TW201725611A - 晶圓的加工方法 - Google Patents

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Yohei Yamashita
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Abstract

提供一種晶圓的加工方法，即使在基板的表面形成有影像檢測器的晶圓，也可以使品質不會下降地分割成各影像檢測器。一種晶圓的加工方法，是將藉由被積層在基板的表面的功能層而形成影像檢測器的晶圓，沿著將該影像檢測器區劃的複數分割預定線分割，包含：將保護構件貼合在晶圓的表面的保護構件貼合過程；及從構成晶圓的基板的背面側將切削刀片定位於與分割預定線對應的領域且將未達到功能層基板的一部分殘留地形成分割溝的分割溝形成過程；及從分割溝形成過程被實施的基板的背面側沿著分割溝的底將雷射光線照射，將殘存的基板的一部分及功能層切斷的晶圓分割過程。

Description

晶圓的加工方法
本發明，是有關於將藉由被積層在基板的表面的功能層而形成有作為元件的影像檢測器的晶圓，沿著將影像檢測器區劃的複數分割預定線進行分割的晶圓的加工方法。
如本行業者所周知，在半導體元件製造程序中，藉由在矽等的基板的表面形成有使絕緣膜及功能膜被積層的功能層而將複數IC、LSI等的元件形成矩陣狀的半導體晶圓。如此形成的半導體晶圓是使上述元件藉由分割預定線被區劃，藉由沿著此分割預定線分割來製造各半導體元件晶片。
最近，為了提高IC、LSI等的半導體晶片的處理能力，在矽等的基板的表面積層藉由由SiOF、BSG(SiOB)等的無機物系的膜和聚醯亞胺系、聚對二甲苯系等的聚合物膜的有機物系的膜所構成的低介電常數絕緣體被膜(Low-k膜)的功能層而形成半導體元件的形態的半導體晶圓已被實用化。
沿著這種半導體晶圓的分割預定線的分割，通常是藉由如切割機的切削裝置進行。此切削裝置，具備：將被加工物也就是半導體晶圓保持的挾盤載置台、及將被保持在該挾盤載置台的半導體晶圓切削用的切削手段、及將挾盤載置台及切削手段相對地移動的移動手段。切削手段，是包含被高速旋轉的主軸及被裝設於該主軸的切削刀片。切削刀片是由圓盤狀的基台及被裝設於該基台的側面外周部的環狀的切削刃所構成，切削刃是藉由電鑄將例如粒徑3μm程度的鑽石磨粒固定而形成。
然而，上述的Low-k膜因為是與晶圓的素材(材料)相異，所以藉由切削刀片同時切削是困難的。即，Low-k膜因為是如雲母所以非常地脆，藉由切削刀片沿著分割預定線切削的話，Low-k膜會剝離，此剝離會到達元件的電路為止而具有會對於元件施加致命的損傷的問題。
為了消解上述問題，藉由在形成於晶圓的分割預定線的兩側沿著分割預定線將雷射光線照射，沿著分割預定線形成2條的雷射加工溝將功能層分斷(功能層分斷過程)，在此2條的雷射加工溝的內側之間將切削刀片定位使切削刀片及晶圓相對移動，而將晶圓沿著分割預定線切斷的晶圓的分割方法是如下述專利文獻1所揭示。
又，從晶圓的表面側沿著分割預定線將雷射光線照射的話因為雜物會飛散，所以在實施功能層分斷過程之前在晶圓的表面被覆由聚乙烯醇(PVA)等的水溶性樹脂所構 成的保護膜，防止飛散的雜物直接附著在元件。
〔習知技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2005-64230號公報
然而，形成於矽等的基板的表面的元件是CMOS和CCD等的影像檢測器的情況時，在晶圓的表面即使被覆由PVA等的水溶性樹脂所構成的保護膜，飛散的比較大的雜物仍會貫通保護膜，對於構成影像檢測器的纖細的畫素給與破壞，而具有影像檢測器的品質下降的問題。
本發明是有鑑於上述事實者，其主要的技術的課題是提供一種晶圓的加工方法，即使在基板的表面形成有影像檢測器的晶圓，也可以品質不會下降地分割成各影像檢測器。
為了解決上述主要的技術課題，依據本發明的話，可提供一種晶圓的加工方法，是將藉由被積層在基板的表面的功能層而形成有影像檢測器的晶圓，沿著將該影像檢測器區劃的複數分割預定線分割，具備：將保護構 件貼合在晶圓的表面的保護構件貼合過程；及從構成晶圓的基板的背面側將切削刀片定位於與分割預定線對應的領域且將未達到功能層基板的一部分殘留地形成分割溝的分割溝形成過程；及從該分割溝形成過程被實施的基板的背面側沿著該分割溝的底將雷射光線照射，將殘存的基板的一部分及功能層切斷的晶圓分割過程。
較佳是，晶圓的加工方法，是進一步包含：實施上述保護構件貼合過程之後，在實施上述分割溝形成過程之前將構成晶圓的基板的背面磨削而形成規定的厚度的背面磨削過程。
較佳是，晶圓的加工方法，是進一步包含：將上述晶圓分割過程被實施的晶圓的背面覆蓋環狀的框架的內側開口部的方式貼合於裝設有外周部的黏膠帶的表面並且將被貼合在晶圓的表面的保護構件剝離的晶圓支撐過程。
依據本發明的晶圓的加工方法的話，在晶圓分割過程中，因為從構成晶圓的基板的背面側沿著分割溝的底將雷射光線照射，將殘存的基板的一部分及功能層切斷，比較大的雜物即使飛散，皆不會落下至形成於晶圓的表面的影像檢測器，不會對於構成影像檢測器的纖細的畫素施加破壞，可消解影像檢測器的品質下降的問題。
且依據本發明的晶圓的加工方法的話，晶圓分割過程因為是在分割溝形成過程中將殘存的基板的一部分及功能 層切斷，所以切斷的厚度是15~20μm，很薄，可以藉由雷射光線的照射而完全切斷。
進一步，在本發明的晶圓的加工方法中，晶圓分割過程因為不必要如習知技術將形成上述分割溝的切削刀片的寬度形成超過2條的雷射加工溝，所以成為可將分割預定線的寬度變窄，可以形成於1枚的晶圓的影像檢測器的量可以增加且可以達成生產性的提高。
2‧‧‧半導體晶圓
20‧‧‧基板
20a‧‧‧表面
20b‧‧‧背面
201‧‧‧一部分
21‧‧‧功能層
21a‧‧‧表面
22‧‧‧分割預定線
23‧‧‧影像檢測器
24‧‧‧分割溝
25‧‧‧雷射加工溝
3‧‧‧保護構件
4‧‧‧磨削裝置
41‧‧‧磨削裝置的挾盤載置台
42‧‧‧磨削手段
421‧‧‧主軸外殼
422‧‧‧主軸
423‧‧‧貼片機
424‧‧‧磨削滾輪
425‧‧‧基台
426‧‧‧磨削砥石
427‧‧‧結合螺栓
5‧‧‧切削裝置
51‧‧‧切削裝置的挾盤載置台
52‧‧‧切削手段
521‧‧‧主軸外殼
522‧‧‧主軸
523‧‧‧切削刀片
524‧‧‧基台
525‧‧‧切削刃
53‧‧‧攝像手段
6‧‧‧雷射加工裝置
61‧‧‧雷射加工裝置的挾盤載置台
62‧‧‧雷射光線照射手段
621‧‧‧外殼
622‧‧‧集光器
63‧‧‧攝像手段
7‧‧‧環狀的框架
70‧‧‧黏膠帶
8‧‧‧拾取裝置
81‧‧‧框架保持手段
82‧‧‧膠帶擴張手段
83‧‧‧拾取夾頭(真空吸具)
811‧‧‧框架保持構件
811a‧‧‧載置面
812‧‧‧挾具
821‧‧‧擴張滾筒
822‧‧‧支撐凸緣
823‧‧‧支撐手段
823a‧‧‧氣壓缸
823b‧‧‧活塞桿
〔第1圖〕半導體晶圓的立體圖及半導體晶圓的主要部分放大剖面圖。
〔第2圖〕保護構件貼合過程的說明圖。
〔第3圖〕背面磨削過程的說明圖。
〔第4圖〕實施分割溝形成過程用的切削裝置的主要部分立體圖。
〔第5圖〕分割溝形成過程的說明圖。
〔第6圖〕實施晶圓分割過程用的雷射加工裝置的主要部分立體圖。
〔第7圖〕晶圓分割過程的說明圖。
〔第8圖〕晶圓支撐過程的說明圖。
〔第9圖〕實施拾取過程用的拾取裝置的立體圖。
〔第10圖〕影像檢測器分離過程的說明圖。
以下，對於本發明的晶圓的加工方法參照添付圖面，詳細說明。
在第1圖(a)及(b)中，顯示藉由本發明的晶圓的加工方法而被分割成各影像檢測器的半導體晶圓2的立體圖及其主要部分放大剖面圖。半導體晶圓2，是形成有例如在厚度是600μm的矽等的基板20的表面20a使絕緣膜及功能膜被積層的功能層21，在藉由在此功能層21形成格子狀的複數分割預定線22而被區劃的複數領域形成有CMOS和CCD等的影像檢測器23。又，在本實施例中，功能層21的厚度是設定成10μm，形成功能層21的絕緣膜是由SiO2膜或是SiOF、BSG(SiOB)等的無機物系的膜和聚醯亞胺系、聚對二甲苯系等的聚合物膜的有機物系的膜所構成的低介電常數絕緣體被膜(Low-k膜)。又，影像檢測器23的大小是設定成17mm×13mm。
說明將上述的半導體晶圓2沿著分割預定線分割的晶圓的加工方法。首先，在被積層於構成半導體晶圓2的基板20的功能層21的表面21a，為了保護影像檢測器23而如第2圖所示貼合保護構件3(保護構件貼合過程)。又，保護構件3，在本實施例中是使用例如在厚度是100μm的由聚氯乙烯(PVC)所構成的薄片狀基材的表面塗抹丙烯酸樹脂系的黏接層是厚度5μm程度的保護膠帶。且保護構件，可以使用玻璃基板等的具有剛性的硬體托板。
實施了上述的保護構件貼合過程的話，實施將構成半導體晶圓2的基板20的背面磨削將半導體晶圓2形成規定的厚度的背面磨削過程。此背面磨削過程，是使用如第3圖(a)所示的磨削裝置4實施。第3圖(a)所示的磨削裝置4，具備：將被加工物保持的挾盤載置台41、及將被保持在該挾盤載置台41的被加工物磨削的磨削手段42。挾盤載置台41，是在保持面也就是上面將被加工物吸引保持的方式構成，藉由無圖示的旋轉驅動機構而在第3圖(a)朝由箭頭41a顯示的方向旋轉。磨削手段42，具備：主軸外殼421、及可旋轉自如地被支撐於該主軸外殼421且藉由無圖示的旋轉驅動機構而被旋轉的主軸422、及被裝設於該主軸422的下端的貼片機423、及被安裝於該貼片機423的下面的磨削滾輪424。此磨削滾輪424，是由圓環狀的基台425、及被裝設於該基台425下面的環狀的磨削砥石426所構成，基台425是藉由結合螺栓427而被安裝在貼片機423的下面。
使用上述磨削裝置4實施上述背面磨削過程中，如第3圖(a)所示在挾盤載置台41的上面(保持面)載置上述保護構件貼合過程被實施的半導體晶圓2的保護構件3側。且，藉由將無圖示的吸引手段作動而在挾盤載置台41上將半導體晶圓2透過保護構件3吸引保持(晶圓保持過程)。因此，被保持在挾盤載置台41上的半導體晶圓2，是使基板20的背面20b成為上側。如此在挾盤載置台41上將半導體晶圓2透過保護構件3吸引 保持的話，將挾盤載置台41在第3圖(a)朝由箭頭41a顯示的方向由例如300rpm旋轉，且將磨削手段42的磨削滾輪424在第3圖(a)朝由箭頭424a顯示的方向由例如6000rpm旋轉，如第3圖(b)所示將磨削砥石426與加工面也就是構成半導體晶圓2的基板20的背面20b接觸，將磨削滾輪424在第3圖(a)及(b)如箭頭424b所示由例如1μm/秒的磨削給進速度朝下方(對於挾盤載置台41的保持面垂直的方向)進行規定量磨削給進。此結果，構成半導體晶圓2的基板20的背面20b被磨削使半導體晶圓2形成規定的厚度。又，在本實施例中，基板20的厚度是設定成為100μm，因此半導體晶圓2是形成加上了功能層21的厚度(10μm)的110μm的厚度。
實施了上述的背面磨削過程的話，實施：從構成半導體晶圓2的基板20的背面20b側至與分割預定線22對應的領域將切削刀片定位使未達到功能層地殘留基板的一部分地形成分割溝的分割溝形成過程。此分割溝形成過程，是使用第4圖所示的切削裝置5實施。第4圖所示的切削裝置5，具備：作為將被加工物保持的被加工物保持手段的挾盤載置台51、及將被保持在該挾盤載置台51的上面也就是保持面的被加工物切削的切削手段52、及將被保持在該挾盤載置台51的被加工物攝像的攝像手段53。挾盤載置台51，是將被加工物吸引保持的方式構成，藉由無圖示的加工給進手段而在第4圖朝由箭頭X顯示的加工給進方向移動，並且藉由無圖示的分割給進 手段而朝由箭頭Y顯示的分割給進方向移動。
上述切削手段52，是包含：被實質上水平配置的主軸外殼521、及可旋轉自如地被支撐於該主軸外殼521的主軸522、及被裝設於該主軸522的先端部的切削刀片523，主軸522是藉由被配設在主軸外殼521內的無圖示的伺服馬達而朝由箭頭523a顯示的方向旋轉。切削刀片523，是由：藉由鋁形成的圓盤狀的基台524、及被裝設於該基台524的側面外周部的環狀的切削刃525所構成。環狀的切削刃525，是由在基台524的側面外周部使粒徑為3~4μm的鑽石磨粒由鎳電鍍固化的電鑄刀片所構成，在本實施例中，厚度是30μm，外徑是50mm。
上述攝像手段53，是被裝設於主軸外殼521的先端部，在本實施例中除了藉由可視光線攝像的通常的攝像元件(CCD)以外，由：朝被加工物將紅外線照射的紅外線照明手段、及捕捉藉由該紅外線照明手段被照射的紅外線的光學系、及由對應藉由該光學系捕捉到的紅外線的電氣訊號輸出的攝像元件(紅外線CCD)等所構成，將被攝像的畫像訊號朝無圖示的控制手段送出。
在使用上述的切削裝置5實施分割溝形成過程中，如第4圖所示在挾盤載置台51的上面也就是保持面上載置上述保護構件貼合過程被實施的半導體晶圓2的保護構件3側。且，藉由無圖示的吸引手段而將上半導體晶圓2透過保護構件3吸附保持在挾盤載置台51(晶圓保持過程)。因此，被保持在挾盤載置台51上的半導體 晶圓2，是使基板20的背面20b成為上側。如此，將半導體晶圓2吸引保持的挾盤載置台51，是藉由無圖示的加工給進手段而被定位於攝像手段53的正下方。
挾盤載置台51是被定位於攝像手段53的正下方的話，就實行藉由攝像手段53及無圖示的控制手段檢出半導體晶圓2的應切削領域的對準過程。即，攝像手段53及無圖示的控制手段，是實行：與形成於半導體晶圓2的第1方向的分割預定線22對應的領域、及進行與切削刀片523的位置對合用的圖案匹配等的畫像處理，執行由切削刀片523所產生的切削領域的對準(對準過程)。且，對於在半導體晶圓2與形成於與上述第1方向垂直交叉的方向的分割預定線22對應的領域，也同樣地執行由切削刀片523所進行的切削位置的對準。此時，形成有半導體晶圓2的分割預定線22的功能層21的表面是位於下側，但是攝像手段53因為具備如上述由紅外線照明手段及捕捉紅外線的光學系及將對應紅外線的電氣訊號輸出的攝像元件(紅外線CCD)等所構成的攝像手段，所以可以從構成晶圓的基板20的背面20b透過地將分割預定線22攝像。
如以上檢出與被保持於挾盤載置台51上的半導體晶圓2的分割預定線22對應的領域，進行切削領域的對準的話，將保持了半導體晶圓2的挾盤載置台51朝切削領域的切削開始位置移動。此時，如第5圖(a)所示半導體晶圓2是為了切削而使與分割預定線22對應的 領域的一端(在第5圖(a)的左端)被定位於比切削刀片523的正下方更規定量右側。
如此挾盤載置台51即半導體晶圓2是被定位於切削加工領域的切削開始位置的話，將切削刀片523在第5圖(a)從由2點鎖線顯示的待機位置如箭頭Z1所示朝下方切入給進，在第5圖(a)如實線所示被定位於規定的切入深度位置。此切入深度位置，是如第5圖(a)及第5圖(c)所示切削刀片523的下端是設定於未達到構成半導體晶圓2的功能層21的位置(例如為了從功能層殘留10~5μm而從基板20的背面20b遠離90~95μm的位置)。
接著，將切削刀片523在第5圖(a)朝由箭頭523a顯示的方向由規定的旋轉速度旋轉，將挾盤載置台51在第5圖(a)朝由箭頭X1顯示的方向由規定的切削給進速度移動。且，挾盤載置台51是如第5圖(b)所示對應分割預定線22的位置的另一端(在第5圖(b)的右端)是到達比切削刀片523的正下方更規定量左側的話，將挾盤載置台51的移動停止。如此藉由將挾盤載置台51切削給進，如第5圖(d)所示在半導體晶圓2的基板20中從背面20b朝表面20a側將一部分201殘留地形成分割溝24(分割溝形成過程)。
接著，將切削刀片523在第5圖(b)如箭頭Z2所示上昇使定位於由2點鎖線顯示的待機位置，將挾盤載置台51在第5圖(b)中朝由箭頭X2顯示的方向移 動，返回至第5圖(a)所示的位置。且，將挾盤載置台51朝與紙面垂直的方向(分割給進方向)只有相當於分割預定線22的間隔的量分割給進，接著將對應欲切削的分割預定線22的領域定位於與切削刀片523對應的位置。如此，接著為了切削將對應分割預定線22的領域定位於與切削刀片523對應的位置的話，就實施上述的分割溝形成過程。
又，上述分割溝形成過程，是例如由以下的加工條件進行。
切削刀片 外徑50mm、厚度20μm
切削刀片的旋轉速度 20000rpm
切削給進速度 50mm/秒
在半導體晶圓2在對應形成於第1方向的全部的分割預定線22的領域實施了上述的分割溝形成過程的話，將挾盤載置台51轉動90度，沿著朝對於形成於與上述第1方向的分割預定線22垂直交叉的方向延伸的分割預定線23實施上述分割溝形成過程。
如上述實施了分割溝形成過程的話，實施：從構成半導體晶圓2的基板20的背面側沿著分割溝24的底對於基板20及功能層21將具有吸收性的波長的雷射光線照射，將殘存的基板20的一部分及功能層21切斷的晶圓分割過程。此晶圓分割過程，是使用第6圖所示的雷射加工裝置6實施。第6圖所示的雷射加工裝置6，具備：作為將被加工物保持的被加工物保持手段的挾盤載置台 61、及朝被保持於該挾盤載置台61的上面也就是保持面上的被加工物將雷射光線照射的雷射光線照射手段62、及將被保持在挾盤載置台61上的被加工物攝像的攝像手段63。挾盤載置台61，是將被加工物吸引保持的方式構成，藉由無圖示的移動機構而在第6圖朝由箭頭X顯示的加工給進方向及由箭頭Y顯示的分割給進方向移動。
上述雷射光線照射手段62，是從被裝設於被實質上水平配置的圓筒形狀的外殼621的先端的集光器622將脈衝雷射光線照射。且，被裝設於構成上述雷射光線照射手段62的外殼621的先端部的攝像手段63，是具備：將被加工物照明的照明手段、及捕捉藉由該照明手段而被照明的領域的光學系、及將藉由該光學系被捕捉的像攝像的攝像元件(CCD)等，將被攝像的畫像訊號朝無圖示的控制手段送出。
對於使用上述的雷射加工裝置6實施的晶圓分割過程，參照第6圖及第7圖進行說明。此晶圓分割過程，首先是在第6圖所示的雷射加工裝置6的挾盤載置台61的上面也就是保持面上載置上述分割溝形成過程被實施的半導體晶圓2的保護構件3側。且，藉由無圖示的吸引手段而將上半導體晶圓2透過保護構件3吸引保持在挾盤載置台61(晶圓保持過程)。因此，被保持在挾盤載置台61上的半導體晶圓2，是使基板20的背面20b成為上側。如此，將半導體晶圓2吸引保持的挾盤載置台61，是藉由無圖示的加工給進手段而被定位於攝像手段 53的正下方。
挾盤載置台61是被定位於攝像手段63的正下方的話，就實行藉由攝像手段63及無圖示的控制手段來檢出半導體晶圓2的應雷射加工的加工領域的對準作業。即，攝像手段63及無圖示的控制手段，是實行供進行：從構成半導體晶圓2的基板20的背面20b側形成於第1方向的分割溝24、及與沿著該分割溝24將雷射光線照射的雷射光線照射手段62，的集光器622的位置對合用的圖案匹配等的畫像處理，執行雷射光線照射位置的對準(對準過程)。且，對於在半導體晶圓2朝與上述第1方向垂直交叉的方向形成的分割溝24，也同樣地執行雷射光線照射位置的對準。
實施了上述的對準過程的話，如第7圖(a)所示往朝挾盤載置台61照射雷射光線的雷射光線照射手段62的集光器622位置的雷射光線照射領域移動，將規定的分割溝24定位於集光器622的正下方。此時，如第7圖(a)所示半導體晶圓2，是使分割溝24的一端(在第7圖(a)的左端)位於集光器622的正下方的方式被定位。且，如第7圖(c)所示將從集光器622被照射的脈衝雷射光線LB的集光點P對位在分割溝24的底面附近。接著，從雷射光線照射手段62的集光器622對於基板20及功能層21將具有吸收性的波長的脈衝雷射光線照射且將挾盤載置台61在第7圖(a)朝由箭頭X1顯示的方向由規定的加工給進速度移動。且，如第7圖(b)所 示分割溝24的另一端(在第7圖(b)的右端)是到達集光器622的正下方位置的話，將脈衝雷射光線的照射停止並且將挾盤載置台61的移動停止(晶圓分割過程)。
藉由實施上述的晶圓分割過程，如第7圖(d)所示在半導體晶圓2中在上述分割溝形成過程中在殘存的基板20的一部分201及功能層21形成雷射加工溝25。此結果，在上述分割溝形成過程中殘存的基板20的一部分201及功能層21，是藉由雷射加工溝25被切斷。
接著，將挾盤載置台61朝與紙面垂直的方向(分割給進方向)只有移動分割溝24的間隔(相當於分割預定線22的間隔)。且，從雷射光線照射手段62的集光器622將脈衝雷射光線照射且將挾盤載置台61在第7圖(b)朝由箭頭X2顯示的方向由規定的加工給進速度移動，到達第7圖(a)所示的位置的話，將脈衝雷射光線的照射停止並且將挾盤載置台61的移動停止。如此藉由實施晶圓分割過程，如第7圖(d)所示在半導體晶圓2中在上述分割溝形成過程中在殘存的基板20的一部分201及功能層21形成雷射加工溝25，在上述分割溝形成過程中殘存的基板20的一部分201及功能層21，是藉由雷射加工溝25被切斷。
又，上述晶圓分割過程中的加工條件，是例如如下地被設定。
如上述實施了沿著形成於第1方向的全部的分割溝24將上述晶圓分割過程的話，將挾盤載置台61轉動90度，沿著朝對於形成於上述第1方向的分割溝24垂直交叉的方向延伸的分割溝24實施上述晶圓分割過程。此結果，在構成半導體晶圓2的基板20及功能層21中沿著分割預定線22形成到達保護構件3的雷射加工溝25，使半導體晶圓2被分割成各影像檢測器23。
上述的晶圓分割過程，因為是在雷射加工裝置6的挾盤載置台61的上面也就是保持面上將上述分割溝形成過程被實施的半導體晶圓2的保護構件3側保持，在構成半導體晶圓2的從基板20的背面側沿著分割溝24的底對於基板20及功能層21將具有吸收性的波長的雷射光線照射，形成到達保護構件3的雷射加工溝25，所以比較大的雜物即使飛散，皆不會落下至形成於半導體晶圓2的表面的影像檢測器23，不會對於構成影像檢測器23的纖細的畫素給與破壞，可消解影像檢測器的品質下降的問題。
且上述的晶圓分割過程，因為是藉由在上述分割溝形成過程中在殘存的基板20的一部分201及功能層21形成 雷射加工溝25的方式切斷，所以切斷的厚度是15~20μm(功能層10μm+5~10μm)，很薄，可以藉由雷射光線的照射而完全切斷。
進一步，上述的晶圓分割過程，因為不必要如習知技術超過形成上述分割溝24的切削刀片523的寬度的方式形成2條的雷射加工溝，所以可將分割預定線的寬度變窄，使可以形成於1枚的晶圓的影像檢測器的量可以增加且可以達成生產性的提高。
接著，實施：將晶圓分割過程被實施的構成半導體晶圓2的基板20的背面覆蓋環狀的框架的內側開口部的方式貼合於裝設有外周部的黏膠帶的表面並且將被貼合在半導體晶圓2的表面的保護構件3剝離的晶圓支撐過程。即，如第8圖(a)所示，將環狀的框架7的內側開口部覆蓋的方式將構成半導體晶圓2的基板20的背面20b貼合在裝設有外周部的黏膠帶70的表面，如第8圖(b)所示將被貼合在構成半導體晶圓2的功能層21的表面的保護構件3剝離。因此，被貼合在黏膠帶70的表面的半導體晶圓2，是如第8圖(b)所示使構成半導體晶圓2的功能層21的表面21a成為上側。又，黏膠帶70，是例如在厚度100μm的聚乙烯薄膜的表面塗抹黏接劑。又，在第8圖(a)及(b)所示的實施例中顯示，將構成半導體晶圓2的基板20的背面貼合於在環狀的框架7裝設有外周部的黏膠帶70的表面的例，但是將黏膠帶70貼合在構成半導體晶圓2的基板20的背面並且將黏膠帶70 的外周部同時裝設在環狀的框架7也可以。
實施了上述的晶圓支撐過程的話，實施將被貼合在黏膠帶70的半導體晶圓2各被分割的影像檢測器23拾取的拾取過程。此拾取過程，是使用第9圖所示的拾取裝置8實施。第9圖所示的拾取裝置8，具備：將上述環狀的框架7保持的框架保持手段81、及將被裝設於被保持在該框架保持手段81的環狀的框架7的黏膠帶70擴張的膠帶擴張手段82、及拾取夾頭(真空吸具)83。框架保持手段81，是由：環狀的框架保持構件811、及被配設在該框架保持構件811的外周的作為固定手段的複數挾具812所構成。框架保持構件811的上面是形成將環狀的框架7載置的載置面811a，上環狀的框架7是被載置在此載置面811a。且，被載置於載置面811a上的環狀的框架7，是藉由挾具812被固定於框架保持構件811。如此構成的框架保持手段81，是藉由膠帶擴張手段82朝上下方向可進退被支撐。
膠帶擴張手段82，是具備被配設於上述環狀的框架保持構件811的內側的擴張滾筒821。此擴張滾筒821，是具有比被貼合在被裝設於比環狀的框架7的內徑小的該環狀的框架7的黏膠帶70的半導體晶圓2的外徑更大的內徑及外徑。且，擴張滾筒821，是在下端具備支撐凸緣822。本實施例中膠帶擴張手段82，是具備將上述環狀的框架保持構件811朝上下方向可進退的支撐手段823。此支撐手段823，是由被配設在上述支撐凸緣822 上的複數氣壓缸823a所構成，其活塞桿823b是與上述環狀的框架保持構件811的下面連結。如此由複數氣壓缸823a所構成的支撐手段823，是如第10圖(a)所示將環狀的框架保持構件811在：載置面811a成為與擴張滾筒821的上端大致同一高度的基準位置、及如第10圖(b)所示比擴張滾筒821的上端規定量下方的擴張位置之間，朝上下方向移動。
對於使用如以上構成的拾取裝置8實施的拾取過程參照第10圖進行說明。即，將裝設有使被分割成各影像檢測器23的半導體晶圓2被貼合的黏膠帶70的環狀的框架7，如第10圖(a)所示載置在構成框架保持手段81的框架保持構件811的載置面811a上，藉由挾具812固定於框架保持構件811(框架保持過程)。此時，框架保持構件811是被定位於第10圖(a)所示的基準位置。接著，將作為構成膠帶擴張手段82的支撐手段823的複數氣壓缸823a作動，將環狀的框架保持構件811朝第10圖(b)所示的擴張位置下降。因此，因為被固定於框架保持構件811的載置面811a上的環狀的框架7也下降，所以如第10圖(b)所示被裝設於環狀的框架7的黏膠帶70是與擴張滾筒821的上端緣接觸而被擴張(膠帶擴張過程)。此結果，在被貼合在黏膠帶70的半導體晶圓2中因為呈放射狀拉伸力作用，所以被分離成各影像檢測器23並且與影像檢測器23之間形成有間隔S。且，在被貼合在環狀的框架7的半導體晶圓2若放射狀的拉伸力 作用的話，半導體晶圓2會被分離成各影像檢測器23並且在影像檢測器23之間形成間隔S。
接著，如第10圖(c)所示將拾取夾頭(真空吸具)83作動將影像檢測器23吸附，從黏膠帶70剝離並拾取，朝無圖示的托盤或是黏晶(片接晶片黏著)過程搬運。又，在拾取過程中，如上述被貼合在黏膠帶70的各影像檢測器23之間的間隙S因為被擴大，所以可以不會與相鄰接的影像檢測器23接觸地容易地拾取。
2‧‧‧半導體晶圓
3‧‧‧保護構件
20‧‧‧基板
20a‧‧‧表面
20b‧‧‧背面
21‧‧‧功能層
22‧‧‧分割預定線
23‧‧‧影像檢測器
24‧‧‧分割溝
25‧‧‧雷射加工溝
61‧‧‧雷射加工裝置的挾盤載置台
201‧‧‧一部分
622‧‧‧集光器

Claims (3)

  1. 一種晶圓的加工方法，是將藉由被積層在基板的表面的功能層而形成有影像檢測器的晶圓，沿著將該影像檢測器區劃的複數分割預定線分割，具備：將保護構件貼合在晶圓的表面的保護構件貼合過程；及從構成晶圓的基板的背面側將切削刀片定位於與分割預定線對應的領域且將未達到功能層基板的一部分殘留地形成分割溝的分割溝形成過程；及從該分割溝形成過程被實施的基板的背面側沿著該分割溝的底將雷射光線照射，將殘存的基板的一部分及功能層切斷的晶圓分割過程。
  2. 如申請專利範圍第1項的晶圓的加工方法，其中，進一步具備：實施該保護構件貼合過程之後，在實施該分割溝形成過程之前將構成晶圓的基板的背面磨削而形成規定的厚度的背面磨削過程。
  3. 如申請專利範圍第1項的晶圓的加工方法，其中，進一步具備：將該晶圓分割過程被實施的晶圓的背面覆蓋環狀的框架的內側開口部的方式貼合在裝設有外周部黏膠帶的表面並且將被貼合在晶圓的表面的保護構件剝離的晶圓支撐過程。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI772512B (zh) * 2017-09-08 2022-08-01 日商迪思科股份有限公司 晶圓之加工方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018074083A (ja) * 2016-11-02 2018-05-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019115962A (ja) 2017-12-27 2019-07-18 株式会社ディスコ チャックテーブル修正方法及び切削装置
JP7051615B2 (ja) * 2018-06-29 2022-04-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2020009791A (ja) * 2018-07-02 2020-01-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7191563B2 (ja) * 2018-07-03 2022-12-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163687A (ja) * 1992-11-18 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置のダイシング方法及び装置
JP2005064230A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP2005244118A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法およびカメラモジュールの製造方法
JP2006140341A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP6078376B2 (ja) * 2013-02-22 2017-02-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6262006B2 (ja) * 2014-02-10 2018-01-17 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法および加工装置
JP6325279B2 (ja) * 2014-02-21 2018-05-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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