JP2018133370A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)レーザー加工溝の幅が十分であってもレーザー加工溝の側面に付着した溶融物に切削ブレードが接触して突発的にデバイスの外周に欠けが生じる。
(2)レーザー加工溝の形成によるLow−k膜の除去が不十分であると切削ブレードのズレや倒れが発生してデバイスのLow−k膜に剥離が生じる。
(3)切削ブレードの幅を超える幅のレーザー加工溝を形成するため、幅の広い分割予定ラインが必要となりデバイスの取り個数が減少する。
2a:表面
2b:裏面
4:第二のウエーハ
4a:表面
4b:裏面
6:分割予定ライン(第一のウエーハ)
8:デバイス(第一のウエーハ)
12:分割予定ライン(第二のウエーハ)
14:デバイス(第二のウエーハ)
18:接着層
46:切削ブレード
50:第一の切削溝
52:第二の切削溝
LB:パルスレーザー光線
66:ダイシングテープ
Claims (5)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
第一のウエーハの表面と第二のウエーハの表面とを対面させ接着層を介在して一体にする一体化工程と、
第一のウエーハの裏面から第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第一のウエーハの表面に至らない深さの第一の切削溝を形成する第一の切削溝形成工程と、
第二のウエーハの裏面から第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第二のウエーハの表面に至らない深さの第二の切削溝を形成する第二の切削溝形成工程と、
第一のウエーハの裏面から第一の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第一のウエーハの分割予定ラインを切断する第一の切断工程と、
第二のウエーハの裏面から第二の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハの分割予定ラインを切断する第二の切断工程と、
を少なくとも含み構成されるウエーハの加工方法。 - 該一体化工程の後に、
第一のウエーハの裏面を研削して第一のウエーハを薄化すると共に第二のウエーハの裏面を研削して第二のウエーハを薄化する裏面研削工程が含まれる請求項1記載のウエーハの加工方法。 - 該一体化工程において、第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインと第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインとが交差するように一体にする請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 該交差する角度は略45度である請求項3記載のウエーハの加工方法。
- 該一体化工程において使用する該接着層は熱硬化性を有し、
該第二の切断工程の後、一体となったウエーハを加熱して該接着層を硬化させる接着層硬化工程と、
第一のウエーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共に第二のウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し第一のウエーハと第二のウエーハとを分離する分離工程と、を含む請求項1記載のウエーハの加工方法。
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---|---|---|---|---|
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62264864A (ja) * | 1986-05-10 | 1987-11-17 | Sony Corp | 基体の研摩方法 |
JPH05152263A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 両面研磨機によるシリコンウエーハの片面研磨方法 |
JP2002341322A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法および製造装置 |
WO2004007164A1 (ja) * | 2002-07-02 | 2004-01-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. | 貼り合わせ基板の基板分断システムおよび基板分断方法 |
JP2005064231A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
JP2007090405A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Epson Toyocom Corp | 積層光学素子、及びその製造方法 |
JP2015119085A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハの加工方法 |
JP2015126054A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
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- 2017-02-13 JP JP2017024308A patent/JP6808525B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62264864A (ja) * | 1986-05-10 | 1987-11-17 | Sony Corp | 基体の研摩方法 |
JPH05152263A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 両面研磨機によるシリコンウエーハの片面研磨方法 |
JP2002341322A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法および製造装置 |
WO2004007164A1 (ja) * | 2002-07-02 | 2004-01-22 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. | 貼り合わせ基板の基板分断システムおよび基板分断方法 |
JP2005064231A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の分割方法 |
JP2007090405A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Epson Toyocom Corp | 積層光学素子、及びその製造方法 |
JP2015119085A (ja) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハの加工方法 |
JP2015126054A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111128807A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-05-08 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质 |
CN111128807B (zh) * | 2019-12-27 | 2023-06-23 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质 |
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