JP2016111293A - ウェハ分割方法及びウェハ分割装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】低コストでデバイスと基板との間に金属膜が介在するウェハをチップに分割可能なウェハ分割方法及びウェハ分割装置を提供する。【解決手段】ウェハWの分割予定ライン上の金属膜mをブレード11で除去してブレード加工溝aを形成するブレード11と、ブレード11でブレード加工溝aをウェハWの裏面から透過して撮像するIRカメラ30と、IRカメラ30で撮像されたブレード加工溝aから分割予定ラインを導出する制御装置40と、分割予定ラインに沿って基板B内にレーザー光を集光させて改質領域Rを形成するレーザーユニット21と、を備えているウェハ分割装置1。【選択図】図1

Description

本発明は、ウェハ分割方法及びウェハ分割装置に関し、特に、表面を金属膜で被覆されたウェハをチップに分割するウェハ分割方法及びウェハ分割装置に関する。
半導体の製造工程においては、レーザー光を用いてウェハを分割するレーザーダイシングが広く用いられており、このレーザーダイシングでは、基板上にLED等の多数のデバイスが形成された円板状の半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」と称す)を分割予定ラインに沿ってレーザー光を集光し、基板内に改質領域を形成して、分割ラインに沿ってウェハを割断し、多数のチップを得る(例えば、特許文献1参照)。
ところで、デバイスの電気特性を向上させるために、基板の表面に、銅、チタン等の金属膜が被覆されたウェハ、すなわち、デバイスと基板との間に金属膜が介在するウェハが用いられることがある。
このような金属膜が基板上を被覆するウェハを分割するレーザーダイシング装置として、レーザー光でウェハ表面の金属膜を除去した後に、ウェハの裏面側からウェハ内部にレーサー光を照射し改質領域を形成して、この改質領域に沿ってウェハを分割するもの(例えば、特許文献2を参照)が知られている。
特開2012−114322号公報 特開2012−89709号公報
しかしながら、上述したようなレーザーダイシングでは、ウェハの裏面からレーザー光を照射して基板内に改質領域を形成するにあたり、ウェハの裏面からウェハの表面に形成されたデバイスの位置をIRカメラで把握しなければならないが、上述した基板の表面を金属膜に被覆されたウェハでは、金属膜がIR光を吸収するため、IRカメラがウェハの裏面側からデバイスの位置を分割予定ラインを得られず、特殊なレーザーダイシング装置を導入しなければならないという問題があった。
また、デバイスと基板との間に金属膜が介在するウェハの表面側からデバイスのパターン等を把握し、分割予定ラインを得ることも考えられるが、このような特殊なアライメントに対応した特殊な機構が必要となり、コストが増加してしまうという問題があった。
そこで、低コストでデバイスと基板との間に金属膜が介在するウェハを分割するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、基板の表面全面に被覆された金属膜上に形成されたデバイスを有するウェハを、分割予定ラインに沿ってチップに分割するウェハ分割方法において、前記ウェハの分割予定ライン上の前記金属膜をブレードで除去してブレード加工溝を形成する金属膜除去工程と、前記ブレード加工溝をIRカメラで前記ウェハの裏面から透過して撮像する撮像工程と、前記IRカメラで撮像された前記ブレード加工溝の配置から前記分割予定ラインを導出する分割予定ライン導出工程と、前記分割予定ラインに沿って前記基板内にレーザー光を集光させて改質領域を形成する改質領域形成工程と、を含むウェハ分割方法を提供する。
この方法によれば、基板の表面に被覆された金属膜の一部を除去して形成されたブレード加工溝をウェハの裏面から撮影し、ブレード加工溝に基づいてウェハの分割予定ラインを得て、ウェハの裏面からレーザーダイシングを実施可能なため、表面を金属膜に被覆されたウェハを特殊な装置を導入することなく従来のレーザーダイシング装置を用いて分割することができる。
請求項2記載の発明は、請求項1記載のウェハ分割方法の構成に加えて、前記金属膜除去工程では、前記ブレード加工溝が格子状に形成され、前記分割位置導出工程では、前記ブレード加工溝の交点位置に基づいて、前記ウェハの位置ズレが検出されるウェハ分割方法を提供する。
この方法によれば、ブレード加工溝の交点位置に基づいてウェハの分割予定ラインを導出することにより、ウェハの位置ズレが検出され易いため、ウェハのアライメントが簡便に行え、ウェハのレーザーダイシング加工を円滑に実施することができる。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2記載のウェハ分割方法の構成に加えて、前記分割位置導出工程では、前記分割予定ライン及び前記ブレード加工溝の各センターラインを略一致させるウェハ分割方法を提供する。
この方法によれば、ブレード加工溝とウェハの分割予定ラインとの各センターラインを略一致させることにより、分割予定ラインとデバイスとの間隔が確保されて、ウェハを割断する際に生じ得るチッピングでチップが破損することを抑制することができる。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3の何れか1項記載のウェハ分割方法の構成に加えて、前記金属膜除去工程では、前記ブレードが前記基板の表面の少なくとも一部を削り取るウェハ分割方法を提供する。
この方法によれば、基板の表面の少なくとも一部が露出することにより、IRカメラで撮像するウェハの表面の画像においてブレード加工溝が顕著に表れるため、ウェハの分割予定ラインが円滑に導出され、ウェハのレーザーダイシング加工を円滑に実施することができる。
請求項5記載の発明は、基板の表面全面に被覆された金属膜上に形成されたデバイスを有するウェハを、分割予定ラインに沿ってチップに分割するウェハ分割装置において、前記ウェハの分割予定ライン上の前記金属膜を除去してブレード加工溝を形成するブレードと、該ブレードで形成された前記ブレード加工溝を前記ウェハの裏面から透過して撮像するIRカメラと、該IRカメラで撮像された前記ブレード加工溝の配置から前記分割予定ラインを導出する制御装置と、前記分割予定ラインに沿って前記基板内にレーザー光を集光させて改質領域を形成するレーザーヘッドと、を備えているウェハ分割装置を提供する。
この構成によれば、基板の表面に被覆された金属膜の一部を除去して形成されたブレード加工溝をウェハの裏面から撮影し、ブレード加工溝に基づいてウェハの分割予定ラインを得て、ウェハの裏面からレーザーダイシングを実施可能なため、表面を金属膜に被覆されたウェハを特殊な装置を導入することなく従来のレーザーダイシング装置を用いて分割することができる。
本発明は、特殊な装置を用意することなく低コストで、デバイスと基板との間に金属膜が介在するウェハを分割することができる。
本発明の一実施例に係るウェハ分割装置を示す模式図。 ウェハ分割装置を用いたウェハ分割方法を示すフローチャート。 本発明の一実施例に係るウェハ分割方法のうち、金属膜除去工程、BGテープラミネート工程、BG処理工程、改質領域形成工程を示す模式図。 ウェハに形成されたブレード加工溝の配列を示す平面図。 本発明の一実施例に係るウェハ分割方法のうち、分割工程を示すフローチャート。 本発明の一実施例に係るウェハ分割方法のうち、分割工程を示す模式図。
本発明に係るウェハ分割方法は、低コストでデバイスと基板との間に金属膜が介在するウェハを分割するという目的を達成するために、基板の表面全面に被覆された金属膜上に形成されたデバイスを有するウェハを、分割予定ラインに沿ってチップに分割するウェハ分割方法において、ウェハの分割予定ライン上の金属膜をブレードで除去してブレード加工溝を形成する金属膜除去工程と、ブレード加工溝をIRカメラで前記ウェハの裏面から透過して撮像する撮像工程と、IRカメラで撮像されたブレード加工溝の配置から分割予定ラインを導出する分割予定ライン導出工程と、分割予定ラインに沿って基板内にレーザー光を集光させて改質領域を形成する改質領域形成工程と、を含むことにより実現する。
また、本発明に係るウェハ分割装置は、低コストでデバイスと基板との間に金属膜が介在するウェハを分割するという目的を達成するために、基板の表面全面に被覆された金属膜上に形成されたデバイスを有するウェハを、分割予定ラインに沿ってチップに分割するウェハ分割装置において、ウェハの分割予定ライン上の金属膜を除去してブレード加工溝を形成するブレードと、ブレードで形成されたブレード加工溝をウェハの裏面から透過して撮像するIRカメラと、IRカメラで撮像されたブレード加工溝の配置から分割予定ラインを導出する制御装置と、分割予定ラインに沿って基板内にレーザー光を集光させて改質領域を形成するレーザーヘッドと、を備えていることにより実現する。
以下、本発明の一実施例に係るウェハ分割装置1について、図1に基づいて説明する。図1は、ウェハ分割装置1の装置構成を示す図である。
ウェハ分割装置1は、ブレードダイシング装置10と、レーザーダイシング装置20と、を備えている。
ブレードダイシング装置10は、ブレード11と、チャックテーブル12と、を備えている。ブレード11は、公知のダイシングブレードであり、ニッケルブレード等のボンドと人工ダイヤとから成る。ブレード11は、定期的にドレス処理を行い、目詰まりを防止すると共に先端形状を維持する。チャックテーブル12は、ウェハを真空吸着して固定する。また、チャックテーブル12が、X1、Y1、θ1方向に移動することにより、ブレード11に対してウェハWを任意の位置に移動させることができる。
レーザーダイシング装置20は、レーザーヘッド21と、チャックテーブル22と、を備えている。レーザーヘッド21は、ウェハWに向かってレーザーを照射し、ウェハW内に改質領域を形成する。チャックテーブル22は、ウェハWを真空吸着して固定する。また、チャックテーブル22がX2、Y2、θ2方向に移動することにより、レーザーヘッド22に対してウェハWを任意の位置に移動させることができる。
なお、ウェハ分割装置1は、ウェハWをBG処理する図示しないBG装置を備えていても構わない。ウェハWをBG処理することにより、ウェハWをレーザーダイシングする際のレーザー光の焦点深さを調整することができる。したがって、ウェハWの厚みがレーザー光の焦点距離に応じて薄く形成されている場合には、BG装置によるBG処理は必ずしも必要ではない。
IRカメラ30は、レーザーダイシング装置20のチャックテーブル22の上方に配置されており、チャックテーブル22上に載置されたウェハWに向けてIR光を照射し、ウェハWで反射したIR光を受光する。IRカメラ30が取得したウェハWの画像は、後述する制御装置40に送られる。
ウェハ分割装置1を制御する制御装置40は、記憶部41と、演算部42と、出力部43と、を備えている。記憶部41には、制御装置40の動作に関するプログラムが記憶されている。演算部42は、IRカメラ30から送られたウェハの画像から、分割予定ラインを導出する。出力部43は、演算部42が導出した分割予定ラインをレーザーヘッド21に出力する。制御装置40は、コンピュータで実現することも可能である。
ウェハ分割装置1は、ウェハWを割断する割断装置50を備えている。割断装置50は、公知の構成であり、例えば、スキージ51でウェハWに曲げ応力を付与し、ウェハWの分割予定ラインに沿ってウェハWを割断するものがあるが、ウェハWを割断可能なものであれば如何なるものであっても構わない。
次に、ウェハ分割装置1を用いたウェハ分割方法について、図に基づいて説明する。本発明の一実施例に係るウェハ分割方法は、図2に示すように、ウェハWを用意する工程S1と、ウェハWの金属膜Mを除去する金属膜除去工程S2と、BGテープラミネート工程S3と、BG処理工程S4と、撮像工程S5と、アライメント工程S6と、分割予定ライン導出工程S7と、改質領域形成工程S8と、分割工程S9と、を含む。
図3は、ウェハ分割方法の一部を示す模式図であり、(a)は金属膜除去工程S2、(b)はBGテープラミネート工程S3、(c)はBG処理工程S4、(d)は改質領域形成工程S8、をそれぞれ示す。
まず、基板Bの表面を金属膜Mに被覆されると共に金属膜M上にデバイスが形成されたデバイス層Dが形成されたウェハWを用意する(S1)。基板Bとデバイス層Dとの間に介在する金属膜Mは、例えば、銅、チタン、リン等であるが、これらに限定されるものではない。
金属膜除去工程S2では、ウェハWの位置決め(アライメント)を行った後に、図3(a)に示すように、ブレード11をウェハWに切り込ませ、チャックテーブル12をブレード11に対して相対的に移動させることにより、図3(a)の一部拡大図に示すようにブレード加工溝aを形成する。
ブレード加工溝aは、記憶部41に予め記憶された分割予定ラインに沿って形成される。デバイス層Dの表面を基準としたブレード加工溝aの切込深さは、ウェハWの強度を損なわない範囲で任意に調整される。本実施例では、ブレード加工溝aの深さはデバイス層Dの表面から5〜50μmに設定されている。ブレード加工溝Aは、基板Bまで到達して分割予定ライン上の金属膜Mが完全に除去されるのが好ましい。これにより、IRカメラ40が撮像する画像においてブレード加工溝aが顕著に表れる。ブレードダイシングの加工条件は、任意に設定されて構わないが、例えば、本実施例では、ブレード幅を50μm、ブレード長さを1300μm、ブレード回転数を30000rpm、切断スピードを10mm/sに設定している。
なお、ブレード加工溝aは、図4に示すように、基板Bの側面から外部に連通しないように、基板Bの周縁を全て取り除くことなく周縁の一部(1〜5mm程度)を残して形成されている。これにより、ブレード加工溝aが基板Bの外周に開口することが回避され、BG処理工程で用いられる切削水がブレード加工溝aに浸水することを防止し、デバイスの破損を抑制することができる。なお、図4中の符号pは、ブレード加工溝aの交点である。
BGテープラミネート工程S3では、図3(b)に示すように、デバイス層Dを保護するBGテープt1をデバイス層Dの表面に貼付する。
BG処理工程S4では、図3(c)に示すように、ウェハWの裏面を上方に向けてBG装置に取り付け、ウェハWが所望の厚みに達するまでウェハWの裏面を研磨する。
撮像工程S5では、ウェハWの上方に配置されたIRカメラ30が、ウェハWの裏面から表面に向かってIR光を照射し、ウェハWの表面で反射したIR光を受光して、ブレード加工溝aの位置を示す画像を得る。具体的には、ウェハWの表面に残存する金属膜MはIR光を吸収するため、IRカメラ30が得る画像では、黒く写る。一方、金属膜Mが除去されたブレード加工溝aでは、IR光が反射するため、IRカメラ30が得る画像では、白く写る。すなわち、IRカメラ30は、ウェハWの外形形状に応じた略円形の黒地に、ブレード加工溝aの配列に応じた白い格子模様が描かれた画像を得る。
アライメント工程S6では、制御装置40が、IRカメラ30が撮影した画像に示されたブレード加工溝aの配列に基づいて、ウェハWの位置決め(アライメント)を行う。具体的には、ウェハWの外形に基づく外形認識によりウェハWの中心を算出し、格子状のブレード加工溝aが互いに交差する交点pを多点認識して、ウェハWの位置ズレ(X2、Y2方向の位置ズレ、θ2方向の傾き)を検出し、チャックテーブル22をレーザーユニット21に対して相対的に動かしてウェハWの位置決め(アライメント)を行う。
分割予定ライン導出工程S7では、演算部42が、IRカメラ30が撮影したウェハWの画像におけるブレード加工溝aの配置と記憶部41に予め記憶された分割予定ラインの配置とを略一致させて、レーザーユニット21から照射されるレーザー光の集光点を導出する。出力部43は、演算部42が導出したレーザー光の集光点に向かってレーザー光を照射する制御信号をレーザーヘッド21に送る。ブレード加工溝a及び分割予定ラインのセンターラインは、互いに略一致するのが好ましい。これにより、分割予定ラインとデバイスとの間隔が確保されて、ウェハを割断する際に生じ得るチッピングによるチップの破損を抑制することができる。
改質領域形成工程S8では、図3(d)に示すように、レーザーヘッド21が分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、図3(d)の一部拡大図に示すようにウェハWの厚み方向に沿って改質領域Rを形成する。レーザーダイシングの加工条件は、例えば、レーザー光の波長を1080nm、加工点出力を1.38W、周波数を92kHz、切断スピードを345μm/s、パルスピッチを3.75μm、パルス当たりのエネルギーを15μJに設定することが考えられるが、ウェハ表面の金属膜の種類、厚さ等によって任意に調整される。
分割工程S9は、図5に示すように、ウェハマウント工程S91と、BGテープリムーブ工程S92と、割断工程S93と、リサイズ工程S94と、を含む。図5は、本発明の一実施例に係るウェハ分割方法のうち、分割工程S9を説明する模式図であり、(a)はウェハマウント工程S91、(b)はBGテープリムーブ工程S92、(c)は割断工程S93、(d)はリサイズ工程S94、をそれぞれ示す。
ウェハマウント工程S91では、図5(a)に示すように、ウェハWの裏面を下方に向けた状態で、ウェハを12インチリングフレーム52に張設されたダイシングテープ53にマウントする。
BGテープリムーブ工程S92では、図5(b)に示すように、BGテープt1をデバイス層Dから剥離する。
割断工程S93では、図5(c)に示すように、ダイシングテープ53を介してウェハWを下方から上方に向けてスキージ51を押し上げると共に、スキージ51を図5(c)に紙面左右方向にスライドさせる。スキージ51がダイシングテープ53を拡げることにより、基板B内の改質領域Rに応力が集中し、基板Bが改質領域Rで割断されるため、多数のチップCが得られる。
リサイズ工程S94では、図5(d)に示すように、12インチリングフレーム52の内周側に8インチリングフレーム54を配置し、8インチリングフレーム54にカッター55を押し当ててダイシングテープ53を切断し、12インチリングフレーム52を取り除くことにより、多数のチップを8インチリングフレーム54内に収容する。
このようにして、上述した本実施例に係るウェハ分割装置1は、基板Bの表面に被覆された金属膜Mの一部を除去して形成されたブレード加工溝aをウェハWの裏面からIRカメラで撮影し、ブレード加工溝aに基づいてウェハWの分割予定ラインを得て、ウェハWの裏面からレーザーダイシングを実施可能なため、特殊な装置を用意することなく低コストで、デバイス層Dと基板Bとの間に金属膜Mが介在するウェハWを分割することができる。
なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。
1 ・・・ ウェハ分割装置
10・・・ ブレードダイシング装置
11・・・ ブレード
12・・・ (ブレードダイシング装置の)チャックテーブル
20・・・ レーザーダイシング装置
21・・・ レーザーヘッド
22・・・ (レーザーダイシング装置の)チャックテーブル
30・・・ IRカメラ
40・・・ 制御装置
41・・・ 記憶部
42・・・ 演算部
43・・・ 出力部
50・・・ 割断装置

Claims (5)

  1. 基板の表面全面に被覆された金属膜上に形成されたデバイスを有するウェハを、分割予定ラインに沿ってチップに分割するウェハ分割方法において、
    前記ウェハの分割予定ライン上の前記金属膜をブレードで除去してブレード加工溝を形成する金属膜除去工程と、
    前記ブレード加工溝をIRカメラで前記ウェハの裏面から透過して撮像する撮像工程と、
    前記IRカメラで撮像された前記ブレード加工溝の配置から前記分割予定ラインを導出する分割予定ライン導出工程と、
    前記分割予定ラインに沿って前記基板内にレーザー光を集光させて改質領域を形成する改質領域形成工程と、
    を含むことを特徴とするウェハ分割方法。
  2. 前記金属膜除去工程では、前記ブレード加工溝が格子状に形成され、
    前記分割位置導出工程では、前記ブレード加工溝の交点位置に基づいて、前記ウェハの位置ズレが検出されることを特徴とする請求項1記載のウェハ分割方法。
  3. 前記分割位置導出工程では、前記分割予定ライン及び前記ブレード加工溝の各センターラインを略一致させることを特徴とする請求項1又は2記載のウェハ分割方法。
  4. 前記金属膜除去工程では、前記ブレードが前記基板の表面の少なくとも一部を削り取ることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項記載のウェハ分割方法。
  5. 基板の表面全面に被覆された金属膜上に形成されたデバイスを有するウェハを、分割予定ラインに沿ってチップに分割するウェハ分割装置において、
    前記ウェハの分割予定ライン上の前記金属膜を除去してブレード加工溝を形成するブレードと、
    該ブレードで形成された前記ブレード加工溝を前記ウェハの裏面から透過して撮像するIRカメラと、
    該IRカメラで撮像された前記ブレード加工溝の配置から前記分割予定ラインを導出する制御装置と、
    前記分割予定ラインに沿って前記基板内にレーザー光を集光させて改質領域を形成するレーザーヘッドと、
    を備えていることを特徴とするウェハ分割装置。
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