对应的内部形成改质层，则裂纹会以避开为去除功能层而形成的激光加工槽的方式从改质层成长，如果通过对晶片施加外力而将晶片分割为各个器件，则存在如下问题：晶片会在从分割预定线偏离的位置被分割，而使器件的品质下降。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题在于提供一种晶片的加工方法，能够对在基板的正面层叠有低介电常数绝缘体覆盖膜(Low-k膜)等功能层的晶片沿划分器件的分割预定线可靠地进行分割。
为了解決上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，所述晶片是如下的晶片：层叠在基板的正面上的功能层被形成为格子状的多条分割预定线划分，该晶片在通过该多条分割预定线而划分的多个区域中形成有器件，其特征在于，该晶片的加工方法包含：
激光加工槽形成工序，对分割预定线沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽，从而沿着分割预定线割断功能层；以及
改质层形成工序，从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线，在基板的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层。
在实施上述改质层形成工序之后实施如下的工序：晶片支承工序，在晶片的基板的背面上粘贴划片带，并通过环状的框架支承划片带的外周部；以及分割工序，经由划片带对晶片施加外力从而将晶片分割为各个器件。
此外，实施如下的工序：保护部件粘贴工序，在实施上述改质层形成工序之前或者实施之后，在晶片的功能层的正面上粘贴保护部件；背面磨削工序，在实施该保护部件粘贴工序之后，对晶片的基板的背面进行磨削而形成为规定的厚度，并且以改质层作为断裂起点沿着分割预定线将晶片分割为各个器件；以及晶片支承工序，在晶片的基板的背面上粘贴划片带并通过环状的框架支承划片带的外周部，并且将粘贴在晶片的功能层的正面上的保护部件剥离。
基于本发明的晶片的分割方法包含：激光加工槽形成工序，对分割预定线沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽，从而沿着分割预定线割断功能层；以及改质层形成工序，从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线，在基板的内部沿分割预定线形成作为断裂起点的改质层，如果在改质层形成工序中形成了改质层，则在晶片的基板上会从改质层产生裂纹，但是该裂纹在割断功能层而形成的2条激光加工槽之间的范围内成长，在从分割预定线偏离的区域中则不成长。因此，通过对晶片施加外力而将晶片沿着形成有强度降低的改质层的分割预定线分割为各个器件时，从改质层产生的裂纹进一步成长，但是由于该裂纹在割断功能层而形成的至少2条激光加工槽之间的范围内成长，在从分割预定线偏离的区域中不成长，因此不会到达器件，因此沿分割预定线分割的器件的品质不会下降。
附图说明
图1是示出作为通过本发明的晶片的加工方法而加工的晶片的半导体晶片的立体图以及主要部分的放大剖视图。
图2是用于实施本发明的晶片的加工方法中的激光加工槽形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。
图3是本发明的晶片的加工方法中的激光加工槽形成工序的说明图。
图4是用于实施本发明的晶片的加工方法中的改质层形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。
图5是本发明的晶片的加工方法中的改质层形成工序的说明图。
图6是本发明的晶片的加工方法中的晶片支承工序的说明图。
图7是用于实施本发明的晶片的加工方法中的分割工序的带扩展装置的立体图。
图8是本发明的晶片的加工方法中的分割工序的说明图。
图9是本发明的晶片的加工方法中的拾取工序的说明图。
图10是本发明的晶片的加工方法中的保护部件粘贴工序的说明图。
图11是本发明的晶片的加工方法中的背面磨削工序的说明图。
图12是示出本发明的晶片的加工方法中的晶片支承工序的其他实施方式的说明图。
标号说明
2：半导体晶片；20：基板；21：功能层；22：器件；23：分割预定线；3：实施激光加工槽形成工序的激光加工装置；30：实施改质层形成工序的激光加工装置；31：卡盘工作台；32：激光光线照射机构；322：聚光器；4：带扩展装置；41：框架保持机构；42：带扩展机构；43：拾取夹头；5：保护带；6：磨削装置；61：卡盘工作台；62：磨削机构；66：磨轮；F：环状的框架；T：划片带。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的晶片的加工方法更详细地进行说明。
在图1的(a)以及(b)中示出了通过本发明的晶片的加工方法而加工的半导体晶片的立体图以及主要部分放大剖视图。图1的(a)以及(b)中示出的半导体晶片2，在厚度为600μm的硅等基板20的正面20a上，通过层叠有绝缘膜与形成电路的功能膜的功能层21而矩阵状地形成有多个IC、LSI等器件22。并且，各器件22被形成为格子状的分割预定线23划分。另外，在图示的实施方式中，形成功能层21的绝缘膜是由低介电常数绝缘体覆盖膜(Low-k膜)制成的，该低介电常数绝缘体覆盖膜(Low-k膜)是由作为SiO2膜或者SiOF、BSG(SiOB)等无机物系的膜或者聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等的聚合物膜的有机物系的膜构成的，其厚度设定为10μm。
为了将上述的半导体晶片2沿分割预定线23分割为各个器件，首先，实施激光加工槽形成工序，对分割预定线23沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层21具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽，从而沿分割预定线23割断功能层21。使用图2中示出的激光加工装置3来实施该激光加工槽形成工序。图2中示出的激光加工装置3具备：卡盘工作台31，其保持被加工物；激光光线照射机构32，其对保持于该卡盘工作台31的被加工物照射激光光线；以及拍摄机构33，其对保持于卡盘工作台31的被加工物进行拍摄。卡盘工作台31构成为对被加工物进行吸引保持，且通过未图示的加工进给机构使卡盘工作台31向图2中箭头X所示的加工进给方向移动，并且通过未图示的分度进给机构使卡盘工作台31向图2中箭头Y所示的分度进给方向移动。
上述激光光线照射机构32包含实质上水平配置的圆筒形状的箱体321。在箱体321内配设有未图示的脉冲激光光线振荡器或者具备重复频率设定机构的脉冲激光光线振荡机构。在上述箱体321的末端部安装有用于对从脉冲激光光线振荡机构振荡的脉冲激光光线进行聚光的聚光器322。另外，激光光线照射机构32具备聚光点位置调整机构(未图示)，其用于调整通过聚光器322而聚光的脉冲激光光线的聚光点位置。
在图示的实施方式中，安装在构成上述激光光线照射机构32的箱体321的末端部的拍摄机构33除了通过可见光进行拍摄的通常的拍摄元件(CCD)外，还包括：红外线照明机构，其对被加工物照射红外线；光学系统，其捕捉通过该红外线照明机构而照射的红外线；以及拍摄元件(红外线CCD)等，其输出与通过该光学系统捕捉的红外线对应的电子信号，该拍摄机构33将拍摄到的图像信号发送至未图示的控制机构。
参照图2以及图3对激光加工槽形成工序进行说明，该激光加工槽形成工序中，使用上述激光加工装置3对分割预定线23沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层21具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽，从而沿分割预定线23割断功能层21。
首先，将构成半导体晶片2的基板20的背面20b侧载置于上述图2所示的激光加工装置3的卡盘工作台31上。并且，通过使未图示的吸引机构动作而将半导体晶片2保持于卡盘工作台31上(晶片保持工序)。因此，对于保持于卡盘工作台31上的半导体晶片2而言，功能层21的正面21a是上侧。这样，对半导体晶片2进行吸引保持的卡盘工作台31通过未图示的加工进给机构被定位于拍摄机构33的正下方。
如果卡盘工作台31被定位于拍摄机构33的正下方，则通过拍摄机构33以及未图示的控制机构来执行对半导体晶片2的要进行激光加工的加工区域进行检测的对准作业。即，拍摄机构33以及未图示的控制机构执行模式匹配等图像处理，从而实现激光光线照射位置的对准(对准工序)，所述模式匹配等图像处理用于进行形成在半导体晶片2的规定方向上的分割预定线23与沿该分割预定线23照射激光光线的激光光线照射机构32的聚光器322的对位。此外，针对在半导体晶片2上形成在与上述规定方向垂直的方向上的分割预定线23，也同样地执行激光光线照射位置的对准。
如果实施了上述的对准工序，则如图3所示，使卡盘工作台31移动至照射激光光线的激光光线照射机构32的聚光器322所在的激光光线照射区域，如图3的(a)所示，以形成于半导体晶片2的规定的分割预定线23的一端(在图3的(a)中为左端)位于聚光器322的正下方的方式定位。此时，进行定位以使从分割预定线23的宽度方向中央偏向一侧5～10μm的位置位于聚光器322的正下方。接下来，一边从激光光线照射机构32的聚光器322照射脉冲激光光线，一边使卡盘工作台31向图3的(a)中的箭头X1所示的方向以规定的加工进给速度移动。并且，如图3的(b)所示，如果分割预定线23的另一端(图3的(b)中为右端)到达聚光器322的正下方位置，则停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台31的移动。在该激光加工槽形成工序中，使脉冲激光光线的聚光点P对准分割预定线23的正面附近。
接下来，使卡盘工作台31向与纸面垂直的方向(分度进给方向)移动10～20μm。结果，从分割预定线23的宽度方向中央偏向另一侧5～10μm的位置被定位于聚光器322的正下方。并且，一边从激光光线照射机构32的聚光器322照射脉冲激光光线，一边使卡盘工作台31向图3的(b)中箭头X2所示的方向以规定的加工进给速度移动，如果到达图3的(a)所示的位置，则停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台31的移动。
通过实施上述的激光加工槽形成工序，如图3的(c)所示，在半导体晶片2上形成有2条激光加工槽24、24，这2条激光加工槽24、24比功能层21的厚度深，即到达基板20。结果，功能层21被2条激光加工槽24、24割断。并且，沿着形成于半导体晶片2的全部分割预定线23实施上述激光加工槽形成工序。
另外，上述激光加工槽形成工序例如在以下的加工条件下进行。
如果实施了上述的激光加工槽形成工序，则实施改质层形成工序，从半导体晶片2的基板20的背面20b侧沿着分割预定线23照射对于半导体晶片2的基板20具有透过性的波长的激光光线，在基板20的内部沿着分割预定线23形成作为断裂起点的改质层。该改质层形成工序使用图4中示出的激光加工装置30来实施。另外，激光加工装置30与上述图2中示出的激光加工装置3以相同方式构成，对于同一部件标注同一标号并省略详细的说明。参照图4以及图5对使用激光加工装置30而实施的改质层形成工序进行说明。
首先，使构成实施了上述激光加工槽形成工序的半导体晶片2的功能层21的正面21a侧载置于图4中示出的激光加工装置30的卡盘工作台31上，并通过使未图示的吸引机构动作而将半导体晶片2吸附保持于卡盘工作台31上。因此，对于保持于卡盘工作台31上的半导体晶片2而言，基板20的背面20b是上侧。这样吸引保持了半导体晶片2的卡盘工作台31通过未图示的移动机构而被定位于拍摄机构33的正下方。
如果卡盘工作台31被定位于拍摄机构33的正下方，则通过拍摄机构33以及未图示的控制机构来执行对半导体晶片2的要进行激光加工的加工区域进行检测的对准作业。该对准作业与激光加工槽形成工序中的对准作业是实质上相同的。另外，在该对准作业中，虽然半导体晶片2的形成有分割预定线23的功能层21的正面21a位于下侧，但是由于拍摄机构33如上述那样具备由红外线照明机构、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电子信号的拍摄元件(红外线CCD)等构成的拍摄机构，因此能够透过背面2b对分割预定线23进行拍摄。
如果像上述那样，检测到形成在保持于卡盘工作台31的半导体晶片2上的分割预定线23，并进行了激光光线照射位置的对准，则如图5的(a)所示，将卡盘工作台31移动至照射激光光线的激光光线照射机构32的聚光器322所在的激光光线照射区域，将规定的分割预定线23的一端(图5的(a)中为左端)定位于激光光线照射机构32的聚光器322的正下方。此时，以分割预定线23的宽度方向中央位置位于聚光器322的正下方的方式定位。并且，一边从聚光器322照射对于基板20具有透过性的波长的脉冲激光光线一边使卡盘工作台31向图5的(a)中箭头X1所示的方向以规定的进给速度移动。并且，如图5的(b)所示，如果聚光器322的照射位置到达分割预定线23的另一端的位置，则停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台31的移动。在该改质层形成工序中，通过使脉冲激光光线的聚光点P对准半导体晶片2的基板20的内部，如图5的(b)以及图5的(c)所示，在半导体晶片2的基板20的内部沿分割预定线23形成改质层25。如果像这样形成改质层25，则如图5的(c)所示，在半导体晶片2的基板20上会从改质层25产生裂纹26，但该裂纹26在割断功能层21而形成的2条激光加工槽24、24之间的范围内成长，在从分割预定线23的偏离区域中则不成长。
沿着形成于半导体晶片2的全部分割预定线23实施上述的改质层形成工序。
上述改质层形成工序中的加工条件例如以如下方式设定。
如果实施了上述的改质层形成工序，则实施晶片支承工序，在构成半导体晶片2的基板20的背面20b粘贴划片带，并通过环状的框架支承划片带的外周部。即，如图6的(a)以及(b)所示，将构成实施了上述改质层形成工序的半导体晶片2的基板20的背面20b粘贴到安装于环状的框架F上的划片带T上。另外，在图6的(a)以及(b)中示出的实施方式中，示出了在安装于环状的框架F的划片带T上粘贴构成半导体晶片2的基板20的背面20b的例子，但也可以在构成半导体晶片2的基板20的背面20b粘贴划片带T并且同时将划片带T的外周部安装于环状的框架F。
如果实施了上述的晶片支承工序，则实施分割工序，通过经由划片带T对半导体晶片2施加外力，来将半导体晶片2分割为各个器件。使用图7中示出的带扩展装置4来实施该分割工序。图7中示出的带扩展装置4具备：框架保持机构41，其保持上述环状的框架F；带扩展机构42，其对安装在保持于该框架保持机构41的环状的框架F上的划片带T进行扩展；以及拾取夹头43。框架保持机构41是由环状的框架保持部件411以及配设于该框架保持部件411的外周的作为固定机构的多个夹具412构成。框架保持部件411的上表面形成有对环状的框架F进行载置的载置面411a，在该载置面411a上载置环状的框架F。并且，载置在载置面411a上的环状的框架F通过夹具412被固定于框架保持部件411。这样构成的框架保持机构41通过带扩展机构42而被支承为能够在上下方向上进退。
带扩展机构42具备配设于上述环状的框架保持部件411的内侧的扩展鼓421。该扩展鼓421具有比环状的框架F的内径小而比粘贴在安装于该环状框架F的划片带T上的半导体晶片2的外径大的内径以及外径。此外，扩展鼓421在下端具备支承凸缘422。图示的实施方式中的带扩展机构42具备能够使上述环状的框架保持部件411在上下方向上进退的支承机构423。该支承机构423由配设于上述支承凸缘422上的多个气缸423a构成，其活塞杆423b连结于上述环状的框架保持部件411的下表面。这样由多个气缸423a构成的支承机构423使环状的框架保持部件411在如图8的(a)所示那样载置面411a与扩展鼓423的上端大致为同一高度的基准位置与如图8的(b)所示那样载置面411a与扩展鼓423的上端相比以规定量位于下方的扩展位置之间在上下方向上移动。
参照图8对使用如上述那样构成的带扩展装置4实施的分割工序进行说明。即，如图8的(a)所示，将安装了粘贴有半导体晶片2的划片带T的环状的框架F载置于构成框架保持机构41的框架保持部件411的载置面411a上，并通过夹具412将其固定于框架保持部件411(框架保持工序)。此时，框架保持部件411被定位于图8的(a)所示的基准位置。
如果实施了上述的框架保持工序，则如图8的(b)所示，使作为构成带扩展机构42的支承机构423的多个气缸423a工作，使环状的框架保持部件411下降至扩展位置。因此，由于固定在框架保持部件411的载置面411a上的环状的框架F也下降，因此如图8的(b)所示，安装于环状的框架F的划片带T与扩展鼓421的上端缘接触而被扩展(带扩展工序)。结果，对粘贴于划片带T的半导体晶片2放射状地作用牵拉力。如果像这样在半导体晶片2上放射状地作用牵拉力，则由于沿分割预定线23形成的改质层25强度降低，因此构成半导体晶片2的基板20以强度降低的改质层25为断裂起点沿分割预定线23断裂而被分割为各个器件22。在该分割工序中，上述改质层形成工序中从改质层25产生的裂纹26进一步成长，但是由于该裂纹26在割断功能层21而形成的2条激光加工槽24、24之间的范围内成长，在从分割预定线23偏离的区域中不成长，因此该裂纹26不会到达器件22，因此不会使沿分割预定线23被分割的器件22的品质下降。
如果实施了上述的分割工序，则如图9所示，使拾取夹头43动作来吸附器件22，将其从划片带T剥离并拾取。另外，在拾取工序中，由于各个器件22间的间隙S被扩宽，因此能够不与相邻的器件22相接触地容易地拾取。
接下来，对将实施了上述改质层形成工序的半导体晶片2分割为各个器件的其他实施方式进行说明。
首先，实施保护部件粘贴工序，在构成实施了上述改质层形成工序的半导体晶片2的功能层21的正面21a上粘贴保护部件。即，如图10所示，为了保护形成在构成半导体晶片2的功能层21上的器件22，在构成半导体晶片2的功能层21的正面21a上粘贴作为保护部件的保护带5。在图示的实施方式中，作为该保护带5，在由厚度为100μm的聚氯乙烯(PVC)构成的片状基材的表面上涂敷有厚度为5μm左右的丙烯酸树脂系的糊。另外，也可以在实施上述的改质层形成工序之前实施保护部件粘贴工序。
接下来，实施背面磨削工序，对半导体晶片2的基板20的背面20b进行磨削而形成为规定的厚度，并且以改质层作为断裂起点将半导体晶片2沿分割预定线23分割为各个器件。使用图11的(a)所示的磨削装置6来实施该背面磨削工序。图11的(a)所示的磨削装置6具备作为保持被加工物的保持机构的卡盘工作台61以及对保持于该卡盘工作台61的被加工物进行磨削的磨削机构62。卡盘工作台61构成为将被加工物吸引保持于上表面，并通过未图示的旋转驱动机构向图11的(a)中箭头A所示的方向旋转。磨削机构62具备：主轴壳体63；旋转主轴64，通过以旋转自如的方式支承于该主轴壳体63的未图示的旋转驱动机构驱动该旋转主轴64而使其旋转；安装座65，其安装于该旋转主轴64的下端；以及磨轮66，其安装于该安装座65的下表面。该磨轮66由圆环状的基座67以及环状地安装于该基座67的下表面的磨具68构成，基座67通过紧固螺栓69安装于安装座65的下表面。
为了使用上述磨削装置6来实施上述背面磨削工序，如图11的(a)所示，将粘贴在构成半导体晶片2的功能层21的正面21a的保护带5侧载置于卡盘工作台61的上表面(保持面)。并且，通过未图示的吸引机构，将半导体晶片2经由保护带5吸附保持于卡盘工作台61上(晶片保持工序)。因此，对于保持于卡盘工作台61上的半导体晶片2而言，基板20的背面20b是上侧。如果像这样将半导体晶片2经由保护带5吸引保持于卡盘工作台61上，则一边使卡盘工作台61向图11的(a)中箭头A所示的方向以例如300rpm旋转，一边使磨削机构62的磨轮66向图11的(a)中箭头B所示的方向以例如6000rpm旋转，并且如图11的(b)所示使磨具68与作为被加工面的构成半导体晶片2的基板20的背面20b接触，并将磨轮66如箭头C所示以例如1μm/秒的磨削进给速度向下方(相对于卡盘工作台61的保持面垂直的方向)磨削进给规定的量。结果，对基板20的背面20b进行磨削，半导体晶片2形成为规定的厚度(例如100μm)，并且沿着形成改质层25而强度降低的分割预定线23被分割为各个器件22。在该背面磨削工序中，虽然在上述的改质层形成工序中从改质层25产生的裂纹26进一步成长，但是由于该裂纹26在割断功能层21而形成的2条激光加工槽24、24之间的范围内成长，在从分割预定线23偏离的区域中不成长，因此不会到达器件22，因此不会使沿分割预定线23被分割的器件22的品质降低。
如果实施了上述的背面磨削工序，则实施晶片支承工序，在构成半导体晶片2的基板20的背面20b粘贴划片带并通过环状的框架支承划片带的外周部，并且将粘贴在构成半导体晶片2的功能层21的正面21a上的作为保护部件的保护带5剥离。即，如图12所示，将构成实施了上述改质层形成工序后的半导体晶片2的基板20的背面20b粘贴到安装于环状的框架F的划片带T上。然后，剥离粘贴于功能层21的正面21a的保护带5。
如果如上所述实施了晶片支承工序，则将沿分割预定线23被分割的器件22从划片带T剥离并输送至进行拾取的拾取工序。能够使用上述图7中示出的带扩展装置4如图9所示那样实施该拾取工序。
Claims (3)
1.一种晶片的加工方法，所述晶片是如下的晶片：层叠在基板的正面上的功能层被形成为格子状的多条分割预定线划分，在通过该多条分割预定线而划分的多个区域中形成有器件，其特征在于，
该晶片的加工方法包含：
激光加工槽形成工序，对分割预定线沿着宽度方向中央的两侧照射对于功能层具有吸收性的波长的激光光线而形成至少2条激光加工槽，从而沿着分割预定线割断功能层；以及
改质层形成工序，从晶片的背面侧沿着分割预定线照射对于基板具有透过性的波长的激光光线，在基板的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层，从而从改质层形成在割断功能层而形成的2条激光加工槽之间的范围内成长且在从分割预定线偏离的区域中不成长的裂纹。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法中，在实施该改质层形成工序之后实施如下的工序：
晶片支承工序，在晶片的基板的背面上粘贴划片带，并通过环状的框架支承划片带的外周部；以及
分割工序，经由划片带对晶片施加外力从而将晶片分割为各个器件。
3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法中，实施如下的工序：
保护部件粘贴工序，在实施该改质层形成工序之前或者实施之后，在晶片的功能层的正面上粘贴保护部件；
背面磨削工序，在实施该保护部件粘贴工序之后，对晶片的基板的背面进行磨削而形成为规定的厚度，并且以改质层作为断裂起点沿着分割预定线将晶片分割为各个器件；以及
晶片支承工序，在晶片的基板的背面上粘贴划片带并通过环状的框架支承划片带的外周部，并且将粘贴在晶片的功能层的正面上的保护部件剥离。
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