JP3933376B2 - 基板エッジ研磨装置 - Google Patents

基板エッジ研磨装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3933376B2
JP3933376B2 JP2000227437A JP2000227437A JP3933376B2 JP 3933376 B2 JP3933376 B2 JP 3933376B2 JP 2000227437 A JP2000227437 A JP 2000227437A JP 2000227437 A JP2000227437 A JP 2000227437A JP 3933376 B2 JP3933376 B2 JP 3933376B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
polishing
edge
unit
polished
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000227437A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002036080A5 (ja
JP2002036080A (ja
Inventor
憲雄 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2000227437A priority Critical patent/JP3933376B2/ja
Publication of JP2002036080A publication Critical patent/JP2002036080A/ja
Publication of JP2002036080A5 publication Critical patent/JP2002036080A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3933376B2 publication Critical patent/JP3933376B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板エッジ研磨装置に係り、特に表面に膜が形成された半導体ウェハ等の基板のエッジ(外周部)に成膜乃至付着した不要な銅(Cu)等の金属膜やレジスト残り等を削り取って除去するようにした基板エッジ研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体基板上に配線回路を形成するための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に換えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅(Cu)を用いる動きが顕著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、CVD、スパッタリング及びめっきといった手法があるが、いずれにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜し、化学的機械的研磨(CMP)により不要の銅を除去するようにしている。このため、基板のベベルにシード層である銅スパッタ膜が存在し、また基板のエッジに銅が成膜されることがある。
【0003】
銅は、例えばアニール等の半導体製造工程において酸化膜中に容易に拡散し、その絶縁性を劣化させたり、次に成膜する膜との接着性が損なわれ、そこから剥離する原因ともなり得るので、少なくとも成膜前に、基板上から完全に除去することが要求されている。しかも、回路形成部以外の基板のエッジに成膜乃至付着した銅は不要であるばかりでなく、その後の基板の搬送、保管・処理等の工程において、クロスコンタミの原因ともなり得るので、銅の成膜工程やCMP工程直後に完全に除去する必要がある。
【0004】
また、基板のエッジにレジスト残りが存在すると、その後の各種処理工程を経る間に、基板のエッジがカセット内の収納溝や搬送機構のチャック部等に接触して、ここに付着したレジストが剥離して発塵源となることが知られている。
更に、ベアシリコンのベベル部の表面粗さや、デバイス形成の過程でダメージを受けたベベル部を滑らかにしたり、メタル膜で、例えばルテニウム等の電極材を除去するためにも、基板のエッジを研磨することが求められている。
【0005】
このため、従来、図9に示すように、例えば上下方向に延び下端に吸着部100を有する上下動及び水平移動自在なロボットハンド102からなり、この吸着部100で基板Wを該基板Wのエッジを露出させた状態で水平方向に対して傾斜させて吸着保持する基板保持部104と、円柱状の支持体106の側面に、例えば研磨布108を貼着して該研磨布108の表面を研磨面110とした研磨部112とを備え、基板Wのエッジを研磨面110に当接させながら、基板保持部104と支持体106の少なくとも一方を回転させ、同時に基板保持部104を介して基板Wを研磨面110に沿って上下動させることで、基板Wのエッジを研磨するようにした基板エッジ研磨装置が一般に知られている。
【0006】
なお、この種の基板エッジ研磨装置で基板のエッジ全面を研磨する場合には、先ずエッジの片面を研磨した後、基板Wを反転させ、基板保持部104で基板Wを再度保持してエッジのもう一方の片面を研磨するようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板エッジ研磨装置にあっては、基板のエッジをその円周方向に沿った1点で研磨面に点接触させながら研磨するようにしているため、広い研磨面を有しているにも拘わらず、この研磨面の全面を有効に使用できずに加工速度が一般に遅く、研磨に時間が掛かるばかりでなく、円柱状の研磨部を有しているため、装置として大型化してしまうといった問題があった。
【0008】
本発明は上記に鑑みて為されたもので、研磨面をその全面に亘ってより有効に使用して基板のエッジを効率良く研磨することができ、しかも装置としてコンパクト化を図ることができるようにした基板エッジ研磨装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板を該基板のエッジを露出させて保持する回転自在な基板保持部と、前記基板保持部で保持した基板のエッジの片面に対向する円周方向に沿った位置に互いに離間して配置され該基板のエッジとの対向面を研磨面とした自転自在な円板状の複数の研磨盤を有し、基板のエッジの片面を研磨する研磨部と、前記基板保持部と前記研磨部とを相対的に接離させる接離機構とを有し、前記研磨盤の研磨面は、前記基板保持部で保持した基板のなす面に対して外方に向け徐々に近づくように傾斜し、その中心が基板の外周に対応する位置に位置し該基板の外周に沿うように凹に形成されて、基板のエッジの片面各研磨盤の研磨面に円弧状に接触することを特徴とする基板エッジ研磨装置である。
【0010】
これにより、基板のエッジをその円周方向に沿ったほぼ全長に亘って研磨盤の研磨面に接触させながら、基板を回転させつつ研磨盤を自転させてエッジを研磨することで、研磨盤の研磨面をその全面に亘ってより有効に利用しつつ、低い面圧で基板のエッジを効率良く研磨することができる。
【0011】
請求項2に記載の発明は、前記研磨部は、前記基板保持部で保持した基板を挟んだ上下両側に設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板エッジ研磨装置である。これにより、基板を基板保持部で保持したまま、基板のエッジの片面を一方の研磨部で、エッジのもう一方の片面を他方の研磨部でそれぞれ研磨することができる。
【0013】
請求項に記載の発明は、円筒状で内周面を研磨面とした端面研磨部を前記基板の端面に接離自在に配置したことを特徴とする請求項1または2記載の基板エッジ研磨装置である。基板の種類によっては、このエッジに基板の表面と垂直で平坦な端面を有するものもあるが、このような場合に、基板を基板保持部で保持したまま、エッジの片面或いは両面の他に、この端面を端面研磨部で研磨することができる。
【0014】
請求項に記載の発明は、基板のノッチ部端面を研磨する機構を更に有することを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の基板エッジ研磨装置である。これにより、基板を基板保持部で保持したまま、基板のノッチ部端面も研磨することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1及び図2は、本発明の第1の実施の形態の基板エッジ研磨装置を示すもので、これは、上下方向に延び上端に半導体ウエハ等の基板Wを水平な状態で該基板Wの下面中央部を真空吸着して保持する吸着部10を有し、モータ12及び上下動機構(図示せず)を介して回転及び上下動自在な基板保持部14と、この基板保持部14で保持した基板Wを挟んで上下に配置された2つの研磨部16,18とを備えている。
【0016】
なお、この例では、2つの研磨部16,18を備え、この一方の研磨部16で基板Wのエッジの片面(下面)を、他方の研磨部18でエッジのもう一方の片面(上面)をそれぞれ研磨するようにしており、この両研磨部16,18は、基本的に同じ構成をしているので、以下、下方に位置する一方の研磨部16のみを説明し、上方に位置する他方の研磨部18は相当部分に同一符号を付してその説明を省略する。なお、エッジの片面のみを研磨する場合には、一方の研磨部を省略しても良いことは勿論である。
【0017】
研磨部16は、略円筒状で回転自在に支承された回転体20と、基板保持部14で保持した基板Wのエッジに対向する円周方向に沿った位置に配置された自転自在な複数(図示では8個)の研磨盤22とを有し、この研磨盤22の基板Wとの対向面(上面)が研磨面22aとなっている。ここで、図2に示すように、研磨盤22の研磨面22aの中心は、基板Wの外周にほぼ対応する位置に位置している。研磨盤22の研磨面22aは、基板の外周に沿うように凹に形成されている。これによって、基板Wのエッジは、研磨面22aの円弧上に接触するようになっている。
【0018】
この研磨面22aは、例えば円板状の支持体の表面に貼着した研磨布の表面で構成されている。この研磨布としては、例えばSUBA400,600(Rodel社製)等の不織布、IC1000(Rodel社製)等の独立気泡パッド(発泡ポリウレタン)またはポリテックス(Rodel社製)等のスエードタイプ等が、加工の仕上がり具合と加工速度に合わせて適当なものが使用される。
【0019】
なお、この例では、研磨面22aを研磨布の表面で構成した例を示しているが、このように、研磨布を使用し、かつ柔らかい素材を選択する方がスクラッチの発生を防止する上で好ましいが、砥粒を含浸若しくは固定した砥石の表面で研磨面を構成するようにしても良い。この場合、砥石は変形しないので、砥石表面の研磨面を基板のエッジ形状に合わせた、例えば円弧状の形状にすることで、基板のエッジ形状に対処することができる。また、シリカ粒子、若しくはセリア粒子等の砥粒を固めた砥石を用いることで、エッジ形状をより加工することができる。
【0020】
回転体20の外周面の下端には、この側方に配置したモータ24の駆動軸に固着した駆動平歯車26と噛合う従動平歯車28が固着され、上端には、駆動ベベル歯車30が固着されている。一方、研磨盤22は、自転自在に支承された軸32の上端に固着され、この軸32の下端には、前記駆動ベベル歯車30と噛合う従動ベベル歯車34が固着されている。これによって、モータ24の駆動に伴って回転体20が回転し、この回転体20の回転で各研磨盤22が自転するようになっている。
【0021】
ここで、前記軸32は、鉛直面に対して角度αで交わり、これによって、研磨盤22の研磨面(上面)22aが水平面に対して角度αだけ傾斜するようになっている。この角度αは、研磨の際に基板Wの研磨するエッジの下側半分が研磨面22aに当接するよう、例えば30゜に設定されているが、例えば研磨面22aを構成する素材の硬さ、基板Wのエッジ形状、エッジカット幅等によって、研磨の際に基板Wの研磨するエッジの下側半分が研磨面22aに当接するように任意に決められる。
【0022】
そして、研磨面22aの上方の外方周辺部に位置して、研磨面22aに砥粒を加えたスラリーや化学反応を促進させる薬液等を供給する砥液供給部としての砥液供給ノズル36が配置されている。なお、図1に仮想線で示すように、従動ベベル歯車34、軸32及び研磨盤22の中心に互いに連通する砥液流通孔38を設け、砥液タンク40から延びる砥液配管42に接続したロータリージョイント44から前記砥液流通孔38を通じて研磨面22aに砥液を供給するようにしても良く、また、この砥液供給ノズル36や砥液流通孔38から、例えば純水や脱イオン水等の洗浄液を流すようにしても良い。
【0023】
更に、図3及び図2に仮想線で示すように、研磨盤22の周辺部の基板Wと干渉しない位置に、例えばブラシやダイヤモンドツール等のドレッサ46を有するドレッシング装置48を上下動自在に配置し、このドレッサ46を研磨盤22の研磨面22aに当接させて、研磨面22aの再生を行うようにしても良い。
【0024】
次に、この実施の形態の基板エッジ研磨装置の使用例を説明する。なお、この例では、基板のエッジの下面を先に研磨し、次に上面を研磨するようにしているが、この反対を行っても良いことは勿論である。
【0025】
先ず、上下の研磨部16,18の間に位置させた基板保持部14の吸着部10と基板を搬送したロボットハンド等との間で基板の受渡しを行って、吸着部10で基板Wを吸着保持する。次に、下側に位置する研磨部16の研磨盤22を、例えば10rpm 以下の研磨する仕上がり状態で決められる回転速度で回転させ、同時に砥液供給ノズル36から研磨面22aに砥液を供給する。
【0026】
この状態で、基板保持部14を、例えば100 rpm 程度の研磨する仕上がり状態で決められる回転速度で回転させつつ下降させ、基板Wのエッジを研磨面22aに当接させ、所定の押圧力で押圧することで、基板Wのずれや暴れを防止しつつ、基板Wのエッジの下面を研磨する。
【0027】
この時、基板Wのエッジは、その円周方向に沿ったほぼ全長に亘って研磨盤22の研磨面22aに接触し、かつ各研磨盤22の研磨面22aは、自転することで、そのほぼ全面に亘って基板Wに接触し、これによって、研磨面22aのより有効利用を図りつつ、基板Wのエッジを効率良く研磨することができる。
【0028】
この下面の研磨を終了した後、基板保持部14を回転させつつ上昇させ、下側の研磨部16の研磨盤22の自転を停止させ、今度は、上側に位置する研磨部18の研磨盤22を、例えば10rpm 以下の回転速度で回転させ、同時に砥液供給ノズル36から研磨面22aに砥液を供給する。そして、基板Wのエッジを研磨面22aに当接させ、所定の押圧力で押圧することで、基板Wのずれや暴れを防止しつつ、基板Wのエッジの上面を研磨する。
【0029】
そして、上下両面の研磨が終了後、基板保持部14を下降させ、ロボットハンド等で研磨後の基板を受け取って次工程に搬送し、同時に、上側の研磨部18の研磨盤22の自転を停止させる。
【0030】
なお、基板保持部14と研磨部16,18とを相対的に接離させるための接離機構として、基板保持部14の上下動機構を採用しているが、研磨部16,18を上下動させるようにしても良い。
【0031】
図4は、図1及び図2に示す基板エッジ研磨装置を備えた基板処理装置を示す平面図である。
図4に示すように、排気ダクト(図示せず)を取付けたハウジング50の端部に位置して、ロード・アンロード装置52が配置され、ハウジング50の一方の側壁側にペン洗浄兼スピンドライ装置54、ロール洗浄装置56及び2基の基板エッジ研磨装置58が直列に配置され、更に他方の側壁側に該側壁に沿って走行自在なロボット60が配置されている。
【0032】
この基板処理装置にあっては、先ずロボット60のロボットハンドでロード・アンロード装置52から研磨前の1枚の基板Wを受取り、これを一方の基板エッジ研磨装置58に搬送して、前述と同様にして基板のエッジの両面の研磨を行う。そして、このエッジの両面を研磨した基板をロボット60を介してロール洗浄装置56に搬送し、これでロール洗浄する。ロール洗浄とは、水平に支持された基板の表裏面に、平行な自転軸を有する円筒状のロールブラシを用い、該ロールブラシを自転させることによってロールブラシの外周面を基板にこすりつけて、基板の両面をスクラブ洗浄することである。そして、このロール洗浄後の基板をロボット60を介してペン洗浄兼スピンドライ装置54に搬送し、これでペン洗浄を行った後、スピンドライにより乾燥させ、しかる後、ロボット60を介してロード・アンロード装置52に戻す。ペン洗浄とは、基板表面に対して垂直な自転軸を持つスポンジブラシにより、ブラシの端面を基板にこすりつけることにより、基板表面をスクラブ洗浄することである。
この例では、2基の基板エッジ研磨装置を設けてスループットを向上させた例を示しているが、1基でも良く、また洗浄は、薬液によるものであっても良い。
【0033】
図5及び図6は、本発明の第2の実施の形態の基板エッジ研磨装置を示すもので、これは、第1の実施の形態に以下の構成を付加したものである。すなわち、上下の研磨部16,18の間に、基板Wの外径とほぼ等しい内径を有する円筒状で、これを円周方向に沿って複数に分割した開閉自在な端面研磨部62を配置し、この端面研磨部62の内周面を研磨面62aとしたものである。
【0034】
この実施の形態によれば、端面研磨部62の内部に基板Wを位置させ、これを閉じた状態で、基板保持部14を介して基板Wを回転させつつ上下方向に移動させることで、図5に示す表面と直交する端面Fを有する基板Wであっても、基板保持部14で基板Wを保持したままこのエッジの片面或いは両面を研磨し、更に、この端面Fを端面研磨部62で研磨することができる。
【0035】
なお、この例では、端面研磨部として、円筒状で円周方向に沿って複数に分割した開閉自在なものを使用しているが、例えば、研磨面を弾性体で構成して、この研磨面の弾性変形によって、この内面を基板が摺動できる場合には、円筒状のものをそのまま使用しても良い。
【0036】
図7及び図8は、本発明の第3の実施の形態の基板エッジ研磨装置を示すもので、これは、研磨部16,18の互いに隣接する研磨盤22,22間に位置して、基板Wの外周に沿った円弧状の研磨面(内周面)62aを有する端面研磨部62を基板Wの端面に接離自在に配置し、互いに隣接する研磨盤22,22間の一カ所に基板Wのノッチ部Nの端面を研磨する円板状のノッチ部端面研磨部64を基板の方向に移動自在に配置し、更に、このノッチ部Nを検出するノッチ部検出センサ66を設けたものである。その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
【0037】
この実施の形態にあっては、端面研磨部62の研磨面62aに基板Wの端面を当接させ、基板保持部14を介して基板Wを回転させつつ上下方向に移動させることで、図5に示す表面と直交する端面Fを研磨する。そして、ノッチ部検出センサ66で基板Wのノッチ部Nを検出して、このノッチ部Nがノッチ部端面研磨部64に対向する位置に位置するように基板Wの回転を停止させ、しかる後、ノッチ部端面研磨部64を前進させてこの外周端部をノッチ部N内に位置させ、この状態でノッチ部端面研磨部64を回転させつつ基板Wを上下動させることで、基板Wのノッチ部Nを研磨することができる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板のエッジをその円周方向に沿ったほぼ全長に亘って研磨盤の研磨面に接触させながら、基板を回転させつつ研磨盤を自転させてエッジを研磨することで、研磨盤の研磨面をその全面に亘ってより有効に利用しつつ、低い面圧で基板のエッジを効率良く研磨することができる。しかも、複数の研磨盤で研磨面を構成することで、装置としてのコンパクト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の基板エッジ研磨装置を示す縦断正面図である。
【図2】図1に示す基板エッジ研磨装置の下方に位置する研磨部の平面図である。
【図3】ドレッシング装置を備えた変形例を示す要部拡大図である。
【図4】図1及び図2に示す基板エッジ研磨装置を備えた基板処理装置の概略平面図である。
【図5】本発明の第2の実施の形態の基板エッジ研磨装置の要部を示す図である。
【図6】図5の端面研磨部の平面図である。
【図7】本発明の第3の実施の形態の基板エッジ研磨装置の概略を示す平面図である。
【図8】図7におけるノッチ部端面研磨部とノッチ部検出センサとの位置関係を示す図である。
【図9】従来の基板エッジ研磨装置の概略を示す斜視図である。
【符号の説明】
10 吸着部
14 基板保持部
16,18 研磨部
20 回転体
22 研磨盤
22a 研磨面
26 駆動平歯車
28 従動平歯車
30 駆動ベベル歯車
32 軸
34 従動ベベル歯車
36 砥液供給ノズル
38 砥液流通孔
46 ドレッサ
48 ドレッシング装置
58 基板エッジ研磨装置
62 端面研磨部
62a 研磨面
64 ノッチ部端面研磨部
66 ノッチ部検出センサ

Claims (4)

  1. 基板を該基板のエッジを露出させて保持する回転自在な基板保持部と、
    前記基板保持部で保持した基板のエッジの片面に対向する円周方向に沿った位置に互いに離間して配置され該基板のエッジとの対向面を研磨面とした自転自在な円板状の複数の研磨盤を有し、基板のエッジの片面を研磨する研磨部と、
    前記基板保持部と前記研磨部とを相対的に接離させる接離機構とを有し、
    前記研磨盤の研磨面は、前記基板保持部で保持した基板のなす面に対して外方に向け徐々に近づくように傾斜し、その中心が基板の外周に対応する位置に位置し該基板の外周に沿うように凹に形成されて、基板のエッジの片面各研磨盤の研磨面に円弧状に接触することを特徴とする基板エッジ研磨装置。
  2. 前記研磨部は、前記基板保持部で保持した基板を挟んだ上下両側に設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板エッジ研磨装置。
  3. 円筒状で、内周面を研磨面とした端面研磨部を前記基板の端面に接離自在に配置したことを特徴とする請求項1または2記載の基板エッジ研磨装置。
  4. 基板のノッチ部端面を研磨する機構を更に有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板エッジ研磨装置。
JP2000227437A 2000-07-27 2000-07-27 基板エッジ研磨装置 Expired - Fee Related JP3933376B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000227437A JP3933376B2 (ja) 2000-07-27 2000-07-27 基板エッジ研磨装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000227437A JP3933376B2 (ja) 2000-07-27 2000-07-27 基板エッジ研磨装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002036080A JP2002036080A (ja) 2002-02-05
JP2002036080A5 JP2002036080A5 (ja) 2004-12-24
JP3933376B2 true JP3933376B2 (ja) 2007-06-20

Family

ID=18720889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000227437A Expired - Fee Related JP3933376B2 (ja) 2000-07-27 2000-07-27 基板エッジ研磨装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3933376B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5033066B2 (ja) * 2008-06-13 2012-09-26 株式会社Bbs金明 ワーク外周部の研磨装置および研磨方法
JP6350857B2 (ja) * 2014-04-21 2018-07-04 スピードファム株式会社 円盤状半導体ウェーハエッジ部の研磨方法、及びその装置
KR101578713B1 (ko) * 2015-06-22 2015-12-18 황정하 광학렌즈의 양면 모따기 장치
KR102341340B1 (ko) * 2020-03-06 2021-12-17 에스케이실트론 주식회사 패드 드레서 로딩 장치
CN114193308A (zh) * 2021-12-09 2022-03-18 云浮市坚诚机械有限公司 一种台面板的盘孔自动抛光机

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002036080A (ja) 2002-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7108589B2 (en) Polishing apparatus and method
JP5123329B2 (ja) 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法
US7749908B2 (en) Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer
TWI620240B (zh) 用於化學機械平坦化後的基板清潔之方法及設備
US6558239B2 (en) Polishing apparatus
JP5252517B2 (ja) パターン化されたパッドを用いる化学機械研磨用方法及び装置
JP3645528B2 (ja) 研磨方法及び半導体装置の製造方法
EP3112086A2 (en) Method of polishing back surface of substrate and substrate processing apparatus
JP2009194134A (ja) 研磨方法及び研磨装置
KR20150004100U (ko) 흡인을 포함하는 폴리싱 패드 컨디셔닝 시스템
US20130196572A1 (en) Conditioning a pad in a cleaning module
JP2011165994A (ja) 半導体基板の平坦化加工装置
TW201921517A (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
JP3933376B2 (ja) 基板エッジ研磨装置
JP2011124249A (ja) 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法
KR20000065895A (ko) 화학 기계적 폴리싱 장치
US6908371B2 (en) Ultrasonic conditioning device cleaner for chemical mechanical polishing systems
TW200919572A (en) Method of soft pad preparation to reduce removal rate ramp-up effect and to stabilize defect rate
US6800020B1 (en) Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
JPWO2004059714A1 (ja) 研磨装置及び半導体デバイスの製造方法
JP3528501B2 (ja) 半導体の製造方法
JP2011155095A (ja) 半導体基板の平坦化加工装置およびそれに用いる仮置台定盤
JPH09285957A (ja) 研磨材、それを用いた研磨方法および装置
JP2001345298A (ja) ポリッシング装置及び方法
JPH08153695A (ja) 研磨方法およびこれに用いる研磨装置並びに研磨仕上げ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040123

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040123

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060405

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060411

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060607

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061003

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070313

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070313

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140330

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees