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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
zum Teilen eines Optikbauelementwafers in einzelne Optikbauelemente
entlang von Straßen, die in einem gitterähnlichen
Muster auf der vorderen Oberfläche eines Substrats, wie
zum Beispiel eines Saphirsubstrats oder dergleichen, ausgebildet
sind, wobei der Optikbauelementwafer so gestaltet ist, dass die
Optikbauelemente, wie zum Beispiel auf Galliumnitrid basierende
Verbundhalbleiter oder dergleichen, auf mehreren entlang der Straßen
abgeteilten Bereichen geschichtet sind.
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Beschreibung des Stands der
Technik
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Ein
Optikbauelementwafer kann entlang als Straßen bezeichneter
vorgegebener Trennlinien, die in einem gitterähnlichen
Muster auf der vorderen Oberfläche eines Saphirsubstrats
ausgebildet sind, in mehrere Bereiche aufgeteilt sein, wobei Optikbauelemente,
wie zum Beispiel auf Galliumnitrid basierende Verbundhalbleiter
oder dergleichen, auf den so abgeteilten Bereichen geschichtet sind.
Dieser Optikbauelementwafer wird entlang der Straßen in
einzelne Optikbauelemente, wie zum Beispiel Licht emittierende Dioden,
die zur Verwendung in elektrischen Einrichtungen weit verbreitet
sind, geteilt. Bevor er entlang der Straßen geteilt wird, wird
der oben beschriebene Optikbauelementwafer von dessen Rückfläche
aus durch eine Schleifeinrichtung geschliffen und auf eine gegebene
Dicke bearbeitet. Um die Gewichtsverringerung und Verkleinerung
elektrischer Einrichtungen zu erreichen, wurde es kürzlich
erforderlich, dass Optikbauelemente eine Dicke von 50 μm
oder weniger aufweisen. Jedoch tritt, wenn der Optikbauelementwafer
so geschliffen wird, dass er eine Dicke von 50 μm oder
weniger aufweist, das Problem einer Rissbildung auf.
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Andererseits
wird das Schneiden des Optikbauelementwafers entlang der Straßen
gewöhnlich durch eine Schneideeinrichtung durchgeführt,
die eine Schneideklinge mit hohen Geschwindigkeiten dreht. Jedoch ist
es, da das Saphirsubstrat ein hartes Material mit einer hohen Mohs-Härte
ist, notwendig, die Bearbeitungsgeschwindigkeit zu verringern, was
das Problem mangelhafter Ertragsfähigkeit aufwirft. Das
folgende Verfahren wurde kürzlich als ein Verfahren zum
Teilen eines Wafers, wie zum Beispiel eines Optikbauelementwafers oder
dergleichen, vorgeschlagen. Das heißt ein Pulslaserstrahl
mit einer Wellenlänge, die geeignet ist, durch den Wafer
absorbiert zu werden, wird entlang von Straßen geführt,
um Laserbearbeitungskerben auszubilden. Eine äußere
Kraft wird entlang der Laserbearbeitungskerben auf den Wafer ausgeübt,
um den Wafer entlang der Straßen zu brechen (siehe zum
Beispiel das offengelegte
japanische
Patent Nr. Hei 10-305420 ).
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Außerdem
wird das folgende Verfahren als das Verfahren zum Teilen eines Wafers,
wie zum Beispiel eines Optikbauelementwafers, entlang von Straßen
vorgeschlagen. Das heißt ein Pulslaserstrahl mit einer Wellenlänge,
die geeignet ist, durch den Wafer hindurchzutreten, wird entlang
der Straße emittiert, während dieser im Inneren
des Wafers fokussiert ist. Dies bildet kontinuierlich eine veränderte
Schicht (Änderungsschicht) innerhalb des Wafers entlang
der Straße aus, um die Festigkeit der Straße zu
verringern. Eine äußere Kraft wird zum Brechen
entlang der Straße auf den Wafer ausgeübt (siehe
zum Beispiel das offengelegte
japanische
Patent Nr. 2008-6492 ).
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Auf
diese Weise wird der Optikbauelementwafer mit einem Laserstrahl
entlang der Straßen des Optikbauelementwafers bestrahlt,
um die Laserstrahlbearbeitungskerben oder veränderte Kerben
(Änderungskerben) auszubilden, und entlang der mit den
Laserbearbeitungskerben oder geänderten Kerben ausgebildeten Straßen
in einzelne Optikbauelemente geteilt. In diesem Fall verbleiben
durch die Laserbearbeitung erzeugte geänderte Materialien
(Änderungsmaterialien) auf den seitlichen Oberflächen
(den Bruchoberflächen) der einzeln geteilten Optikbauelemente.
Dies wirft das Problem der Verringerung der Leuchtdichte des Optikbauelements
und der Verringerung der Chip- oder Biegefestigkeit auf.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Dementsprechend
ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
bereitzustellen, das einen Optikbauelementwafer mit verringerter
Dicke ausbilden und verhindern kann, dass die Leuchtdichte und die
Chipfestigkeit (die strength) eines Optikbauelements verringert
werden.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren zum
Teilen eines Optikbauelementwafers in einzelne Optikbauelemente
entlang mehrerer Straßen bereitgestellt, wobei der Optikbauelementwafer
mit den Optikbauelementen in mehreren durch die in einem gitterähnlichen
Muster auf einer vorderen Oberfläche ausgebildeten Straßen
abgeteilten Bereichen ausgebildet ist und das Verfahren beinhaltet:
Einen Schutzplatten-Verbindungsschritt zum Verbinden einer vorderen
Oberfläche des Optikbauelementwafers mit einer vorderen
Oberfläche einer hochsteifen Schutzplatte mit einer abziehbaren
Haftverbindung; einen Rückflächen-Schleifschritt
zum Schleifen einer Rückfläche des an der Schutzplatte befestigten
Optikbauelementwafers, um den Optikbauelementwafer mit einer Bauelement-Enddicke
auszubilden; einen Verstärkungssubstrat-Verbindungsschritt
zum Verbinden einer vorderen Oberfläche eines hochsteifen
Verstärkungssubstrats mit der Rückfläche
des dem Rückflächen-Schleifschritt unterzogenen
Optikbauelementwafers mit einer abziehbaren Haftverbindung; einen
Wafer-Abziehschritt zum Abziehen des an dem Verstärkungssubstrat
befestigten Optikbauelementwafers von der Schutzplatte; einen Zerteilungsband-Befestigungsschritt
zum Befestigen der vorderen Oberfläche des mit dem Verstärkungssubstrat
verbundenen Optikbauelementwafers an einer vorderen Oberfläche
eines Zerteilungsbands (Zerteilungstape, dicing tape); einen Laserbearbeitungsschritt
zum Emittieren eines Laserstrahls entlang der auf dem Optikbauelementwafer
ausgebildeten Straßen von der Rückfläche
des mit dem an dem Zerteilungsband befestigten Optikbauelementwafer
verbundenen Verstärkungssubstrats aus, um eine Laserbearbeitung
an dem Verstärkungssubstrat entlang der Straßen
zum Ausbilden von Bruchansatzpunkten durchzuführen; und
einen Waferteilungsschritt zum Ausüben einer äußeren
Kraft entlang der Bruchansatzpunkte des dem Laserbearbeitungsschritt
unterzogenen Verstärkungssubstrats, um das Verstärkungssubstrat
entlang der Bruchansatzpunkte zum Brechen des Optikbauelementwafers
entlang der Straßen in einzelne Optikbauelemente zu brechen.
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Vorzugsweise
ist der Laserbearbeitungsschritt so gestaltet, dass ein Laserstrahl
mit einer Wellenlänge, die geeignet ist, durch das Verstärkungssubstrat
hindurchzutreten, auf das Verstärkungssubstrat gerichtet wird,
während dieser im Inneren des Verstärkungssubstrats
fokussiert ist, wodurch eine geänderte Schicht (Änderungsschicht)
ausgebildet wird, die als ein Bruchansatzpunkt entlang der Straße
dient.
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Alternativ
ist der oben beschriebene Laserbearbeitungsschritt so gestaltet,
dass ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge, die geeignet
ist, durch das Verstärkungssubstrat absorbiert zu werden,
auf die Rückfläche des Verstärkungssubstrats
gerichtet wird, um eine Laserbearbeitungskerbe auszubilden, die
als ein Bruchansatzpunkt entlang der Straße dient.
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Ein
Aufnahmeschritt wird durchgeführt, der die durch Ausführen
des Waferteilungsschritts geteilten Optikbauelemente von dem Zerteilungsband
abzieht und aufnimmt. Ein Verstärkungssubstrat-Abziehschritt wird
durchgeführt, der das an den geteilten Optikbauelementen
befestigte Verstärkungssubstrat abzieht, bevor der Aufnahmeschritt
durchgeführt wird oder nachdem dieser durchgeführt
wurde.
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Gemäß der
vorliegenden Erfindung wird, wenn der Rückflächen-Schleifschritt
durchgeführt wird, bei dem der an der Schutzplatte befestigte
Optikbauelementwafer von dessen Rückfläche aus
so geschliffen wird, dass er eine Bauelement-Enddicke aufweist,
die hochsteife Schutzplatte mit der vorderen Oberfläche
des Optikbauelementwafers verbunden. Deshalb bilden sich keine Risse
in dem Optikbauelementwafer, sogar wenn dieser dünn ausgebildet
wird. Zusätzlich wird der entlang der Straßen
geteilte Optikbauelementwafer in dem Waferteilungsschritt entlang
der Straßen gebrochen und in einzelne Optikbauelemente
geteilt, indem das Verstärkungssubstrat entlang der entlang
der Straßen ausgebildeten Bruchansatzpunkte gebrochen wird.
Deshalb existiert kein durch Laserbearbeitung erzeugter geänderter
Abschnitt an der seitlichen Oberfläche (der Bruchoberfläche)
des geteilten Optikbauelements. Daher werden die Leuchtdichte und
die Chipfestigkeit des Optikbauelements nicht verringert.
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Die
obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden
Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden
offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden,
indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche
mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte
Ausführungsformen der Erfindung zeigen, studiert werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine perspektivische Ansicht eines Optikbauelementwafers, der durch
ein Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung geteilt ist;
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2A und 2B sind
erläuternde Darstellungen, die einen Schutzplatten-Befestigungsschritt
bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
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3 ist
eine erläuternde Darstellung, die einen Grobschliffschritt
eines Rückflächen Schleifschritts bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
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4 ist
eine erläuternde Darstellung, die einen Feinschliffschritt
des Rückflächen-Schleifschritts bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
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5A und 5B sind
erläuternde Darstellungen, die einen Verstärkungssubstrat-Befestigungsschritt
bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
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6 ist
eine erläuternde Darstellung, die einen Wafer-Abziehschritt
bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
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7 ist
eine erläuternde Darstellung, die einen Zerteilungsband-Befestigungsschritt
bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
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8 ist
eine perspektivische Ansicht, die einen wesentlichen Abschnitt einer
Laserbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen eines Laserbearbeitungsschritts
bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
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9A und 9B sind
erläuternde Darstellungen, die einen Änderungsschicht-Ausbildungsschritt des
Laserbearbeitungsschritts bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
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10A und 10B sind
erläuternde Darstellungen, die eine Laserbearbeitungskerbe
des Laserbearbeitungsschritts bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
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11A, 11B und 11C sind erläuternde Darstellungen, die
einen Waferteilungsschritt bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
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12 ist
eine perspektivische Ansicht einer Aufnahmeeinrichtung zum Durchführen
eines Aufnahmeschritts bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung; und
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13A, 13B und 13C sind erläuternde Darstellungen eines
Aufnahmeschritts bei dem Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren
gemäß der vorliegenden Erfindung.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Bevorzugte
Ausführungsformen eines Optikbauelementwafer-Teilungsverfahrens
gemäß der vorliegenden Erfindung werden hierin
nachfolgend ausführlich mit Bezug auf die beigefügten
Zeichnungen beschrieben. 1 veranschaulicht einen durch
das Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren gemäß der
vorliegenden Erfindung geteilten Optikbauelementwafer 2.
Der in 1 veranschaulichte Optikbauelementwafer 2 ist entlang
der in einem gitterähnlichen Muster auf einer vorderen
Oberfläche 2a eines Saphirsubstrats, das zum Beispiel
einen Durchmesser von 50 mm und eine Dicke von 425 μm aufweist,
ausgebildeten Straßen 21 in mehrere Bereiche aufgeteilt.
Mehrere Optikbauelemente 22, wie zum Beispiel Licht emittierende
Dioden (LEDs), sind in den so abgeteilten Bereichen ausgebildet.
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Zunächst
wird ein Schutzplatten-Verbindungsschritt durchgeführt,
um den Optikbauelementwafer 2 entlang der Straßen 21 in
die einzelnen Optikbauelemente 22 zu teilen, wie oben beschrieben
wurde. Bei diesem Schutzplatten-Verbindungsschritt wird die vordere
Oberfläche 2a des Optikbauelementwafers 22 mit
einer vorderen Oberfläche 3a einer hochsteifen
Schutzplatte 3 mit einer abziehbaren Haftverbindung verbunden,
wie in 2A und 2B veranschaulicht
ist. Die Schutzplatte 3 ist aus einem hochsteifen Material,
wie zum Beispiel einem Glassubstrat oder dergleichen, in einer scheibenähnlichen
Form ausgebildet, so dass sie eine flache vordere Oberfläche 3a und
eine flache Rückfläche 3b aufweist. Vorzugsweise
weist die Schutzplatte 3 eine Dicke von ungefähr
2 mm auf, wenn sie aus einem Glassubstrat oder dergleichen ausgebildet
ist. Als Material zum Ausbilden der Schutzplatte 3 kann
Keramik, ein Metallmaterial, wie zum Beispiel Edelstahl, Harz usw.
sowie das Glassubstrat verwendet werden. Als abziehbare Haftverbindung
kann zum Beispiel ein Wachsschmelzen (eine Wachsschmelze) bei einer
Temperatur von 70°C verwendet werden.
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Nachdem
der Schutzplatten-Verbindungsschritt wie oben beschrieben durchgeführt
wurde, wird ein Rückflächen-Schleifschritt durchgeführt,
bei dem die Rückfläche 2b des an der
Schutzplatte 3 befestigten Optikbauelementwafers 2 so
geschliffen wird, dass der Optikbauelementwafer 2 so ausgebildet
werden kann, dass er eine Bauelement-Enddicke aufweist. Dieser Rückflächen-Schleifschritt
wird bei der veranschaulichten Ausführungsform durch einen
Grobschliffschritt und einen Feinschliffschritt durchgeführt.
Der Grobschliffschritt wird mit einer in 3 veranschaulichten
Schleifeinrichtung durchgeführt. Die in 3 veranschaulichte Schleifeinrichtung 4 beinhaltet
einen Einspanntisch 41, der geeignet ist, ein Werkstück
zu halten, und ein Grobschliffmittel 42a zum Grobschleifen
einer zu bearbeitenden Oberfläche des auf dem Einspanntisch 41 gehaltenen
Werkstücks.
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Der
Einspanntisch 41 wird in einer mit Pfeil A in 3 angezeigten
Richtung gedreht, während das Werkstück an dessen
oberer Oberfläche angesaugt und gehalten wird. Das Grobschliffmittel 42a beinhaltet
ein Achsengehäuse 421a; eine drehbare Achse 422a,
die durch das Achsengehäuse 421a drehbar gehalten
und durch einen nicht veranschaulichten Drehantriebsmechanismus
gedreht wird; eine an dem unteren Ende der drehbaren Achse 422a angebrachte
Anbringungseinrichtung 423a; und eine an dem unteren Ende
der Anbringungseinrichtung 423a angebrachte Grobschliffscheibe 424a.
Die Grobschliffscheibe 424a besteht aus einer scheibenähnlichen
Basis 425a und Grobschliffsteinen 426a, die ringförmig
an der unteren Oberfläche der Basis 425a angebracht
sind. Die Basis 425a ist an der unteren Oberfläche der
Anbringungseinrichtung 423a mit Befestigungsbolzen 427a angebracht.
Die Grobschliffsteine 426a verwenden einen metallgebundenen
Schleifstein, in dem Diamantschleifkörner, die jeweils
einen Durchmesser von ungefähr 60 μm aufweisen,
mit einer Metallverbindung gesintert sind.
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Um
den Grobschliffschritt unter Verwendung der oben beschriebenen Schleifeinrichtung 4 durchzuführen,
wird der dem oben beschriebenen Schutzplatten-Verbindungsschritt
unterzogene Optikbauelementwafer 2 auf die obere Oberfläche
(die Halteoberfläche) des Einspanntischs 41 gesetzt,
wobei die Schutzplatte 3 mit diesem in Kontakt gebracht
wird. Dann wird der Optikbauelementwafer 2 auf dem Einspanntisch 41 über
die Schutzplatte 3 angesaugt und gehalten. Daher ist der
auf dem Einspanntisch 41 durch die Schutzplatte 3 angesaugte
und gehaltene Optikbauelementwafer 2 so angeordnet, dass
dessen Rückfläche 2b nach oben zeigt. Nachdem
der Optikbauelementwafer 2 auf diese Weise auf dem Einspanntisch 41 angesaugt
und gehalten wurde, wird die Grobschliffscheibe 424a des
Grobschliffmittels 42a mit beispielsweise 1000 Umdrehungen/Minute
(U/min) in einer durch Pfeil B angezeigten Richtung gedreht und
mit der Rückfläche 2b des Optikbauelementwafers 2 in
Kontakt gebracht, während der Einspanntisch 41 mit
zum Beispiel 300 U/min in der durch Pfeil A angezeigten Richtung
gedreht wird. Dann wird die Grobschliffscheibe 424a mit
einer Schleifüberführungsgeschwindigkeit von zum
Beispiel 0,025 mm/min nach unten schleifüberführt,
um die Rückfläche 2b des Optikbauelementwafers 2 grob
zu schleifen. Bei dem Grobschliffschritt wird einem geschliffenen
Abschnitt Schleifwasser zugeführt. Die Zuführmenge
des Schleifwassers kann ungefähr vier l/min betragen. im Übrigen
ist bei der veranschaulichten Ausführungsform eine Schleifrate
bei dem Grobschliffschritt auf 345 μm festgelegt. Daher
weist bei dieser Ausführungsform der dem Grobschliffschritt
unterzogene Optikbauelementwafer 2 eine Dicke von 80 μm
auf.
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Nachdem
der Grobschliffschritt wie oben beschrieben durchgeführt
wurde, wird ein Feinschliffschritt durchgeführt. Mit Bezug
auf 4 wird der Feinschliffschritt unter Verwendung
einer Schleifeinrichtung 4 durchgeführt, die im
Wesentlichen ähnlich zu der in 3 veranschaulichten
Schleifeinrichtung 4 ist. Die in 4 veranschaulichte
Schleifeinrichtung 4 beinhaltet einen Einspanntisch 41 und
ein Feinschliffmittel 42b zum Feinschleifen der bearbeiteten
Oberfläche des auf dem Einspanntisch 41 gehaltenen
Wafers. Das Feinschleifmittel 42b beinhaltet ein Achsengehäuse 421b;
eine drehbare Achse 422b, die durch das Achsengehäuse 421b drehbar
gehalten und durch einen nicht veranschaulichten Drehantriebsmechanismus
gedreht wird; eine an dem unteren Ende der drehbaren Achse 422b angebrachte
Anbringungseinrichtung 423b; und eine an der unteren Oberfläche
der Anbringungseinrichtung 423b angebrachte Feinschliffscheibe 424b.
Die Feinschliffscheibe 424b besteht aus einer scheibenähnlichen
Basis 425b und Feinschliffsteinen 426b, die ringförmig
an der unteren Oberfläche der Basis 425b angebracht
sind. Die Basis 425b ist an der unteren Oberfläche
der Anbringungseinrichtung 423b mit Befestigungsbolzen 427b angebracht.
Die Feinschliffsteine 426b verwenden harzgebundene Schleifsteine,
in denen Diamantschleifkörner, die jeweils einen Durchmesser
von ungefähr 10 μm aufweisen, mit einer Harzverbindung
gesintert sind. Das wie oben aufgebaute Feinschliffmittel 42b ist
allgemein an derselben Schleifeinrichtung angeordnet wie das Grobschliffmittel 42a.
Zusätzlich wird der Einspanntisch 41, der das
durch das Grobschliffmittel 42a grob geschliffene Werkstück
hält, zu einem Bearbeitungsbereich des Feinschliffmittels 42b verschoben.
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Der
unter Verwendung des oben beschriebenen Feinschliffmittels 42b durchgeführte
Feinschliffschritt wird als nächstes mit Bezug auf 4 beschrieben.
Der Einspanntisch 42, der den durch das Grobschliffmittel 42a dem
Grobschliffschritt unterzogenen Optikbauelementwafer 2 hält, wird
zu dem Bearbeitungsbereich des in 4 veranschaulichten
Feinschliffmittels 42b verschoben. Nachdem der Einspanntisch 42 zu
dem in 4 veranschaulichten Bearbeitungsbereich verschoben
wurde, wird die Feinschliffscheibe 424b des Feinschliffmittels 42b mit
zum Beispiel 1500 U/min in einer durch Pfeil B angezeigten Richtung
gedreht und mit der Rückfläche 2b des
Optikbauelementwafers 2 in Kontakt gebracht, während
der Einspanntisch 41 mit zum Beispiel 300 U/min in der
durch Pfeil A angezeigten Richtung gedreht wird. Dann wird die Feinschliffscheibe 424b mit einer
Schleifüberführungsgeschwindigkeit von zum Beispiel
0,009 mm/min nach unten schleifüberführt, um die Rückfläche 2b des
Optikbauelementwafers 2 fein zu schleifen. Bei dem Feinschliffschritt
wird dem Schleifbearbeitungsabschnitt Schleifwasser zugeführt.
Die Zuführmenge des Schleifwassers kann ungefähr
vier l/min betragen. Im Übrigen ist eine Schleifrate bei
dem Feinschliffschritt auf 55 μm festgelegt. Daher weist
der dem Feinschliffschritt unterzogene Optikbauelementwafer 2 bei
dieser Ausführungsform eine Dicke von 25 μm auf.
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Auf
die oben beschriebene Weise wird der Optikbauelementwafer 2,
der dem den Grobschliffschritt und den Feinschliffschritt beinhaltenden
Rückflächen-Schleifschritt unterzogen wurde, so
ausgebildet, dass er eine äußerst geringe Dicke
von 25 μm aufweist. Jedoch werden sich in dem Optikbauelementwafer 2 keine Risse
bilden, da dieser an der hochsteifen Schutzplatte 3 befestigt
ist.
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Nachdem
der Rückflächen-Schleifschritt durchgeführt
wurde, wird ein Verstärkungssubstrat-Verbindungsschritt
durchgeführt, bei dem eine vordere Oberfläche
eines hochsteifen Verstärkungssubstrats mit der Rückfläche 2b des
Optikbauelementwafers 2 mit einer abziehbaren Haftverbindung
verbunden wird. Mit Bezug auf 5A und 5B wird
die vordere Oberfläche 5a des hochsteifen Verstärkungssubstrats 5 mit
der Rückfläche 2b des an der vorderen
Oberfläche 3a der Schutzplatte 3 befestigten
Optikbauelementwafers 2 verbunden. Das Verstärkungssubstrat 5 ist
aus einem hochsteifen Material, wie zum Beispiel einem Saphirsubstrat oder
dergleichen, in einer scheibenähnlichen Form so ausgebildet,
dass es eine flache vordere Oberfläche 5a und
eine flache Rückfläche 5b aufweist. Vorzugsweise
weist das Verstärkungssubstrat 5 eine Dicke von
ungefähr 70 μm auf, wenn es aus einem Saphirsubstrat
oder dergleichen ausgebildet ist. Zum Ausbilden des Verstärkungssubstrats 5 kann
ein Glassubstrat sowie das Saphirsubstrat verwendet werden. Als
abziehbare Haftverbindung kann zum Beispiel ein Wachsschmelzen (eine
Wachsschmelze) bei einer Temperatur von 100°C verwendet
werden.
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Nachdem
der oben beschriebene Verstärkungssubstrat-Verbindungsschritt
durchgeführt wurde, wird ein Wafer-Abziehschritt durchgeführt,
bei dem der mit dem Verstärkungssubstrat 5 verbundene
Optikbauelementwafer 2, wie in 6 veranschaulicht
ist, von der Schutzplatte 3 abgezogen wird. Bei dem Wafer-Abziehschritt
wird die Schutzplatte 3 auf ungefähr 70°C
erwärmt, um das Wachs zu schmelzen, das die Schutzplatte 3 mit
dem Optikbauelementwafer 2 verbindet. Daher kann der mit
dem Verstärkungssubstrat 5 verbundene Optikbauelementwafer 2 auf
einfache Weise von der Schutzplatte 3 abgezogen werden.
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Ein
Zerteilungsband-Befestigungsschritt wird als nächstes durchgeführt,
bei dem die vordere Oberfläche 2a des mit dem
Verstärkungssubstrat 5 verbundenen Optikbauelementwafers 2 an
der vorderen Oberfläche eines Zerteilungsbands befestigt
wird. Speziell wird, wie in 7 veranschaulicht
ist, die vordere Oberfläche 2a des mit dem Verstärkungssubstrat 5 verbundenen
Optikbauelementwafers 2 an einer vorderen Oberfläche 60a des
Zerteilungsbands 60 befestigt. Das Zerteilungsband 60 ist
an dessen äußerem Umfangsabschnitt so angebracht,
dass es den inneren Öffnungsabschnitt eines ringförmigen
Rahmens 6 abdeckt.
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Nachdem
der oben beschriebene Zerteilungsband-Befestigungsschritt durchgeführt
wurde, wird ein Laserbearbeitungsschritt wie nachfolgend durchgeführt.
Ein Laserstrahl wird auf die Rückfläche 5b des
Verstärkungssubstrats 5, das mit dem an dem Zerteilungsband 60 befestigten
Optikbauelementwafer 2 verbunden ist, entlang der auf dem
Optikbauelementwafer 2 ausgebildeten Straßen 21 emittiert.
Daher wird eine Laserbearbeitung an dem Verstärkungssubstrat 5 durchgeführt,
um entlang der Straßen 21 Bruchansatzpunkte auszubilden.
Der Laserbearbeitungsschritt wird unter Verwendung einer in 8 veranschaulichten
Laserbearbeitungsvorrichtung durchgeführt. Die in 8 veranschaulichte
Laserbearbeitungsvorrichtung 7 beinhaltet einen Einspanntisch 71,
der geeignet ist, ein Werkstück zu halten; ein Laserstrahlbestrahlungsmittel 72 zum
Emittieren eines Laserstrahls auf das auf dem Einspanntisch 71 gehaltene
Werkstück; und ein Bildaufnahmemittel 73 zum Aufnehmen
eines Bilds des auf dem Einspanntisch 71 gehaltenen Werkstücks.
Der Einspanntisch 71 ist so aufgebaut, dass er das Werkstück
ansaugen und halten kann. Zusätzlich wird der Einspanntisch 71 durch ein
nicht veranschaulichtes Bearbeitungsüberführungsmittel
in einer durch Pfeil X in 8 angezeigten
Bearbeitungsüberführungsrichtung und durch ein
nicht veranschaulichtes Teilungsüberführungsmittel
in einer durch Pfeil Y in 8 angezeigten
Teilungsüberführungsrichtung verschoben.
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Das
Laserstrahlbestrahlungsmittel 72 beinhaltet ein zylindrisches
Gehäuse 721, das so angeordnet ist, dass es sich
im Wesentlich horizontal erstreckt. Das Gehäuse 721 beinhaltet
im Inneren ein Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel, das mit einem
Laserstrahloszillator und einem Wiederholungsfrequenz-Einstellmittel versehen
ist, die beide nicht veranschaulicht sind. Ein Kollektor (Sammeleinrichtung) 722 ist
an dem führenden Ende des Gehäuses 721 angebracht,
um von dem Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel emittierte Pulslaserstrahlen
zu sammeln.
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Das
Bildaufnahmemittel 73, das an einem Ende des einen Teil
des Laserstrahlbestrahlungsmittels 72 bildenden Gehäuses 721 angebracht
ist, beinhaltet bei der veranschaulichten Ausführungsform
ein Infrarotbeleuchtungsmittel zum Emittieren eines infraroten Strahls
auf ein Werkstück; ein optisches System, das geeignet ist,
den durch das Infrarotbeleuchtungsmittel emittierten infraroten
Strahl einzufangen; und ein Bildaufnahmeelement (eine Infrarot-CCD-Kamera),
das geeignet ist, ein elektrisches Signal auszugeben, das dem durch das
optische System eingefangenen infraroten Strahl entspricht; sowie
ein gewöhnliches Bildaufnahmeelement (CCD-Kamera), das
geeignet ist, ein Bild durch einen sichtbaren Strahl aufzunehmen.
Das Bildaufnahmemittel 73 sendet ein Signal eines aufgenommenen
Bilds zu einem nicht veranschaulichten Steuermittel.
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Nachfolgend
wird ein Laserbearbeitungsschritt beschrieben, bei dem die Laserbearbeitung
durch Verwendung der oben beschriebenen Laserbearbeitungsvorrichtung 7 an
dem Verstärkungssubstrat 5 entlang der Straßen 21 durchgeführt
wird, um Bruchansatzpunkte auszubilden. Bei einer ersten Ausführungsform
des Laserbearbeitungsschritts wird ein Änderungsschicht-Ausbildungsschritt
durchgeführt, bei dem Änderungsschichten (geänderte
Schichten) im Inneren des Verstärkungssubstrats 5 entlang
der in dem Optikbauelementwafer 2 ausgebildeten Straßen 21 ausgebildet
werden. Um den Änderungsschicht-Ausbildungsschritt durchzuführen,
wird der mit dem Verstärkungssubstrat 5 verbundene
Optikbauelementwafer 2 auf den Einspanntisch 71 der
Laserbearbeitungsvorrichtung 7 gesetzt, wobei das Zerteilungsband 60 dem
Einspanntisch 71 gegenüberliegt, wie in 8 veranschaulicht
ist. Der Optikbauelementwafer 2 wird auf dem Einspanntisch 71 durch
ein nicht veranschaulichtes Ansaugmittel angesaugt und gehalten
(ein Waferhalteschritt). Daher zeigt die Rückfläche 5b des
Verstärkungssubstrats 5, dass an dem auf dem Einspanntisch 71 angesaugten
und gehaltenen Optikbauelementwafer 2 befestigt ist, nach
oben. Im Übrigen wird, obwohl in 8 der an
dem Zerteilungsband 60 angebrachte ringförmige
Rahmen 6 weggelassen ist, der ringförmige Rahmen 6 durch
ein beliebiges, an dem Einspanntisch 71 angeordnetes Rahmenhaltemittel
gehalten.
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Nachdem
der Waferhalteschritt wie oben beschrieben durchgeführt
wurde, wird ein Änderungsschicht-Ausbildungsschritt durchgeführt.
Bei dem Änderungsschicht-Ausbildungsschritt wird ein Laserstrahl mit
einer Wellenlänge, die geeignet ist, durch das Verstärkungssubstrat 5 hindurchzutreten,
entlang der auf dem Optikbauelementwafer 2 ausgebildeten
Straßen 21 auf das Verstärkungssubstrat 5 von
dessen Rückfläche 5a aus gerichtet, um
in dem Verstärkungssubstrat 5 entlang der Straßen 21 Änderungsschichten
auszubilden. Um den Änderungsschicht-Ausbildungsschritt
durchzuführen, wird der Einspanntisch 71, der
das mit dem Optikbauelementwafer 2 verbundene Verstärkungssubstrat 5 ansaugt
und hält, zunächst durch einen nicht veranschaulichten
Verschiebemechanismus unmittelbar unterhalb des Bildaufnahmemittels 73 angeordnet.
Dann wird durch das Bildaufnahmemittel 73 und ein nicht
veranschaulichtes Steuermittel ein Ausrichtungsarbeitsschritt durchgeführt,
um einen einer Laserbearbeitung zu unterziehenden Bearbeitungsbereich des
Verstärkungssubstrats 5 zu erfassen. Speziell
führen das Bildaufnahmemittel 73 und das Steuermittel
eine Bildverarbeitung, wie zum Beispiel einen Musterabgleich, zum
Ausrichten einer Laserstrahlbestrahlungsposition aus. Der Musterabgleich
wird ausgeführt, um eine Positionierung zwischen einer
in einer gegebenen Richtung des Optikbauelementwafers 2 ausgebildeten
Straße 21 und dem Kollektor 722 des Laserstrahlbestrahlungsmittels 72 zum
Richten eines Laserstrahls entlang der Straße 21 durchzuführen.
In ähnlicher Weise wird die Ausrichtung einer Laserstrahlbestrahlungsposition
an einer Straße 21 durchgeführt, die
sich senkrecht zu der gegebenen Richtung erstreckt und in dem Optikbauelementwafer 2 ausgebildet
ist (ein Ausrichtungsschritt). In diesem Fall ist die mit den Straßen 21 ausgebildete
vordere Oberfläche 2a des Optikbauelementwafers 2 an
der unteren Seite des Verstärkungssubstrats 5 angeordnet.
Jedoch kann das Bildaufnahmemittel 73, da dieses aus dem
Infrarotbeleuchtungsmittel, dem optischen System zum Einfangen eines
infraroten Strahls, dem Bildaufnahmeelement (Infrarot-CCD-Kamera)
zum Ausgeben eines elektrischen Signals, das dem infraroten Strahl
entspricht usw. besteht, wie oben beschrieben wurde, ein Bild der
Straße 21 durch das Verstärkungssubstrat 5 hindurch
aufnehmen.
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Nachdem
der Ausrichtungsschritt wie oben beschrieben durchgeführt
wurde, wird der Einspanntisch 71 zu einem Laserstrahlbestrahlungsbereich
verschoben, an dem der Kollektor 722 des Laserstrahlbestrahlungsmittels 72 zum
Emittieren eines Laserstrahls angeordnet ist, wie in 9A veranschaulicht
ist. Daher ist ein Ende (das linke Ende in 9A) einer
gegebenen Straße 21 unmittelbar unterhalb des
Kollektors 722 des Laserstrahlbestrahlungsmittels 72 angeordnet.
Während ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge,
die geeignet ist, durch das Verstärkungssubstrat 5 hindurchzutreten,
von dem Kollektor 722 auf das Verstärkungssubstrat 5 emittiert
wird, wird der Einspanntisch 71 mit einer gegebenen Überführungsgeschwindigkeit
in einer durch Pfeil X1 in 9A angezeigten
Richtung verschoben. Dann werden, wie in 9B veranschaulicht
ist, die Bestrahlung mit einem Pulslaserstrahl und die Verschiebung
des Einspanntischs 71 angehalten, wenn die Bestrahlungsposition
des Kollektors 722 die Position des anderen Endes der Straße 21 erreicht.
Bei dem Änderungsschicht-Ausbildungsschritt ist ein Fokuspunkt
P des Pulslaserstrahls an einem Zwischenabschnitt in Dickenrichtung
(im Inneren) des Optikbauelementwafers 2 positioniert.
Demzufolge wird eine Änderungsschicht 23 im Inneren
des Verstärkungssubstrats 5 entlang der Straße 21 ausgebildet.
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Zum
Beispiel sind die Bearbeitungsbedingungen bei dem Änderungsschicht-Ausbildungsschritt
wie nachfolgend festgelegt.
| Lichtquelle: | Er-Pulslaser |
| Wellenlänge: | 1560
nm |
| Wiederholungsfrequenz: | 90
bis 200 kHz |
| Durchschnittliche
Ausgabe: | 0,8
bis 1,2 W |
| Bearbeitungsüberführungsgeschwindigkeit: | 100
bis 300 |
| | mm/sek |
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Nachdem
der Änderungsschicht-Ausbildungsschritt an allen Straßen 21,
die sich in der gegebenen Richtung des Optikbauelementwafers 2 erstrecken,
wie oben beschrieben durchgeführt wurde, wird der Einspanntisch 71 um
90 Grad gedreht und der Änderungsschicht-Ausbildungsschritt
an allen Straßen 21, die sich senkrecht zu der
gegebenen Richtung erstrecken, durchgeführt.
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Als
nächstes wird eine zweite Ausführungsform des
Laserbearbeitungsschritts beschrieben, bei der eine Laserbearbeitung
an dem Verstärkungssubstrat 5 durchgeführt
wird, um Bruchansatzpunkte entlang der Straßen 21 auszubilden.
Bei der zweiten Ausführungsform des Laserbearbeitungsschritts
wird ein Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt durchgeführt,
bei dem Laserbearbeitungskerben entlang der auf dem Optikbauelementwafer 2 ausgebildeten
Straßen an der Rückfläche 5b des
Verstärkungssubstrats 5 ausgebildet werden. Im Übrigen
wird der Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt unter Verwendung
einer Laserbearbeitungsvorrichtung durchgeführt, die ähnlich
zu der in 8 veranschaulichten Laserbearbeitungsvorrichtung ist.
Um den Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt durchzuführen,
werden ein Waferhalteschritt und ein Ausrichtungsschritt ähnlich
zu dem oben beschriebenen Änderungsschicht-Ausbildungsschritt
durchgeführt.
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Nachdem
der Ausrichtungsschritt durchgeführt wurde, wird der Einspanntisch 71 zu
einem Laserstrahlbestrahlungsbereich verschoben, an dem der Kollektor 722 des
Laserstrahlbestrahlungsmittels 72 zum Emittieren eines
Laserstrahls angeordnet ist, wie in 10A veranschaulicht
ist. Daher ist ein Ende (das linke Ende in 10A)
einer gegebenen Straße 21 unmittelbar unterhalb
des Kollektors 722 des Laserstrahlbestrahlungsmittels 72 angeordnet.
Während der Kollektor 722 einen Pulslaserstrahl
mit einer Wellenlänge, die geeignet ist, durch das Verstärkungssubstrat 5 absorbiert
zu werden, auf das Verstärkungssubstrat 5 emittiert, wird
der Einspanntisch 71 mit einer gegebenen Überführungsgeschwindigkeit
in der durch Pfeil X1 angezeigten Richtung verschoben. Dann werden
die Bestrahlung mit dem Pulslaserstrahl und die Verschiebung des Einspanntischs 71 angehalten,
wenn die Bestrahlungsposition des Kollektors 722 die Position
des anderen Endes der Straße 21 erreicht. Bei
dem Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt ist ein Fokuspunkt
P des Pulslaserstrahls nahe zu der Rückfläche 5b (der
oberen Oberfläche) des Verstärkungssubstrats 5 positioniert. Demzufolge
wird die Laserbearbeitungskerbe 24 an der Rückfläche 5b des
Verstärkungssubstrats entlang der Straße 21 ausgebildet.
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Zum
Beispiel sind die Bearbeitungsbedingungen bei dem Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt
wie nachfolgend festgelegt.
| Lichtquelle: | YAG-Pulslaser |
| Wellenlänge: | 355
nm (die |
| | dritte
Oberwelle |
| | des
YAG-Lasers) |
| Wiederholungsfrequenz: | 90
bis 200 kHz |
| Durchschnittliche
Aufgabe: | 0,8
bis 1,2 W |
| Bearbeitungsüberführungsgeschwindigkeit: | 100
bis 300 |
| | mm/sek |
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Nachdem
der Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt an allen Straßen 21,
die sich in der gegebenen Richtung des Optikbauelementwafers 2 erstrecken,
wie oben beschrieben durchgeführt wurde, wird der Einspanntisch 71 um
90 Grad gedreht und der Laserbearbeitungskerben-Ausbildungsschritt
an allen Straßen 21, die sich senkrecht zu der
gegebenen Richtung erstrecken, durchgeführt.
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Als
nächstes wird ein Waferteilungsschritt durchgeführt,
bei dem eine äußere Kraft auf die Bruchansatzpunkte
(die Änderungsschicht 23 oder die Laserbearbeitungskerbe 24)
des dem oben beschriebenen Laserbearbeitungsschritt unterzogenen
Verstärkungssubstrats 5 ausgeübt wird,
um den Optikbauelementwafer 2 entlang der Straßen 71 zu
brechen, so dass er in die einzelnen Optikbauelemente geteilt wird.
Bei dem Waferteilungsschritt wird das dem oben beschriebenen Laserbearbeitungsschritt
unterzogene Verstärkungssubstrat 5 von der Rückfläche 5b aus
auf ein weiches Gummiblatt 8 gesetzt, wie in 11A veranschaulicht ist. Daher zeigt der an der
vorderen Oberfläche 5a des Verstärkungssubstrats 5 befestigte
Optikbauelementwafer 2 nach oben und nimmt das an dem Optikbauelementwafer 2 befestigte
Zerteilungsband 60 eine höchste Position an. Eine
Druckwalze 80 rollt auf der oberen Oberfläche
des Zerteilungsbands 60, während sie diese drückt,
um das Verstärkungssubstrat 5 entlang der Straßen 21 von
den Änderungsschichten 23 oder den Laserbearbeitungskerben 24 aus,
die als Bruchansatzpunkte dienen, zu brechen, wie in 11B und 11C veranschaulicht
ist.
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Der
an dem Verstärkungssubstrat 5 befestigte Optikbauelementwafer 2 ist
so ausgebildet, dass er eine extrem geringe Dicke von 25 μm
aufweist, wie oben beschrieben wurde. Deshalb wird der Optikbauelementwafer 2 entlang
der Straßen 21 zusammen mit dem Bruch des Verstärkungssubstrats 5 entlang
der Straßen 21 gebrochen, wodurch er in einzelne
Optikbauelemente 22 geteilt wird. Die seitliche Oberfläche
(die Bruchoberfläche) des so abgeteilten Optikbauelements 22 weist
keinen einer Laserbearbeitung unterzogenen Änderungsabschnitt
(geänderten Abschnitt) auf. Daher wird nicht nur die Leuchtdichte
sondern auch die Biegefestigkeit des Optikbauelements 22 nicht
verringert. Im Übrigen weisen die einzeln abgeteilten Optikbauelemente 22,
da diese an ihren vorderen Oberflächen an dem Zerteilungsband 60 befestigt
sind, die Anordnung des Optikbauelementwafers 2 auf, ohne
dass sie verstreut werden.
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Als
nächstes wird ein Aufnahmeschritt durchgeführt,
bei dem die durch Durchführen des oben beschriebenen Waferteilungsschritts
abgeteilten Optikbauelemente 22 von dem Zerteilungsband 60 zum
Aufnehmen abgezogen werden. Dieser Aufnahmeschritt wird unter Verwendung
einer in 12 veranschaulichten Aufnahmeeinrichtung 9 durchgeführt.
Die in 12 veranschaulichte Aufnahmeeinrichtung 9 beinhaltet
ein Rahmenhaltemittel 91 zum Halten des ringförmigen
Rahmens 6; ein Bandaufweitungsmittel 92 zum Aufweiten des
Zerteilungsbands 60, das an dem durch das Rahmenhaltemittel 91 gehaltenen
ringförmigen Rahmen 6 angebracht ist; und eine
Aufnahmeeinrichtung 93. Das Rahmenhaltemittel 91 beinhaltet
ein ringförmiges Rahmenhalteelement 911; und mehrere
Klammern 912 als Befestigungsmittel, die an dem äußeren
Umfang des Rahmenhalteelements 911 angeordnet sind. Das
Rahmenhalteelement 911 weist eine als eine Anordnungsoberfläche 911a ausgebildete
obere Oberfläche auf, die geeignet ist, den ringförmigen
Rahmen 6 darauf angeordnet aufzunehmen. Der ringförmige
Rahmen 6 wird auf der Anordnungsoberfläche 911a angeordnet.
Der auf der Anordnungsoberfläche 911a angeordnete
ringförmige Rahmen 6 wird durch die Klammern 912 an
dem Rahmenhalteelement 911 befestigt. Das wie oben aufgebaute
Rahmenhaltemittel 91 wird durch das Bandaufweitungsmittel 92 so
gehalten, dass es nach oben und nach unten bewegbar ist.
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Das
Bandaufweitungsmittel 92 ist mit einer Aufweitungstrommel 921 versehen,
die innerhalb des ringförmigen Rahmenhalteelements 911 angeordnet
ist. Die Aufweitungstrommel 921 weist einen inneren und
einen äußeren Durchmesser auf, die kleiner als
der innere Durchmesser des ringförmigen Rahmens 6 und
größer als der äußere Durchmesser
des Optikbauelementwafers 2 sind, der an dem an dem ringförmigen
Rahmen 6 angebrachten Zerteilungsband 60 befestigt
ist. Die Aufweitungstrommel 921 ist an einem unteren Ende
mit einem Halteflansch 922 versehen. Das Bandaufweitungsmittel 92 ist
bei der veranschaulichten Ausführungsform mit einem Haltemittel 923 versehen,
das geeignet ist, das ringförmige Rahmenhalteelement 911 anzuheben
und abzusenken. Das Haltemittel 923 besteht aus mehreren
Luftzylindern 923a, die an dem Halteflansch 922 angeordnet
sind, und deren Kolbenstangen 923b sind mit der unteren
Oberfläche des ringförmigen Rahmenhalteelements 911 verbunden.
Das aus den Luftzylindern 923a bestehende Haltemittel 923 verschiebt
das ringförmige Rahmenhalteelement 911 vertikal
zwischen einer Referenzposition und einer Aufweitungsposition. Die
Referenzposition ist so gewählt, dass die Anordnungsoberfläche 911a annähernd
die gleiche Höhe wie das obere Ende der Aufweitungstrommel 921 einnimmt,
wie in 13A veranschaulicht ist. Die
Aufweitungsposition liegt um ein gegebenes Volumen niedriger als
das obere Ende der Aufweitungstrommel 921, wie in 13B veranschaulicht ist.
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Der
unter Verwendung der wie oben beschrieben aufgebauten Aufnahmeeinrichtung 9 durchgeführte Aufnahmeschritt
wird mit Bezug auf die 13A, 13B und 13C beschrieben.
Der Optikbauelementwafer 2, bei dem die einzelnen Optikbauelemente 22 entlang
der Straßen 21 abgeteilt sind, ist an dem Zerteilungsband 60 befestigt,
das an dem ringförmigen Rahmen 6 angebracht ist.
Dieser ringförmige Rahmen 6 wird auf der Anordnungsoberfläche 911a des
Rahmenhalteelements 911, das einen Teil des Rahmenhaltemittels 91 bildet,
angeordnet und an dem Rahmenhaltelement 911 mit den Klammern 912 befestigt,
wie in 13A veranschaulicht ist. In
diesem Fall ist das Rahmenhalteelement 911 an der in 13A veranschaulichten Referenzposition angeordnet.
Als nächstes werden die Luftzylinder 923a als
das Haltemittel 923, das einen Teil des Bandaufweitungsmittels 92 bildet,
betätigt, um das ringförmige Rahmenhalteelement 911 auf
die in 13B veranschaulichte Aufweitungsposition
abzusenken. Auf diese Weise wird auch der auf der Anordnungsoberfläche 911a des
Rahmenhalteelements 911 befestigte ringförmige
Rahmen 6 abgesenkt. Deshalb wird das an dem ringförmigen
Rahmen 6 angebrachte Zerteilungsband 60 mit dem
oberen Endrand der Aufweitungstrommel 921 zur Aufweitung
in Kontakt gebracht.
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Demzufolge
werden die nebeneinander liegenden Optikbauelemente 22,
die an dem Zerteilungsband 60 befestigt sind, so getrennt,
dass sie eine vergrößerte Lücke S zwischen
sich aufweisen. Wie in 13C veranschaulicht
ist, wird die Aufnahmeeinrichtung 93 betätigt,
um das an den Optikbauelementen 22 befestigte Verstärkungssubstrat 5 von
dem Zerteilungsband 60 anzuziehen, abzuziehen und aufzunehmen,
und dieses zu einer nicht veranschaulichten Ablage zu befördern.
Bei dem oben beschriebenen Aufnahmeschritt werden die nebeneinander
liegenden Optikbauelemente 22 so getrennt, dass sie die
vergrößerte Lücke S zwischen sich aufweisen;
deshalb können sie leicht ohne Kontakt zueinander aufgenommen
werden.
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Das
wie oben beschrieben aufgenommene und mit dem Optikbauelement 22 verbundene
Verstärkungssubstrat 5 wird von dem Optikbauelement 22 abgezogen,
bevor ein Diebond (die bonding)-Schritt als der nächste
Schritt durchgeführt wird (ein Verstärkungsabziehschritt).
In diesem Fall wird das Wachs, welches das Verstärkungssubstrat 5 mit
dem Optikbauelementwafer 2 verbindet, durch Erwärmen
des Verstärkungssubstrats 5 auf ungefähr
100°C geschmolzen. Deshalb kann das Verstärkungssubstrat 5 leicht
von dem Optikbauelementwafer 2 abgezogen werden. Im Übrigen
kann der Verstärkungssubstrat-Abziehschritt zum Abziehen des
Verstärkungssubstrats 5 von dem Optikbauelementwafer 2 durchgeführt
werden, bevor der oben beschriebene Aufnahmeschritt durchgeführt
wird.
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Die
vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen
bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der
Umfang der Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche
definiert und alle Änderungen und Abwandlungen, die innerhalb
der Äquivalenz des Umfangs der Ansprüche liegen,
werden deshalb durch die Erfindung umfasst.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 10-305420 [0003]
- - JP 2008-6492 [0004]