TWI381485B - Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device - Google Patents

Description

半導體裝置之製造方法及半導體裝置

本發明係有關半導體裝置之製造方法及半導體技術，尤其有關半導體晶圓之切割技術。

近年來，伴隨著以行動電話或數位攝影機等為代表之行動機器，或以記憶卡等為代表之資訊記憶裝置的小型輕量化，係推進有組裝於此等之半導體晶片的薄型化。因此切割工程中，切斷薄的半導體晶圓可以得到一個個薄的半導體晶片，但是此切割工程中若使用刀片切割方式，因為半導體晶圓較薄而容易於半導體晶片產生碎屑，而有明顯降低較薄半導體晶片之抗折強度的問題。又從提高半導體裝置之動作速度的觀點來看，作為半導體晶片之配線層間絕緣膜，雖然有使用介電率比氧化矽更低之介電率膜(也就是Low-k膜)的產品，但是Low-k膜係較脆而容易剝落或是內部會有少許氣泡，以刀片切割方式有時會難以切斷。

因此，作為避免該等問題之嶄新切割方式，被考慮者有隱形切割(Stealth Dicing)方式。此隱形切割方式，係將雷射光照射於半導體晶圓內部來選擇性形成改質層，以該改質層作為分割起點來切斷半導體晶圓的切割方式。若依此方式，即使是厚度30μm之極薄半導體晶圓，也不會賦予物理性壓力而可直接切斷，故可減輕碎屑，而抑制半 導體晶片之抗折強度的減低。又無關於半導體晶圓厚度，可以有每秒300mm以上之高速切割，故可提高工程量。從而，半導體晶片之薄型化必須有隱形切割技術。

有關此種隱形切割技術，例如記載於日本特開2004-221286號公報(專利文件1)。此專利文件1之段落0022及第1圖，係揭示有在晶片間之區域中，於測試用焊墊之兩側端設置配線層的構造。此配線層並非用以進行電性結合者，而是為了使雷射光線之照射區域平均化，且使雷射光線容易被吸收的虛擬圖案。又，專利文件1之段落0023，針對半導體晶圓之分割，揭示有對形成有上述配線層之區域照射雷射光線，熔融半導體晶圓來切斷的方法。又，專利文件1之段落0024，針對半導體晶圓之分割，揭示有將雷射光線之焦點位置對準半導體晶圓內部，以多矩陣吸收來形成熔融處理區域後，以碎裂法或擴張法將半導體晶圓單片化的方法。

〔專利文件1〕日本特開2004-221286號公報(段落0022~0024及第1圖)

但是上述隱形切割方式中，本發明者發現了以下課題。

首先本發明者，檢討了隱形切割方式中分割半導體晶圓時使用擴張方式的情況。此擴張方式，係藉由將黏貼於 半導體晶圓之樹脂薄膜，從半導體晶圓中心向著外周方向拉長，來把半導體晶圓分割為一個個半導體晶片的方式。然而在切割區域中，雖然配置有例如以鋁所形成之測試用焊墊，但擴張方式之情況下，其測試用焊墊被拉長而切斷時，該切斷面部會有形成鬍鬚狀導體線的問題。

因此，本發明者係取代擴張方式而採用折彎方式。此折彎方式，係於對半導體晶圓之主面交叉的方向施加力量，將半導體晶圓折彎，來把半導體晶圓分割為一個個半導體晶片的方式。此方式之情況下，可減少上述鬍鬚狀導體線形成的問題。然而如第65圖所示，會產生檢查用焊墊不存在之絕緣層部分比檢查用焊墊在機械性上更脆弱，使得避開檢查用焊墊出現龜裂CRK而在絕緣層部分切斷的新問題；或是在切割區域之檢查用焊墊之間的絕緣層部分，切斷線會不穩定而蛇行的新問題。尤其對絕緣層使用上述脆弱且容易剝落之Low-k膜時，即使使用折彎方式，也會有在Low-k膜之分割部分產生形狀不良，無法漂亮切斷的問題。

又上述專利文件1之技術中，因為晶片間之切斷線上，形成有以比絕緣層強度更高之金屬所形成的配線層，故有無法順利切斷的問題。又為了容易吸收雷射光線，係在測試用焊墊之側端形成配線層，故必須將鄰接晶片之間隔加寬該份量，而有減少半導體晶圓面內可配置之半導體晶片數量的問題。

本發明之目的，係提供一種在使用隱形切割之半導體 晶圓的切斷處理中，可減低或防止切斷形狀不良的技術。

本發明中上述以及其他目的和新穎特徵，從本說明書之記載及附加圖示即可以了解。

本申請案所揭示之發明中，若要說明代表性之概要，則如以下所述。

亦即本發明，係具有在半導體晶圓之各個半導體晶片分離區域中，於檢查用焊墊之側端照射雷射，藉此在上述半導體晶圓內部之雷射照射位置形成作為分割起點之改質區域後，藉由折彎方式將上述半導體晶圓之各個半導體晶片單片化的工程者。

又本發明，係具有在半導體晶圓之各個半導體晶片分離區域中之檢查用焊墊照射雷射，藉此對上述檢查用焊墊，形成在上述半導體晶圓切斷工程中作為上述檢查用焊墊之分割起點之溝或孔的工程者。

又本發明，係具有在半導體晶圓之各個半導體晶片分離區域照射雷射，藉此在上述半導體晶圓內部之雷射照射位置形成作為分割起點之改質區域的工程；和去除上述半導體晶圓之檢查用焊墊的工程者。

本申請案所揭示之發明中，若要簡單說明代表性者所得到的效果，則如以下所述。

亦即在半導體晶圓之各個半導體晶片分離區域中，於檢查用焊墊之側端照射雷射，藉此在上述半導體晶圓內部之雷射照射位置形成作為分割起點之改質區域後，藉由折彎方式將上述半導體晶圓之各個半導體晶片單片化；藉此在使用隱形切割之半導體晶圓的切斷處理中，可減少或防止切斷形狀不良。

以下實施方式中在方便上，必要時雖分割為複數段或實施方式來說明，但ˋ除了特別提到之情況外，係並非互相無關者，一方面係與其他方面中一部分或全部的所有變形例、細節、補充說明等有關係。又以下實施方式中，提到要素之數字(包含個數、數值、量、區域等)，除了特別有說明以及從原理可明顯得知限定為特定數字的情況下，係並非限定於該特定數字，而可以是特定數字以上或以下。更且以下之實施方式中，其構成要素(包含要素步驟等)除了特別有說明以及從原理可明顯得知為必須的情況下，當然都不是必須的。同樣地，以下之實施方式中，提到構成要素等之形狀、位置關係等時，除了特別有說明以及從原理可明顯得知並非如此的情況下，係包含實質上近似或類似於該形狀者。這點對上述數值及區域來說也是相同。又，用以說明本實施方式之所有圖示中，係對具有相同功能者附加相同符號，盡可能省略其反覆說明。以下，依據圖示詳細說明本發明之實施方式。

(實施方式1)

沿著第1圖之流程圖，說明本實施方式1的半導體裝置之製造方法。

首先前工程100中，係準備沿著厚度方向具有互相為相反側之主面與背面的半導體晶圓(以下稱為晶圓)，於該晶圓之主面(裝置形成面)形成複數半導體晶片(以下稱為晶片)。此前工程100，也稱為晶圓製程或晶圓建構，係在晶圓主面形成晶片(積體電路(元件或配線))，在以探針等進行電性試驗之狀態前的工程。前工程中，係有成膜工程、雜質導入(擴散或離子佈植)工程、光微影工程、蝕刻工程、金屬處理(Metalize)工程、洗淨工程以及各工程間的檢查工程等。

第2圖係此前工程100後之晶圓1W之主面的整體俯視圖，第3圖係第2圖之X1-X1線的剖面圖，第4圖係第2圖之晶圓1W的主要部分放大俯視圖，第5圖係第4圖之區域R1的放大俯視圖，第7圖係表示第6圖之晶圓1W之剖面構造詳細範例之晶圓1W的主要部分剖面圖。另外，第2圖之符號N係代表凹口。

晶圓1W，係如第2圖及第3圖所示，例如由直徑300mm左右之平面略圓形的半導體薄板所構成，其主面例如以矩陣狀配列有平面長方形狀的複數晶片1C。

各晶片1C，係形成有例如快閃記憶體等的記憶體電路。又各晶片1C之長邊方向一端，係如第4圖及第5圖 所示，有複數接合焊墊(以下將接合焊墊稱為焊墊)1LB沿著晶片1C之長邊方向一端並排配置。焊墊1LB，係將形成於晶片1C之記憶體電路(積體電路)之電極，拉出到晶片1C外部的外部端子；透過配線，與記憶體電路形成用元件來電性連接。另外形成於晶片1C之積體電路除了記憶體電路之外，也有形成微處理器等邏輯電路的情況。

各晶片1C之外周，係配置有切斷區域(晶片分離區域)CR。此切斷區域CR中，係如第4圖及第5圖所示，配置有測試(TEG：Test Element Group測試元件群)用之焊墊1LBt或對準用靶Am。測試用焊墊1LBt例如形成為平面方形狀，其大小為例如50μm×50μm左右。此測試用焊墊1LBt，係將TEG用元件之電極拉出到晶片1C外部的外部端子；透過配線，與TEG用元件來電性連接。TEG用元件，係用在形成於晶片1C內之元件之電性特性之測試或試驗的元件。上述對準靶Am，係例如形成為平面十字狀，但是除了十字狀之外，也有形成為L字狀或點狀者。對準靶Am，係將例如曝光裝置等製造裝置與晶圓1W之晶片1C加以對準時，所使用的圖案。

構成此種晶圓1W之半導體基板(以下稱為基板)1S，例如由矽(Si)之單結晶所構成，其主面形成有元件及配線層1L。這階段中晶圓1W之厚度(基板1S之厚度與配線層1L之厚度的總合)D1(參考第3圖)，係例如775μm左右。

上述配線層1L，係如第6圖及第7圖所示，形成有層間絕緣膜1Li、配線、焊墊(外部端子)1LB、測試用焊墊1LBt、對準靶Am以及表面保護膜(以下稱為保護膜)1Lp。層間絕緣膜1Li，係具有複數層間絕緣膜1Li1、1Li2、1Li3。

層間絕緣膜1Li1，係形成有絕緣膜2a、2b。絕緣膜2a、2b，係在基板1S上交互堆積。絕緣膜2a，係以例如氧化矽(SiO₂ 等)之無機系絕緣膜所構成。絕緣膜2b，係以例如氮化矽(Si₃ N₄ 等)之絕緣膜所構成。層間絕緣膜1Li1，係形成有插塞(接觸插塞)PL1、PL2及配線L1。

插塞PL1、PL2，係藉由於孔H1、H2內埋入導體膜而形成。形成插塞PL1、PL2之導體膜，係具有主導體膜，和覆蓋其外周面(底面及側面)來形成的屏障金屬膜。主導體膜，係例如由鎢(W)來形成，比屏障金屬膜形成的更厚。屏障金屬膜，係例如以氮化鈦(TiN)、氮化鎢(WN)、氮化鉭(TaN)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)或鈦化鎢(TiW)或此等之層積膜來構成。上述配線L1，係例如為埋入配線。一及此配線L1，係於形成在絕緣膜2a、2b之配線溝T1內，埋入導體膜而形成。配線L1之導體膜構成，係與上述插塞PL1、PL2相同。

上述層間絕緣膜1Li2，係形成有絕緣膜3a、3b、3c、3d配線L2、L3。絕緣膜3a，係例如由碳化矽(SiC)所形成，具有蝕刻阻擋層的效果。絕緣膜3a，形成為比絕 緣膜3b、3c、3d更薄。

絕緣膜3b就半導體裝置之速度提升的觀點來看，係由有機聚合物或有機二氧化矽玻璃等，介電率比氧化矽之介電率(例如3.9~4.0)更低的低介電率膜(Low-k膜)所形成。絕緣膜3b，係形成為比絕緣膜3a、3c、3d更厚。

作為上述有機聚合物(完全有機系低介電性層間絕緣膜)，例如有SiLK(美國The Dow Chemical Co製造，相對介電率=2.7，耐熱溫度490℃以上，破壞絕緣耐壓=4.0~5.0MV/Vm)或聚丙烯乙醚(PAE)系材料之FLARE(美國Honeywell Electronic Materials製造，相對介電率=2.8，耐熱溫度400℃以上)等。此PAE系材料，具有基本性能高，機械性強度、熱安定性極低成本性較佳的特徵。

作為上述有機二氧化矽玻璃(SiOC系材料)，係例如有HSG-7(日本日立化成工業製造，相對介電率=2.8，耐熱溫度=650℃)，Black Diamond(美國Applied Materials,Inc製造，相對介電率=3.0~2.4，耐熱溫度=450℃)或p-MTES(日本日立開發製造，相對介電率=3.2)等。作為其他SiOC系材料，例如有CORAL(美國Novellus Systems,Inc製造，相對介電率=2.7~2.4，耐熱溫度=500℃)，Aurora2.7(日本ASM公司製造，相對介電率=2.7，耐熱溫度=450℃)。

又作為其他低介電率膜材料，例如可使用FSG系等完 全有機系SiOF系材料，HSQ(Hydrogen Silsesquioxane氫化倍半矽氧烷)系材料，MSQ(Methyl Silsesquioxane甲基倍半矽氧烷)系材料，多孔質HSQ系材料，多孔質MSQ系材料，或多孔質有機材料等。

作為上述HSQ系材料，例如有OCD T-12(日本東京應化工業製造，相對介電率=3.4~2.9，耐熱溫度=450℃)，FOx(美國Dow Corning Corp.製造，相對介電率=2.9)或OCD T-32(日本東京應化工業製造，相對介電率=2.5，耐熱溫度=450℃)等。

作為上述MSQ系材料，例如有OCD T-9(日本東京應化工業製造，相對介電率=2.7，耐熱溫度=600℃)，LKD-T200(日本JSR製造，相對介電率=2.7~2.5，耐熱溫度=450℃)，HOSP(美國Honeywell Electronic Materials製造，相對介電率=2.5，耐熱溫度=550℃)，HSG-RZ25(日本日立化成工業製造，相對介電率=2.5，耐熱溫度=650℃)，OCL T-31(日本東京應化工業製造，相對介電率=2.3，耐熱溫度=500℃)或(日本JSR製造，相對介電率=2.2~2，耐熱溫度=450℃)等。

作為上述多孔質HSQ系材料，例如有XLK(美國Dow Corning Corp.製造，相對介電率=2.5~2)，OCL T-72(日本東京應化工業製造，相對介電率=2.2~1.9，耐熱溫度=450℃)，Nanoglass(美國Honeywell Electronic Materials製造，相對介電率=2.2~1.8，耐熱溫度=500℃以上)或MesoELK(美國Air Product sand Chemicals,Inc 製造，相對介電率=2以下)等。

作為上述多孔質MSQ系材料，例如有HSG-6211X(日本日立化成工業製造，相對介電率=2.4，耐熱溫度=650℃)，ALCAP-S(日本旭化成工業製造，相對介電率=2.3~1.8，耐熱溫度=450℃)，OCL T-77(日本東京應化工業製造，相對介電率=2.2~1.9，耐熱溫度=600℃)，HSG-6210X(日本日立化成工業製造，相對介電率=2.1，耐熱溫度=650℃)或silica aerogel(日本神戶製鋼所製造，相對介電率1.4~1.1)等。

作為上述多孔質有機系材料，例如有PolyELK(美國Air Product sand Chemicals,Inc製造，相對介電率=2以下，耐熱溫度=490℃)等。

上述SiOC系材料、SiOF系材料，係例如以CVD法(Chemical Vapor Deposition化學氣相沉積)形成。例如上述Black Diamond係以使用了三甲基矽烷與氧氣等之混合氣體的CVD法等來形成。又上述p-MTES係以使用了甲基三乙氧基矽烷與N₂ O等之混合氣體的CVD法等來形成。此外之上述低介電率的絕緣材料，矽例如以塗佈法來形成。

上述絕緣膜3c，例如以氧化矽來形成。此絕緣膜3c，具有例如以化學機械研磨處理(CMP；Chemical Mechanical Poliching)時，可確保低介電率膜之機械性強度、表面保護及耐濕性等的功能。絕緣膜3c之材料，並非限定於上述氧化矽膜，而可有各種變更；例如可使用氮 化矽(Si_x N_y )膜、碳化矽膜或碳氮化矽(SiCN)膜等。此等氮化矽膜、碳化矽膜或碳氮化矽膜，係可藉由電漿CVD法來形成。作為由電漿CVD法所形成之碳化矽膜，例如有BLOk(日本AMAT公司製造，相對介電率=4.3)。

上述絕緣膜3d，係例如以碳氮化矽所形成。此絕緣膜3d，除了作為蝕刻阻擋層的功能之外，還有作為抑制或防止形成配線L2、L3之主導體膜擴散的功能。

上述配線L2、L3，係作為上述埋入配線。亦即配線L2、L3，係於配線溝T2、T3埋入導體層來形成。配線L2、L3之導體膜，係與上述配線L3一樣，具有主導體膜，和覆蓋其外周面(底面及側面)所形成的屏障金屬膜。主導體膜，例如由銅(Cu)所形成，並形成為比屏障金屬膜更厚。屏障金屬膜之材料，係與上述插塞PL1、PL2相同。配線L3，係通過孔H3與配線L2電性連接。配線L3之配線溝T3之導體膜，與孔H3之導體膜係一體化形成。

上述層間絕緣膜1Li3，係例如以氧化矽所形成。層間絕緣膜1Li3，形成有插塞PL3。此插塞PL3，係於孔H4內埋入導體膜而形成。形成插塞PL3之導體膜，係與上述插塞PL1、PL2相同。

此層間絕緣膜1Li3上，係形成有配線、上述焊墊1LB、1LBt及上述對準靶Am。此配線、焊墊1LB、1LBt及對準靶Am，係例如以鋁等金屬膜所形成。此種最上方之配線及焊墊1LB、1LBt等，係由形成在配線層1L之最 上層的保護膜1Lp所覆蓋。保護膜1Lp，係由例如氧化矽般之無機系絕緣膜1Lp1；和堆積於其上方，例如氮化矽般之無機系絕緣膜1Lp2；和更堆積於其上方，例如聚醯亞胺般之有機系絕緣膜1Lp3等的層積膜所形成。此保護膜1Lp之一部分，係形成有開口部5，從該處露出焊墊1LB、1LBt的一部分。

然而，本實施方式1中，上述測試用焊墊1LBt(包含TEG用元件或配線)或對準靶Am，係靠近切斷區域CR之寬度方向(短方向)的單邊來配置。亦即上述測試用焊墊1LBt或對準靶Am，係從切斷區域CR之寬度方向中央錯開來配置。然後在隱形切割時會被照射雷射光之切斷線CL，係不通過上述測試用焊墊1LBt或對準靶Am的配置線，而是通過上述測試用焊墊1LBt或對準靶Am的側端。亦即切斷線CL不會跨越測試用焊墊1LBt或對準靶Am，而通過從測試用焊墊1LBt或對準靶Am離開的位置。

切斷線CL重疊於測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案時，藉由該金屬圖案存在與不存在之場所會產生機械性強度的不一致，或是上述低介電率膜變脆而容易自金屬圖案剝落等，會無法漂亮的分割。又切斷線CL重疊於測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案時，在切斷時會於上述金屬圖案之切斷部留下鬍鬚狀的導體異物，該導體異物會接觸接合導線或電極等而引起短路不良，而有薄型半導體裝置之可靠度與生產率下降的問題。

相對地，本實施方式1中，因為切斷線CL不重疊於測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，故可漂亮切斷晶圓1W。又不切斷測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，故可防止上述鬍鬚狀導體異物的產生。從而，可提高薄型半導體裝置之可靠度與生產率。

又，切斷線CL重疊於測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案時，若在隱形切割處理時從晶圓1W之主面側照射雷射光，則測試用焊墊1LBt或對準靶Am等會成為阻礙而難以在基板1S形成改質區域。相對地，本實施方式1中，因為切斷線CL不重疊於測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，故即使在隱形切割處理時從晶圓1W之主面側照射雷射光，也可以在基板1S形成良好之後述的改質區域。從而，可提高雷射照射的自由度。

接著，第1圖之測試工程101中，對晶圓1W之各晶片1C的焊墊1LB，以及切斷區域CR之測試用焊墊1LBt碰觸探針，來進行各種電性特性檢查。此測試工程，也稱為G/W(Good chip/wafer)檢查工程，係主要在電性判定形成於晶圓1W之各晶片1C之好壞的工程。

接著第1圖之後工程102，係在將上述晶片1C收容於密封體(封裝)而完成之前的工程；具有背面加工工程102A、晶片分割工程102B及組裝工程102C。以下，依序說明背面加工工程102A、晶片分割工程102B及組裝工程102C。

背面加工工程102A，係將晶圓1W薄型化的工程。首 先在背面加工工程中，將晶圓1W收容於治具內。第8圖係收容晶圓1W之治具7的整體俯視圖，第9圖係表示第8圖之X3-X3線的剖面圖。另外，第8圖中係以虛線表示晶圓1W之主面的晶片1C。

治具7，係具有捲帶7a和環(框體)7b。捲帶7a之捲帶基材7a1，係例如由具有柔軟性之塑膠材料所構成，其主面形成有黏著層7a2。捲帶7a係藉由該黏著層7a2緊密黏貼於晶圓1W的主面(晶片形成面)。捲帶7a之厚度(捲帶基材7a1之厚度及黏著層7a2之厚度的總合)，要是太厚會造成之後工程中處理或捲帶7a之剝除的困難，故使用例如130~210μm左右的較薄者。作為此捲帶7a，係使用例如UV捲帶為佳。UV捲帶，係使用紫外線(UV)硬化性樹脂作為黏著層7a2之材料的黏著捲帶；具有強力的黏著性，當照射紫外線時，有黏著層7a2之黏著性急遽降低的性質(工程102A1)。

本實施方式1中，係於此捲帶7a之主面(晶圓1W之黏貼面)之外周，黏貼有具有剛性的環7b。環7b，係具有不使捲帶7a扭曲而支撐之功能的補強構件。從此補強觀點來看，環7b以不銹鋼等金屬來形成為佳，但也可以使其具有與金屬相同硬度地，使用設定了厚度的塑膠材料來形成。環7b之外周，形成有切口部7b1、7b2。此切口部7b1、7b2，除了使用在治具7之處理時，或將治具7與放置此者之製造裝置加以定位時之外，也使用於將治具7固定於製造裝置時的勾掛部。另外，環7b也可黏貼於捲 帶7a之背面(與晶圓1W之黏貼面相反側的面)。又環7b可以在於捲帶7a黏貼晶圓1W之前來黏貼，也可以在於捲帶7a黏貼晶圓1W之後來黏貼。

接著，在將晶圓1W收容於治具7之狀態下，測定晶圓1W之厚度，依據奇測定結果算出切削量及研磨量之後(工程102A2)，移動到背面切削(工程102A3)、研磨工程(工程102A4)。第10圖係表示背面加工工程時晶圓1W及治具7的剖面圖，第11圖係表示背面加工工程後晶圓1W及治具7的剖面圖。在此如第10圖所示，旋轉切削研磨工具8及吸附平台9，依據上述切削量及研磨量，依序對晶圓1W之背面施加切削處理及研磨處理。藉此如第11圖所示，將晶圓1W之厚度作為例如100μm以下(在此例如90μm左右)的極薄厚度(極薄)。作為上述研磨處理，除了使用研磨焊墊與二氧化矽來研磨的方法，或化學機械研磨法(Chemical Mechanical Poliching：CMP)之外，也可使用例如用了硝酸或氟酸的蝕刻法。在此，若晶片1C之厚度變的太薄而變成100μm以下，則上述切削處理造成晶圓1W背面所產生之損傷或壓力，會造成晶片抗折度降低，因為晶片安裝時之壓力而產生晶片斷裂的不良情況。因此藉由在切削處理之後施加研磨處理，可減低或消除切削處理造成晶圓1W背面所產生之損傷或壓力，故可提高較薄晶片1C之抗折強度。

以上一般之背面加工工程後，則解除吸附平台9之真空吸引狀態，從背面加工裝置中取出保存有晶圓1W的治 具7。此時本實施方式1中，即使晶圓1W變的極薄也可以由環7b來好好支撐捲帶7a，故可使極薄晶圓1W之處理或搬運變的容易。又，可防止該處理或搬運時晶圓1W之斷裂或彎曲。從而，可確保晶圓1W的品質。因此本實施方式1中，亦可在此背面加工階段，以將極薄晶圓1W保存於治具7之狀態，搬運出貨至其他製造工廠(例如組裝建構)，委託背面加工後的切割及組裝。

其次移動到晶片分割工程102B。在此，首先將保存有晶圓1W之治具7就這麼搬運到切割裝置，放置於切割裝置之吸附平台。亦即通常會需要在背面加工時會剝除黏貼於晶圓1W主面之捲帶，再於晶圓1W背面黏貼切割捲帶(晶圓黏片)的工程；但是本實施方式1中因為刪減了該晶圓黏片工程，故可將半導體裝置之製造工程簡潔化。從而，可縮短半導體裝置之製造時間。又因為不需要切割捲帶，故可減少材料費，而可減少半導體裝置的成本。

接著本實施方式1中，以真空吸引治具7之狀態，從晶圓1W背面以紅外線攝影機(以下稱為IR攝影機)辨識晶圓1W之主面圖案(除了晶片1C或切斷區域CR之圖案以外，還有配置於切斷區域CR之焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，或配置於晶片1C內之焊墊1LB等金屬圖案)(工程102B1)。此時，本實施方式1中，因為晶圓1W極薄，故可充分觀測晶圓1W之主面圖案的型態。

之後，依據以上述IR攝影機所得到之圖案資訊，實施切斷線CL之定位(位置修正)之後，將從雷射產生部 所放射之雷射光(第1雷射)LB1，以對準聚光點(焦點)之狀態而從晶圓1W之背面側照射基板1S內部；同時依據上述圖案資訊，沿著定位後之切斷線CL來移動(工程102B2)。第12圖係表示雷射照射工程後晶圓1W的主要部分俯視圖，第13圖係表示第12圖之X4-X4線的剖面圖。藉由雷射照射工程，晶圓1W之切斷區域CR中基板1S的內部，會形成多光子吸收所造成的改質區域(光學性損傷部或破碎層)PR。第12圖中，係舉例表示藉由沿著切斷區域CR連續照射雷射光LB1，會以沿著切斷線CL連續延伸之狀態來形成改質區域PR的情況。

此改質區域PR，係藉由晶圓1W內部以多光子吸收來加熱熔融而形成者，會成為之後晶片分割工程中晶圓1W的切斷起點區域。此熔融處理區域，係暫時熔融後再次硬化的區域，或確實為熔融狀態的區域，或從熔融狀態再次硬化的區域；也可以稱為相變之區域或結晶構造變化之區域。又所謂熔融處理區域，可以稱為在單結晶構造、非結晶構造、多結晶構造中，由某個構造變化為其他構造的區域。例如基板1S部分中，是指從單結晶構造變化為非結晶構造的區域，或從單結晶構造變化為多結晶構造的區域，或從單結晶構造變化為包含非結晶構造極多結晶構造之構造的區域。在此，改質層PR係例如作為非結晶矽。又，在此矽使雷射光LB1透過晶圓1W背面，在晶圓1W內部產生多光子吸收而形成改質區域PR，晶圓1W背面幾乎沒有吸收雷射光LB1，故不會使晶圓1W背面熔融。

在此，如上述般照射雷射光LB1時，本實施方式1中，係將雷射光LB1照射於切斷區域CR之測試用焊墊1LBt的側端。亦即不使雷射光LB1平面重疊於測試用焊墊1LBt或對準靶Am而照射之。亦即不使晶圓1W之分割起點(改質區域PR)平面重疊於測試用焊墊1LBt或對準靶Am。藉此，切斷晶圓1W時不會切斷測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，而可漂亮的切斷晶圓1W。一即可降低或防止晶圓1W的切斷形狀不良。又可防止在切斷場所產生上述般的鬍鬚狀導體異物。從而，可提高薄型半導體裝置之可靠度或生產率。

又藉由切割刀片來切斷晶圓1W之刀片切割的情況下，若晶圓1W較薄，則容易產生碎屑而降低晶片之抗折強度，故從確保晶片1C之品質的觀點來看，必須以低速(例如每秒60mm左右，或配合晶圓厚度而在其之下)處理。相對地，本實施方式1之情況下，因為不會對晶圓1W表面造成損傷而僅切斷內部，故可將存在於晶片1C表面之碎屑壓抑在極少。因此，可提高晶片1C的抗折強度。又因為可以進行例如每秒300mm之高速切斷處理，故可提高工作量。

又如上述般晶圓1W之主面的切斷區域CR中，若從晶圓1W之主面側照射雷射光LB1，則測試用焊墊1LBt會成為阻礙，而有時該部分之加工(改質區域PR之形成)會不順利。相對地，本實施方式1中，因為從不存在有測試用焊墊1LBt等金屬的晶圓1W背面側照射雷射光LB1， 故不會產生上述不良情況，而可良好的形成改質區域PR，進而可良好的切斷晶圓1W。

上述改質區域PR，係如第14圖及第15圖所示，可形成為虛線狀(點狀)。第14圖，係舉例表示沿著切斷線CL將改質區域PR配置為虛線狀(點狀)的情況。亦即改質區域PR是沿著切斷線CL中斷而中斷的等間隔配置。使用於層間絕緣膜1Li之上述低介電率膜(絕緣膜3b)因為熱傳導率較低而容易積存熱量，故有時會因為雷射光LB1照射時之熱量而變色。因此藉由斷斷續續地照射雷射光LB1，可以縮小雷射光LB1之照射面積，極力抑制雷射光LB1照射所造成之熱量產生，而可抑制或防止熱量所造成的低介電率膜變色。又第15圖，係例舉將改質區域PR集中配置在例如互相正交之切斷線CL之交點部分或TEG之細微圖案的場所等，或配置在難以分割之場所等的情況。依此，難以分割的部分也可以輕易分割，故可漂亮的分割晶圓1W。另外第14圖及第15圖之X4-X4線之剖面係與第13圖相同。又雖然沒有特別限定，但雷射光LB1之照射條件係例如以下所示。亦即光源為例如波長1064nm之YAG雷射，雷射點徑為例如1~2μm，照射速度為300mm/s，以0.7μm之間隔照射。另外，上述聚光點係雷射光LB1聚光的場所。

接著，移動到晶圓1W之分割工程(工程102B3)。第16圖係表示分割工程前晶圓1W之主要部分剖面圖，第17圖表示係分割工程時晶圓1W之主要部分剖面圖， 第18圖表示係第17圖之晶圓1W的主要部分放大剖面圖，第19圖表示係分割工程中晶圓1W之主要部分剖面圖。

首先如第16圖所示，以IR攝影機12辨識晶圓1W之主面圖案(除了晶片1C或切斷區域CR之圖案以外，還有配置於切斷區域CR之焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，或配置於晶片1C內之焊墊1LB等金屬圖案)或改質區域PR。

接著，在治具7之捲帶7a背面，配置一對線真空夾13，依據上述IR攝影機12所得到之資料來對準該線真空夾13的位置，在該狀態下以一對線真空夾13來吸引捲帶7a。一對線真空夾13，係從晶圓1W之端延伸到另一端(垂直於紙面之方向)。一對線真空夾13各自之相對側面的一邊，係形成為傾斜的。

之後如第17圖及第18圖所示，使一邊之線真空夾13(第17圖及第18圖之左側)之該側面(傾斜面)，在碰到另一邊之線真空夾13之相對側面之前做旋轉的移動，藉此折彎晶圓1W。依此，可以改質區域PR作為分割起點來切斷(分割)晶圓1W。之後如第19圖所示，使上述一邊之線真空夾13回到原來位置之後，將一對線真空夾13移動到下個切斷位置。之後與上述相同的切斷晶圓1W。以下，在切斷晶圓1W之所有晶片1C的周圍之前，反覆進行此種作業。本實施方式1中，切斷線CL係不重疊於測試用焊墊1LBt或對準靶Am。依此，即使採用擴張方式 作為分割方法，也不會切斷測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，故可防止上述鬍鬚狀之導體異物的產生。然而如上所述，在擴張法之情況下，樹脂薄膜會於從晶圓1W之中心向著外周(輻射線狀)的方向被拉長，故晶片1C無法在對切斷線CL交叉之方向(垂直方向)被拉開。換言之，用以在對切斷線CL交叉之方向切斷的負重(作用力)無法傳達。結果，可能無法漂亮切斷晶圓1W。依據情況不同，有可能於晶片外周產生碎屑。相對地，若適用折彎法，可以傳達在對切斷線CL交叉之方向切斷的負重，故可漂亮切斷晶圓1W。

第20圖，係表示從晶圓1W切出之晶片1C的整體俯視圖。在此，例舉僅沿著晶片1C之長邊方向之一端之一邊，配置複數焊墊1LB的情況。本實施方式1之情況下，係於晶片1C之外周(互相交叉(正交)之2邊)留下切斷區域CR之一部分，在該切斷區域CR內留下測試用焊墊1LBt。另外本實施方式1中，亦可在如上述般隱形切割之後，將放置有極薄之複數晶片1C的治具7搬運出貨至其他製造工廠(例如組裝建構)，委託切割工程後的組裝。

其次移動到組裝工程102C。在此，將保存有複數晶片1C的治具7搬運到撿料裝置。撿料裝置中，係以將捲帶7a背面加以真空吸附之狀態，以推起針聰捲帶7a背面將晶片1C推起。此時使用上述UV捲帶作為捲帶7a的情況下，藉由對捲帶7a之黏著層7a2照射紫外線，可使黏 著層7a2硬化而減弱黏著力。此狀態下藉由以筒夾真空吸附晶片1C，來撿料晶片1C(工程102C1)。

接著，將如上述般撿料之晶片1C以既有之反轉單元反轉為使晶片1C之主面朝上，之後將晶片1C安裝於配線基板等(片接工程102C2)。第21圖係表示片接工程後之晶片1C及配線基板15的俯視圖，第22圖係表示第21圖之X5-X5線的剖面圖。配線基板15之主面上，係例如3個晶片1C以使其主面朝上來層積的狀態來安裝之。3個晶片1C，係使各晶片1C之焊墊1LB露出地，以平面錯開之狀態來重疊。配線基板15，雖然以印刷配線基板來形成，但亦可使用導線框來取代此者。另外亦可將撿料後之晶片1C收容於搬運托盤，搬運出貨至其他製造工廠(例如組裝建構)來委託此工程後的組裝(工程103A)。

接著，移動到打線工程(工程102C3)。第23圖係表示打線工程後之晶片1C及配線基板15的俯視圖，第24圖係表示第23圖之X6-X6線的剖面圖。此工程中，係藉由接合導線(以下簡稱線)17將晶片1C主面之焊墊1LB與配線基板15之電極加以電性連接。在此如第64圖所示，藉由線17來電性連接上段晶片1C之焊墊1LB與下段晶片1C之焊墊1LB。亦即，可使用將共通焊墊之彼此加以電性連接的步進連接方式(Step Bonding)。

接著，移動到密封工程(工程102C4)。第25圖係表示密封工程後半導體裝置的剖面圖。此工程中，係使用轉移成型法，以環氧樹脂等塑膠材料所構成之密封體18 來密封晶片1C及線17。之後，於配線基板15之背面形成凸塊電極19，製造出半導體裝置。

晶片1C具有凸塊電極(突起電極)時，係例如以下所示。首先上述撿料工程102C1中，將晶片1C移送到配線基板15的晶片安裝區域。此時凸塊電極藉由連接於焊墊1LB及測試用焊墊1LBt，可不傾斜地安裝於配線基板15。接著，在使晶片1C之主面(凸塊電極形成面)向著配線基板15之安裝面的狀態下，使用黏膠材暫時固定晶片1C之凸塊電極與晶片安裝區域之電極。之後進行迴銲處理來固定晶片1C之凸塊電極與印刷配線基板15之電極(覆晶連接：工程102C2)。之後，在晶片1C與配線基板15之相對面之間填充填膠材之後，與上述相同的密封晶片1C(工程104C4)。

(實施方式2)

本實施方式中，係說明晶片1C內之焊墊1LB之配置的變形例。第26圖，係表示本實施方式2之晶片1C之整體俯視圖。本實施方式2中，沿著晶片1C之互相交叉(正交)之2邊，配置有複數焊墊1LB。此外與上述實施方式1相同，於晶片1C之外周(互相交叉(正交)之2邊)留下切斷區域CR之一部分，在該切斷區域CR內留下測試用焊墊1LBt。

第27圖係表示第26圖之晶片1C之安裝例的俯視圖。第27圖之X7-X7線之剖面圖，與上述第22圖相同。配 線基板15之主面上，係例如3個晶片1C以使其主面朝上來層積的狀態來安裝之。3個晶片1C，係使各晶片1C之焊墊1LB露出地，以平面錯開之狀態來重疊。

(實施方式3)

首先，在說明實施方式3之前，先說明發明者第一次發現的課題。上述之晶圓1W的分割中，存在於切斷區域CR之測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案的切斷部分，會有產生上述鬍鬚狀導體異物的問題。為了避免此問題，本發明者係於測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案形成縫線狀或直線狀的溝。但是，採用上述擴張方式作為分割方式時，即使於上述金屬圖案形成縫線狀或直線狀的溝，也有無法順利抑制鬍鬚狀導體異物產生的問題。又，切斷區域CR之鄰接金屬圖案之間的絕緣膜部分，會有切斷線蛇行而無法漂亮切斷的問題。

因此，若採用將晶圓1W折彎來分割為各個晶片1C的折彎方式，則比起擴張方式可減低上述鬍鬚狀導體異物的產生。但是即使是折彎方式的情況，金屬圖案之間切斷線也會蛇行。尤其如上述般對層間絕緣膜使用低介電率膜時，因為低介電率膜較脆弱而容易發生龜裂，故上述金屬圖案之鄰接間之切斷部分會有較大蛇行的龜裂，而有無法充分漂亮切斷的問題。在此，本發明者雖然在上述金屬圖案之鄰接間的層間絕緣膜部分照射雷射光，形成用作分割起點的溝，但是本實施方式3中，係說明解決此種問題的 手段。第28圖係表示本實施方式3之晶圓1W的主要部分俯視圖，第29圖係表示第28圖之X8-X8線的剖面圖，第30圖係表示第28圖之X9-X9線的剖面圖。

第28圖~第30圖所示之晶圓1W，係表示經過上述第1圖之前工程100及測試工程101之後，在後工程102之前的晶圓1W。本實施方式3，係於切斷區域CR之切斷線CL上，配置測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案。亦即使切斷線CL重疊於測試用焊墊1LBt及對準靶Am等金屬圖案。又切斷線CL上，係掩埋互相鄰接之測試用焊墊1LBt之空隙，或掩埋測試用焊墊1LBt及對準靶Am之空隙地，形成金屬圖案20。但是金屬圖案20，係成為不與測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案接觸的電性浮遊狀態。又金屬圖案20，係在測試用焊墊1LBt及對準靶Am之相同工程時以相同材料來形成。但是在此，金屬圖案20之寬度(短方向尺寸)，係比測試用焊墊1LBt之一邊長度更小，例如為5~10μm左右。藉此可降低材料費。此種金屬圖案20之上面一部分，係透過開口在保護膜1Lp之開口部5來露出。

接著對此種晶圓1W，與上述實施方式1一樣的施加背面加工工程102A來薄型化之後，移動到晶片分割工程102B。晶片分割工程中，與上述實施方式1一樣的經過晶圓主面之圖案辨識工程102B1之後，移動到雷射照射工程102B2。本實施方式3中，係進行2次雷射光照射。

第1次雷射光照射，係用以在切割區域CR之金屬圖 案形成分割起點者。第31圖及第32圖，係表示照射第1次雷射光LB2之型態之晶圓1W的主要部分剖面圖。第31圖對應第28圖之X8-X8線，第32圖對應第28圖之X9-X9線。第1次雷射光照射中，係依據上述IR攝影機所得到之圖案資訊，實施切斷線CL之定位(位置修正)之後，使從雷射產生部所放射之雷射光LB2從晶圓1W之背面側，對焦在測試用焊墊1LBt、對準靶Am及金屬圖案20來照射，同時沿著依據上述圖案資訊而定為之切斷線來移動。本實施方式3之切斷線，係在切斷區域CR之寬度方向(短方向)的幾乎中央，重疊於測試用焊墊1LBt、對準靶Am及金屬圖案20。雷射光LB2之照射條件，係如以下所述。亦即光原為例如波長1064nm之YAG雷射，照射速度為300mm/s。

第33圖係表示雷射光LB2照射工程後晶圓1W的主要部分俯視圖，第34圖及第35圖係表示第33圖之X10-X10線及X11-X11線的剖面圖。藉由如上述般照射雷射光LB2，來沿著切斷線在測試用焊墊1LBt、對準靶Am及金屬圖案20形成縫線狀(虛線狀、點狀)的複數孔21。此孔21在晶圓1W之分割(切斷)工程時會成為分割起點。亦即本實施方式3中，藉由在互相鄰接之測試用焊墊1LBt之間，或在測試用焊墊1LBt及對準靶Am之間設置金屬圖案20，則可以在互相鄰接之測試用焊墊1LBt之間，或在測試用焊墊1LBt及對準靶Am之間形成作為分割起點的複數孔21之配列。照射雷射光LB2時，因為熔融 異物會附著在測試用焊墊1LBt等，故就抑制或防止該熔融異物飛散的觀點來看，使捲帶7a密合於切斷區域CR之凹凸是很重要的。

第2次之雷射光照射，係用以形成上述實施方式1所說明之改質區域PR者。第36圖及第37圖，係表示照射第2次雷射光LB1之型態之晶圓1W的主要部分剖面圖。第36圖對應第28圖之X8-X8線，第37圖對應第28圖之X9-X9線。在此與上述實施方式1相同，從晶圓1W背面側使雷射光LB1對焦在基板1S內部來照射。如此在基板1S形成改質區域PR。但是本實施方式3中，係使雷射光LB1照射在切斷區域CR的寬度方向(短方向)中央。亦即雷射光LB1之產生部的動作軌跡，係與上述雷射光LB2之產生部的動作軌跡相同。但是改質區域PR之平面形狀係如上述實施方式1所說明，有形成平面直線形狀的情況，也有形成虛線形狀的情況。從晶圓1W之相同背面側照射雷射光LB1、LB2時，係在照射雷射光LB2之後再照射雷射光LB1。這是因為如果使雷射光LB1之照射比雷射光LB2之照射更早進行，則在照射雷射光LB2時，雷射光LB1之照射造成於基板1S所形成的改質區域PR會成為阻礙，而無法在切斷區域CR之金屬圖案20形成孔21。

接著分割工程102B3中，與上述實施方式1一樣以折彎方式分割(切斷)晶圓1W。第38圖係表示從晶圓1W切出之晶片1C的整體俯視圖，第39圖係表示第38圖之X12-X12線的剖面圖。本實施方式3之情況下，可沿著孔 21之配列來漂亮切斷晶圓1W。亦即，即使在對層間絕緣膜使用低介電率膜之情況下，或是在互相鄰接之測試用焊墊1LBt之間，或在測試用焊墊1LBt及對準靶Am之間，亦可沿著複數孔21之配列而不蛇行的分割(切斷)晶圓1W。從而，可防止或減低晶圓1W之切斷形狀不良，故可提高半導體裝置之生產率及可靠度。另外，晶片1C之外周係殘留有測試用焊墊1LBt、對準靶Am及金屬圖案20之一部分。又組裝工程102C與上述實施方式1相同，故省略說明。

(實施方式4)

上述實施方式1~3中，因為於晶片1C外周殘留有測試用焊墊1LBt或TEG用元件，故有對外部洩漏TEG資訊的問題。本實施方式4，係說明用以避免此種問題的手段。以下，沿著第40圖之流程圖，使用第41圖~第50圖說明本實施方式4的半導體裝置製造方法例。

首先與上述實施方式1相同，經過前工程200、測試工程201之後，移動到後工程202。後工程202之背面加工工程202A中，係經由黏著層在晶圓1W之主面上黏貼支撐基板(工程202A1)。第41圖係表示支撐基板24裝配後之晶圓1W的剖面圖。

此支撐基板24，在此後工程中，係工作為晶圓1W之補強構件的晶圓支撐系統(Wafer Support System：WWS)。依此，在晶圓1W之搬運時，可以在安定狀態下處理 極薄且大直徑的晶圓1W，並且可保護晶圓1W不受外部衝擊，故可議制或防止晶圓1W之破裂或缺口等。又之後各工程中，可防止晶圓1W之彎曲或扭曲，而可提高極薄且大直徑之晶圓1W的平坦性，故可提高各工程中處理的安定性或控制性。

作為支撐基板24之材料，係使用例如透明玻璃等硬質支撐基板(Hard-WSS或Glass-WSS)。但是作為支撐基板之其他材料，亦可使用例如不銹鋼等其他的硬質支撐基板(Hard-WSS)。又作為支撐基板24之其他材料，可以使用將例如PET(Poliethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)或PEN(Poliethylene Naphthalate，聚萘二甲酸乙二酯)等絕緣支撐基板黏貼於捲帶基材的捲帶WSS。

另外，將支撐基板24黏貼於晶圓1W之主面時，係藉由將支撐基板24之剝除層24a之形成面，按壓到晶圓1W之主面側之黏著層25，來固定於晶圓1W之主面。此剝除層24a，係為了在將支撐基板24自晶圓1W剝除時容易剝除的功能層。取代支撐基板，亦可使用所謂的BG捲帶。

接著，與上述實施方式1相同，測定晶圓1W之厚度之後，依據該測定結果對晶圓1W背面依序施加切削處理及研磨處理(平坦加工)(工程202A2、202A3)。第42圖係表示晶圓1W之薄型化工程後的剖面圖。第42圖之虛線，係表示薄型化處理前的基板1S。

接著，移動到晶片分割工程202B。晶片分割工程202B之雷射照射工程202B2，係用以形成上述實施方式1所說明的改質區域PR者。第43圖係表示照射雷射光LB1之型態，晶圓1W的主要部分剖面圖。

本實施方式4中，與上述實施方式1相同，藉由從晶圓1W背面側使雷射光LB1對焦在基板1S內部來照射，而於基板1S形成改質區域PR。但是本實施方式4中，係使雷射光LB1照射在測試用焊墊1LBt金屬圖案之兩側端，亦即相當於晶片1C和切斷區域CR之邊界或其之間的平面位置。改質區域PR之平面形狀如上述實施方式1所說明般，有形成為平面直線形狀者，也有形成為虛線形狀者。

之後在晶圓黏片(wafer mount)工程202B2中，將晶圓1W轉貼於治具。第44圖係表示晶圓黏片工程202B2及WSS剝除工程202B3後，晶圓1W及治具7的俯視圖；第45圖係表示第44圖之X13-X13線的剖面圖。

晶圓黏片工程202B2中，以在晶圓1W之主面(裝置形成面)黏貼有支撐基板24的狀態，將晶圓1W之背面黏貼在治具7的捲帶7a。晶圓1W係藉由捲帶7a之黏著層7a2被好好固定。藉此，晶圓1W係以露出該主面的狀態而被收容於治具7。

接著，WS剝除工程202B3中，係以使雷射光對焦在晶圓1W之主面上之黏著層25的狀態，經由透明支撐基板24從晶圓1W之主面一端掃描照射到另一端。依此， 將支撐基板24自晶圓1W剝除之後，可去除晶圓1W主面上的黏著層25。此工程之雷射光的條件，係例如波長1064nm之紅外線雷射，輸出：20W，照射速度：2000mm/s，點徑：f200μm左右。以例如紫外線硬化樹脂(UV樹脂)形成黏著層25時，上述雷射光可使用紫外線雷射來取代紅外線雷射。依此，可減弱黏著層25之黏著力，故可輕易剝除支撐基板24。

接著，本實施方式4中係移動到TEG加工工程202B4。TEG加工工程202B4中，將收容有晶圓1W之治具7放置在切割裝置之切割平台，藉由旋轉的切割鋸(刀片切割方式)來去除TEG。第46圖係表示TEG加工工程中晶圓1W的主要部分剖面圖。切割鋸26係使用剖面為矩形者。將此切割鋸26對準切斷區域CR之後，以旋轉狀態接觸晶圓1W主面地來下降。依此，會去除TEG之測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案。第47圖係表示TEG加工工程後晶圓1W的主要部分剖面圖。在此，切斷區域CR中測試用焊墊1LBt等金屬圖案係被完全去除，於晶圓1W之主面之切斷區域CR形成溝27。溝27之深度，雖然是在配線層1L之中途，但亦可到達基板1S。但是要不完全切斷基板1S。

接著，分割工程202B5中，與上述實施方式1相同的使用折彎方式來分割(切斷)晶圓1W。第48圖係表示分割工程202B5中晶圓1W的主要部分放大剖面圖。此時，一般來說切斷區域CR內2個廠所之改質區域PR中，機 械性強度較弱的任一方側會產生龜裂，而切斷晶圓1W。本實施方式4之情況下，因為會去除測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，故不會產生上述鬍鬚狀導體異物。

第49圖係表示從晶圓1W切出之晶片1C的整體俯視圖，第50圖係表示第49圖之X14-X14線的剖面圖。本實施方式4之情況下，因為晶片1C之外周不殘留測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，故可防止TEG資訊的洩漏。

之後之組裝工程202C(202C1~202C4，203A)因為與上述實施方式1之組裝工程102C(102C1~102C4，103A)相同，故省略說明。

(實施方式5)

上述實施方式4中雖然可防止TEG資訊洩漏，但是有上述實施方式3所說明之切斷線蛇行的問題。本實施方式5中，係說明用以避免此種問題的手段。

首先與上述實施方式4相同，經過前工程200、測試工程201及後工程202之背面加工工程202A之後，移動到晶片分割工程202B之雷射照射工程202B1。第51圖係表示本實施方式5之情況下，雷射照射工程中之晶圓1W的主要部分剖面圖。在此，與上述實施方式1~4一樣，藉由從晶圓1W背面側使雷射光LB1對焦在基板1S內部來照射，而於基板1S形成改質區域PR。但是本實施方式5 中，係使雷射光LB1照射在切斷區域CR之寬度方向(短方向)中央。亦即使雷射光LB1照射在與測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案平面重疊的位置。改質區域PR之平面形狀如上述實施方式1所說明般，有形成為平面直線形狀者，也有形成為虛線形狀者。

接著與上述實施方式4相同，經過晶圓黏片工程202B2、WSS剝除工程202B3之後，移動到TEG加工工程202B4。第52圖係表示TEG加工工程中，晶圓1W的主要部分剖面圖。此TEG加工工程中，係與上述實施方式4相同，使旋轉狀態之切割鋸26碰觸晶圓1W之主面的切斷區域CR，去除測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案。但是，本實施方式5中，作為切割鋸26，係使用其外週前端之剖面形狀形成為楔形(剖面V字形)者。

第53圖係TEG加工工程後晶圓1W的主要部分剖面圖，第54圖係表示第53圖之X15-X15線的剖面圖。在此，測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案係被完全去除，在晶圓1W之主面之切斷區域CR的層間絕緣膜1Li(配線層1L)上面形成溝27。此溝27之深度，與上述實施方式4相同。但是本實施方式5中之溝27，係隨著深入而寬度一直變窄。亦即溝27之剖面形狀形成為V字形。溝27最深的部分，係在分割工程202B5時工作為層間絕緣膜1Li之分割起點的部分。溝27其作用為分割起點之部分的平面位置，係位於切斷區域CR之寬度方向(短方向)中央，亦即一致於上述改質區域PR之平面位置(亦即 切斷線CL)地來形成。

接著分割工程202B5中，與上述實施方式1相同，以折彎方式分割(切斷)晶圓1W。第55圖係表示分割工程202B5中晶圓1W的主要部分剖面圖。此時晶圓1W係以基板1S之改質區域PR及配線層1L的溝27為分割起點，而被分割(切斷)。

本實施方式5之情況，因為去除測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，故不會產生上述鬍鬚狀導體異物。又藉由將溝27形成剖面V字形，即使使用低介電率膜作為層間絕緣膜，亦可沿著溝27不蛇行而漂亮的分割晶圓1W(尤其是晶圓1W之主面側之層間絕緣膜1Li)。從而，可提高半導體裝置之生產率及可靠度。

第56圖係表示從晶圓1W切出之晶片1C的整體俯視圖，第57圖係表示第56圖之X16-X16線的剖面圖。本實施方式5之情況下，因為晶片1C之外周不殘留測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，故可防止TEG資訊的洩漏。又本實施方式5中，晶片1C之主面側的外周角是傾斜的。亦即晶片1C之主面側的外周角形成梯形。從而，可提高半導體裝置之生產率及可靠度。又可減低異物產生。

之後之組裝工程202C(202C1~202C4，203A)因為與上述實施方式1之組裝工程102C(102C1~102C4，103A)相同，故省略說明。

(實施方式6)

本實施方式6中，係說明為了防止TEG資訊外洩，以雷射光去除TEG的方法例子。

首先與上述實施方式5相同，經過前工程200~WSS剝除工程203B3之後，在TEG加工工程202B4中以雷射光去除TEG。第58圖係表示此TEG加工工程中晶圓1W的主要部分剖面圖。使雷射光(第2雷射)LB3從晶圓1W主面側照射於測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，藉此熔融去除該金屬圖案。雷射光LB3，係使用例如波長355nm之紫外光等，比形成上述改質區域PR時之雷射光LB1之波長更短波長的雷射光。藉由對各金屬圖案照射複數次雷射光LB3，來去除金屬圖案。第59圖係表示本實施方式6之TEG加工工程後晶圓1W的主要部分剖面圖。在此，切斷區域CR中測試用焊墊1LBt等金屬圖案係被完全去除。本實施方式6之情況下，因為是由雷射光LB3去除切斷區域CR的金屬圖案，藉此可不對晶圓1W施加機械性作用力就去除金屬圖案，故可防止晶片1C外周產生碎屑等損傷。依此，比起上述實施方式4、5可提高較薄半導體晶片的抗折強度。

接著分割工程202B5中，與上述實施方式1相同，以折彎方式分割(切斷)晶圓1W。第60圖係表示分割工程202B5中晶圓1W的主要部分放大剖面圖。此時晶圓1W會以基板1S之改質區域PR為分割起點，來被分割(切斷)。本實施方式6之情況，因為去除測試用焊墊1LBt或 對準靶Am等金屬圖案，故不會產生上述鬍鬚狀導體異物。

本實施方式6中從晶圓1W切出之晶片1C的整體俯視圖，與第49圖幾乎相同。本實施方式6之情況下，也因為晶片1C之外周不殘留測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案，故可防止TEG資訊的洩漏。

之後之組裝工程202C(202C1~202C4，203A)因為與上述實施方式1之組裝工程102C(102C1~102C4，103A)相同，故省略說明。

(實施方式7)

上述實施方式6中雖然可防止TEG資訊洩漏，但是有上述實施方式3所說明之切斷線蛇行的問題。本實施方式7中，係說明用以避免此種問題的手段。

首先與上述實施方式5、6相同，經過前工程200~WSS剝除工程203B3之後，移動到TEG加工工程202B4。此TEG加工工程202B4中，係對TEG照射雷射光。第61圖係表示TEG加工工程202B4中之晶圓1W的主要部分剖面圖。又第63圖係表示TEG加工工程202B4中晶圓1W的主要部分放大剖面圖。在此與上述實施方式6相同，從晶圓1W之主面側對測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案照射雷射光LB3，藉此在該切斷區域CR之測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案上面，於金屬圖案之一部份形成溝30。溝30雖然以雷射光LB3之熱所 造成的熔融來形成，但熔融之部分會進展到層間絕緣膜1Li(配線層1L)之界面為止。結果，會從溝30向著改質區域PR形成龜裂CRK。溝30之平面位置，係位於切斷區域CR之寬度方向(短方向)中央，亦即一致於上述改質區域PR之平面位置(亦即切斷線CL)而形成。在此，本實施方式7之情況下，因為僅去除切斷區域CR之金屬圖案的一部分，故就算施加此雷射光加工處理，也不會在晶片1C外周產生碎屑等損傷。依此，比起上述實施方式4、5可提高較薄半導體晶片的抗折強度。

接著在分割工程202B5中，與上述實施方式1相同，以折彎方式分割(切斷)晶圓1W。第62圖係表示分割工程202B5中晶圓1W的主要部分放大剖面圖。此時係晶圓1W以基板1S之改質區域PR、龜裂CRK及配線層1L之溝30作為分割起點，來被分割(切斷)。

本實施方式7之情況下，因為測試用焊墊1LBt或對準靶Am等金屬圖案之切斷部分(溝30形成部分)會被切斷，故不會產生上述鬍鬚狀導體異物。又藉由使溝30到達層間絕緣膜1Li，即使對層間絕緣膜使用低介電率膜，亦可沿著溝30不蛇行而漂亮的分割晶圓1W(尤其是晶圓1W之主面側之層間絕緣膜1Li)。從而，可提高半導體裝置之生產率及可靠度。

本實施方式7之情況下，從晶圓1W切出之晶片1C係與第55圖及第56圖幾乎相同。本實施方式7之情況下，雖然晶片1C之外周殘留有測試用焊墊1LBt或對準靶 Am等金屬圖案之一部份，但是被切斷或熔融而無法取得TEG資訊。故可防止TEG資訊的洩漏。又本實施方式7中，藉由溝30之形成而使晶片1C之主面側之外周角傾斜，可減低晶片1C搬運時外周角缺陷。從而，可提高半導體裝置之生產率及可靠度。又可減低異物產生。

之後之組裝工程202C(202C1~202C4，203A)因為與上述實施方式1之組裝工程102C(102C1~102C4，103A)相同，故省略說明。

以上，雖依據實施方式具體說明本發明者帶來的發明，但本發明並非限定於上述實施方式者，在不脫離該主旨之區域內，當然可做各種變更。

例如上述實施方式1中，雖然使測試用焊墊1LBt之形狀為正方形，但是並不限定於此而可有各種變更；例如可使測試用焊墊1LBt之形狀為長方形(切斷區域CR之延伸方向(長邊方向)長度比切斷區域CR之寬度方向長度更長)。依此，不使切斷區域CR之寬度太大而可確保測試用焊墊1LBt之面積較大。亦即可抑制晶片1C之面積增加，又可確保探針對測試用焊墊1LBt的碰觸容易度。

又上述實施方式3中，為了於晶圓1W之主面之切斷區域CR的金屬圖案形成孔21，係從晶圓1W之背面照射雷射光LB2；但是如第40圖之流程圖所說明般進行晶圓黏片工程時，可以從晶圓1W之主面照射雷射光LB2。此時，取代第40圖之TEG加工工程202B4，可進行雷射光LB2的照射工程。亦即可以從晶圓1W之主面側，對晶圓 1W之主面之切斷區域CR中測試用焊墊1LBt、對準靶Am及金屬圖案20照射雷射光LB2，藉此在測試用焊墊1LBt、對準靶Am及金屬圖案20形成孔21。此時，取代孔21，亦可在測試用焊墊1LBt、對準靶Am及金屬圖案20形成溝。此溝之平面形狀可以是直線形狀，也可以是虛線狀。此外之工程與實施方式1~7說明的相同。

以上說明中，主要係說明將本發明者帶來之發明適用在成為該背景之利用領域，亦即適用在半導體裝置之製造方法的情況；但並不限定於此而可有各種適用可能，例如也可適用於微機械的製造方法。

產業上之可利用性

本發明，係可適用於具有以隱形切割來分割晶圓之工程的製品製造業。

1W‧‧‧半導體晶圓

1C‧‧‧半導體晶片

1S‧‧‧半導體基板

1L‧‧‧配線層

1Li‧‧‧層間絕緣膜

1Lp‧‧‧保護膜

1Lp1‧‧‧絕緣膜

1Lp2‧‧‧絕緣膜

1Lp3‧‧‧絕緣膜

1Li1、1Li2、1Li3‧‧‧層間絕緣膜

1LB‧‧‧接合焊墊

1LBt‧‧‧測試用接合焊墊

2a、2b‧‧‧絕緣膜

3a、3b、3c、3d‧‧‧絕緣膜

7‧‧‧治具

7a‧‧‧捲帶

7a1‧‧‧捲帶基材

7a2‧‧‧黏著層

7b‧‧‧環(框體)

8‧‧‧切削研磨工具

9‧‧‧吸附平台

12‧‧‧IR攝影機

13‧‧‧線真空夾

15‧‧‧配線基板

17‧‧‧接合導線

18‧‧‧密封體

19‧‧‧凸塊電極

20‧‧‧金屬圖案

21‧‧‧孔

24‧‧‧支撐基板

25‧‧‧黏著層

26‧‧‧切割鋸

27‧‧‧溝

30‧‧‧溝

N‧‧‧凹口

CR‧‧‧切斷區域(晶片分離區域)

CL‧‧‧切斷線

Am‧‧‧對準靶

PL1、PL2、PL3‧‧‧插塞

L1、L2、L3‧‧‧配線

H1、H2、H3、H4‧‧‧孔

LB1‧‧‧雷射光(第1雷射)

LB2‧‧‧雷射光

LB3‧‧‧雷射光(第2雷射)

PR‧‧‧改質區域

CRK‧‧‧龜裂

〔第1圖〕本發明之一實施方式亦即半導體裝置之製造工程的流程圖

〔第2圖〕第1圖之前工程100之後，半導體晶圓主面的整體俯視圖

〔第3圖〕第2圖之X1-X1線的剖面圖

〔第4圖〕第2圖之半導體晶圓的主要部分放大俯視圖

〔第5圖〕第4圖之區域R1的放大俯視圖

〔第6圖〕第5圖之X2-X2線的剖面圖

〔第7圖〕表示第6圖之半導體晶圓之剖面構造詳細範例之半導體晶圓的主要部分剖面圖

〔第8圖〕收容半導體晶圓之治具的整體俯視圖

〔第9圖〕第8圖之X3-X3線的剖面圖

〔第10圖〕背面加工工程時半導體晶圓及治具的剖面圖

〔第11圖〕背面加工工程後半導體晶圓及治具的剖面圖

〔第12圖〕雷射照射工程後半導體晶圓的主要部分俯視圖

〔第13圖〕第12圖之X4-X4線的剖面圖

〔第14圖〕雷射照射工程後半導體晶圓之其他範例的主要部分俯視圖

〔第15圖〕雷射照射工程後半導體晶圓之更其他範例的主要部分俯視圖

〔第16圖〕分割工程前半導體晶圓之主要部分剖面圖

〔第17圖〕分割工程時半導體晶圓之主要部分剖面圖

〔第18圖〕第17圖之半導體晶圓的主要部分放大剖面圖

〔第19圖〕分割工程中半導體晶圓之主要部分剖面圖

〔第20圖〕從半導體晶圓切出之半導體晶片的整體俯視圖

〔第21圖〕片接工程後之半導體晶片及配線基板的俯視圖

〔第22圖〕第21圖之X5-X5線的剖面圖

〔第23圖〕打線工程後之半導體晶片及配線基板的俯視圖

［第24圖〕第23圖之X6-X6線的剖面圖

〔第25圖〕密封工程後半導體裝置的剖面圖

〔第26圖〕本發明之其他實施方式亦即半導體裝置之半導體晶片的整體俯視圖

〔第27圖〕第26圖之半導體晶片之安裝例的俯視圖

〔第28圖〕本發明之其他實施方式亦即半導體裝置之製造工程中半導體晶圓的主要部分俯視圖

［第29圖〕第28圖之X8-X8線的剖面圖

〔第30圖〕第28圖之X9-X9線的剖面圖

〔第31圖〕表示照射第1次雷射光之型態之半導體晶圓，其對應第28圖之X8-X8線的剖面圖

〔第32圖〕表示照射第1次雷射光之型態之半導體晶圓，其對應第28圖之X9-X9線的剖面圖

〔第33圖〕第1次雷射光照射工程後，半導體晶圓的主要部分俯視圖

〔第34圖〕第33圖之X10-X10線的剖面圖

〔第35圖〕第33圖之X11-X11線的剖面圖

［第36圖〕表示照射第2次雷射光之型態之半導體晶圓，其對應第28圖之X8-X8線的剖面圖

〔第37圖〕表示照射第2次雷射光之型態之半導體晶圓，其對應第28圖之X9-X9線的剖面圖

〔第38圖〕從半導體晶圓切出之半導體晶片的整體俯視圖

〔第39圖〕第38圖之X12-X12線的剖面圖

〔第40圖〕表示本發明之其他實施方式亦即半導體裝置之製造工程的流程圖

〔第41圖〕第40圖之WSS裝配工程後半導體晶圓的剖面圖

〔第42圖〕第40圖之背面切削、研磨工程後半導體晶圓的剖面圖

〔第43圖〕第40圖之雷射照射工程中半導體晶圓的剖面圖

〔第44圖〕第40圖之晶圓黏片工程及WSS剝除工程後，半導體晶圓及治具的俯視圖

〔第45圖〕第44圖之X13-X13線的剖面圖

〔第46圖〕第40圖之TEG加工工程中半導體晶圓的主要部分剖面圖

〔第47圖〕第40圖之TEG加工工程後半導體晶圓的主要部分剖面圖

〔第48圖〕第40圖之分割工程中半導體晶圓的主要部分放大剖面圖

〔第49圖］藉由第40圖之分割工程從半導體晶圓切出之半導體晶片的整體俯視圖

〔第50圖〕第49圖之X14-X14線的剖面圖

〔第51圖〕本發明其他實施方式亦即半導體裝置之製造工程中，在雷射照射工程中之半導體晶圓的主要部分剖面圖

〔第52圖〕第51圖之下個TEG加工工程中，半導體晶圓的主要部分剖面圖

〔第53圖〕TEG加工工程後半導體晶圓的主要部分剖面圖

〔第54圖〕第53圖之X15-X15線的剖面圖

〔第55圖〕第53圖之下個分割工程中，半導體晶圓的主要部分剖面圖

〔第56圖〕藉由第55圖之分割工程從半導體晶圓切出之半導體晶片的整體俯視圖

〔第57圖〕第56圖之X16-X16線的剖面圖

［第58圖〕本發明其他實施方式亦即半導體裝置之製造工程中，在TEG加工工程中之半導體晶圓的主要部分剖面圖

〔第59圖〕第58圖之TEG加工工程後，半導體晶圓的主要部分部面圖

〔第60圖〕第59圖之下個分割工程中，半導體晶圓的主要部分放大剖面圖

〔第61圖〕本發明更其他實施方式亦即半導體裝置 之製造工程中，在TEG加工工程中之半導體晶圓的主要部分剖面圖

〔第62圖〕第61圖之下個分割工程中，半導體晶圓的主要部分放大剖面圖

〔第63圖〕第63圖係TEG加工工程中半導體晶圓的主要部分放大剖面圖

〔第64圖〕表示第24圖之變形例之半導體晶片及配線基板的剖面圖

〔第65圖〕分割半導體晶圓時，表示龜裂之進展方向型態的主要部分剖面圖

5‧‧‧開口部

1W‧‧‧半導體晶圓

1C‧‧‧半導體晶片

1LB‧‧‧接合焊墊

1LBt‧‧‧測試用接合焊墊

CR‧‧‧切斷區域(晶片分離區域)

CL‧‧‧切斷線

PR‧‧‧改質區域

Claims (25)

1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵係具有(a)準備沿著厚度方向具有互相為相反側之主面與背面之半導體晶圓的工程；(b)於上述半導體晶圓之主面形成元件的工程；(c)於上述半導體晶圓之主面上形成配線層的工程；(d)將上述半導體晶圓薄型化的工程；(e)沿著上述半導體晶圓之晶片分離區域，於上述半導體晶圓內部對準聚光點來照射雷射，藉此形成之後之半導體晶圓切斷工程中作為上述半導體晶圓之分割起點之改質區域的工程；及(f)藉由折彎上述半導體晶圓，將上述改質區域作為起點，切斷上述半導體晶圓而分割為半導體晶片的工程；上述(e)工程中，係將上述雷射，照射在上述晶片分離區域之檢查用焊墊的側端。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，係使上述檢查用焊墊靠近上述晶片分離區域之單側來配置。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，上述配線層係具有低介電率膜。
4. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵係具有(a)準備沿著厚度方向具有互相為相反側之主面與背面之半導體晶圓的工程；(b)於上述半導體晶圓之主面形成元件的工程；(c)於上述半導體晶圓之主面上形成配線層的工程；(d)將上述半導體晶圓薄型化的工程；(e)沿著上述半導體晶圓之晶片分離區域，於上述半導體晶圓內部對準聚光點來照射雷射，藉此形成之後之半導體晶圓切斷工程中作為上述半導體晶圓之分割起點之改質區域的工程；及(f)藉由折彎上述半導體晶圓，將上述改質區域作為起點，切斷上述半導體晶圓而分割為半導體晶片的工程；在上述(f)工程之前，具有對配置於上述晶片分離區域之檢查用焊墊，形成在上述(f)工程中作為上述檢查用焊墊之分割起點之溝或孔的工程。
5. 如申請專利範圍第4項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，係具有在上述檢查用焊墊之鄰接之間形成金屬圖案，而在對上述檢查用焊墊形成上述溝或孔之工程中，也於上述金屬圖案形成溝或孔的工程。
6. 如申請專利範圍第5項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，上述配線層係具有低介電率膜。
7. 如申請專利範圍第5項所記載之半導體裝置之製 造方法，其中，交叉於上述金屬圖案之切斷線之方向的長度，係比交叉於上述檢查用焊墊之上述切斷線之方向的長度要短。
8. 如申請專利範圍第5項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，係以雷射形成上述溝或孔。
9. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵係具有(a)準備沿著厚度方向具有互相為相反側之主面與背面之半導體晶圓的工程；(b)於上述半導體晶圓之主面形成元件的工程；(c)於上述半導體晶圓之主面上形成配線層的工程；(d)將上述半導體晶圓薄型化的工程；(e)沿著上述半導體晶圓之晶片分離區域，於上述半導體晶圓內部對準聚光點來照射雷射，藉此形成之後之半導體晶圓切斷工程中作為上述半導體晶圓之分割起點之改質區域的工程；(f)將配置於上述半導體晶圓之晶片分離區域之檢查用焊墊，加以去除的工程；及(g)以上述改質區域作為起點，切斷上述半導體晶圓而分割為半導體晶片的工程。
10. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，上述(g)工程中，係藉由折彎上述半導體晶圓，以上述改質區域作為起點，切斷上述半導體晶圓而分割為半導體晶片。
11. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，上述(f)工程中，係藉由刀片切割方式來去除上述檢查用焊墊。
12. 如申請專利範圍第11項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，係藉由上述刀片切割方式，在上述晶片分割區域之上述配線層上面形成溝。
13. 如申請專利範圍第9項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，上述(f)工程中，藉由對上述檢查用焊墊照射比上述(e)工程時之第1雷射更短波長的第2雷射，熔融上述檢查用焊墊來加以去除。
14. 如申請專利範圍第13項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，上述(f)工程中，藉由上述第2雷射之照射，在上述晶片分離區域之上述配線層上面形成溝或孔；上述(g)工程中，藉由折彎上述半導體晶圓，以上述改質區域及上述溝或孔為起點，切斷上述半導體晶圓。
15. 一種半導體裝置之製造方法，係包含以下工程：(a)準備半導體晶圓的工程，該半導體晶圓具有：主面，上述主面之相反側的背面，形成上述主面的多數晶片區域，設於上述多數晶片區域之間的切斷區域，及形成於上述切斷區域的圖案；(b)對上述半導體晶圓之上述切斷區域照射雷射光的工程；及(c)於上述(b)工程之後，藉由切割鋸除去上述焊 墊的工程。
16. 如申請專利範圍第15項之半導體裝置之製造方法，其中於上述(b)工程，係對上述圖案之兩側照射雷射光。
17. 如申請專利範圍第15項之半導體裝置之製造方法，其中形成於上述半導體晶圓之上述切斷區域的上述圖案，係金屬形成之測試用焊墊或對準靶。
18. 如申請專利範圍第15項之半導體裝置之製造方法，其中上述多數晶片區域之各個，係具有：積體電路；及電連接於上述積體電路的多數接合焊墊。
19. 如申請專利範圍第18項之半導體裝置之製造方法，其中於上述半導體晶圓之上述主面，以使上述圖案及上述接合焊墊之各別之一部分露出的方式，形成保護膜。
20. 如申請專利範圍第19項之半導體裝置之製造方法，其中上述雷射光，係由上述半導體晶圓之上述背面側照射。
21. 如申請專利範圍第16項之半導體裝置之製造方法，其中於上述(c)工程之後，折彎上述半導體晶圓。
22. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為包含以下工程：(a)準備半導體晶圓的工程，該半導體晶圓係具備：基板，其具有表面及和上述表面為相反側的背面；層間絕緣膜，被形成於上述基板之上述表面；第1晶片區域，形成於上述基板之上述表面上；第2晶片區域，形成於上述基板之上述表面上，而且和上述第1晶片區域鄰接被配置；切斷區域，於上述基板之上述表面上，而且俯視時被設於上述第1晶片區域與上述第2晶片區域之間；及金屬圖案，形成於上述基板之上述表面上，而且俯視時被形成於上述切斷區域，而且俯視時被配置於上述第1晶片區域與上述第2晶片區域之間；(b)於上述工程(a)之後，俯視時於上述第1晶片區域與上述金屬圖案之間，而且沿著上述切斷區域照射雷射光，而於上述半導體晶圓之上述切斷區域內形成第1改質區域，俯視時於上述第2晶片區域與上述金屬圖案之間，而且沿著上述切斷區域照射雷射光，而於上述半導體晶圓之上述切斷區域內形成第2改質區域的工程；及(c)於上述工程(b)之後，俯視時於上述第1改質區域與上述第2改質區域之間，而且沿著上述切斷區域移動切斷鋸(dicing saw)，而將上述金屬圖案，上述層間絕緣膜及上述基板除去的工程；其中，上述層間絕緣膜係具有配線層及低介電率膜， 上述基板係由矽構成，上述低介電率膜係較上述基板脆，於上述工程(b)，俯視時係對和上述金屬圖案不重疊之部分分別照射雷射光，上述切割鋸之寬度，係小於上述第1改質區域與上述第2改質區域間之間隔。
23. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中上述低介電率膜，係由有機聚合物或有機二氧化矽玻璃形成。
24. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中於上述工程(b)，上述第1及第2改質區域，係形成於上述基板之內部。
25. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中於上述工程(a)之後，而且於上述工程(b)之前，係在上述半導體晶圓之上述表面上將捲帶(Tape)予以貼合，對上述半導體晶圓之上述背面實施研磨，於上述工程(b)之後，而且於上述工程(c)之前，由上述半導體晶圓將上述捲帶予以除去。