JP2001313327A - ウェーハ支持プレート - Google Patents
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 熱処理又は他の半導体形成工程において、ウ
ェーハが支持プレート上に正常に配置されているかどう
かを判断し、支持プレート上のウェーハの位置決め状態
を検出することができるウェーハ支持プレートを提供す
る。 【解決手段】 ウェーハ支持プレート１０は、支持プレ
ート本体と、支持プレート本体上に位置し、ウェーハを
受取り、支持する少なくとも３個の支持プロップ３０
と、支持プロップの傍で、支持プロップによって包囲さ
れる範囲内で支持プレート本体上にそれぞれ位置する少
なくとも３個の検出装置２３１〜２３６とからなる。さ
らに本発明のウェーハ支持プレートは、検出装置に接続
し、検出装置がウェーハの位置決め状態を異常であると
検出したときに起動してウェーハに施す半導体製造工程
を中断させる論理回路をさらに備える。
ェーハが支持プレート上に正常に配置されているかどう
かを判断し、支持プレート上のウェーハの位置決め状態
を検出することができるウェーハ支持プレートを提供す
る。 【解決手段】 ウェーハ支持プレート１０は、支持プレ
ート本体と、支持プレート本体上に位置し、ウェーハを
受取り、支持する少なくとも３個の支持プロップ３０
と、支持プロップの傍で、支持プロップによって包囲さ
れる範囲内で支持プレート本体上にそれぞれ位置する少
なくとも３個の検出装置２３１〜２３６とからなる。さ
らに本発明のウェーハ支持プレートは、検出装置に接続
し、検出装置がウェーハの位置決め状態を異常であると
検出したときに起動してウェーハに施す半導体製造工程
を中断させる論理回路をさらに備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体形成工程に
おいてウェーハを支持するウェーハ支持プレート（wafe
r suppouting plate）、特に、熱処理又は他の半導体形
成工程において、ウェーハが支持プレート上に正常に配
置されているかどうかを検出し、支持プレート上のウェ
ーハの位置決め状態（positioning condition）を検出
することができるウェーハ支持プレートに関するもので
ある。
おいてウェーハを支持するウェーハ支持プレート（wafe
r suppouting plate）、特に、熱処理又は他の半導体形
成工程において、ウェーハが支持プレート上に正常に配
置されているかどうかを検出し、支持プレート上のウェ
ーハの位置決め状態（positioning condition）を検出
することができるウェーハ支持プレートに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ウェーハは集積化の一途を
たどっており、ウェーハの製造技術も、６インチウェー
ハから８インチウェーハ、さらには１２インチウェーハ
にまで発展した。ウェーハの集積化に伴い、各ウェーハ
の製造コストも増加し続けている。このため、如何にし
て製造工程におけるウェーハの冗長率を減少し、ウェー
ハの損傷により生じる汚染問題を最小限にするかは、半
導体産業で関心の高まっている課題である。
たどっており、ウェーハの製造技術も、６インチウェー
ハから８インチウェーハ、さらには１２インチウェーハ
にまで発展した。ウェーハの集積化に伴い、各ウェーハ
の製造コストも増加し続けている。このため、如何にし
て製造工程におけるウェーハの冗長率を減少し、ウェー
ハの損傷により生じる汚染問題を最小限にするかは、半
導体産業で関心の高まっている課題である。
【０００３】通常、ウェーハが損傷する状況は、ウェー
ハ保管室又は反応室でウェーハを処理するとき、あるい
はウェーハをキャリヤで異なる位置に運搬するときに生
じうる。図１は、ウェーハ製造に用いられる一般のウェ
ーハ支持装置を示しており（公知技術）、このウェーハ
製造システムは支持プレート１０を含んでいる。さら
に、支持プレート１０には、少なくとも３個の支持プロ
ップ（supporting prop）１５が備えられている。一般
に、支持プロップ１５は直線上ではなく、ｎ角形（n-ag
on）型に配列されている（ｎ≧３）。図２（Ａ）及び図
２（Ｂ）は、支持プロップ１５を六角形型に配列するこ
とによりウェーハ２０を支持プレート１０上に配置する
ことを示している。各支持プロップ表面１１は、ウェー
ハ２０の縁に接触してウェーハ２０を支持しており、ウ
ェーハ面が支持プレート面と平行になっている。
ハ保管室又は反応室でウェーハを処理するとき、あるい
はウェーハをキャリヤで異なる位置に運搬するときに生
じうる。図１は、ウェーハ製造に用いられる一般のウェ
ーハ支持装置を示しており（公知技術）、このウェーハ
製造システムは支持プレート１０を含んでいる。さら
に、支持プレート１０には、少なくとも３個の支持プロ
ップ（supporting prop）１５が備えられている。一般
に、支持プロップ１５は直線上ではなく、ｎ角形（n-ag
on）型に配列されている（ｎ≧３）。図２（Ａ）及び図
２（Ｂ）は、支持プロップ１５を六角形型に配列するこ
とによりウェーハ２０を支持プレート１０上に配置する
ことを示している。各支持プロップ表面１１は、ウェー
ハ２０の縁に接触してウェーハ２０を支持しており、ウ
ェーハ面が支持プレート面と平行になっている。
【０００４】しかしながら、支持プレートと、ウェーハ
を運搬する機械アームなどの自動マニピュレーター（ao
utimatic manipulator）とは、長期運転により繰返し位
置精度を失う傾向がある。その結果、ウェーハを所定の
位置に配置することができず、このようなウェーハを反
応室内で処理した場合、温度分布や化学蒸着の不均一、
不規則な露出、損傷、ウェーハ間の衝突、さらには反応
室の破壊を生じることになる。
を運搬する機械アームなどの自動マニピュレーター（ao
utimatic manipulator）とは、長期運転により繰返し位
置精度を失う傾向がある。その結果、ウェーハを所定の
位置に配置することができず、このようなウェーハを反
応室内で処理した場合、温度分布や化学蒸着の不均一、
不規則な露出、損傷、ウェーハ間の衝突、さらには反応
室の破壊を生じることになる。
【０００５】さらに、欠陥のあるウェーハは、通常、大
規模の製造工程が行われるまで分類されない。言い換え
れば、工程を操作するオペレータやエンジニアは、問題
の発生時又は事前に知ることができない。その結果、製
造コストが増加し、製造計画が遅れてしまう。また、オ
ペレータやエンジニアが欠陥ウェーハ製造の原因を知る
ことができない程、上述の問題は複雑であるため、状況
がさらに困難なものとなり、修理に必要な時間が増加す
る。
規模の製造工程が行われるまで分類されない。言い換え
れば、工程を操作するオペレータやエンジニアは、問題
の発生時又は事前に知ることができない。その結果、製
造コストが増加し、製造計画が遅れてしまう。また、オ
ペレータやエンジニアが欠陥ウェーハ製造の原因を知る
ことができない程、上述の問題は複雑であるため、状況
がさらに困難なものとなり、修理に必要な時間が増加す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
実状に鑑みてなされ、熱処理又は他の半導体形成工程に
おいて、ウェーハが支持プレート上に正常に配置されて
いるかどうかを判断し、支持プレート上のウェーハの位
置決め状態を検出することができるウェーハ支持プレー
トを提供することを目的とする。
実状に鑑みてなされ、熱処理又は他の半導体形成工程に
おいて、ウェーハが支持プレート上に正常に配置されて
いるかどうかを判断し、支持プレート上のウェーハの位
置決め状態を検出することができるウェーハ支持プレー
トを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の問題を解決するた
め、本発明の具体例は、熱処理又は他の半導体形成工程
において、ウェーハが支持プレート上に正常に配置され
ているかどうかを判断し、支持プレート上のウェーハの
位置決め状態を検出することができるウェーハ支持プレ
ートを提供する。例えば、上述の検出装置によって、処
理されるウェーハの位置決め状態が異常であると検出さ
れた場合、工程は中断される。本発明によるこの予防手
段は、処理されるウェーハに防護手段を提供して、各ウ
ェーハの損傷、破損を防ぐ。さらに、本発明は、機械の
修理・調整時間を短縮するため、ウェーハの位置決めが
異常である原因を知る迅速な方法を提供する。
め、本発明の具体例は、熱処理又は他の半導体形成工程
において、ウェーハが支持プレート上に正常に配置され
ているかどうかを判断し、支持プレート上のウェーハの
位置決め状態を検出することができるウェーハ支持プレ
ートを提供する。例えば、上述の検出装置によって、処
理されるウェーハの位置決め状態が異常であると検出さ
れた場合、工程は中断される。本発明によるこの予防手
段は、処理されるウェーハに防護手段を提供して、各ウ
ェーハの損傷、破損を防ぐ。さらに、本発明は、機械の
修理・調整時間を短縮するため、ウェーハの位置決めが
異常である原因を知る迅速な方法を提供する。
【０００８】つまり、本発明は、半導体製造工程に適用
し、支持プレート本体と、支持プレート本体上に位置
し、ウェーハを受取り、支持する少なくとも３個の支持
プロップと、支持プロップの傍で、支持プロップによっ
て包囲される範囲内で支持プレート本体上にそれぞれ位
置し、全ての支持プロップがウェーハを正常且つ最良な
状態で支持しているかどうかを検出する少なくとも３個
の検出装置とを有するウェーハ支持プレートを提供す
る。
し、支持プレート本体と、支持プレート本体上に位置
し、ウェーハを受取り、支持する少なくとも３個の支持
プロップと、支持プロップの傍で、支持プロップによっ
て包囲される範囲内で支持プレート本体上にそれぞれ位
置し、全ての支持プロップがウェーハを正常且つ最良な
状態で支持しているかどうかを検出する少なくとも３個
の検出装置とを有するウェーハ支持プレートを提供す
る。
【０００９】さらに、本発明の他の具体例は、検出装置
に連結し、検出装置が支持プロップに位置するウェーハ
の位置決め状態が異常であることを検出したときに起動
して半導体形成工程を中断する論理回路をさらに含むウ
ェーハ支持プレートを提供する。
に連結し、検出装置が支持プロップに位置するウェーハ
の位置決め状態が異常であることを検出したときに起動
して半導体形成工程を中断する論理回路をさらに含むウ
ェーハ支持プレートを提供する。
【００１０】好ましくは、前記支持プロップは、前記ウ
ェーハを下から直接支持するウェーハ支持表面と、前記
支持表面上に突出し、前記ウェーハの移動を抑制するス
トッパとを有する。好ましくは、前記検出装置は、レー
ザーエミッタ／デテクター装置である。
ェーハを下から直接支持するウェーハ支持表面と、前記
支持表面上に突出し、前記ウェーハの移動を抑制するス
トッパとを有する。好ましくは、前記検出装置は、レー
ザーエミッタ／デテクター装置である。
【００１１】好ましくは、前記論理回路は少なくとも、
前記検出装置のうちの一つにそれぞれ対応して接続され
る複数の入力端子と出力端子とを含み、入力端子による
各検出装置からの論理信号１又は０を受信し、出力端子
により論理信号１又は０を出力するＡＮＤゲートと、前
記ＡＮＤゲートの前記出力端子に接続して前記ＡＮＤゲ
ートにより出力した論理信号１又は０を受信し、前記Ａ
ＮＤゲートの前記出力端子が論理信号０を出力した場合
に前記半導体製造工程を中断させる回路が形成されてい
る電流スイッチと、を有する。
前記検出装置のうちの一つにそれぞれ対応して接続され
る複数の入力端子と出力端子とを含み、入力端子による
各検出装置からの論理信号１又は０を受信し、出力端子
により論理信号１又は０を出力するＡＮＤゲートと、前
記ＡＮＤゲートの前記出力端子に接続して前記ＡＮＤゲ
ートにより出力した論理信号１又は０を受信し、前記Ａ
ＮＤゲートの前記出力端子が論理信号０を出力した場合
に前記半導体製造工程を中断させる回路が形成されてい
る電流スイッチと、を有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】上述した本発明の目的、特徴、及
び長所をより一層明瞭にするため、以下に本発明の好ま
しい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳し
く説明する。
び長所をより一層明瞭にするため、以下に本発明の好ま
しい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳し
く説明する。
【００１３】トラック（ＴＲＡＣＫ）システムの熱処理
プレートについて詳細に説明するが、本発明の精神と領
域を脱しない範囲内で各種の改変を加えることができ
る。本発明は、単一ウェーハ（single-wafer）又はマル
チウェーハ運搬システムを含む類似した機能を有する多
様な設備に応用することができる。
プレートについて詳細に説明するが、本発明の精神と領
域を脱しない範囲内で各種の改変を加えることができ
る。本発明は、単一ウェーハ（single-wafer）又はマル
チウェーハ運搬システムを含む類似した機能を有する多
様な設備に応用することができる。
【００１４】したがって、本発明の好ましい具体例は、
少なくとも３個のレーザーエミッタ／デテクター装置
（laser emitter/detector unit）などの複数の検出装
置を支持本体の表面に配列し、ウェーハの存在を確か
め、支持本体上のウェーハがオーバーハングしたり傾い
たりしていないかどうか検出するために、支持プレート
上のウェーハの位置決め状態を検出する。
少なくとも３個のレーザーエミッタ／デテクター装置
（laser emitter/detector unit）などの複数の検出装
置を支持本体の表面に配列し、ウェーハの存在を確か
め、支持本体上のウェーハがオーバーハングしたり傾い
たりしていないかどうか検出するために、支持プレート
上のウェーハの位置決め状態を検出する。
【００１５】さらに、本発明の他の具体例は、レーザー
エミッタ／デテクター装置に接続し製造工程に対する一
連の論理コマンド（logic command）を生成する論理回
路を提供する。
エミッタ／デテクター装置に接続し製造工程に対する一
連の論理コマンド（logic command）を生成する論理回
路を提供する。
【００１６】図３（Ａ）で示されるように、本発明の好
ましい具体例により、熱処理に用いられるトラックシス
テムのウェーハ支持プレート１０が提供される。そのう
ち、ＴＲＡＣＫシステムは、半導体光露光機（semicond
uctor lithography machine）である。図４（Ａ）を参
照すると、ウェーハ２０は自動マニピュレーターによっ
てＴＲＡＣＫシステムのウェーハ支持プレート１０に運
搬される。図４（Ｂ）で示されるようなウェーハ支持プ
レート１０は、その上に、六角形上に配列した状態で等
距離に位置する６個の支持プロップ３０を含む。図３
（Ｂ）で示されるように、各支持プロップ３０は、支持
表面３１とストッパ３２とを含む。ウェーハ２０が支持
プロップ３０の支持表面３１上に置かれたとき、ウェー
ハ２０の縁が支持される。さらに、図４（Ａ）を参照す
ると、各支持プロップ３０には、各支持表面３１上に突
出し、ウェーハの移動を水平方向に抑制するストッパ３
２が備えられている。全ストッパ３２の機能は結合し
て、ウェーハ２０が支持表面３１から落下するのを防
ぐ。最後に、図４（Ｂ）を参照すると、本発明の装置
は、支持プロップ３０近辺のウェーハ支持プレート１０
に載置される６個のレーザーエミッタ／デテクター装置
２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２３６
をさらに含む。各エミッタ／デテクター装置は、対応す
る支持プロップ３０の隣に位置し、対応する支持プロッ
プ３０よりも支持プレートの中心に近い。
ましい具体例により、熱処理に用いられるトラックシス
テムのウェーハ支持プレート１０が提供される。そのう
ち、ＴＲＡＣＫシステムは、半導体光露光機（semicond
uctor lithography machine）である。図４（Ａ）を参
照すると、ウェーハ２０は自動マニピュレーターによっ
てＴＲＡＣＫシステムのウェーハ支持プレート１０に運
搬される。図４（Ｂ）で示されるようなウェーハ支持プ
レート１０は、その上に、六角形上に配列した状態で等
距離に位置する６個の支持プロップ３０を含む。図３
（Ｂ）で示されるように、各支持プロップ３０は、支持
表面３１とストッパ３２とを含む。ウェーハ２０が支持
プロップ３０の支持表面３１上に置かれたとき、ウェー
ハ２０の縁が支持される。さらに、図４（Ａ）を参照す
ると、各支持プロップ３０には、各支持表面３１上に突
出し、ウェーハの移動を水平方向に抑制するストッパ３
２が備えられている。全ストッパ３２の機能は結合し
て、ウェーハ２０が支持表面３１から落下するのを防
ぐ。最後に、図４（Ｂ）を参照すると、本発明の装置
は、支持プロップ３０近辺のウェーハ支持プレート１０
に載置される６個のレーザーエミッタ／デテクター装置
２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２３６
をさらに含む。各エミッタ／デテクター装置は、対応す
る支持プロップ３０の隣に位置し、対応する支持プロッ
プ３０よりも支持プレートの中心に近い。
【００１７】図５は、本発明による好ましい位置決め状
態にあるウェーハ支持プレート上のウェーハを示す側面
図である。好ましい位置決め状態とは、支持されるウェ
ーハが６個の支持プロップ３０の全支持表面と接触し、
ウェーハの中心の真下が支持プレートの中心となること
を意味する。支持プロップ３０は、それぞれ同じ高さで
あるため、好ましい位置決め状態で支持プロップ３０上
に支持されているウェーハは、支持プレートの底面と平
行で同じ高さとなる。したがって、ウェーハをＴＲＡＣ
Ｋ熱処理設備内で焼くとき、熱はウェーハに対して均一
に伝わる。
態にあるウェーハ支持プレート上のウェーハを示す側面
図である。好ましい位置決め状態とは、支持されるウェ
ーハが６個の支持プロップ３０の全支持表面と接触し、
ウェーハの中心の真下が支持プレートの中心となること
を意味する。支持プロップ３０は、それぞれ同じ高さで
あるため、好ましい位置決め状態で支持プロップ３０上
に支持されているウェーハは、支持プレートの底面と平
行で同じ高さとなる。したがって、ウェーハをＴＲＡＣ
Ｋ熱処理設備内で焼くとき、熱はウェーハに対して均一
に伝わる。
【００１８】図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）はそ
れぞれ、ウェーハ支持プレート１０上のウェーハ２０の
側面図であり、誤った位置決め状態の例を示している。
このようなウェーハの食い違いは、機械アームにおける
変位精度（displacement precision）の喪失が原因であ
る。誤った位置決め状態とは、ウェーハの一部分がスト
ッパ３２上に載置されていることであり、それによって
ウェーハと支持プレート底部との間の距離がウェーハの
位置によって変わる。その結果、ウェーハを焼くときウ
ェーハによる吸熱の均一性が劣り、後の工程で限界寸法
の不均一性を生じる。収率（yield rate）は低下し、さ
らにはウェーハがスクラップ処理されることになる。
れぞれ、ウェーハ支持プレート１０上のウェーハ２０の
側面図であり、誤った位置決め状態の例を示している。
このようなウェーハの食い違いは、機械アームにおける
変位精度（displacement precision）の喪失が原因であ
る。誤った位置決め状態とは、ウェーハの一部分がスト
ッパ３２上に載置されていることであり、それによって
ウェーハと支持プレート底部との間の距離がウェーハの
位置によって変わる。その結果、ウェーハを焼くときウ
ェーハによる吸熱の均一性が劣り、後の工程で限界寸法
の不均一性を生じる。収率（yield rate）は低下し、さ
らにはウェーハがスクラップ処理されることになる。
【００１９】図７は、本発明の他の好ましい具体例によ
る論理回路の略図を示している。図に示される論理回路
は、６個の入力端子（input terminal）及び出力端子
（output terminal）を含むＡＮＤゲート４０を備えて
いる。この入力端子は、対応するレーザーエミッタ／デ
テクター装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３
５、及び２３６とそれぞれ接続している。さらに、論理
回路は、ウェーハ製造工程を起動させる電流スイッチ４
２を備えており、この工程では、ハイレベル論理信号
（high level signal of logic）により電流スイッチ４
２をオンにして電流Ｉを通過させるために、各レーザー
エミッタ／デテクター装置がハイレベル論理信号１をＡ
ＮＤゲート４０へ同時に放出する。一方、上述したレー
ザーエミッタ／デテクター装置のうちの１個がローレベ
ル論理信号０をＡＮＤゲート４０へ放出するとき、ロー
レベル信号はＡＮＤゲート４０により出力され、電流ス
イッチをオフにして製造工程を中断させる。論理回路の
操作については、以下、図７を参照にしながら、さらに
詳しく説明する。
る論理回路の略図を示している。図に示される論理回路
は、６個の入力端子（input terminal）及び出力端子
（output terminal）を含むＡＮＤゲート４０を備えて
いる。この入力端子は、対応するレーザーエミッタ／デ
テクター装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３
５、及び２３６とそれぞれ接続している。さらに、論理
回路は、ウェーハ製造工程を起動させる電流スイッチ４
２を備えており、この工程では、ハイレベル論理信号
（high level signal of logic）により電流スイッチ４
２をオンにして電流Ｉを通過させるために、各レーザー
エミッタ／デテクター装置がハイレベル論理信号１をＡ
ＮＤゲート４０へ同時に放出する。一方、上述したレー
ザーエミッタ／デテクター装置のうちの１個がローレベ
ル論理信号０をＡＮＤゲート４０へ放出するとき、ロー
レベル信号はＡＮＤゲート４０により出力され、電流ス
イッチをオフにして製造工程を中断させる。論理回路の
操作については、以下、図７を参照にしながら、さらに
詳しく説明する。
【００２０】図５及び図８を参照すると、ウェーハ２０
は好ましい位置決め状態でウェーハ支持プレート１０上
に置かれている。６個のレーザーエミッタ／デテクター
装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２
３６がそれぞれレーザービームＬ１を同時に放出する
と、ビームはウェーハ底部に垂直に発射される。ウェー
ハ２０により部分的に吸収された後、レーザービームＬ
２はウェーハ２０により対応するレーザーエミッタ／デ
テクター装置に反射する。レーザービームは６個のレー
ザーエミッタ／デテクター装置２３１、２３２、２３
３、２３４、２３５、及び２３６から同時に放出される
ため、ウェーハが正確な位置でウェーハ支持プレート１
０上に置かれている場合、６本のレーザービームは対応
するレーザーエミッタ／デテクター装置２３１、２３
２、２３３、２３４、２３５、及び２３６へ同時に反射
する。さらに、図８で示されるように、レーザーエミッ
タ／デテクター装置２３１、２３２、２３３、２３４、
２３５、及び２３６は、ｔ１〜ｔ２の時間内に論理信号
１をＡＮＤゲート４０へそれぞれ同時に送信する。ＡＮ
Ｄゲートは、レーザーエミッタ／デテクター装置２３
１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２３６から
出力された全ての論理信号１を受信した後、ハイレベル
論理信号１を送信して電流スイッチ４２をオンにし、ウ
ェーハ２０の製造工程を起動させる。
は好ましい位置決め状態でウェーハ支持プレート１０上
に置かれている。６個のレーザーエミッタ／デテクター
装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２
３６がそれぞれレーザービームＬ１を同時に放出する
と、ビームはウェーハ底部に垂直に発射される。ウェー
ハ２０により部分的に吸収された後、レーザービームＬ
２はウェーハ２０により対応するレーザーエミッタ／デ
テクター装置に反射する。レーザービームは６個のレー
ザーエミッタ／デテクター装置２３１、２３２、２３
３、２３４、２３５、及び２３６から同時に放出される
ため、ウェーハが正確な位置でウェーハ支持プレート１
０上に置かれている場合、６本のレーザービームは対応
するレーザーエミッタ／デテクター装置２３１、２３
２、２３３、２３４、２３５、及び２３６へ同時に反射
する。さらに、図８で示されるように、レーザーエミッ
タ／デテクター装置２３１、２３２、２３３、２３４、
２３５、及び２３６は、ｔ１〜ｔ２の時間内に論理信号
１をＡＮＤゲート４０へそれぞれ同時に送信する。ＡＮ
Ｄゲートは、レーザーエミッタ／デテクター装置２３
１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２３６から
出力された全ての論理信号１を受信した後、ハイレベル
論理信号１を送信して電流スイッチ４２をオンにし、ウ
ェーハ２０の製造工程を起動させる。
【００２１】図６（Ａ）及び図９を参照すると、図６
（Ａ）では、ウェーハ支持プレート１０とウェーハとの
間に角度φが形成されているとともに、ウェーハ２０が
ストッパ３２をはみ出しており、ウェーハ２０がウェー
ハ支持プレート１０上に正しく置かれていない。この状
況下では、例えば、レーザーエミッタ／デテクター装置
２３１から放出されるレーザービームは、ウェーハ２０
の底部に照射されないと共に、そこで反射しない。その
結果、レーザーエミッタ／デテクター装置２３１、２３
２、２３３、２３４、２３５、及び２３６によって同時
に放出されるレーザービームのうち、５本のみが角度φ
の小さいウェーハ２０の底部に発射される。角度φは非
常に小さいため、反射ビームは、ウェーハ２０の底部に
部分的に吸収された後、レーザーエミッタ／デテクター
装置によって検出され得る。それによって５個のレーザ
ーエミッタ／デテクター装置２３２、２３３、２３４、
２３５、及び２３６が起動し、ｔ１〜ｔ２の時間内に、
論理信号１をＡＮＤゲート４０にそれぞれ同時に送信す
る。しかし、レーザーエミッタ／デテクター装置２３１
は、反射したレーザービームを検出できないため、論理
信号０をＡＮＤゲートに送信することにより応答する。
ＡＮＤゲート４０は、レーザーエミッタ／デテクター装
置２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２３
６からのロジック信号１及び０を受信した後、ローレベ
ルの論理信号０を出力して電流スイッチ４２をオフにし
てウェーハの製造工程を中断させる。
（Ａ）では、ウェーハ支持プレート１０とウェーハとの
間に角度φが形成されているとともに、ウェーハ２０が
ストッパ３２をはみ出しており、ウェーハ２０がウェー
ハ支持プレート１０上に正しく置かれていない。この状
況下では、例えば、レーザーエミッタ／デテクター装置
２３１から放出されるレーザービームは、ウェーハ２０
の底部に照射されないと共に、そこで反射しない。その
結果、レーザーエミッタ／デテクター装置２３１、２３
２、２３３、２３４、２３５、及び２３６によって同時
に放出されるレーザービームのうち、５本のみが角度φ
の小さいウェーハ２０の底部に発射される。角度φは非
常に小さいため、反射ビームは、ウェーハ２０の底部に
部分的に吸収された後、レーザーエミッタ／デテクター
装置によって検出され得る。それによって５個のレーザ
ーエミッタ／デテクター装置２３２、２３３、２３４、
２３５、及び２３６が起動し、ｔ１〜ｔ２の時間内に、
論理信号１をＡＮＤゲート４０にそれぞれ同時に送信す
る。しかし、レーザーエミッタ／デテクター装置２３１
は、反射したレーザービームを検出できないため、論理
信号０をＡＮＤゲートに送信することにより応答する。
ＡＮＤゲート４０は、レーザーエミッタ／デテクター装
置２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２３
６からのロジック信号１及び０を受信した後、ローレベ
ルの論理信号０を出力して電流スイッチ４２をオフにし
てウェーハの製造工程を中断させる。
【００２２】図６（Ｂ）及び図１０では、誤った位置決
め状態の他の例が示されている。その例では、ウェーハ
２０は、ウェーハ支持プレート１０上に正しく置かれて
いないため、ウェーハ２０とウェーハ支持プレート１０
との間に角φが形成されている。図６（Ｂ）を参照する
と、ウェーハ２０は、ストッパ３２の上にはみ出してお
り、ウェーハ２０とウェーハ支持プレート１０との間に
形成される角φが非常に大きいため、レーザービームが
レーザーエミッタ／デテクター装置２３４、２３５、及
び２３６に発射されない。つまり、角度φが大きいこと
により、レーザービームを同時に放出するレーザーエミ
ッタ／デテクター装置２３１、２３２、２３３、２３
４、２３５、及び２３６のうち３個のみが、レーザービ
ームをウェーハの底部に発射できる。さらに、スネルの
法則によると、反射した全てのレーザービームは、対応
するレーザーエミッタ／デテクター装置によって送信、
検出されない。その結果、レーザーエミッタ／デテクタ
ー装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び
２３６は共に論理信号０をＡＮＤゲート４０に送信す
る。ＡＮＤゲート４０がレーザーエミッタ／デテクター
装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２
３６からの各論理信号０を受信した後、論理信号０のロ
ーレベル信号がＡＮＤゲート４０によって出力され、電
流スイッチ４２をオフにしてウェーハの製造工程を中断
させる。
め状態の他の例が示されている。その例では、ウェーハ
２０は、ウェーハ支持プレート１０上に正しく置かれて
いないため、ウェーハ２０とウェーハ支持プレート１０
との間に角φが形成されている。図６（Ｂ）を参照する
と、ウェーハ２０は、ストッパ３２の上にはみ出してお
り、ウェーハ２０とウェーハ支持プレート１０との間に
形成される角φが非常に大きいため、レーザービームが
レーザーエミッタ／デテクター装置２３４、２３５、及
び２３６に発射されない。つまり、角度φが大きいこと
により、レーザービームを同時に放出するレーザーエミ
ッタ／デテクター装置２３１、２３２、２３３、２３
４、２３５、及び２３６のうち３個のみが、レーザービ
ームをウェーハの底部に発射できる。さらに、スネルの
法則によると、反射した全てのレーザービームは、対応
するレーザーエミッタ／デテクター装置によって送信、
検出されない。その結果、レーザーエミッタ／デテクタ
ー装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び
２３６は共に論理信号０をＡＮＤゲート４０に送信す
る。ＡＮＤゲート４０がレーザーエミッタ／デテクター
装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、及び２
３６からの各論理信号０を受信した後、論理信号０のロ
ーレベル信号がＡＮＤゲート４０によって出力され、電
流スイッチ４２をオフにしてウェーハの製造工程を中断
させる。
【００２３】以上説明しているように、図８から図１０
で示される論理パルス波（logic pulse wave）は、パー
ソナルコンピュータや製造システムに組み込まれる作業
端末などのコンピュータにより、それぞれ解析されて生
成されても良く、さらに、製造システムを操作する技術
者又はエンジニアに分析結果を出力しても良い。
で示される論理パルス波（logic pulse wave）は、パー
ソナルコンピュータや製造システムに組み込まれる作業
端末などのコンピュータにより、それぞれ解析されて生
成されても良く、さらに、製造システムを操作する技術
者又はエンジニアに分析結果を出力しても良い。
【００２４】マイクロエミッタ／デテクター、発光ダイ
オード、レーザーエミッタ／デテクター等をからなる他
の型のエミッタ／デテクターも、上述したエミッタ／デ
テクター装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３
５、及び２３６と同じ機能を提供することができる。し
たがって、本発明は、機械の修理・調整時間を短縮する
ため、ウェーハの位置決めが異常である原因を知る迅速
な方法を提供する。
オード、レーザーエミッタ／デテクター等をからなる他
の型のエミッタ／デテクターも、上述したエミッタ／デ
テクター装置２３１、２３２、２３３、２３４、２３
５、及び２３６と同じ機能を提供することができる。し
たがって、本発明は、機械の修理・調整時間を短縮する
ため、ウェーハの位置決めが異常である原因を知る迅速
な方法を提供する。
【００２５】本発明では、好ましい実施例を前述の通り
開示したが、これらは決して本発明を限定するものでは
なく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神
と領域を脱しない範囲内で各種の変更や改変を加えるこ
とができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲
で指定した内容を基準とする。
開示したが、これらは決して本発明を限定するものでは
なく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神
と領域を脱しない範囲内で各種の変更や改変を加えるこ
とができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲
で指定した内容を基準とする。
【００２６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、熱処理又は他の半導体形成工程において、ウェーハ
が支持プレート上に正常に配置されているかどうかを判
断し、支持プレート上のウェーハの位置決め状態を検出
することができるウェーハ支持プレートを提供すること
ができる。
ば、熱処理又は他の半導体形成工程において、ウェーハ
が支持プレート上に正常に配置されているかどうかを判
断し、支持プレート上のウェーハの位置決め状態を検出
することができるウェーハ支持プレートを提供すること
ができる。
【図１】 図１は従来のウェーハ支持装置を示す斜視図
である。
である。
【図２】 図２（Ａ）は図１で示される従来のウェーハ
支持装置の断面図、図２（Ｂ）は図１で示される従来の
ウェーハ支持装置の斜視図である。
支持装置の断面図、図２（Ｂ）は図１で示される従来の
ウェーハ支持装置の斜視図である。
【図３】 図３（Ａ）は本発明の好ましい具体例による
ウェーハ支持プレートの斜視図、図３（Ｂ）は図３
（Ａ）で示されるウェーハ支持プレートの支持プロップ
を示す斜視図である。
ウェーハ支持プレートの斜視図、図３（Ｂ）は図３
（Ａ）で示されるウェーハ支持プレートの支持プロップ
を示す斜視図である。
【図４】 図４（Ａ）は本発明による支持プロップによ
り支持されるウェーハの好ましい位置決め状態を示す斜
視図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）で示されるウェーハの位
置決め状態を示す平面図である。
り支持されるウェーハの好ましい位置決め状態を示す斜
視図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）で示されるウェーハの位
置決め状態を示す平面図である。
【図５】 図５は本発明による好ましい位置決め状態に
あるウェーハ支持プレート上のウェーハを示す側面図で
ある。
あるウェーハ支持プレート上のウェーハを示す側面図で
ある。
【図６】 図６（Ａ）は誤った位置決め状態の例におけ
る、ウェーハ支持プレート上のウェーハを示す他の側面
図、図６（Ｂ）は誤った位置決め状態の例における、ウ
ェーハ支持プレート上のウェーハを示す他の側面図、図
６（Ｃ）は誤った位置決め状態の例における、ウェーハ
支持プレート上のウェーハを示す他の側面図である。
る、ウェーハ支持プレート上のウェーハを示す他の側面
図、図６（Ｂ）は誤った位置決め状態の例における、ウ
ェーハ支持プレート上のウェーハを示す他の側面図、図
６（Ｃ）は誤った位置決め状態の例における、ウェーハ
支持プレート上のウェーハを示す他の側面図である。
【図７】 図７は本発明の他の好ましい具体例によるロ
ジック回路の略図である。
ジック回路の略図である。
【図８】 図８は本発明による対応するレーザーエミッ
タ／デテクター装置により出力される関連する論理波パ
ルスを示すグラフである。
タ／デテクター装置により出力される関連する論理波パ
ルスを示すグラフである。
【図９】 図９は本発明による対応するレーザーエミッ
タ／デテクター装置により出力される関連する論理波パ
ルスを示すグラフである。
タ／デテクター装置により出力される関連する論理波パ
ルスを示すグラフである。
【図１０】 図１０は本発明による対応するレーザーエ
ミッタ／デテクター装置により出力される関連する論理
波パルスを示すグラフである。
ミッタ／デテクター装置により出力される関連する論理
波パルスを示すグラフである。
１０…ウェーハ支持プレート、 １１、３１…支持プロップ表面、 １５、３０…支持プロップ、 ２０…ウェーハ、 ３２…ストッパ、 ４０…ＡＮＤゲート、 ４２…電流スイッチ、 ２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６…レ
ーザーエミッタ／デテクター装置。
ーザーエミッタ／デテクター装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 599002397 モーゼル バイテリック インコーポレイ テッド 台湾、シンチュウ、サイエンス−ベースド インダストリアルパーク、リシンロード ナンバー 19 (71)出願人 500269978 インフィネオン テクノロジーズ インコ ーポレイテッド ドイツ連邦共和国、81541 ミュンヒェン、 ザンクト−マルティン−シュトラーセ 53 (72)発明者 陳 永裕 台湾新竹市光復路一段485巷６弄８号４樓 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA13 HA25 JA25 JA27
Claims (7)
- 【請求項１】 支持するウェーハの位置決め状態を検出
することができるウェーハ支持プレートであり、 支持プレート本体と、 前記支持プレート本体上に位置し、前記ウェーハを受取
り支持する少なくとも３個の支持プロップと、 前記支持プロップの傍に対応して、前記支持プロップに
よって包囲される範囲内で支持プレート本体上にそれぞ
れ位置し、全ての前記支持プロップが前記ウェーハを支
持しているかどうかを検出する少なくとも３個の検出装
置と、 を有することを特徴とするウェーハ支持プレート。 - 【請求項２】 前記支持プロップは、前記ウェーハを下
から直接支持するウェーハ支持表面と、前記支持表面上
に突出し、前記ウェーハの移動を抑制するストッパとを
有する、請求項１に記載のウェーハ支持プレート。 - 【請求項３】 前記検出装置は、レーザーエミッタ／デ
テクター装置である、請求項１または２に記載のウェー
ハ支持プレート。 - 【請求項４】 半導体製造工程においてウェーハの重量
を支持するとき、支持するウェーハの位置決め状態を検
出できるウェーハ支持プレートであり、 支持プレート本体と、 前記支持プレート本体上に位置し、前記ウェーハを受取
り支持する少なくとも３個の支持プロップと、 前記支持プロップの傍に対応して、前記支持プロップに
よって包囲される範囲内で支持プレート本体上にそれぞ
れ位置し、全ての前記支持プロップが前記ウェーハを支
持しているかどうかを検出する少なくとも３個の検出装
置と、 前記検出装置に接続し、前記検出装置が前記ウェーハの
位置決め状態を異常であると検出したときに起動して前
記ウェーハに施す半導体製造工程を中断させる論理回路
と、 を有することを特徴とするウェーハ支持プレート。 - 【請求項５】 前記論理回路は少なくとも、前記検出装
置のうちの一つにそれぞれ対応して接続される複数の入
力端子と出力端子とを含み、入力端子による各検出装置
からの論理信号１又は０を受信し、出力端子により論理
信号１又は０を出力するＡＮＤゲートと、 前記ＡＮＤゲートの前記出力端子に接続して前記ＡＮＤ
ゲートにより出力した論理信号１又は０を受信し、前記
ＡＮＤゲートの前記出力端子が論理信号０を出力した場
合に前記半導体製造工程を中断させる回路が形成されて
いる電流スイッチと、 を有する、請求項４に記載のウェーハ支持プレート。 - 【請求項６】 前記支持プロップは、前記ウェーハを下
から直接支持するウェーハ支持表面と、前記支持表面上
に突出し、前記ウェーハの移動を抑制するストッパとを
有する、請求項５に記載のウェーハ支持プレート。 - 【請求項７】 前記検出装置は、レーザーエミッタ／デ
テクター装置である、請求項４〜６のいずれかに記載の
ウェーハ支持プレート。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW89108186 | 2000-04-29 | ||
| TW089108186A TW445567B (en) | 2000-04-29 | 2000-04-29 | Tray having positioning device |
| US09/595,268 US6624898B1 (en) | 2000-04-29 | 2000-06-15 | Wafer supporting plate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001313327A true JP2001313327A (ja) | 2001-11-09 |
Family
ID=29720943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000313360A Pending JP2001313327A (ja) | 2000-04-29 | 2000-10-13 | ウェーハ支持プレート |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6624898B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001313327A (ja) |
| DE (1) | DE10033817B4 (ja) |
| TW (1) | TW445567B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100575561B1 (ko) | 2004-12-28 | 2006-05-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 안착 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7235806B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-06-26 | Asm America, Inc. | Wafer edge with light sensor |
| DE10329644B4 (de) * | 2003-07-01 | 2007-03-22 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zum Zu-oder Abführen von Wärme zu/von einem Halbleitersubstrat zur Vorbereitung oder Nachbearbeitung eines lithographischen Projektionsschrittes, dessen Verfahren sowie die Verwendung |
| KR101489963B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2015-02-04 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
| US8273178B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-09-25 | Asm Genitech Korea Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of maintaining the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4887904A (en) * | 1985-08-23 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for positioning a semi-conductor wafer |
| US6122036A (en) * | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
| JP3401769B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-04-28 | 株式会社ニコン | 露光方法、ステージ装置、及び露光装置 |
| KR19980019031A (ko) * | 1996-08-27 | 1998-06-05 | 고노 시게오 | 스테이지 장치(a stage apparatus) |
| TW350115B (en) * | 1996-12-02 | 1999-01-11 | Toyota Automatic Loom Co Ltd | Misregistration detection device and method thereof |
| US6099596A (en) * | 1997-07-23 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Wafer out-of-pocket detection tool |
| JP4128254B2 (ja) * | 1998-02-25 | 2008-07-30 | オリンパス株式会社 | 半導体ウエハ位置検出装置および検査装置 |
-
2000
- 2000-04-29 TW TW089108186A patent/TW445567B/zh active
- 2000-06-15 US US09/595,268 patent/US6624898B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-12 DE DE10033817A patent/DE10033817B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-13 JP JP2000313360A patent/JP2001313327A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100575561B1 (ko) | 2004-12-28 | 2006-05-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 안착 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6624898B1 (en) | 2003-09-23 |
| TW445567B (en) | 2001-07-11 |
| DE10033817B4 (de) | 2004-01-08 |
| DE10033817A1 (de) | 2001-11-08 |
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