JPH02222533A - 半導体ウェーハの研削装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、主としてＧａＡｓ半導体ウェーハの研削仕上
げ面の面粗さを測定して、研削作業の終了又は続行を決
定する半導体ウェーハの研削装置に関する。

〔従来の技術〕

各種処理工程を経て回路パターン等が（１００）面に形
成された半導体ウェーハは、グイシング工程の前に実装
用の厚さに研削される。その際裏面の（１００）面が研
削されるが、この（１００）面は後のダイボンディング
工程で所定のダイボンディング強度を必要とすることか
ら所定の面粗さを要求される。しかし、この仕上げ面は
、研削時における砥石表面の砥粒の状態により変化を受
は易く、半導体ウェーハを連続して安定に研削するのは
難しい。このため、従来は半導体ウェーへの仕上げ状態
を確認すべく、その都度研削テーブルから取外して面粗
さを測定するようにしている。

そして、所定の面粗さの基準値を満たせば研削作業の終
了して次の半導体ウェーハの研削を実行し、満たさない
場合には半導体ウェーハを研削テーブルに再度セットし
て研削作業を続行するようにしている。

〔発明が解決しようとする課題〕

このように従来の研削装置にあっては、面粗さを測定す
る場合に半導体ウェーハをその都度研削テーブルから取
外さねばならないため、研削工程全体に要する時間が長
くなる不具合があった。

本発明は、測定に要する時間を短縮して研削工程全体の
時間短縮を図る半導体ウェーハの研削装置を提供するこ
とをその目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成すべく、半導体ウェーハの研削
仕上げ面の面粗さを測定し、このハ１定結果に基づいて
研削作業の終了又は続行を決定する半導体ウェーへの研
削装置において、研削ステージ上に載置した半導体ウェ
ーハの研削仕上げ面に光を照射可能な発光器と、この光
の反射光量を検出可能な受光器と、受光器の検出結果に
基づいて研削作業の終了又は続行を決定する制御手段と
を備えたことを特徴とする。

〔作用〕

発光器により半導体ウェーハの研削仕上げ面の任意の点
に光を照射し、この光の反射光量を受光器で検出する。

このとき受光量が一定量以上あれば研削仕上げ面が所定
の平滑さにに仕上がっていると判断でき、一定量以下あ
れば所定の平滑さに仕上がっていないと判断できる。

このように研削装置に光学的に面粗さを測定可能な発光
器と受光器とを備えることにより、従来のように半導体
ウェーハを研削ステージから取外すことなくその研削仕
上げ面の測定を行うことができ、制御手段を備えること
により、直ちに研削作業の終了又は続行を決定できる。

〔実施例〕

第１図を参照して本発明を実施したＧａＡｓ半導体ウェ
ーハの研削装置について説明する。

この研削装置１は、各種処理工程を経た後の半導体ウェ
ーハＷをダイシング工程の前に実装用の厚さに研削する
もので、半導体ウェーハＷを吸着により載置固定する研
削ステージ２と、その上方に半導体ウェーハＷを研削す
る研削砥石３とを備えている。研削ステージ２は、回転
軸４に連結された駆動装置（図示せず）により半導体ウ
エーノ＼Ｗを吸着した状態で回転し、また研削砥石３は
、駆動軸５に連結された駆動装置（図示せず）により回
転しながら昇降動する。したがって、半導体ウェーハＷ
は研削の際に自らゆっくり回転すると共に、回転しなが
ら除々に下降してくる研削砥石３により、その研削仕上
げ面である（１００）面が均一に研削される。

また、研削ステージ２上には、図示しない固定部材によ
り発光器を構成する発光素子６と受光器を構成する受光
素子７とが設けられており、この発光素子６から半導体
ウェーハＷの表面、すなわち研削仕上げ面の測定点Ｐに
投光レンズを介して集光された光が照射され、測定点Ｐ
からの反射光は受光レンズを介して受光素子７の受光面
で受光される。そして、この反射光の光量の多少により
研削仕上げ面の面粗さが測定される。

また、発光素子６と受光素子７とは、少なくとも３ｔ！
！１所のΔ−１定点Ｐを測定するため、移動装置（図示
せず）により相対的に移動できるように構成されている
。測定点Ｐは、ＧａＡｓ半導体ウェーつＷが結晶の異方
性によって第２図の斜線で示した扇状領域Ｗａ、Ｗａで
面粗さが悪化し易いこと、及びウェーハも回転させるこ
の種の研削方式では、ウェーハの中心部分の面粗さが悪
化し易いことに鑑みて、半導体ウェーハＷの中心点と、
半導体ウェーハＷのオリエンテーションフラットＷａに
直交する中心線上の中心点を挟んだ径方向の２箇所の合
計３箇所とした。

そして、この３箇所の測定値のすべてが基準値を満たせ
ば研削を終了し、１箇所でも基準値を満たさない箇所が
ある場合には再研削を行う。

これを第３図に示すように具体的に研削装置１の制御と
関連させて説明する。発光器は、発光素子駆動回路８と
発光素子６とから構成され、研削砥石３の上昇完了を検
知した発光素子駆動回路８の信号により、研削ステージ
２を回転させた状態で発光素子６から点灯駆動により各
測定点Ｐに順次に光が照射される。一方、受光器は受光
量検出器つと受光素子７とから構成されており、各測定
点Ｐからの反射光が受光素子７により受光され、続く受
光量検出器９で反射光量が検出される。受光量検出器９
はすべての測定点で反射光量が所定の値に達している場
合には終了コントローラ１０に信号を送り、いずれか１
箇所でも反射光量が所定の値に達しない場合には続行コ
ントローラ１１に信号を送る。終了コントローラ１０は
この信号により移載装置駆動部１２を制御して、研削を
完了した半導体ウェーハＷを払出し、新たな半導体ウェ
ーハＷを研削ステージ２上にセットする。−方、続行コ
ントローラ１１はこの信号により研削砥石駆動部１３を
制御し、研削作業を続行する。

以上のように構成すれば、半導体ウェーハＷを、研削ス
テージ２上にセットした状態で測定できると共に、発光
素子６を点灯駆動させることより研削ステージ２を回転
させた状態でｎ１定することができ、同時に研削作業の
終了又は続行へ瞬時に移行することができる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、半導体ウェーへの面粗さ
を研削ステージに載置した状態で測定できるため、研削
工程に要する時間が短縮でき、しかも、従来のように半
導体ウェーハを研削ステージからの若脱する際に誤って
破損することも防止でき、生産性を向上し得る効果を有
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施した半導体ウェーハの研削装置の
概略図、第２図は測定点を示した半導体ウェーハの平面
図、第３図は面粗さａ？Ｊ定の制御フロー図である。 １・・・研削装置、２・・・研削ステージ、６・・・発
光素子、７・・・受光素子、８・・・発光素子駆動回路
、９・・・受光量検出器、１０・・・終了コントローラ
、１１・・・続行コントローラ、Ｗ・・・半導体ウェー
ハ。 特許出願人　　住友電気工業株式会社 代理人弁理士　　　長谷用　　芳　　樹羊導１本ウェー
への（丁００）面 面粗さ測定の制御フロー 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体ウェーハの研削仕上げ面の面粗さを測定し、この
   測定結果に基づいて研削作業の終了又は続行を決定する
   半導体ウェーハの研削装置において、 研削ステージ上に載置した半導体ウェーハの研削仕上げ
   面に光を照射可能な発光器と、この光の反射光量を検出
   可能な受光器と、受光器の検出結果に基づいて研削作業
   の終了又は続行を決定する制御手段とを備えたことを特
   徴とする半導体ウェーハの研削装置。