JP2000173960A - 複数ウエハの研磨ツ―ル - Google Patents
複数ウエハの研磨ツ―ルInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】現存するCMP研摩機より大きなスループット
を与えるCMP研摩機を提供することである。 【解決手段】中央のプラテン軸18の回りに回転可能
な、垂直にスタックされた複数の研磨プラテン14と、
ウエハを回転可能にかつ研磨プラテン14と接触させる
ようにウエハを垂直方向に移動可能に支持する、垂直に
スタックされた複数のウエハ・キャリア22と、を備え
るウエハ研磨ツール10が与えられる。ウエハ・キャリ
ア・パックは、ウエハの全表面より小さいウエハ表面領
域を前記プラテンと途切れなく接触させるようにウエハ
を維持する。
を与えるCMP研摩機を提供することである。 【解決手段】中央のプラテン軸18の回りに回転可能
な、垂直にスタックされた複数の研磨プラテン14と、
ウエハを回転可能にかつ研磨プラテン14と接触させる
ようにウエハを垂直方向に移動可能に支持する、垂直に
スタックされた複数のウエハ・キャリア22と、を備え
るウエハ研磨ツール10が与えられる。ウエハ・キャリ
ア・パックは、ウエハの全表面より小さいウエハ表面領
域を前記プラテンと途切れなく接触させるようにウエハ
を維持する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスを製造
する際に使用する装置に関し、より詳しくは半導体ウエ
ハの化学機械研磨(CMP)の実行のための装置に関す
る。
する際に使用する装置に関し、より詳しくは半導体ウエ
ハの化学機械研磨(CMP)の実行のための装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】集積回路(IC)デバイスの製造におい
て、化学機械研磨(CMP)は必要不可欠なステップと
なっている。ICの製造工程の幾つかのステップにおい
て、最初に付着された層が平坦表面を示さない場合、後
の層を半導体基板に付着できない。CMP工程は、その
ような層を平坦化するために用いられる。その製造工程
のステップにおいて、酸化物層上に平坦表面を確保する
ことが望まれる。別の方法として、半導体デバイスを製
造する際の異なるステップにおいて、金属のコンフォー
マルな層が誘電体層上にブランケット付着され、その内
部のバイアを充填する。そして、CMP工程により、ブ
ランケット金属層が誘電体層の表面まで研磨される。そ
のようなCMP工程において、金属と誘電体との材料の
除去の速度が類似していないことが重要である。それは
研磨を誘電体の所で停止させるためであり、さもない
と、バイアの内部の金属が、過度に”ディッシング”
(dishing)、即ち誘電体層の上面の下まで皿の
くぼみのようにへこみ形状に過度に除去されたり、又は
誘電体層が過度に薄くなったりし、どちらの場合も後に
なって欠陥を生じる可能性がある。
て、化学機械研磨(CMP)は必要不可欠なステップと
なっている。ICの製造工程の幾つかのステップにおい
て、最初に付着された層が平坦表面を示さない場合、後
の層を半導体基板に付着できない。CMP工程は、その
ような層を平坦化するために用いられる。その製造工程
のステップにおいて、酸化物層上に平坦表面を確保する
ことが望まれる。別の方法として、半導体デバイスを製
造する際の異なるステップにおいて、金属のコンフォー
マルな層が誘電体層上にブランケット付着され、その内
部のバイアを充填する。そして、CMP工程により、ブ
ランケット金属層が誘電体層の表面まで研磨される。そ
のようなCMP工程において、金属と誘電体との材料の
除去の速度が類似していないことが重要である。それは
研磨を誘電体の所で停止させるためであり、さもない
と、バイアの内部の金属が、過度に”ディッシング”
(dishing)、即ち誘電体層の上面の下まで皿の
くぼみのようにへこみ形状に過度に除去されたり、又は
誘電体層が過度に薄くなったりし、どちらの場合も後に
なって欠陥を生じる可能性がある。
【0003】従来、平坦化される特定の層及びその内部
のフィーチャーの組成あるいは材料に材料に従って、ス
ラリーの化学組成が除去速度を調節するために選択され
る。CMPツールに与えられるそのスラリーの化学組成
は別として、2つの機械パラメータが除去速度の決定に
重要な役割を果たす。これらは、ウエハ及び研磨パッド
間の回転速度と、研磨パッドに対してウエハを押し付け
るために加えられる下向きの力である。回転速度又は下
向きの力の増加は、除去速度を早くする。逆に回転速度
又は下方の力の減少は、除去速度を遅くする。
のフィーチャーの組成あるいは材料に材料に従って、ス
ラリーの化学組成が除去速度を調節するために選択され
る。CMPツールに与えられるそのスラリーの化学組成
は別として、2つの機械パラメータが除去速度の決定に
重要な役割を果たす。これらは、ウエハ及び研磨パッド
間の回転速度と、研磨パッドに対してウエハを押し付け
るために加えられる下向きの力である。回転速度又は下
向きの力の増加は、除去速度を早くする。逆に回転速度
又は下方の力の減少は、除去速度を遅くする。
【0004】現在利用可能なCMP研摩機は、単に1つ
又は多くとも数個のウエハを一度に処理するにすぎな
い。一度に研磨出来るウエハの数は制限される。なぜな
ら従来のCMP研摩機は、各ウエハの全表面を研磨パッ
ドに接触するように置くことを要求するからである。現
在の200mmのウエハ直径において、幾つかの存在す
るCMPツールは、多くとも2つのウエハを同時に研磨
するにすぎない。非常に大きなCMP研摩機は、単一の
大きなディスク形状の研磨パッド上において5つもの2
00mmウエハを一度に研磨することができる。
又は多くとも数個のウエハを一度に処理するにすぎな
い。一度に研磨出来るウエハの数は制限される。なぜな
ら従来のCMP研摩機は、各ウエハの全表面を研磨パッ
ドに接触するように置くことを要求するからである。現
在の200mmのウエハ直径において、幾つかの存在す
るCMPツールは、多くとも2つのウエハを同時に研磨
するにすぎない。非常に大きなCMP研摩機は、単一の
大きなディスク形状の研磨パッド上において5つもの2
00mmウエハを一度に研磨することができる。
【0005】図14を参照すると、ほぼ60cmの直径
の大きな回転するディスク形状のプラテン118を有す
る装置の上で、従来、CMPは実行されている。回転す
るプラテン118を覆うパッド119の上において、キ
ャリア116によって、ウエハ114はうつ伏せにして
保持される。ウエハ114は、外側ディスク周辺121
及び中心125から固定半径Rの内側の円123間に位
置づけられる。プラテン118の回転速度はプラテンの
内側の円123のところより外周部121の近くのほう
が速いから、ウエハ表面上の異なる位置で異なる研磨速
度を与える位置依存の速度変動を減少させるために、研
磨の間ウエハを回転させる。しかしながら、この実行に
もかかわらず、回転速度の相違は、依然としてウエハの
外周と中心の近くの点との間で存在する。結果として、
ウエハの外側と内側の表面との間では、一貫した研磨速
度は達成されない。
の大きな回転するディスク形状のプラテン118を有す
る装置の上で、従来、CMPは実行されている。回転す
るプラテン118を覆うパッド119の上において、キ
ャリア116によって、ウエハ114はうつ伏せにして
保持される。ウエハ114は、外側ディスク周辺121
及び中心125から固定半径Rの内側の円123間に位
置づけられる。プラテン118の回転速度はプラテンの
内側の円123のところより外周部121の近くのほう
が速いから、ウエハ表面上の異なる位置で異なる研磨速
度を与える位置依存の速度変動を減少させるために、研
磨の間ウエハを回転させる。しかしながら、この実行に
もかかわらず、回転速度の相違は、依然としてウエハの
外周と中心の近くの点との間で存在する。結果として、
ウエハの外側と内側の表面との間では、一貫した研磨速
度は達成されない。
【0006】異なるウエハ位置での回転速度のこの相違
のため、140rpmより大きな回転速度でCMPを実
行することは、望ましいくとは考えられない。従来のC
MP研摩機において、ディスク・プラテンの回転速度
は、概して?一般的に10〜140rpmの範囲内に維
持される。
のため、140rpmより大きな回転速度でCMPを実
行することは、望ましいくとは考えられない。従来のC
MP研摩機において、ディスク・プラテンの回転速度
は、概して?一般的に10〜140rpmの範囲内に維
持される。
【0007】10〜140rpmの従来のプラテン回転
速度において、最低限のウエハ処理速度を達成するCM
Pを実行するために、少なくとも5から9psi(po
und force per square inch)ま
での力をウエハ・キャリア16により加えてウエハをプ
ラテン118の方向に押さなければならない("下向き
の力")。5〜9psiの下向きの力を加えることは、
望ましいプロセス・スループットを達成するために珍し
いことではない。ウエハ/プラテンの接触面での大きな
下向きの力は、異なる化組成のフィーチャーの除去速度
の差を増す傾向があるということが知られている。より
強い下向き力は、酸化物層内の金属フィーチャーのディ
ッシュイングを増加させ、結局異なる組成又はパターン
密度のフィーチャーを含む層を研磨する際に減少した平
面性をもたらす。
速度において、最低限のウエハ処理速度を達成するCM
Pを実行するために、少なくとも5から9psi(po
und force per square inch)ま
での力をウエハ・キャリア16により加えてウエハをプ
ラテン118の方向に押さなければならない("下向き
の力")。5〜9psiの下向きの力を加えることは、
望ましいプロセス・スループットを達成するために珍し
いことではない。ウエハ/プラテンの接触面での大きな
下向きの力は、異なる化組成のフィーチャーの除去速度
の差を増す傾向があるということが知られている。より
強い下向き力は、酸化物層内の金属フィーチャーのディ
ッシュイングを増加させ、結局異なる組成又はパターン
密度のフィーチャーを含む層を研磨する際に減少した平
面性をもたらす。
【0008】ウエハ・スループットは、CMPツールの
望ましさの1つの尺度である。別の尺度もある。最善な
態様は、CMPツールを所有し操作するのに高価でな
く、半導体工場の中において少しのペースしか占めず、
全体の一様性ばかりでなく適切でかつ一貫した局所的な
平坦性を達成するように研磨でき、高く一貫したスルー
プットを与えるべきである。
望ましさの1つの尺度である。別の尺度もある。最善な
態様は、CMPツールを所有し操作するのに高価でな
く、半導体工場の中において少しのペースしか占めず、
全体の一様性ばかりでなく適切でかつ一貫した局所的な
平坦性を達成するように研磨でき、高く一貫したスルー
プットを与えるべきである。
【0009】現存するCMP研摩機は必要以上に大きく
高価であり、以下に開示される本発明のマルチレベルの
研磨装置により可能とされるものよりずっと小さなスル
ープットを与えるにすぎない。
高価であり、以下に開示される本発明のマルチレベルの
研磨装置により可能とされるものよりずっと小さなスル
ープットを与えるにすぎない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、現存
するCMP研摩機よりも大きなスループットを与えるC
MP研摩機を提供することである。更に、本発明の目的
は、現存するCMP研摩機よりも小さなCMP研摩機を
提供することである。本発明の別の目的は、現存するC
MP研摩機よりも所有と操作が安価なCMP研摩機を提
供することである。本発明の更に別の目的は、一貫した
品質でもってウエハを処理するCMP研摩機を提供する
ことである。本発明の別の目的は、現存するCMP研摩
機より優れた平坦性を与える研磨をするCMP研摩機を
提供することである。本発明の追加の目的は、ウエハの
クリーン及びドライの操作ばかりでなく、そのままの場
所(in−situ)での測定と終点の検出を実行する
完全に統合化されたCMP研摩機を提供することであ
る。
するCMP研摩機よりも大きなスループットを与えるC
MP研摩機を提供することである。更に、本発明の目的
は、現存するCMP研摩機よりも小さなCMP研摩機を
提供することである。本発明の別の目的は、現存するC
MP研摩機よりも所有と操作が安価なCMP研摩機を提
供することである。本発明の更に別の目的は、一貫した
品質でもってウエハを処理するCMP研摩機を提供する
ことである。本発明の別の目的は、現存するCMP研摩
機より優れた平坦性を与える研磨をするCMP研摩機を
提供することである。本発明の追加の目的は、ウエハの
クリーン及びドライの操作ばかりでなく、そのままの場
所(in−situ)での測定と終点の検出を実行する
完全に統合化されたCMP研摩機を提供することであ
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】これらの本発明の目的
は、本発明のウエハ研磨ツールによって達成される。本
発明の第1の態様において、ウエハ研磨ツールは、中央
のプラテン軸の回りに回転可能な研磨プラテンと、ウエ
ハが回転している間に、ウエハの全表面よりちいさなウ
エハ表面領域の全表面より小さなウエハ領域をプラテン
研磨表面と接触させるようにウエハを支持するウエハ・
キャリアとを含む。
は、本発明のウエハ研磨ツールによって達成される。本
発明の第1の態様において、ウエハ研磨ツールは、中央
のプラテン軸の回りに回転可能な研磨プラテンと、ウエ
ハが回転している間に、ウエハの全表面よりちいさなウ
エハ表面領域の全表面より小さなウエハ領域をプラテン
研磨表面と接触させるようにウエハを支持するウエハ・
キャリアとを含む。
【0012】本発明の第2の態様に従うと、中央のプラ
テン軸の回りに回転可能な研磨プラテンと、ウエハを回
転運動させて、ウエハの表面の一部を前記プラテンに継
続的に接触させる、前記ウエハを支持するウエハ・キャ
リアと、を含むウエハ研磨ツールが与えられる。
テン軸の回りに回転可能な研磨プラテンと、ウエハを回
転運動させて、ウエハの表面の一部を前記プラテンに継
続的に接触させる、前記ウエハを支持するウエハ・キャ
リアと、を含むウエハ研磨ツールが与えられる。
【0013】本発明の第3の態様に従うと、中央のプラ
テン軸の回りに回転可能な、垂直にスタックされた複数
の研磨プラテンと、前記ウエハの全体表面より小さな上
を前記プラテンと途切れなく接触させる、垂直にスタッ
クされた複数のウエハ・キャリアと、を備えるウエハ研
磨ツールが与えられる。
テン軸の回りに回転可能な、垂直にスタックされた複数
の研磨プラテンと、前記ウエハの全体表面より小さな上
を前記プラテンと途切れなく接触させる、垂直にスタッ
クされた複数のウエハ・キャリアと、を備えるウエハ研
磨ツールが与えられる。
【0014】本発明の別の態様に従うと、ウエハ研磨ツ
ールは、中央のプラテン軸の回りに回転可能な、垂直に
スタックされた複数の研磨プラテンと、複数のウエハに
回転運動を与えるウエハ・キャリア・パックとを備え、
キャリア・パックは、ウエハの全表面より小さいウエハ
表面領域を前記プラテンに途切れなく接触させるように
ウエハを維持する。
ールは、中央のプラテン軸の回りに回転可能な、垂直に
スタックされた複数の研磨プラテンと、複数のウエハに
回転運動を与えるウエハ・キャリア・パックとを備え、
キャリア・パックは、ウエハの全表面より小さいウエハ
表面領域を前記プラテンに途切れなく接触させるように
ウエハを維持する。
【0015】更に本発明の好ましい実施例が本明細書に
おいて、開示される。
おいて、開示される。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は、両側に左右のウエハ・キ
ャリア・パック12を有するプラテン・アセンブリ10
を示す本発明の研摩機の上面図である。図2の側面図を
参照すると、プラテン・アセンブリ10は複数の研磨プ
ラテン14を含み、各研磨プラテンの下側に、各研磨パ
ッド16が取付けられている。研磨プラテンは、プラテ
ン・アセンブリ10の中央のドライブ・シャフト18と
係合する中央の開口を有する固い平たんなディスクであ
る。1つのプラテン14は、中央シャフト18上に嵌め
込められ1又はそれ以上のスペーサ20により他のプラ
テン14に対して固定可能な垂直間隔で保持される。プ
ラテンは好ましくは実質的に堅く、かつシャフト18及
びスペーサ20に対して十分な質量を有するように構築
され、回転運動を安定にするための回転の慣性を与え
る。分当たり数百回転から数千回転のスピードで、良好
の慣性特性を有しながらプラテンの回転を可能にする安
定システムが必要である。本発明の開発において研究さ
れてきたそのような回転システムの1つは、IBM社に
より製造されたモデルNo.3380マルチ・ディスク
・ディスク・アクセス記憶装置(DASD)ドライブで
ある。
ャリア・パック12を有するプラテン・アセンブリ10
を示す本発明の研摩機の上面図である。図2の側面図を
参照すると、プラテン・アセンブリ10は複数の研磨プ
ラテン14を含み、各研磨プラテンの下側に、各研磨パ
ッド16が取付けられている。研磨プラテンは、プラテ
ン・アセンブリ10の中央のドライブ・シャフト18と
係合する中央の開口を有する固い平たんなディスクであ
る。1つのプラテン14は、中央シャフト18上に嵌め
込められ1又はそれ以上のスペーサ20により他のプラ
テン14に対して固定可能な垂直間隔で保持される。プ
ラテンは好ましくは実質的に堅く、かつシャフト18及
びスペーサ20に対して十分な質量を有するように構築
され、回転運動を安定にするための回転の慣性を与え
る。分当たり数百回転から数千回転のスピードで、良好
の慣性特性を有しながらプラテンの回転を可能にする安
定システムが必要である。本発明の開発において研究さ
れてきたそのような回転システムの1つは、IBM社に
より製造されたモデルNo.3380マルチ・ディスク
・ディスク・アクセス記憶装置(DASD)ドライブで
ある。
【0017】図2を参照すると、ウエハ・キャリア・パ
ック12のそれぞれは、複数のウエハ・キャリア22を
含む。各ウエハ・キャリア22は、ウエハを支持するベ
ース24を含み、ウエハを回転させる以下で説明する内
部コンポーネントを有する。各ウエハ・キャリア22
は、ウエハとプラテン14の回転にも拘わらず所定の位
置にウエハを保持するために、ウエハの円周の過半数の
部分にわたってウエハの外周を囲むリング26を含む。
リング26の両端部28は、図1に示すように、好まし
くは、リング26によって囲まれたウエハ・ベッド38
(図11)の中心に関して同じ側に少しだけ移動した所
に位置に位置づけられる。図1を参照すると、キャリア
・パック12は、固定レール68に沿って、プラテン・
アセンブリ10の方向へ、またはそれから離れるように
動くことこが出来る。研磨の間キャリア・パック12
は、レール68に沿って振動して、ウエハ表面上の特定
の場所に拘わらず実質的に同じ時間の間、各ウエハの表
面が研磨される。
ック12のそれぞれは、複数のウエハ・キャリア22を
含む。各ウエハ・キャリア22は、ウエハを支持するベ
ース24を含み、ウエハを回転させる以下で説明する内
部コンポーネントを有する。各ウエハ・キャリア22
は、ウエハとプラテン14の回転にも拘わらず所定の位
置にウエハを保持するために、ウエハの円周の過半数の
部分にわたってウエハの外周を囲むリング26を含む。
リング26の両端部28は、図1に示すように、好まし
くは、リング26によって囲まれたウエハ・ベッド38
(図11)の中心に関して同じ側に少しだけ移動した所
に位置に位置づけられる。図1を参照すると、キャリア
・パック12は、固定レール68に沿って、プラテン・
アセンブリ10の方向へ、またはそれから離れるように
動くことこが出来る。研磨の間キャリア・パック12
は、レール68に沿って振動して、ウエハ表面上の特定
の場所に拘わらず実質的に同じ時間の間、各ウエハの表
面が研磨される。
【0018】図1を更に参照すると、キャリア・パック
12の各ウエハ上に位置する光学的終点検出機構21、
ストロボ光源23、及び清掃ブラシ25が存在する。光
学測定及び終点検出機構21の目的は、ウエハがウエハ
・キャリア22内に係合している間又は研磨中でさえ、
そのままの状態で終点の検出を可能にすることである。
ストロボ光源23は、光学測定及び点検出機構21内部
の結像レンズによる捕獲のために、適当な位置で動いて
いるウエハの像を確定する。測定及び検出機構21はそ
の後、正確に研磨プロセスのステージを測定し、研磨プ
ロセスに関して、オペレータ及び/又は自動制御に、フ
ィードバックのためのデータを与えることができる。ブ
ラシ25は、好ましくはクリーニング効果を最大にする
ためにウエハの回転方向と反対に駆動される。
12の各ウエハ上に位置する光学的終点検出機構21、
ストロボ光源23、及び清掃ブラシ25が存在する。光
学測定及び終点検出機構21の目的は、ウエハがウエハ
・キャリア22内に係合している間又は研磨中でさえ、
そのままの状態で終点の検出を可能にすることである。
ストロボ光源23は、光学測定及び点検出機構21内部
の結像レンズによる捕獲のために、適当な位置で動いて
いるウエハの像を確定する。測定及び検出機構21はそ
の後、正確に研磨プロセスのステージを測定し、研磨プ
ロセスに関して、オペレータ及び/又は自動制御に、フ
ィードバックのためのデータを与えることができる。ブ
ラシ25は、好ましくはクリーニング効果を最大にする
ためにウエハの回転方向と反対に駆動される。
【0019】図3は、ウエハに対して上向き及び回転の
力を加えて、それらウエハをプラテン・アセンブリ10
の研磨パッド16と研磨関係にする本発明の第1の実施
例に従って構築された機構の詳細図である。ウエハ・キ
ャリア22の上向きの移動は、持ち上げスリーブ29に
加えられる垂直の持ち上げ力により与えられる。これら
持ち上げスリーブ29は、ベース32の最も近くのウエ
ハ・キャリア22の所で互いに連結され、次いで好まし
くはボイス・コイル・モータ88(図4の(B))によ
り垂直に移動する持ち上げシャフト33に連結される。
このモータ88は、加えられる垂直力の大きさ及び時間
に関する正確な制御を可能にする。持ち上げスリーブ2
9は支持シャフト31を囲み、垂直方向に持ち上げる力
を、キャリア・パック12の内部のより高くに位置する
ウエハ・キャリア22に伝達する。
力を加えて、それらウエハをプラテン・アセンブリ10
の研磨パッド16と研磨関係にする本発明の第1の実施
例に従って構築された機構の詳細図である。ウエハ・キ
ャリア22の上向きの移動は、持ち上げスリーブ29に
加えられる垂直の持ち上げ力により与えられる。これら
持ち上げスリーブ29は、ベース32の最も近くのウエ
ハ・キャリア22の所で互いに連結され、次いで好まし
くはボイス・コイル・モータ88(図4の(B))によ
り垂直に移動する持ち上げシャフト33に連結される。
このモータ88は、加えられる垂直力の大きさ及び時間
に関する正確な制御を可能にする。持ち上げスリーブ2
9は支持シャフト31を囲み、垂直方向に持ち上げる力
を、キャリア・パック12の内部のより高くに位置する
ウエハ・キャリア22に伝達する。
【0020】図3を更に参照すると、キャリア・アセン
ブリ12には、ドライブ・シャフト30が与えられる。
ドライブ・シャフトは、キャリア・アセンブリ12のベ
ース部32から複数のウエハ・キャリア22を通して上
部34に延びる。ドライブ・シャフト30には、複数の
ドライブ・ギア36が与えられる。ドライブ・ギアの各
々は、ウエハ・キャリア22に結合した第2のドライブ
・ギア42(図11〜図13)に係合するように位置づ
けられる。
ブリ12には、ドライブ・シャフト30が与えられる。
ドライブ・シャフトは、キャリア・アセンブリ12のベ
ース部32から複数のウエハ・キャリア22を通して上
部34に延びる。ドライブ・シャフト30には、複数の
ドライブ・ギア36が与えられる。ドライブ・ギアの各
々は、ウエハ・キャリア22に結合した第2のドライブ
・ギア42(図11〜図13)に係合するように位置づ
けられる。
【0021】図11は、上と下のベース部材24a,2
4b、ウエハ・ベッド38、第2ののドライブ・ギア4
2、及びガイド・ギア46を含むウエハ・キャリア22
の上面図である。ウエハ・キャリア22は、ウエハ・キ
ャリア・パック12のドライブ・シャフト30に固定さ
れたドライブ・ギア36から、第2のドライブ・ギア4
2を通して回転力を受けるように係合できる。第2のド
ライブ・ギア42の回転は、次に、ウエハ・ベッド38
に固定されたギア40を回転させる。ガイド・ギア46
はギア40の周囲に沿って与えられ、第2のドライブ・
ギア42に応答して、ウエハ・ベッド38の動きを導
く。
4b、ウエハ・ベッド38、第2ののドライブ・ギア4
2、及びガイド・ギア46を含むウエハ・キャリア22
の上面図である。ウエハ・キャリア22は、ウエハ・キ
ャリア・パック12のドライブ・シャフト30に固定さ
れたドライブ・ギア36から、第2のドライブ・ギア4
2を通して回転力を受けるように係合できる。第2のド
ライブ・ギア42の回転は、次に、ウエハ・ベッド38
に固定されたギア40を回転させる。ガイド・ギア46
はギア40の周囲に沿って与えられ、第2のドライブ・
ギア42に応答して、ウエハ・ベッド38の動きを導
く。
【0022】図11を参照すると、ウエハ・ベッド38
とそれに係合したギア40は、ガイド・ギア46により
横方向で所定の位置に保持される。図12は、線12’
−12’を通しての図11の図の断面である。図13
は、図12の拡大図である。図12〜13に示されてい
るように、ウエハ・ベッド38を導くために、ボール・
ベアリング44は、好ましくはベース24の上部及び下
部のベース部材24a、24bの内部の固定した凹状部
48の内部に与えられる。ボール・ベアリング44は、
ウエハ・ベッド38に位置するグルーブ(図示せず)内
に乗る。別の方法として、ボール・ベアリング44のセ
ットを収納する(玉軸受けの玉が走る)みぞ輪(図示せ
ず)を、上の部材24aとウエハ・ベッド38内の対応
するグルーブ内部に固定し、同時にボール・ベアリング
44の第2の(玉軸受けの玉が走る)みぞ輪(図示せ
ず)を、下の部材24bとウエハ・ベッド38との内の
対応するグルーブ内部に固定することができる。
とそれに係合したギア40は、ガイド・ギア46により
横方向で所定の位置に保持される。図12は、線12’
−12’を通しての図11の図の断面である。図13
は、図12の拡大図である。図12〜13に示されてい
るように、ウエハ・ベッド38を導くために、ボール・
ベアリング44は、好ましくはベース24の上部及び下
部のベース部材24a、24bの内部の固定した凹状部
48の内部に与えられる。ボール・ベアリング44は、
ウエハ・ベッド38に位置するグルーブ(図示せず)内
に乗る。別の方法として、ボール・ベアリング44のセ
ットを収納する(玉軸受けの玉が走る)みぞ輪(図示せ
ず)を、上の部材24aとウエハ・ベッド38内の対応
するグルーブ内部に固定し、同時にボール・ベアリング
44の第2の(玉軸受けの玉が走る)みぞ輪(図示せ
ず)を、下の部材24bとウエハ・ベッド38との内の
対応するグルーブ内部に固定することができる。
【0023】図4は、中央のプラテン・アセンブリ10
及び左右のキャリア・パック12を駆動するモータを含
むハウジング80のそれぞれ上面及び側面の図を示す。
図4の(A)に示されるように、ハウジング80は、ベ
ルトによって、ドライブ・シャフト18に固着した滑車
84を駆動する第1のモータを含む。前述したように、
待ち上げる力をウエハ・キャリア22に与えるボイス・
コイル・モータ88と同様に、回転力を与えるウエハ・
キャリアのドライブ・モータ86を、近接した位置に示
されている。
及び左右のキャリア・パック12を駆動するモータを含
むハウジング80のそれぞれ上面及び側面の図を示す。
図4の(A)に示されるように、ハウジング80は、ベ
ルトによって、ドライブ・シャフト18に固着した滑車
84を駆動する第1のモータを含む。前述したように、
待ち上げる力をウエハ・キャリア22に与えるボイス・
コイル・モータ88と同様に、回転力を与えるウエハ・
キャリアのドライブ・モータ86を、近接した位置に示
されている。
【0024】ここで図11〜図13に関して上で示され
説明された回転ドライブ機構に対する代替例は、図7〜
図10を参照して説明する。この実施例において、垂直
リフト機構を、実質的に図3と図11〜13に関して示
されたものと同じであり、更に説明を必要としない。図
7は、ドライブ・シャフト50と、3つのウエハ・キャ
リア22のそれぞれに対してベース24の下部に固定さ
れたドライブ滑車52とを有する3つのレベルのウエハ
・キャリア・パックの側面図である。ドライブ滑車52
は、それぞれドライブ・ベルト56により、ウエハ・キ
ャリア22のウエハ・ベッド38に固定されたウエハ・
ベッド滑車54に連結される。
説明された回転ドライブ機構に対する代替例は、図7〜
図10を参照して説明する。この実施例において、垂直
リフト機構を、実質的に図3と図11〜13に関して示
されたものと同じであり、更に説明を必要としない。図
7は、ドライブ・シャフト50と、3つのウエハ・キャ
リア22のそれぞれに対してベース24の下部に固定さ
れたドライブ滑車52とを有する3つのレベルのウエハ
・キャリア・パックの側面図である。ドライブ滑車52
は、それぞれドライブ・ベルト56により、ウエハ・キ
ャリア22のウエハ・ベッド38に固定されたウエハ・
ベッド滑車54に連結される。
【0025】図8は、ドライブ機構の本実施例のため
の、上部及び下部のベース部材24a,24b、ウエハ
・ベッド38、及びガイド・ローラー58を含むウエハ
・キャリア22の上面図である。ウエハ・ベッド38
は、それに固定されたウエハ・ベッド滑車54によって
回転させられる。ウエハ・ベッド38の周囲に沿って与
えられるガイド・ローラー58は、ウエハ・ベッド滑車
54に応じて、ウエハ・ベッド38の動きを導く。
の、上部及び下部のベース部材24a,24b、ウエハ
・ベッド38、及びガイド・ローラー58を含むウエハ
・キャリア22の上面図である。ウエハ・ベッド38
は、それに固定されたウエハ・ベッド滑車54によって
回転させられる。ウエハ・ベッド38の周囲に沿って与
えられるガイド・ローラー58は、ウエハ・ベッド滑車
54に応じて、ウエハ・ベッド38の動きを導く。
【0026】図9は、線9’−9’を通る図8の断面図
である。図10は、図9に示された図の拡大である。図
11〜13に関して説明された実施例のように、ボール
・ベアリング44が与えられ、ウエハ・ベッド38の回
転を導く。しかしながら、ボール・ベアリング44は、
好ましくは、ベース24の上部及び下部のベース部材2
4a,24bの非対称な場所に位置する凹状部60の中
に与えられる。この態様において、力は均等にウエハ・
ベッド38の周囲上にわたって分配され、ウエハ・ベッ
ドは必要とされるハードウエアの製造を簡単にし、そし
て/又は、少しのベアリングしか用いられない場合、力
はウエハ・ベッド38の周囲に沿った質量を減少させ、
それにより回転の安定性を増すことができる。
である。図10は、図9に示された図の拡大である。図
11〜13に関して説明された実施例のように、ボール
・ベアリング44が与えられ、ウエハ・ベッド38の回
転を導く。しかしながら、ボール・ベアリング44は、
好ましくは、ベース24の上部及び下部のベース部材2
4a,24bの非対称な場所に位置する凹状部60の中
に与えられる。この態様において、力は均等にウエハ・
ベッド38の周囲上にわたって分配され、ウエハ・ベッ
ドは必要とされるハードウエアの製造を簡単にし、そし
て/又は、少しのベアリングしか用いられない場合、力
はウエハ・ベッド38の周囲に沿った質量を減少させ、
それにより回転の安定性を増すことができる。
【0027】図5及び図6はそれぞれ、ウエハを研磨で
きるようにウエハ・キャリア・パック12をプラテン・
アセンブリ10と適当な位置になるようにする係合機構
の実施例を示している。図5は、プラテン・アセンブリ
10に向かい及びそれから離れる円弧64にほぼ沿っ
て、キャリア・パック12が固定ピン62に関して旋回
する実施例における、プラテン・アセンブリ10とキャ
リア・パック12の関係を示す。この態様において、一
度ウエハがキャリア・パック12に取付けられると、個
々のプラテン14により個々のウエハを研磨するための
位置に、キャリア・パック12全体が旋回される。図1
を参照した前述の実施例のように、研磨の間、キャリア
・パック12は、その旋回軸点の周りでわずかに振動
し、全体のウエハ表面を平らに研磨する。
きるようにウエハ・キャリア・パック12をプラテン・
アセンブリ10と適当な位置になるようにする係合機構
の実施例を示している。図5は、プラテン・アセンブリ
10に向かい及びそれから離れる円弧64にほぼ沿っ
て、キャリア・パック12が固定ピン62に関して旋回
する実施例における、プラテン・アセンブリ10とキャ
リア・パック12の関係を示す。この態様において、一
度ウエハがキャリア・パック12に取付けられると、個
々のプラテン14により個々のウエハを研磨するための
位置に、キャリア・パック12全体が旋回される。図1
を参照した前述の実施例のように、研磨の間、キャリア
・パック12は、その旋回軸点の周りでわずかに振動
し、全体のウエハ表面を平らに研磨する。
【0028】図6は、キャリア・パック12がプラテン
・アセンブリ10に向かい及びそれから離れる固定レー
ル68に沿って動くことができるプラテン・アセンブリ
10とキャリア・パック12の関係を示す。この実施例
において、キャリア・パック12は、複数のレール・ガ
イド70を含み、そのレール・ガイドは軸72に沿って
固定された関係にキャリア・パック12を維持する。一
度ウエハが図6に示されるようなキャリア・パック12
に取付けられると、個々のプラテン14により個々のウ
エハを研磨するための位置に、全体のキャリア・パック
12はレール68に沿って動かされる。
・アセンブリ10に向かい及びそれから離れる固定レー
ル68に沿って動くことができるプラテン・アセンブリ
10とキャリア・パック12の関係を示す。この実施例
において、キャリア・パック12は、複数のレール・ガ
イド70を含み、そのレール・ガイドは軸72に沿って
固定された関係にキャリア・パック12を維持する。一
度ウエハが図6に示されるようなキャリア・パック12
に取付けられると、個々のプラテン14により個々のウ
エハを研磨するための位置に、全体のキャリア・パック
12はレール68に沿って動かされる。
【0029】操作において、ウエハ・キャリア・パック
12は、レール68に沿う(図6)又は旋回シャフト6
2を回転軸とする動きによりプラテン・アセンブリ10
から離される。 次にウエハは、手により又は自動化手
段により、キャリア・パック12のキャリア22上に載
せられる。好ましい自動化装填機(loader)は、
複数のウエハ”ペンシル”(ロボットの手の指)の対を
有するロボットを含む。各対は1つのウエハをしっかり
つかみ、ウエハ・カセットからキャリア22へのロボッ
ト・アームの1回の操作により、幾つかのウエハを研摩
機上に載せる。別の方法として、ウエハは、真空フィン
ガーにより取上げられ真空により保持され、次にロボッ
トによりウエハ・キャリア22上に置かれる。
12は、レール68に沿う(図6)又は旋回シャフト6
2を回転軸とする動きによりプラテン・アセンブリ10
から離される。 次にウエハは、手により又は自動化手
段により、キャリア・パック12のキャリア22上に載
せられる。好ましい自動化装填機(loader)は、
複数のウエハ”ペンシル”(ロボットの手の指)の対を
有するロボットを含む。各対は1つのウエハをしっかり
つかみ、ウエハ・カセットからキャリア22へのロボッ
ト・アームの1回の操作により、幾つかのウエハを研摩
機上に載せる。別の方法として、ウエハは、真空フィン
ガーにより取上げられ真空により保持され、次にロボッ
トによりウエハ・キャリア22上に置かれる。
【0030】ウエハを載せた後、ウエハ・キャリア・パ
ック12が滑走し(図6)又は旋回して(図5)、プラ
テン・アセンブリに関連した位置(図1,2)で係合さ
れる。回転運動が、それぞれのドライブ・モータ82,
86を通してプラテン14とウエハ・ベッド38とに与
えられる。次にウエハ・キャリアは、ウエハ・キャリア
22に結合した持上げスリーブ29(図3)に連結した
垂直ドライブ・モータ88によりドライブ研磨位置に持
上げられる。好ましくはボイス・コイル・モータである
垂直ドライブ・モータに与えられる適当な信号により、
ウエハープラテン間の研磨圧力は精密に制御され、特定
の研磨対象物に適合する様に、異なった値に研磨の間、
増加、減少、サイクル化できる。その上、ウエハ・キャ
リアに固定された力変換器(force transd
ucer)からのフィード・バック信号をボイス・コイ
ル・モータに与え、より精密にウエハ・キャリアに加え
られる垂直力を制御することができる
ック12が滑走し(図6)又は旋回して(図5)、プラ
テン・アセンブリに関連した位置(図1,2)で係合さ
れる。回転運動が、それぞれのドライブ・モータ82,
86を通してプラテン14とウエハ・ベッド38とに与
えられる。次にウエハ・キャリアは、ウエハ・キャリア
22に結合した持上げスリーブ29(図3)に連結した
垂直ドライブ・モータ88によりドライブ研磨位置に持
上げられる。好ましくはボイス・コイル・モータである
垂直ドライブ・モータに与えられる適当な信号により、
ウエハープラテン間の研磨圧力は精密に制御され、特定
の研磨対象物に適合する様に、異なった値に研磨の間、
増加、減少、サイクル化できる。その上、ウエハ・キャ
リアに固定された力変換器(force transd
ucer)からのフィード・バック信号をボイス・コイ
ル・モータに与え、より精密にウエハ・キャリアに加え
られる垂直力を制御することができる
【0031】本発明の回転駆動機構は、ウエハを数10
0〜数1000rpm(分当たり数百〜数千回転)及び
今までよりずっと大きなプラテン回転速度になるのを可
能にすることから、望ましい除去速度をさらに維持しな
がらウエハの研磨圧力を大きく削減できる。この態様に
おいて、良好な平坦性とずっと小さなディッシングが研
磨の間実行される。
0〜数1000rpm(分当たり数百〜数千回転)及び
今までよりずっと大きなプラテン回転速度になるのを可
能にすることから、望ましい除去速度をさらに維持しな
がらウエハの研磨圧力を大きく削減できる。この態様に
おいて、良好な平坦性とずっと小さなディッシングが研
磨の間実行される。
【0032】研磨の間に、研磨スラリは、プラテン・ア
センブリ10に係合する多孔性の(例えばスポンジのよ
うな)塗薬器(applicator)を通して、ウエ
ハに又は別の方法として研磨パッド16の下側面に供給
される。ブラシ25は研磨の間にウエハから研磨剤を取
除きひっかききずを減少させ、研磨に良好な制御を与え
る(図1)。ウエハ表面にわたって研磨の一様性を与え
るために、プラテン・アセンブリ10へ向い及びそれか
ら離れる振動運動を、レール68の方向で(図6)又は
旋回シャフト62(図5)に関する回転で与えられる。
センブリ10に係合する多孔性の(例えばスポンジのよ
うな)塗薬器(applicator)を通して、ウエ
ハに又は別の方法として研磨パッド16の下側面に供給
される。ブラシ25は研磨の間にウエハから研磨剤を取
除きひっかききずを減少させ、研磨に良好な制御を与え
る(図1)。ウエハ表面にわたって研磨の一様性を与え
るために、プラテン・アセンブリ10へ向い及びそれか
ら離れる振動運動を、レール68の方向で(図6)又は
旋回シャフト62(図5)に関する回転で与えられる。
【0033】キャリア・パック12がプラテン・アセン
ブリ10に係合されている間又は研磨の間、ウエハ表面
上に与えられたストロボ光23の助けにより、測定及び
検出システム21は、終点(end−point)の監
視、又は終点の検出の目的のためにリアル・タイムの測
定を可能にする。推定又はサンプルに頼るのではなく、
終点検出信号はウエハ研磨が実行されている時に研磨さ
れているウエハから直接に与えられる。
ブリ10に係合されている間又は研磨の間、ウエハ表面
上に与えられたストロボ光23の助けにより、測定及び
検出システム21は、終点(end−point)の監
視、又は終点の検出の目的のためにリアル・タイムの測
定を可能にする。推定又はサンプルに頼るのではなく、
終点検出信号はウエハ研磨が実行されている時に研磨さ
れているウエハから直接に与えられる。
【0034】本発明は好ましい実施例により説明された
が、特許請求の範囲の精神及び範囲の範囲内において、
本発明の改良が可能であることは当業者なら理解できる
であろう。
が、特許請求の範囲の精神及び範囲の範囲内において、
本発明の改良が可能であることは当業者なら理解できる
であろう。
【図1】左右のウエハ・キャリア・パック12によって
側面を守られるプラテン・アセンブリ10を示す本発明
のウエハ研磨ツールの上面図である。
側面を守られるプラテン・アセンブリ10を示す本発明
のウエハ研磨ツールの上面図である。
【図2】本発明のウエハ研磨ツールの側面である。
【図3】上方の及び回転の力をウエハに加え、それらを
プラテン・アセンブリ10の研磨パッド16と研磨関係
になるようにするための本発明の第1の実施例に従って
構築された機構の詳細な図である。
プラテン・アセンブリ10の研磨パッド16と研磨関係
になるようにするための本発明の第1の実施例に従って
構築された機構の詳細な図である。
【図4】中央のプラテン・アセンブリ10と左右のキャ
リア・パック12を駆動するモーターを含むハウジング
80の上面及び側面図である。
リア・パック12を駆動するモーターを含むハウジング
80の上面及び側面図である。
【図5】ウエハ・キャリア・パック及び第1の枢軸回転
可能な代替的な係合する機構を示す研磨プラテン・アセ
ンブリの上面図である。
可能な代替的な係合する機構を示す研磨プラテン・アセ
ンブリの上面図である。
【図6】ウエハ・キャリア・パック及び第2の滑ること
が可能な代替的な係合する機構を示す研磨プラテン・ア
センブリの上面図である。
が可能な代替的な係合する機構を示す研磨プラテン・ア
センブリの上面図である。
【図7】ドライブ・シャフトとドライブ滑車を用いてウ
エハの回転を伝える実施例における3つのレベルのウエ
ハ・キャリア・パックの側面図である。
エハの回転を伝える実施例における3つのレベルのウエ
ハ・キャリア・パックの側面図である。
【図8】図7において示される実施例において用いられ
るウエハ・キャリア22の上面図である。
るウエハ・キャリア22の上面図である。
【図9】図8における線9’−9’の断面図である。
【図10】図9に示された図の拡大である。
【図11】上部及び下部のベース部材24a、24bを
含む、ウエハ・キャリア22の上面図である。これらの
ベース部材は、ドライブ・ギアがウエハ回転を与える実
施例において用いられる。
含む、ウエハ・キャリア22の上面図である。これらの
ベース部材は、ドライブ・ギアがウエハ回転を与える実
施例において用いられる。
【図12】図11における線12’−12’を通する断
面図である。
面図である。
【図13】図12の拡大図である。
【図14】従来のCMP研摩機の斜視図である。
10:プラテン・アセンブリ 12:ウエハ・キャリア・パック 14:研磨プラテン 16:研磨パッド 18:ドライブ・シャフト 20:スペーサ 21:最終点の測定・検出システム 22:ウエハ・キャリア 23:ストロボ光 24:ベース 25:ブラシ 26:リング 28:リングの端部 29:持上げシャフト 30:ドライブ・シャフト 31:支持シャフト 32:ベース部 34:上部 36:ドライブ・ギア 38:ウエハ・ベッド 40:ギア 42:第2のドライブ・ギア 44:ボール・ベアリング 46:ガイド・ギア 48:くぼみ 54:ウエハ・ベッドの滑車 56:ドライブ・ベルト 58:ガイド 62:軸シャフト 64:円弧 68:レール 72:軸 80:ハウジング 82、86:ドライブ・モータ 84:滑車 88:ボイス・コイル・モータ 114:ウエハ 116:キャリア 118:プラテン 119:パッド 121:ディスクの外側周辺 123:内側の円 125:中心
Claims (13)
- 【請求項1】中央のプラテン軸の回りに回転可能な研磨
プラテンと、ウエハが回転している間、前記ウエハの全
表面より小さなウエハ表面領域を前記プラテンの研磨表
面と接触させるように、ウエハを支持する回転可能にウ
エハ・キャリアとを備えるウエハ研磨ツール。 - 【請求項2】中央のプラテン軸の回りに回転可能な研磨
プラテンと、ウエハを回転運動させて、前記ウエハの全
体表面より小さな上を前記プラテンと途切れなく接触さ
せる、前記ウエハを支持するウエハ・キャリアと、を備
えるウエハ研磨ツール。 - 【請求項3】中央のプラテン軸の回りに回転可能な、垂
直にスタックされた複数の研磨プラテンと、回転運動と
各前記研磨プラテンを各ウエハに接触させる垂直運動と
のためのウエハを支持する、ウエハを回転可能に、か
つ、前記研磨プラテンと接触するように垂直方向に移動
可能に支持する垂直にスタテックされた複数のウエハ・
キャリアとを備えるウエハ研磨ツール。 - 【請求項4】中央のプラテン軸の回りに回転可能な、垂
直にスタックされた複数の研磨プラテンと、複数のウエ
ハに回転運動を与えるウエハ・キャリア・パックとを備
え、前記キャリア・パックは、前記ウエハの全表面より
小さいウエハ表面領域を前記プラテンに接触させるよう
に前記ウエハを維持することを特徴とするウエハ研磨ツ
ール。 - 【請求項5】前記ウエハ・キャリア・パックは、それぞ
れが個々の平行平面内にウエハを支持する複数のウエハ
・キャリアと、プラテン係合位置及びプラテン離脱位置
の間で移動を可能とするための少なくとも1対のレール
とを含むことを特徴とする請求項4に記載のウエハ研磨
ツール。 - 【請求項6】前記ウエハ・キャリア・パックは、前記研
磨プラテンに向い及びそれから離れる方向に沿って振動
運動を前記ウエハに与えることを特徴とする請求項7に
記載のウエハ研磨ツール。 - 【請求項7】前記ウエハ・キャリア・パックと連結した
ボイス・コイル・モータを更に含み、垂直力を該ウエハ
・キャリア・パックに加える請求項4に記載のウエハ研
磨ツール。 - 【請求項8】前記ウエハ・キャリア・パック上に位置す
る力変換機を更に含み、フィード・バック入力を前記ボ
イス・コイル・モータに与える請求項4に記載のウエハ
研磨ツール。 - 【請求項9】前記ウエハ・キャリア・パックは、前記ウ
エハ・キャリア・パックをプラテンの係合位置及びプラ
テンの離脱位置の間で回転できるように旋回可能に支持
されることを特徴とする請求項4に記載のウエハ研磨ツ
ール。 - 【請求項10】?前記ウエハ・キャリア・パックは、前
記旋回の動きによって前記ウエハに振動運動を与えるこ
とを特徴とする請求項4に記載のウエハ研磨ツール。 - 【請求項11】前記研磨ツールは、前記ウエハの研磨表
面の部分が前記プラテンと接触している間に前記表面の
別の部分と接触するように位置づけされたブラシを更に
含むことを特徴とする請求項4に記載のウエハ研磨ツー
ル。 - 【請求項12】?1つの研磨サイクルの間、前記プラテ
ンの研磨表面との接触を維持しするための多孔性材料の
スラリ塗布器を更に含む請求項4に記載のウエハ研磨ツ
ール。 - 【請求項13】前記ウエハ・キャリア・パックが前記プ
ラテン・アセンブリ内に係合されている間に、前記ウエ
ハの研磨された表面からのプロセス監視情報を獲得する
ために位置づけされたプロセス監視手段を更に含む請求
項4に記載のウエハ研磨ツール。
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