JP2001287142A - 基板エッジ研磨装置 - Google Patents
基板エッジ研磨装置Info
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- JP2001287142A JP2001287142A JP2000102669A JP2000102669A JP2001287142A JP 2001287142 A JP2001287142 A JP 2001287142A JP 2000102669 A JP2000102669 A JP 2000102669A JP 2000102669 A JP2000102669 A JP 2000102669A JP 2001287142 A JP2001287142 A JP 2001287142A
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- polished
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- Pending
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
き、しかも装置としてコンパクト化を図ることができる
ようにした基板エッジ研磨装置を提供する。 【解決手段】 基板Wを該基板Wのエッジを露出させて
保持する上下動自在な基板保持部14と、基板保持部1
4で保持した基板Wのエッジに対向する位置にリング状
の研磨面20を設けた回転自在な研磨部16とを有す
る。
Description
に係り、特に半導体ウェハ等の基板のエッジに成膜乃至
付着した不要な銅(Cu)等の金属膜やレジスト残り等
を削り取って除去するようにした基板エッジ研磨装置に
関する。
るための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニ
ウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグ
レーション耐性が高い銅(Cu)を用いる動きが顕著に
なっている。この種の銅配線は、基板の表面に設けた微
細凹みの内部に銅を埋込むことによって一般に形成され
る。この銅配線を形成する方法としては、CVD、スパ
ッタリング及びめっきといった手法があるが、いずれに
しても、基板のほぼ全表面に銅を成膜し、化学機械研摩
(CMP)により不要の銅を除去するようにしている。
このため、基板のベベルにシード層である銅スパッタ膜
が存在し、また基板のエッジに銅が成膜されることがあ
る。
製造工程において酸化膜中に容易に拡散し、その絶縁性
を劣化させたり、次に成膜する膜との接着性が損なわ
れ、そこから剥離する原因ともなり得るので、少なくと
も成膜前に、基板上から完全に除去することが要求され
ている。しかも、回路形成部以外の基板のエッジに成膜
乃至付着した銅は不要であるばかりでなく、その後の基
板の搬送、保管・処理等の工程において、クロスコンタ
ミの原因ともなり得るので、銅の成膜工程やCMP工程
直後に完全に除去する必要がある。
すると、その後の各種処理工程を経る間に、基板のエッ
ジがカセット内の収納溝や搬送機構のチャック部等に接
触して、ここに付着したレジストが剥離して発塵源とな
ることが知られている。
ば上下方向に延び下端に吸着部100を有する上下動及
び水平移動自在なロボットハンド102からなり、この
吸着部100で基板Wを該基板Wのエッジを露出させた
状態で水平方向に対して傾斜させて吸着保持する基板保
持部104と、円柱状の支持体106の側面に、例えば
研磨布108を貼着して該研磨布108の表面を研磨面
110とした研磨部112とを備え、基板Wのエッジを
研磨面110に当接させながら、基板保持部104と支
持体106の少なくとも一方を回転させ、同時に基板保
持部104を介して基板Wを研磨面110に沿って上下
動させることで、基板Wのエッジを研磨するようにした
基板エッジ研磨装置が一般に知られている。
のエッジ全面を研磨する場合には、先ずエッジの片面を
研磨した後、基板を反転させ、基板保持部104で基板
Wを再度保持してエッジのもう一方の片面を研磨するよ
うにしている。
基板エッジ研磨装置にあっては、基板のエッジをその円
周方向に沿った1点で研磨面に点接触させながら研磨す
るようにしているため、広い研磨面を有しているにも拘
わらず、加工速度が一般に遅く、研磨に時間が掛かるば
かりでなく、円柱状の研磨部を有しているため、装置と
して大型化してしまうといった問題があった。
板のエッジを効率良く研磨することができ、しかも装置
としてコンパクト化を図ることができるようにした基板
エッジ研磨装置を提供することを目的とする。
は、基板を該基板のエッジを露出させて保持する基板保
持部と、前記基板保持部で保持した基板のエッジに対向
する位置にリング状の研磨面を設けた研磨部と、前記基
板保持部と前記研磨部とを相対的に回転及び接離させる
回転機構及び接離機構とを有することを特徴とする基板
エッジ研磨装置である。
に沿った全長に亘って研磨面に面接触させながら該基板
を研磨部に対して相対的に回転させて該エッジを研磨す
ることで、低い面圧で基板のエッジを効率良く研磨する
ことができる。
ジを前記研磨部の研磨面に向けて押圧する押圧機構を更
に有することを特徴とする請求項1記載の基板エッジ研
磨装置である。これにより、基板のエッジ部を所定の押
圧力で研磨面に確実に押付けて、基板のずれや暴れに伴
う欠陥の発生を防止することができる。
前記基板保持部で保持した基板のなす平面に対して、外
方に向け徐々に近づく方向に傾斜していることを特徴と
する請求項1または2記載の基板エッジ研磨装置であ
る。これにより、研磨の際に基板のエッジの下側半分を
確実に研磨面に当接させるようにしたり、任意のエッジ
カット幅を設定することができる。この傾斜角度は、例
えば研磨面を構成する素材の硬さ、基板のエッジ形状、
エッジカット幅、研磨の際に加えられる荷重等によって
任意に決められる。
て該基板の上面中央部を吸着保持するようにしてもよ
い。
転自在に構成され、この研磨部の回転中心部に該研磨部
の回転に伴う遠心力で前記研磨面に砥液を供給する砥液
供給口が設けられていることを特徴とする請求項1乃至
3のいずれかに記載の基板エッジ研磨装置である。これ
により、砥液を基板の下側から研磨面に供給することが
できる。
し全体をカバーで覆ったハウジング内に、請求項1乃至
4のいずれかに記載の基板エッジ研磨装置と、基板のロ
ード・アンロードを行うロード・アンロード装置と、前
記基板エッジ研磨装置で研磨後の基板を洗浄する基板洗
浄装置とを配置してクリーンルーム内に設置したことを
特徴とする基板処理装置である。
て図面を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実
施の形態の基板エッジ研磨装置を示すもので、これは、
例えば上下方向に延び下端に吸着部10を有する上下動
及び水平移動自在なロボットハンド12からなり、半導
体ウエハ等の基板Wを水平な状態で下向きにして該基板
Wの上面中央部を吸着保持する基板保持部14と、この
基板保持部14の下方に配置された研磨部16とを有し
ている。
坦部18aの周縁部に一体に連接され直径方向に沿って
上方に徐々に傾斜する傾斜部18bとからなる支持体1
8を有し、この支持体18の傾斜部18bの基板保持部
14で保持された基板Wのエッジに対向する位置に、表
面を研磨面20としたリング状の研磨布22が貼着さ
れ、これによって、研磨面20が水平面に対して角度α
だけ傾斜するようになっている。
400,600(Rodel社製)等の不織布、IC1
000(Rodel社製)等の独立気泡パッド(発泡ポ
リウレタン)またはスウェード等が使用され、この研磨
布22を角度αだけ傾斜させることで、研磨の際に基板
Wの研磨するエッジの下側半分が研磨面20に当接する
ようになっている。
る素材の硬さ、基板Wのエッジ形状、エッジカット幅等
によって、研磨の際に基板Wの研磨するエッジの下側半
分が研磨面20に当接するように任意に決められる。
で構成した例を示しているが、このように、研磨布を使
用し、かつ柔らかい素材を選択する方がスクラッチの発
生を防止する上で好ましいが、砥粒を含浸若しくは固定
した砥石の表面で研磨面を構成するようにしても良い。
この場合、砥石は変形しないので、砥石表面の研磨面を
基板のエッジ形状に合わせた、例えば円弧状の形状にす
ることで、基板のエッジ形状に対処することができる。
な軸24の上端に連結されている。そして、この軸24
の内部に上下方向に延びる砥液流路26が形成され、支
持体18の中心の該砥液流路26に連通する位置に砥液
供給口28が形成されている。これによって、砥液供給
口28から吐出された砥液30が研磨部16の回転に伴
う遠心力で研磨面20に供給されるようになっている。
なお、この軸24の内部を通じて、砥液流路26から砥
液供給口28に、例えば純水や脱イオン水等の洗浄液を
流すようにしたり、この洗浄液を流す別のラインを設け
ても良い。
研磨面20に対向する位置に、基板Wのエッジを所定の
押圧力Fで研磨面20に確実に押付けて、基板Wのずれ
や暴れに伴う欠陥の発生を防止する押圧機構としての押
圧片32が上下動自在に配置されている。
置の使用例を説明する。先ず、吸着部10を有するロボ
ットハンド12(基板保持部14)で基板Wを吸着保持
して、研磨部16の直上方位置であって、上昇位置にあ
る押圧片32の下方に搬送する。次に、研磨部16を、
例えば20〜1000r.p.mの研磨する仕上がり状態で
決められる回転速度で回転させ、同時に砥液供給口28
から砥液30を吐出させることで、研磨部16の回転に
伴う遠心力で砥液30を研磨面20に供給する。
せて、基板Wのエッジを研磨面20に当接させ、更に押
圧片32を下降させて基板Wのエッジを研磨面20に向
けて所定の押圧力Fで押圧することで、基板Wのずれや
暴れを防止しつつ、基板Wのエッジの片面を研磨する。
面のみの研磨で良い場合には、押圧片32を上昇させた
後、ロボットハンド12を上昇させて、研磨後の基板W
を該ロボットハンド12で研磨後の基板Wを次工程に搬
送する。また、エッジの全面を研磨する場合には、基板
を反転させ、ロボットハンド12で基板Wを再度保持し
てエッジのもう一方の片面を研磨し、しかる後、研磨後
の基板Wをロボットハンド12で次工程に搬送する。
うにしているが、基板保持部または双方を回転させるよ
うにしても良く、また、基板保持部と研磨部とを相対的
に接離させるための接離機構として、基板保持部の上下
動機構を採用しているが、研磨部を上下動させるように
しても良い。更に、ロボットハンドで基板保持部を兼用
した例を示しているが、専用の基板保持部を備え、この
基板保持部とロボットハンドとの間で基板の受け渡しを
行うようにしても良い。
備えた基板処理装置を示す平面図で、図3は、図2に示
す基板処理装置による基板の処理を工程順に示すフロー
図である。
キングゾーン40から仕切板42で仕切られたユーティ
リティゾーン44内に位置して、全体をカバーで覆うと
ともに、排気ダクト(図示せず)を取付けたハウジング
46が設けられている。そして、このハウジング46の
ワーキングゾーン40側にロード・アンロード装置48
が配置され、一方の側壁側にスピンドライ装置50、ペ
ン洗浄機52、ロール洗浄機54、反転機56及び基板
エッジ研磨装置の研磨部16が直列に配置され、更に他
方の側壁側に該側壁に沿って走行自在なロボット58が
配置されている。このロボット58のロボットハンド
は、前述のように、基板エッジ研磨装置の基板保持部を
兼用している。
ように、先ずロボット58のロボットハンドでロード・
アンロード装置48から研磨前の1枚の基板Wを受取
り、これを研磨部16に搬送して、前述と同様にして基
板のエッジの片面の研磨を行う。そして、このエッジの
片面を研磨した基板をロボット58を介して反転機56
に搬送し、これで基板を反転させた後、再度研磨部16
に搬送して、基板のもう片方のエッジを研磨する。
ロボット58を介してロール洗浄機54に搬送し、これ
でロール洗浄した後、ロボット58を介してペン洗浄機
52に搬送し、これでペン洗浄を行う。しかる後、ロボ
ット58を介してスピンドライ装置50に搬送し、これ
でスピンドライにより乾燥させた後、ロボット58を介
してロード・アンロード装置48に戻す。
に、排気ダクト(図示せず)を取付けたハウジング46
内に各装置を配置することで、クラス1000以下のク
リーンルーム内の設置が可能となる。
ル洗浄機54間を往復移動し、ロード・アンロード装置
48で基板Wの収納・取出しを行い、研磨後、ロール洗
浄機54、ペン洗浄機52及びスピンドライ装置50で
洗浄・乾燥処理した基板Wを搬送する第1ロボットと、
ロール洗浄機54、反転機56及び基板エッジ研磨装置
間を往復移動し、反転機56で反転させ研磨部16でエ
ッジ研磨した基板Wを搬送する第2ロボットとを独立に
設けて、処理量(スループット)を増加してもよい。こ
の時、第1及び第2ロボット間の基板Wの受け渡しは、
ロール洗浄機54を介して行うが、反転機56の位置で
行ってもよい。
ジの全面の研磨を行うようにした例を示しているが、例
えば処理量を必要とする場合には、2個の研磨部を設け
て、このエッジの片面ともう一方の片面の研磨を別の研
磨部で行っても良く、また洗浄は、薬液によるものであ
っても良い。
エッジ研磨装置を示すもので、これは、支持体18の周
縁部に横移動自在な研磨布支持部18cを設け、この研
磨布支持部18cの上面に研磨布22を貼着したもので
ある。これにより、基板Wの大きさの変化に対処するこ
とができる。
エッジ研磨装置を示すもので、これは、支持体18の上
面に、駆動ロール60と従動ロール62を有するブラケ
ット64を立設し、このロール60,62間に無端状の
研磨布22を掛け渡したものである。これにより、研磨
布22の使用領域を増やすことができる。なお、図示し
ないダイアモンド、ブラシ、圧縮流体などによるドレッ
サーツールによってクロスの寿命を延ばすようにしたも
良い。
基板のエッジをその円周方向に沿った全長に亘って研磨
面に面接触させながら該基板を研磨部に対して相対的に
回転させて研磨することで、低い面圧で基板のエッジを
効率良く研磨することができる。しかも、研磨部として
略平板状のものを使用することで、装置としてのコンパ
クト化を図ることができる。
置を示す縦断正面図である。
理装置の概略平面図である。
程順に示すフロー図である。
置を示す縦断面図である。
置を示す縦断面図である。
である。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板を該基板のエッジを露出させて保持
する基板保持部と、 前記基板保持部で保持した基板のエッジに対向する位置
にリング状の研磨面を設けた研磨部と、 前記基板保持部と前記研磨部とを相対的に回転及び接離
させる回転機構及び接離機構とを有することを特徴とす
る基板エッジ研磨装置。 - 【請求項2】 前記基板のエッジを前記研磨部の研磨面
に向けて押圧する押圧機構を更に有することを特徴とす
る請求項1記載の基板エッジ研磨装置。 - 【請求項3】 前記研磨面は、前記基板保持部で保持し
た基板のなす平面に対して、外方に向け徐々に近づく方
向に傾斜していることを特徴とする請求項1または2記
載の基板エッジ研磨装置。 - 【請求項4】 前記研磨部は回転自在に構成され、この
研磨部の回転中心部に該研磨部回転に伴う遠心力で前記
研磨面に砥液を供給する砥液供給口が設けられているこ
とを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板
エッジ研磨装置。 - 【請求項5】 排気ダクトを有し全体をカバーで覆った
ハウジング内に、請求項1乃至4のいずれかに記載の基
板エッジ研磨装置と、基板のロード・アンロードを行う
ロード・アンロード装置と、前記基板エッジ研磨装置で
研磨後の基板を洗浄する基板洗浄装置とを配置してクリ
ーンルーム内に設置したことを特徴とする基板処理装
置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000102669A JP2001287142A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 基板エッジ研磨装置 |
US09/824,644 US6722964B2 (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Polishing apparatus and method |
US10/784,945 US6935932B2 (en) | 2000-04-04 | 2004-02-25 | Polishing apparatus and method |
US11/187,944 US7108589B2 (en) | 2000-04-04 | 2005-07-25 | Polishing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000102669A JP2001287142A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 基板エッジ研磨装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001287142A true JP2001287142A (ja) | 2001-10-16 |
Family
ID=18616507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000102669A Pending JP2001287142A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 基板エッジ研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001287142A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101540855B1 (ko) * | 2013-11-07 | 2015-07-30 | 주식회사 엘지실트론 | 에지 폴리싱 장치 |
CN110874018A (zh) * | 2018-09-04 | 2020-03-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光刻胶涂布设备及涂布方法 |
CN114952524A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-08-30 | 沭阳国力液压件有限公司 | 一种易于废料收集的转向泵叶片生产用抛光装置 |
JP2022545263A (ja) * | 2019-08-27 | 2022-10-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械研磨補正ツール |
-
2000
- 2000-04-04 JP JP2000102669A patent/JP2001287142A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101540855B1 (ko) * | 2013-11-07 | 2015-07-30 | 주식회사 엘지실트론 | 에지 폴리싱 장치 |
CN110874018A (zh) * | 2018-09-04 | 2020-03-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种光刻胶涂布设备及涂布方法 |
JP2022545263A (ja) * | 2019-08-27 | 2022-10-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 化学機械研磨補正ツール |
CN114952524A (zh) * | 2022-04-13 | 2022-08-30 | 沭阳国力液压件有限公司 | 一种易于废料收集的转向泵叶片生产用抛光装置 |
CN114952524B (zh) * | 2022-04-13 | 2023-09-22 | 沭阳国力液压件有限公司 | 一种易于废料收集的转向泵叶片生产用抛光装置 |
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