JPH07201952A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH07201952A JPH07201952A JP34974493A JP34974493A JPH07201952A JP H07201952 A JPH07201952 A JP H07201952A JP 34974493 A JP34974493 A JP 34974493A JP 34974493 A JP34974493 A JP 34974493A JP H07201952 A JPH07201952 A JP H07201952A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- stage
- manufacturing apparatus
- processing container
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエッチング装置等の処理容器内のステ
ージにウェハを載置する際の位置ずれを防止して、異常
放電等に起因する歩留りの低下を防止する。 【構成】 半導体基板50を搬送ロボット11のロボッ
トアーム12上に載置し、処理容器(図示なし)内に搬
送する。半導体基板50の載置されるステージ30の凹
部の外周部には3箇所に反射型フォトセンサ1が埋設さ
れ、半導体基板50の最外周を検知できるようになって
いる。各反射型フォトセンサは、半導体基板が正規の位
置にあれば基板からの反射光を検出し、位置ずれがあれ
ば何れかのセンサが反射光を検出できないことになる。
各フォトセンサによって検出された位置信号20は情報
処理ユニット10に伝達され、情報処理ユニット10は
補正信号21を生成して搬送ロボット11に伝達する。
ージにウェハを載置する際の位置ずれを防止して、異常
放電等に起因する歩留りの低下を防止する。 【構成】 半導体基板50を搬送ロボット11のロボッ
トアーム12上に載置し、処理容器(図示なし)内に搬
送する。半導体基板50の載置されるステージ30の凹
部の外周部には3箇所に反射型フォトセンサ1が埋設さ
れ、半導体基板50の最外周を検知できるようになって
いる。各反射型フォトセンサは、半導体基板が正規の位
置にあれば基板からの反射光を検出し、位置ずれがあれ
ば何れかのセンサが反射光を検出できないことになる。
各フォトセンサによって検出された位置信号20は情報
処理ユニット10に伝達され、情報処理ユニット10は
補正信号21を生成して搬送ロボット11に伝達する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に、ドライエッチング装置のような真空処理容器
内においてウェハに所定の処理を施す半導体製造装置に
関するものである。
し、特に、ドライエッチング装置のような真空処理容器
内においてウェハに所定の処理を施す半導体製造装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】ドライエッチング装置等の処理容器内の
ステージ上に半導体基板(ウェハ)を載置する場合、従
来より、処理容器外で事前に光学的手法等により半導体
基板の位置合わせを行った上で搬送ロボット等の搬送シ
ステムにより処理容器内のステージ上に載置する方法が
採られている。この従来例について図3を参照して説明
する。処理容器外で位置合わせを行った半導体基板50
は、搬送ロボット11のロボットアーム12上に載せら
れ処理容器内のステージ30上に搬送される。その後リ
フトピン31によって持ち上げられた後、ロボットアー
ム12が後退しリフトピン31が下降することによっ
て、図4(a)に示すように、ステージ30上に載置さ
れる。
ステージ上に半導体基板(ウェハ)を載置する場合、従
来より、処理容器外で事前に光学的手法等により半導体
基板の位置合わせを行った上で搬送ロボット等の搬送シ
ステムにより処理容器内のステージ上に載置する方法が
採られている。この従来例について図3を参照して説明
する。処理容器外で位置合わせを行った半導体基板50
は、搬送ロボット11のロボットアーム12上に載せら
れ処理容器内のステージ30上に搬送される。その後リ
フトピン31によって持ち上げられた後、ロボットアー
ム12が後退しリフトピン31が下降することによっ
て、図4(a)に示すように、ステージ30上に載置さ
れる。
【0003】近年、スループット能力の向上を目的とし
てマルチチャンバシステムが多く採用されるようになっ
てきているが、このようなシステムにおいては、第1の
処理容器に搬入する際には、単体の処理容器のみを有す
るシステムの場合と同様に、処理容器外で光学的手法等
により半導体基板の位置合わせを行った上で容器内に搬
入しステージ上に載置している。しかし、第2、第3の
処理容器内に搬入する際には新たに位置合わせを行うこ
となく搬送ロボットにより処理容器間を移送していた。
てマルチチャンバシステムが多く採用されるようになっ
てきているが、このようなシステムにおいては、第1の
処理容器に搬入する際には、単体の処理容器のみを有す
るシステムの場合と同様に、処理容器外で光学的手法等
により半導体基板の位置合わせを行った上で容器内に搬
入しステージ上に載置している。しかし、第2、第3の
処理容器内に搬入する際には新たに位置合わせを行うこ
となく搬送ロボットにより処理容器間を移送していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来例では、例
えばマルチチャンバシステムの場合、第1処理容器内の
ステージ上からの半導体基板の脱離が正常に行われず半
導体基板の位置ずれを生じた場合には、第2処理容器以
降のステージ上への正確な載置が行われなくなる。特
に、静電吸着法により半導体基板を固定するステージを
用いた場合、所定の処理が終了した後も半導体基板とス
テージとの間には残留吸着力が残りやすく、図3に示し
たリフトピン31を上昇し半導体基板50を持ち上げる
際に、半導体基板50が跳ねたり斜めに持ち上げられた
りするため位置ずれが生じやすい。
えばマルチチャンバシステムの場合、第1処理容器内の
ステージ上からの半導体基板の脱離が正常に行われず半
導体基板の位置ずれを生じた場合には、第2処理容器以
降のステージ上への正確な載置が行われなくなる。特
に、静電吸着法により半導体基板を固定するステージを
用いた場合、所定の処理が終了した後も半導体基板とス
テージとの間には残留吸着力が残りやすく、図3に示し
たリフトピン31を上昇し半導体基板50を持ち上げる
際に、半導体基板50が跳ねたり斜めに持ち上げられた
りするため位置ずれが生じやすい。
【0005】半導体基板が位置ずれをを起こした状態で
ステージ上へ載置された場合、ステージの基板載置部は
凹部に形成されているため、図4(b)に示されるよう
に、半導体基板50はステージ30上の凸部に乗り上げ
た状態となる。この状態で例えばプラズマ等による処理
がおこなわれると、半導体基板50とステージ30の間
にプラズマ(反応ガスを用いるものに関しては反応ガ
ス)が回り込むこととなり、正常な処理が行われないよ
うになる。その結果、歩留りの低下や異常放電による電
極の劣化を招き、大きな損害を受ける。
ステージ上へ載置された場合、ステージの基板載置部は
凹部に形成されているため、図4(b)に示されるよう
に、半導体基板50はステージ30上の凸部に乗り上げ
た状態となる。この状態で例えばプラズマ等による処理
がおこなわれると、半導体基板50とステージ30の間
にプラズマ(反応ガスを用いるものに関しては反応ガ
ス)が回り込むこととなり、正常な処理が行われないよ
うになる。その結果、歩留りの低下や異常放電による電
極の劣化を招き、大きな損害を受ける。
【0006】また、単独の処理容器のみを用いるシステ
ムにおいては事前に半導体基板の位置合わせを行った上
でステージ上に載置してはいるが、搬送ロボット等の搬
送システムが経時変化等により搬送精度が低下すること
があり、この場合には、上述のマルチチャンバシステム
の場合と同様に半導体基板の位置ずれを起こすことにな
り、上記の場合と同様の不都合を招くことになる。
ムにおいては事前に半導体基板の位置合わせを行った上
でステージ上に載置してはいるが、搬送ロボット等の搬
送システムが経時変化等により搬送精度が低下すること
があり、この場合には、上述のマルチチャンバシステム
の場合と同様に半導体基板の位置ずれを起こすことにな
り、上記の場合と同様の不都合を招くことになる。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明によれば、搬送ロボット(11)を用いて半
導体基板を処理容器(40)内のステージ(30)上に
載置し所定の処理を行う半導体製造装置において、前記
処理容器内には半導体基板の位置検出手段(1、2)
と、位置補正手段(12)とが備えられていること特徴
とする半導体製造装置が提供される。
め、本発明によれば、搬送ロボット(11)を用いて半
導体基板を処理容器(40)内のステージ(30)上に
載置し所定の処理を行う半導体製造装置において、前記
処理容器内には半導体基板の位置検出手段(1、2)
と、位置補正手段(12)とが備えられていること特徴
とする半導体製造装置が提供される。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0009】[第1の実施例]図1は、本発明の第1の
実施例の要部を示す平面図と断面図である。半導体基板
50を搬送ロボット11のロボットアーム12上に載置
し、処理容器(図示なし)内に搬送する。処理容器内に
は半導体基板を載置するためのステージ30が設置され
ている。ステージ30凹部の外周部には3箇所に反射型
フォトセンサ1が埋設され、半導体基板50の最外周を
検知できるようになっている。ここで、3箇所の反射型
フォトセンサの内1箇所は半導体基板50のオリエンテ
ーション・フラットを検知できる位置にある。
実施例の要部を示す平面図と断面図である。半導体基板
50を搬送ロボット11のロボットアーム12上に載置
し、処理容器(図示なし)内に搬送する。処理容器内に
は半導体基板を載置するためのステージ30が設置され
ている。ステージ30凹部の外周部には3箇所に反射型
フォトセンサ1が埋設され、半導体基板50の最外周を
検知できるようになっている。ここで、3箇所の反射型
フォトセンサの内1箇所は半導体基板50のオリエンテ
ーション・フラットを検知できる位置にある。
【0010】ロボットアーム12上に載置されてステー
ジ30上に搬送されてきた半導体基板50は、ステージ
上で反射型フォトセンサ1によってその位置が検出され
る。ここで、3つの反射型フォトセンサは、各々自ら発
した光が半導体基板50によって反射され戻ってきた光
を検知することによって半導体基板50の存在を検出す
る。半導体基板50の載置位置がずれていた場合、位置
ずれ方向と反対に位置する少なくとも1つの反射型フォ
トセンサが半導体基板50の存在を検知できないことに
なる。よって、各々の反射型フォトセンサによって半導
体基板50の存在の有無を検出することによって、半導
体基板50の位置ずれの有無および位置ずれ方向を検知
することができる。
ジ30上に搬送されてきた半導体基板50は、ステージ
上で反射型フォトセンサ1によってその位置が検出され
る。ここで、3つの反射型フォトセンサは、各々自ら発
した光が半導体基板50によって反射され戻ってきた光
を検知することによって半導体基板50の存在を検出す
る。半導体基板50の載置位置がずれていた場合、位置
ずれ方向と反対に位置する少なくとも1つの反射型フォ
トセンサが半導体基板50の存在を検知できないことに
なる。よって、各々の反射型フォトセンサによって半導
体基板50の存在の有無を検出することによって、半導
体基板50の位置ずれの有無および位置ずれ方向を検知
することができる。
【0011】3つの反射型フォトセンサ1によって検出
された各々の位置信号20つまり半導体基板50の存在
の有無の信号は信号ケーブルを通して情報処理ユニット
10に伝達される。情報処理ユニット10では、3つの
反射型フォトセンサ1によって検出された位置信号20
をもとに半導体基板50の位置のずれの有無および位置
ずれ方向を判断し、位置補正信号21を生成して信号ケ
ーブルを通して搬送ロボット11に送る。この補正信号
21に従い搬送ロボット11は半導体基板50の位置を
補正する方向に移動する。その結果、基板位置は補正さ
れる。しかし、十分な補正がなされていなかった場合に
は、上記の動作を3つの反射型フォトセンサ1のすべて
が半導体基板50の存在を検知できるまで続ける。
された各々の位置信号20つまり半導体基板50の存在
の有無の信号は信号ケーブルを通して情報処理ユニット
10に伝達される。情報処理ユニット10では、3つの
反射型フォトセンサ1によって検出された位置信号20
をもとに半導体基板50の位置のずれの有無および位置
ずれ方向を判断し、位置補正信号21を生成して信号ケ
ーブルを通して搬送ロボット11に送る。この補正信号
21に従い搬送ロボット11は半導体基板50の位置を
補正する方向に移動する。その結果、基板位置は補正さ
れる。しかし、十分な補正がなされていなかった場合に
は、上記の動作を3つの反射型フォトセンサ1のすべて
が半導体基板50の存在を検知できるまで続ける。
【0012】位置補正が完了した半導体基板50は、従
来例の場合と同様に、リフトピン31によって持ち上げ
られ、ロボットアーム12が後退したのちリフトピン3
1が下降することによってステージ30上の所定の位置
に正確に載置されることになる。
来例の場合と同様に、リフトピン31によって持ち上げ
られ、ロボットアーム12が後退したのちリフトピン3
1が下降することによってステージ30上の所定の位置
に正確に載置されることになる。
【0013】[第2の実施例]図2(a)、(b)は、
本発明の第2の実施例の要部を示す横断面図と縦断面図
である。半導体基板50を搬送ロボット11のロボット
アーム12上に載置し、処理容器40内に搬送する。処
理容器40内には半導体基板50を載置するためのステ
ージ30が設置されている。処理容器40の内側壁には
2個1組の透過型フォトセンサ2が3組半導体基板50
の最外周を検知できるように設置されている。発光側フ
ォトセンサから出射されたセンサ光3は斜めに半導体基
板50の外周を横切り受光側フォトセンサに入射するよ
うに構成されている。
本発明の第2の実施例の要部を示す横断面図と縦断面図
である。半導体基板50を搬送ロボット11のロボット
アーム12上に載置し、処理容器40内に搬送する。処
理容器40内には半導体基板50を載置するためのステ
ージ30が設置されている。処理容器40の内側壁には
2個1組の透過型フォトセンサ2が3組半導体基板50
の最外周を検知できるように設置されている。発光側フ
ォトセンサから出射されたセンサ光3は斜めに半導体基
板50の外周を横切り受光側フォトセンサに入射するよ
うに構成されている。
【0014】ここで、3組の透過型フォトセンサの内1
組は半導体基板50のオリエンテーション・フラットを
検知できる位置にある。ロボットアーム12上に載置さ
れステージ30上に搬送されてきた半導体基板50は透
過型フォトセンサ2によって位置ずれの有無および位置
ずれ方向が検出されることとなる。ここで3組の透過型
センサは、各々一方のセンサが発したセンサ光3が半導
体基板50によって遮断され、もう一方のセンサにて検
出できなくなることによって半導体基板50の存在を検
知する。半導体基板50の載置位置がずれていた場合、
位置ずれ方向と反対に位置する少なくとも1組の透過型
フォトセンサが半導体基板50の存在を検知できないこ
とになる。よって、各組の透過型フォトセンサ2によっ
て得られた半導体基板存在検出信号によって、半導体基
板50の位置ずれの有無および位置ずれ方向を検知する
ことができる。
組は半導体基板50のオリエンテーション・フラットを
検知できる位置にある。ロボットアーム12上に載置さ
れステージ30上に搬送されてきた半導体基板50は透
過型フォトセンサ2によって位置ずれの有無および位置
ずれ方向が検出されることとなる。ここで3組の透過型
センサは、各々一方のセンサが発したセンサ光3が半導
体基板50によって遮断され、もう一方のセンサにて検
出できなくなることによって半導体基板50の存在を検
知する。半導体基板50の載置位置がずれていた場合、
位置ずれ方向と反対に位置する少なくとも1組の透過型
フォトセンサが半導体基板50の存在を検知できないこ
とになる。よって、各組の透過型フォトセンサ2によっ
て得られた半導体基板存在検出信号によって、半導体基
板50の位置ずれの有無および位置ずれ方向を検知する
ことができる。
【0015】3組の透過型フォトセンサ2によって検出
された各々の位置信号つまり半導体基板50の存在の有
無を示す信号は先の実施例の場合と同様に半導体基板の
位置補正に用いられる。この実施例の変更例として、透
過型フォトセンサの一方をステージ30に埋め込み、他
方を容器側に設けるようにしてもよい。
された各々の位置信号つまり半導体基板50の存在の有
無を示す信号は先の実施例の場合と同様に半導体基板の
位置補正に用いられる。この実施例の変更例として、透
過型フォトセンサの一方をステージ30に埋め込み、他
方を容器側に設けるようにしてもよい。
【0016】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、本願発明の要旨を変更しない範囲内において各種の
変更が可能である。例えば、実施例では、フォトセンサ
を用いて半導体基板の位置検出を行っていたが、これに
代え容量センサ等の他の検出手段を用いることができ
る。また、センサの数も3個に限定されるものではなく
より多くのセンサを設置するようにしてもよい。
本発明はこれら実施例に限定されるされるものではな
く、本願発明の要旨を変更しない範囲内において各種の
変更が可能である。例えば、実施例では、フォトセンサ
を用いて半導体基板の位置検出を行っていたが、これに
代え容量センサ等の他の検出手段を用いることができ
る。また、センサの数も3個に限定されるものではなく
より多くのセンサを設置するようにしてもよい。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体製造装置では、処理容器内に半導体基板の位置検出手
段と位置補正手段が設けられたので、搬送ロボット等の
搬送システムの搬送精度の低下により半導体基板のステ
ージ上への正確な載置が行われなかった場合や、2つ以
上の処理容器が配置され半導体基板を搬送ロボット等の
搬送システムを用い順次搬送する際に、前段の処理容器
内のステージ上からの半導体基板の脱離が正常に行われ
ず半導体基板の位置ずれを生じた場合においても、半導
体基板の位置ずれを検知し位置補正を行うことが可能と
なる。よって、半導体基板の位置ずれに起因する反応ガ
スの回り込みや異常放電を防止することができ、歩留り
の低下や電極の劣化を未然に防止することが可能とな
る。
体製造装置では、処理容器内に半導体基板の位置検出手
段と位置補正手段が設けられたので、搬送ロボット等の
搬送システムの搬送精度の低下により半導体基板のステ
ージ上への正確な載置が行われなかった場合や、2つ以
上の処理容器が配置され半導体基板を搬送ロボット等の
搬送システムを用い順次搬送する際に、前段の処理容器
内のステージ上からの半導体基板の脱離が正常に行われ
ず半導体基板の位置ずれを生じた場合においても、半導
体基板の位置ずれを検知し位置補正を行うことが可能と
なる。よって、半導体基板の位置ずれに起因する反応ガ
スの回り込みや異常放電を防止することができ、歩留り
の低下や電極の劣化を未然に防止することが可能とな
る。
【0018】さらに、本発明によれば、経時変化に起因
する搬送精度の低下の復旧作業である搬送ロボットの再
調整に要していた時間を削減することが可能となり、装
置稼働率を従来の80%から90%まで向上させること
ができる。その結果、生産性の向上を図ることができ最
終的には半導体装置の製造コストの低減を果たすことが
できる。
する搬送精度の低下の復旧作業である搬送ロボットの再
調整に要していた時間を削減することが可能となり、装
置稼働率を従来の80%から90%まで向上させること
ができる。その結果、生産性の向上を図ることができ最
終的には半導体装置の製造コストの低減を果たすことが
できる。
【図1】本発明の第1の実施例の要部を示す平面図と断
面図。
面図。
【図2】本発明の第2の実施例の要部の横断面図と縦断
面図。
面図。
【図3】従来例の側面図。
【図4】ステージ上への半導体基板の載置状態を示す断
面図。
面図。
1 反射型フォトセンサ 2 透過型フォトセンサ 3 センサ光 10 情報処理ユニット 11 搬送ロボット 12 ロボットアーム 20 位置信号 21 位置補正信号 30 ステージ 31 リフトピン 40 処理容器 50 半導体基板
Claims (8)
- 【請求項1】 搬送ロボットを用いて半導体基板を処理
容器内のステージ上に載置し所定の処理を行う半導体製
造装置において、前記処理容器内には半導体基板の位置
検出手段と、位置補正手段とが備えられていること特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項2】 処理容器が多段に設けられ、搬送ロボッ
トを用いて半導体基板を前段の処理容器内から次段の処
理容器内に搬入してステージ上に載置し、順次所定の処
理を行う半導体製造装置において、少なくとも初段以外
の処理容器内には半導体基板の位置検出手段と、位置補
正手段とが備えられていること特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項3】 前記位置検出手段が、半導体基板の周辺
部を検出する複数の反射型または透過型フォトセンサに
より構成されていることを特徴とする請求項1または2
記載の半導体製造装置。 - 【請求項4】 前記位置検出手段が、前記ステージ上お
よび/または前記処理容器側壁上に設けられていること
を特徴とする請求項1または2記載の半導体製造装置。 - 【請求項5】 前記処理容器内において、半導体基板に
対してプラズマ雰囲気での処理が行われることを特徴と
する請求項1または2記載の半導体製造装置。 - 【請求項6】 前記位置補正手段が、前記搬送ロボット
の機能の一つであることを特徴とする請求項1または2
記載の半導体製造装置。 - 【請求項7】 前記位置補正手段は、前記位置検出手段
の検出した位置情報に基づいてコントロールされるもの
であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体
製造装置。 - 【請求項8】 情報処理手段が前記位置検出手段の検出
した位置信号に基づいて位置補正信号を形成し、前記搬
送ロボットは該位置補正信号に基づいて前記位置補正手
段を駆動することを特徴とする請求項1または2記載の
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34974493A JP2908227B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34974493A JP2908227B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07201952A true JPH07201952A (ja) | 1995-08-04 |
JP2908227B2 JP2908227B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=18405813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34974493A Expired - Lifetime JP2908227B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2908227B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999016121A1 (fr) * | 1997-09-23 | 1999-04-01 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de detection de substrat |
JP2002353292A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理システム及び判別方法並びに基板処理方法 |
JP2006303249A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Ebara Corp | ウエハ受渡装置、ポリッシング装置、及びウエハ受け取り方法 |
JP2008300798A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Ulvac Japan Ltd | 基板搬送方法、及び基板搬送装置 |
KR100951149B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2010-04-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 프로그램을기록한 기록 매체 |
US7706907B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-04-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, computer program, and storage medium |
JP2012508456A (ja) * | 2008-11-06 | 2012-04-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 微小位置決めシステムを備える急速熱処理チャンバ |
WO2013011776A1 (ja) * | 2011-07-15 | 2013-01-24 | シャープ株式会社 | 基板処理装置、および薄膜太陽電池の製造装置 |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP34974493A patent/JP2908227B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
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---|---|
JP2908227B2 (ja) | 1999-06-21 |
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