JP2018133370A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】表面にLow−k膜が積層されたウエーハを破損することなく個々のデバイスに分割できるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】第一のウエーハ2の表面2aと第二のウエーハ4の表面4aとを接着層18を介在して一体にする工程と、第一のウエーハの裏面2bから第一のウエーハの分割予定ラインに切削ブレードを位置づけて第一のウエーハ2の表面に至らない深さの第一の切削溝50を形成する工程と、第二のウエーハの裏面4bから第二のウエーハ4の分割予定ラインに切削ブレードを位置づけて第二のウエーハの表面に至らない深さの第二の切削溝52を形成する工程と、第一のウエーハの裏面から第一の切削溝に沿ってレーザー光線LBを照射して第一のウエーハの分割予定ラインを切断する工程と、第二のウエーハの裏面から第二の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハの分割予定ラインを切断する工程とを少なくとも含む。【選択図】図6

Description

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、切削ブレードを備えたダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
デバイスの高速化を図るためにシリコンウエーハ等の半導体基板の表面にLow−k膜(低誘電率絶縁体被膜)が複数積層されてIC、LSI等の回路が形成される。Low−k膜は分割予定ラインにも積層されていて切削ブレードで切断すると雲母のように剥離し、デバイスの品質を低下させるという問題があることから、レーザー光線を分割予定ラインに沿って照射してレーザー加工溝を形成することによってLow−k膜を除去し、レーザー加工溝に切削ブレードを位置づけてダイシングしウエーハを個々のデバイスに分割する技術が提案され実用に供されている(特許文献1参照。)。
しかし、下記特許文献1に開示された技術は以下のような問題を含んでいる。
(1)レーザー加工溝の幅が十分であってもレーザー加工溝の側面に付着した溶融物に切削ブレードが接触して突発的にデバイスの外周に欠けが生じる。
(2)レーザー加工溝の形成によるLow−k膜の除去が不十分であると切削ブレードのズレや倒れが発生してデバイスのLow−k膜に剥離が生じる。
(3)切削ブレードの幅を超える幅のレーザー加工溝を形成するため、幅の広い分割予定ラインが必要となりデバイスの取り個数が減少する。
そこで本出願人は、ダイシング装置によってウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけてウエーハの表面に至らない切削溝を形成し、その後、ウエーハの裏面から切削溝に沿ってレーザー光線を照射してLow−k膜を切断する技術を提案した(特許文献2参照。)。
特開2005−64231号公報 特開2015−126054号公報
ところが、上記特許文献2に開示された技術では、ウエーハの裏面に切削溝を形成した後、ダイシング装置からウエーハを搬出しレーザー加工装置までウエーハを搬送する際、ウエーハが切削溝に沿って破損するという問題がある。
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、表面にLow−k膜が積層され分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成されたウエーハを破損することなく個々のデバイスに分割できるウエーハの加工方法を提供することである。
上記課題を解決するために本発明が提供するのは、以下のウエーハの加工方法である。すなわち、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、第一のウエーハの表面と第二のウエーハの表面とを対面させ接着層を介在して一体にする一体化工程と、第一のウエーハの裏面から第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第一のウエーハの表面に至らない深さの第一の切削溝を形成する第一の切削溝形成工程と、第二のウエーハの裏面から第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第二のウエーハの表面に至らない深さの第二の切削溝を形成する第二の切削溝形成工程と、第一のウエーハの裏面から第一の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第一のウエーハの分割予定ラインを切断する第一の切断工程と、第二のウエーハの裏面から第二の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハの分割予定ラインを切断する第二の切断工程と、を少なくとも含み構成されるウエーハの加工方法である。
好ましくは、該一体化工程の後に、第一のウエーハの裏面を研削して第一のウエーハを薄化すると共に第二のウエーハの裏面を研削して第二のウエーハを薄化する裏面研削工程が含まれる。該一体化工程において、第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインと第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインとが交差するように一体にするのが好適である。該交差する角度は略45度であるのが好都合である。該一体化工程において使用する該接着層は熱硬化性を有し、該第二の切断工程の後、一体となったウエーハを加熱して該接着層を硬化させる接着層硬化工程と、第一のウエーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共に第二のウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し第一のウエーハと第二のウエーハとを分離する分離工程と、を含むのが好ましい。
本発明が提供するウエーハの加工方法は、第一のウエーハの表面と第二のウエーハの表面とを対面させ接着層を介在して一体にする一体化工程と、第一のウエーハの裏面から第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第一のウエーハの表面に至らない深さの第一の切削溝を形成する第一の切削溝形成工程と、第二のウエーハの裏面から第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第二のウエーハの表面に至らない深さの第二の切削溝を形成する第二の切削溝形成工程と、第一のウエーハの裏面から第一の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第一のウエーハの分割予定ラインを切断する第一の切断工程と、第二のウエーハの裏面から第二の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハの分割予定ラインを切断する第二の切断工程と、を少なくとも含み構成されているので、第一のウエーハと第二のウエーハとが互いに補強しあってダイシング装置からレーザー加工装置までの搬送の際にウエーハが破損することがない。
(a)第一のウエーハ及び第二のウエーハの斜視図、(b)一体化工程が実施されている状態を示す斜視図、(c)一体化ウエーハの斜視図。 裏面研削工程が実施されている状態を示す斜視図。 (a)第一の切削溝形成工程が実施されている状態を示す斜視図、(b)第一の切削溝が形成された一体化ウエーハの断面図。 (a)第二の切削溝形成工程が実施されている状態を示す斜視図、(b)第二の切削溝が形成された一体化ウエーハの断面図。 第一の切削溝及び第二の切削溝が形成された一体化ウエーハの斜視図。 (a)第一の切断工程が実施されている状態を示す斜視図、(b)第一のウエーハの分割予定ラインが切断された一体化ウエーハの断面図。 (a)第二の切断工程が実施されている状態を示す斜視図、(b)第二のウエーハの分割予定ラインが切断された一体化ウエーハの断面図。 分離工程が実施されている状態を示す斜視図。
以下、本発明のウエーハの加工方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図1(a)には、シリコン基板等から形成され得る円盤状の第一のウエーハ2及び第二のウエーハ4が示されている。Low−k膜(図示していない。)が複数積層されている第一のウエーハ2の表面2aは、格子状の分割予定ライン6によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはIC、LSI等のデバイス8が形成されている。第一のウエーハ2の周縁には結晶方位を示すノッチ10が形成され、ノッチ10を方位の基準として分割予定ライン6が第一のウエーハ2の表面2aに形成されている。また、Low−k膜(図示していない。)が複数積層されている第二のウエーハ4の表面4aも、格子状の分割予定ライン12によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはIC、LSI等のデバイス14が形成されている。第二のウエーハ4の周縁にも結晶方位を示すノッチ16が形成され、ノッチ16を方位の基準として分割予定ライン12が第二のウエーハ4の表面4aに形成されている。
図示の実施形態では図1(b)に示すとおり、まず、第一のウエーハ2の表面2aと第二のウエーハ4の表面4aとを対面させ、接着層18を介在して第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とを一体にする一体化工程を実施する。第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とが一体となったウエーハ20(以下「一体化ウエーハ20」という。)を図1(c)に示す。一体化工程では、第一のウエーハ2の径方向中心と第二のウエーハ4の径方向中心とを整合させた状態で第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とを一体にする。また、一体化工程では、第一のウエーハ2の分割予定ライン6と第二のウエーハ4の分割予定ライン12とが交差するように、第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とを一体にするのが好適である。図示の実施形態では図1(c)に示すとおり、一体化ウエーハ20の中心Oから第一のウエーハ2のノッチ10を結ぶ線分と、一体化ウエーハ20の中心Oから第二のウエーハ4のノッチ16を結ぶ線分とのなす角度が略45度であり、したがって第一のウエーハ2の分割予定ライン6と第二のウエーハ4の分割予定ライン12とが交差する角度は略45度である。第一のウエーハ2の分割予定ライン6と第二のウエーハ4の分割予定ライン12とが交差している場合は、第一のウエーハ2の分割予定ライン6と第二のウエーハ4の分割予定ライン12とが整合している場合と比較して、第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とがより効果的に互いに補強しあうこととなる。また、液状樹脂接着剤又は両面テープ等が用いられ得る接着層18は熱硬化性を有するのが好ましい。接着層18が熱硬化性を有する場合は、一体化ウエーハ20を加熱して接着層18を硬化させ接着力を低下させることで、第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とを容易に分離することができる。
一体化工程を実施した後、第一のウエーハ2の裏面2bを研削して第一のウエーハ2を薄化すると共に第二のウエーハ4の裏面4bを研削して第二のウエーハ4を薄化する裏面研削工程を実施する。裏面研削工程は、たとえば図2にその一部を示す研削装置22を用いて実施することができる。研削装置22は、被加工物を保持するチャックテーブル24と、チャックテーブル24に保持された被加工物を研削する研削手段26とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブル24は、回転手段(図示していない。)によって上下方向に延びる軸線を中心として回転される。研削手段26は、モータ(図示していない。)に連結され、かつ上下方向に延びる円柱状のスピンドル28と、スピンドル28の下端に固定された円盤状のホイールマウント30とを含む。ホイールマウント30の下面にはボルト32によって環状の研削ホイール34が固定されている。研削ホイール34の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石36が固定されている。図2に示すとおり、研削砥石36がチャックテーブル24の回転中心を通るように、研削ホイール34の回転中心はチャックテーブル24の回転中心に対して変位している。このため、チャックテーブル24と研削ホイール34とが相互に回転しながら、チャックテーブル24の上面に保持された被加工物の上面と研削砥石36とが接触した場合に、被加工物の上面全体が研削砥石36によって研削される。
図2を参照して説明を続けると、裏面研削工程では、まず、第一のウエーハ2の裏面2bを上に向けて、研削装置22のチャックテーブル24の上面に一体化ウエーハ20を吸着させる。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度(たとえば300rpm)でチャックテーブル24を回転手段によって回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度(たとえば6000rpm)でスピンドル28をモータによって回転させる。次いで、研削装置22の昇降手段(図示していない。)によってスピンドル28を下降させ、第一のウエーハ2の裏面2bに研削砥石36を接触させる。第一のウエーハ2の裏面2bに研削砥石36を接触させた後は所定の研削送り速度(たとえば1.0μm/s)でスピンドル28を下降させる。これによって、第一のウエーハ2の裏面2bを研削して第一のウエーハ2を薄化することができる。次いで、第一のウエーハ2を薄化した際の手順と同様の手順で第二のウエーハ4を薄化する。すなわち、第二のウエーハ4の裏面4bを上に向けてチャックテーブル24の上面に一体化ウエーハ20を吸着させた上で、上方からみて反時計回りに所定の回転速度(たとえば300rpm)でチャックテーブル24を回転手段によって回転させると共に、上方からみて反時計回りに所定の回転速度(たとえば6000rpm)でスピンドル28をモータによって回転させる。次いで、研削装置22の昇降手段によってスピンドル28を下降させ、第二のウエーハ4の裏面4bに研削砥石36を接触させる。第二のウエーハ4の裏面4bに研削砥石36を接触させた後は所定の研削送り速度でスピンドル28を下降させる。これによって、第二のウエーハ4の裏面4bを研削して第二のウエーハ4を薄化することができる。
裏面研削工程を実施した後、第一のウエーハ2の裏面2bから、第一のウエーハ2の表面2aに形成された分割予定ライン6に対応する領域に切削ブレードを位置づけて第一のウエーハ2の表面2aに至らない深さの第一の切削溝を形成する第一の切削溝形成工程を実施する。第一の切削溝形成工程は、たとえば図3(a)にその一部を示すダイシング装置38を用いて実施することができる。ダイシング装置38は、被加工物を保持するチャックテーブル40と、チャックテーブル40に保持された被加工物を切削する切削手段42と、チャックテーブル40に保持された被加工物を撮像する撮像手段(図示していない。)とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブル40は、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、切削手段42に対して相対的に、X方向移動手段によってX方向に進退され、Y方向移動手段によってY方向に進退される(いずれも図示していない。)。切削手段42は、実質上水平に延びる円筒状のスピンドルハウジング44と、実質上水平に延びる軸線を中心として回転自在にスピンドルハウジング44に内蔵された円柱状のスピンドル(図示していない。)とを含む。スピンドルの基端部にはモータ(図示していない。)が連結され、スピンドルの先端部には環状の切削ブレード46が固定されている。切削ブレード46の上部はブレードカバー48で覆われている。撮像手段は、可視光線により被加工物を撮像する通常の撮像素子(CCD)と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕らえる光学系と、光学系が捕らえた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)とを含む(いずれも図示していない。)。なお、X方向は図3(a)に矢印Xで示す方向であり、Y方向は図3(a)に矢印Yで示す方向であってX方向に直交する方向である。X方向及びY方向が規定する平面は実質上水平である。
図3(a)を参照して説明を続けると、第一の切削溝形成工程では、まず、第一のウエーハ2の裏面2bを上に向けて、ダイシング装置38のチャックテーブル40の上面に一体化ウエーハ20を吸着させる。次いで、ダイシング装置38の撮像手段によって上方から一体化ウエーハ20を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像された一体化ウエーハ20の画像に基づいて、ダイシング装置38のX方向移動手段、Y方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル40を移動及び回転させることによって、第一のウエーハ2の分割予定ライン6をX方向及びY方向に整合させると共に、X方向に整合させた分割予定ライン6に対応する領域の片端部の上方に切削ブレード46を位置づける。このとき、第一のウエーハ2の裏面2bが上に向けられ、分割予定ライン6が形成されている表面2aは下に向けられているが、上述のとおり、撮像手段は、赤外線照射手段と、赤外線を捕らえる光学系と、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)とを含むので、第一のウエーハ2の裏面2bから透かして表面2aの分割予定ライン6を撮像することができる。次いで、図3(a)に矢印Aで示す方向にスピンドルと共に切削ブレード46をモータによって回転させる。次いで、ダイシング装置38の昇降手段(図示していない。)によってスピンドルハウジング44を下降させ、第一のウエーハ2の分割予定ライン6に対応する領域に、第一のウエーハ2の裏面2bから表面2aに至らない深さ(すなわち、Low−k膜に至らない深さ)まで切削ブレード46の刃先を切り込ませると共に、チャックテーブル40を所定の加工送り速度でX方向移動手段によってX方向に加工送りすることによって、図3(a)及び(b)に示すとおり、第一のウエーハ2の分割予定ライン6の片端部から他端部までに対応する領域に裏面2bから表面2aに至らない深さの第一の切削溝50を形成する第一の切削加工を施す。次いで、第一のウエーハ2の分割予定ライン6の間隔の分だけ一体化ウエーハ20と切削ブレード46とを相対的にY方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第一のウエーハ2の分割予定ライン6の間隔の分だけ、切削ブレード46をY方向移動手段によってY方向にインデックス送りしている。そして、第一の切削加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、X方向に整合させた第一のウエーハ2の分割予定ライン6に対応する領域のすべてに第一の切削加工を施す。また、ダイシング装置38の回転手段によってチャックテーブル40を90度回転させた上で、第一の切削加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に第一の切削加工を施した分割予定ライン6に対応する領域と直交する分割予定ライン6に対応する領域のすべてにも第一の切削加工を施す。これによって、図5に示すとおり、第一のウエーハ2の表面2aに形成された格子状の分割予定ライン6に対応する領域に第一のウエーハ2の裏面2bから表面2aに至らない深さの第一の切削溝50を格子状に形成することができる。
図4を参照して説明する。第一の切削溝形成工程を実施した後、第二のウエーハ4の裏面4bから、第二のウエーハ4の表面4aに形成された分割予定ライン12に対応する領域に切削ブレードを位置づけて第二のウエーハ4の表面4aに至らない深さの第二の切削溝を形成する第二の切削溝形成工程を実施する。第二の切削溝形成工程は、上述のダイシング装置38を用いて実施することができる。第二の切削溝形成工程では、まず、第二のウエーハ4の裏面4bを上に向けて、ダイシング装置38のチャックテーブル40の上面に一体化ウエーハ20を吸着させる。次いで、ダイシング装置38の撮像手段によって上方から一体化ウエーハ20を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像された一体化ウエーハ20の画像に基づいて、ダイシング装置38のX方向移動手段、Y方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル40を移動及び回転させることによって、第二のウエーハ4の分割予定ライン12をX方向及びY方向に整合させると共に、X方向に整合させた分割予定ライン12に対応する領域の片端部の上方に切削ブレード46を位置づける。このとき、第二のウエーハ4の裏面4bが上に向けられ、分割予定ライン12が形成されている表面4aは下に向けられているが、上述のとおり、撮像手段は、赤外線照射手段と、赤外線を捕らえる光学系と、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)とを含むので、第二のウエーハ4の裏面4bから透かして表面4aの分割予定ライン12を撮像することができる。次いで、図4(a)に矢印Aで示す方向にスピンドルと共に切削ブレード46をモータによって回転させる。次いで、ダイシング装置38の昇降手段によってスピンドルハウジング44を下降させ、第二のウエーハ4の分割予定ライン12に対応する領域に、第二のウエーハ4の裏面4bから表面4aに至らない深さ(すなわち、Low−k膜に至らない深さ)まで切削ブレード46の刃先を切り込ませると共に、チャックテーブル40を所定の加工送り速度でX方向移動手段によってX方向に加工送りすることによって、図4(a)及び(b)に示すとおり、第二のウエーハ4の分割予定ライン12の片端部から他端部までに対応する領域に裏面4bから表面4aに至らない深さの第二の切削溝52を形成する第二の切削加工を施す。次いで、第二のウエーハ4の分割予定ライン12の間隔の分だけ一体化ウエーハ20と切削ブレード46とを相対的にY方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第二のウエーハ4の分割予定ライン12の間隔の分だけ、切削ブレード46をY方向移動手段によってY方向にインデックス送りしている。そして、第二の切削加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、X方向に整合させた第二のウエーハ4の分割予定ライン12に対応する領域のすべてに第二の切削加工を施す。また、ダイシング装置38の回転手段によってチャックテーブル40を90度回転させた上で、第二の切削加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に第二の切削加工を施した分割予定ライン12に対応する領域と直交する分割予定ライン12に対応する領域のすべてにも第二の切削加工を施す。これによって、第二のウエーハ4の表面4aに形成された格子状の分割予定ライン12に対応する領域に第二のウエーハ4の裏面4bから表面4aに至らない深さの第二の切削溝52を格子状に形成することができる。
第二の切削溝形成工程を実施した後、第一のウエーハ2の裏面2bから第一の切削溝50に沿ってレーザー光線を照射して第一のウエーハ2の分割予定ライン6を切断する第一の切断工程を実施する。第一の切断工程は、たとえば図6(a)にその一部を示すレーザー加工装置54を用いて実施することができる。レーザー加工装置54は、被加工物を保持するチャックテーブル56と、チャックテーブル56に保持された被加工物にパルスレーザー光線LBを照射する集光器58とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブル56は、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、X方向移動手段によってX方向に進退され、Y方向移動手段によってY方向に進退される(いずれも図示していない。)。集光器58は、レーザー加工装置54のパルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線LBを集光して被加工物に照射するための集光レンズ(いずれも図示していない。)を含む。なお、X方向は図6(a)に矢印Xで示す方向であり、Y方向は図6(a)に矢印Yで示す方向であってX方向に直交する方向である。X方向及びY方向が規定する平面は実質上水平である。
図6(a)を参照して説明を続けると、第一の切断工程では、まず、第一のウエーハ2の裏面2bを上に向けて、レーザー加工装置54のチャックテーブル56の上面に一体化ウエーハ20を吸着させる。次いで、レーザー加工装置54の撮像手段(図示していない。)によって上方から一体化ウエーハ20を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像された一体化ウエーハ20の画像に基づいて、レーザー加工装置54のX方向移動手段、Y方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル56を移動及び回転させることによって、格子状の第一の切削溝50をX方向及びY方向に整合させると共に、X方向に整合させた第一の切削溝50の片端部の上方に集光器58を位置づける。次いで、レーザー加工装置54の集光点位置調整手段(図示していない。)によって集光器58を昇降させ、第一の切削溝50の下端に集光点を位置づける。次いで、一体化ウエーハ20と集光点とを相対的にX方向に移動させながら、第一の切削溝50の片端部から他端部まで第一の切削溝50に沿って第一のウエーハ2に対して吸収性を有するパルスレーザー光線LBを集光器58から照射して分割予定ライン6を切断する第一のアブレーション加工を施す。図示の実施形態では第一のアブレーション加工において、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブル56を所定の加工送り速度でX方向移動手段によってX方向に加工送りしている。次いで、第一の切削溝50の間隔の分だけ一体化ウエーハ20と集光点とを相対的にY方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第一の切削溝50の間隔の分だけ、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブル56をY方向移動手段によってY方向にインデックス送りしている。そして、第一のアブレーション加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、X方向に整合させた第一の切削溝50のすべてに第一のアブレーション加工を施す。また、回転手段によってチャックテーブル56を90度回転させた上で、第一のアブレーション加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に第一のアブレーション加工を施した第一の切削溝50と直交する第一の切削溝50のすべてにも第一のアブレーション加工を施す。これによって、第一のウエーハ2の裏面2bから第一の切削溝50に沿って第一のウエーハ2の分割予定ライン6を切断することができる。第一のアブレーション加工によって第一のウエーハ2の分割予定ライン6が切断された部分(第一の切削溝50の下端に形成されたレーザー加工溝)を図6(b)に符号60で示す。
図7を参照して説明する。第一の切断工程を実施した後、第二のウエーハ4の裏面4bから第二の切削溝52に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハ4の分割予定ライン12を切断する第二の切断工程を実施する。第二の切断工程は、上述のレーザー加工装置54を用いて実施することができる。第二の切断工程では、まず、第二のウエーハ4の裏面4bを上に向けて、レーザー加工装置54のチャックテーブル56の上面に一体化ウエーハ20を吸着させる。次いで、レーザー加工装置54の撮像手段によって上方から一体化ウエーハ20を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像された一体化ウエーハ20の画像に基づいて、レーザー加工装置54のX方向移動手段、Y方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブル56を移動及び回転させることによって、格子状の第二の切削溝52をX方向及びY方向に整合させると共に、X方向に整合させた第二の切削溝52の片端部の上方に集光器58を位置づける。次いで、レーザー加工装置54の集光点位置調整手段によって集光器58を昇降させ、第二の切削溝52の下端に集光点を位置づける。次いで、一体化ウエーハ20と集光点とを相対的にX方向に移動させながら、第二の切削溝52の片端部から他端部まで第二の切削溝52に沿って第二のウエーハ4に対して吸収性を有するパルスレーザー光線LBを集光器58から照射して分割予定ライン12を切断する第二のアブレーション加工を施す。図示の実施形態では第二のアブレーション加工において、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブル56を所定の加工送り速度でX方向移動手段によってX方向に加工送りしている。次いで、第二の切削溝52の間隔の分だけ一体化ウエーハ20と集光点とを相対的にY方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第二の切削溝52の間隔の分だけ、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブル56をY方向移動手段によってY方向にインデックス送りしている。そして、第二のアブレーション加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、X方向に整合させた第二の切削溝52のすべてに第二のアブレーション加工を施す。また、回転手段によってチャックテーブル56を90度回転させた上で、第二のアブレーション加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に第二のアブレーション加工を施した第二の切削溝52と直交する第二の切削溝52のすべてにも第二のアブレーション加工を施す。これによって、第二のウエーハ4の裏面4bから第二の切削溝52に沿って第二のウエーハ4の分割予定ライン12を切断することができる。第二のアブレーション加工によって第二のウエーハ4の分割予定ライン12が切断された部分(第二の切削溝52の下端に形成されたレーザー加工溝)を図7(b)に符号62で示す。
第二の切断工程を実施した後、一体化ウエーハ20を加熱して接着層18を硬化させる接着層硬化工程を実施する。上述のとおり、一体化工程において使用した接着層18が熱硬化性を有する場合には、一体化ウエーハ20を加熱して接着層18を硬化させ接着力を低下させることで、第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とを容易に分離することができる。
即ち、図8を参照して説明する。接着層硬化工程を実施した後、第一のウエーハ2の裏面2bにダイシングテープを貼着すると共に第二のウエーハ4の裏面4bにダイシングテープを貼着し、第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とを分離する分離工程を実施する。図示の実施形態では、周縁が環状フレーム64の裏面64bに固定されたダイシングテープ66を用いる。環状フレーム64には略直角の第一の切欠き68と鋭角の第二の切欠き70とが形成され、第一の切欠き68と第二の切欠き70とが形成されていることによって環状フレーム64の表面64a及び裏面64bが容易に判別できるようになっている。また、環状フレーム64の外周縁には直線状に延びる4個のフラット部72が形成されている。図8に示すとおり、分離工程では、まず、第一のウエーハ2の裏面2bに一方のダイシングテープ66を貼着すると共に、第二のウエーハ4の裏面4bに他方のダイシングテープ66を貼着する。次いで、一方の環状フレーム64と他方の環状フレーム64とを上下方向に離間させる。これによって、第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とを分離することができる。なお、第一のウエーハ2の裏面2bに一方のダイシングテープ66を貼着すると共に、第二のウエーハ4の裏面4bに他方のダイシングテープ66を貼着する際に、一方の環状フレーム64の第一の切欠き68と第二の切欠き70との中間に第一のウエーハ2のノッチ10を位置づけることによって格子状の第一の切削溝50及びレーザー加工溝60を環状フレーム64のフラット部72に整合させると共に、他方の環状フレーム64の第一の切欠き68と第二の切欠き70との中間に第二のウエーハ4のノッチ16を位置づけることによって格子状の第二の切削溝52及びレーザー加工溝62を環状フレーム64のフラット部72に整合させることで、フラット部72を基準にして適宜のピックアップ手段(図示していない。)によって個々のデバイス8、14をピックアップすることによりピックアップ作業を容易に行うことができる。
以上のとおり、本発明のウエーハの加工方法では、第一のウエーハ2と第二のウエーハ4とが互いに補強しあってダイシング装置38からレーザー加工装置54までの搬送の際に第一のウエーハ2及び第二のウエーハ4が破損することがない。
2:第一のウエーハ
2a:表面
2b:裏面
4:第二のウエーハ
4a:表面
4b:裏面
6:分割予定ライン(第一のウエーハ)
8:デバイス(第一のウエーハ)
12:分割予定ライン(第二のウエーハ)
14:デバイス(第二のウエーハ)
18:接着層
46:切削ブレード
50:第一の切削溝
52:第二の切削溝
LB:パルスレーザー光線
66:ダイシングテープ

Claims (5)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
    第一のウエーハの表面と第二のウエーハの表面とを対面させ接着層を介在して一体にする一体化工程と、
    第一のウエーハの裏面から第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第一のウエーハの表面に至らない深さの第一の切削溝を形成する第一の切削溝形成工程と、
    第二のウエーハの裏面から第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第二のウエーハの表面に至らない深さの第二の切削溝を形成する第二の切削溝形成工程と、
    第一のウエーハの裏面から第一の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第一のウエーハの分割予定ラインを切断する第一の切断工程と、
    第二のウエーハの裏面から第二の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハの分割予定ラインを切断する第二の切断工程と、
    を少なくとも含み構成されるウエーハの加工方法。
  2. 該一体化工程の後に、
    第一のウエーハの裏面を研削して第一のウエーハを薄化すると共に第二のウエーハの裏面を研削して第二のウエーハを薄化する裏面研削工程が含まれる請求項1記載のウエーハの加工方法。
  3. 該一体化工程において、第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインと第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインとが交差するように一体にする請求項1記載のウエーハの加工方法。
  4. 該交差する角度は略45度である請求項3記載のウエーハの加工方法。
  5. 該一体化工程において使用する該接着層は熱硬化性を有し、
    該第二の切断工程の後、一体となったウエーハを加熱して該接着層を硬化させる接着層硬化工程と、
    第一のウエーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共に第二のウエーハの裏面にダイシングテープを貼着し第一のウエーハと第二のウエーハとを分離する分離工程と、を含む請求項1記載のウエーハの加工方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111128807A (zh) * 2019-12-27 2020-05-08 青岛歌尔微电子研究院有限公司 非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62264864A (ja) * 1986-05-10 1987-11-17 Sony Corp 基体の研摩方法
JPH05152263A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Mitsubishi Materials Corp 両面研磨機によるシリコンウエーハの片面研磨方法
JP2002341322A (ja) * 2001-05-17 2002-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子の製造方法および製造装置
WO2004007164A1 (ja) * 2002-07-02 2004-01-22 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 貼り合わせ基板の基板分断システムおよび基板分断方法
JP2005064231A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP2007090405A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Epson Toyocom Corp 積層光学素子、及びその製造方法
JP2015119085A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP2015126054A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62264864A (ja) * 1986-05-10 1987-11-17 Sony Corp 基体の研摩方法
JPH05152263A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Mitsubishi Materials Corp 両面研磨機によるシリコンウエーハの片面研磨方法
JP2002341322A (ja) * 2001-05-17 2002-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示素子の製造方法および製造装置
WO2004007164A1 (ja) * 2002-07-02 2004-01-22 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. 貼り合わせ基板の基板分断システムおよび基板分断方法
JP2005064231A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP2007090405A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Epson Toyocom Corp 積層光学素子、及びその製造方法
JP2015119085A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP2015126054A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111128807A (zh) * 2019-12-27 2020-05-08 青岛歌尔微电子研究院有限公司 非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质
CN111128807B (zh) * 2019-12-27 2023-06-23 青岛歌尔微电子研究院有限公司 非完整晶圆处理方法、装置、设备及介质

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