DE102019200383B4 - Planarisierungsverfahren - Google Patents

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Abstract

Planarisierungsverfahren zum Planarisieren einer Trennfläche (58) eines Siliziumcarbidingots (2), nachdem ein Brennpunkt (FP) eines Laserstrahls (LB) mit so einer Wellenlänge, die durch Siliziumcarbid übertragbar ist, in einer Tiefe von einer Endfläche (4) des Siliziumcarbidingots (2) aus positioniert worden ist, die mit einem zu erzeugenden Wafer (56) korrespondiert, und der Siliziumcarbidingot (2) mit dem Laserstrahl (LB) bestrahlt worden ist, um eine Trennschicht (28) auszubilden, in welcher Siliziumcarbid in Silizium und Kohlenstoff getrennt ist und Risse (26) isotropisch entlang einer c-Ebene erzeugt worden sind, und der Wafer (56) bei der Trennschicht (28) von dem Siliziumcarbidingot getrennt worden ist, wobei das Planarisierungsverfahren umfasst:einen Schleifschritt mit einem Halten einer der Trennfläche (58) des Siliziumcarbidingots (2) gegenüberliegenden Seite durch einen drehbaren Spanntisch (62) und Drehen eines Schleifrads (72), das eine Vielzahl von Schleifmitteln (74) aufweist, die ringförmig angeordnet ist, um die Trennfläche (58) des durch den Spanntisch (62) gehaltenen Siliziumcarbidingots (2) zu schleifen; undeinen Planheiterfassungsschritt mit einem Bestrahlen der Trennfläche (58) des Siliziumcarbidingots (2), die von dem Schleifrad (72) exponiert worden ist, mit Licht und Erfassen reflektierten Lichts, um einen Grad an Planheit zu erfassen,wobei der Schleifschritt beendet wird, wenn bei dem Planheiterfassungsschritt erfasst wird, dass die Trennfläche (58) des Siliziumcarbidingots (2) plan geworden ist, undwobei, wenn der zu erzeugende Wafer (56) von der Trennschicht (28) des Siliziumcarbidingots (2) getrennt worden ist, bei welcher ein Abweichungswinkel α durch die c-Ebene und die Endfläche ausgebildet wird, bei dem Planheiterfassungsschritt erfasst wird, dass die Trennfläche (58) plan geworden ist, wenn das Licht von einem lichtemittierenden Element (76) senkrecht zu der Trennfläche (58) emittiert wird, das reflektierte Licht bei einer Position empfangen wird, bei welcher ein mit dem lichtemittierenden Element ausgebildeter Winkel 2α ist und eine Menge empfangenen Lichts unter einen Grenzwert (Rc) fällt.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Planarisierungsverfahren zum Planarisieren einer Trennfläche eines Siliziumcarbidingots (SiC-Ingot), nachdem ein zu erzeugender Wafer abgetrennt worden ist.
  • BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
  • Bauelemente, wie zum Beispiel integrierte Schaltkreise (ICs), Large Scale Integrated Circuits (LSIs) und lichtemittierende Dioden (LEDs) werden durch Aufschichten mit einer Funktionsschicht an einer Fläche eines Wafers, der aus Silizium (Si), Saphir (Al2O3) oder Ähnlichem als Material aufgebaut ist, und Aufteilen durch eine Vielzahl geplanter Trennlinien ausgebildet, die sich schneiden. Darüber hinaus werden Leistungsbauelemente, LEDs usw. durch Aufschichten einer Funktionsschicht an einer Fläche eines Wafers, der aus SiC als Material aufgebaut ist und durch eine Vielzahl geplanter Trennlinien aufgeteilt ist, die sich schneiden, ausgebildet. Für den Wafer, auf dem Bauelemente ausgebildet worden sind, wird eine Bearbeitung an den geplanten Trennlinien durch eine Schneidvorrichtung oder eine Laserbearbeitungsvorrichtung ausgeführt. Folglich wird der Wafer in einzelne Bauelementchips unterteilt und die jeweiligen geteilten Bauelementchips werden für Teile elektrischer Ausrüstung, wie zum Beispiel Mobiltelefone und Personal Computer, verwendet.
  • Im Allgemeinen wird ein Wafer, auf dem eine Vielzahl von Bauelementen ausgebildet wird, durch dünnes Schneiden eines Ingots mit einer Kreissäulenform durch eine Drahtsäge ausgebildet. Die vordere Fläche und hintere Fläche des geschnittenen Wafers werden durch Polieren auf Hochglanz gebracht (siehe zum Beispiel die Offenlegungsschrift JP 2000 - 94 221 A ). Wenn der Ingot jedoch durch die Drahtsäge geschnitten wird und die vordere Fläche und hintere Fläche des geschnittenen Wafers poliert werden, gibt es das Problem, dass ein Großteil des Ingots (70 bis 80 %) zu Ausschuss wird und dies unwirtschaftlich ist. Insbesondere im Fall des SiC-Ingots ist die Härte hoch und ein Schneiden durch die Drahtsäge ist schwierig und benötigt eine beachtliche Zeit, sodass die Produktivität niedrig ist. Zudem ist der Stückpreis des Ingots hoch, und der SiC-Ingot weist das Problem auf, den Wafer auf effiziente Weise zu erzeugen.
  • Daher hat die vorliegende Anmelderin eine Technik vorgeschlagen, bei welcher der Brennpunkt eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch SiC übertragbar ist, im Inneren eines SiC-Ingots positioniert wird und der SiC-Ingot mit dem Laserstrahl bestrahlt wird, um auf einer geplanten Schneidebene eine Trennschicht auszubilden, und ein Wafer entlang der geplanten Schneidebene, bei welcher die Trennschicht ausgebildet ist, von dem SiC-Ingot getrennt wird (siehe zum Beispiel die Offenlegungsschrift JP 2016 - 111 143 A ).
  • Diesbezüglich offenbart die Offenlegungsschrift DE 10 2016 209 554 A1 ein Wafer-Herstellungsverfahren zum Herstellen eines Wafers mit einem Abweichungswinkel α aus einem hexagonalen Einkristall-Ingot mit einer oberen Fläche, einer zu der oberen Fläche exponierten c-Ebene und einer zu der c-Ebene senkrechten c-Achse. Dabei umfasst das Verfahren einen Unterstützungsschritt mit einem Unterstützen des Ingots über ein Keilelement mit einem Keilwinkel α an einem Stütztisch mit einer horizontalen Stützfläche, wobei der Keilwinkel α gleich dem Abweichungswinkel α ist, wodurch die obere Fläche des Ingots in Bezug auf eine horizontale Ebene um den Abweichungswinkel α geneigt ist.
  • Zudem stellt die Offenlegungsschrift JP H02- 222 533 A eine Poliervorrichtung für Halbleiterwafer vor, die in der Lage ist, die Rauheit einer polierten Oberfläche eines Halbleiterwafers W zu messen und entsprechend den Messergebnissen über die Beendigung oder Fortsetzung der Polierarbeit zu entscheiden. Die Poliervorrichtung ist hierfür mit einer Beleuchtungsvorrichtung zum Bestrahlen der Rauheit der polierten Oberfläche des Halbleiterwafers W, einem Fotodetektor, der die reflektierte Lichtmenge erfassen kann, und einen Steuermittel ausgestattet, das entsprechend den Messergebnissen des Fotodetektors über die Beendigung oder Fortsetzung der Polierarbeit entscheidet.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Nachdem der Wafer von der Trennschicht getrennt worden ist, ist die Trennfläche des Ingots jedoch rau. Folglich wird ein Schleifen durch ein Schleifrad ausgeführt, das eine Vielzahl von Schleifmittel bzw. Schleifelemente aufweist, die ringförmig angeordnet sind, und die Trennfläche des Ingots wird plan gemacht. Jedoch gibt es das Problem, dass es schwierig ist, zu erfassen, dass die Trennfläche plan geworden ist und die Trennfläche übermäßig geschliffen wird, sodass die Effizienz der Produktion niedrig ist.
  • Folglich ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Planarisierungsverfahren bereitzustellen, das einem übermäßigen Schleifen einer Trennfläche von einem SiC-Ingot vorbeugt und die Schleifzeit vermindert.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Planarisierungsverfahren zum Planarisieren einer Trennfläche eines SiC-Ingots bereitgestellt, nachdem der Brennpunkt eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch SiC übertragbar ist, von einer Endfläche des SiC-Ingots aus in einer Tiefe positioniert worden ist, die mit einem zu erzeugenden Wafer korrespondiert, und der SiC-Ingot mit dem Laserstrahl bestrahlt worden ist, um eine Trennschicht auszubilden, in der SiC in Si und C getrennt ist und Risse isotropisch entlang einer c-Ebene ausgebildet worden sind, und der Wafer bei der Trennschicht von dem SiC-Ingot getrennt worden ist. Das Planarisierungsverfahren schließt einen Schleifschritt mit einem Halten der zu der Trennfläche des SiC-Ingots gegenüberliegenden Seite durch einen drehbaren Spanntisch und Drehen eines Schleifrads, das eine Vielzahl von Schleifmittel ringförmig angeordnet aufweist, um die Trennfläche des durch den Spanntisch gehaltenen SiC-Ingots zu schleifen, und einen Planheiterfassungsschritt mit einem Bestrahlen der Trennfläche des SiC-Ingots, die von dem Schleifrad exponiert worden ist, mit Licht und einem Erfassen reflektierten Lichts ein, um den Grad an Planheit zu erfassen. Der Schleifschritt wird beendet, wenn bei dem Planheiterfassungsschritt erfasst wird, dass die Trennfläche des SiC-Ingots plan geworden ist.
  • Wenn der zu erzeugende Wafer von der Trennschicht des SiC-Ingots getrennt worden ist, in welcher ein Abweichungswinkel α durch die c-Ebene und die Endfläche ausgebildet wird, wird bei dem Planheitserfassungsschritt erfasst, dass die Trennfläche plan geworden ist, wenn das Licht von einem lichtemittierenden Element senkrecht zu der Trennfläche emittiert wird, das reflektierte Licht bei einer Position empfangen wird, bei welcher ein mit dem lichtemittierenden Element ausgebildeter Winkel 2α ist und die Menge an empfangenem Licht unter einen Grenzwert fällt.
  • In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung wird der Schleifschritt beendet, wenn bei dem Planheiterfassungsschritt erfasst wird, dass die Trennfläche des SiC-Ingots plan geworden ist. Folglich kann einem übermäßigen Schleifen der Trennfläche des SiC-Ingots vorgebeugt werden und die Schleifzeit kann verkürzt werden.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1A ist eine Vorderansicht eines SiC-Ingots;
    • 1B ist eine Draufsicht des SiC-Ingots;
    • 2A ist eine perspektivische Ansicht des SiC-Ingots und eines Substrats;
    • 2B ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem das Substrat an dem SiC-Ingot angebracht ist;
    • 3 ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem der SiC-Ingot über einem Spanntisch einer Laserbearbeitungsvorrichtung platziert wird;
    • 4A ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem ein Trennschichtausbildungsschritt ausgeführt wird;
    • 4B ist eine Vorderansicht, die den Zustand darstellt, in dem der Trennschichtausbildungsschritt ausgeführt wird;
    • 5A ist eine Draufsicht des SiC-Ingots, in dem eine Trennschicht ausgebildet ist;
    • 5B ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B der 5A;
    • 6 ist eine Schnittansicht einer Trennvorrichtung;
    • 7 ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem ein Wafer durch die Trennvorrichtung von dem Ingot getrennt worden ist;
    • 8A ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem ein Planheiterfassungsschritt zusammen mit einem Schleifschritt ausgeführt wird;
    • 8B ist eine perspektivische Ansicht, die den Zustand darstellt, in dem eine Trennfläche des SiC-Ingots planarisiert worden ist;
    • 9A ist ein schematisches Schaubild, das den Zustand darstellt, in dem die Trennfläche mit Licht in einem Einfallswinkel Θ bestrahlt wird und reflektiertes Licht in einem Reflexionswinkel θ empfangen wird;
    • 9B ist ein Graph, der eine Änderung in der empfangenen Lichtmenge über die Zeit für den Fall der 9A darstellt;
    • 10A ist ein schematisches Schaubild, das den Zustand darstellt, in dem Licht senkrecht zu der Trennfläche emittiert wird und reflektiertes Licht von einer Bestrahlungsposition bei einer Position in einem Winkel von 2α empfangen wird; und
    • 10B ist ein Graph, der eine Änderung der empfangenen Lichtmenge über die Zeit für den Fall der 10A darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Es wird nachfolgend eine Ausführungsform des Planarisierungsverfahrens in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. In den 1A und 1B wird ein SiC-Ingot 2 dargestellt, an dem das Planarisierungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ausgeführt werden kann. Der SiC-Ingot 2 ist als Ganzes aus einem hexagonalen SiC-Einkristallingot kreissäulenförmig ausgebildet und weist eine erste Endfläche 4 mit einer Kreisform, auf der zu der ersten Endfläche 4 gegenüberliegenden Seite eine zweite Endfläche 6 mit einer Kreisform, eine zwischen der ersten Endfläche 4 und der zweiten Endfläche 6 angeordnete Umfangsfläche 8, die c-Achse (<0001>-Richtung), welche sich von der ersten Endfläche 4 zu der zweiten Endfläche 6 erstreckt, und die c-Ebene ({0001}-Ebene) senkrecht zu der c-Achse auf. In dem SiC-Ingot 2 ist die c-Achse in Bezug auf eine Senkrechte 10 zu der ersten Endfläche 4 geneigt und ein Abweichungswinkel α (zum Beispiel α = 1°, 3° oder 6°) wird durch die c-Ebene und die erste Endfläche 4 ausgebildet. Die Richtung, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, wird in den 1A und 1B als Pfeil A dargestellt. Darüber hinaus sind in der Umfangsfläche 8 des SiC-Ingots 2 eine erste Ausrichtungsebene 12 und eine zweite Ausrichtungsebene 14 ausgebildet, welche die Kristallausrichtung darstellen und eine rechtwinklige Form aufweisen. Die erste Ausrichtungsebene 12 ist parallel zu der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, und die zweite Ausrichtungsebene 14 ist senkrecht zu der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist. Wie in 1B dargestellt, ist eine Länge L2 der zweiten Ausrichtungsebene 14 von oben gesehen kürzer als eine Länge L1 der ersten Ausrichtungsebene 12 (L2<L1). Der SiC-Ingot, an dem das Planarisierungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform ausgeführt werden kann, ist nicht auf den oben beschriebenen SiC-Ingot 2 beschränkt und kann ein SiC-Ingot sein, in dem die c-Achse nicht in Bezug zu der Senkrechten zu der ersten Endfläche geneigt ist und der Abweichungswinkel α zwischen der c-Ebene und der ersten Endfläche 0° beträgt, das heißt die Senkrechte zu der ersten Endfläche stimmt mit der c-Achse überein.
  • Das Planarisierungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist ein Planarisierungsverfahren, bei dem eine Trennschicht, in welcher SiC in Si und Kohlenstoff (C) getrennt ist und Risse isotropisch in der c-Ebene erzeugt worden sind, in einer Tiefe ausgebildet wird, die mit einem Wafer korrespondiert, der von einer Endfläche eines SiC-Ingots erzeugt werden soll, und die Trennfläche des SiC-Ingots wird planarisiert, nachdem der zu erzeugende Wafer abgetrennt worden ist. Daher wird vor einer Erklärung des Planarisierens in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung beschrieben, wie eine Trennschicht in dem SiC-Ingot 2 ausgebildet wird und ein Wafer abgetrennt wird, der erzeugt werden soll. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird als erstes ein Substrat 16 mit einer Kreisscheibenform, wie in 2 dargestellt, an der zweiten Endfläche 6 des SiC-Ingots 2 mittels eines geeigneten Haftmittels angebracht. Der Zweck des Anbringens des Substrats 16 an dem SiC-Ingot 2 ist, dem SiC-Ingot 2, in dem die erste Ausrichtungsebene 12 und die zweite Ausrichtungsebene 14 ausgebildet sind, mit einer vorbestimmten Saugkraft durch eine kreisförmige Ansaugeinspannung von jedem nachfolgend beschriebenen Vorrichtungsteil anzusaugen und zu halten. Der Durchmesser des Substrats 16 ist leicht größer als der Durchmesser der Ansaugeinspannung von jedem nachfolgend beschriebenen Vorrichtungsteil. Folglich ist die Ansaugeinspannung durch das Substrat 16 bedeckt, wenn der SiC-Ingot 2 mit dem Substrat 16 nach unten gerichtet über der Ansaugeinspannung platziert ist. Daher kann der SiC-Ingot 2, in dem die erste Ausrichtungsebene 12 und die zweite Ausrichtungsebene 14 ausgebildet sind, mit der vorbestimmten Saugkraft durch die Ansaugeinspannung über einen Unterdruck gehalten werden. Wenn der Durchmesser des SiC-Ingots 2 größer ist als die Ansaugeinspannung, und die gesamte obere Fläche der Ansaugeinspannung durch den SiC-Ingot 2 bedeckt ist, wenn der SiC-Ingot 2 auf der Ansaugeinspannung platziert ist, wird keine Luft von dem exponierten Teil der Ansaugeinspannung unter Unterdruck durch die Ansaugeinspannung eingesogen und eine Unterdruckhaftung des SiC-Ingots 2 kann durch die Ansaugeinspannung mit der vorbestimmten Saugkraft ausgeführt werden. Folglich muss das Substrat 16 nicht an dem SiC-Ingot 2 angebracht werden.
  • Nachdem das Substrat 16 an dem SiC-Ingot 2 angebracht worden ist, wird der Brennpunkt eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch SiC übertragen wird, von der Endfläche des SiC-Ingots 2 aus in einer Tiefe positioniert, die mit dem zu erzeugenden Wafer korrespondiert, und der SiC-Ingot 2 wird mit dem Laserstrahl bestrahlt, um eine Trennschicht auszubilden, in welcher SiC in Si und C getrennt wird, und Risse isotropisch in der c-Ebene erzeugt werden. Das Ausbilden der Trennschicht kann durch Verwenden einer Laserbearbeitungsvorrichtung 18 ausgeführt werden, die teilweise in den 4A und 4B dargestellt ist. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 18 schließt einen kreisförmigen Spanntisch 20, der den SiC-Ingot 2 hält, und einen Kondensor 22 (siehe 4) ein, der den durch den Spanntisch 20 gehaltenen SiC-Ingot 2 mit einem gepulsten Laserstrahl LB bestrahlt. Eine poröse Ansaugeinspannung 24, die mit einer nicht dargestellten Saugeinheit verbunden ist, ist bei dem oberen Endteil des Spanntischs 20 angeordnet. Bei dem Spanntisch 20 wird eine Saugkraft für die obere Fläche der Ansaugeinspannung durch die Saugeinheit erzeugt, wodurch der auf der oberen Fläche platzierte SiC-Ingot 2 durch Unterdruck gehalten wird. Darüber hinaus wird der Spanntisch 20 durch einen nicht dargestellten Motor für den Spanntisch auf eine Weise gedreht, dass eine Axiallinie, die durch den Mittelpunkt des Spanntischs 20 in der radialen Richtung verläuft und sich entlang der Aufwärts-Abwärts-Richtung erstreckt, der Rotationsmittelpunkt ist. Der Kondensor 22 schließt eine nicht dargestellte Sammellinse zum Bündeln des gepulsten Laserstrahls LB ein, der durch einen nicht dargestellten Oszillator für einen gepulsten Laserstrahl der Laserbearbeitungsvorrichtung 18 oszilliert und von dem Oszillator für einen gepulsten Laserstrahl emittiert wird, und zum Bestrahlen des SiC-Ingots 2 mit dem gepulsten Laserstrahl LB ein. Darüber hinaus wird der Kondensor 22 dazu gebracht, sich in einer X-Achsenrichtung durch eine nicht dargestellte X-Achsenrichtung-Bewegungseinheit in einer X-Achsenrichtung (die durch einen Pfeil X in 4 dargestellte Richtung) hin und her zu bewegen. Zudem wird der Kondensor 22 dazu gebracht, sich durch eine nicht dargestellte Y-Achsenrichtung-Bewegungseinheit senkrecht zu der X-Achsenrichtung in einer Y-Achsenrichtung (die durch einen Pfeil Y in 4 dargestellte Richtung) hin und her zu bewegen. Die durch die X-Achsenrichtung und die Y-Achsenrichtung definierte Ebene ist im Wesentlichen horizontal.
  • Wenn die Trennschicht in dem SiC-Ingot 2 ausgebildet wird, wird der SiC-Ingot 2 als erstes, wie in 3 dargestellt, über der oberen Fläche des Spanntischs 20 mit dem Substrat 16 nach unten gerichtet platziert. Nachfolgend wird die mit der Ansaugeinspannung 24 verbundene Saugeinheit betätigt, um für die obere Fläche der Ansaugeinspannung eine Saugkraft zu erzeugen, und der SiC-Ingot 2 wird von der Seite des Substrats 16 aus durch den Spanntisch 20 über einen Unterdruck gehalten. Nachfolgend wird der SiC-Ingot 2 durch eine nicht dargestellte Abbildungseinheit der Laserbearbeitungsvorrichtung 18 von oben abgebildet. Basierend auf einem Bild des SiC-Ingots 2, das durch Abbilden über die Abbildungseinheit erhalten wird, wird der Spanntisch 20 nachfolgend gedreht und der Kondensor 22 wird bewegt. Hierdurch wird die Ausrichtung des SiC-Ingots 2 auf eine vorbestimmte Ausrichtung eingestellt, und die Positionen des SiC-Ingots 2 und des Kondensors 22 in der XY-Ebene werden eingestellt. Wenn die Ausrichtung des SiC-Ingots 2 durch Ausrichten der zweiten Ausrichtungsebene 14 mit der X-Achsenrichtung wie in 4A dargestellt auf die vorbestimmte Ausrichtung eingestellt worden ist, ist die Richtung senkrecht zu der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, mit der X-Achsenrichtung ausgerichtet, und die Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, ist mit der Y-Achsenrichtung ausgerichtet.
  • Nachfolgend wird der Kondensor 22 durch eine nicht dargestellte Brennpunktpositionseinstelleinheit nach oben oder nach unten bewegt, und ein Brennpunkt FP wird, wie in 4B dargestellt, von der ersten Endfläche 4 des SiC-Ingots 2 aus in einer Tiefe (zum Beispiel 300 µm) positioniert, die mit der Dicke des zu erzeugenden Wafers korrespondiert. Nachfolgend wird eine Trennschichtausbildungsbearbeitung mit einem Bestrahlen eines SiC-Ingots 2 mit dem gepulsten Laserstrahl LB mit so einer Wellenlänge, die durch SiC übertragen wird, von dem Kondensor 22 während eines Bewegens des Kondensors 22 mit einer vorbestimmten Zuführgeschwindigkeit in der X-Achsenrichtung ausgeführt, die mit der Richtung senkrecht zu der Richtung A ausgerichtet ist, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist. Wenn die Trennschichtausbildungsbearbeitung ausgeführt worden ist, ist SiC, wie in den 5A und 5B dargestellt, aufgrund der Bestrahlung mit dem gepulsten Laserstrahl LB in Si und C getrennt, und der gepulste Laserstrahl LB, mit dem die Bestrahlung als Nächstes ausgeführt wird, wird durch das zuvor ausgebildete C absorbiert, sodass SiC in einer Kettenreaktion in Si und C getrennt wird und dadurch eine modifizierte Schicht 24 ausgebildet wird. Diese modifizierte Schicht 24 wird fortlaufend in der Richtung senkrecht zu der Richtung A ausgebildet, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist. Zudem werden Risse 26 ausgebildet, die sich von der modifizierten Schicht 24 entlang der c-Ebene isotropisch erstrecken. Beim Ausführen der Trennschichtausbildungsbearbeitung, kann der Spanntisch 20 anstatt des Kondensors 22 mit der vorbestimmten Zuführgeschwindigkeit in der X-Achsenrichtung bewegt werden.
  • Die Beschreibung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die 4 bis 5B fortgeführt. Auf die Trennschichtausbildungsbearbeitung folgend, wird der Kondensor 22 durch die Y-Achsenrichtung-Bewegungseinheit bewegt, um eine Weiterbewegung beziehungsweise Einteilungszufuhr des SiC-Ingots 2 relativ zu dem Brennpunkt FP in der Y-Achsenrichtung, die mit der Richtung A ausgerichtet ist, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, um einen vorbestimmten Einteilungsbetrag Li (zum Beispiel 250 bis 400 µm) in einem Bereich auszuführen, der nicht die Breite der Risse 26 überschreitet. Bei der Einteilungszufuhr kann der Spanntisch 20 anstatt des Kondensors 22 bewegt werden. Darüber hinaus werden durch abwechselndes Wiederholen der Trennschichtausbildungsbearbeitung und der Einteilungszufuhr eine Vielzahl modifizierter Schichten 24, die sich durchgehend entlang der Richtung senkrecht zu der Richtung A erstrecken, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, in Abständen mit dem vorbestimmten Einteilungsbetrag Li in der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, ausgebildet. Zudem werden die Risse 26, die sich von der modifizierten Schicht 24 entlang der c-Ebene isotropisch erstrecken, nacheinander erzeugt, um zu verursachen, dass sich die Risse 26, die in der Richtung A, in welcher der Abweichungswinkel α ausgebildet ist, aneinander angrenzen, in der Aufwärts-Abwärts-Richtung überlappen. Dadurch kann in der Tiefe, die mit der Dicke des zu erzeugenden Wafers korrespondiert, von der ersten Endfläche 4 des SiC-Ingots 2 aus eine Trennschicht 28, die mit der Vielzahl modifizierter Schichten 24 und den Rissen 26 aufgebaut ist und bei der die Festigkeit zum Trennen des Wafers von dem SiC-Ingot 2 vermindert ist, ausgebildet werden. Um die Trennschicht 28 auszubilden, kann die Trennschichtausbildungsbearbeitung unter den folgenden beispielhaften Bearbeitungsbedingungen ausgeführt werden.
    • Wellenlänge des gepulsten Laserstrahls: 1064 nm
    • Wiederholfrequenz: 60 kHz
    • Durchschnittliche Ausgangsleistung: 1,5 Watt
    • Pulsbreite: 4 ns
    • Durchmesser des Brennpunkts: 3 µm
    • Numerische Blende (NA) der Sammellinse: 0,65
    • Zuführgeschwindigkeit: 800 mm/s
  • Nachdem die Trennschicht 28 in dem SiC-Ingot 2 ausgebildet worden ist, wird der zu erzeugende Wafer von dem SiC-Ingot 2 durch Verwendung der Trennschicht 28 als Ausgangspunkt getrennt. Die Trennung des Wafers kann zum Beispiel durch Verwendung einer Trennvorrichtung 30 ausgeführt werden, die zum Teil in den 6 und 7 dargestellt wird. Die Trennvorrichtung 30 schließt einen kreisförmigen Spanntisch 32, der den SiC-Ingot 2 hält und eine Trenneinheit 34 ein, welche die obere Fläche des durch den Spanntisch 32 gehaltenen SiC-Ingots 2 hält und den Wafer durch Verwendung der Trennschicht 28 als Ausgangspunkt von dem SiC-Ingot 2 trennt. Der Spanntisch 32 hält den SiC-Ingot 2 an der oberen Fläche durch Unterdruck, ähnlich wie der Spanntisch 20 der Laserbearbeitungsvorrichtung 18. Die Trenneinheit 34 schließt ein Flüssigkeitsbad 36 ein, das eine Flüssigkeit zusammen mit dem Spanntisch 32 aufnimmt, wenn der Wafer von dem SiC-Ingot 2 getrennt wird. Das Flüssigkeitsbad 36, das eingerichtet ist, frei nach oben und nach unten bewegbar zu sein, weist eine kreisförmige obere Wand 38 und eine Seitenwand 40 auf, die von der Umfangskante der oberen Wand 38 abfällt und eine Kreiszylinderform aufweist und deren untere Endseite geöffnet ist. Ein Flüssigkeitszuführteil 42, der die Außenseite und Innenseite des Flüssigkeitsbads 36 dazu bringt, miteinander in Verbindung zu stehen, ist an der oberen Wand 38 angebracht, und der Flüssigkeitszuführteil 42 ist durch einen Strömungspfad mit einer nicht dargestellten Flüssigkeitszuführeinheit verbunden. Der Außendurchmesser der Seitenwand 40 ist gleich wie oder kleiner als der Durchmesser des Spanntischs 32 gewählt, und das untere Ende der Seitenwand 40 kommt mit der oberen Fläche des Spanntischs 32 in Kontakt, wenn das Flüssigkeitsbad 36 abwärts bewegt wird. Darüber hinaus ist eine ringförmige Dichtung 44 an dem unteren Ende der Seitenwand 40 angebracht. Wenn das Flüssigkeitsbad 36 nach unten bewegt wird, um das untere Ende der Seitenwand 40 mit der oberen Fläche des Spanntischs 32 in engen Kontakt zu bringen, wird darüber hinaus ein Flüssigkeitsaufnahmeraum 46 durch die obere Fläche des Spanntischs 32 und die innere Fläche des Flüssigkeitsbads 36 definiert. Eine von der Flüssigkeitszuführeinheit zu dem Flüssigkeitsaufnahmeraum 46 durch den Flüssigkeitszuführteil 42 zu dem Flüssigkeitsaufnahmeraum zugeführte Flüssigkeit 48 wird durch die Dichtung 44 davon abgehalten, aus dem Flüssigkeitsaufnahmeraum 46 auszutreten.
  • Wie in den 6 und 7 dargestellt, ist ein Luftzylinder 50 an der oberen Wand 38 des Flüssigkeitsbads 36 angebracht, und ein Zylinderrohr 50a des Luftzylinders 50 erstreckt sich von der oberen Fläche der oberen Wand 38 aus nach oben. Ein unterer Endteil einer Kolbenstange 50b des Luftzylinders 50 gelangt durch eine Durchgangsöffnung 38a der oberen Wand 38 und steht zu der unteren Seite der oberen Wand 38 hervor. Ein kreisförmiges Ultraschalloszillationselement 52, das aus piezoelektrischen Keramiken oder Ähnlichem ausgebildet sein kann, ist an dem unteren Endteil der Kolbenstange 50b befestigt. Ein kreisförmiges Ansaugstück 54 ist an der unteren Fläche dieses Ultraschalloszillationselements 52 befestigt. Das Ansaugstück 54, das eine Vielzahl nicht dargestellter Sauglöcher aufweist, die in der unteren Fläche ausgebildet ist, ist durch einen Strömungspfad mit einer nicht dargestellten Saugeinheit verbunden. Durch Erzeugen einer Saugkraft an der unteren Fläche des Ansaugstücks 54 durch die Saugeinheit, kann das Ansaugstück 54 den SiC-Ingot 2 durch Unterdruck halten.
  • Wenn der Wafer von dem SiC-Ingot 2 getrennt wird, wird als erstes eine Saugkraft an der oberen Fläche des Spanntischs 32 erzeugt, und der SiC-Ingot 2 wird durch den Spanntisch 32 auf der Seite des Substrats 16 durch einen Unterdruck gehalten. Nachfolgend wird das Flüssigkeitsbad 36, wie in 6 dargestellt, durch eine nicht dargestellte Absenkeinheit nach unten bewegt, und das untere Ende der Seitenwand 40 des Flüssigkeitsbads 36 wird mit der oberen Fläche des Spanntischs 32 in engen Kontakt gebracht. Nachfolgend wird die Kolbenstange 50b des Luftzylinders 50 bewegt, und die untere Fläche des Ansaugstücks 54 wird mit der ersten Endfläche 4 des SiC-Ingots 2 in engen Kontakt gebracht. Nachfolgend wird an der unteren Fläche des Ansaugstücks 54 eine Saugkraft erzeugt, und die erste Endfläche 4 wird durch das Ansaugstück 54 über einen Unterdruck gehalten. Nachfolgend wird die Flüssigkeit 48, wie zum Beispiel Wasser, von dem Flüssigkeitszuführteil 42 zu dem Flüssigkeitsaufnahmeraum 46 geführt, bis das Ultraschalloszillationselement 52 eingetaucht ist. Dann wird die Trennschicht 28 durch oszillierende Ultraschallwellen von dem Ultraschalloszillationselement 52 stimuliert, und die Risse 26 werden verlängert, um die Festigkeit der Trennschicht 28 weiter abzusenken. Nachfolgend kann ein zu erzeugender Wafer 56 durch Anheben des Flüssigkeitsbads 36 in dem Zustand, in dem der SiC-Ingot 2 durch das Ansaugstück 54 über einen Unterdruck gehalten wird, durch Verwendung der Trennschicht 28 als Ausgangspunkt, wie in 7 dargestellt, von dem SiC-Ingot 2 getrennt werden. Eine Trennfläche 58 des SiC-Ingots 2, von welcher der Wafer 56 abgetrennt worden ist, weist Aussparungen und Vorsprünge auf, und die Höhe der Aussparungen und Vorsprünge der Trennfläche 58 beträgt zum Beispiel in etwa 100 µm. Wenn Ultraschallwellen von dem Ultraschalloszillationselement 52 oszilliert werden, kann ein Spalt, wie zum Beispiel von 2 bis 3 mm, zwischen der oberen Fläche des SiC-Ingots 2 und der unteren Fläche des Ansaugstücks 54 erzeugt werden.
  • Nachdem die Trennschicht 28 in dem SiC-Ingot 2 wie oben beschrieben ausgebildet worden ist, und der zu erzeugende Wafer 56 von dem SiC-Ingot 2 getrennt worden ist, wird ein Planarisierungsverfahren zum Planarisieren der Trennfläche 58 des SiC-Ingots 2 ausgeführt. Zu dem Planarisierungsverfahren gehört ein Schleifschritt mit einem Halten der der Trennfläche 58 gegenüberliegenden Seite an einem drehbaren Spanntisch und ein Drehen eines Schleifrads mit einem ringförmigen Schleifmittel, um die Trennfläche 58 des durch den Spanntisch gehaltenen SiC-Ingots 2 zu schleifen. Der Schleifschritt kann zum Beispiel durch Verwenden einer Schleifvorrichtung 60 ausgeführt werden, die teilweise in 8A dargestellt ist. Die Schleifvorrichtung 60 schließt einen kreisförmigen Spanntisch 62, der den SiC-Ingot 2 hält, und eine Schleifeinheit 64 ein, welche die obere Fläche des durch den Spanntisch 62 gehaltenen SiC-Ingots 2 schleift und planarisiert. Ähnlich wie bei dem Spanntisch 20 der Laserbearbeitungsvorrichtung 18 hält der Spanntisch 62 den SiC-Ingot 2 über einen Unterdruck an der oberen Fläche und wird durch einen nicht dargestellten Motor des Spanntischs um eine Axiallinie gedreht, die in radialer Richtung durch den Mittelpunkt des Spanntischs 62 verläuft und sich entlang der Aufwärts-Abwärts-Richtung erstreckt. Die Schleifeinheit 64 schließt eine kreissäulenförmige Spindel 66, die mit einem nicht dargestellten Motor für die Spindel verbunden ist und sich entlang der Aufwärts-Abwärts-Richtung erstreckt, und eine Radhalterung 68 ein, die an dem unteren Ende der Spindel 66 befestigt ist und eine Kreisscheibenform aufweist. Ein ringförmiges Schleifrad 72 ist an der unteren Fläche der Radhalterung 68 durch Bolzen 70 befestigt. An dem äußeren Umfangskantenteil der unteren Fläche des Schleifrads 72 ist eine Vielzahl von Schleifmitteln 74 befestigt, die mit Abständen in der Umfangsrichtung ringförmig angeordnet ist. Bei der Schleifvorrichtung 60 ist der Rotationsmittelpunkt des Schleifrads 72 in Bezug auf den Rotationsmittelpunkt des Spanntischs 62 auf so eine Weise versetzt, dass die Schleifmittel 74 durch den Rotationsmittelpunkt des Spanntischs 62 verlaufen. Wenn die obere Fläche des an der oberen Fläche des Spanntischs 62 gehaltenen SiC-Ingots 2 und die Schleifmittel 74 miteinander in Kontakt kommen, während der Spanntisch 62 und das Schleifrad 72 zusammen rotieren, wird die gesamte obere Fläche des SiC-Ingots 2 durch die Schleifmittel 74 geschliffen.
  • Die Beschreibung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die 8A und 8B fortgeführt. Bei dem Schleifschritt wird als erstes eine Saugkraft an der oberen Fläche des Spanntischs 62 erzeugt und die der Trennfläche 58 gegenüberliegende Seite des SiC-Ingots 2 (Seite des Substrats 16) wird durch den Spanntisch 62 über einen Unterdruck gehalten. Nachfolgend wird der Spanntisch 62 mit einer vorbestimmten Rotationsgeschwindigkeit (zum Beispiel 300 Umdrehungen pro Minute) von oben gesehen gegen den Uhrzeigersinn gedreht. Des Weiteren wird die Spindel 66 von oben gesehen gegen den Uhrzeigersinn mit einer vorbestimmten Rotationsgeschwindigkeit (zum Beispiel 6000 Umdrehungen pro Minute) gedreht. Nachfolgend wird die Spindel 66 durch eine nicht dargestellte Absenkeinheit der Schleifvorrichtung 60 nach unten bewegt, und die Schleifmittel 74 werden mit der Trennfläche 58 in Kontakt gebracht. Dann wird die Spindel 66 mit einer vorbestimmten Schleifzuführgeschwindigkeit (zum Beispiel 1,0 µ pro Sekunde) nach unten bewegt, nachdem die Schleifmittel 74 mit der Trennfläche 58 in Kontakt gebracht worden sind. Dies kann die Trennfläche 58 des SiC-Ingots 2 zu so einem Ausmaß schleifen und planarisieren, dass der Einfall des gepulsten Laserstrahls LB nicht behindert wird, wenn die Trennschicht 28 wieder in dem SiC-Ingot 2 ausgebildet wird. Wenn die Trennfläche 58 geschliffen wird, wird von einer nicht dargestellten Schleifwasserzuführeinheit der Trennfläche 58 und den Schleifmitteln 74 Schleifwasser zugeführt.
  • Wenn der oben beschriebene Schleifschritt ausgeführt wird, wird ein Planheitserfassungsschritt mit einem Bestrahlen der Trennfläche 58 des SiC-Ingots 2, die dem Schleifrad 72 ausgesetzt ist, mit Licht und einem Erfassen reflektierten Lichts ausgeführt, um den Planheitsgrad zu erfassen. Wenn die Trennfläche 58 als bei dem Planheitserfassungsschritt als plan geworden erfasst wird, wird der Schleifschritt beendet. Wie in den 8A und 8B dargestellt, kann der Planheitserfassungsschritt durch Verwendung eines lichtemittierenden Elements 76, das die dem Schleifrad 72 ausgesetzte Trennfläche 58 mit Licht bestrahlt, ein Lichtempfangselements 78, das reflektiertes Licht empfängt, welches durch die Bestrahlung durch das lichtemittierende Element 76 und Reflexion durch die Trennfläche 58 erhalten wird, und eine nicht dargestellten Schleifwasserentfernungseinheit ausgeführt werden, die das Schleifwasser bei einer Bestrahlungsposition S (siehe 8B) entfernt, bei welcher die Bestrahlung mit dem Licht des lichtemittierenden Elements 76 bei der Trennfläche 58 ausgeführt wird. Die Schleifwasserentfernungseinheit schließt eine Düse ein, die mit einer Druckluftquelle verbunden ist und Druckluft von der Düse in Richtung der Bestrahlungsposition S ausstößt, um das Schleifwasser bei der Bestrahlungsposition S zu entfernen und die Trennfläche 58 zu exponieren.
  • Nachdem das Schleifwasser bei dem Bestrahlungspunkt S entfernt worden ist und die Trennfläche 58 freigelegt worden ist, kann bei dem Planheitserfassungsschritt erfasst werden, dass die Trennfläche 58 plan geworden ist, wenn die Trennfläche 58, wie in 9A dargestellt, mit Licht von dem lichtemittierenden Element 76 in einem Einfallswinkel θ bestrahlt wird und reflektiertes Licht durch das Lichtempfangselement 78 mit einem Reflexionswinkel Θ empfangen wird und die durch das Lichtempfangselement 78 empfangene Lichtmenge einen Grenzwert überschreitet.
  • Insbesondere bevor die Trennfläche 58 planarisiert worden ist, wird das Licht diffus reflektiert, mit dem die Trennfläche 58 von dem lichtemittierenden Element 76 in dem Einfallswinkel θ in Bezug auf die Trennfläche 58 bestrahlt wird. Folglich ist die in dem Reflexionswinkel θ reflektierte Lichtmenge und die durch das Lichtempfangselement 78 empfangene Lichtmenge gering. Wenn die Trennfläche 58 jedoch planarisiert worden ist, nimmt das reflektierte Licht, das mit dem Reflexionswinkel θ reflektiert wird im Verhältnis zu dem reflektierten Licht vor dem Planarisieren zu, und die durch das Lichtempfangselement 78 empfangene Lichtmenge nimmt zu. Folglich kann erfasst werden, dass die Trennfläche 58 plan geworden ist, wenn die durch das Lichtempfangselement 78 empfangene Lichtmenge einen Grenzwert überschreitet. Wie in 9B dargestellt, kann ein Grenzwert Rc zwischen einem Durchschnitt R1 der vor dem Planarisieren empfangenen Lichtmenge und einem Durchschnitt R2 der nach dem Planarisieren empfangenen Lichtmenge beliebig eingestellt werden. Jedoch wird für den Grenzwert Rc ein Wert bevorzugt, der näher an dem Durchschnitt R2 ist als der Mittelwert zwischen dem Durchschnitt R1 und dem Durchschnitt R2.
  • Wenn der zu erzeugende Wafer 56 von der Trennschicht 28 des SiC-Ingots 2 aus, in welcher der Abweichungswinkel α durch die c-Ebene und die Endfläche (das heißt der Abweichungswinkel α ist nicht 0°) ausgebildet ist, getrennt wird, ist es darüber hinaus auch möglich, den Planheitserfassungsschritt auf die folgende Weise auszuführen. Insbesondere wenn Licht, wie in 10A dargestellt, von dem lichtemittierenden Element 76 senkrecht zu der Trennfläche 58 emittiert wird und reflektiertes Licht durch das Lichtempfangselement 78 bei einer Position empfangen wird, bei welcher der mit dem lichtemittierenden Element 76 ausgebildete Winkel 2α ist, und die empfangene Lichtmenge unter einen Grenzwert fällt, wird erfasst, dass die Trennfläche 58 plan geworden ist. Insbesondere wenn der zu erzeugende Wafer 56 von der Trennschicht 28 des SiC-Ingots 2, in dem der Abweichungswinkel α durch die c-Ebene und die Endfläche ausgebildet wird, getrennt wird, liegt der Teil, der sich entlang der c-Ebene erstreckt, in der Trennfläche 58 vor. Folglich wird die Lichtmenge, die durch das Lichtempfangselement 78 empfangen wird, das bei der Position angeordnet ist, bei welcher der mit dem lichtemittierenden Element 76 ausgebildete Winkel zu 2α wird, vergleichsweise groß, wenn die in 10A dargestellte Positionsbeziehung beim Schleifen der Trennfläche 58 erfüllt ist. Folglich schwankt die Lichtmenge, wie in 10B dargestellt. Wenn die Trennfläche 58 planarisiert worden ist, verschwindet dann bei der Trennfläche 58 der Teil, der sich entlang der c-Ebene erstreckt. Folglich wird die zwischendurch erfasste Menge empfangenen Lichts mit dem vergleichsweise großen Wert nicht erfasst. Wenn die Lichtmenge, die durch das Lichtempfangselement 78 empfangen wird, unter den Grenzwert gefallen ist, das heißt die Menge empfangenen Lichts, die gleich wie oder größer als der Grenzwert ist, wird nicht mehr erfasst, kann daher dann erfasst werden, dass die Trennfläche 58 plan geworden ist. Wie in 10B dargestellt, kann der Grenzwert Rc in diesem Fall beliebig zwischen einem Durchschnitt R3 der Menge an empfangenem Licht mit dem vergleichsweise großen Wert, der zwischendurch vor dem Planarisieren erfasst wird, und einem Durchschnitt R4 der Menge an empfangenen Licht nach dem Planarisieren eingestellt werden. Jedoch wird für den Grenzwert Rc ein Wert bevorzugt, der näher an dem Durchschnitt R4 ist als der Mittelwert zwischen dem Durchschnitt R3 und dem Durchschnitt R4. Bei dem oben beschriebenen „Licht wird von dem lichtemittierenden Element 76 senkrecht zu der Trennfläche 58 emittiert“ bedeutet „senkrecht zu der Trennfläche 58“, dass das Licht senkrecht zu der planen Trennfläche 58 nach dem Schleifen ist.
  • Wie oben beschrieben schließt das Planarisierungsverfahren bei der vorliegenden Ausführungsform den Schleifschritt mit einem Halten der von dem SiC-Ingot 2 der Trennfläche 58 gegenüberliegenden Seite an dem drehbaren Spanntisch 62 und Drehen des Schleifrads 72, das Schleifmittel 74 auf die Weise eines Rings aufweist, um die Trennfläche 58 des durch den Spanntisch 62 gehaltenen SiC-Ingots 2 zu schleifen, und den Planheitserfassungsschritt mit einem Bestrahlen der Trennfläche 58 des SiC-Ingots 2, die von dem Schleifrad 72 exponiert wird, mit Licht und Erfassen reflektierten Lichts ein, um den Grad der Planheit zu erfassen. Da der Schleifschritt beendet wird, wenn die Trennfläche 58 des SiC-Ingots 2 bei dem Planheitserfassungsschritt als plan geworden erfasst wird, wird einem übermäßigen Schleifen der Trennfläche 58 vorgebeugt und die Schleifzeit kann verkürzt werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert.

Claims (1)

  1. Planarisierungsverfahren zum Planarisieren einer Trennfläche (58) eines Siliziumcarbidingots (2), nachdem ein Brennpunkt (FP) eines Laserstrahls (LB) mit so einer Wellenlänge, die durch Siliziumcarbid übertragbar ist, in einer Tiefe von einer Endfläche (4) des Siliziumcarbidingots (2) aus positioniert worden ist, die mit einem zu erzeugenden Wafer (56) korrespondiert, und der Siliziumcarbidingot (2) mit dem Laserstrahl (LB) bestrahlt worden ist, um eine Trennschicht (28) auszubilden, in welcher Siliziumcarbid in Silizium und Kohlenstoff getrennt ist und Risse (26) isotropisch entlang einer c-Ebene erzeugt worden sind, und der Wafer (56) bei der Trennschicht (28) von dem Siliziumcarbidingot getrennt worden ist, wobei das Planarisierungsverfahren umfasst: einen Schleifschritt mit einem Halten einer der Trennfläche (58) des Siliziumcarbidingots (2) gegenüberliegenden Seite durch einen drehbaren Spanntisch (62) und Drehen eines Schleifrads (72), das eine Vielzahl von Schleifmitteln (74) aufweist, die ringförmig angeordnet ist, um die Trennfläche (58) des durch den Spanntisch (62) gehaltenen Siliziumcarbidingots (2) zu schleifen; und einen Planheiterfassungsschritt mit einem Bestrahlen der Trennfläche (58) des Siliziumcarbidingots (2), die von dem Schleifrad (72) exponiert worden ist, mit Licht und Erfassen reflektierten Lichts, um einen Grad an Planheit zu erfassen, wobei der Schleifschritt beendet wird, wenn bei dem Planheiterfassungsschritt erfasst wird, dass die Trennfläche (58) des Siliziumcarbidingots (2) plan geworden ist, und wobei, wenn der zu erzeugende Wafer (56) von der Trennschicht (28) des Siliziumcarbidingots (2) getrennt worden ist, bei welcher ein Abweichungswinkel α durch die c-Ebene und die Endfläche ausgebildet wird, bei dem Planheiterfassungsschritt erfasst wird, dass die Trennfläche (58) plan geworden ist, wenn das Licht von einem lichtemittierenden Element (76) senkrecht zu der Trennfläche (58) emittiert wird, das reflektierte Licht bei einer Position empfangen wird, bei welcher ein mit dem lichtemittierenden Element ausgebildeter Winkel 2α ist und eine Menge empfangenen Lichts unter einen Grenzwert (Rc) fällt.
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