CN105428281A - 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割 - Google Patents

使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割 Download PDF

Info

Publication number
CN105428281A
CN105428281A CN201510982784.7A CN201510982784A CN105428281A CN 105428281 A CN105428281 A CN 105428281A CN 201510982784 A CN201510982784 A CN 201510982784A CN 105428281 A CN105428281 A CN 105428281A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
semiconductor crystal
crystal wafer
femtosecond
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510982784.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105428281B (zh
Inventor
类维生
B·伊顿
M·R·亚拉曼希里
S·辛格
A·库玛
J·M·霍尔登
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN105428281A publication Critical patent/CN105428281A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105428281B publication Critical patent/CN105428281B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32889—Connection or combination with other apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76825—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by exposing the layer to particle radiation, e.g. ion implantation, irradiation with UV light or electrons etc.
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76826—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by contacting the layer with gases, liquids or plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

本申请公开了使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割。本发明描述切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上形成掩模。所述掩模由覆盖且保护所述集成电路的层组成。用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化，以提供具有间隙的一经图案化的掩模。所述图案化曝露所述集成电路之间的所述半导体晶圆的区域。然后穿过所述经图案化的掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单分所述集成电路。

Description

使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割
本申请是申请日为2011年6月20日、申请号为201180021218.X、题为“使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割”的发明专利申请的分案申请。
相关申请案的交叉引用
本申请案主张2010年6月22日提出申请的美国临时申请案第61/357,468号的权益，所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
背景
1)领域
本发明的实施例关于半导体处理领域，具体关于切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆上具有多个集成电路。
2)相关技术的描述
在半导体晶圆处理中，在由硅或其他半导体材料组成的晶圆(亦被称作衬底)上形成集成电路。通常，利用半导体、导电或绝缘的不同材料层来形成集成电路。使用各种公知工艺掺杂、沉积及蚀刻这些材料，以形成集成电路。处理每一晶圆以形成大量含有集成电路的个体区域，所述个体区域称为管芯。
在集成电路形成工艺之后，“切割”晶圆以将个体管芯彼此分隔，以用于封装或在较大电路内以未封装形式使用。用于晶圆切割的两种主要技术为划线及锯切。藉由划线，沿预成形的划割线越过晶圆表面移动金刚石尖头划线器。这些划割线沿管芯之间的间隔延伸。这些间隔通常被称作“切割道(street)”。金刚石划线器沿切割道在晶圆表面中形成浅划痕。在诸如以滚轴施加压力之后，晶圆沿所述划割线分开。晶圆断裂遵循晶圆衬底的晶格结构。划线可用于厚度约10密耳(千分之一英寸)或更小的晶圆。对于更厚的晶圆，目前锯切为用于切割的较佳方法。
藉由锯切，以每分钟高转数旋转的金刚石尖头锯接触晶圆表面，且沿切割道锯切晶圆。晶圆安装在诸如在薄膜框架上伸展的粘合薄膜之类的支撑构件上，且锯反复施加于垂直切割道与水平切割道两者。划线或锯切的一个问题为：切屑及挖伤可沿所述等管芯的切断边缘形成。此外，裂纹可形成且从所述管芯的边缘扩散至衬底中，且致使集成电路不工作。剥落及裂化特别为划线的问题，因为正方形或矩形管芯仅一侧可沿结晶结构的<110>方向被划线。因此，所述管芯另一侧的裂开产生一锯齿状分隔线。由于剥落及裂化，故在晶圆上的管芯之间需要额外间隔，以防止损坏集成电路，例如，将切屑及裂纹维持在与实际集成电路一定距离处。由于间隔要求，导致在一标准尺寸晶圆上不能形成同样多的管芯，且浪费了原本可用于电路的晶圆空间(realestate)。锯的使用加重半导体晶圆上空间的浪费。锯刃约15微米厚。因此，为保证由锯造成的切口周围的裂纹及其他损坏不损害集成电路，通常必须将每个所述管芯的电路分隔三百微米至五百微米。此外，在切割之后，每一管芯需要实质性清洁，以移除由锯切工艺产生的微粒及其他污染物。
亦使用了等离子体切割，但等离子体切割同样可具有局限性。举例而言，成本可为阻碍实施等离子体切割的一个局限。用于图案化抗蚀剂的标准光刻操作可致使实施成本过高。可能阻碍实施等离子体切割的另一局限为，在沿切割道切割中的常见金属(例如铜)的等离子体处理可造成生产问题或产量限制。
发明内容
本发明的实施例包括切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆上具有多个集成电路。
在一实施例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶圆的方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上方形成一掩模，所述掩模由覆盖且保护所述集成电路的层组成。然后用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化，以提供具有间隙的经图案化的掩模，从而曝露所述集成电路之间的所述半导体晶圆的区域。然后穿过所述经图案化的掩模中的所述间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单片化所述集成电路。
在另一实施例中，一种用于切割半导体晶圆的系统包括工厂接口。激光划线设备与所述工厂接口耦合，且包括基于飞秒的激光。等离子体蚀刻腔室亦与所述工厂接口耦合。
在另一实施例中，一种切割具有多个集成电路的半导体晶圆的方法包括以下步骤：在硅衬底上方形成聚合物层。所述聚合物层覆盖且保护安置于所述硅衬底上的集成电路。所述集成电路由安置于低介电常数材料层及铜层上方的二氧化硅层组成。用基于飞秒的激光划线工艺将所述聚合物层、所述二氧化硅层、所述低介电常数材料层及所述铜层图案化，以曝露所述集成电路之间的所述硅衬底的区域。然后穿过间隙蚀刻所述硅衬底，以单片化所述集成电路。
附图说明
图1图示根据本发明的实施例的待切割的半导体晶圆的俯视图。
图2图示根据本发明的实施例的待切割的半导体晶圆的俯视图，所述半导体晶圆上形成有切割掩模。
图3为示出根据本发明的实施例的切割半导体晶圆的方法的操作的流程图，所述半导体晶圆包括多个集成电路。
图4A图示根据本发明的实施例的在执行切割所述半导体晶圆的方法期间的包括多个集成电路的半导体晶圆的横截面图，所述横截面图对应于图3的流程图的操作302。
图4B图示根据本发明的实施例的在执行切割所述半导体晶圆的方法期间的包括多个集成电路的半导体晶圆的横截面图，所述横截面图对应于图3的流程图的操作304。
图4C图示根据本发明的实施例的在执行切割所述半导体晶圆的方法期间的包括多个集成电路的半导体晶圆的横截面图，所述横截面图对应于图3的流程图的操作306。
图5图示根据本发明的实施例的使用飞秒范围内的激光脉冲与较长脉冲时间比较的效果。
图6图示根据本发明的实施例的可用于半导体晶圆或衬底的切割道区域的材料的堆迭的横截面图。
图7包括根据本发明的实施例的结晶硅(c-Si)、铜(Cu)、结晶二氧化硅(c-SiO2)及非晶二氧化硅(a-SiO2)的吸收系数随着光子能变化的曲线图。
图8为方程序，所述方程序展示给定激光的激光强度与激光脉冲能量、激光脉冲宽度及激光光束半径的函数关系。
图9A至图9D图示根据本发明的实施例的切割半导体晶圆的方法的不同操作的横截面图。
图10图示根据本发明的实施例的藉由使用与常规切割相比较窄的切割道达成的半导体晶圆上的紧密作用，所述常规切割可受限于最小宽度。
图11图示根据本发明的实施例的允许较紧密堆积且因此与栅格对准方法相比允许每晶圆更多的管芯的自由形式集成电路布置。
图12图示根据本发明的实施例的用于晶圆或衬底的激光及等离子体切割的工具布局的框图。
图13图示根据本发明的实施例的示例性计算机系统的框图。
具体实施方式
已描述切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆上具有多个集成电路。在以下描述中阐述众多特定细节，诸如基于飞秒的激光划线及等离子体蚀刻条件及材料状况，以提供对本发明的实施例的透彻理解。对本领域普通技术人员显而易见的是，本发明的实施例可在无这些特定细节的情况下实施。在其他实例中，诸如集成电路制造的公知方面不作详述，以免不必要地使本发明的实施例难以理解。此外，应理解，附图中所示的各种实施例为说明性表示，且未必按比例绘制。
可实施涉及初始激光划线及后续等离子体蚀刻的混合晶圆或衬底切割工艺，以用于管芯单片化。激光划线工艺可用于清除掩模层、有机及无机介电层及器件层。然后可在曝露或部分蚀刻晶圆或衬底之后终止所述激光蚀刻工艺。然后可使用切割工艺的等离子体蚀刻部分来蚀刻穿过大块的晶圆或衬底(诸如穿过大块单晶硅)，以产生管芯或芯片单片化或切割。
常规晶圆切割方法包括基于纯机械分离的金刚石锯切、初始激光划线及后续金刚石锯切割或纳秒或皮秒激光切割。对于诸如50微米厚的大块硅单片化之类的薄晶圆或衬底单片化而言，所述常规方法仅产生不良工艺品质。在从薄晶圆或衬底单片化管芯时可能面临的一些挑战可包括：在不同层之间形成微裂或分层、无机介电层的剥落、保持严格的锯口宽度控制或精确的切除深度控制。本发明的实施例包括混合激光划线及等离子体蚀刻管芯单片化方法，所述方法可适用于克服上述挑战中的一个或多个。
根据本发明的实施例，基于飞秒的激光划线与等离子体蚀刻的组合用于将半导体晶圆切割成个体化或单片化的集成电路。在一个实施例中，基于飞秒的激光划线被用作基本(若非完全)非热工艺。举例而言，所述基于飞秒的激光划线可定位于无热损坏或可忽略热损坏的区域。在实施例中，本文的方法用于具有超低介电常数薄膜的经单片化的集成电路。藉由常规切割，可能需要锯减速以适应此类低介电常数薄膜。此外，现在通常在切割之前将半导体晶圆减薄。因此，在实施例中，现在常见将掩模图案化与使用基于飞秒的激光的部分晶圆划线组合，并继之以等离子体蚀刻工艺。在一个实施例中，藉由激光直接写入可排除对光阻层的光刻图案化操作的需要，且可以极低的成本实施。在一个实施例中，使用通孔型硅蚀刻在等离子体蚀刻环境中完成所述切割工艺。
因此，在本发明的方面中，可使用基于飞秒的激光划线与等离子体蚀刻的组合将半导体晶圆切割成单片化的集成电路。图1图示根据本发明的实施例的待切割的半导体晶圆的俯视图。图2图示根据本发明的实施例的待切割的半导体晶圆的俯视图，所述半导体晶圆上形成有切割掩模。
参看图1，半导体晶圆100具有包括集成电路的多个区域102。区域102由垂直切割道104及水平切割道106分隔。切割道104及切割道106为不含集成电路的半导体晶圆的区域，且将切割道104及切割道106设计为切割晶圆所沿着的位置。本发明的一些实施例涉及利用基于飞秒的激光划线与等离子体蚀刻技术的组合，以沿所述切割道穿过半导体晶圆切割沟道，以使得所述管芯被分成个体芯片或管芯。由于激光划线与等离子体蚀刻工艺皆不依赖于结晶结构定向，所以待切割的半导体晶圆的结晶结构对实现穿过所述晶圆的垂直沟道并不重要。
参看图2，半导体晶圆100具有沉积于半导体晶圆100上的掩模200。在一个实施例中，所述掩模以常规方式经沉积，以实现约4-10微米厚的层。用激光划线工艺将掩模200及半导体晶圆100的一部分图案化，以沿切割道104及切割道106界定切割半导体晶圆100所在的位置(例如间隙202及204)。半导体晶圆100的集成电路区域由掩模200覆盖及保护。掩模200的区域206经定位以使得在后续刻蚀工艺期间，集成电路不被所述蚀刻工艺降级。在区域206之间形成水平间隙204及垂直间隙202，以界定将在蚀刻工艺期间被蚀刻以最终切割半导体晶圆100的区域。
图3为根据本发明的实施例的表示切割半导体晶圆的方法的操作的流程图300，所述半导体晶圆包括多个集成电路。图4A至图4C图示根据本发明的实施例在执行切割所述半导体晶圆的方法期间的包括多个集成电路的半导体晶圆的横截面图，所述横截面图对应于流程图300的操作。
参看流程图300的操作302以及相应图4A，掩模402形成于半导体晶圆或衬底404上方。掩模402由覆盖且保护集成电路406的层组成，集成电路406形成于半导体晶圆404的表面上。掩模402亦覆盖介入切割道407，介入切割道407形成于集成电路406中的每一者之间。
根据本发明的实施例，形成掩模402包括：形成诸如(但不限于)光阻层或自交系(I-line)图案化层之类的层。举例而言，诸如光阻层之类的聚合物层可由另外适用于光刻工艺的材料组成。在一个实施例中，所述光阻层由正光阻材料组成，诸如(但不限于)248纳米(nm)抗蚀剂、193nm抗蚀剂、157nm抗蚀剂、极紫外线(extremeultra-violet；EUV)抗蚀剂或含有重氮基萘醌敏化剂的酚树脂介质。在另一实施例中，所述光阻层由负光阻材料组成，诸如(但不限于)聚顺异戊二烯及聚桂皮酸乙烯酯。
在实施例中，半导体晶圆或衬底404由适合于经受制造工艺的材料组成，且可将半导体处理层适当安置于所述材料上。举例而言，在一个实施例中，半导体晶圆或衬底404由基于IV族的材料组成，诸如(但不限于)结晶硅、锗或硅/锗。在特定实施例中，提供半导体晶圆404包括：提供单晶硅衬底。在特定实施例中，所述单晶硅衬底掺杂有杂质原子。在另一实施例中，半导体晶圆或衬底404由III-V族材料组成，诸如用于发光二极管(lightemittingdiode；LED)的制造的III-V族材料衬底。
在实施例中，半导体晶圆或衬底404具有安置于半导体晶圆或衬底404上或半导体晶圆或衬底404中的半导体器件的阵列，所述半导体器件作为集成电路406的一部分。此类半导体器件的实例包括(但不限于)：在硅衬底中制造且包装于介电层中的存储器器件或互补金属氧化物半导体(complimentarymetal-oxide-semiconductor；CMOS)晶体管。在所述器件或晶体管上方及周围介电层中可形成多个金属互连，且所述金属互连可用于电气耦合所述器件或晶体管，以形成集成电路406。组成切割道407的材料可与用于形成集成电路406的那些材料相似或相同。举例而言，切割道407可由多层介电材料、半导体材料及金属化组成。在一个实施例中，切割道407中的一个或多个包括类似于集成电路406的实际器件的测试器件。
参看流程图300的操作304以及相应图4B，用基于飞秒的激光划线工艺将掩模402图案化，以提供具有间隙410的经图案化的掩模408，从而曝露集成电路406之间的半导体晶圆或衬底404的区域。因此，基于飞秒的激光划线工艺用于移除最初形成于集成电路406之间的切割道407的材料。根据本发明的实施例，用基于飞秒的激光划线工艺将掩模402图案化包括：形成沟道412部分进入集成电路406之间的半导体晶圆404的区域，如图4B所示。
在实施例中，用激光划线工艺将掩模408图案化包括：使用具有飞秒范围内的脉冲宽度的激光。具体而言，具有在可见光谱加紫外线(ultra-violet；UV)及红外线(infra-red；IR)范围(总计宽频光谱)内的波长的激光可用于提供基于飞秒的激光，亦即具有量级为飞秒(10-15秒)的脉冲宽度的激光。在一个实施例中，切除不依赖于或基本不依赖于波长，且因此适合于复合薄膜，诸如掩模402的薄膜、切割道407的薄膜及可能一部分半导体晶圆或衬底404的薄膜。
图5图示根据本发明的实施例的使用飞秒范围内的激光脉冲与较长频率比较的效果。参看图5，与较长脉冲宽度比较(例如，藉由皮秒处理通孔500B产生损坏502B及藉由纳秒处理通孔500A产生显著损坏502A)，使用具有飞秒范围内的脉冲宽度的激光缓解或消除了热损坏问题(例如，藉由飞秒处理通孔500C最小化至无损坏502C)。在形成通孔500C期间损坏的消除或缓解可归因于缺乏低能量再耦合(如见于基于皮秒的激光切除)或热平衡(如见于基于纳秒的激光切除)，如图5所示。
激光参数选择(诸如脉冲宽度)可为研发成功的激光划线及切割工艺的关键，成功的激光划线及切割工艺将剥落、微裂及分层减至最少，以达成平整的激光划线切口。激光划线切口愈平整，则用于最终的管芯单片化而执行的蚀刻工艺愈顺利。在半导体器件晶圆中，许多不同材料类型(例如导体、绝缘体、半导体)及厚度的功能层通常安置于半导体元件晶圆上。此类材料可包括(但不限于)诸如聚合物之类的有机材料、金属或诸如二氧化硅及氮化硅之类的无机电介质。
安置于晶圆或衬底上的个体集成电路之间的切割道可包括与所述集成电路本身相似或相同的层。举例而言，图6图示根据本发明的实施例的材料的堆迭的横截面图，所述材料可用于半导体晶圆或衬底的切割道区域中。
参看图6，切割道区域600包括硅衬底的顶部部分602、第一二氧化硅层604、第一蚀刻终止层606、第一低介电常数介电层608(例如，具有小于二氧化硅的介电常数4.0的介电常数)、第二蚀刻终止层610、第二低介电常数介电层612、第三蚀刻终止层614、无掺杂硅玻璃(undopedsilicaglass；USG)层616、第二二氧化硅层618及光阻层620，其中描绘了相对厚度。铜金属化622安置于第一蚀刻终止层606与第三蚀刻终止层614之间，且穿过第二蚀刻终止层610。在特定实施例中，第一蚀刻终止层606、第二蚀刻终止层610及第三蚀刻终止层614由氮化硅组成，而低介电常数介电层608及612由掺碳氧化硅材料组成。
在常规激光照射(诸如基于纳秒或基于皮秒的激光照射)下，切割道600的材料在光吸收及切除机制方面表现相当不同。举例而言，诸如二氧化硅之类的介电层在正常情况下对所有市售的激光波长均为基本透明。相反，金属、有机物(例如低介电常数材料)及硅能够非常容易地耦合光子，尤其响应于基于纳秒或基于皮秒的激光照射。举例而言，图7包括根据本发明的实施例的结晶硅(c-Si，702)、铜(Cu，704)、结晶二氧化硅(c-SiO2，706)及非晶二氧化硅(a-SiO2，708)的吸收系数随着光子能变化的曲线图700。图8为方程序800，所述方程序展示给定激光的激光强度与激光脉冲能量、激光脉冲宽度及激光光束半径的函数关系。
在实施例中，利用方程序800及吸收系数的曲线图700，可选择基于飞秒激光的工艺的参数，以对无机及有机电介质、金属及半导体实现基本共同的切除效应，尽管此类材料的一般能量吸收特征在某些条件下可大不相同。举例而言，二氧化硅的吸收率为非线性的，且在适当激光切除参数下二氧化硅的吸收率可与有机电介质、半导体及金属的吸收率更加一致。在一个此类实施例中，高强度及短脉冲宽度的基于飞秒的激光工艺用于切除层的堆迭，所述层的堆迭包括二氧化硅层及有机电介质、半导体或金属中的一个或多个。在特定实施例中，约小于或等于400飞秒的脉冲用于基于飞秒的激光照射工艺，以移除掩模、切割道及一部分硅衬底。
相反，若选择非最佳激光参数，则在涉及无机电介质、有机电介质、半导体或金属中的两者或两者以上的堆迭结构中，激光切除工艺可造成分层问题。举例而言，激光穿透高带隙能量电介质(诸如具有约9eV带隙的二氧化硅)，而无可量测吸收。然而，所述激光能可在下方的金属层或硅层中被吸收，从而引起所述金属层或硅层的显著汽化。所述汽化可产生高压，以升起上覆的二氧化硅介电层，且可能造成严重的层间分层及微裂化。在一实施例中，尽管基于皮秒的激光照射工艺在复合堆迭中导致微裂化及分层，但已证明，基于飞秒的激光照射工艺并不导致相同材料堆迭的微裂化或分层。
为了能够直接切除介电层，介电材料可能需要发生离子化，以使得所述介电材料藉由强吸收光子而与导电材料表现相似。所述吸收可在最终切除介电层之前阻碍大部分激光能量穿透至下方的硅层或金属层。在一实施例中，当激光强度足够高以致在无机介电材料中引发光子离子化及撞击离子化时，所述无机电介质的离子化是可行的。
根据本发明的一实施例，合适的基于飞秒的激光工艺的特征为：高峰值强度(照射度)，所述高峰值强度通常在不同材料中导致非线性相互作用。在一个此类实施例中，飞秒激光源具有近似在10飞秒至500飞秒的范围内的脉冲宽度，不过所述脉冲宽度较佳在100飞秒至400飞秒的范围内。在一个实施例中，飞秒激光源具有近似在1570纳米至200纳米的范围内的波长，不过所述波长较佳在540纳米至250纳米的范围内。在一个实施例中，激光及相应光学系统在工作表面处提供近似在3微米至15微米的范围内的焦点，不过所述焦点较佳近似在5微米至10微米的范围内。
在所述工作表面处的空间光束剖面可为单模(高斯)或具有顶帽形状的剖面。在一实施例中，激光源具有近似在200kHz至10MHz范围内的脉冲重复率，不过所述脉冲重复率较佳近似在500kHz至5MHz的范围内。在一实施例中，激光源在工作表面处传递近似在0.5uJ至100uJ的范围内的脉冲能量，不过所述脉冲能量较佳近似在1uJ至5uJ的范围内。在一实施例中，激光划线工艺以近似在500mm/sec至5m/sec的范围内的速度沿工件表面执行，不过所述速度较佳近似在600mm/sec至2m/sec的范围。
划线工艺可仅单程执行或多程执行，但在一实施例中，较佳1至2程。在一个实施例中，工件的划线深度近似在5微米至50微米深的范围内，较佳近似在10微米至20微米深的范围内。激光可以给定的脉冲重复率施加于一系列单一脉冲中，或一系列脉冲猝发中。在一实施例中，所产生激光光束的锯口宽度近似在2微米至15微米的范围内，不过在硅晶圆划线/切割中在元件/硅接口处所量测的所述锯口宽度较佳近似在6微米至10微米的范围内。
可选择具有以下益处及优点的激光参数：诸如提供足够高的激光强度，以达成无机电介质(例如二氧化硅)的离子化，且在直接切除无机电介质之前将由底层损坏造成的分层及切削减至最少。又，可选择参数，以藉由精确控制的切除宽度(例如锯口宽度)及深度提供用于工业应用的有意义的工艺产量。如上所述，与基于皮秒及基于纳秒的激光切除工艺相比，基于飞秒的激光远远更适合于提供此类优点。然而，即使在基于飞秒的激光切除的光谱中，某些波长亦可提供较其他波长更佳的性能。举例而言，在一个实施例中，与具有更接近红外线范围或在红外线范围内的波长的基于飞秒的激光工艺相比，具有更接近紫外线范围或在紫外线范围内的波长的基于飞秒的激光工艺提供更平整的切除工艺。在一特定此类实施例中，适合于半导体晶圆或衬底划线的基于飞秒的激光工艺是基于具有约小于或等于540纳米的波长的激光。在一特定此类实施例中，使用约小于或等于400飞秒的脉冲的激光，所述激光具有约小于或等于540纳米的波长。然而，在替代实施例中，使用双激光波长(例如，红外线激光与紫外线激光的组合)。
参看流程图300的操作306及相应图4C，穿过经图案化的掩模408中的间隙410将半导体晶圆404蚀刻，以单片化集成电路406。根据本发明的一实施例，蚀刻半导体晶圆404包括：蚀刻用基于飞秒的激光划线工艺形成的沟道412，以最终完全蚀刻穿过半导体晶圆404，如图4C所示。
在一实施例中，蚀刻半导体晶圆404包括：使用等离子体蚀刻工艺。在一个实施例中，使用硅通孔(through-silicon-via)型蚀刻工艺。举例而言，在一特定实施例中，半导体晶圆404的材料的蚀刻速度大于25微米/分钟。超高密度等离子体源可用于管芯单片化工艺的等离子体蚀刻部分。适于执行此类等离子体蚀刻工艺的处理腔室的示例为可购自应用材料公司(美国加利福尼亚州桑尼维尔市)的AppliedSilviaTMEtch系统。AppliedSilviaTMEtch系统组合电容性与感应射频(radiofrequency；RF)耦合，与仅电容性耦合甚至磁性增强所提供改良的可能情况相比，电容性与感应射频耦合给予离子密度及离子能量更多独立控制。此组合使离子密度能够与离子能量有效地去耦，以便即使在极低压力下亦可实现不具有可能有害的高直流(DC)偏压电平的相对较高密度的等离子体。此举产生异常宽的工艺窗口。然而，可使用能够蚀刻硅的任何等离子体蚀刻腔室。在一示例性实施例中，深硅蚀刻用于以大于约40％的常规硅蚀刻速度的蚀刻速度蚀刻单晶硅衬底或晶圆404，同时维持基本精确的剖面控制及实质上无扇形的侧壁。在一特定实施例中，使用硅通孔型蚀刻工艺。所述蚀刻工艺是基于反应性气体所产生的等离子体，所述反应性气体通常为氟基气体，诸如SF6、C4F8、CHF3、XeF2，或能够以相对较快蚀刻速度蚀刻硅的任何其他反应性气体。在一实施例中，在单片化工艺后移除掩模层408，如图4C所示。
因此，再次参看流程图300及图4A至图4C，可藉由初始激光切除穿过掩模层、穿过晶圆切割道(包括金属化)且部分进入硅衬底而执行晶圆切割。可在飞秒范围内选择所述激光脉冲宽度。然后可藉由后续穿硅等离子体深蚀刻完成管芯单片化。根据本发明的一实施例，下文结合图9A至图9D描述用于切割的材料堆迭的特定示例。
参看图9A，用于混合激光切除及等离子体蚀刻切割的材料堆迭包括掩模层902、器件层904及衬底906。掩模层、器件层及衬底安置于管芯粘着薄膜908上方，管芯粘着薄膜908附着至衬带910。在一实施例中，掩模层902为光阻层，诸如上文结合掩模402所述的光阻层。器件层904包括安置于一个或多个金属层(诸如铜层)及一个或多个低介电常数介电层(诸如掺碳氧化物层)上方的无机介电层(诸如二氧化硅)。元件层904亦包括布置于集成电路之间的切割道，所述切割道包括与集成电路相同或相似的层。衬底906为大块单晶硅衬底。
在一实施例中，在大块单晶硅衬底906附着至管芯粘着薄膜908之前，从背侧使大块单晶硅衬底906变薄。可藉由背侧研磨工艺执行所述变薄步骤。在一实施例中，使大块单晶硅衬底906变薄至近似在50-100微米范围内的厚度。在一实施例中，重要的是应注意，在激光切除及等离子体蚀刻切割工艺之前执行所述变薄。在一实施例中，光阻层902具有约5微米的厚度，而器件层904具有近似在2-3微米范围内的厚度。在一实施例中，管芯粘着薄膜908(或能够将变薄或薄的晶圆或衬底接合至衬带910的任何合适的替代物)具有约20微米的厚度。
参看图9B，用基于飞秒的激光划线工艺912将掩模902、器件层904及一部分衬底906图案化，以在衬底906中形成沟道914。参看图9C，穿硅等离子体深蚀刻工艺916用于将沟道914向下延伸至管芯粘着薄膜908，从而曝露管芯粘着薄膜908的顶部部分且单片化硅衬底906。在穿硅等离子体深蚀刻工艺916期间，藉由光阻层902保护器件层904。
参看图9D，单片化工艺可进一步包括：将管芯粘着薄膜908图案化，从而曝露衬带910的顶部部分且单片化管芯粘着薄膜908。在一实施例中，藉由激光工艺或藉由蚀刻工艺单片化管芯粘着薄膜。其他实施例可包括：随后从衬带910移除衬底906的单片化的部分(例如，作为个体集成电路)。在一个实施例中，单片化的管芯粘着薄膜908保留在衬底906的单片化的部分的背侧上。其他实施例可包括：从器件层904移除掩模光阻层902。在一替代实施例中，在衬底906比约50微米薄的情况下，激光切除工艺912用于彻底单片化衬底906，而无需使用额外等离子体工艺。
在一实施例中，在单片化管芯粘着薄膜908之后，从器件层904移除掩模光阻层902。在一实施例中，从衬带910移除单片化的集成电路，以用于封装。在一个此类实施例中，经图案化的管芯粘着薄膜908保留在每一集成电路的背侧上且包括在最终的封装中。然而，在另一实施例中，在单片化工艺期间或在单片化工艺之后移除经图案化的管芯粘着薄膜908。
再次参看图4A至图4C，可藉由具有约10微米或更小的宽度的切割道407分隔所述多个集成电路406。利用基于飞秒的激光划线方法，可在集成电路的布局中使此紧密作用得以实现，此举至少部分归因于严密的激光剖面控制。举例而言，图10图示根据本发明的一实施例，藉由使用与常规切割相比较窄的切割道实现的半导体晶圆或衬底上的紧密作用，所述常规切割可限于最小宽度。
参看图10，藉由使用与常规切割相比较窄的切割道(例如，在布局1002中约10微米或更小的宽度)实现半导体晶圆上的紧密作用，所述常规切割可限于最小宽度(例如，在布局1000中约70微米或更大的宽度)。然而，应理解，即使在其他方面可藉由基于飞秒的激光划线工艺来实现，并非总是期望将切割道宽度减少至小于10微米。举例而言，一些应用可能需要至少40微米的切割道宽度，以在分隔集成电路的切割道中制造虚拟器件或测试器件。
再次参看图4A至图4C，所述多个集成电路406可以非限制性布局布置在半导体晶圆或衬底404上。举例而言，图11图示允许较紧密堆积的自由形式集成电路布置。根据本发明的一实施例，与栅格对准方法相比，所述较紧密堆积可提供每晶圆更多的管芯。参看图11，自由形式布局(例如半导体晶圆或衬底1102上的非限制性布局)允许较紧密堆积，且因此与栅格对准方法(例如，半导体晶圆或衬底1100上的限制性布局)相比允许每晶圆更多的管芯。在一实施例中，激光切除及等离子体蚀刻单片化工艺的速度与管芯大小、布局或切割道数目无关。
单一工艺工具可经配置以执行混合基于飞秒的激光切除及等离子体蚀刻单片化工艺中的许多或全部操作。举例而言，图12图示根据本发明的一实施例用于晶圆或衬底的激光及等离子体切割的工具布局的框图。
参看图12，工艺工具1200包括工厂接口(factoryinterface；FI)1202，工厂接口1202具有与工厂接口1202耦合的多个负载锁室1204。群集工具1206与工厂接口1202耦合。群集工具1206包括一或多个等离子体蚀刻腔室，诸如等离子体蚀刻腔室1208。激光划线设备1210亦耦合至工厂接口1202。在一个实施例中，工艺工具1200的整体覆盖面积可为约3500毫米(3.5米)×约3800毫米(3.8米)，如图12所示。
在一实施例中，激光划线设备1210容纳基于飞秒的激光。基于飞秒的激光适合于执行混合激光及蚀刻单片化工艺的激光切除部分，诸如上述的激光切除工艺。在一个实施例中，激光划线设备1200中亦包括活动平台，所述活动平台经设置以用于使晶圆或衬底(或晶圆或衬底的载体)相对于基于飞秒的激光移动。在一特定实施例中，基于飞秒的激光亦可活动。在一实施例中，激光划线设备1210的整体覆盖面积可为约2240毫米×约1270毫米，如图12所示。
在一实施例中，一个或多个等离子体蚀刻腔室1208经设置以用于穿过经图案化的掩模中的间隙蚀刻晶圆或衬底，以单片化多个集成电路。在一个此类实施例中，一个或多个等离子体蚀刻腔室1208经设置以执行深硅蚀刻工艺。在一特定实施例中，一个或多个等离子体蚀刻腔室1208为AppliedSilviaTMEtch系统，所述系统可购自应用材料公司(美国加尼福尼亚州桑尼维尔市)。可将所述蚀刻腔室特定设计用于深硅蚀刻，所述深硅蚀刻用于产生安放于单晶硅衬底或晶圆上或单晶硅衬底或晶圆中的单片化的集成电路。在一实施例中，等离子体蚀刻腔室1208中包括高密度等离子体源，以促进高的硅蚀刻速度。在一实施例中，工艺工具1200的群集工具1206部分中包括超过一个的蚀刻腔室，以使单片化或切割工艺的高制造产量得以实现。
工厂接口1202可为合适的大气端口，所述大气端口作为带有激光划线设备1210的外部制造设施与群集工具1206之间的接口。工厂接口1202可包括具有臂或叶片的机器人，所述机器人用于将晶圆(或晶圆的载体)从储存单元(诸如前开口式晶圆盒)传送至群集工具1206或激光划线设备1210或所述两者中。
群集工具1206可包括适合于执行单片化方法中的功能的其他腔室。举例而言，在一个实施例中，群集工具1206包括沉积腔室1212，以代替额外的蚀刻腔室。沉积腔室1212可经设置以用于在晶圆或衬底的激光划线之前在晶圆或衬底的器件层上或上方沉积掩模。在一个此类实施例中，沉积腔室1212适合于沉积光阻层。在另一实施例中，群集工具1206包括湿润/干燥站1214，以代替额外的蚀刻腔室。所述湿润/干燥站可适合于清洁残渣及碎片，或用于在衬底或晶圆的激光划线及等离子体蚀刻单片化工艺之后移除掩模。在一实施例中，群集工具1206亦包括作为工艺工具1200的部件的测量站。
本发明的实施例可提供为计算机程序产品或软体，所述计算机程序产品或软体可包括机器可读取介质，所述机器可读取介质上储存有指令，所述指令可用于对计算机系统(或其他电子元件)编程以执行根据本发明的实施例的工艺。在一个实施例中，所述计算机系统与结合图12描述的工艺工具1200耦合。机器可读取介质包括用于储存或传送由机器(例如计算机)读取的形式的信息的任何机构。举例而言，机器可读取(例如计算机可读取)介质包括机器(例如计算机)可读取储存介质(例如只读存储器(readonlymemory；ROM)、随机存取存储器(randomaccessmemory；RAM)、磁碟储存介质、光学储存介质、快闪存储器器件等等)、机器(例如计算机)可读取传输介质(电气、光学、声学或其他传播信号形式(例如红外信号、数字信号等等))，等等。
图13图示以计算机系统1300为示例性形式的机器的图形表示，在计算机系统1300内可执行一组指令，所述指令用于使机器执行本文所述方法中的任何一个或多者。在替代实施例中，所述机器可在局域网(LocalAreaNetwork；LAN)、企业内部网、企业外部网或因特网中连接(例如网路连接)至其他机器。所述机器在客户端-服务器网络环境中可作为服务器或客户端机器工作，或在对等(或分散式)网络环境中作为对等机器工作。所述机器可为个人计算机(personalcomputer；PC)、平板PC、机顶盒(set-topbox；STB)、个人数字助理(PersonalDigitalAssistant；PDA)、蜂窝式电话、web设备、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够执行指定所述机器将要采取的动作(顺序或其他方式)的一组指令的任何机器。此外，尽管仅图示单个机器，但术语“机器”亦应被视为包括个体或共同执行一组(或多组)指令以执行本文所述方法中的任何一个或多者的机器(例如计算机)的任何集合。
示例性计算机系统1300包括处理器1302、主存储器1304(例如只读存储器(ROM)、快闪存储器、诸如同步DRAM(SDRAM)或RambusDRAM(RDRAM)之类的动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory；DRAM)等等)、静态存储器1306(例如快闪存储器、静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory；SRAM)等等)及辅助存储器1318(例如数据储存器件)，所述设备经由总线1330彼此通讯。
处理器1302表示一个或多个通用处理器件，诸如微处理器、中央处理单元等等。更特定言之，处理器1302可为复杂指令集计算(complexinstructionsetcomputing；CISC)微处理器、精简指令集计算(reducedinstructionsetcomputing；RISC)微处理器、超长指令字集(verylonginstructionword；VLIW)微处理器、实施其他指令集的处理器或实施指令集组合的处理器。处理器1302亦可为一个或多个专用处理元件，诸如专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit；ASIC)、现场可编程门阵列(fieldprogrammablegatearray；FPGA)、数字信号处理器(digitalsignalprocessor；DSP)、网络处理器等等。处理器1302经设置以执行用于执行本文所述操作的处理逻辑1326。
计算机系统1300可进一步包括网络接口器件1308。计算机系统1300亦可包括视频显示单元1310(例如液晶显示器(liquidcrystaldisplay；LCD)、发光二极管(LED)显示器或阴极射线管(cathoderaytube；CRT))、字母数字输入设备1312(例如键盘)、光标控制设备1314(例如鼠标)及信号产生设备1316(例如扬声器)。
辅助存储器1318可包括机器可存取储存介质(或更具体而言，计算机可读取储存介质)1331，实施本文所述方法或功能中的任何一个或多者的一或多组指令(例如软件1322)储存在机器可存取储存介质1331上。在计算机系统1300执行软件1322期间，软件1322亦可完全或至少部分地常驻于主存储器1304内部及/或处理器1302内部，主存储器1304及处理器1302亦构成机器可读取储存介质。可进一步经由网络接口器件1308在网络1320上发送或接收软件1322。
尽管在示例性实施例中将机器可存取储存介质1331图示为单个介质，但术语“机器可读取储存介质”应被视为包括储存一组或多组指令的单个介质或多个介质(例如集中式或分布式数据库，和/或相关联的高速缓存及服务器)。术语“机器可读取储存介质”亦应被视为包括能够储存或编码由机器执行且使机器执行本发明的方法中任何一个或多者的一组指令的任何介质。因此，术语“机器可读取储存介质”应被视为包括(但不限于)固态存储器以及光学及磁性介质。
根据本发明的实施例，机器可存取储存介质具有储存在机器可存取储存介质上的指令，所述指令使数据处理系统执行切割具有多个集成电路的半导体晶圆的方法。所述方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模由覆盖且保护集成电路的一层组成。然后用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化，以提供具有间隙的经图案化的掩模。在集成电路之间曝露所述半导体晶圆的区域。然后穿过经图案化的掩模中的间隙蚀刻半导体晶圆，以单片化集成电路。
因此，本文揭示了切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。根据本发明的一实施例，切割具有多个集成电路的半导体晶圆的方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上形成掩模，所述掩模由覆盖且保护所述集成电路的一层组成。所述方法亦包括以下步骤：用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化，以提供具有间隙的经图案化的掩模，从而曝露所述集成电路之间的半导体晶圆的区域。所述方法亦包括以下步骤：穿过经图案化的掩模中的间隙蚀刻所述半导体晶圆，以单片化集成电路。在一个实施例中，用基于飞秒的激光划线工艺将所述掩模图案化包括：在所述集成电路之间的半导体晶圆的区域中形成沟道。在所述实施例中，蚀刻半导体晶圆包括：蚀刻由激光划线工艺形成的沟道。

Claims (15)

1.一种用于切割包括多个集成电路的半导体晶圆的系统，所述系统包括：
工厂接口；
激光划线设备，所述激光划线设备与所述工厂接口耦合；以及
群集工具，所述群集工具与所述工厂接口耦合，所述群集工具包括等离子体蚀刻腔室，其中，所述激光划线设备不被包括在所述群集工具中。
2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述激光划线设备配置成执行在半导体晶圆的多个集成电路之间的多个切割道的激光切除，且其中所述等离子体蚀刻腔室配置成在所述激光切除之后蚀刻所述半导体晶圆，以单片化所述集成电路。
3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述群集工具进一步包括：
沉积腔室，所述沉积腔室配置成在所述半导体晶圆的所述集成电路上形成掩模层。
4.如权利要求2所述的系统，其特征在于，所述群集工具进一步包括：
湿润/干燥站，所述湿润/干燥站配置成在所述激光切除或所述蚀刻之后清洁所述半导体晶圆。
5.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述基于飞秒的激光具有约小于或等于530纳米的波长，且所述基于飞秒的激光具有约小于或等于400飞秒的激光脉冲宽度。
6.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述等离子体蚀刻腔室配置成生成高密度等离子体。
7.如权利要求3所述的系统，其特征在于，所述沉积腔室配置成沉积聚合物层。
8.如权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括测量站。
9.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述系统的整体覆盖面积为约3500mm×3800mm。
10.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述激光划线设备包括基于飞秒的激光。
11.一种用于切割包括多个集成电路的半导体晶圆的系统，所述系统包括：
工厂接口；
激光划线设备，所述激光划线设备与所述工厂接口耦合，且所述激光划线设备包括基于飞秒的激光，其中，所述激光划线设备配置成执行在半导体晶圆的多个集成电路之间的多个切割道的激光切除；
群集工具，所述群集工具与所述工厂接口耦合，所述群集工具包括：
等离子体蚀刻腔室，所述等离子体蚀刻腔室配置成在所述激光切除之后蚀刻所述半导体晶圆，以单片化所述集成电路；
沉积腔室，所述沉积腔室配置成在所述半导体晶圆的所述集成电路上形成掩模层；
湿润/干燥站，所述湿润/干燥站配置成在所述激光切除或所述蚀刻之后清洁所述半导体晶圆，其中，所述激光划线设备不被包括在所述群集工具中；
其中，所述系统的整体覆盖面积为约3500mm×3800mm。
12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述基于飞秒的激光具有约小于或等于530纳米的波长，且所述基于飞秒的激光具有约小于或等于400飞秒的激光脉冲宽度。
13.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述等离子体蚀刻腔室配置成生成高密度等离子体。
14.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述沉积腔室配置成沉积聚合物层。
15.如权利要求11所述的系统，其特征在于，进一步包括测量站。
CN201510982784.7A 2010-06-22 2011-06-20 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割 Active CN105428281B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US35746810P 2010-06-22 2010-06-22
US61/357,468 2010-06-22
US13/160,713 US8642448B2 (en) 2010-06-22 2011-06-15 Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US13/160,713 2011-06-15
CN201180021218.XA CN102986006B (zh) 2010-06-22 2011-06-20 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180021218.XA Division CN102986006B (zh) 2010-06-22 2011-06-20 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105428281A true CN105428281A (zh) 2016-03-23
CN105428281B CN105428281B (zh) 2019-05-28

Family

ID=45329043

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510982784.7A Active CN105428281B (zh) 2010-06-22 2011-06-20 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割
CN201180021218.XA Active CN102986006B (zh) 2010-06-22 2011-06-20 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180021218.XA Active CN102986006B (zh) 2010-06-22 2011-06-20 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割

Country Status (6)

Country Link
US (9) US8642448B2 (zh)
JP (4) JP5688453B2 (zh)
KR (7) KR102392411B1 (zh)
CN (2) CN105428281B (zh)
TW (3) TWI488229B (zh)
WO (1) WO2011163149A2 (zh)

Families Citing this family (149)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8642448B2 (en) 2010-06-22 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US8802545B2 (en) 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
US8557683B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US9129904B2 (en) 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using pulse train laser with multiple-pulse bursts and plasma etch
US9029242B2 (en) 2011-06-15 2015-05-12 Applied Materials, Inc. Damage isolation by shaped beam delivery in laser scribing process
US8598016B2 (en) 2011-06-15 2013-12-03 Applied Materials, Inc. In-situ deposited mask layer for device singulation by laser scribing and plasma etch
US9126285B2 (en) * 2011-06-15 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using physically-removable mask
US8759197B2 (en) 2011-06-15 2014-06-24 Applied Materials, Inc. Multi-step and asymmetrically shaped laser beam scribing
US8557682B2 (en) 2011-06-15 2013-10-15 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US8703581B2 (en) 2011-06-15 2014-04-22 Applied Materials, Inc. Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch
US8951819B2 (en) 2011-07-11 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid split-beam laser scribing process with plasma etch
US8785296B2 (en) * 2012-02-14 2014-07-22 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Packaging method with backside wafer dicing
EP2780932A4 (en) * 2011-11-16 2015-04-29 Applied Materials Inc SYSTEMS, APPARATUS AND METHODS OF LASER WRITING
US8652940B2 (en) * 2012-04-10 2014-02-18 Applied Materials, Inc. Wafer dicing used hybrid multi-step laser scribing process with plasma etch
US8946057B2 (en) * 2012-04-24 2015-02-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing using UV-curable adhesive film
US20130344684A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-26 Stuart Bowden Methods and systems for using subsurface laser engraving (ssle) to create one or more wafers from a material
US8969177B2 (en) * 2012-06-29 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided UV-curable adhesive film
US9048309B2 (en) * 2012-07-10 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Uniform masking for wafer dicing using laser and plasma etch
US8940619B2 (en) 2012-07-13 2015-01-27 Applied Materials, Inc. Method of diced wafer transportation
US8845854B2 (en) * 2012-07-13 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing
US8993414B2 (en) * 2012-07-13 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Laser scribing and plasma etch for high die break strength and clean sidewall
US8859397B2 (en) 2012-07-13 2014-10-14 Applied Materials, Inc. Method of coating water soluble mask for laser scribing and plasma etch
US20140057414A1 (en) * 2012-08-27 2014-02-27 Aparna Iyer Mask residue removal for substrate dicing by laser and plasma etch
US9159574B2 (en) 2012-08-27 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Method of silicon etch for trench sidewall smoothing
US9252057B2 (en) * 2012-10-17 2016-02-02 Applied Materials, Inc. Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of UV release dicing tape for film frame wafer application
US9040349B2 (en) 2012-11-15 2015-05-26 Amkor Technology, Inc. Method and system for a semiconductor device package with a die to interposer wafer first bond
US9136159B2 (en) 2012-11-15 2015-09-15 Amkor Technology, Inc. Method and system for a semiconductor for device package with a die-to-packaging substrate first bond
US10714378B2 (en) 2012-11-15 2020-07-14 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device package and manufacturing method thereof
KR20150106877A (ko) * 2012-11-15 2015-09-22 앰코 테크놀로지 인코포레이티드 다이 대 다이 일차 본드를 구비한 반도체 패키지
JP6166034B2 (ja) * 2012-11-22 2017-07-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20140162407A1 (en) * 2012-12-10 2014-06-12 Curtis Michael Zwenger Method And System For Semiconductor Packaging
US8975162B2 (en) 2012-12-20 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside
US9236305B2 (en) 2013-01-25 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications
US8980726B2 (en) 2013-01-25 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate dicing by laser ablation and plasma etch damage removal for ultra-thin wafers
US9620379B2 (en) 2013-03-14 2017-04-11 Applied Materials, Inc. Multi-layer mask including non-photodefinable laser energy absorbing layer for substrate dicing by laser and plasma etch
ES2959429T3 (es) 2013-04-04 2024-02-26 Lpkf Laser & Electronics Se Procedimiento para la separación de un sustrato
US8883614B1 (en) 2013-05-22 2014-11-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach
US20150011073A1 (en) * 2013-07-02 2015-01-08 Wei-Sheng Lei Laser scribing and plasma etch for high die break strength and smooth sidewall
US20150037915A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Wei-Sheng Lei Method and system for laser focus plane determination in a laser scribing process
US9105710B2 (en) 2013-08-30 2015-08-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing method for improving die packaging quality
US9224650B2 (en) * 2013-09-19 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Wafer dicing from wafer backside and front side
US20150079760A1 (en) * 2013-09-19 2015-03-19 Wei-Sheng Lei Alternating masking and laser scribing approach for wafer dicing using laser scribing and plasma etch
US9460966B2 (en) 2013-10-10 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dicing wafers having thick passivation polymer layer
US9041198B2 (en) * 2013-10-22 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Maskless hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing process
US20150147850A1 (en) * 2013-11-25 2015-05-28 Infineon Technologies Ag Methods for processing a semiconductor workpiece
US9312177B2 (en) 2013-12-06 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Screen print mask for laser scribe and plasma etch wafer dicing process
US9299614B2 (en) 2013-12-10 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method and carrier for dicing a wafer
US9293304B2 (en) 2013-12-17 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Plasma thermal shield for heat dissipation in plasma chamber
US9018079B1 (en) 2014-01-29 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate reactive post mask-opening clean
US8927393B1 (en) 2014-01-29 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film vacuum lamination for laser and plasma dicing
US9299611B2 (en) 2014-01-29 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Method of wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance
US9012305B1 (en) 2014-01-29 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate non-reactive post mask-opening clean
US8991329B1 (en) 2014-01-31 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Wafer coating
US9610543B2 (en) 2014-01-31 2017-04-04 Infineon Technologies Ag Method for simultaneous structuring and chip singulation
US9236284B2 (en) 2014-01-31 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Cooled tape frame lift and low contact shadow ring for plasma heat isolation
JP6325279B2 (ja) * 2014-02-21 2018-05-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20150243559A1 (en) * 2014-02-27 2015-08-27 Jungrae Park Hybrid wafer dicing approach using temporally-controlled laser scribing process and plasma etch
US20150255349A1 (en) 2014-03-07 2015-09-10 JAMES Matthew HOLDEN Approaches for cleaning a wafer during hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing processes
US9130030B1 (en) 2014-03-07 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Baking tool for improved wafer coating process
US9275902B2 (en) 2014-03-26 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Dicing processes for thin wafers with bumps on wafer backside
US20150287638A1 (en) * 2014-04-04 2015-10-08 Jungrae Park Hybrid wafer dicing approach using collimated laser scribing process and plasma etch
US9076860B1 (en) * 2014-04-04 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Residue removal from singulated die sidewall
US8975163B1 (en) 2014-04-10 2015-03-10 Applied Materials, Inc. Laser-dominated laser scribing and plasma etch hybrid wafer dicing
US8932939B1 (en) 2014-04-14 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Water soluble mask formation by dry film lamination
US8912078B1 (en) 2014-04-16 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Dicing wafers having solder bumps on wafer backside
US8999816B1 (en) * 2014-04-18 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Pre-patterned dry laminate mask for wafer dicing processes
US8912075B1 (en) 2014-04-29 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Wafer edge warp supression for thin wafer supported by tape frame
US9159621B1 (en) 2014-04-29 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Dicing tape protection for wafer dicing using laser scribe process
US8980727B1 (en) 2014-05-07 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Substrate patterning using hybrid laser scribing and plasma etching processing schemes
US9112050B1 (en) 2014-05-13 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Dicing tape thermal management by wafer frame support ring cooling during plasma dicing
WO2015175268A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an ultra-short pulsed laguerre gauss beam laser scribing process and plasma etch process
US9034771B1 (en) 2014-05-23 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Cooling pedestal for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9142459B1 (en) 2014-06-30 2015-09-22 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask application by vacuum lamination
US9093518B1 (en) * 2014-06-30 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Singulation of wafers having wafer-level underfill
US9165832B1 (en) * 2014-06-30 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of die singulation using laser ablation and induction of internal defects with a laser
US9130057B1 (en) 2014-06-30 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Hybrid dicing process using a blade and laser
US9349648B2 (en) * 2014-07-22 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rectangular shaped two-dimensional top hat laser beam profile or a linear shaped one-dimensional top hat laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
JP6282194B2 (ja) * 2014-07-30 2018-02-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US9117868B1 (en) 2014-08-12 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck for dicing tape thermal management during plasma dicing
US9196498B1 (en) 2014-08-12 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Stationary actively-cooled shadow ring for heat dissipation in plasma chamber
US9281244B1 (en) 2014-09-18 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an adaptive optics-controlled laser scribing process and plasma etch process
US11195756B2 (en) 2014-09-19 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Proximity contact cover ring for plasma dicing
US9177861B1 (en) * 2014-09-19 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using laser scribing process based on an elliptical laser beam profile or a spatio-temporal controlled laser beam profile
US9196536B1 (en) 2014-09-25 2015-11-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a phase modulated laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
US9130056B1 (en) 2014-10-03 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Bi-layer wafer-level underfill mask for wafer dicing and approaches for performing wafer dicing
US9245803B1 (en) 2014-10-17 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a bessel beam shaper laser scribing process and plasma etch process
US10692765B2 (en) * 2014-11-07 2020-06-23 Applied Materials, Inc. Transfer arm for film frame substrate handling during plasma singulation of wafers
US9554469B2 (en) * 2014-12-05 2017-01-24 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Method of fabricating a polymer frame with a rectangular array of cavities
CN104439720B (zh) * 2014-12-25 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 激光切割方法、显示基板、显示装置
US20160184926A1 (en) * 2014-12-30 2016-06-30 Suss Microtec Photonic Systems Inc. Laser ablation system including variable energy beam to minimize etch-stop material damage
US9330977B1 (en) 2015-01-05 2016-05-03 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a galvo scanner and linear stage hybrid motion laser scribing process and plasma etch process
US9159624B1 (en) 2015-01-05 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Vacuum lamination of polymeric dry films for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
US9355907B1 (en) 2015-01-05 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a line shaped laser beam profile laser scribing process and plasma etch process
JP6738591B2 (ja) * 2015-03-13 2020-08-12 古河電気工業株式会社 半導体ウェハの処理方法、半導体チップおよび表面保護テープ
KR20160126175A (ko) * 2015-04-22 2016-11-02 삼성디스플레이 주식회사 기판 절단 방법 및 표시 장치 제조 방법
US9601375B2 (en) 2015-04-27 2017-03-21 Applied Materials, Inc. UV-cure pre-treatment of carrier film for wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach
US9721839B2 (en) 2015-06-12 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch
US9478455B1 (en) 2015-06-12 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Thermal pyrolytic graphite shadow ring assembly for heat dissipation in plasma chamber
CN113675131A (zh) * 2015-11-09 2021-11-19 古河电气工业株式会社 半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带
WO2017136672A1 (en) * 2016-02-05 2017-08-10 Applied Materials, Inc. Porous silicon structures and laser machining methods for semiconductor wafer processing
DE102016103324A1 (de) 2016-02-25 2017-08-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Videowand-Modul und Verfahren zum Herstellen eines Videowand-Moduls
US9972575B2 (en) 2016-03-03 2018-05-15 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process
JP2017163069A (ja) * 2016-03-11 2017-09-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP6604476B2 (ja) 2016-03-11 2019-11-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP6524535B2 (ja) 2016-03-11 2019-06-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップおよびその製造方法
US9852997B2 (en) * 2016-03-25 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process
CN105785678B (zh) * 2016-05-12 2019-04-30 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的断线修复方法
US9793132B1 (en) 2016-05-13 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
DE102016109693B4 (de) * 2016-05-25 2022-10-27 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Trennen von Halbleiterdies von einem Halbleitersubstrat und Halbleitersubstratanordnung
KR102633112B1 (ko) 2016-08-05 2024-02-06 삼성전자주식회사 반도체 소자
JP2018056178A (ja) * 2016-09-26 2018-04-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
WO2018067850A1 (en) 2016-10-05 2018-04-12 Mox Networks, LLC Rfid-based rack inventory management systems
JP6512454B2 (ja) * 2016-12-06 2019-05-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP6724775B2 (ja) * 2016-12-28 2020-07-15 凸版印刷株式会社 配線基板の個片化方法及びパッケージ用基板
EP3592501B1 (de) * 2017-03-06 2021-10-06 LPKF Laser & Electronics AG Verfahren zur herstellung einer technischen maske
US11158540B2 (en) 2017-05-26 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Light-absorbing mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US10363629B2 (en) 2017-06-01 2019-07-30 Applied Materials, Inc. Mitigation of particle contamination for wafer dicing processes
CN109003898A (zh) * 2017-06-07 2018-12-14 郑州光力瑞弘电子科技有限公司 一种在薄片（包括晶圆）上实现图形转移的新工艺
KR102307233B1 (ko) * 2017-08-01 2021-09-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 산화물 후처리를 위한 방법들
JP6998545B2 (ja) * 2017-12-25 2022-01-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
JP7066263B2 (ja) * 2018-01-23 2022-05-13 株式会社ディスコ 加工方法、エッチング装置、及びレーザ加工装置
JP2019140225A (ja) 2018-02-09 2019-08-22 株式会社東芝 エッチング方法、半導体チップの製造方法及び物品の製造方法
US10535561B2 (en) * 2018-03-12 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a multiple pass laser scribing process and plasma etch process
JP7170261B2 (ja) * 2018-08-24 2022-11-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
US11355394B2 (en) 2018-09-13 2022-06-07 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment
CN109352184B (zh) * 2018-10-23 2021-02-09 深圳赛意法微电子有限公司 硅基晶圆的分束激光切割方法
US11437250B2 (en) 2018-11-15 2022-09-06 Tokyo Electron Limited Processing system and platform for wet atomic layer etching using self-limiting and solubility-limited reactions
US11664276B2 (en) * 2018-11-30 2023-05-30 Texas Instruments Incorporated Front side laser-based wafer dicing
CN109894725B (zh) * 2018-11-30 2021-11-02 全讯射频科技(无锡)有限公司 一种等离子切割实现超窄切割道的工艺
CN109746796A (zh) * 2019-01-10 2019-05-14 湘潭大学 一种用于SiC晶圆的划片装置及方法
JP2020194918A (ja) 2019-05-29 2020-12-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
US11011424B2 (en) 2019-08-06 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US11342226B2 (en) 2019-08-13 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using an actively-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process
US10903121B1 (en) 2019-08-14 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process
US20210107094A1 (en) * 2019-10-14 2021-04-15 Haesung Ds Co., Ltd. Apparatus for and method of polishing surface of substrate
KR20210049250A (ko) * 2019-10-24 2021-05-06 삼성디스플레이 주식회사 기판 가공 장치 및 기판 가공 방법
US11600492B2 (en) 2019-12-10 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with reduced current leakage for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process
US11211247B2 (en) 2020-01-30 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Water soluble organic-inorganic hybrid mask formulations and their applications
JP7443097B2 (ja) * 2020-03-09 2024-03-05 キオクシア株式会社 半導体ウェハおよび半導体チップ
EP4140042A4 (en) * 2020-04-23 2024-04-24 Akash Systems Inc HIGH-EFFICIENCY STRUCTURES FOR ENHANCED WIRELESS COMMUNICATIONS
WO2022020480A1 (en) * 2020-07-22 2022-01-27 Elemental Scientific, Inc. Abrasive sampling system and method for representative homogeneous, and planarized preparation of solid samples for laser ablation
CN112234017B (zh) * 2020-10-19 2023-07-14 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺
DE102020213776A1 (de) 2020-11-03 2022-05-05 Q.ant GmbH Verfahren zum Spalten eines Kristalls
US11915941B2 (en) 2021-02-11 2024-02-27 Tokyo Electron Limited Dynamically adjusted purge timing in wet atomic layer etching
US11784050B2 (en) 2021-04-27 2023-10-10 Micron Technology, Inc. Method of fabricating microelectronic devices and related microelectronic devices, tools, and apparatus
CN113809066B (zh) * 2021-09-16 2023-10-24 长江存储科技有限责任公司 晶圆、晶圆结构以及晶圆的制造方法
US11802342B2 (en) 2021-10-19 2023-10-31 Tokyo Electron Limited Methods for wet atomic layer etching of ruthenium
US11866831B2 (en) 2021-11-09 2024-01-09 Tokyo Electron Limited Methods for wet atomic layer etching of copper
CN116613060A (zh) * 2023-07-04 2023-08-18 江苏长晶科技股份有限公司 一种晶圆切割方法及半导体器件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1620713A (zh) * 2001-10-01 2005-05-25 埃克赛尔技术有限公司 加工衬底,特别是半导体晶片
US20050274702A1 (en) * 2004-06-15 2005-12-15 Laserfacturing Inc. Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser
CN101542714A (zh) * 2007-02-08 2009-09-23 松下电器产业株式会社 半导体芯片制造方法
CN101604659A (zh) * 2008-06-13 2009-12-16 株式会社迪思科 光器件晶片的分割方法

Family Cites Families (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4049944A (en) 1973-02-28 1977-09-20 Hughes Aircraft Company Process for fabricating small geometry semiconductive devices including integrated components
US4339528A (en) 1981-05-19 1982-07-13 Rca Corporation Etching method using a hardened PVA stencil
US4684437A (en) 1985-10-31 1987-08-04 International Business Machines Corporation Selective metal etching in metal/polymer structures
JPH0416085A (ja) 1990-05-10 1992-01-21 Tokyo Gas Co Ltd 画像記録再生装置
KR100215338B1 (ko) * 1991-03-06 1999-08-16 가나이 쓰도무 반도체 장치의 제조방법
DE4128823C2 (de) 1991-08-30 2000-06-29 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen des Speichervermögens eines Katalysators
SE500852C2 (sv) 1992-01-29 1994-09-19 Mataki Ab Sätt och anordning för läckagetest av med tätskikt klädda yttertak eller bjälklag
EP0609809B8 (en) 1993-02-01 2001-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US5593606A (en) 1994-07-18 1997-01-14 Electro Scientific Industries, Inc. Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets
JPH09216085A (ja) 1996-02-07 1997-08-19 Canon Inc 基板の切断方法及び切断装置
EP1357584A3 (en) 1996-08-01 2005-01-12 Surface Technology Systems Plc Method of surface treatment of semiconductor substrates
US6426484B1 (en) 1996-09-10 2002-07-30 Micron Technology, Inc. Circuit and method for heating an adhesive to package or rework a semiconductor die
JPH10144757A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システム
US5920973A (en) 1997-03-09 1999-07-13 Electro Scientific Industries, Inc. Hole forming system with multiple spindles per station
JP3230572B2 (ja) 1997-05-19 2001-11-19 日亜化学工業株式会社 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子
US6312525B1 (en) * 1997-07-11 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Modular architecture for semiconductor wafer fabrication equipment
US6057180A (en) 1998-06-05 2000-05-02 Electro Scientific Industries, Inc. Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output
JP2001044144A (ja) 1999-08-03 2001-02-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体チップの製造プロセス
JP3348700B2 (ja) * 1999-08-19 2002-11-20 株式会社東京精密 エッチング装置
JP2001110811A (ja) 1999-10-08 2001-04-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP4387007B2 (ja) 1999-10-26 2009-12-16 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの分割方法
JP2001144126A (ja) 1999-11-12 2001-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2001148358A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハ及び該半導体ウェーハの分割方法
US6300593B1 (en) 1999-12-07 2001-10-09 First Solar, Llc Apparatus and method for laser scribing a coated substrate
US6887804B2 (en) 2000-01-10 2005-05-03 Electro Scientific Industries, Inc. Passivation processing over a memory link
JP5123456B2 (ja) 2000-01-10 2013-01-23 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 導電性リンクのレーザ切断方法およびレーザシステム
TW504425B (en) 2000-03-30 2002-10-01 Electro Scient Ind Inc Laser system and method for single pass micromachining of multilayer workpieces
AU2001271982A1 (en) 2000-07-12 2002-01-21 Electro Scientific Industries, Inc. Uv laser system and method for single pulse severing of ic fuses
US6676878B2 (en) 2001-01-31 2004-01-13 Electro Scientific Industries, Inc. Laser segmented cutting
US6759275B1 (en) 2001-09-04 2004-07-06 Megic Corporation Method for making high-performance RF integrated circuits
US6642127B2 (en) 2001-10-19 2003-11-04 Applied Materials, Inc. Method for dicing a semiconductor wafer
JP3910843B2 (ja) 2001-12-13 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置
US6706998B2 (en) 2002-01-11 2004-03-16 Electro Scientific Industries, Inc. Simulated laser spot enlargement
CN1515025A (zh) 2002-02-25 2004-07-21 ������������ʽ���� 半导体片的分割方法
KR100451950B1 (ko) 2002-02-25 2004-10-08 삼성전자주식회사 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법
JP2003257896A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割方法
WO2003090258A2 (en) 2002-04-19 2003-10-30 Xsil Technology Limited Laser machining
MY135361A (en) * 2002-04-26 2008-03-31 Electro Scient Ind Inc Machining substrates, particularly semiconductor wafers
JP2004031526A (ja) 2002-06-24 2004-01-29 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
JP3908610B2 (ja) 2002-06-25 2007-04-25 大日本印刷株式会社 多層配線基板の製造方法
US6582983B1 (en) 2002-07-12 2003-06-24 Keteca Singapore Singapore Method and wafer for maintaining ultra clean bonding pads on a wafer
JP4286497B2 (ja) 2002-07-17 2009-07-01 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3908148B2 (ja) 2002-10-28 2007-04-25 シャープ株式会社 積層型半導体装置
US20050023260A1 (en) 2003-01-10 2005-02-03 Shinya Takyu Semiconductor wafer dividing apparatus and semiconductor device manufacturing method
US20040157457A1 (en) 2003-02-12 2004-08-12 Songlin Xu Methods of using polymer films to form micro-structures
JP2004273895A (ja) 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
US7087452B2 (en) 2003-04-22 2006-08-08 Intel Corporation Edge arrangements for integrated circuit chips
JP2004322168A (ja) 2003-04-25 2004-11-18 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP4231349B2 (ja) 2003-07-02 2009-02-25 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP3842769B2 (ja) * 2003-09-01 2006-11-08 株式会社東芝 レーザ加工装置、レーザ加工方法、及び半導体装置の製造方法
JP4408361B2 (ja) 2003-09-26 2010-02-03 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
US7128806B2 (en) 2003-10-21 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Mask etch processing apparatus
JP4302491B2 (ja) * 2003-11-14 2009-07-29 株式会社アルバック 枚葉式真空処理装置
JP4471632B2 (ja) 2003-11-18 2010-06-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2005203541A (ja) 2004-01-15 2005-07-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
US7358192B2 (en) 2004-04-08 2008-04-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for in-situ film stack processing
US7459377B2 (en) 2004-06-08 2008-12-02 Panasonic Corporation Method for dividing substrate
US7687740B2 (en) 2004-06-18 2010-03-30 Electro Scientific Industries, Inc. Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows
US7507638B2 (en) 2004-06-30 2009-03-24 Freescale Semiconductor, Inc. Ultra-thin die and method of fabricating same
JP4018088B2 (ja) 2004-08-02 2007-12-05 松下電器産業株式会社 半導体ウェハの分割方法及び半導体素子の製造方法
US7199050B2 (en) 2004-08-24 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Pass through via technology for use during the manufacture of a semiconductor device
JP4018096B2 (ja) 2004-10-05 2007-12-05 松下電器産業株式会社 半導体ウェハの分割方法、及び半導体素子の製造方法
US20060088984A1 (en) 2004-10-21 2006-04-27 Intel Corporation Laser ablation method
US20060086898A1 (en) 2004-10-26 2006-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus of making highly repetitive micro-pattern using laser writer
US7422962B2 (en) * 2004-10-27 2008-09-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of singulating electronic devices
KR101074389B1 (ko) * 2004-11-05 2011-10-17 엘지디스플레이 주식회사 박막 식각 방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
WO2006055984A2 (en) 2004-11-22 2006-05-26 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus using a batch processing chamber
US20060146910A1 (en) 2004-11-23 2006-07-06 Manoochehr Koochesfahani Method and apparatus for simultaneous velocity and temperature measurements in fluid flow
JP4288229B2 (ja) 2004-12-24 2009-07-01 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
US7875898B2 (en) 2005-01-24 2011-01-25 Panasonic Corporation Semiconductor device
JP2006253402A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
US7361990B2 (en) 2005-03-17 2008-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reducing cracking of high-lead or lead-free bumps by matching sizes of contact pads and bump pads
JP4478053B2 (ja) 2005-03-29 2010-06-09 株式会社ディスコ 半導体ウエーハ処理方法
JP2006310349A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造システム及び製造方法
JP4285455B2 (ja) 2005-07-11 2009-06-24 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4599243B2 (ja) 2005-07-12 2010-12-15 株式会社ディスコ レーザー加工装置
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US20070079866A1 (en) 2005-10-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. System and method for making an improved thin film solar cell interconnect
TWI381485B (zh) * 2005-11-10 2013-01-01 Renesas Electronics Corp Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
JP4769560B2 (ja) 2005-12-06 2011-09-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
TWI331699B (en) 2006-03-17 2010-10-11 Univ Yuan Ze Photolithographic mask and apparatus and wafer photolithography method for the same
TWI284521B (en) 2006-03-23 2007-08-01 Actherm Inc Structure of electronic thermometer
JP2007276278A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Seiko Epson Corp 基板及びその分断方法、ならびに表示装置、電子機器
JP4372115B2 (ja) 2006-05-12 2009-11-25 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法、および半導体モジュールの製造方法
US8198566B2 (en) 2006-05-24 2012-06-12 Electro Scientific Industries, Inc. Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material
JP4480728B2 (ja) 2006-06-09 2010-06-16 パナソニック株式会社 Ｍｅｍｓマイクの製造方法
JP4544231B2 (ja) 2006-10-06 2010-09-15 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
US7892891B2 (en) * 2006-10-11 2011-02-22 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Die separation
JP5064985B2 (ja) * 2006-12-05 2012-10-31 古河電気工業株式会社 半導体ウェハの処理方法
ES2302638B1 (es) 2006-12-21 2009-06-04 Vicente Diaz Fuente Metodo mejorado de codificacion y decodificacion con al menos dos pares de secuencias ortogonales.
JP4840200B2 (ja) 2007-03-09 2011-12-21 パナソニック株式会社 半導体チップの製造方法
JP5137435B2 (ja) 2007-03-28 2013-02-06 古河電気工業株式会社 半導体ウェハのチップ化処理方法
WO2008126742A1 (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Cyber Laser Inc. レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法
US7926410B2 (en) 2007-05-01 2011-04-19 J.R. Automation Technologies, L.L.C. Hydraulic circuit for synchronized horizontal extension of cylinders
TWI379748B (en) * 2007-07-20 2012-12-21 Applied Materials Inc Dual-mode robot systems,substrate transfer apparatus and methods for electronic device manufacturing, and method of calibrating
JP4488037B2 (ja) * 2007-07-24 2010-06-23 パナソニック株式会社 半導体ウェハの処理方法
JP5205012B2 (ja) 2007-08-29 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び当該表示装置を具備する電子機器
JP4858395B2 (ja) 2007-10-12 2012-01-18 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置
US7829477B2 (en) * 2007-10-29 2010-11-09 E.I. Dupont De Nemours And Company Fluorinated water soluble copolymers
JP2009117718A (ja) * 2007-11-08 2009-05-28 Nitto Denko Corp ダイシング用粘着シート
US7859084B2 (en) 2008-02-28 2010-12-28 Panasonic Corporation Semiconductor substrate
TW201001527A (en) 2008-02-29 2010-01-01 Applied Materials Inc Method and apparatus for removing polymer from a substrate
WO2009117451A1 (en) 2008-03-21 2009-09-24 Imra America, Inc. Laser-based material processing methods and systems
JP2009231632A (ja) 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009260272A (ja) 2008-03-25 2009-11-05 Panasonic Corp 基板の加工方法および半導体チップの製造方法ならびに樹脂接着層付き半導体チップの製造方法
TW201006600A (en) 2008-04-10 2010-02-16 Applied Materials Inc Laser-scribing platform and hybrid writing strategy
US20100013036A1 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Carey James E Thin Sacrificial Masking Films for Protecting Semiconductors From Pulsed Laser Process
US8426250B2 (en) 2008-10-22 2013-04-23 Intel Corporation Laser-assisted chemical singulation of a wafer
US20100129984A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 George Vakanas Wafer singulation in high volume manufacturing
WO2010080983A2 (en) 2009-01-11 2010-07-15 Applied Materials, Inc. Robot systems, apparatus and methods for transporting substrates in electronic device manufacturing
WO2010082328A1 (ja) * 2009-01-15 2010-07-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2010165963A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハの処理方法
US8609512B2 (en) 2009-03-27 2013-12-17 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser singulation of chip scale packages on glass substrates
US8642448B2 (en) * 2010-06-22 2014-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch
US8802545B2 (en) 2011-03-14 2014-08-12 Plasma-Therm Llc Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer
US8912077B2 (en) 2011-06-15 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Hybrid laser and plasma etch wafer dicing using substrate carrier
JP2016207737A (ja) 2015-04-17 2016-12-08 株式会社ディスコ 分割方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1620713A (zh) * 2001-10-01 2005-05-25 埃克赛尔技术有限公司 加工衬底,特别是半导体晶片
US20050274702A1 (en) * 2004-06-15 2005-12-15 Laserfacturing Inc. Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser
CN101542714A (zh) * 2007-02-08 2009-09-23 松下电器产业株式会社 半导体芯片制造方法
CN101604659A (zh) * 2008-06-13 2009-12-16 株式会社迪思科 光器件晶片的分割方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140083065A (ko) 2014-07-03
JP2017208539A (ja) 2017-11-24
KR20190005260A (ko) 2019-01-15
TW201205658A (en) 2012-02-01
KR101511648B1 (ko) 2015-04-13
KR20130083381A (ko) 2013-07-22
TW201434084A (zh) 2014-09-01
KR102122940B1 (ko) 2020-06-15
KR20200069386A (ko) 2020-06-16
KR20190108183A (ko) 2019-09-23
US8642448B2 (en) 2014-02-04
KR102273854B1 (ko) 2021-07-06
JP2015109450A (ja) 2015-06-11
US20200286787A1 (en) 2020-09-10
WO2011163149A2 (en) 2011-12-29
KR102088754B1 (ko) 2020-03-13
JP6543461B2 (ja) 2019-07-10
US10910271B2 (en) 2021-02-02
US10163713B2 (en) 2018-12-25
TWI520204B (zh) 2016-02-01
TWI488229B (zh) 2015-06-11
US20160141210A1 (en) 2016-05-19
KR102392411B1 (ko) 2022-04-29
US10566238B2 (en) 2020-02-18
TWI547987B (zh) 2016-09-01
JP5688453B2 (ja) 2015-03-25
US20230207393A1 (en) 2023-06-29
US9245802B2 (en) 2016-01-26
US20200118880A1 (en) 2020-04-16
US20210134676A1 (en) 2021-05-06
US20140120697A1 (en) 2014-05-01
CN102986006A (zh) 2013-03-20
KR101940091B1 (ko) 2019-01-18
JP6642937B2 (ja) 2020-02-12
US20140367041A1 (en) 2014-12-18
TW201508833A (zh) 2015-03-01
JP2015057840A (ja) 2015-03-26
US20110312157A1 (en) 2011-12-22
KR20150005670A (ko) 2015-01-14
US20190088549A1 (en) 2019-03-21
WO2011163149A3 (en) 2012-04-12
CN105428281B (zh) 2019-05-28
KR101880973B1 (ko) 2018-07-23
US10714390B2 (en) 2020-07-14
US11621194B2 (en) 2023-04-04
JP2013535114A (ja) 2013-09-09
US8853056B2 (en) 2014-10-07
CN102986006B (zh) 2016-01-13
KR20210077803A (ko) 2021-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102986006B (zh) 使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割
CN103718287B (zh) 使用混合式分裂束激光划线处理及等离子体蚀刻的晶圆切割
TWI644350B (zh) 藉由雷射劃線及電漿蝕刻混合手段以寬切口進行晶圓分割
CN103650128B (zh) 使用可物理性移除的遮罩的激光及等离子体蚀刻晶片切割
CN104246986B (zh) 使用uv-可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆分割
US9209084B2 (en) Maskless hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing process
CN104412368A (zh) 运送切割晶圆的方法
CN103582943A (zh) 多步骤和非对称塑形的激光束划线
CN103650115A (zh) 使用可水溶管芯附接膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割
CN104395988A (zh) 用于使用激光及等离子体蚀刻的晶圆切割的均匀遮蔽
CN105814666A (zh) 用于划切晶片的方法与载具
TW201517152A (zh) 用於使用雷射刻劃及電漿蝕刻之晶圓切割的交替遮蔽及雷射刻劃方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant