CN103700584B - 表面保护部件以及加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种表面保护部件以及使用了该表面保护部件的加工方法，该保护部件容易从晶片表面剥离，且不会在器件表面残留粘接剂。使晶片(1)的器件区域(3)和配设在表面保护部件的凹部(12)的凹凸吸收部件(14)对应地将晶片(1)配设到表面保护部件上，并且将粘接剂(20)配设到器件区域的外侧，从而将表面保护部件(10)和晶片(1)固定(固定步骤)，将表面保护部件侧保持至保持工作台(21)并通过磨削构件(22)来磨削晶片的背面(1b)，从而薄化至预定厚度(磨削步骤)，接下来从晶片上除去表面保护部件(除去步骤)。通过将粘接剂局部性地配设到器件区域的外侧，容易剥离，不会在器件表面残留粘接剂。

Description

表面保护部件以及加工方法
技术领域
本发明涉及保护半导体晶片等晶片的表面的表面保护部件以及使用了该表面保护部件的磨削加工等晶片的加工方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，在对表面形成有具有电子回路的多个器件的半导体晶片的背面侧进行磨削而进行减薄加工之后，分割成各器件。晶片的背面磨削一般采用这样的方法：将晶片保持在保持工作台上，并通过磨削构件的磨具来磨削露出的背面，但是当表面与保持工作台直接接触时会损伤器件，因此，将保护部件粘贴到表面来进行保护。
保护部件公知有称为保护带(专利文献1)和晶片支撑系统(专利文献2)的保护部件。保护带是在基材的一面形成黏着层的保护带，该保护带经黏着层粘贴在晶片的表面。另外，晶片支撑系统通常使用粘接剂粘贴在晶片上。
现有技术文献
专利文献1：日本特开平05-198542号公报
专利文献2：日本特开2004-207606号公报
关于完成了背面磨削的晶片，剥离保护部件并向下一分割工序等转移，但是例如当使切削刀具从表面侧切入而分割成多个器件时，将处理用的切割带粘贴到背面，并且剥离表面侧的保护部件。但是，难以从通过磨削而薄化了的晶片的表面不损伤晶片地剥离保护部件，特别是近几年，虽然存在晶片的大口径化和完成厚度的进一步薄化的趋势，因此剥离保护部件时的困难性变得显著。另外，在从保护部件剥离晶片之后产生这样的问题：在器件表面残留有浆糊或粘接剂。
发明内容
本发明是鉴于上述事情而完成的发明，其主要的技术课题在于提供一种表面保护部件以及使用了该表面保护部件的晶片的加工方法，该表面保护部件容易从晶片表面剥离保护部件，且不会器件表面残留浆糊或粘接剂。
本发明的表面保护部件是保护晶片的表面的表面保护部件，上述晶片在表面具有器件区域和外周剩余区域，上述器件区域是形成有多个器件的区域，上述外周剩余区域是围绕上述器件区域的区域，上述表面保护部件的特征在于，具有：圆板状基座，其表面具有比晶片的上述器件区域大且比晶片尺寸小的尺寸的凹部，该圆板状基座具有包含晶片直径的直径；以及凹凸吸收部件，其配设于上述凹部中，由具有柔性以及弹性的树脂或陶瓷形成(本发明第一方面)。
另外，本发明的加工方法是使用第一方面所记载的表面保护部件来对晶片进行加工的加工方法，上述晶片在表面具有器件区域和外周剩余区域，上述器件区域是形成有多个器件的区域，上述外周剩余区域是围绕上述器件区域的区域，上述加工方法的特征在于，具有：固定步骤，使晶片的上述器件区域与上述表面保护部件的上述凹凸吸收部件对应地将晶片配设到上述表面保护部件上，并且将粘接剂配设到上述器件区域的外侧，将上述表面保护部件和晶片固定；磨削步骤，在实施了上述固定步骤后，将上述表面保护部件侧保持在保持工作台上而使晶片的背面露出，并且通过磨削构件来磨削晶片从而薄化至预定的厚度；以及除去步骤，在实施了上述磨削步骤后，从晶片上除去上述表面保护部件。
根据本发明，由于通过配设在器件区域的外侧这样的局部部分的粘接剂来固定表面保护部件和晶片，所以在晶片磨削后，从晶片上剥离除去表面保护部件的作业是容易的，并且粘接剂不会残留在器件表面。
本发明的加工方法包括这样的方式：上述粘接剂是粘接力通过外界刺激而下降的粘接剂，在上述除去步骤中，在对上述粘接剂施加外界刺激而使上述粘接剂的粘接力下降之后，从晶片上除去上述表面保护部件。
另外，本发明的加工方法包括这样的方式：在上述除去步骤中，在上述器件区域和上述粘接剂之间至少将晶片完全切断之后，从晶片上除去上述表面保护部件。
发明效果
根据本发明，提供一种表面保护部件以及使用了该表面保护部件的晶片加工方法，该表面保护部件容易从晶片表面剥离，且不会在器件表面残留浆糊或粘接剂。
附图说明
图1中，(a)是本发明的一实施方式的晶片的立体图，(b)是侧视图。
图2中，(a)是本发明的一实施方式的表面保护部件的立体图，(b)是侧视图，(c)是其他方式的侧视图。
图3是表示通过一实施方式的固定步骤而将粘接剂配设到表面保护部件的状态的侧视图。
图4是表示一实施方式的固定步骤的侧视图。
图5是表示一实施方式的固定步骤结束后的状态的侧视图。
图6是表示一实施方式的磨削步骤的侧视图。
图7是表示加热粘接剂的方式的除去步骤的侧视图。
图8是表示一实施方式的除去步骤结束后的状态的侧视图。
图9是表示切断晶片的方式的除去步骤的侧视图，(a)是晶片切断中的状态，(b)是切断晶片且除去步骤结束后的状态。
图10中，(a)是表示基于粘接力因紫外线照射而下降的粘接剂进行的固定步骤的侧视图，(b)是表示基于上述粘接剂的除去步骤的侧视图。
图11是表示在将粘接力因紫外线照射而下降的粘接剂配设到外周侧面之后，切断晶片的方式的除去步骤的侧视图，(a)是晶片切断中的状态，(b)是切断晶片且除去步骤结束后的状态。
标号说明
1…晶片
1a…晶片的表面
1b…晶片的背面
2…器件
3…器件区域
4…外周剩余区域
10…表面保护部件
11…圆板状基座
12…凹部
14…凹凸吸收部件
20…粘接剂
21…保持工作台
22…磨削构件
51…紫外线(外界刺激)
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一实施方式进行说明。
(1)晶片
图1表示一实施方式的半导体晶片等晶片1。晶片1例如具有700μm左右的恒定厚度，在其表面1a形成有多个器件2。在由呈格子状地设定在表面1a的多条分割预定线划分出的多个矩形区域中，通过设置LSI(大规模集成电路)等电子回路而形成这些器件2。
这些器件2形成于占据表面1a的除外周部以外的大部分区域即器件区域3。器件区域3为与晶片1的外周缘呈同心状的圆形形状的区域。晶片1的表面1a具有大致环状的外周剩余区域4，该外周剩余区域4处于器件区域3的外周侧，没有形成器件2，且围绕器件区域3。如图1的(b)所示，各器件2从晶片1的表面1a略微突出，因此晶片1的表面1a为凹凸面。
(2)表面保护部件
图2表示一实施方式的表面保护部件10。表面保护部件10是以厚度以及直径为与晶片1相同的程度的圆板状的基座11为主体的部件。在基座11的表面侧形成有圆形形状的且为预定深度的凹部12，该凹部12具有比晶片1的器件区域3大、且比晶片1的尺寸(直径)小的尺寸。凹部12与基座11的外周缘形成为同心状，在凹部12的周围形成有环状的外周凸部13。作为基座11的材料例如除了硅、玻璃、陶瓷等硬质部件之外，可使用片状的树脂等。
如图2的(b)所示，凹凸吸收部件14以与外周凸部13的表面为同一高度的方式填充配设在凹部12中。在磨削基座11的表面而形成凹部12之后，通过将形成为片状的凹凸吸收部件14收纳到该凹部12中，或涂布液状树脂并使液状树脂硬化而形成凹凸吸收部件14等方法来配设凹凸吸收部件14。
作为凹凸吸收部件14的材料，是具有柔性以及弹性的树脂或陶瓷等，优选上表面平坦度高的材料，是具有耐热性的材料的话更好。作为具体的商品使用辅助带(信越ポリマー株式会社(公司名))、挠性载体(株式会社ユーエムアイ(公司名))、凝胶基座11(株式会社エクシールコーポレーション(公司名))、KERATHERM(注册商标，KERAFOL KeramischeFolien Gmbh)等。
另外，如图2的(c)所示，还存在如下情况：配设在凹部12中的凹凸吸收部件14配设为比外周凸部13的高度低的状态。关于像这样凹凸吸收部件14的表面没有到达外周凸部13而在表面形成有凹部15的表面保护部件10，例如，当称为焊盘(bump)的电极突起等从晶片1的器件2的表面突出时，在该电极突起等装入凹部15内的状态下使用该表面保护部件10。
(3)使用了表面保护部件的加工方法
接下来，对使用上述表面保护部件10来磨削晶片1的背面1b的一实施方式的加工方法进行说明。
(3-1)固定步骤
如图3所示，在表面保护部件10的基座11中的环状外周凸部13的表面配设粘接剂20。粘接剂20使用具有将基座11粘接固定到晶片1上的特性的粘接剂，并以遍及外周凸部13的表面的整周的方式来涂布配设粘接剂20，或者，以虚线状或在隔开预定间隔的多个地方(例如4个地方、8个地方等)涂布配设粘接剂20。
另外，若粘接剂20是具有通过施加外界刺激而使粘接力下降的特性的粘接剂，则在之后的除去步骤中从晶片1剥离表面保护部件10的除去步骤变得容易，因此是优选的。该情况下的外界刺激例如列举有加热至预定温度，或紫外线照射等。
接下来，如图4～图5所示，使晶片1的器件区域3与表面保护部件10的凹凸吸收部件14对应地将晶片1配设到表面保护部件10上，并且通过粘接剂20来将表面保护部件10和晶片1固定在一起。粘接剂20配设于围绕凹部12的外周凸部13的表面，由于凹部12比晶片1的器件区域3大，所以粘接剂20配设于晶片1的器件区域3的外侧。另外，晶片1的器件区域3面对凹部12内的凹凸吸收部件14，从晶片1的表面1a略微突出的各器件2为没入凹凸吸收部件14的状态。
如上所述，当晶片1为有称为焊盘的电极突起等从器件2突出的晶片时，使用图2的(c)所示的形成有凹部15的表面保护部件10，使电极突起等装入该凹部15而将表面保护部件10固定在晶片1上。
(3-2)磨削步骤
接下来，如图6所示，将表面保护部件10侧保持在保持工作台21上，并露出晶片1的背面1b，并且实施如下的磨削步骤：通过磨削构件22来磨削晶片1而使晶片1薄化至预定厚度(例如50～100μm左右)。
保持工作台21是通过基于空气吸引而产生的负压作用将被加工物吸附保持到由多孔性材料形成的圆形形状的水平保持面21a上的一般众所周知的负压卡盘工作台，通过未图示的旋转驱动机构来使保持工作台21绕轴旋转。切削构件22是这样的构件：在沿铅直方向延伸并由未图示的马达旋转驱动的主轴23的末端经凸缘24固定有磨削轮25，该切削构件22能够上下活动地配设在保持工作台21的上方。在磨削轮25的下表面外周部呈环状地排列紧固有多个磨具26。磨具26使用与被加工物即晶片1的材质相应的材质，例如，使用通过金属结合剂或树脂结合剂等结合剂将金刚石的磨粒聚在一起而成形的金刚石磨具等。
在磨削步骤中，使表面保护部件10侧对准保持面21a将晶片1装载到保持工作台21上，通过负压卡盘隔着表面保护部件10来吸附保持晶片1。并且，自保持工作台21以预定速度向一个方向旋转的状态起使磨削构件22下降，将旋转的磨削轮25的磨具26按压至晶片1的背面1b，从而对背面1b整面进行磨削。这时，如图7所示，是对晶片1的背面1b整面进行平坦磨削，但从将表面保护部件10从晶片1除去之后的晶片1的破损抑制和确保处理性的方面出发，也可以以这样的方式进行磨削：保留背面1b的与外周剩余区域4对应的外周部，只在与器件区域3对应的部分形成凹部。
(3-3)除去步骤
接下来，进行从晶片1上除去表面保护部件10的除去步骤。例如当粘接剂20是通过加热而使粘接力下降的热软化类型时，如图7所示，通过将表面保护部件10侧装载到加热板30上来加热粘接剂20而使其软化，在粘接力下降后，如图8所示，从表面保护部件10剥离通过磨削步骤而对背面1b侧进行了磨削而被薄化的晶片1。由此，从晶片1上除去表面保护部件10，得到背面磨削后的晶片1。
当不是粘接剂20的粘接力由于外界刺激而下降的类型时，如图9的(a)所示，通过切削刀具40完全切断晶片1而只取出器件区域3。这时，将表面保护部件10侧保持在能够旋转的保持工作台45上并露出晶片1的背面1b，使保持工作台45旋转从而使晶片1自转，同时使切削刀具40切入到器件区域3和粘接剂20之间的环状的边界，在该边界完全切断晶片1。
切削刀具40在保持工作台45上方安装在水平的主轴41的末端，上述主轴41配设成能够沿着轴向移动且能够升降。如图9的(b)所示，在粘接剂20的内侧切断晶片1，使没有进行粘接且对准凹凸吸收部件14的器件区域3的部分从通过粘接剂20而粘接在表面保护部件10的外周剩余区域4的部分脱离，得到背面磨削后的晶片1。另外，除了利用切削刀具40之外还可以通过照射激光光束来切断晶片1。
(3-4)固定步骤的其他实施方式
如图10的(a)所示，作为固定步骤的其他实施方式，可以不是将粘接剂20涂布在外周凸部13的表面，而是列举有以下的方式：将粘接剂20涂布配设到重叠的晶片1和表面保护部件10的、两者的外周侧面并固定两者。这时，粘接剂20根据需要以遍及外周面整周的方式来进行涂布，或在周向隔开间隔地间歇性地配设。
(3-5)除去步骤的其他实施方式
当图10的(a)所示的粘接剂20是通过紫外线照射而使粘接力下降的类型的粘接剂时，在磨削步骤后的除去步骤中，如图10的(b)所示，通过从紫外线照射构件50向外周侧面的粘接剂20照射紫外线(外界刺激)51使粘接剂20的粘接力下降，使晶片1从表面保护部件10剥离，从而从晶片1上除去表面保护部件10，能够得到背面磨削后的晶片1。
另外，当图10的(a)所示的粘接剂20不是通过外界刺激而使粘接力下降的类型时，如图11的(a)所示，将表面保护部件10侧保持在保持工作台45上，使保持工作台45旋转而使晶片1自转，同时使切削刀具40切入到器件区域3和粘接剂20之间的环状边界，从而完全切断晶片1。由此如图11的(b)所示，能够使没有进行粘接且对准凹凸吸收部件14的器件区域3的部分从通过粘接剂20而粘接在表面保护部件10上的外周剩余区域4脱离，得到背面磨削后的晶片1。另外，这时，通过照射激光光束来使粘接剂20蒸发而被除去，由此能够从晶片1剥离表面保护部件10。
(4)一实施方式的作用效果
根据上述一实施方式，通过配设在器件区域3的外侧这样的局部部分的粘接剂20来固定表面保护部件10和晶片1，在该固定状态下使器件区域3与凹凸吸收部件14面对面。因此，在晶片1的背面磨削后，从晶片1上剥离除去表面保护部件10的作业是容易的，并且粘接剂20不会残留在器件1的表面1a。
另外，在上述的晶片支撑系统中存在这样的不适合：向晶片粘贴表面保护部件的粘贴装置以及从晶片剥离表面保护部件的剥离装置一般形状大且价格高，而且花费较多的时间来进行粘贴和剥离需要的工序。相对于此在本实施方式中，不需要用于针对晶片1的表面1a粘贴或剥离表面保护部件10的大型且高价的专用装置，能够得到工程所需的时间也能够缩短这样的优点。

Claims (4)

1.一种表面保护部件，是保护晶片的表面的表面保护部件，上述晶片在表面具有器件区域和外周剩余区域，上述器件区域是形成有多个器件的区域，上述外周剩余区域是围绕上述器件区域的区域，
上述表面保护部件的特征在于，具有：
圆板状基座，其表面具有比晶片的上述器件区域大且比晶片尺寸小的尺寸的凹部，该圆板状基座具有包含晶片直径的直径；以及
凹凸吸收部件，其配设于上述凹部中，由具有柔性以及弹性的树脂或陶瓷形成。
2.一种加工方法，是使用权利要求1所述的表面保护部件来对晶片进行加工的加工方法，上述晶片在表面具有器件区域和外周剩余区域，上述器件区域是形成有多个器件的区域，上述外周剩余区域是围绕上述器件区域的区域，
上述加工方法的特征在于，具有：
固定步骤，使晶片的上述器件区域与上述表面保护部件的上述凹凸吸收部件对应地将晶片配设到上述表面保护部件上，并且将粘接剂配设到上述器件区域的外侧，将上述表面保护部件和晶片固定；
磨削步骤，在实施了上述固定步骤后，将上述表面保护部件侧保持在保持工作台上而使晶片的背面露出，并且通过磨削构件来磨削晶片从而薄化至预定的厚度；以及
除去步骤，在实施了上述磨削步骤后，从晶片上除去上述表面保护部件。
3.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于，
上述粘接剂是粘接力通过外界刺激而下降的粘接剂，
在上述除去步骤中，在对上述粘接剂施加外界刺激而降低上述粘接剂的粘接力之后，从晶片上除去上述表面保护部件。
4.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于，
在上述除去步骤中，在上述器件区域和上述粘接剂之间至少将晶片完全切断之后，从晶片上除去上述表面保护部件。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5921473B2 (ja) * 2013-03-21 2016-05-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
WO2014188879A1 (ja) * 2013-05-24 2014-11-27 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015119085A (ja) * 2013-12-19 2015-06-25 株式会社ディスコ デバイスウェーハの加工方法
JP6385133B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び中間部材
JP6344971B2 (ja) * 2014-05-16 2018-06-20 株式会社ディスコ サポートプレート、サポートプレートの形成方法及びウェーハの加工方法
JP2016051779A (ja) * 2014-08-29 2016-04-11 株式会社ディスコ ウエーハの貼り合わせ方法及び貼り合わせワークの剥離方法
FR3030880B1 (fr) 2014-12-19 2018-05-11 Commissariat Energie Atomique Procede de transformation d'un dispositif electronique
KR102341732B1 (ko) 2015-01-30 2021-12-23 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP6313251B2 (ja) * 2015-03-12 2018-04-18 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
DE102015216619B4 (de) * 2015-08-31 2017-08-10 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
CN108140609B (zh) * 2015-08-31 2022-10-11 株式会社迪思科 处理晶圆的方法以及用在该方法中的保护片材
GB2551732B (en) 2016-06-28 2020-05-27 Disco Corp Method of processing wafer
JP6906843B2 (ja) * 2017-04-28 2021-07-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6837717B2 (ja) * 2017-05-11 2021-03-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6925714B2 (ja) * 2017-05-11 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
DE102017208405B4 (de) 2017-05-18 2024-05-02 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzfolie
JP6914587B2 (ja) * 2017-05-25 2021-08-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7157301B2 (ja) * 2017-11-06 2022-10-20 株式会社東京精密 ウェーハの加工方法
TWI796408B (zh) * 2017-12-28 2023-03-21 美商魯道夫科技股份有限公司 順應機台以及形成其之基部的方法
DE102018200656A1 (de) * 2018-01-16 2019-07-18 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
JP2019212803A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 信越ポリマー株式会社 ウェーハ用スペーサ
JP7187112B2 (ja) * 2018-08-13 2022-12-12 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN110890306A (zh) * 2018-09-10 2020-03-17 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种简便的半导体器件用衬底减薄后的下片方法
FR3085957B1 (fr) * 2018-09-14 2021-01-29 Commissariat Energie Atomique Procede de collage temporaire avec adhesif thermoplastique incorporant une couronne rigide

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102197470A (zh) * 2008-09-02 2011-09-21 3M创新有限公司 制造晶片层合体的方法、制造晶片层合体的装置、晶片层合体、剥离支撑体的方法以及制造晶片的方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01268131A (ja) * 1988-04-20 1989-10-25 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの保護部材
JPH0562950A (ja) * 1991-08-29 1993-03-12 Nitto Denko Corp 半導体ウエハへの保護テープ貼り付けおよび剥離方法
JPH05198542A (ja) 1991-09-02 1993-08-06 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハの裏面研削方法および該方法に用いる粘着テープ
JP2001196404A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6520844B2 (en) * 2000-08-04 2003-02-18 Sharp Kabushiki Kaisha Method of thinning semiconductor wafer capable of preventing its front from being contaminated and back grinding device for semiconductor wafers
JP3906962B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004207606A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハサポートプレート
JP4447280B2 (ja) * 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2005109433A (ja) * 2004-03-31 2005-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの切削方法および研削用のバンプ保護部材
US20060046433A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Sterrett Terry L Thinning semiconductor wafers
SG126885A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-29 Disco Corp Semiconductor wafer and processing method for same
JP2008060361A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Nitto Denko Corp 半導体ウェハの加工方法、及びそれに用いる半導体ウェハ加工用粘着シート
FR2935536B1 (fr) * 2008-09-02 2010-09-24 Soitec Silicon On Insulator Procede de detourage progressif
JP5508108B2 (ja) * 2010-04-15 2014-05-28 株式会社ディスコ 半導体装置の製造方法
JP5997477B2 (ja) * 2012-03-30 2016-09-28 リンテック株式会社 表面保護用シート

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102197470A (zh) * 2008-09-02 2011-09-21 3M创新有限公司 制造晶片层合体的方法、制造晶片层合体的装置、晶片层合体、剥离支撑体的方法以及制造晶片的方法

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Publication number Publication date
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US20140084423A1 (en) 2014-03-27

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