JP2009302278A - 光デバイスウエーハの分割方法 - Google Patents
光デバイスウエーハの分割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009302278A JP2009302278A JP2008154939A JP2008154939A JP2009302278A JP 2009302278 A JP2009302278 A JP 2009302278A JP 2008154939 A JP2008154939 A JP 2008154939A JP 2008154939 A JP2008154939 A JP 2008154939A JP 2009302278 A JP2009302278 A JP 2009302278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical device
- device wafer
- reinforcing substrate
- wafer
- dividing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 166
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 67
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 23
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 14
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 241000270281 Coluber constrictor Species 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N flurochloridone Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(N2C(C(Cl)C(CCl)C2)=O)=C1 OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
Abstract
【解決手段】光デバイスウエーハ2の表面を保護プレートの表面に剥離可能に接合する工程と、光デバイスウエーハの裏面研削工程と、光デバイスウエーハの裏面に補強基板5を剥離可能に接合する工程と、補強基板が接合された光デバイスウエーハを保護プレートから剥離する工程と、補強基板が接合された光デバイスウエーハの表面をダイシングテープ60の表面に貼着する工程と、補強基板の裏面側から光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し補強基板にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施す工程と、補強基板の破断起点に沿って外力を付与し補強基板を破断することにより光デバイスウエーハをストリートに沿って破断する工程とを含む。
【選択図】図11
Description
光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、
該保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの裏面に剛性の高い補強基板の表面を剥離可能な接合剤によって接合する補強基板接合工程と、
該補強基板が接合された光デバイスウエーハを該保護プレートから剥離するウエーハ剥離工程と、
該補強基板が接合された光デバイスウエーハの表面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープに貼着された光デバイスウエーハに接合されている該補強基板の裏面側から光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該補強基板にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程が実施された該補強基板の破断起点に沿って外力を付与し、該補強基板を破断起点に沿って破断することにより光デバイスウエーハをストリートに沿って破断し個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの分割方法が提供される。
また、上記レーザー加工工程は、上記補強基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することにより、補強基板の裏面にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工溝を形成する。
上記ウエーハ分割工程を実施することにより分割された光デバイスをダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。
また、上記ピックアップ工程を実施する前または後に分割された光デバイスに貼着されている上記補強基板を剥離する補強基板剥離工程を実施する。
上記粗研削手段42aによって粗研工程が実施された光デバイスウエーハ2を保持しているチャックテーブル42は、図4に示す仕上げ研削手段42bの加工域に移動せしめられる。チャックテーブル42を図4に示す加工域に移動したならば、チャックテーブル41を矢印Aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、仕上げ研削手段42bの仕上げ研削ホイール424bを矢印Bで示す方向に例えば1500rpmで回転せしめて光デバイスウエーハ2の裏面2bに接触せしめ、仕上げ研削ホイール424bを例えば0.009mm/分の研削送り速度で下方に研削送りすることにより光デバイスウエーハ2の裏面2bを仕上げ研削する。この仕上げ研削工程においては研削加工部に研削水が供給され、この研削水の供給量は4リットル/分程度でよい。なお、仕上げ研削工程における研削量は、図示の実施形態においては55μmに設定されている。従って、仕上げ研削工程が実施された光デバイスウエーハ2の厚さは、図示の実施形態においては25μmとなる。
このレーザー加工工程の第1の実施形態は、補強基板5の内部に光デバイスウエーハ2に形成されたストリート21に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、図8に示すようにレーザー加工装置7のチャックテーブル71上に補強基板5が接合された光デバイスウエーハ2のダイシングテープ60側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル71上に光デバイスウエーハ2を吸着保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル71上に吸引保持された光デバイスウエーハ2に貼着されている補強基板5の裏面5bが上側となる。なお、図8においてはダイシングテープ60が装着された環状のフレーム6を省いて示しているが、環状のフレーム6はチャックテーブル71に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。
光源 :Erレーザー
波長 :1560nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :90〜200kHz
平均出力 :0.8〜1.2W
加工送り速度 :100〜300mm/秒
光源 :YAGレーザー
波長 :355nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :90〜200kHz
平均出力 :0.8〜1.2W
加工送り速度 :100〜300mm/秒
なお、補強基板5を光デバイスウエーハ2から剥離する補強基板剥離工程は、上記ピックアップ工程を実施する前に実施してもよい。
3:保護プレート
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42a:粗研削手段
424a:粗研削ホイール
426a:粗研削砥石
42b:仕上げ研削手段
424b:仕上げ研削ホイール
426b:仕上げ研削砥石
5:補強基板
6:環状のフレーム
60:ダイシングテープ
7:レーザー加工装置
71:レーザー加工装置のチャックテーブル
72:レーザー光線照射手段
722:集光器
8:ゴムシート
80:押圧ローラー
9:ピックアップ装置
91:フレーム保持手段
92:テープ拡張手段
93:ピックアップコレット
Claims (5)
- 表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成されている光デバイスウエーハを、複数のストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの分割方法であって、
光デバイスウエーハの表面を剛性の高い保護プレートの表面に剥離可能な接合剤によって接合する保護プレート接合工程と、
該保護プレートに貼着された光デバイスウエーハの裏面を研削し、光デバイスウエーハをデバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、
該裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの裏面に剛性の高い補強基板の表面を剥離可能な接合剤によって接合する補強基板接合工程と、
該補強基板が接合された光デバイスウエーハを該保護プレートから剥離するウエーハ剥離工程と、
該補強基板が接合された光デバイスウエーハの表面をダイシングテープの表面に貼着するダイシングテープ貼着工程と、
該ダイシングテープに貼着された光デバイスウエーハに接合されている該補強基板の裏面側から光デバイスウエーハに形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、該補強基板にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工を施すレーザー加工工程と、
該レーザー加工工程が実施された該補強基板の破断起点に沿って外力を付与し、該補強基板を破断起点に沿って破断することにより光デバイスウエーハをストリートに沿って破断し個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの分割方法。 - 該レーザー加工工程は、該補強基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該補強基板の内部に集光点を合わせて照射することにより、該補強基板の内部にストリートに沿って破断起点となる変質層を形成する、請求項1記載の光デバイスウエーハの分割方法。
- 該レーザー加工工程は、該補強基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射することにより、該補強基板の裏面にストリートに沿って破断起点となるレーザー加工溝を形成する、請求項1記載の光デバイスウエーハの分割方法。
- 該ウエーハ分割工程を実施することにより分割された光デバイスを該ダイシングテープから剥離してピックアップするピックアップ工程を含む、請求項1から3のいずれかに記載の光デバイスウエーハの分割方法。
- 該ピックアップ工程を実施する前または後に分割された光デバイスに貼着されている該補強基板を剥離する補強基板剥離工程を実施する、請求項4記載の光デバイスウエーハの分割方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008154939A JP5155030B2 (ja) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | 光デバイスウエーハの分割方法 |
TW098113149A TWI518761B (zh) | 2008-06-13 | 2009-04-21 | Method of segmenting optical element wafers |
US12/468,411 US7662700B2 (en) | 2008-06-13 | 2009-05-19 | Optical device wafer dividing method |
DE102009023739.9A DE102009023739B8 (de) | 2008-06-13 | 2009-06-03 | Optikbauelementwafer-Teilungsverfahren |
CN200910148838.4A CN101604659B (zh) | 2008-06-13 | 2009-06-11 | 光器件晶片的分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008154939A JP5155030B2 (ja) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | 光デバイスウエーハの分割方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009302278A true JP2009302278A (ja) | 2009-12-24 |
JP5155030B2 JP5155030B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=41317977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008154939A Active JP5155030B2 (ja) | 2008-06-13 | 2008-06-13 | 光デバイスウエーハの分割方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7662700B2 (ja) |
JP (1) | JP5155030B2 (ja) |
CN (1) | CN101604659B (ja) |
DE (1) | DE102009023739B8 (ja) |
TW (1) | TWI518761B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010050324A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2015220276A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 株式会社ディスコ | 支持治具 |
CN105665947A (zh) * | 2014-12-04 | 2016-06-15 | 株式会社迪思科 | 晶片的生成方法 |
JP2018113323A (ja) * | 2017-01-11 | 2018-07-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010045117A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2010045151A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2011146552A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2011151070A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
US8642448B2 (en) * | 2010-06-22 | 2014-02-04 | Applied Materials, Inc. | Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch |
JP5623807B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-11-12 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの分割方法 |
DE102010032029B4 (de) * | 2010-07-21 | 2012-09-13 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Verfahren zum Trennen einer runden Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere rechteckige Einzelplatten mittels Laser |
JP2012089709A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの分割方法 |
JP5758116B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2015-08-05 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
CN102593270B (zh) * | 2011-01-12 | 2014-12-31 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管管芯及其制法 |
JP2012169024A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
JP5766530B2 (ja) * | 2011-07-13 | 2015-08-19 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
CN102825668B (zh) * | 2012-09-14 | 2015-01-21 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种含介电层的半导体原件的切割方法 |
JP6013858B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-10-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6035127B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2016-11-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
CN103151426B (zh) * | 2013-03-19 | 2015-09-30 | 四川钟顺太阳能开发有限公司 | 一种保证太阳电池电性能的太阳电池切割工艺 |
CN103178160B (zh) * | 2013-03-19 | 2015-12-02 | 四川钟顺太阳能开发有限公司 | 一种线性聚光组件生产工艺 |
WO2014090036A1 (zh) * | 2012-12-12 | 2014-06-19 | 四川钟顺太阳能开发有限公司 | 一种线性聚光组件及其生产工艺 |
JP6144107B2 (ja) * | 2013-05-09 | 2017-06-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの切削方法 |
CN103515250B (zh) * | 2013-09-10 | 2016-01-20 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种75μm超薄芯片生产方法 |
JP6223801B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2017-11-01 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウェーハの加工方法 |
JP2016213240A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | Towa株式会社 | 製造装置及び製造方法 |
JP2017103405A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN106624389A (zh) * | 2017-02-22 | 2017-05-10 | 西安交通大学 | 一种基于超短脉冲激光的光纤切割装置及切割方法 |
JP6677706B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2020-04-08 | ファナック株式会社 | リンク情報生成装置、リンク情報生成方法及びリンク情報生成プログラム |
KR102563929B1 (ko) * | 2018-03-09 | 2023-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 다이들의 개별화 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
JP7027234B2 (ja) * | 2018-04-16 | 2022-03-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
KR102498148B1 (ko) * | 2018-09-20 | 2023-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5538024A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-17 | Toshiba Corp | Manufacturing of semiconductor device |
JP2004001076A (ja) * | 2002-03-12 | 2004-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2006021315A (ja) * | 2004-06-07 | 2006-01-26 | Fujitsu Ltd | 積層体の切断方法、製造装置、製造方法及び積層体 |
JP2006231413A (ja) * | 2002-03-12 | 2006-09-07 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2007118009A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 積層体の加工方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10305420A (ja) | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
JP4649745B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 発光素子の転写方法 |
JP2003045901A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
JP2003077940A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
JP4590174B2 (ja) * | 2003-09-11 | 2010-12-01 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US7491288B2 (en) * | 2004-06-07 | 2009-02-17 | Fujitsu Limited | Method of cutting laminate with laser and laminate |
JP4750427B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-08-17 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP4791843B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-10-12 | 株式会社ディスコ | 接着フィルム付きデバイスの製造方法 |
JP4909657B2 (ja) | 2006-06-30 | 2012-04-04 | 株式会社ディスコ | サファイア基板の加工方法 |
JP2008028113A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP2008042110A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP4944642B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2012-06-06 | 株式会社ディスコ | デバイスの製造方法 |
JP2008283025A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2008294191A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2009123835A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体デバイスの製造方法 |
JP5307384B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-10-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
JP2009206162A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
-
2008
- 2008-06-13 JP JP2008154939A patent/JP5155030B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-21 TW TW098113149A patent/TWI518761B/zh active
- 2009-05-19 US US12/468,411 patent/US7662700B2/en active Active
- 2009-06-03 DE DE102009023739.9A patent/DE102009023739B8/de active Active
- 2009-06-11 CN CN200910148838.4A patent/CN101604659B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5538024A (en) * | 1978-09-11 | 1980-03-17 | Toshiba Corp | Manufacturing of semiconductor device |
JP2004001076A (ja) * | 2002-03-12 | 2004-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2006231413A (ja) * | 2002-03-12 | 2006-09-07 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2006021315A (ja) * | 2004-06-07 | 2006-01-26 | Fujitsu Ltd | 積層体の切断方法、製造装置、製造方法及び積層体 |
JP2007118009A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Seiko Epson Corp | 積層体の加工方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010050324A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2015220276A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | 株式会社ディスコ | 支持治具 |
CN105665947A (zh) * | 2014-12-04 | 2016-06-15 | 株式会社迪思科 | 晶片的生成方法 |
JP2018113323A (ja) * | 2017-01-11 | 2018-07-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200952061A (en) | 2009-12-16 |
JP5155030B2 (ja) | 2013-02-27 |
DE102009023739B4 (de) | 2021-04-22 |
DE102009023739A1 (de) | 2009-12-17 |
CN101604659B (zh) | 2014-01-01 |
US7662700B2 (en) | 2010-02-16 |
DE102009023739B8 (de) | 2021-06-02 |
CN101604659A (zh) | 2009-12-16 |
TWI518761B (zh) | 2016-01-21 |
US20090311848A1 (en) | 2009-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5155030B2 (ja) | 光デバイスウエーハの分割方法 | |
JP5231136B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
KR101473498B1 (ko) | 광 디바이스 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP5307612B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP4733934B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2010045117A (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP5495876B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP4769560B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2008294191A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5595716B2 (ja) | 光デバイスウエーハの加工方法 | |
JP2008283025A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2009206162A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2009200140A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2007157887A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2010283084A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2008311404A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP4402974B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2015023135A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014013807A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP5356914B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014011381A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2005223282A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP4402973B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005222988A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005244030A (ja) | ウエーハの分割方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5155030 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |