DE102005052504A1

DE102005052504A1 - Verfahren zum Laserbearbeiten eines Wafers

Info

Publication number: DE102005052504A1
Application number: DE102005052504A
Authority: DE
Inventors: Hitoshi Hoshino; Ryugo Oba; Kenji Furuta; Noboru Takeda; Nobuyasu Kitahara
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2004-11-04
Filing date: 2005-11-03
Publication date: 2006-06-14
Anticipated expiration: 2025-11-04
Also published as: DE102005052504B4; US20060094260A1; CN1788912A; JP2006134971A; CN100528451C; US7396780B2

Abstract

Verfahren zum Ausführen der Laserbearbeitung eines Wafers mit einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine, umfassend einen Ansaug- bzw. Einspanntisch zum Halten des Wafers, Laserstrahlaufbringmittel zum Aufbringen eines Laserstrahls auf den Wafer, der auf dem Einspanntisch gehalten wird, und einem Bearbeitungszuführmittel zum Bearbeitungszuführen des Einspanntischs und der Laserstrahlaufbringmittel relativ zueinander, umfassend die Schritte eines Waferbefestigungsschritts zum Aufbringen des Wafers auf die Oberfläche eines Schutzklebebands, das auf einem ringförmigen Rahmen festgelegt wird, eines Waferhalteschritts zum Halten des Wafers, der auf das Schutzklebeband auf dem Einspanntisch aufgebracht bzw. gelegt wird, und eines Lasertrahlaufbringschritts zum Anwenden bzw. Aufbringen eines Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, von den Laserstrahlaufbringmitteln auf den Wafer, der auf dem Einspanntisch gehalten wird, und eines Bearbeitungszuführens des Wafers mit den Bearbeitungszuführmitteln, wobei das Schutzklebeband aus einem Material gefertigt bzw. hergestellt wird, welches den Laserstrahl durchläßt, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, die von den Laserstrahlaufbringmitteln aufgebracht wird.

Description

Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausführen einer Laserbearbeitung eines Wafers entlang von unterteilenden bzw. Unterteilungslinien, die auf dem Laser ausgebildet sind.

In dem Herstellungsverfahren bzw. -prozeß einer Halbleitervorrichtung wird eine Mehrzahl von Flächen durch Unterteilungslinien unterteilt sind, die "Straßen" genannt werden bzw. sind, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche eines im wesentlichen scheibenartigen Halbleiterwafers angeordnet sind, und eine Schaltung, wie eine IC oder LSI ist bzw. wird in jedem der unterteilten Bereiche bzw. jeder unterteilten Flächen ausgebildet. Individuelle bzw. einzelne Halbleiterchips werden durch ein Schneiden dieses Halbleiterwafers entlang der Untertei lungslinien hergestellt, um ihn in die Flächen bzw. Bereiche zu unterteilen, die jeweils eine Schaltung darauf ausgebildet aufweisen. Ein Wafer einer optischen Vorrichtung, umfassend auf einer Galliumnitridverbindung basierende Halbleiter, die auf die vordere Oberfläche eines Saphirsubstrats laminiert sind, werden auch entlang von Unterteilungslinien geschnitten, um in individuelle bzw. einzelne optische Vorrichtungen unterteilt zu werden, wie Licht emittierende Dioden oder Laserdioden, welche weit verbreitet in elektrischen Einrichtungen verwendet werden.

Ein Schneiden entlang der Unterteilungslinien des obigen Halbleiterwafers oder Wafers einer optischen Vorrichtung wird allgemein durch ein Verwenden einer Schneidmaschine ausgeführt, die "Dicer" bzw. "Zerteilmaschine" genannt ist. Diese Schneidmaschine umfaßt einen Ansaug- bzw. Einspanntisch zum Halten eines Werkstücks, wie einen Halbleiterwafer oder Wafer einer optischen Vorrichtung, Schneidmittel zum Schneiden des Werkstücks, das auf dem Einspanntisch gehalten ist bzw. wird, und ein Schneidzufuhrmittel zum Bewegen des Einspanntisches und der Schneidmittel relativ zueinander. Die Schneidmittel umfassen eine rotierende Spindel, eine Schneidklinge, die auf der Spindel festgelegt bzw. montiert ist und einen Antriebsmechanismus zum rotierenden Antreiben der Rotationsspindel. Die Schneidklinge besteht aus einer scheibenartigen Basis und einer ringförmigen Schneidkante, welche auf dem Seitenwandumfangsabschnitt der Basis festgelegt ist und so dick wie etwa 20 μm durch ein Festlegen von schleifenden Diamantkörnern, die einen Durchmesser von etwa 3 μm aufweisen, an der Basis durch Elektroformen ausgebildet wird.

Da ein Saphirsubstrat, Silizium-Carbid-Substrat usw. eine hohe Mohs'sche Härte besitzen, ist jedoch ein Schneiden mit der obigen Schneidklinge nicht immer einfach. Wei ters müssen, da die Schneidklinge eine Dicke von etwa 20 μm aufweist, die Unterteilungslinien zum Unterteilen von Vorrichtungen eine Breite von etwa 50 μm aufweisen. Daher wird in dem Fall einer Vorrichtung, die 300 μm × 300 μm mißt, das Flächenverhältnis der Straßen zu der Vorrichtung 14 %, wodurch die Produktivität reduziert wird.

Weiters wurde, um den Durchsatz einer Schaltung, wie einer IC oder LSI zu verbessern, kürzlich ein Halbleiterwafer implementiert, umfassend einen isolierenden Film mit niedriger Dielektrizitätskonstante (Low-k-Film), der aus einer Folie bzw. einem Film aus anorganischem Material, wie SiOF oder BSG (SiOB), oder einem Film aus einem organischen Material, wie einem auf Polyimid basierenden, Parylen basierenden, etc. Polymer hergestellt wird, der auf die vordere Oberfläche eines Halbleitersubstrats, wie eines Siliziumsubstrats laminiert ist. Da der Low-k-Film aus mehreren Schichten (5 bis 15 Schichten) besteht und extrem zerbrechlich ähnlich Glimmer ist, involviert er ein Problem, daß, wenn der obige Halbleiterwafer entlang der Unterteilungslinien mit der Schneidklinge geschnitten wird, sich der Low-k-Film abschält und dieses Abschälen die Schaltungen erreicht, was für die Halbleiterchips fatal ist.

Um das obige Problem zu lösen, wird eine Bearbeitungsmaschine zum Entfernen eines Low-k-Films, der auf den Unterteilungslinien des Halbleiterwafers ausgebildet ist, durch Anwenden eines Pulslaserstrahls auf dem Low-k-Film und Schneiden des Halbleiterwafers entlang der Unterteilungslinien, von welchen der Low-k-Film entfernt wurde, in JP-A 2003-320466 vorgeschlagen und geoffenbart.

Um das Laserbearbeiten des Wafers, wie eines Halbleiterwafers entlang der Unterteilungslinien auszuführen, wird der Wafer auf dem Einspanntisch in einem Zustand gehalten, wo er auf die Oberfläche eines Schutzklebebands aufgebracht wird, das an einem ringförmigen Rahmen montiert bzw. festgelegt ist, und ein Laserstrahl wird auf dem Wafer, der auf dem Einspanntisch gehalten ist, entlang der Unterteilungslinien aufgebracht bzw. angewandt. Jedoch wird, wenn ein Laserstrahl die Fläche des Wafers überläuft und auf das Schutzklebeband zufällig in dem Schritt eines Aufbringens bzw. Anwendens eines Laserstrahls auf den Wafer aufgebracht wird, der auf die vordere Oberfläche des Schutzklebebands gelegt ist, ein derartiges Problem auftreten, daß, da das Schutzklebeband aus einem synthetischen Harz, wie Vinylchlorid, gefertigt ist, ein toxisches Gas, wie Dioxin erzeugt bzw. generiert wird, wodurch ein sauberer Raum kontaminiert wird, wo eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine installiert ist, und die Gesundheit eines Betätigers beeinträchtigt wird. Weiters gibt es noch ein weiteres Problem, daß, wenn ein Laserstrahl auf das Schutzklebeband aufgebracht wird, das Schutzklebeband geschmolzen wird und an dem Einspanntisch anhaftet, oder ein Loch in dem Schutzklebeband ausgebildet wird, wodurch es schwierig gemacht wird, den Wafer zu tragen.

Zusammenfassung der Erfindung

Es ist ein Ziel bzw. Gegenstand der vorliegenden Erfindung, ein Waferlaserbearbeitungsverfahren zur Verfügung zu stellen, das fähig ist, das Schutzklebeband daran zu hindern geschmolzen zu werden, selbst wenn ein Laserstrahl die Fläche des Wafers überläuft bzw. darüber hinaus läuft, und auf das Schutzklebeband zufällig in dem Schritt eines Aufbringens bzw. Anwendens eines Laserstrahls auf den Wafer aufgebracht wird, der auf das Schutzklebeband gelegt ist.

Um das obige Ziel zu erreichen, wird gemäß der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Ausführen eines Laserbearbeitens eines Wafers mit einer Laserstrahlbearbeitungsma schine zur Verfügung gestellt, umfassend einen Ansaug- bzw. Einspanntisch zum Halten eines Wafers, Laserstrahlaufbringmittel zum Aufbringen eines Laserstrahls auf den Wafer, der auf dem Einspanntisch gehalten wird, und Bearbeitungszuführmittel zum Bewegen des Einspanntischs und der Laserstrahlaufbringmittel relativ zueinander, umfassend die Schritte:
einen Waferbefestigungsschritt zum Aufbringen bzw. Anordnen des Wafers auf die Oberfläche eines Schutzbands bzw. Schutzklebebands, das auf einem ringförmigen Rahmen festgelegt wird;
einen Waferhalteschritt zum Halten des Wafers, der auf das Schutzklebeband auf dem Einspanntisch gelegt bzw. aufgebracht wird; und
einen Laserstrahlaufbringschritt zum Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, von den Laserstrahlaufbringmitteln auf den Wafer, der auf dem Einspanntisch gehalten wird, und Bearbeitungszuführen des Wafers mit den Bearbeitungsführmitteln, wobei
das Schutzklebeband aus einem Material gefertigt bzw. hergestellt wird, welches den Laserstrahl überträgt bzw. durchläßt, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, die von den Laserstrahlaufbringmitteln aufgebracht wird.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird, da das Schutzklebeband, auf welches der Wafer aufgebracht bzw. gelegt wird, das aus einem Material hergestellt bzw. gefertigt ist, welches den Laserstrahl durchläßt, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, die von der Laserstrahlbearbeitungsmaschine aufgebracht ist, selbst wenn der Laserstrahl eine Fläche des Wafers überläuft bzw. darüber hinaus läuft, und auf das Schutzklebeband zufällig aufgebracht wird, das Schutzklebeband nicht geschmolzen. Daher haftet das Klebeband nicht an dem Einspanntisch an oder ein Loch wird nicht in dem Schutzklebeband ausgebildet. Weiters wird, da das Schutzklebeband nicht geschmolzen wird, ein toxisches Gas, wie Dioxin, nicht gebildet.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers als ein Werkstück;
2 ist eine vergrößerte Schnittansicht des Halbleiterwafers, der in 1 gezeigt ist;
3 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, wo der Halbleiterwafer, der in 1 gezeigt ist, auf ein Schutzklebeband aufgebracht bzw. gelegt wurde, das auf einem ringförmigen Schneidrahmen festgelegt ist bzw. wird;
4 ist eine perspektivische Ansicht des Hauptabschnitts einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine zum Ausführen des Laserstrahlbearbeitungsverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung;
5 ist ein Blockdiagramm, das schematisch die Ausbildung von Laserstrahlaufbringmitteln zeigt, die in der Laserstrahlbearbeitungsmaschine zur Verfügung gestellt sind, die in 4 gezeigt ist;
6 ist ein schematisches Diagramm zum Erklären des Brennpunktdurchmessers eines Laserstrahls, der von den Laserstrahlaufbringmitteln aufgebracht wird, die in 5 gezeigt sind,; und
7(a) und 7(b) sind erläuternde Diagramme, die den Laserstrahlaufbringschritt zeigen, welcher durch die Laserstrahlbearbeitungsmaschine ausgeführt wird, die in 4 gezeigt ist.
Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausbildungen
Eine bevorzugte Ausbildung des Laserstrahlbearbeitungsverfahrens der vorliegenden Erfindung wird in weiterem Detail nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
1 ist eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterwafers 2 als ein Wafer, der mit einem Laser zu bearbeiten ist, und 2 ist eine vergrößerte Schnittansicht für unterteilende bzw. Unterteilungslinien 211 des Halbleiterwafers 2, der in 1 gezeigt ist. In dem Halbleiterwafer 2, der in 1 und 2 gezeigt ist, ist eine Mehrzahl von Flächen bzw. Bereichen durch eine Mehrzahl von Unterteilungslinien 211 unterteilt, die in einem Gittermuster auf der vorderen Oberfläche 21a eines Halbleitersubstrats 21 ausgebildet sind, das aus einem Siliziumwafer zusammengesetzt ist, und eine Schaltung 212, wie ein IC oder ein LSI ist bzw. wird auf jedem der unterteilten Bereiche ausgebildet. In diesem Halbleiterwafer 2 wird ein isolierender Film 213 mit niedriger Dielektrizitätskonstante ausgebildet, der auf die vordere Oberfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 laminiert ist.
Die Seite der rückwärtigen Oberfläche 21b des Halbleiterwafes 2, der wie oben beschrieben ausgebildet ist, wird auf die Oberfläche eines Schutzklebebands 4 aufgebracht, das an einem ringförmigen Rahmen 3 festgelegt bzw. montiert ist, wie dies in 3 gezeigt ist (Waferbefestigungs- bzw. -festlegungsschritt). Daher schaut die Schaltung 212, die auf der vorderen Oberfläche 21a des Halbleiterwafers 2 ausgebildet ist, nach oben. Es ist wichtig, daß ein Band bzw. Klebeband, das aus einem Material hergestellt bzw. gefertigt ist, das einen Laserstrahl durchläßt, welches später beschrieben werden wird, als das obige Schutzklebeband 4 verwendet werden sollte. Beispielsweise wird, wenn die Laserbearbeitung des obigen Halbleiterwafers 2 unter Verwendung eines Laserstrahls ausgeführt wird, der eine Wellenlänge von 355 nm aufweist, ein Klebeband, das aus einem Material hergestellt ist, das fähig ist, einen Laserstrahl durchzulassen, der eine Wellenlänge von 355 nm aufweist, als das Schutzklebeband 4 verwendet. Das Schutzklebeband 4 in der dargestellten bzw. illustrierten Ausbildung ist ein Klebeband, in welchem ein 5 μm dicke Acrylharzklebeschicht auf der Oberfläche eines 100 μm dicken, auf Polyolefin basierenden Harzblatts aufgebracht bzw. gelegt ist.
Um ein Laserstrahlbearbeiten zum Entfernen des isolierenden Films 213 mit niedriger Dielektrizitätskonstakte auszuführen, welches auf den Unterteilungslinien 211 durch Aufbringen bzw. Anwenden eines Laserstrahls entlang der Unterteilungslinien 211 des obigen Halbleiterwafers 2 ausgebildet wird, wird eine Laserstrahlbearbeitungsmaschine 5, die in 4 bis 6 gezeigt ist, verwendet. Die Laserstrahlbearbeitungsmaschine 5, die in 4 bis 6 gezeigt ist, umfaßt einen Ansaug- bzw. Einspanntisch 51 zum Halten eines Werkstücks, Laserstrahlaufbringmittel 52 zum Aufbringen eines Laserstrahls auf das Werkstück, das auf dem Einspanntisch 51 gehalten ist bzw. wird, und Bildaufnahmemittel 53 zum Aufnehmen eines Bilds des Werkstücks, das auf dem Einspanntisch 51 gehalten ist. Der Einspanntisch 51 ist so ausgebildet, um durch ein Saugen das Werkstück zu halten, und ist ausgebildet, um in einer Bearbeitungszuführrichtung, die durch einen Pfeil X in 4 angedeutet ist, durch Bearbeitungszuführmittel (nicht gezeigt) und in einer schrittweisen bzw. Indexierzufuhrrichtung, die durch einen Pfeil Y angedeutet ist, durch Indexzufuhrmittel bewegt zu werden, welche nicht gezeigt sind.
Die obigen Laserstrahlaufbringmittel 52 haben ein zylindrisches Gehäuse 521, das im wesentlichen horizontal an geordnet ist. In dem Gehäuse 521 sind Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522 und ein optisches Transmissions- bzw. Übertragungssystem 523 installiert, wie dies in 5 gezeigt ist. Die Pulslaserstrahl-Oszillationsmittel 522 bestehen aus einem Pulslaserstrahl-Oszillator 522a, bestehend aus einem YAG-Laser-Oszillator oder einem YVO4-Laser-Oszillator, und Wiederholungsfrequenz-Einstell- bzw. -Festlegungsmitteln 522b, die mit dem Pulslaserstrahl-Oszillator 522a verbunden sind. Das optische Übertragungssystem 523 umfaßt geeignete optische Elemente, wie einen Strahlteiler, usw. Ein Kondensor 524, der Sammellinsen (nicht gezeigt) aufnimmt, die aus einer Kombination von Linsen zusammengesetzt sind, welche eine an sich bekannten Formation sein können, ist an dem Ende des obigen Gehäuses 521 festgelegt. Ein Laserstrahl, der von den obigen Pulslaserstrahl-Oszillationsmitteln 522 oszilliert ist bzw. wird, erreicht den Kondensor 524 durch das optische Übertragungssystem 523 und wird auf das Werkstück, das auf dem obigen Einspanntisch 51 gehalten ist, von dem Kondensor 524 bei einem vorbestimmten Brennpunktdurchmesser D aufgebracht. Dieser Brennpunktdurchmesser D ist bzw. wird durch den Ausdruck D (μm) = 4 × λ × f/(π × W) definiert (wobei λ die Wellenlänge (μm) des Pulslaserstrahls ist, W der Durchmesser (mm) des Pulslaserstrahls ist, der auf eine Objektivlinse 524a aufgebracht ist, und f die Brennweite (mm) der Objektivlinse 524a ist), wenn der Pulslaserstahl, der eine Gauss'sche Verteilung aufweist, durch die Objektivlinse 524a des Kondensors 524 aufgebracht ist, wie dies in 6 gezeigt ist.
Die Bildaufnahmemittel 53, die an dem Ende des Gehäuses 521 festgelegt sind, das die obigen Laserstrahlaufbringmittel 52 bildet, übertragen ein Bildsignal zu Steuer- bzw. Regelmitteln, welche nicht gezeigt sind.
Eine Beschreibung wird nachfolgend von einem Laserstrahlbearbeiten zum Entfernen des isolierenden Films 213 mit niedriger Dielektrizitätskonstante, der auf den Unterteilungslinien 211 ausgebildet ist, durch Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Unterteilungslinien 211 des Halbleiterwafers 2 mit der obigen Laserstrahlbearbeitungsmaschine 5 unter Bezugnahme auf 4 bis 7(a) und 7(b) gegeben.
Der Halbleiterwafer 2, der auf die Oberfläche des Schutzklebebands 4 aufgebracht bzw. gelegt ist, das an dem ringförmigen Rahmen 3 festgelegt ist, wie dies in 3 gezeigt ist, wird zuerst auf dem Einspanntisch 51 der Laserstrahlbearbeitungsmaschine 5 angeordnet, wie dies in 4 gezeigt ist, und wird durch ein Saugen auf dem Einspanntisch 51 gehalten. Daher schaut die vordere Oberfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 des Halbleiterwafers 2 nach oben. Obwohl der ringförmige Rahmen 3, der auf dem Schutzklebeband 4 festgelegt bzw. montiert ist, in 4 nicht gezeigt ist, wird er an geeigneten Rahmenhaltemitteln gehalten, die auf dem Einspanntisch 51 angeordnet sind.
Der Einspanntisch 51, welcher durch ein Saugen den Halbleiterwafer 2 hält, wie dies oben beschrieben ist, wird zu einer Position direkt unter den Bildaufnahmemitteln 53 durch die Bearbeitungszuführmittel gebracht, welche nicht gezeigt sind. Nachdem der Einspanntisch 51 direkt unter den Bildaufnahmemitteln 53 angeordnet ist bzw. wird, wird eine Ausrichtarbeit zum Detektieren der Fläche bzw. des Bereichs, die bzw. der zu bearbeiten ist, des Halbleiterwafers 2 durch die Bildaufnahmemittel 53 und die Steuer- bzw. Regelmittel ausgeführt, welche nicht gezeigt sind. D.h. die Bildaufnahmemittel 53 und die Steuer- bzw. Regelmittel (nicht gezeigt) führen eine Bildbearbeitung, wie ein Musterübereinstimmen bzw. -abstimmen usw. durch, um eine Un terteilungslinie 211, die in einer vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 2 ausgebildet ist, mit dem Kondensor 524 der Laserstrahlaufbringmittel 52 zum Aufbringen eines Laserstrahls entlang der Unterteilungslinie 211 auszurichten, wodurch das Ausrichten einer Laserstrahlaufbringposition ausgeführt wird. Das Ausrichten der Laserstrahlaufbringposition wird auch an Unterteilungslinien 211, die auf dem Halbleiterwafer 2 in einer Richtung senkrecht zu der vorbestimmten Richtung ausgebildet sind, in ähnlicher Weise ausgeführt.
Nachdem die Unterteilungslinie 211, die auf dem Halbleiterwafer 2 ausgebildet ist, der an dem Einspanntisch 51 gehalten ist, detektiert ist und das Ausrichten der Laserstrahlaufbringposition ausgeführt wird, wie dies oben beschrieben ist, wird der Einspanntisch 51 bewegt, um ein Ende (linkes Ende in 7(a)) der vorbestimmten Unterteilungslinie 211 zu einer Position direkt unter dem Kondensor 524 zu bringen, wie dies in 7(a) gezeigt ist. Der Einspanntisch 51, d.h. der Halbleiterwafer 2, wird dann in der Richtung, die durch den Pfeil X1 in 7(a) angedeutet ist, bei einer vorbestimmten Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit bzw. -rate bewegt, während ein Pulslaserstrahl, der eine Absorptionsfähigkeit für einen Siliziumwafer besitzt, der beispielsweise eine Wellenlänge von 355 nm aufweist, von dem Kondensor 524 aufgebracht wird. Wenn die Aufbringposition des Kondensors 524 der Laserstrahlaufbringmittel 52 das andere Ende der Unterteilungslinie 211 erreicht, wie dies in 7(b) gezeigt ist, wird das Aufbringen des Pulslaserstrahls unterbrochen und die Bewegung des Einspanntischs 51, d.h. der Halbleiterwafer 2 wird gestoppt. Als ein Ergebnis wird der isolierende Film 213 mit niedriger Dielektrizitätskonstante, der auf der Unterteilungslinie 211 ausgebildet ist, entfernt, wie dies in 7(b) gezeigt ist (Laserstrahlaufbringschritt). In diesem Laserstrahlaufbringschritt wird der Brennpunkt P des Pulslaserstrahls auf einer Position nahe der vorderen Oberfläche (oberen Oberfläche) des isolierenden Films 213 mit niedriger Dielektrizitätskonstante festgelegt bzw. eingestellt, der auf der vorderen Oberfläche 21a des Halbleitersubstrats 21 ausgebildet ist.

Die Bearbeitungsbedingungen in dem obigen Laserstrahlaufbringschritt sind wie folgt in der illustrierten Ausbildung eingestellt.

Lichtquelle:	Halbleiter erregter Feststofflaser (Nd: YAG)
Wellenlänge:	355 nm
Pulsenergie:	35 μJ
Brennpunktdurchmesser:	4 μm
Pulsbreite:	180 ns
Wiederholungsfrequenz:	100 kHz
Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit:	60 mm/s

In dem obigen Laserstrahlaufbringschritt wird der Pulslaserstrahl von dem Kondensor 524 gesteuert bzw. geregelt, daß er in einem Abstand aufgebracht wird, der von dem Zustand, wo ein Ende der Unterteilungslinie 211, die auf dem Halbleiterwafer 2 ausgebildet ist, direkt unter dem Kondensor 524 positioniert ist, bis zu dem Zustand reicht, wo das andere Ende der Unterteilungslinie 211 direkt unter dem Kondensor 524 positioniert ist. Jedoch gibt es einen Fall, wo der Laserstrahl beide Enden der Unterteilungslinie 211 des Halbleiterwafers 2 überläuft bzw. überstreicht. Obwohl der Laserstrahl auf das Schutzklebeband 4 in diesem Moment aufgebracht wird, wird, da das Schutzklebeband 4 aus einem Material gefertigt bzw. hergestellt ist, welches einen Laserstrahl durchläßt, der eine Wellenlänge von 355 nm aufweist, der von dem Kondensor 524 aufgebracht wird, es nicht geschmolzen. Daher haftet das Schutzklebeband 4 nicht an dem Einspanntisch 51 oder ein Loch wird nicht in dem Schutzklebeband 4 ausgebildet. Da das Schutzklebeband 4 nicht geschmolzen wird, wird ein toxisches Gas, wie Dioxin, nicht generiert bzw. erzeugt. Da der Brennpunkt des Laserstrahls, der durch das Schutzklebeband 4 hindurchtritt, auf eine Position nahe der vorderen Oberfläche 21a (oberen Oberfläche) des Halbleiterwafers 2 festgelegt ist, wie dies oben beschrieben ist, wird der Einspanntisch 51 nicht beschädigt.
Nachdem der obige Laserstrahlaufbringschritt entlang der vorbestimmten Unterteilungslinien 211 ausgeführt wurde, wie dies oben beschrieben ist, wird der Einspanntisch 51 daher der Halbleiterwafer 2, der auf dem Einspanntisch 51 festgelegt ist, schrittweise um einen Abstand entsprechend dem Intervall zwischen Unterteilungslinien 211 in der Richtung, die durch den Pfeil Y angedeutet ist, (Indexierschritt), schrittweise zugeführt und dann wird der obige Laserstrahlaufbringschritt in ähnlicher Weise ausgeführt. Nachdem der Laserstrahlaufbringschritt und der Indexierschritt derart an allen Unterteilungslinien 211 ausgeführt wurden, die sich in der vorbestimmten Richtung des Halbleiterwafers 2 erstrecken, wird der Einspanntisch 51 und somit der Halbleiterwafer 2, der auf dem Einspanntisch 51 gehalten ist, um 90° gedreht, um den Laserstrahlaufbringschritt und den Indexierschritt auf Unterteilungslinien 211 auszuführen, die sich in einer Richtung senkrecht zu der oben bestimmten Richtung erstrecken, wodurch es möglicht gemacht wird, den isolierenden Film 213 mit niedriger Dielektrizitätskonstante zu entfernen, die auf allen Unterteilungslinien 211 des Halbleiterwafers 2 ausgebildet ist. Nachdem der isolierende Film 213 mit niedriger Dielektrizitätskonstante, die auf allen Verteilungs- linien 211 des Halbleiterwafers 2 ausgebildet ist, entfernt ist, wird der Halbleiterwafer 2 zu dem nachfolgenden Schritt in einem Zustand geführt, wo er auf dem ringförmigen Rahmen 3 durch das Schutzklebeband 4 gehalten ist.
Obwohl die vorliegende Erfindung oben anhand einer bevorzugten Ausbildung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben wurde, sollte festgehalten werden, daß die vorliegende Erfindung in keiner Weise nur auf die obige Ausbildung beschränkt ist, sondern an verschiedenen Arten von Laserstrahlbearbeitungen ausgeführt werden kann, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen. In der illustrierten Ausbildung wird ein Laserbearbeiten ausgeführt, um den isolierenden Film mit niedriger Dielektrizitätskonstante zu entfernen, der auf den Unterteilungslinien des Halbleiterwafers ausgebildet ist. Die vorliegende Erfindung kann auf ein Laserbearbeiten angewandt werden, um Nuten bzw. Rillen (Unterteilungsrillen) entlang der Unterteilungslinien auszubilden, indem ein Pulslaserstrahl einer Wellenlänge (beispielsweise 355 nm), der eine Absorptionsfähigkeit für einen Saphirwafer aufweist, entlang der Unterteilungslinien aufgebracht wird, die auf dem Saphirwafer ausgebildet sind, der Galliumnitrid umfaßt, um den Saphirwafer zu unterteilen.

Claims

Verfahren zum Ausführen der Laserbearbeitung eines Wafers mit einer Laserstrahlbearbeitungsmaschine, umfassend einen Ansaug- bzw. Einspanntisch zum Halten eines Wafers, ein Laserstrahlaufbringmittel zum Aufbringen eines Laserstrahls auf den Wafer, der auf dem Einspanntisch gehalten wird, und Bearbeitungszuführmittel zum Bearbeitungszuführen des Einspanntischs und der Laserstrahlaufbringmittel relativ zueinander, umfassend die Schritte: einen Waferbefestigungsschritt zum Aufbringen des Wafers auf die Oberfläche eines Schutzbands, das auf einem ringförmigen Rahmen festgelegt wird; einen Waferhalteschritt zum Halten des Wafers, der auf das Schutzband auf dem Einspanntisch gelegt bzw. aufgebracht wird; und einen Laserstrahlaufbringschritt zum Aufbringen eines Laserstrahls, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, von den Laserstrahlaufbringmitteln auf den Wafer, der auf dem Einspanntisch gehalten wird, und Bearbeitungszuführen des Wafers mit den Bearbeitungszuführmitteln, wobei das Schutzband aus einem Material gefertigt wird, welches den Laserstrahl durchläßt, der eine vorbestimmte Wellenlänge aufweist, die von den Laserstrahlaufbringmitteln aufgebracht wird.