JP4302491B2 - 枚葉式真空処理装置 - Google Patents
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Description
被処理基板の被処理面における上記反射光の検出工程では、当該反射光の反射率や反射光量、その強度分布等が測定対象とされる。被処理基板の被処理面の性状、特に、被処理面が金属層か絶縁層かによって反射光量が大きく変化する。
従って、検査光の反射光量の大きさによって、被処理面が金属層か絶縁層かで被処理基板を識別することが可能となり、例えば、絶縁膜のエッチング処理室に対して、被処理面に金属層を有する被処理基板が誤って搬送されることが防止される。
つまり、同じ検出手段を用いて、処理前の被処理基板においては異品種混入の検査に用い、処理後の被処理基板においてはその被処理面に対して行われた処理の適否を判定に用いることができる。
図1〜3は本発明の第1の実施の形態を示している。
ここで、図1は本実施の形態の枚葉式真空処理装置10の概略構成を示す平面図、図2は枚葉式真空処理装置10の要部の断面図、図3は枚葉式真空処理装置10の要部の斜視図である。
調整は、Siウェーハで約95%に光量を合わせて校正を行い、これを100%に換算した値を反射光量情報とする。このため、被処理面がより反射率の高い金属層の場合にはオーバーレンジとなるので金属層の識別が確実となる。
ウェーハWに対する一連の処理が完了すると、再びL/UL室11AへウェーハWが搬送される。そして、L/UL室11Aの内部が大気圧とされた後、ゲートバルブ15が開放され、第2搬送ロボット17を介して処理済ウェーハWをウェーハカセット18Bへ収容する。第2搬送ロボット17は続いて未処理のウェーハWをウェーハカセット18Aから取出し、検出器19の直下位置へウェーハWを搬送する。
続いて、本発明の第2の実施の形態について説明する。
図5は本発明の第2の実施の形態による枚葉式真空処理装置25の概略構成を示す平面図である。なお、図において上述の第1の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
この構成によっても上述の第1の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。
(1)Alターゲット表面の不純物の付着による、ウェーハ被処理面の白濁化、
(2)ウェーハWのチャック不良に起因するウェーハの過熱によるAl膜表面の凹凸、
(3)ターゲットが削れて下地金属と共にスパッタされることによるAl膜の純度低下。
このとき、反射率が所定基準値より低く膜質異常と判定した場合には、処理を中止し、警報等を発動させるようにしている。
11A L/UL室
11B〜11F 真空処理室
12 真空搬送室
13A〜13F ゲートバルブ
14 第1搬送ロボット
15 ゲートバルブ
16 大気室
17 第2搬送ロボット
18A,18B ウェーハカセット
19 検出器
19a 発光部
19b 受光センサ
20 判定ユニット
25 枚葉式真空処理装置
La 検査光
Lb 反射光
W ウェーハ
Claims (2)
- 被処理基板に金属膜を成膜する成膜室を含み、クラスター状に配置された複数の真空処理室と、
前記各真空処理室に対して前記被処理基板を一枚ずつ搬送する搬送手段を有した真空搬送室と、
前記真空搬送室に対してゲートバルブを介して配置され前記真空搬送室との間で前記被処理基板の授受を行う大気室と、
前記大気室に設置され、前記大気室に搬送された成膜前の前記被処理基板の被処理面に第1の検査光を照射してその反射光を検出する第1の検出器と、
前記第1の検出器の出力に基づいて前記被処理面における前記第1の検査光の反射率を測定し、前記反射率が第1の所定基準値よりも低い場合に前記被処理基板が適正な品種であると判定する第1の判定ユニットと、
前記真空搬送室に設置され、前記成膜室から前記真空搬送室に搬送された成膜後の前記被処理基板の被処理面に第2の検査光を照射してその反射光を検出する第2の検出器と、
前記第2の検出器の出力に基づいて前記被処理面における前記第2の検査光の反射率を測定し、前記反射率が第2の所定基準値以上である場合に前記被処理面に成膜された金属膜が適正であると判定する第2の判定ユニットと
を具備する枚葉式真空処理装置。 - 請求項1に記載の枚葉式真空処理装置であって、
前記第1及び第2の検出ユニットは、可視光光源と受光センサとを含むユニット体でなる
枚葉式真空処理装置。
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