KR20100091105A - 웨이퍼 가공 방법 - Google Patents

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KR20100091105A
KR20100091105A KR1020100004803A KR20100004803A KR20100091105A KR 20100091105 A KR20100091105 A KR 20100091105A KR 1020100004803 A KR1020100004803 A KR 1020100004803A KR 20100004803 A KR20100004803 A KR 20100004803A KR 20100091105 A KR20100091105 A KR 20100091105A
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wafer
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optical device
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KR1020100004803A
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다쿠야 아다치
요시오 우메다
후미테루 다시노
히사키 이케바타
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은, 웨이퍼를 스트리트를 따라 정확히 분할하고, 분할된 디바이스의 두께를 얇게 형성할 수 있는 웨이퍼 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼를 스트리트를 따라 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면측으로부터 스트리트를 따라 디바이스의 마무리 두께에 상당하는 깊이의 분할 홈을 형성하는 분할 홈 형성 공정과, 웨이퍼의 표면을, 자외선을 조사하면 경화되어 유지력이 증가하고 수분을 포함하면 팽윤하여 유지력이 저하되는 점착 수지에 의해 자외선이 투과하는 강성판의 표면에 접착하는 강성판 접착 공정과, 강성판의 이면측으로부터 자외선을 조사하여 점착 수지의 유지력을 증가시키는 유지력 증가 공정과, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 이면에 분할 홈을 표출시켜 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 이면 연삭 공정과, 웨이퍼의 이면에 점착 테이프를 접착하는 점착 테이프 접착 공정과, 웨이퍼 및 강성판을 온수에 침지하여 웨이퍼와 점착 수지를 팽윤시킴으로써 점착 수지의 유지력을 저하시키는 유지력 저하 공정과, 강성판을 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 강성판 박리 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼 가공 방법{WAFER MACHINING METHOD}
본 발명은, 표면에 격자형으로 형성된 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 스트리트를 따라 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 공정에서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 스트리트로 불리는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절단함으로써 회로가 형성된 영역을 분할하여 개개의 반도체칩을 제조하고 있다. 또한 사파이어 기판이나 탄화규소 기판의 표면에 질화갈륨계 화합물 반도체 등이 적층된 광디바이스 웨이퍼도 스트리트를 따라 절단함으로써 개개의 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광디바이스로 분할되고, 전기기기에 널리 이용되고 있다.
웨이퍼의 스트리트를 따른 절단은, 통상 절삭 블레이드를 고속 회전시켜 절삭하는 절삭 장치에 의해 행해지고 있다. 그러나 사파이어 기판이나 탄화규소 기판은 모스 경도가 높고 난삭재이기 때문에, 가공 속도를 느리게 해야 하므로, 생산성이 좋지 않은 문제가 있다.
최근, 광디바이스 웨이퍼를 스트리트를 따라 분할하는 방법으로서, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 펄스 레이저 광선을 스트리트를 따라 조사함으로써 레이저 가공 홈을 형성하고, 이 레이저 가공 홈을 따라 외력을 부여함으로써 할단하는 방법이 제안되어 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 평10-305420호 공보
그리고 광디바이스의 특성을 향상시키기 위해, 웨이퍼의 스트리트를 따라 레이저 가공 홈을 형성하기 전에, 사파이어 기판이나 탄화규소 기판 등으로 이루어지는 웨이퍼의 이면을 연삭 장치에 의해 연삭하여, 웨이퍼의 두께를 50 ㎛ 정도까지 얇게 가공하면, 웨이퍼에 휘어짐이 생겨 레이저 광선의 집광점을 적정한 위치에 위치시킬 수 없어, 웨이퍼를 스트리트를 따라 정확히 분할할 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는 웨이퍼를 스트리트를 따라 정확히 분할하고, 분할된 디바이스의 두께를 얇게 형성할 수 있는 웨이퍼 가공 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 주된 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 표면에 격자형으로 형성된 복수의 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 스트리트를 따라 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼 가공 방법으로서,
웨이퍼의 표면측으로부터 스트리트를 따라 디바이스의 마무리 두께에 상당하는 깊이의 분할 홈을 형성하는 분할 홈 형성 공정과,
상기 분할 홈이 형성된 웨이퍼의 표면을, 자외선을 조사하면 경화되어 유지력이 증가하고 수분을 포함하면 팽윤하여 유지력이 저하되는 점착 수지에 의해 자외선이 투과하는 강성판의 표면에 접착하는 강성판 접착 공정과,
상기 강성판의 이면측으로부터 자외선을 조사하여 상기 점착 수지를 경화시킴으로써 상기 점착 수지의 유지력을 증가시키는 유지력 증가 공정과,
상기 유지력 증가 공정을 실시한 후에, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 이면에 상기 분할 홈을 표출시키고, 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 이면 연삭 공정과,
상기 이면 연삭 공정이 실시된 웨이퍼의 이면에 점착 테이프를 접착하는 점착 테이프 접착 공정과,
상기 점착 테이프 접착 공정이 실시된 웨이퍼 및 상기 강성판을 온수에 침지하고, 웨이퍼와 상기 강성판을 접착하고 있는 상기 점착 수지를 팽윤시킴으로써 상기 점착 수지의 유지력을 저하시키는 유지력 저하 공정과,
상기 유지력 저하 공정을 실시한 후에, 상기 강성판을 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 강성판 박리 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법이 제공된다.
상기 분할 홈 형성 공정은, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 웨이퍼의 표면측으로부터 스트리트를 따라 조사함으로써 분할 홈을 형성한다.
또한, 상기 점착 테이프 접착 공정은, 환형 프레임에 장착된 점착 테이프의 표면에 웨이퍼의 이면을 접착한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼의 표면측으로부터 스트리트를 따라 디바이스의 마무리 두께에 상당하는 깊이의 분할 홈을 형성하는 분할 홈 형성 공정을 실시한 후, 웨이퍼의 표면을, 자외선을 조사하면 경화되어 유지력이 증가하고 수분을 포함하면 팽윤하여 유지력이 저하되는 점착 수지에 의해 자외선이 투과하는 강성판의 표면에 접착하는 강성판 접착 공정을 실시하고, 강성판의 이면측으로부터 자외선을 조사하여 점착 수지를 경화시킴으로써 점착 수지의 유지력을 증가시키는 유지력 증가 공정을 실시한 후에, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 이면에 분할 홈을 표출시키고 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 이면 연삭 공정을 실시하기 때문에, 디바이스의 두께를 얇게 형성하여도 휘어짐의 영향을 받지 않고 스트리트를 따라 정확히 분할할 수 있다.
또한, 강성판에 웨이퍼를 접착하는 점착 수지는 상기 유지력 증가 공정을 실시함으로써 경화되어 유지력이 증가되어 있기 때문에, 이면 연삭 공정을 실시할 때에 웨이퍼를 확실하게 유지할 수 있으므로, 웨이퍼가 이동하지 않아, 웨이퍼의 이동에 의한 이지러짐의 발생이 방지된다.
또한, 상기 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 이면 연삭 공정을 실시하였으면, 웨이퍼의 이면을 점착 테이프에 접착하는 점착 테이프 접착 공정을 실시하고, 웨이퍼 및 강성판을 온수에 침지하여 웨이퍼와 강성판을 접착하고 있는 점착 수지를 팽윤시킴으로써 점착 수지의 유지력을 저하시키는 유지력 저하 공정을 실시한 후에, 강성판을 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 강성판 박리 공정을 실시하기 때문에, 강성판을 웨이퍼의 표면으로부터 무리없이 용이하게 박리할 수 있다. 또한 전술한 분할 홈 형성 공정에서 레이저 가공 또는 절삭 가공을 실시하여 웨이퍼의 표면에 스트리트를 따라 분할 홈을 형성하면 웨이퍼의 표면에 파편(debris) 또는 절삭칩이 부착되지만, 상기 유지력 저하 공정을 실시하여 점착 수지가 팽윤함으로써 파편 또는 절삭칩을 포착하여, 강성판을 박리할 때에 웨이퍼의 표면으로부터 제거할 수 있다.
도 1은 웨이퍼로서의 광디바이스 웨이퍼를 도시하는 사시도.
도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 분할 홈 형성 공정을 실시하기 위한 레이저 가공 장치의 주요부 사시도.
도 3은 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 분할 홈 형성 공정의 설명도.
도 4는 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 강성판 접착 공정의 설명도.
도 5는 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 유지력 증가 공정의 설명도.
도 6은 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 이면 연삭 공정의 설명도.
도 7은 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 점착 테이프 접착 공정의 설명도.
도 8은 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 유지력 저하 공정의 설명도.
도 9는 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 강성판 박리 공정의 설명도.
도 10은 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 픽업 공정을 실시하는 픽업 장치의 사시도.
도 11은 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서의 픽업 공정의 설명도.
이하, 본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1에는 웨이퍼로서의 광디바이스 웨이퍼의 사시도가 도시되어 있다. 도 1에 도시하는 광디바이스 웨이퍼(2)는, 예컨대 두께가 600 ㎛인 사파이어 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(2a)에는 복수의 스트리트(21)가 격자형으로 형성되어 있다. 그리고, 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에는 격자형으로 형성된 복수의 스트리트(21)에 의해 구획된 복수의 영역에 질화갈륨계 화합물 반도체 등이 적층된 발광 다이오드, 레이저 다이오드 등의 광디바이스(22)가 형성되어 있다. 이하, 상기 광디바이스 웨이퍼(2)를 스트리트(21)를 따라 개개의 광디바이스(22)로 분할하는 가공 방법에 대해서 설명한다.
본 발명에 의한 웨이퍼 가공 방법에서는, 우선 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)으로부터 스트리트(21)를 따라 디바이스의 마무리 두께에 상당하는 깊이의 분할 홈을 형성하는 분할 홈 형성 공정을 실시한다. 이 분할 홈 형성 공정은, 도시한 실시형태에서는 도 2에 도시하는 레이저 가공 장치(3)를 이용하여 실시한다. 도 2에 도시하는 레이저 가공 장치(3)는 피가공물을 유지하는 척 테이블(31)과, 이 척 테이블(31) 위에 유지된 피가공물에 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(32)과, 척 테이블(31) 위에 유지된 피가공물을 촬상하는 촬상 수단(33)을 구비하고 있다. 척 테이블(31)은 피가공물을 흡인 유지하도록 구성되어 있고, 도시하지 않는 이동 기구에 의해 도 2에서 화살표 X로 도시하는 가공 이송 방향 및 화살표 Y로 도시하는 인덱싱 이송 방향으로 이동시키도록 되어 있다.
상기 레이저 광선 조사 수단(32)은 실질적으로 수평으로 배치된 원통 형상의 케이싱(321)을 포함하고 있다. 케이싱(321) 안에는 도시하지 않는 YAG 레이저 발진기 또는 YVO4 레이저 발진기로 이루어지는 펄스 레이저 광선 발진기나 반복 주파수 설정 수단을 구비한 펄스 레이저 광선 발진 수단이 배치되어 있다. 상기 케이싱(321)의 선단부에는 펄스 레이저 광선 발진 수단으로부터 발진된 펄스 레이저 광선을 집광하기 위한 집광기(322)가 장착되어 있다.
상기 레이저 광선 조사 수단(32)을 구성하는 케이싱(321)의 선단부에 장착된 촬상 수단(33)은, 피가공물을 조명하는 조명 수단과, 이 조명 수단에 의해 조명된 영역을 포착하는 광학계와, 이 광학계에 의해 포착된 상을 촬상하는 촬상 소자(CCD) 등을 구비하고, 촬상한 화상 신호를 도시하지 않는 제어 수단에 보낸다.
전술한 레이저 가공 장치(3)를 이용하여 실시하는 분할 홈 형성 공정에 대해서, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
분할 홈 형성 공정은, 우선 전술한 도 2에 도시하는 레이저 가공 장치(3)의 척 테이블(31) 위에 광디바이스 웨이퍼(2)의 이면(2b)측을 배치하고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시킴으로써 척 테이블(31) 위에 광디바이스 웨이퍼(2)를 흡착 유지한다. 따라서, 광디바이스 웨이퍼(2)는 표면(2a)을 상측으로 하여 척 테이블(31) 위에 유지된다.
전술한 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(2)를 흡인 유지한 척 테이블(31)은, 도시하지 않는 가공 이송 수단에 의해 촬상 수단(33)의 바로 아래로 이동된다. 척 테이블(31)이 촬상 수단(33)의 바로 아래에 위치하면, 촬상 수단(33) 및 도시하지 않는 제어 수단에 의해 광디바이스 웨이퍼(2)의 레이저 가공할 가공 영역을 검출하는 얼라인먼트 작업을 실행한다. 즉, 촬상 수단(33) 및 도시하지 않는 제어 수단은 광디바이스 웨이퍼(2)의 미리 정해진 방향으로 형성되어 있는 스트리트(21)와, 스트리트(21)를 따라 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(32)의 집광기(322)를 정렬하기 위한 패턴 매칭 등의 화상 처리를 실행하고, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트를 수행한다. 또한 광디바이스 웨이퍼(2)에 형성되어 있는 상기 미리 정해진 방향에 대하여 직교하는 방향으로 연장되는 스트리트(21)에 대해서도, 마찬가지로 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 수행된다.
이상과 같이 하여 척 테이블(31) 위에 유지된 광디바이스 웨이퍼(2)에 형성되어 있는 스트리트(21)를 검출하고, 레이저 광선 조사 위치의 얼라인먼트가 행해졌으면, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이 척 테이블(31)을 레이저 광선을 조사하는 레이저 광선 조사 수단(32)의 집광기(322)가 위치하는 레이저 광선 조사 영역으로 이동시켜, 미리 정해진 스트리트(21)를 집광기(322)의 바로 아래에 위치시킨다. 이 때, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(2)는 스트리트(21)의 일단[도 3의 (a)에서 좌단]이 집광기(322)의 바로 아래에 위치하도록 위치된다. 다음에, 레이저 광선 조사 수단(32)의 집광기(322)로부터 사파이어 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 조사하면서 척 테이블(31)을 도 3의 (a)에서 화살표 X1로 도시하는 방향으로 미리 정해진 가공 이송 속도로 이동시킨다. 그리고, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이 스트리트(21)의 타단(도 3에서 우단)이 집광기(322)의 바로 아래 위치에 도달했으면, 펄스 레이저 광선의 조사를 정지하고 척 테이블(31)의 이동을 정지시킨다. 이 분할 홈 형성 공정에서는, 펄스 레이저 광선의 집광점(P)을 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a) 부근에 맞춘다. 이 결과, 도 3의 (c)에 도시하는 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(2)에는, 표면(2a)으로부터 스트리트(21)를 따라 디바이스의 마무리 두께(예컨대 50 ㎛)에 상당하는 깊이의 분할 홈(210)이 형성된다.
또한, 상기 분할 홈 형성 공정은, 예컨대 이하의 가공 조건으로 행해진다.
레이저 광선의 광원 : 반도체 여기 고체 레이저(Nd: YAG)
파장 : 355 ㎚
펄스 에너지 : 35 μJ
반복 주파수 : 100 kHz
펄스폭 : 180 ㎱
집광 스폿 : φ 4 ㎛
가공 이송 속도 : 60 ㎜/초
전술한 분할 홈 형성 공정을 광디바이스 웨이퍼(2)에 형성된 모든 스트리트(21)를 따라 실시한다. 이 결과, 광디바이스 웨이퍼(2)에는 모든 스트리트(21)를 따라 표면(2a)으로부터 디바이스의 마무리 두께(예컨대 50 ㎛)에 상당하는 깊이의 분할 홈(210)이 형성된다. 또한 상기 분할 홈 형성 공정에서 광디바이스 웨이퍼(2)의 스트리트(21)를 따라 레이저 광선을 조사하면, 조사된 영역에 열에너지가 집중되어 파편이 발생하고, 이 파편이 광디바이스(22)의 표면에 부착되어 광디바이스(22)의 품질을 저하시킬 우려가 있기 때문에, 분할 홈 형성 공정을 실시하기 전에 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면에 폴리비닐알코올 등의 보호막을 피복하고, 보호막을 통해 광디바이스 웨이퍼(2)에 레이저 광선을 조사하는 것이 바람직하다.
또한, 도시한 실시형태에서는 분할 홈 형성 공정을 레이저 가공 장치(3)를 이용하여 실시한 예를 나타냈지만, 분할 홈 형성 공정을 절삭 장치를 이용하여 실시하여도 좋다.
전술한 분할 홈 형성 공정을 실시했다면, 분할 홈(210)이 형성된 광디바이스 웨이퍼(2) 표면(2a)을, 자외선을 조사하면 경화되어 유지력이 증가하고 수분을 포함하면 팽윤하여 유지력이 저하되는 점착 수지에 의해 자외선이 투과하는 강성판의 표면에 접착하는 강성판 접착 공정을 실시한다. 즉, 도 4의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)[광디바이스(22)가 형성되어 있는 면]에 형성된 광디바이스(22)를 보호하기 위해, 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)을 자외선이 투과하는 강성판(4)의 표면에 점착 수지(40)에 의해 접착한다. 이 점착 수지(40)는 자외선을 조사하면 경화되어 유지력이 증가하고 수분을 포함하면 팽윤하여 유지력이 저하되는 특성을 갖고 있다. 또한, 자외선이 투과하는 강성판(4)으로서는, 두께가 0.5 ㎜∼1.5 ㎜의 유리판, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성수지판을 이용할 수 있다. 또한, 자외선을 조사하면 경화되어 유지력이 증가하고 수분을 포함하면 팽윤하여 유지력이 저하되는 점착 수지로서는, 주식회사 쓰리본드제의 30Y-632D-3을 이용할 수 있다.
다음에, 강성판(4)의 이면측으로부터 자외선을 조사하여 점착 수지(40)를 경화시킴으로써 점착 수지(40)의 유지력을 향상시키는 유지력 증가 공정을 실시한다. 즉, 도 5에 도시하는 바와 같이 자외선 조사기(5)로부터 자외선을 조사하여, 강성판(4)을 통해 점착 수지(40)에 자외선을 조사한다. 이 결과, 점착 수지(40)는 경화되어 유지력이 증가된다.
전술한 유지력 증가 공정을 실시했으면, 광디바이스 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 연삭하여 이면에 분할 홈(210)을 표출시키고, 광디바이스 웨이퍼(2)를 개개의 광디바이스(22)로 분할하는 이면 연삭 공정을 실시한다. 이 이면 연삭 공정은, 도 6의 (a)에 도시하는 연삭 장치(6)를 이용하여 실시한다. 도 6의 (a)에 도시하는 연삭 장치(6)는 피가공물을 유지하는 척 테이블(61)과, 이 척 테이블(61)에 유지된 피가공물의 피가공면을 연삭하는 연삭 수단(62)을 구비하고 있다. 척 테이블(61)은, 상면에 피가공물을 흡인 유지하여 도 6의 (a)에서 화살표 61a로 도시하는 방향으로 회전한다. 연삭 수단(62)은 스핀들 하우징(621)과, 이 스핀들 하우징(621)에 회전 가능하게 지지되고 도시하지 않는 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들(622)과, 이 회전 스핀들(622)의 하단에 장착된 마운터(623)와, 이 마운터(623)의 하면에 부착된 연삭휠(624)을 구비하고 있다. 이 연삭휠(624)은 원판형의 베이스(625)와, 이 베이스(625)의 하면에 환형으로 장착된 연삭 지석(626)으로 이루어져 있고, 체결 볼트(627)에 의해 베이스(625)가 마운터(623)의 하면에 부착되어 있다.
전술한 연삭 장치(6)를 이용하여 이면 연삭 공정을 실시하기 위해서는, 도 6의 (a)에 도시하는 바와 같이 척 테이블(61)의 상면(유지면)에 전술한 유지력 증가 공정이 실시된 광디바이스 웨이퍼(2)의 강성판(4)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시킴으로써 척 테이블(61) 위에 광디바이스 웨이퍼(2)를 강성판(4)을 개재시켜 흡착 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 척 테이블(61) 위에 유지된 광디바이스 웨이퍼(2)는 이면(2b)이 상측이 된다. 이와 같이 척 테이블(61) 위에 광디바이스 웨이퍼(2)를 흡인 유지했으면, 척 테이블(61)을 도 6의 (a)에서 화살표 61a로 도시하는 방향으로 예컨대 300 rpm의 회전 속도로 회전시키고, 연삭 수단(62)의 연삭휠(624)을 도 6의 (a)에서 화살표 624a로 도시하는 방향으로 예컨대 6000 rpm의 회전 속도로 회전시키면서 연삭 지석(626)을 피가공면인 광디바이스 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 접촉시키고, 연삭휠(624)을 도 6의 (a)에서 화살표 624b로 도시하는 바와 같이 아래쪽으로 미리 정해진 이송 속도로 소정량 연삭 이송하고, 광디바이스(22)의 마무리 두께(예컨대 50 ㎛)가 될 때까지 연삭한다. 이 결과, 도 6의 (b)에 도시하는 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 분할 홈(210)이 표출되고, 도 6의 (c)에 도시하는 바와 같이 광디바이스 웨이퍼(2)는 분할 홈(210)이 형성된 스트리트(21)를 따라 개개의 광디바이스(22)로 분할된다.
이와 같이, 광디바이스 웨이퍼(2)의 이면(2b)을 연삭하여 이면에 분할 홈(210)을 표출시킴으로써 광디바이스 웨이퍼(2)를 개개의 광디바이스(22)로 분할하기 때문에, 광디바이스(22)의 두께를 얇게 형성하여도 휘어짐의 영향을 받지 않아 스트리트(21)를 따라 정확히 분할할 수 있다. 또한, 강성판(4)에 광디바이스 웨이퍼(2)를 접착하는 점착 수지(40)는 상기 유지력 증가 공정을 실시함으로써 경화되어 유지력이 증가되어 있기 때문에, 이면 연삭 공정을 실시할 때에 광디바이스 웨이퍼(2)를 확실하게 유지하고 있으므로, 광디바이스 웨이퍼(2)가 이동하지 않아, 광디바이스 웨이퍼(2)의 이동에 의한 이지러짐의 발생이 방지된다.
다음에, 상기 이면 연삭 공정이 실시된 광디바이스 웨이퍼(2)의 이면(2b)에 점착 테이프를 접착하는 점착 테이프 접착 공정을 실시한다. 즉, 도 7의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이 환형 프레임(F)의 내측 개구부를 덮도록 외주부가 장착된 점착 테이프(T)의 표면에 광디바이스 웨이퍼(2)의 이면(2b)측을 접착한다. 또한, 상기 점착 테이프(T)는, 도시한 실시형태에서는 두께가 80 ㎛인 폴리염화비닐(PVC)로 이루어지는 시트 기재의 표면에, 아크릴수지계의 점착층이 5 ㎛ 정도의 두께로 도포되어 있다.
전술한 점착 테이프 접착 공정을 실시했으면, 광디바이스 웨이퍼(2) 및 강성판(4)을 온수에 침지하여, 광디바이스 웨이퍼(2)와 강성판(4)을 접착하고 있는 점착 수지(40)를 팽윤시킴으로써 점착 수지(40)의 유지력을 저하시키는 유지력 저하 공정을 실시한다. 즉, 도 8에 도시하는 바와 같이 수조(7)에 배치된 지지대(71) 위에 환형 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)의 표면에 광디바이스 웨이퍼(2)[개개의 광디바이스(22)로 분할되어 있음] 및 강성판(4)을 접착한 상태로 배치하고, 수조(7)에 온도가 예컨대 90℃인 온수(70)를 주입하여 광디바이스 웨이퍼(2) 및 강성판(4)을 온수에 침지한다. 이 결과, 점착 수지(40)는 함수하고 팽윤하여 유지력이 저하된다.
전술한 바와 같이 유지력 저하 공정을 실시함으로써 광디바이스 웨이퍼(2)[개개의 광디바이스(22)로 분할되어 있음]와 강성판(4)을 접착하고 있는 점착 수지(40)의 유지력을 저하시켰으면, 도 9에 도시하는 바와 같이 강성판(4)을 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)으로부터 박리한다(강성판 박리 공정). 이와 같이, 강성판 박리 공정은 광디바이스 웨이퍼(2)[개개의 광디바이스(22)로 분할되어 있음]와 강성판(4)을 접착하고 있는 점착 수지(40)의 유지력을 저하시킨 후에 실시하기 때문에, 강성판(4)을 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)으로부터 무리없이 용이하게 박리할 수 있다. 또한 전술한 분할 홈 형성 공정에서 레이저 가공 또는 절삭 가공을 실시하여 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 스트리트(21)를 따라 분할 홈(210)을 형성하면 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)에 파편 또는 절삭칩이 부착되지만, 상기 유지력 저하 공정을 실시하여 점착 수지(40)가 팽윤함으로써 파편 또는 절삭칩을 포착하고, 강성판(4)을 박리할 때에 광디바이스 웨이퍼(2)의 표면(2a)으로부터 제거할 수 있다.
다음에, 강성판(4)이 박리되고 환형 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)의 표면에 접착되어 있는 개개의 광디바이스(22)를 점착 테이프(T)로부터 박리하여 픽업하는 픽업 공정을 실시한다. 이 픽업 공정은 도 10에 도시하는 픽업 장치(8)를 이용하여 실시한다. 도 10에 도시하는 픽업 장치(8)는, 상기 환형 프레임(F)을 유지하는 프레임 유지 수단(81)과, 이 프레임 유지 수단(81)에 유지된 환형 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)를 확장시키는 테이프 확장 수단(82)과, 픽업 콜릿(83)을 구비하고 있다. 프레임 유지 수단(81)은, 환형 프레임 유지 부재(811)와, 이 프레임 유지 부재(811)의 외주에 배치된 고정 수단으로서의 복수의 클램프(812)로 이루어져 있다. 프레임 유지 부재(811)의 상면은 환형 프레임(F)을 배치하는 배치면(811a)을 형성하고 있고, 이 배치면(811a) 위에 환형 프레임(F)이 배치된다. 그리고, 배치면(811a) 위에 배치된 환형 프레임(F)은 클램프(812)에 의해 프레임 유지 부재(811)에 고정된다. 이와 같이 구성된 프레임 유지 수단(81)은, 테이프 확장 수단(82)에 의해 상하 방향으로 진퇴 가능하게 지지되어 있다.
테이프 확장 수단(82)은, 상기 환형 프레임 유지 부재(811)의 내측에 배치되는 확장 드럼(821)을 구비하고 있다. 이 확장 드럼(821)은 환형 프레임(F)의 내경보다 작고 이 환형 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)에 접착되는 광디바이스 웨이퍼(2)의 외경보다 큰 내경 및 외경을 갖고 있다. 또한, 확장 드럼(821)은 하단에 지지 플랜지(822)를 구비하고 있다. 도시한 실시형태에서의 테이프 확장 수단(82)은, 상기 환형 프레임 유지 부재(811)를 상하 방향으로 진퇴시킬 수 있는 지지 수단(823)을 구비하고 있다. 이 지지 수단(823)은, 상기 지지 플랜지(822) 위에 배치된 복수의 에어 실린더(823a)로 이루어져 있고, 그 피스톤 로드(823b)가 상기 환형 프레임 유지 부재(811)의 하면에 연결된다. 이와 같이 복수의 에어 실린더(823a)로 이루어지는 지지 수단(823)은 도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이 환형 프레임 유지 부재(811)를, 배치면(811a)이 확장 드럼(821)의 상단과 대략 동일 높이가 되는 기준 위치와, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이 배치면(811a)이 확장 드럼(821)의 상단보다 소정량 아래쪽에 있는 확장 위치 사이에서 상하 방향으로 이동시킨다.
이상과 같이 구성된 픽업 장치(8)를 이용하여 실시하는 픽업 공정에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다. 즉 광디바이스 웨이퍼(2)[스트리트(21)를 따라 개개의 광디바이스(22)로 분할되어 있음]가 접착되어 있는 점착 테이프(T)가 장착된 환형 프레임(F)을, 도 11의 (a)에 도시하는 바와 같이 프레임 유지 수단(81)을 구성하는 프레임 유지 부재(811)의 배치면(811a) 위에 배치하고, 클램프(812)에 의해 프레임 유지 부재(811)에 고정한다(프레임 유지 공정). 이 때, 프레임 유지 부재(811)는 도 11의 (a)에 도시하는 기준 위치에 위치되어 있다. 다음에, 테이프 확장 수단(82)을 구성하는 지지 수단(823)으로서의 복수의 에어 실린더(823a)를 작동시켜, 환형 프레임 유지 부재(811)를 도 11의 (b)에 도시하는 확장 위치로 하강시킨다. 따라서 프레임 유지 부재(811)의 배치면(811a) 위에 고정되어 있는 환형 프레임(F)도 하강하기 때문에, 도 11의 (b)에 도시하는 바와 같이 환형 프레임(F)에 장착된 점착 테이프(T)는 확장 드럼(821)의 상단 가장자리에 접하여 확장된다(테이프 확장 공정). 이 결과, 점착 테이프(T)에 접착되어 있는 광디바이스(22) 사이가 넓어지고, 간격(S)이 확대된다. 다음에, 도 11의 (c)에 도시하는 바와 같이 픽업 콜릿(83)을 작동시켜 광디바이스(22)를 흡착하고, 점착 테이프(T)로부터 박리하여 픽업하며, 도시하지 않는 트레이 또는 다이본딩 공정에 반송한다. 또한 픽업 공정에서는, 전술한 바와 같이 점착 테이프(T)에 접착되어 있는 개개의 광디바이스(22) 사이의 간극(S)이 넓혀져 있기 때문에, 인접하는 광디바이스(22)와 접촉하지 않고 용이하게 픽업할 수 있다.
2: 광디바이스 웨이퍼, 21: 스트리트, 210: 절삭 홈, 22: 광디바이스, 3: 레이저 가공 장치, 31: 레이저 가공 장치의 척 테이블, 32: 레이저 광선 조사 수단, 322: 집광기, 4: 강성판, 40: 점착 수지, 5: 자외선 조사기, 6: 연삭 장치, 61: 연삭 장치의 척 테이블, 62: 연삭 수단, 642: 연삭휠, 7: 수조, 8: 픽업 장치, 81: 프레임 유지 수단, 82: 테이프 확장 수단, 83: 픽업 콜릿, F: 환형 프레임, T: 점착 테이프

Claims (3)

  1. 표면에 격자형으로 형성된 복수의 스트리트에 의해 구획된 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를 스트리트를 따라 개개의 디바이스로 분할하는 웨이퍼 가공 방법으로서,
    웨이퍼의 표면측으로부터 스트리트를 따라서 디바이스의 마무리 두께에 상당하는 깊이의 분할 홈을 형성하는 분할 홈 형성 공정과,
    상기 분할 홈이 형성된 웨이퍼의 표면을, 자외선을 조사하면 경화되어 유지력이 증가하고 수분을 포함하면 팽윤하여 유지력이 저하되는 점착 수지에 의해 자외선이 투과하는 강성판의 표면에 접착하는 강성판 접착 공정과,
    상기 강성판의 이면측으로부터 자외선을 조사하여 상기 점착 수지를 경화시킴으로써 상기 점착 수지의 유지력을 증가시키는 유지력 증가 공정과,
    상기 유지력 증가 공정을 실시한 후에, 웨이퍼의 이면을 연삭하여 이면에 상기 분할 홈을 표출시키고, 웨이퍼를 개개의 디바이스로 분할하는 이면 연삭 공정과,
    상기 이면 연삭 공정이 실시된 웨이퍼의 이면에 점착 테이프를 접착하는 점착 테이프 접착 공정과,
    상기 점착 테이프 접착 공정이 실시된 웨이퍼 및 상기 강성판을 온수에 침지하며, 웨이퍼와 상기 강성판을 접착하고 있는 상기 점착 수지를 팽윤시킴으로써 상기 점착 수지의 유지력을 저하시키는 유지력 저하 공정과,
    상기 유지력 저하 공정을 실시한 후에, 상기 강성판을 웨이퍼의 표면으로부터 박리하는 강성판 박리 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분할 홈 형성 공정은, 웨이퍼에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저 광선을 웨이퍼의 표면측으로부터 스트리트를 따라 조사함으로써 분할 홈을 형성하는 것인 웨이퍼 가공 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 점착 테이프 접착 공정은 환형 프레임에 장착된 점착 테이프의 표면에 웨이퍼의 이면을 접착하는 것인 웨이퍼 가공 방법.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5912311B2 (ja) * 2011-06-30 2016-04-27 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
JP2013230478A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Disco Corp レーザー加工装置及びレーザー加工方法
KR102070091B1 (ko) 2013-02-20 2020-01-29 삼성전자주식회사 기판 연마 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조방법
US8993412B1 (en) * 2013-12-05 2015-03-31 Texas Instruments Incorporated Method for reducing backside die damage during die separation process
JP2017041574A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2017100255A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6194394B2 (ja) * 2016-07-28 2017-09-06 東京応化工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP6980421B2 (ja) * 2017-06-16 2021-12-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6925745B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハのレーザー加工方法
JP7092553B2 (ja) * 2018-05-21 2022-06-28 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2022146237A (ja) * 2021-03-22 2022-10-05 株式会社ディスコ 積層ウエーハの加工方法
JP2023183035A (ja) 2022-06-15 2023-12-27 株式会社ディスコ ウエーハの取り扱い方法
CN115990802A (zh) * 2023-03-22 2023-04-21 之江实验室 载具和抛光设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE602007007330D1 (de) * 2006-06-19 2010-08-05 Denki Kagaku Kogyo Kk Harzzusammensetzung und verfahren zur temporären fixierung und oberflächenschutzverfahren für ein teil, das mit der harzzusammensetzung verarbeitet wird
JP5275553B2 (ja) * 2006-06-27 2013-08-28 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 分割チップの製造方法
JP2009027057A (ja) * 2007-07-23 2009-02-05 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

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