CN101604659A - 光器件晶片的分割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供光器件晶片的分割方法，其能使光器件晶片的厚度很薄，并且能在不降低光器件光亮度的同时防止抗弯强度降低。光器件晶片的分割方法是沿着间隔道分割光器件晶片的方法，其包括：保护板接合工序，将光器件晶片的表面能够剥离地接合到保护板的表面；背面磨削工序，磨削光器件晶片的背面；加强基板接合工序，将加强基板能够剥离地接合到光器件晶片的背面；晶片剥离工序，将光器件晶片从保护板剥离；切割带粘贴工序，将光器件晶片的表面粘贴到切割带的表面；激光加工工序，实施在加强基板中沿着间隔道形成断裂起点的激光加工；和晶片分割工序，沿着加强基板的断裂起点施加外力，使加强基板沿着断裂起点断裂，从而使光器件晶片沿着间隔道断裂。
Description
技术领域
本发明涉及将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的分割方法，该光器件晶片在蓝宝石基板等基板的表面上通过形成为格子状的间隔道划分有多个区域，并且在该划分出的区域内层叠有氮化镓类化合物半导体等光器件。
背景技术
关于在蓝宝石基板的表面上通过形成为格子状的被称为间隔道的分割预定线划分有多个区域、并且在该划分出的区域内层叠有氮化镓类化合物半导体等光器件的光器件晶片，沿着间隔道被分割成一个个发光二极管等光器件，并广泛利用于电气设备。
关于上述光器件晶片，在沿着间隔道进行分割之前利用磨削装置对背面进行磨削，从而加工至预定厚度。近年来，为了实现电气设备的轻量化、小型化，要求使光器件的厚度在50μm以下。然而，当光器件晶片的厚度被磨削变薄而达到50μm以下时，存在光器件晶片产生破裂的问题。
另一方面，光器件晶片的沿着间隔道的切断通常是利用使切削刀具高速旋转来进行切削的切削装置进行的。但是，由于蓝宝石基板是莫氏硬度高的难切削材料，所以需要降低加工速度，存在生产效率差的问题。
近年来，作为沿着间隔道分割光器件晶片等晶片的方法，提出了如下方法：通过沿着间隔道照射相对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线来形成激光加工槽，通过沿着该激光加工槽施加外力，使晶片沿着间隔道断裂。(例如，参照专利文献1。)
专利文献1：日本特开平10-305420号公报
此外，作为沿着间隔道分割光器件晶片等晶片的方法，还提出了如下方法：使用相对于晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，以聚光点对准晶片内部的方式沿着间隔道照射该脉冲激光光线，由此在晶片内部沿着间隔道连续地形成变质层，沿着因为形成该变质层而强度降低了的间隔道施加外力，从而使晶片沿着间隔道断裂。(例如，参照专利文献2。)
专利文献2：日本特开2008-6492号公报
然而，如果沿着光器件晶片的间隔道照射激光光线来形成激光加工槽或变质层，并沿着形成有激光加工槽或变质层的间隔道将光器件晶片分割成一个个光器件的话，则在被分割成一个一个的光器件的侧面(断裂面)会残留因激光加工而生成的变质物，存在光器件的光亮度降低且抗弯强度降低的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种光器件晶片的分割方法，该方法能够使光器件晶片的厚度形成得很薄，并且能够在不降低光器件光亮度的同时防止抗弯强度的降低。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种光器件晶片的分割方法，其是将光器件晶片沿着多个间隔道分割成一个个光器件的方法，上述光器件晶片在表面上通过形成为格子状的多个间隔道划分出了多个区域，在该多个区域中形成有光器件，其特征在于，
该光器件晶片的分割方法包括以下工序：
保护板接合工序，将光器件晶片的表面通过能够剥离的接合剂接合到刚性高的保护板的表面上；
背面磨削工序，对粘贴在上述保护板上的光器件晶片的背面进行磨削，从而使光器件晶片形成为器件的最终厚度；
加强基板接合工序，将刚性高的加强基板的表面通过能够剥离的接合剂接合到实施了上述背面磨削工序的光器件晶片的背面上；
晶片剥离工序，将接合有上述加强基板的光器件晶片从上述保护板上剥离；
切割带粘贴工序，将接合有上述加强基板的光器件晶片的表面粘贴到切割带的表面上；
激光加工工序，实施如下所述的激光加工：从与粘贴在上述切割带上的光器件晶片接合的上述加强基板的背面侧，沿着形成在光器件晶片上的间隔道照射激光光线，从而在上述加强基板中沿着间隔道形成断裂起点；以及
晶片分割工序，沿着实施了上述激光加工工序的上述加强基板的断裂起点施加外力，使上述加强基板沿着断裂起点断裂，从而使光器件晶片沿着间隔道断裂从而分割成一个个光器件。
在上述激光加工工序中，通过将聚光点对准上述加强基板的内部来照射相对于加强基板具有透射性的波长的激光光线，从而在加强基板的内部沿着间隔道形成作为断裂起点的变质层。
此外，在上述激光加工工序中，通过照射相对于上述加强基板具有吸收性的波长的激光光线，来在加强基板的背面沿着间隔道形成作为断裂起点的激光加工槽。
实施拾取工序，在该拾取工序中，将通过实施上述晶片分割工序而分割开的光器件从切割带上剥离并进行拾取。
此外，在实施上述拾取工序之前或在实施上述拾取工序之后，实施将粘贴在被分割开的光器件上的上述加强基板剥离的加强基板剥离工序。
根据本发明，在实施背面磨削工序，即，对粘贴在保护板上的光器件晶片的背面进行磨削、从而使光器件晶片形成为器件的最终厚度时，由于光器件晶片的表面与刚性高的保护板接合，所以即使光器件晶片形成得很薄也不会破裂。此外，在晶片分割工序中沿着间隔道进行分割的光器件晶片通过使加强基板沿顺着间隔道形成的断裂起点断裂而沿着间隔道断裂，从而分割成一个个光器件，因而在被分割开的光器件的侧面(断裂面)不存在因激光加工而生成的变质部，所以光器件的光亮度不会降低，并且抗弯强度也不会降低。
附图说明
图1是利用本发明的光器件晶片的分割方法来进行分割的光器件晶片的立体图。
图2是本发明的光器件晶片的分割方法中的保护板粘贴工序的说明图。
图3是表示本发明的光器件晶片的分割方法中的背面磨削工序的粗磨削工序的说明图。
图4是表示本发明的光器件晶片的分割方法中的背面磨削工序的精磨削工序的说明图。
图5是本发明的光器件晶片的分割方法中的加强基板粘贴工序的说明图。
图6是本发明的光器件晶片的分割方法中的晶片剥离工序的说明图。
图7是本发明的光器件晶片的分割方法中的切割带粘贴工序的说明图。
图8是表示用于实施本发明的光器件晶片的分割方法中的激光加工工序的激光加工装置的主要部分的立体图。
图9是表示本发明的光器件晶片的分割方法中的激光加工工序的变质层形成工序的说明图。
图10是表示本发明的光器件晶片的分割方法中的激光加工工序的激光加工槽形成工序的说明图。
图11是本发明的光器件晶片的分割方法中的晶片分割工序的说明图。
图12表示用于实施本发明的光器件晶片的分割方法中的拾取工序的拾取装置的立体图。
图13是本发明的光器件晶片的分割方法中的拾取工序的说明图。
标号说明
2：光器件晶片；3：保护板；4：磨削装置；41：磨削装置的卡盘工作台；42a：粗磨削构件；424a：粗磨轮；426a：粗磨削磨具；42b：精磨削构件；424b：精磨轮；426b：精磨削磨具；5：加强基板；6：环状框架；60：切割带；7：激光加工装置；71：激光加工装置的卡盘工作台；72：激光光线照射构件；722：聚光器；8：橡胶垫；80：压辊；9：拾取装置；91：框架保持构件；92：带扩张构件；93：拾取夹头。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本发明的光器件晶片的分割方法的优选实施方式。
在图1中，示出了利用本发明的光器件晶片的分割方法来进行分割的光器件晶片2。关于图1所示的光器件晶片2，在例如直径为50mm且厚度为425μm的蓝宝石基板的表面2a通过形成为格子状的间隔道21划分有多个区域，在该划分出的区域内形成有多个发光二极管等光器件22。
在将上述光器件晶片2沿着间隔道21分割成一个个光器件22时，首先实施保护板接合工序，在该保护板接合工序中，如图2的(a)和(b)所示，将光器件晶片2的表面2a通过能够剥离的接合剂接合到刚性高的保护板3的表面3a上。保护板3由玻璃基板等刚性高的材料呈圆盘状地形成，其表面3a和背面3b形成为平坦状。该保护板3在由玻璃基板构成的情况下优选厚度为2mm左右。另外，作为构成保护板3的材料，除了玻璃基板之外还可以使用陶瓷、不锈钢等金属材料、树脂等。此外，作为能够剥离的接合剂，例如可以使用在70℃的温度下熔融的蜡。
在实施了上述保护板接合工序后，实施背面磨削工序，在该背面磨削工序中，对粘贴在保护板3上的光器件晶片2的背面2b进行磨削，使光器件晶片2形成为器件的最终厚度。在图示的实施方式中，该背面磨削工序通过粗磨削工序和精磨削工序来实施。使用图3所示的磨削装置来实施粗磨削工序。图3所示的磨削装置4包括：卡盘工作台41，其保持被加工物；和粗磨削构件42a，其对保持于上述卡盘工作台41上的被加工物的被加工面进行粗磨削。卡盘工作台41在上表面上吸引保持被加工物并使其向图3中箭头A所示的方向旋转。粗磨削构件42a包括：主轴套421a；旋转主轴422a，其以能够自由旋转的方式支承于上述主轴套421a，并通过未图示的旋转驱动机构而旋转；安装座423a，其安装在上述旋转主轴422a的下端；以及粗磨轮424a，其安装在上述安装座423a的下表面。该粗磨轮424a由圆板状的基座425a、和呈环状地安装在该基座425a下表面的粗磨削磨具426a构成，基座425a通过紧固螺栓427a安装在安装座423a的下表面。在图示的实施方式中，粗磨削磨具426a使用通过金属结合剂烧结粒径为
左右的金刚石磨粒而成的金属结合剂磨具。
在使用上述磨削装置4来实施粗磨削工序时，将实施了上述保护板接合工序的光器件晶片2的保护板3侧载置到卡盘工作台41的上表面(保持面)上，将光器件晶片2经保护板3吸引保持到卡盘工作台41上。由此，经保护板3吸引保持在卡盘工作台41上的光器件晶片2的背面2b处于上侧。在这样将光器件晶片2吸引保持到卡盘工作台41上之后，使卡盘工作台41向箭头A所示的方向以例如300rpm的速度旋转，同时使粗磨削构件42a的粗磨轮424a向箭头B所示的方向以例如1000rpm的速度旋转，并使粗磨轮424a与光器件晶片2的背面2b接触，通过使粗磨轮424a以例如0.025mm/分钟的磨削进给速度向下方进行磨削进给，来对光器件晶片2的背面2b进行粗磨削。在该粗磨削工序中向磨削加工部位供给磨削液，该磨削液的供给量可以是4升/分钟左右。另外，在图示的实施方式中，粗磨削工序中的磨削量设定为345μm。由此，在图示的实施方式中，实施了粗磨削工序的光器件晶片2的厚度成为80μm。
在实施了上述粗磨削工序后，实施精磨削工序。如图4所示，使用实质上与上述图3所示的磨削装置4相同的磨削装置4来实施该精磨削工序。即，图4所示的磨削装置4包括：卡盘工作台41；和精磨削构件42b，其对保持于上述卡盘工作台41上的晶片的加工面进行精磨削。精磨削构件42b包括：主轴套421b；旋转主轴422b，其以能够自由旋转的方式支承于上述主轴套421b，并通过未图示的旋转驱动机构而旋转；安装座423b，其安装在上述旋转主轴422b的下端；以及精磨轮424b，其安装在上述安装座423b的下表面。该精磨轮424b由圆板状的基座425b、和呈环状地安装在该基座425b下表面的精磨削磨具426b构成，基座425b通过紧固螺栓427b安装在安装座423b的下表面。在图示的实施方式中，精磨削磨具426b使用通过树脂结合剂烧结粒径为
左右的金刚石磨粒而成的树脂结合剂磨具。这样构成的精磨削构件42b一般与上述粗磨削构件42a配设在同一磨削装置上，保持有利用上述粗磨削构件42a进行了粗磨削的被加工物的卡盘工作台41构成为能够移动至上述精磨削构件42b的加工区域。
接下来，参照图4对使用上述精磨削构件42b实施的精磨削工序进行说明。
将保持有利用上述粗磨削构件42a实施了粗磨工序的光器件晶片2的卡盘工作台41移动至图4所示的精磨削构件42b的加工区域。在将卡盘工作台41移动至图4所示的加工区域后，使卡盘工作台41向箭头A所示的方向以例如300rpm的速度旋转，同时使精磨削构件42b的精磨轮424b向箭头B所示的方向以例如1500rpm的速度旋转，并使精磨轮424b与光器件晶片2的背面2b接触，通过使精磨轮424b以例如0.009mm/分钟的磨削进给速度向下方进行磨削进给，来对光器件晶片2的背面2b进行精磨削。在该精磨削工序中向磨削加工部位供给磨削液，该磨削液的供给量可以是4升/分钟左右。另外，在图示的实施方式中，精磨削工序中的磨削量设定为55μm。由此，在图示的实施方式中，实施了精磨削工序的光器件晶片2的厚度变成25μm。
如上所述，实施了由粗磨削工序和精磨削工序构成的背面磨削工序的光器件晶片2形成得极薄，其厚度为25μm，但是由于该光器件晶片2接合在刚性高的保护板3上，所以不会破裂。
在实施了上述背面磨削工序后，实施加强基板接合工序，在该加强基板接合工序中，将刚性高的加强基板的表面通过能够剥离的接合剂接合到光器件晶片2的背面2b。即，如图5的(a)和(b)所示，将刚性高的加强基板5的表面5a与粘贴在保护板3的表面3a上的光器件晶片2的背面2b接合起来。加强基板5由蓝宝石基板等刚性高的材料呈圆盘状地形成，其表面5a和背面5b形成为平坦状。该加强基板5在由蓝宝石基板构成的情况下优选厚度为70μm左右。另外，作为构成加强基板5的材料，除了蓝宝石基板之外还可以使用玻璃基板。此外，作为能够剥离的接合剂，例如可以使用在100℃的温度下熔融的蜡。
在实施了上述加强基板接合工序后，实施晶片剥离工序，在该晶片剥离工序中，如图6所示，将接合有加强基板5的光器件晶片2从保护板3上剥离。在该晶片剥离工序中，通过将保护板3加热至70℃左右，将保护板3和光器件晶片2接合在一起的蜡会熔融，所以能够将接合有加强基板5的光器件晶片2从保护板3上容易地剥离。
接下来，实施切割带粘贴工序，在该切割带粘贴工序中，将接合有加强基板5的光器件晶片2的表面2a粘贴到切割带的表面。即，如图7所示，将接合有加强基板5的光器件晶片2的表面2a粘贴到切割带60的表面60a上，该切割带60的外周部安装成覆盖环状框架6的内侧开口部。
在实施了上述切割带粘贴工序后，实施激光加工工序，在该激光加工工序中实施如下所述的激光加工：从与粘贴在切割带60上的光器件晶片2接合的加强基板5的背面5b侧，沿着形成在光器件晶片2上的间隔道21照射激光光线，从而在加强基板5中沿着间隔道21形成断裂起点。使用图8所示的激光加工装置来实施该激光加工工序。图8所示的激光加工装置7包括：卡盘工作台71，其保持被加工物；激光光线照射构件72，其向保持于上述卡盘工作台71上的被加工物照射激光光线；和摄像构件73，其对保持于卡盘工作台71上的被加工物进行摄像。卡盘工作台71构成为吸引保持被加工物，卡盘工作台71通过未图示的加工进给构件在图8中箭头X所示的加工进给方向上移动，并且通过未图示的分度进给构件在图8中箭头Y所示的分度进给方向上移动。
上述激光光线照射构件72包括实质上水平配置的圆筒形状的壳体721。在壳体721内配设有具有未图示的脉冲激光光线振荡器和重复频率设定构件的脉冲激光光线振荡构件。在上述壳体721的前端部，安装有用于使从脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线会聚的聚光器722。
在图示的实施方式中，摄像构件73安装在构成上述激光光线照射构件722的壳体721的前端部，该摄像构件73除了具有利用可见光线进行摄像的通常的摄像元件(CCD)以外，还具有：向被加工物照射红外线的红外线照明构件、捕捉由该红外线照明构件照射出的红外线的光学系统、以及输出与通过该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等，上述摄像构件73将所拍摄到的图像信号发送至未图示的控制构件。
下面，对使用上述激光加工装置7实施激光加工的激光加工工序进行说明，其中，上述激光加工是在加强基板5中沿着间隔道21形成断裂起点的加工。
在该激光加工工序的第一实施方式中，实施变质层形成工序，在该变质层形成工序中，在加强基板5的内部沿着形成于光器件晶片2的间隔道21形成变质层。在实施变质层形成工序时，如图8所示，将接合有加强基板5的光器件晶片2的切割带60侧载置到激光加工装置7的卡盘工作台71上。然后，通过未图示的吸引构件将光器件晶片2吸附保持到卡盘工作台71上(晶片保持工序)。因此，粘贴在吸引保持于卡盘工作台71的光器件晶片2上的加强基板5的背面5b处于上侧。另外，虽然图8的表示省略了安装有切割带60的环状框架6，但是环状框架6被保持在配设于卡盘工作台71的适当的框架保持构件上。
在如上所述地实施了晶片保持工序后，实施变质层形成工序，在该变质层形成工序中，从加强基板5的背面5b侧沿着形成于光器件晶片2的间隔道21照射相对于加强基板5具有透射性的波长的脉冲激光光线，从而在加强基板5的内部沿着间隔道21形成变质层。在实施变质层形成工序时，首先将卡盘工作台71通过未图示的移动机构定位于摄像构件73的正下方，其中在上述卡盘工作台71上吸引保持有与光器件晶片2接合的加强基板5。然后，通过摄像构件73和未图示的控制构件来执行校准作业，该校准作业是检测加强基板5的应进行激光加工的加工区域的作业。即，摄像构件73和未图示的控制构件执行图案匹配等图像处理，从而完成激光光线照射位置的校准，上述图案匹配等图像处理用来进行形成在光器件晶片2的预定方向上的间隔道21与沿着该间隔道21照射激光光线的激光光线照射构件72的聚光器722的位置对准。此外，对于形成在光器件晶片2上的、与上述预定方向垂直地延伸的间隔道21，也同样地完成激光光线照射位置的校准(校准工序)。此时，光器件晶片2的形成有间隔道21的表面2a位于加强基板5的下侧，但是由于具有摄像构件73，该摄像构件73如上所述由红外线照明构件、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成，所以能够透过加强基板5对间隔道21进行摄像。
在如上所述地实施了校准工序后，如图9的(a)所示，将卡盘工作台71移动至激光光线照射区域，并将预定的间隔道21的一端(图9的(a)中的左端)定位于激光光线照射构件72的聚光器722的正下方，其中上述激光光线照射区域是照射激光光线的激光光线照射构件72的聚光器722所在的位置。然后，从聚光器722照射相对于加强基板5具有透射性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘工作台71以预定的进给速度在图9的(a)中箭头X1所示的方向上移动。然后，如图9的(b)所示，在聚光器722的照射位置到达间隔道21的另一端的位置后，停止照射脉冲激光光线，并且使卡盘工作台71停止移动。在该变质层形成工序中，使脉冲激光光线的聚光点P定位于光器件晶片2的厚度方向的中间部(内部)。其结果为，在加强基板5的内部沿着间隔道21形成了变质层23。
上述变质层形成工序中的加工条件例如如下所示地设定。
光源 ：Er激光器
波长 ：1560nm的脉冲激光
重复频率 ：90～200kHz
平均输出 ：0.8～1.2W
加工进给速度：100～300mm/秒
在如上所述地沿着光器件晶片2的在预定方向上延伸的所有间隔道21实施了上述变质层形成工序之后，将卡盘工作台71转动90度，沿着与上述预定方向垂直地延伸的各间隔道21执行上述变质层形成工序。
接下来，对实施激光加工的激光加工工序的第二实施方式进行说明，上述激光加工是在加强基板5中沿着间隔道21形成断裂起点的加工。在该激光加工工序的第二实施方式中，实施激光加工槽形成工序，在该激光加工槽形成工序中，在加强基板5的背面5b沿着形成于光器件晶片2的间隔道21形成激光加工槽。另外，使用与上述图8所示的激光加工装置7相同的激光加工装置来实施激光加工槽形成工序。在实施激光加工槽形成工序中，首先与上述变质层形成工序一样地实施晶片保持工序和校准工序。
在实施了校准工序后，如图10的(a)所示，将卡盘工作台71移动至激光光线照射区域，并将预定的间隔道21的一端(图10的(a)中的左端)定位于激光光线照射构件72的聚光器722的正下方，其中上述激光光线照射区域是照射激光光线的激光光线照射构件72的聚光器722所在的位置。然后，从聚光器722照射相对于加强基板5具有吸收性的波长的脉冲激光光线，同时使卡盘工作台71以预定的进给速度在图10的(a)中箭头X1所示的方向上移动。然后，如图10的(b)所示，在聚光器722的照射位置到达间隔道21的另一端的位置后，停止照射脉冲激光光线，并且使卡盘工作台71停止移动。在该激光加工槽形成工序中，使脉冲激光光线的聚光点P定位于加强基板5的背面5b(上表面)附近。其结果为，在加强基板5的背面5b上沿着间隔道21形成激光加工槽24。
上述激光加工槽形成工序中的加工条件例如如下所示地设定。
光源 ：YAG激光器
波长 ：355nm的脉冲激光
重复频率 ：90～200kHz
平均输出 ：0.8～1.2W
加工进给速度：100～300mm/秒
在如上所述地沿着光器件晶片2的在预定方向上延伸的所有间隔道21执行了上述激光加工槽形成工序之后，将卡盘工作台71转动90度，沿着与上述预定方向垂直地延伸的各间隔道21执行上述激光加工槽形成工序。
接下来，实施晶片分割工序，在该晶片分割工序中，沿着实施了上述激光加工工序的加强基板5的断裂起点(变质层23或激光加工槽24)施加外力，使加强基板5沿着断裂起点(变质层23或激光加工槽24)断裂，由此使光器件晶片2沿着间隔道21断裂从而分割成一个个光器件。在该晶片分割工序中，例如如图11的(a)所示将实施了上述激光加工工序的加强基板5的背面5b载置到柔软的橡胶垫8上。由此，粘贴有加强基板5的表面5a的光器件晶片2处于上侧，粘贴有该光器件晶片2的切割带60处于最上方。然后，利用压辊80按压切割带60的上表面，同时使该压辊80滚动，由此如图11的(b)、(c)所示，加强基板5以变质层23或激光加工槽24为断裂起点沿着间隔道21断裂。此外，由于粘贴有加强基板5的光器件晶片2如上所述形成得极薄，其厚度为25μm，所以伴随着加强基板5的沿着间隔道21的断裂，光器件晶片2也沿着间隔道21断裂从而被分割成一个个的光器件22。由于在这样分割开来的光器件22的侧面(断裂面)不存在因激光加工而产生的变质部，所以光器件22的光亮度不会降低，并且抗弯强度也不会降低。另外，由于被分割成一个一个的光器件22的表面粘贴在切割带60上，所以能够维持光器件22晶片的形态而不会散乱。
接下来，实施拾取工序，在该拾取工序中，将通过实施上述晶片分割工序而分割开的光器件22从切割带60上剥离并进行拾取。使用图12所示的拾取装置9来实施该拾取工序。图12所示的拾取装置9包括：框架保持构件91，其保持上述环状框架6；带扩张构件92，其使在保持于上述框架保持构件91的环状框架6上安装的切割带60扩张；以及拾取夹头93。框架保持构件91由环状的框架保持部件911、和配设在该框架保持部件911的外周的作为固定构件的多个夹紧器912构成。框架保持部件911的上表面形成载置环状框架6的载置面911a，在该载置面911a上载置环状框架6。另外，载置在载置面911a上的环状框架6通过夹紧器912固定在框架保持部件911上。这样构成的框架保持构件91被带扩张构件92支承成能够在上下方向上进退。
带扩张构件92包括配设在上述环状的框架保持部件911内侧的扩张鼓921。该扩张鼓921的内径和外径都小于环状框架6的内径、且比粘贴在切割带60上的光器件晶片2的外径要大，其中，上述切割带60安装于上述环状框架6。此外，扩张鼓921在下端具有支承凸缘922。图示的实施方式中的带扩张构件92还包括能够使上述环状的框架保持部件911在上下方向上进退的支承构件923。该支承构件923由配设在上述支承凸缘922上的多个空气缸923a构成，该支承构件923的活塞杆923b与上述环状的框架保持部件911的下表面连接。这样由多个空气缸923a构成的支承构件923使环状的框架保持部件911在基准位置和扩张位置之间沿上下方向移动，如图13的(a)所示，上述基准位置为环状的框架保持部件911的载置面911a与扩张鼓921的上端处于大致同一高度的位置，如图13的(b)所示，上述扩张位置为载置面911a比扩张鼓921的上端靠下方预定量的位置。
参照图13的(a)至(c)对使用如上所述地构成的拾取装置9实施的拾取工序进行说明。即，如图13的(a)所示，将环状框架6载置到构成框架保持构件91的框架保持部件911的载置面911a上，并利用夹紧器912将该环状框架6固定在框架保持部件911上，其中，在上述环状框架6上安装了粘贴有光器件晶片2(沿着间隔道21被分割成了一个个光器件22)的切割带60。此时，框架保持部件911定位于图13的(a)所示的基准位置。接着，使作为构成带扩张构件92的支承构件923的多个空气缸923a动作，使环状的框架保持部件911下降至图13的(b)所示的扩张位置。于是，框架保持部件911的载置面911a上固定的环状框架6也下降，因此，如图13的(b)所示，安装于环状框架6的切割带60与扩张鼓921的上端缘接触而被扩张。其结果为，粘贴于切割带60的光器件22之间变宽，间隙S扩大。接着，如图13的(c)所示，使拾取夹头93动作，对粘贴在光器件22上的加强基板5进行吸附，将其从切割带60上剥离来进行拾取，并搬送到未图示的托盘。在上述拾取工序中，由于如上所述光器件22之间的间隙S变宽，所以相邻的光器件22之间不会接触，能够容易地进行拾取。
在实施作为下一工序的芯片粘接工序之前，将如上所述地拾取到的与光器件22接合的加强基板5从光器件22上剥离(加强基板剥离工序)。此时，通过将加强基板5加热至100℃左右，将光器件晶片2和加强基板5接合起来的蜡会熔融，由此能够将加强基板5从光器件晶片2上容易地剥离。
另外，也可以在实施上述拾取工序之前实施将加强基板5从光器件晶片2上剥离的加强基板剥离工序。
Claims (5)
1.一种光器件晶片的分割方法，其是将光器件晶片沿着多个间隔道分割成一个个光器件的方法，上述光器件晶片在表面上通过形成为格子状的多个间隔道划分出了多个区域，在该多个区域中形成有光器件，其特征在于，
该光器件晶片的分割方法包括以下工序：
保护板接合工序，将光器件晶片的表面通过能够剥离的接合剂接合到刚性高的保护板的表面上；
背面磨削工序，对粘贴在上述保护板上的光器件晶片的背面进行磨削，从而使光器件晶片形成为器件的最终厚度；
加强基板接合工序，将刚性高的加强基板的表面通过能够剥离的接合剂接合到实施了上述背面磨削工序的光器件晶片的背面上；
晶片剥离工序，将接合有上述加强基板的光器件晶片从上述保护板上剥离；
切割带粘贴工序，将接合有上述加强基板的光器件晶片的表面粘贴到切割带的表面上；
激光加工工序，实施如下所述的激光加工：从与粘贴在上述切割带上的光器件晶片接合的上述加强基板的背面侧，沿着形成在光器件晶片上的间隔道照射激光光线，从而在上述加强基板中沿着间隔道形成断裂起点；以及
晶片分割工序，沿着实施了上述激光加工工序的上述加强基板的断裂起点施加外力，使上述加强基板沿着断裂起点断裂，从而使光器件晶片沿着间隔道断裂从而分割成一个个光器件。
2.根据权利要求1所述的光器件晶片的分割方法，其特征在于，
在上述激光加工工序中，通过将聚光点对准上述加强基板的内部来照射相对于上述加强基板具有透射性的波长的激光光线，从而在上述加强基板的内部沿着间隔道形成作为断裂起点的变质层。
3.根据权利要求1所述的光器件晶片的分割方法，其特征在于，
在上述激光加工工序中，通过照射相对于上述加强基板具有吸收性的波长的激光光线，来在上述加强基板的背面沿着间隔道形成作为断裂起点的激光加工槽。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的光器件晶片的分割方法，其特征在于，
上述光器件晶片的分割方法包括拾取工序，在该拾取工序中，将通过实施上述晶片分割工序而分割开的光器件从上述切割带上剥离并进行拾取。
5.根据权利要求4所述的光器件晶片的分割方法，其特征在于，
在实施上述拾取工序之前或在实施上述拾取工序之后，实施将粘贴在被分割开的光器件上的上述加强基板剥离的加强基板剥离工序。
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