JPS62264864A - 基体の研摩方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。

Ａ、産業上の利用分野 Ｂ１発明の概要 Ｃ９従来技術［第６図］ Ｄ１発明が解決しようとする問題点 Ｅ　問題点を解決するための手段 Ｆ　作用 Ｇ、実施例［第１図乃至第５図］ Ｈ０発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明は基体の研摩方法、特に半導体ウニ八等の基体の
研摩方法に関する。

（Ｂ、発明の概要） 本発明は、基体の研摩方法において、 １個の基体の両面が研摩されて両面ともミラー面となる
ことのないようにし、且つ多くの基体を能率良く研摩す
るため、 ２個の基体を研摩すべき面と反射側の面にて固定して１
組の基体をつくり、何組かの基体の研磨すべき而を同時
に研摩するものである。

従って、本発明基体の研摩方法によれば、同時に研摩さ
れた各組の２枚の基体はそれぞわ片面だけ研摩され、両
面が研摩されてしまうことを回避することができ、また
、２個の基体を１組として１又は複数組の基体を同時に
研摩することかてきるので１枚の基体を単位としてその
両面を研摩する場合に比較して基体の研摩能率を非常に
高くすることができる。

（Ｃ，従来技術）［第６図］ シリコン半導体素子の高集積化はめざましく、メモリデ
バイスの記憶容量がメガビットにもなる。そして、この
ような高集積化はフォトリソグラフィ技術に負うところ
が多い。そして、今日においてフォトリソグラフィには
投影露光装置により露光する技術が駆使され、そのため
解像度が非常に向上し、微細化技術が進歩した。

ところで、このようにフォトリソグラフィ技術が高くな
る程半導体ウェハに表面の平坦度が高いことが要求され
る。というのは、投影露光装置では半導体ウニへ表面に
焦点を合せて露光するので、半導体ウェハ表面にうねり
があると焦点ぼけが生じ、微細化が妨げられてしまうか
らである。

そこで、１つの半導体ウェハの両面を同時に研摩する研
摩方法がＳｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ１９
８３年３月号（プレスジャーナル社発行）の５９頁〜６
０頁及び８１頁〜８３頁に紹介されている。そして、そ
の研摩には第６図に示すような両面ポリッシング装置が
用いられる。

同図において、ａは下定盤、ｂは該下定盤ａの上側に適
宜離間してそれと平行に配置された上定盤で、上記上定
盤ａ及び下定１ｂの互いに対向する面には研摩布ｃ、ｄ
が貼着されている。ｅは円板状でのキャリアで、ウェハ
収納孔を有し、外周面にはギヤ歯が形成されており、そ
して、研摩布ｃ、ｄ間に挟まれた半導体ウニへｆ、ｆを
複雑にに運動（衛星運動）させる働きを仔する。ｇは該
キャリアｅと噛合するサンギヤ、ｈは該キャリアｅと噛
合するインターナルギヤで、キャリアｅはその両ギヤｇ
、ｈの回転によフて衛星運動せしめられ、そして、その
キャリアｅによって半導体ウェハｆは上下の研摩布ｄ、
ｃに挟まれた状態で衛星運動せしめられる。その結果、
半導体ウェハｆは研摩布ｄ、ｃによって上下両面が研摩
され、片面のみ研摩される場合に比較して非常に高い平
坦度が得られる。その点でこの両面を同時に研摩する研
摩方法は優れているといえる。

（Ｄ　発明が解決しようとする問題点）ところで、上述
した研摩方法によれば各半導体ウニへｆ、ｆの両面が同
時に研摩されるためその両面か共にミラー面となり、半
導体ウェハの裏表の区別がつきにくく、そのためデバイ
スのハンドリングが非常に面倒になるという問題がある
。

また、両面を研摩してミラー面にするとゲッタリングに
支障を来たす場合が生じる。というのは、半導体装置の
製造においては半導体ウェハの裏面からリン等を拡散さ
せる等して結晶欠陥をなくすゲッタリングが行われるこ
とが多く、特に超ＬＳＩやＣＣＤのような高密度化デバ
イスの歩留り、特性の向上にはゲッタリングが非常に多
い。

そして、そのゲッタリングを行うえて判導体ウェハのπ
面かミラー面であることはリン等のスムーズな拡散を妨
げるのて好ましくない。即ち、ゲッタリングを行うには
半導体ウェハの鬼面は粗面のままの方が好ましい。従っ
て、両面研摩はゲッタリングの面からも問題があった。

本発明はこれ等の問題を解決すべく為されたもので、基
体の両面をミラー面にすることなくその一方の表面の平
坦度を高め且つ多くの基体を能率良く表面研摩すること
を目的とする。

（Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明基体の研摩方法は上記問題点を解決するため、２
個の基体を重ねて固定して１組の基体とする工程と、１
又は複数組の基体の研磨すべき面を同時に研摩する工程
とを有することを特徴とするものである。

（Ｆ、作用） 本発明基体の研摩方法によれば、互いに固定された２枚
の基体はそれぞれ片面のみ研摩されるので基体の両面が
研摩されてミラー面となることを回避することかできる
。そして、１個の基体を単位として研摩するのではなく
２個の基体を１組として研摩することができるので、基
体の研摩能率を非常に高くすることができる。

（Ｇ、実施例）［第１図乃至第５図］ 以下、本発明基体の研摩方法を図示実施例に従って詳細
に説明する。

第１図乃至第５図は本発明基体の研摩方法の一実施例を
説明するためのものである。

先ず、第１図に示すように、ラッピング、エツチング等
の工程を経た２枚の半導体ウェハ１．２を適宜な接着剤
３によって接着する。４．５は半導体ウェハ１．２の研
摩すべき面であり、２枚の半導体ウェハ１．２はその研
摩すべき面４．５と反対側の面にて接着される。６．７
は研摩によりミラー面を形成すべき面である。この接着
に際して留意すべきことは前工程における精度を研摩工
程においても維持するため接着剤３の層に厚さむか生し
ないようにすることである。

このように２枚の半導体ウェハ１．２を接着したものを
単位として研摩を行うのである。この互いに接着された
２枚１組の半導体ウェハ１．２は複数組それぞれ第２図
に示すように研摩装置のエポキシ等からなるキャリア８
のウェハ収納孔９．９．９に収納される。このキャリア
８は１つの研摩装置に複数個設けられている。１０．１
０、・・・はキャリア８の周面に形成されたギヤ歯であ
る。尚、このキャリア８は２枚の半導体ウェハ１．２の
合計仕上り厚さよりもやや薄く形成しておく。

そして、第３図に示すように半導体ウェハ１．２の研摩
が行われる。同図において、１１は下定盤で、その盤面
には研摩布１２が貼着されている。１３は上定盤で、そ
の盤面にも研摩布１４が貼着されており、キャリア８の
ウェハ収納孔９に収納された半導体ウェハ１．２は上定
盤１３及び下定盤１１の盤面に貼着された研摩布１４．
１２間に挟まれた状態で自公転するキャリア８によって
複雑な運動（衛星のような運動）をせしめられる。この
とき、半導体ウェハ１．２の研摩すべき面４と５は同時
に研摩布１４．１２によって研摩され、ミラー面となる
。

そして、第４図に示すように所定量、即ちミラー面を形
成すべき而６．７まで研摩すると研摩を停屯し、キャリ
ア８から互いに接着されている半導体ウェハ１．２を取
り出す。その後、接着剤３を薬品で溶かす等して互いに
接着されていた半導体ウェハ１．２を第５図に示すよう
に剥離する。この半導体ウェハ１．２は剥離された後洗
浄され、更に仕上げ研摩されて半導体ウェハとして完成
したものとなる。

このような基体の研摩方法によれば、各半導体クエハ１
．２は片面のみが研摩されるのでその片面のみかミラー
面となり、もう一方の面は梨地状の粗面のままとなる。

従って、半導体ウェハ、半導体チップの表裏の判別が容
易であり、半導体ウェハのハンドリング、そしてデバイ
スでのハンドリンクに際して表裏の判別の困難性に起因
して生じていた従来の取扱いにくさがない。

また、２枚１組の半導体ウェハを単位として研摩するの
で１枚の半導体ウェハをｒｐ、位として研摩する従来の
研摩方法に比較して研摩能率を約２倍にすることができ
る。

そして、半導体ウェハの片方の面が研摩されず粗面のま
まなのでその研摩されない方の面をゲッタリングするこ
とにより、スムースなゲッタリングを行うことができる
。即ち、ミラー面に比較しやや粗い面の方がリン等のゲ
ッタを拡散しやすいので片面のみミラー面としもう一方
の而をミラー−面にしないようにすることにより支障な
くゲッタリングを為し得るのである。

更にまた、この半導体ウェハ研摩方法によれば、各半導
体ウェハは片面のみしか研摩されないので両面研摩する
場合に比較して研摩代（しろ）を少なくすることかでき
、その分生導体材料の無駄を少なくすることができる。

そして、１枚の基体を両面研摩する場合と同しように高
い平坦度か得られるので、大きな直径の半導体ウェハに
対しても反りを小さくすることができ、半導体ウェハの
大直経化にも対応することかてきる。

尚、キャリア８のウニへ収納孔９内に２枚の半導体ウェ
ハ１．２を接着しないで単に重ねただけの状態で収納し
、その状態で研磨する研摩方法も考えられなくはないが
、そのようにすると半導体ウェハ１．２の対向面どうし
が研摩圧力によってスリップし、その対向面に多数の大
きなキズが付くのでその方法は採り得ない。やはり、図
示した研摩方法のように半導体ウェハ１と２とを互いに
接着剤３等で固定したうえでその固定体の上下両面の同
時研摩を行えば裏面にキズを発生させることなく研磨す
べき表面を非常に平坦度の高いミラー面にすることがで
きる。

尚、上記実施例は複数組の半導体ウェハ１．２．１．２
・・・を同時に研磨するものであったが、１組の半導体
ウェハ１．２を同時に研磨する場合もあり得る。

（Ｈ，発明の効果） 以上に述べたように、本発明基体の研摩方法は、２個の
基体を研摩すべき面の反対側の面にて互いに固定して１
組の気体を得る工程と、１又は複数組の基体の研摩すべ
き面を同時に研摩する工程と、を有することを特徴とす
るものである。

従って、本発明基体の研摩方法によれば、同時に研摩さ
れた２個で１組の基体はそれぞれ片面だけ研摩され、両
面が研摩されてしまうことがない。従って、１個の基体
の両面がミラー面になることを回避することができる。

また、２個の基体に対して同時に研摩することができる
ので１個毎の基体を単位としてその両面を研摩する場合
に比較して基体の研摩能率を非常に高くすることができ
る。

【図面の簡単な説明】 第１図乃至第５図は本発明基体の研摩方法の一つの実施
例を説明するためのもので、第１図は互いに固定された
２個１組の基体の断面図、第２図は基体がキャリアに収
納された状態を示す平面図、第３図は基体が研摩されて
いる状態を示す断面図、第４図は研摩された基体を示す
断面図、第５図は分離された基体を示す断面図、第６図
は従来例を説明する断面図である。 符号の説明 １．２・・・基体、 ４．５・・・研磨すべき面 出　願　人　　ソニー株式会社 代理人弁理士　　　尾　　川　　秀　　昭互いに固定さ
れた２個 の基体の誼面図 第２図　　　　　　　　基体がＨｆｌ摩されてぃろ状片
を示す断面図 Ｌ２−［イ本。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ２個の基体を研摩すべき面の反対側の面にて互いに固定
   して１組の基体を得る工程と、 １又は複数組の基体の研摩すべき面を同時に研摩する工
   程と、 を有することを特徴とする基体の研摩方法