TW202116485A - 化學機械拋光校正工具 - Google Patents

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傑 古魯薩米
史帝文Ｍ 努尼佳
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

化學機械拋光修整工具包括：基座，配置成支撐基板；複數個夾爪，配置成將基板在基座上居中；加載環，用以將壓力施加到基座上的基板的背側上的環形區域；拋光環，用以使拋光材料與基板的前側上的環形區域接觸，基板的前側上的環形區域與基板的背側上的環形區域對齊；及拋光環致動器，用以使拋光環旋轉以引起在拋光環和基板之間的相對運動。

Description

化學機械拋光校正工具
本揭露書關於一種用於化學機械拋光（CMP）的拋光工具。
通常藉由在半導體晶圓上順序沉積導電、半導電或絕緣層而在基板上形成積體電路。各種製造處理需要平坦化基板上的層。例如，一個製造步驟涉及在非平坦表面上沉積填充劑層並平坦化填充劑層。對於某些應用而言，將填充層平坦化，直到曝露出圖案化層的頂表面。例如，可在圖案化的絕緣層上沉積金屬層以填充絕緣層中的溝槽和孔。在平坦化之後，圖案化層的溝槽和孔中的金屬的剩餘部分形成通孔、插塞和線，以在基板上的薄膜電路之間提供導電路徑。作為另一示例，可在圖案化的導電層上沉積介電層，並接著將其平坦化以實現後續的光刻步驟。
化學機械拋光（CMP）是一種可接受的平坦化方法。這種平坦化方法通常需要將基板安裝在承載頭上。基板的曝露表面通常抵靠旋轉拋光墊放置。承載頭在基板上提供可控制的負載，以將其推抵拋光墊。通常將具有磨料顆粒的拋光漿料供應至拋光墊的表面。
在一個態樣中，一種化學機械拋光修整工具包括：基座，配置成支撐基板；複數個夾爪，配置成將基板在基座上居中；加載環，用以將壓力施加到基座上的基板的背側上的環形區域；拋光環，用以使拋光材料與基板的前側上的環形區域接觸，基板的前側上的環形區域與基板的背側上的環形區域對齊；及拋光環致動器，用以使拋光環旋轉以引起在拋光環和基板之間的相對運動。
在另一態樣中，一種化學機械拋光修整工具包括：基座，配置成支撐基板；不對稱校正環，包括複數個獨立地垂直可移動的區段，以將獨立可控制的壓力施加到基座上的基板的背側上的環形區域的複數個成角度設置的區；拋光環，用以使拋光材料與基板的前側上的環形區域接觸，基板的前側上的環形區域與基板的背側上的環形區域對齊；及拋光環致動器，用以使拋光環旋轉以引起在拋光環與基板之間的相對運動。
在另一態樣中，一種用於化學機械拋光修整的方法包含以下步驟：將基板支撐在基座上；使基板的前側與拋光環嚙合；使基板的背側與不對稱校正環嚙合；將基板的背側保持到不對稱校正環；及用拋光環對基板的前側進行拋光。
前述優點可包括（但不限於）以下一個或多個。可校正整體拋光操作之後基板的一個或多個區域的拋光不足。也可校正不對稱拋光。因此，可提高晶圓內的均勻性和晶圓間的均勻性。
在附隨的圖式和以下描述中闡述了一種或多種實施方案的細節。其他態樣、特徵和優點將由描述和圖式及從申請專利範圍而顯而易見。
一些拋光處理會導致整個基板的表面上的厚度不均勻。例如，整體拋光處理可能導致基板上的拋光不足的區域。為了解決這個問題，在整體拋光之後，可執行「修整」拋光處理，其著重於基板的拋光不足的部分。
在整體拋光處理中，拋光可能在基板的整個前表面上進行，儘管在前表面的不同區域中可能以不同的速率拋光。在整體拋光處理中，並非基板的所有表面在給定的瞬間都可能進行拋光。例如，由於拋光墊中存在凹槽，因此基板表面的一些部分可能不與拋光墊接觸。然而，在整體拋光處理的過程中，由於在拋光墊和基板之間的相對運動，這個部分未被局部化，從而基板的所有前表面都進行了一定量的拋光。
相反地，在「修整」拋光處理中，拋光墊可能接觸少於基板的整個前表面。另外，拋光墊相對於基板的運動的範圍配置成使得在修整拋光處理的過程中，拋光墊僅接觸基板的局部區域，且基板的前表面的大部分（如，至少50％、至少75％或至少90％）永遠不會接觸拋光墊，並因此根本不會進行拋光。
如上所述，一些整體拋光處理導致不均勻拋光。特別是，一些整體拋光處理會導致拋光不足的局部非同心和不均勻斑點。假設而言，可使用在拋光不足的區域上移動的很小的墊執行拋光「修整」。但是，由於低產出，這可能是不切實際的。
解決局部不均勻性的一種解決方案是使用單獨的拋光「修整」工具，其包括可向基板的局部環形區域施加壓力的加載環。加載環的較大接觸面積允許同時拋光更多的拋光不足區域，從而提高產出。特別地，這種環能夠解決基板的邊緣附近的環形拋光不足區域的常見問題。
為了解決局部不對稱性，可將加載環分區段，並在環的不同區段上施加不同的壓力。基板可在基座上居中，而分區段的不對稱校正環可以角度不對稱的方式在基板的背表面上施加壓力。另外，拋光環可向基板的前表面施加壓力並相對於基板的前表面旋轉以拋光基板。因為拋光速率與來自不對稱校正環的壓力成比例，所以可減少不均勻性並且可校正不對稱。
第1圖顯示了包括整體拋光設備104的拋光系統100的示例。待拋光的基板10可在用於整體拋光的整體拋光設備104和用於校正拋光不均勻性（如，邊緣修整）的拋光修整工具200之間轉移（參見第2-7圖）。例如，可在拋光設備104處對基板10進行整體拋光的同時或之後，將基板輸送到拋光修整工具200。可使用（如）加載/卸載組件或機械臂的機構在站102和設備104之間轉移基板10。在一些實施方案中，修整站102是獨立系統。在這種情況下，修整站102可位於整體拋光設備104附近，如，在同一處理室中。
拋光設備104包括一個或多個承載頭140（僅顯示一個）。每個承載頭140可操作以將基板10（諸如晶圓）保持抵靠拋光墊110。每個承載頭140可具有與每個相應基板相關聯的拋光參數（例如壓力）的獨立控制。每個承載頭140包括保持環142，以將基板10保持在拋光墊110上並且在撓性膜144下方的適當位置。
每個承載頭140可任選地包括由膜界定的複數個獨立可控制的可加壓腔室，如，三個腔室146a-146c，其可將獨立地可控制的加壓施加到撓性膜144上的相關區域，從而施加到基板10上。
每個承載頭140從支撐結構150（如轉盤或軌道）懸掛下來，並藉由驅動軸152連接到承載頭旋轉電動機154，使得承載頭可繞軸線155旋轉。任選地，每個承載頭140可（如）在轉盤150上的滑動器上橫向振動；藉由轉盤本身的旋轉振動，或藉由沿軌道支撐承載頭140的滑動架的運動。
包括在拋光設備104中的壓板120是可旋轉的碟形壓板，拋光墊110位於其上。壓板可操作以繞軸線125旋轉。例如，電動機121可轉動驅動軸124以使壓板120旋轉。拋光墊110可為兩層拋光墊，其具有外部拋光層112及較軟的背襯層114。
拋光設備104可包括埠130，以將拋光液體132（諸如漿料）分配到拋光墊110上至墊。拋光設備還可包括拋光墊調節器以研磨拋光墊110，以將拋光墊110維持在一致的研磨狀態。
在操作中，壓板繞其中心軸線125旋轉，並且每個承載頭繞其中心軸線155旋轉，並在拋光墊的頂表面上橫向平移。
儘管僅顯示了一個承載頭140，但是可提供更多的承載頭以保持另外的基板，使得可有效地使用拋光墊110的表面積。因此，適以保持基板以同時進行拋光處理的承載頭組件的數量可至少部分地基於拋光墊110的表面積。
在一些實施方案中，拋光設備包括原位監視系統160。原位監視系統可為光學監視系統（如，光譜監視系統），其可用以測量來自遭到拋光的基板的反射光的光譜。通過包括孔口（亦即，穿過墊的孔）或實心窗118來提供通過拋光墊的光學通路。原位監視系統可替代地或另外地包括渦流監視系統。
在一些實施方案中，光學監視系統160是按序光學監視系統，其具有定位在兩個拋光設備之間或在拋光設備與轉移站之間的探針（未顯示）。監視系統160可在拋光期間連續地或週期性地監視基板的區域的一個或多個特徵。例如，一個特徵是基板的每個區域的厚度。
在原位或順序實施例的任一種中，光學監視系統160可包括光源162、光檢測器164以及用於在遠端控制器190（如，計算機）和光源162及光檢測器164之間發送和接收信號的電路166。一根或多根光纖170可用以將來自光源162的光傳輸到拋光墊中的光學通路，並將從基板10反射的光傳輸到檢測器164。
參照第2圖，配置成執行拋光修整（亦即，拋光校正）操作的拋光修整工具200包括位於基底212上的基座210。基座210配置成支撐基板10的前側11。基板10可使用承載頭（如，承載頭140）裝載到拋光修整工具200中。基底212可包括帶有一個或多個漿料分配器216的一個或多個漿料通道214。
拋光修整工具200還包括複數個（如，三個或更複數個）夾爪220，其配置成朝向基板10徑向向內閉合。這用於使基板10的中心與標準軸線250對準。每個夾爪220可藉由單獨的夾爪致動器222驅動，或者共用致動器可驅動所有夾爪222。夾爪致動器222可為（例如）電動機、液壓腔室、氣動腔室、螺紋驅動器或其他類似的致動器。調節墊224可連接到夾爪220。
拋光修整工具200還包括與軸線250同軸的拋光環230。拋光環230可為具有複數個弓形區段的環形拋光環。例如，拋光環230可由四到十二個區段構成。拋光環致動器232可配置成移動拋光環230以嚙合基板10的前側11。
拋光修整工具200還包括加載環240（也參見第8圖）。加載環240可為配置成接觸基板10的背側12的環形部分的環形環，該環形部分對應於由拋光環230拋光的基板10的前側11的環形部分。加載環240的寬度可比拋光環230的寬度寬。加載環230也可與軸線250同軸。
加載環240可包括配置成嚙合並吸住基板10的背側12的吸盤242。例如，多個真空通道246可從真空源260（如，泵、具有控制閥的設施真空管線等）延伸通過加載環240並到達吸盤242。這允許吸盤242將基板10保持（如，吸引安裝）在加載環240上。
在一些實施方案中，加載環240是配置成解決基板10的不對稱性的不對稱校正環。參照第8-9圖，加載環240可為具有複數個弓形區段244的分區段環形環。可控制每個區段244上的向下壓力，以校正基板10的前側11上的不對稱性（如，由於先前的拋光操作所導致的基板不對稱性）。可存在有四個到十二個區段244。加載環240中的每個區段244可具有相應的獨立可加壓腔室248。獨立可加壓區腔室248可使用通道252連接到壓力源260，並使用壓力源260加壓。這允許不對稱校正環配置成將不同的壓力施加到基板10上的複數個弓形區。
參照第3圖，在將基板10裝載到基座210上之後，複數個夾爪220可嚙合基板10的邊緣。夾爪220可用以將基板10在基座210上居中。特別地，夾爪220可徑向向內閉合，以推動基板10到基板10與軸線250同軸的位置。
（多個）夾爪致動器222可使夾爪220在基板10上向內閉合，直到夾爪220遇到與基板10嚙合的一些阻力。（多個）夾爪致動器222可接著使夾爪220與基板10脫離（如，打開），以允許在夾爪220和基板10之間的一些間隙。例如，夾爪致動器222可使夾爪220在夾爪220和基板10之間留有小間隙（如，0.1至3mm）。
參照第4圖，一旦基板10在基座上居中，則拋光環230移動以嚙合基板10的前側11的環形區域。拋光環致動器232可引起拋光環的複數個弓形區段244徑向移動，並使拋光環230拋光基板10的前側11的不同部分（箭頭A）。因此，拋光環230可拋光基板10的前側11的不同部分，如，在邊緣與距邊緣5mm之間的環形區域，或在距基板的邊緣20mm與50mm之間的環形區域。
拋光環致動器232可使拋光環230垂直地朝向或遠離基板10移動，並升高或降低基板10。任選地，拋光環致動器232可使拋光環230的區段向內和向外移動，（如）以拋光基板10的不同半徑。拋光環230可嚙合基板10，並接著將基板10升離基座210。
參照第5圖，加載環240可嚙合基板10的背側12的環形區域。在一些實施方案中，當基板10被加載環240嚙合時，基板10可座落於基座210上。在一些實施方案中，可將基板10吸到加載環240上，並藉由加載環210的垂直運動將其升離基座210。在一些實施方案中，可藉由拋光環230的垂直運動將基板10升離基座210，並接著嚙合（如，吸住）到加載環240。
在加載環嚙合基板10之後（如，在吸盤242將基板10吸住到加載環240之後），拋光環致動器232可使拋光環230旋轉並拋光基板10的前側11的一部分（如，邊緣）。在拋光環230旋轉的同時，加載環240可為固定的，從而使基板10是固定的。漿料通道214（如上所討論的）可在使用漿料分配器216進行邊緣控制操作期間將漿料輸送到基板10的前側11。
假設加載環240是不對稱校正環，則可將腔室248獨立地加壓至不同的壓力，使得加載環240的不同區段244將壓力不同的壓力施加到基板10的背側12的環形區域中的複數個成角度設置的區。加載環240施加在基板10上的壓力可使基板10的前側11上的不同區域以不同的速率拋光，這允許拋光修整工具200校正基板的不對稱性。
參照第6圖，在執行了修整操作（如，校正或邊緣控制操作）之後，加載環240從基板10脫離（如，停止吸引吸住基板10），使得基板10安置在拋光環上230。夾爪220還可從基板10移開。接著，（例如）可使用承載頭140將安置於拋光環230上的基板10從拋光修整工具200中升離。
參照第7圖，一旦從拋光修整工具200移除了基板10，夾爪致動器222就可使夾爪220位於拋光環230之上方。具體地說，位於夾爪220上的調節墊224可位於拋光環230上方。拋光環致動器232可使拋光環230接觸調節墊224，其中調節墊224可研磨拋光環230以將拋光環230維持在一致的研磨狀態。拋光環230可繞中心軸線250旋轉，以使調節墊224研磨拋光環230。
參照第2-7圖，拋光修整工具200包括控制器190，控制器190耦合至設備的各種部件，如，壓力源260、夾爪致動器222、拋光環致動器232及加載環240的獨立可加壓區腔室。感測器295可用以檢測基板10前側11上的不對稱性。例如，感測器295可為測量前側11不同部分的光學感測器。感測器295可發送測量值到控制器190，這可對加載環240的獨立可加壓區腔室加壓，以調節在邊緣控制操作期間每個區244施加到基板10的背側12的壓力。
10:基板 11:前側 12:背側 100:拋光系統 102:站 104:設備 110:拋光墊 112:外部拋光層 114:背襯層 118:實心窗 120:壓板 121:電動機 124:驅動軸 125:軸線 128: 130:埠 132:拋光液體 140:承載頭 142:保持環 144:撓性膜 146a:腔室 146b:腔室 146c:腔室 150:支撐結構/轉盤 152:驅動軸 154:電動機 155:軸線 160:監視系統 162:光源 164:檢測器 166:電路 168: 170:光纖 172: 174: 176: 190:控制器 200:拋光修整工具 210:基座 212:基底 214:漿料通道 216:漿料分配器 220:夾爪 222:夾爪致動器 224:調節墊 230:拋光環 232:拋光環致動器 240:加載環 242:吸盤 244:區段/區 246:真空通道 248:腔室 250:軸線 252:通道 260:真空源/壓力源 295:感測器
第1圖是拋光系統的示意性橫截面圖。
第2-7圖是拋光修整工具的示意性橫截面圖。
第8圖是不對稱校正環的示意性底視圖。
第9圖是不對稱校正環的示意性透視圖。
第10圖是拋光修整操作的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10:基板
11:前側
12:背側
200:拋光修整工具
210:基座
212:基底
214:漿料通道
216:漿料分配器
220:夾爪
222:夾爪致動器
224:調節墊
230:拋光環
232:拋光環致動器
240:加載環
242:吸盤
244:區段/區
246:真空通道
248:腔室
250:軸線
252:通道
260:真空源/壓力源
295:感測器

Claims (20)

  1. 一種化學機械拋光修整工具，包含： 一基座，配置成支撐一基板； 複數個夾爪，配置成將該基板在該基座上居中； 一加載環，用以將壓力施加到該基座上的該基板的一背側上的一環形區域； 一拋光環，用以使一拋光材料與該基板的一前側上的一環形區域接觸，該基板的該前側上的該環形區域與該基板的該背側上的該環形區域對齊；及 一拋光環致動器，用以使該拋光環旋轉以引起在該拋光環和該基板之間的相對運動。
  2. 如請求項1所述之工具，進一步包含：一夾爪致動器，用以移動該等夾爪的一個或多個，以使該基板在該基座上居中。
  3. 如請求項1所述之工具，其中該複數個夾爪包含四個至十二個夾爪。
  4. 如請求項1所述之工具，其中該拋光環的旋轉軸線與該加載環和該基板同軸。
  5. 如請求項1所述之工具，其中該加載環的寬度比該拋光環的寬度寬。
  6. 如請求項1所述之工具，進一步包含：一漿料通道和漿料分配器。
  7. 如請求項1所述之工具，其中該加載環提供用以保持該基板的一吸盤。
  8. 如請求項1所述之工具，進一步包含：多個調節墊，連接到該複數個夾爪，以研磨在該拋光環上的該拋光材料。
  9. 一種化學機械拋光修整工具，包含： 一基座，配置成支撐一基板； 一不對稱校正環，包括複數個獨立地垂直可移動的區段，以將獨立可控制的壓力施加到該基座上的該基板的一背側上的一環形區域的複數個成角度設置的區； 一拋光環，用以使一拋光材料與該基板的一前側上的一環形區域接觸，該基板的該前側上的該環形區域與該基板的該背側上的該環形區域對齊；及 一拋光環致動器，用以使該拋光環旋轉以引起在該拋光環與該基板之間的相對運動。
  10. 如請求項9所述之工具，其中該不對稱校正環包括四個至十二個獨立的垂直可移動區段。
  11. 如請求項9所述之工具，其中該不對稱校正環包括與該複數個獨立的垂直可移動區段相對應的複數個獨立可加壓區腔室。
  12. 如請求項9所述之工具，其中該拋光環是一分區段的拋光環。
  13. 如請求項12所述之工具，其中該分區段的拋光環具有四個至十二個區段。
  14. 如請求項9所述之工具，其中該拋光環的旋轉軸線與該不對稱校正環和該基板同軸。
  15. 如請求項9所述之工具，其中該不對稱校正環提供用以保持該基板的一吸盤。
  16. 一種用於化學機械拋光修整的方法，包含以下步驟： 將一基板支撐在一基座上； 使該基板的一前側與一拋光環嚙合； 使該基板的一背側與一不對稱校正環嚙合； 將該基板的該背側保持到該不對稱校正環；及 用該拋光環對該基板的該前側進行拋光。
  17. 如請求項16所述之方法，其中將該基板的該背側保持到該不對稱校正環進一步包含以下步驟：將該基板的該背側吸引到該不對稱校正環。
  18. 如請求項16所述之方法，其中將該基板的該背側保持到該不對稱校正環進一步包含以下步驟：使該基板保持靜止。
  19. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟：將漿料分配到該基板的該前側上。
  20. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟：使用用以將該基板在該基座上居中的一夾爪上的一調節墊來調節該拋光環。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118176561A (zh) * 2021-11-02 2024-06-11 Asml荷兰有限公司 带电粒子检查系统的晶片边缘检测

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4892455A (en) * 1987-05-21 1990-01-09 Hine Derek L Wafer alignment and transport mechanism
JPH11333677A (ja) * 1998-03-27 1999-12-07 Ebara Corp 基板の研磨装置
SG119138A1 (en) * 1998-04-28 2006-02-28 Ebara Corp Abrading plate and polishing method using the same
JP2000006002A (ja) * 1998-06-17 2000-01-11 Ebara Corp ポリッシング装置
KR20010076834A (ko) * 2000-01-28 2001-08-16 박종섭 화학적 기계적 연마 장치
JP2001287142A (ja) * 2000-04-04 2001-10-16 Ebara Corp 基板エッジ研磨装置
US6722964B2 (en) * 2000-04-04 2004-04-20 Ebara Corporation Polishing apparatus and method
JP2002079454A (ja) * 2000-09-06 2002-03-19 Canon Inc 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた基板研磨方法および基板研磨装置
US20040261945A1 (en) * 2002-10-02 2004-12-30 Ensinger Kunststofftechnoligie Gbr Retaining ring for holding semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing apparatus
JP4467917B2 (ja) * 2003-07-16 2010-05-26 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
CN101934491B (zh) * 2004-11-01 2012-07-25 株式会社荏原制作所 抛光设备
JP2009111024A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Applied Materials Inc 化学機械研磨装置の基板支持部材、および化学機械研磨装置
CN101342679A (zh) * 2008-08-19 2009-01-14 清华大学 一种用于化学机械抛光的抛光头
JP5390807B2 (ja) * 2008-08-21 2014-01-15 株式会社荏原製作所 研磨方法および装置
JP5481417B2 (ja) * 2010-08-04 2014-04-23 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
CN203305047U (zh) * 2013-04-27 2013-11-27 株式会社荏原制作所 研磨装置
US20150111478A1 (en) * 2013-10-23 2015-04-23 Applied Materials, Inc. Polishing system with local area rate control
US9751189B2 (en) * 2014-07-03 2017-09-05 Applied Materials, Inc. Compliant polishing pad and polishing module
US9662762B2 (en) * 2014-07-18 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Modifying substrate thickness profiles
JP6394569B2 (ja) * 2015-11-06 2018-09-26 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法及び研磨装置
JP6304349B1 (ja) * 2016-11-15 2018-04-04 株式会社Sumco ウェーハのエッジ研磨装置及び方法
US11772228B2 (en) * 2020-01-17 2023-10-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus including a multi-zone platen
JP7517832B2 (ja) * 2020-01-17 2024-07-17 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置

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