JPS6365473B2 - - Google Patents

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JPS6365473B2
JPS6365473B2 JP55050380A JP5038080A JPS6365473B2 JP S6365473 B2 JPS6365473 B2 JP S6365473B2 JP 55050380 A JP55050380 A JP 55050380A JP 5038080 A JP5038080 A JP 5038080A JP S6365473 B2 JPS6365473 B2 JP S6365473B2
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JP
Japan
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holding
wafer
adhesive
rotating disk
holding pad
Prior art date
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JP55050380A
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English (en)
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JPS56146667A (en
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Publication date
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Priority to JP5038080A priority Critical patent/JPS56146667A/ja
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は鏡面研磨装置、特に被研磨物を押付板
にワツクスで固定しないワツクスレス鏡面研磨装
置に関する。
半導体装置等の製造においては、極めて薄い半
導体円板(ウエハ)が用いられる。このウエハは
一般に単結晶インゴツトを薄く輪切りにして得ら
れる。輪切りにして得たウエハはその表面に加工
歪層を有するため、ラツピング、化学エツチン
グ、ポリシング(鏡面研磨)が順次施こされる。
ウエハをポリシングする装置として、従来第1図
に示す構造のものが知られている。すなわち、被
研磨物であるウエハ1は押え機構2の押え板3に
保持され、回転する回転円板4の平坦な研磨用面
5に押し付けられる。押え板3にはシリンダ機構
6が作用して押え板3を回転円板4に押し付け、
ウエハ1の研磨面には所定の面圧が生じるように
なつている。また、研磨用面5上には研磨剤が供
給され、ウエハの下面研磨面のポリツシングが成
される。また、押え板3はピン7を中心に揺動す
るアーム8の先端に固定されているため、押え板
3へのウエハ1の着脱時にはアーム8を上方に回
動させて行なう。
ところで、ウエハ1を保持する押え板部分は第
2図a,bに示すように、ウエハ1の外径よりも
わずかに大きなリン状のガイド9を有している。
このガイド9の上端は押え板3の下面(押付面)
10にリング状に穿たれた嵌合孔11にばね12
を介して摺動(出入)自在に取り付けられ、ガイ
ド9内のウエハ1をガイドしている。また、この
鏡面研磨装置はワツクスレスであることから、ガ
イド9内の押付面部分にはポリウレタン等からな
る円板状の保持用パツド13が接着剤(粘着剤)
14を介して貼り付けられている。そして、ウエ
ハ1はこの保持用パツド13に圧接し、ガイド9
によつてその周辺を支持されながらボリツシング
される。なお、図示はしないが、回転円板の表面
には研磨布等が貼られている(以下同様)。
しかし、このようなワツクスレス研磨装置で
は、前記接着剤は固化しない接着剤を用いるた
め、第2図bで示すように、接着剤14が鏡面研
磨中に発生する磨擦力で徐々に移動して片寄り
し、保持用パツド13がずれてしまう。このた
め、ウエハを充分に保持することができなくな
り、頻繁に保持用パツドを交換しなければならな
くなる。また、接着剤14の厚さが不均一となる
ため、研磨後のウエハの平坦度が悪くなる。
したがつて、本発明の目的は鏡面研磨による平
坦度の向上を図るとともに、保持用パツドの寿命
を長くすることにある。
このような目的を達成するために、本発明によ
れば、回転円板と、この回転円板上に配設され被
研磨物を保持するとともに被研磨物を回転円板に
押し付ける押え機構とを有し、かつ前記押え機構
の被研磨物を回転円板に押し付ける押付板の表面
には接着剤を介して保持用パツドが貼り付けられ
ていることを特徴とする鏡面研磨装置において、
前記押付板の表面には多数の窪みを設け、この多
数の窪みを有する押付板の表面に固化しない接着
剤を介して前記保持用パツドを貼り付けることに
よつて、研磨時の前記保持用パツドのずれを防止
するようになしたことを特徴とする。
第3図は本発明の一実施例による鏡面研磨装置
のウエハ保持部を示す断面図である。同図に示す
ように、回転円板4に対面する押え板3の下面の
押付面10にはばね12を介してガイド(リラー
ナ)9が出入自在に埋め込まれている。また、ガ
イド9に取り囲まれた押付面10には同心円状に
4本の溝(窪み)15が設けられ、この溝15を
有する押付面部分に保持用パツド13が固化しな
い接着剤(粘着剤)14を介して貼り付けられて
いる。
このような構造によれば、溝15内に入つた多
量の接着剤14によつて保持用パツド13は強固
に押え板3に貼り付けられるため、押え板3の押
付面10と保持用パツド13との間の接着剤14
は薄くてもよい。この結果、研磨時の磨擦力によ
つても、、接着剤14が薄いことと、一部の接着
剤14が溝15内に入り込み移動しにくいことか
ら、従来のような接着剤14の片寄りは発生しに
くい。たとえば、従来は保持用パツド13のずれ
による交換はウエハ30チヤージ毎に必要である
のに対し、この実施例の構造ではウエハ70チヤ
ージ毎で充分となり、保持用パツドの寿命は2倍
以上も延びる。また、接着剤14は薄く、かつ片
寄りしないため、保持用パツド13およびウエハ
1も傾斜しない。このため鏡面研磨後のウエハの
平坦度は従来よりも高くなる。たとえば、直径
100mmのウエハにあつて、従来の平坦度が8μmに
対し、この実施例によれば5μmとすることができ
る。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。す
なわち、押付面に設ける溝は格子状に設けてもよ
く、また、点在する小孔等の窪みであつてもよ
い。
以上のように、本発明の鏡面研磨装置によれ
ば、被研磨物の平坦度を向上させることができる
とともに、保持用パツドの寿命を長くすることが
できるので、品質の安定した製品を安価に提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の鏡面研磨装置の概要を示す概略
図、第2図a,bは同じくウエハ研磨状態を示す
ウエハ保持部の拡大断面図、第3図は本発明の鏡
面研磨装置の一実施例におけるウエハ保持部を示
す拡大断面図である。 1……ウエハ、2……押え機構、3……押え
板、4……回転円板、5……研磨用面、6……シ
リンダ機構、7……ピン、8……アーム、9……
ガイド、10……押付面、11……嵌合孔、12
……ばね、13……保持用パツド、14……接着
剤、15……窪み。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 回転円板と、この回転円板上に配設され被研
    磨物を保持するとともに被研磨物を回転円板に押
    し付ける押え機構とを有し、かつ前記押え機構の
    被研磨物を回転円板に押し付ける押付板の表面に
    は接着剤を介して保持用パツドが貼り付けられて
    いることを特徴とする鏡面研磨装置において、前
    記押付板の表面には多数の窪みを設け、この多数
    の窪みを有する押付板の表面に固化しない接着剤
    を介して前記保持用パツドを貼り付けることによ
    つて、研磨時の前記保持用パツドのずれを防止す
    るようになしたことを特徴とする鏡面研磨装置。
JP5038080A 1980-04-18 1980-04-18 Mirror surface grinder Granted JPS56146667A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5038080A JPS56146667A (en) 1980-04-18 1980-04-18 Mirror surface grinder

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5038080A JPS56146667A (en) 1980-04-18 1980-04-18 Mirror surface grinder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS56146667A JPS56146667A (en) 1981-11-14
JPS6365473B2 true JPS6365473B2 (ja) 1988-12-15

Family

ID=12857261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5038080A Granted JPS56146667A (en) 1980-04-18 1980-04-18 Mirror surface grinder

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JP (1) JPS56146667A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4512113A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 Budinger William D Workpiece holder for polishing operation
JPS60118467A (ja) * 1983-11-30 1985-06-25 Fujimi Kenmazai Kogyo Kk 半導体ウエハ−の取付方法
US5205082A (en) * 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
JP3595011B2 (ja) * 1994-03-02 2004-12-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 研磨制御を改善した化学的機械的研磨装置
JP2008229846A (ja) * 1995-10-09 2008-10-02 Ebara Corp ポリッシング装置及び方法並びにトップリング
US5876273A (en) * 1996-04-01 1999-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for polishing a wafer
US6368189B1 (en) 1999-03-03 2002-04-09 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus and method for chemical-mechanical polishing (CMP) head having direct pneumatic wafer polishing pressure
US6231428B1 (en) 1999-03-03 2001-05-15 Mitsubishi Materials Corporation Chemical mechanical polishing head assembly having floating wafer carrier and retaining ring
CN103419122A (zh) * 2013-08-13 2013-12-04 国家电网公司 一种镜板研磨平台

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5458294A (en) * 1977-10-19 1979-05-10 Hitachi Ltd Waxless polishing device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5458294A (en) * 1977-10-19 1979-05-10 Hitachi Ltd Waxless polishing device

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JPS56146667A (en) 1981-11-14

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