JPS5822657A - ラツピング装置 - Google Patents
ラツピング装置Info
- Publication number
- JPS5822657A JPS5822657A JP56115089A JP11508981A JPS5822657A JP S5822657 A JPS5822657 A JP S5822657A JP 56115089 A JP56115089 A JP 56115089A JP 11508981 A JP11508981 A JP 11508981A JP S5822657 A JPS5822657 A JP S5822657A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pad
- polishing
- vacuum
- holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はラッピング装置に関する。
牛導体りエハのラッピング装置としては、特公昭４８−
１４１４６号勢にも示されているが、第１図に示す構造
になっている。
１４１４６号勢にも示されているが、第１図に示す構造
になっている。
この構造においては、回転する回転研磨盤１の上面にバ
フ（研磨布、したがって吸水性である。）２が貼り付け
られている。被ラッピング物であるウェハ３は、円板状
保持体４の下面に複数保持される。
フ（研磨布、したがって吸水性である。）２が貼り付け
られている。被ラッピング物であるウェハ３は、円板状
保持体４の下面に複数保持される。
この保持体４は支軸５の下端に固定される。支軸５は、
軸受６を介して支持体７に取り付けられる。支持体フに
はウェイト８によって荷重（Ｗ）が、加えられる。この
結果ウエノ・３の下１１１ｒ（主面）は回転研磨盤ＩＫ
押し付けられることからラッピング（研磨）される。な
お、ウェハ３はリング状のリテーナｌ０ＩＣよって周囲
を規制されるとともに、保持体４にはパッド９を介して
接する。また、パッド９の背面の保持体部分には真空孔
１１が穿たれ、ウェハ３は真空によっても保持されるよ
うになっている。
軸受６を介して支持体７に取り付けられる。支持体フに
はウェイト８によって荷重（Ｗ）が、加えられる。この
結果ウエノ・３の下１１１ｒ（主面）は回転研磨盤ＩＫ
押し付けられることからラッピング（研磨）される。な
お、ウェハ３はリング状のリテーナｌ０ＩＣよって周囲
を規制されるとともに、保持体４にはパッド９を介して
接する。また、パッド９の背面の保持体部分には真空孔
１１が穿たれ、ウェハ３は真空によっても保持されるよ
うになっている。
ところで、近年ウエノ・は大口径化とともに加工精度（
平行度など）ｌ！求が非常にきびしくなっており、前記
従来の装置では対応できなくなって来た。この従来の装
置においては、ウェハ３の周辺部分のブレが大きい。ま
たウェハの厚さパラツキ（Ｔ、Ｔ、Ｖ）が大きい等の問
題がある。
平行度など）ｌ！求が非常にきびしくなっており、前記
従来の装置では対応できなくなって来た。この従来の装
置においては、ウェハ３の周辺部分のブレが大きい。ま
たウェハの厚さパラツキ（Ｔ、Ｔ、Ｖ）が大きい等の問
題がある。
これらの問題の原因はおもＫ、（１） 研磨機構から
来る荷重の不均一と、（２）ウェハ保持用パッド９内の
含水状態のバラツキによって生じると考えられるウェハ
に加わる荷重のウニ・・内各点における不均一とによっ
て起ると考えられる。
来る荷重の不均一と、（２）ウェハ保持用パッド９内の
含水状態のバラツキによって生じると考えられるウェハ
に加わる荷重のウニ・・内各点における不均一とによっ
て起ると考えられる。
前者は最近本出願人が既に特許出願した方法により、解
決済みであるが、後者は未だ良策は提案されていない。
決済みであるが、後者は未だ良策は提案されていない。
すなわち、ウエノ・内各点における荷重変動は、パッド
材質が吸水性のため、含水状態が変動することによって
生じる。詳述するならば、保持体４ヘウエハ３を保持さ
せる際に均一的になっていると考えられるパッド９の含
水量はウェハ３の真空吸着動作によって真空孔１１付近
では極端に少なくなるとともに、研磨中にはパッド９と
ウェハ３の界面間及びパッド内部に多量の水（含研磨剤
）を含むことＫよりて不均一になることが第２図で示す
ように実験で明らかとなった。
材質が吸水性のため、含水状態が変動することによって
生じる。詳述するならば、保持体４ヘウエハ３を保持さ
せる際に均一的になっていると考えられるパッド９の含
水量はウェハ３の真空吸着動作によって真空孔１１付近
では極端に少なくなるとともに、研磨中にはパッド９と
ウェハ３の界面間及びパッド内部に多量の水（含研磨剤
）を含むことＫよりて不均一になることが第２図で示す
ように実験で明らかとなった。
本発明は上記問題を解決するためになされたものであっ
て、その目的は保持体からウェハに与える荷重の分布を
ウェハ内全面で均一化させることＫより、荷重のバラツ
キによる研磨しろのバラツキを低減し、平行度がよ（、
ブレのないウェハを提供できるラッピング装置を提供す
ることにある。
て、その目的は保持体からウェハに与える荷重の分布を
ウェハ内全面で均一化させることＫより、荷重のバラツ
キによる研磨しろのバラツキを低減し、平行度がよ（、
ブレのないウェハを提供できるラッピング装置を提供す
ることにある。
このような目的を達成するため本発明は、保持体の保持
面にウェハを保持し、このウェハの被研磨面である主面
を研磨する研磨盤面に押し付けて研磨するラッピング装
置において、保持体の保持部分（パッド）ＶＣ含む水分
量を均一化すべく真空微孔をウェハの外周側に対面する
ように配設したことを特徴とする。
面にウェハを保持し、このウェハの被研磨面である主面
を研磨する研磨盤面に押し付けて研磨するラッピング装
置において、保持体の保持部分（パッド）ＶＣ含む水分
量を均一化すべく真空微孔をウェハの外周側に対面する
ように配設したことを特徴とする。
以下、実施例により本発明を説明する。
第３図は本発明の一実施例によるラッピング装置の概略
を示す断面図である。同図忙おいて、ｌは上面を研磨面
とする回転研磨盤、２は研磨盤上面に接着されたパフ（
研磨布）、３は研磨される半導体ウェハ、４は半導体ウ
ェハなその片面（下面の保持面）で保持する円板状保持
体、５は保持体を支える支軸、６は支持体ｒｉ支軸５を
回動可能に取り付ける軸受、７は支持体、８は支持体７
に荷重Ｗを加えるウェイト、９は保持体４とウェハ３と
を密着保持するパッド、１０はウェハの位置決め及びウ
ェハのとび出しを防止するリテーナ、１１はパッド９の
密着力を補完する真空吸着孔である。真空吸着孔１１は
従来と同様に各ウェハ保持領域（保持面）の中心と周縁
との中間よりわずかに周縁側に寄った位置にそれぞれ配
設されるとともＫ、新たに、ウェハ保持領域の周縁近傍
に設け、研磨中に浸入してくる研磨液をウェハ保持領域
の外周部でより多く吸い込み除去するようになっている
。
を示す断面図である。同図忙おいて、ｌは上面を研磨面
とする回転研磨盤、２は研磨盤上面に接着されたパフ（
研磨布）、３は研磨される半導体ウェハ、４は半導体ウ
ェハなその片面（下面の保持面）で保持する円板状保持
体、５は保持体を支える支軸、６は支持体ｒｉ支軸５を
回動可能に取り付ける軸受、７は支持体、８は支持体７
に荷重Ｗを加えるウェイト、９は保持体４とウェハ３と
を密着保持するパッド、１０はウェハの位置決め及びウ
ェハのとび出しを防止するリテーナ、１１はパッド９の
密着力を補完する真空吸着孔である。真空吸着孔１１は
従来と同様に各ウェハ保持領域（保持面）の中心と周縁
との中間よりわずかに周縁側に寄った位置にそれぞれ配
設されるとともＫ、新たに、ウェハ保持領域の周縁近傍
に設け、研磨中に浸入してくる研磨液をウェハ保持領域
の外周部でより多く吸い込み除去するようになっている
。
このよ５に、本構造によれば、ウェハの密着保持を行う
パッド９、および保持体４とに設けた２列の真空吸着孔
１１により、パッド９内に含む水分量を、研磨中に水（
研磨液）が入り込むウェハ３の外周側では内側に較べて
多く、吸い込んで除去して少なくしてウェハを保持させ
る。この状態で研磨を行なえば、研磨途中で周辺部に水
が入り込み、全体的に含水量のバランスは均一で曳好と
なりウェハに与える圧力が均一化される。その結果、研
磨によるウェハの厚さバラツキが小さく、かつウェハ周
縁のだれの発生も少なくなり、高品質のラッピングが可
能となる。
パッド９、および保持体４とに設けた２列の真空吸着孔
１１により、パッド９内に含む水分量を、研磨中に水（
研磨液）が入り込むウェハ３の外周側では内側に較べて
多く、吸い込んで除去して少なくしてウェハを保持させ
る。この状態で研磨を行なえば、研磨途中で周辺部に水
が入り込み、全体的に含水量のバランスは均一で曳好と
なりウェハに与える圧力が均一化される。その結果、研
磨によるウェハの厚さバラツキが小さく、かつウェハ周
縁のだれの発生も少なくなり、高品質のラッピングが可
能となる。
なお、本発明は前記実施例に限定各れな〜・。すなわち
、真空微孔は、多孔質材を用いて形成させてもよい。
、真空微孔は、多孔質材を用いて形成させてもよい。
また本発明は半導体ウェハ以外の物でも、だれがなくか
つ高精度にラッピングできる。
つ高精度にラッピングできる。
以上のように１本発明のラッピング装置によれば、均一
なラッピングが可能となり、ブレのない平行度の高いラ
ッピングが行なえる。
なラッピングが可能となり、ブレのない平行度の高いラ
ッピングが行なえる。
第１図は従来のラッピング装置の要部を示す断面図、第
２図は従来のラッピング装置におけるパッドの状態を示
す断面図、第３図は本発明の一実施例によるラッピング
装置の要部を示す断面図である。 １・・・回転研磨盤、２ バフ、３・・・ウェハ、４・
・・保持体、５・・・支軸、６・・・軸受、７・・・支
持体、８・・・ウェイト、９・・・パッド、ＩＯ・・・
リテーナ、１１・・・真空孔。 第 １ 図
２図は従来のラッピング装置におけるパッドの状態を示
す断面図、第３図は本発明の一実施例によるラッピング
装置の要部を示す断面図である。 １・・・回転研磨盤、２ バフ、３・・・ウェハ、４・
・・保持体、５・・・支軸、６・・・軸受、７・・・支
持体、８・・・ウェイト、９・・・パッド、ＩＯ・・・
リテーナ、１１・・・真空孔。 第 １ 図
Claims (1)
- 研磨盤面に対間する保持体の保持面に吸水性のパッドを
介して接触させかつパッドおよび保持体に設けた真空孔
を介する真空吸着によって被研磨物を保持するとともに
、上記保持体に加重を加えて、被研磨物の被研磨面を研
磨盤面に押しつけながら研磨するラッピング装置におい
て、上記保持体から被研磨物に加える加重を、被研磨物
主面内で均一にするよ５Ｋ、前記真空孔を保持面の内側
よりも外周側に多く配して研磨時のパッドの含水量℃均
一化を図るようＫしたことを特徴としたラッピング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115089A JPS5822657A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | ラツピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56115089A JPS5822657A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | ラツピング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5822657A true JPS5822657A (ja) | 1983-02-10 |
| JPH0569666B2 JPH0569666B2 (ja) | 1993-10-01 |
Family
ID=14653918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56115089A Granted JPS5822657A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | ラツピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5822657A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4551983A (en) * | 1983-06-17 | 1985-11-12 | Hitachi, Ltd. | Refrigeration apparatus |
| FR2677293A1 (fr) * | 1991-06-06 | 1992-12-11 | Commissariat Energie Atomique | Machine de polissage a tete support de plaquettes perfectionnee. |
| US5443416A (en) * | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
| US6290583B1 (en) | 1997-09-10 | 2001-09-18 | Ebara Corporation | Apparatus for holding workpiece |
| JP2004040011A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Toyo Kohan Co Ltd | 基板の供給取出治具、供給取出装置および供給取出方法 |
| US6722963B1 (en) | 1999-08-03 | 2004-04-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS498163A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP56115089A patent/JPS5822657A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS498163A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-24 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4551983A (en) * | 1983-06-17 | 1985-11-12 | Hitachi, Ltd. | Refrigeration apparatus |
| FR2677293A1 (fr) * | 1991-06-06 | 1992-12-11 | Commissariat Energie Atomique | Machine de polissage a tete support de plaquettes perfectionnee. |
| US5443416A (en) * | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
| US5527209A (en) * | 1993-09-09 | 1996-06-18 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head adapted for easy removal of wafers |
| US6290583B1 (en) | 1997-09-10 | 2001-09-18 | Ebara Corporation | Apparatus for holding workpiece |
| US6722963B1 (en) | 1999-08-03 | 2004-04-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US6852017B2 (en) | 1999-08-03 | 2005-02-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US6869345B2 (en) * | 1999-08-03 | 2005-03-22 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US6872131B2 (en) | 1999-08-03 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US6881134B2 (en) | 1999-08-03 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US7066791B2 (en) | 1999-08-03 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| JP2004040011A (ja) * | 2002-07-08 | 2004-02-05 | Toyo Kohan Co Ltd | 基板の供給取出治具、供給取出装置および供給取出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0569666B2 (ja) | 1993-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4519168A (en) | Liquid waxless fixturing of microsize wafers | |
| JP2716653B2 (ja) | ウェーハの研磨装置および研磨方法 | |
| US2979868A (en) | Lapping device for semiconductor wafers | |
| JPH0735017B2 (ja) | ウエハを処理するための組立体 | |
| US20020083577A1 (en) | Polishing member and apparatus | |
| JPH0950975A (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| US6139409A (en) | Wafer polishing apparatus and backing pad for wafer polishing | |
| JPS5822657A (ja) | ラツピング装置 | |
| JPH02100321A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
| JP2001353656A (ja) | 積重ね研磨パッド | |
| JPH0752033A (ja) | 研磨装置 | |
| KR100807046B1 (ko) | 화학기계적 연마장치 | |
| US6179694B1 (en) | Extended guide rings with built-in slurry supply line | |
| JPS6365473B2 (ja) | ||
| JP3821947B2 (ja) | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 | |
| JP2000173960A (ja) | 複数ウエハの研磨ツ―ル | |
| JP2001345291A (ja) | 片面鏡面ウェーハの製造方法 | |
| US6086464A (en) | CMP platen plug | |
| US3830021A (en) | Spherical bearing workpiece holder in an optical lens generating machine | |
| JPH09246218A (ja) | 研磨方法および装置 | |
| JPS632656A (ja) | ウエハ研磨方法及びそれに用いるウエハ研磨基板 | |
| JPH03184756A (ja) | ウエーハの研削加工方法 | |
| JP3821944B2 (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
| JP3587505B2 (ja) | 研磨用キャリア | |
| JP3820432B2 (ja) | ウエーハ研磨方法 |