JP2023176852A - 被加工物の研削方法、デバイスチップの製造方法 - Google Patents

被加工物の研削方法、デバイスチップの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2023176852A
JP2023176852A JP2022089375A JP2022089375A JP2023176852A JP 2023176852 A JP2023176852 A JP 2023176852A JP 2022089375 A JP2022089375 A JP 2022089375A JP 2022089375 A JP2022089375 A JP 2022089375A JP 2023176852 A JP2023176852 A JP 2023176852A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
resin sheet
grinding
groove
chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022089375A
Other languages
English (en)
Inventor
敬祐 山本
Keisuke Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2022089375A priority Critical patent/JP2023176852A/ja
Priority to TW112117761A priority patent/TW202348346A/zh
Priority to DE102023204827.2A priority patent/DE102023204827A1/de
Publication of JP2023176852A publication Critical patent/JP2023176852A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02076Cleaning after the substrates have been singulated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043Making grooves, e.g. cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

Figure 2023176852000001
【課題】形成されたチップの研削屑等による汚染を防止する。
【解決手段】互いに交差する複数の分割予定ラインが表面に設定された被加工物を該分割予定ラインに沿って分割して個々のチップを形成する被加工物の研削方法であって、該チップの仕上がり厚さ以上の深さの溝を該分割予定ラインに沿って該被加工物の該表面に形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップの後に、該被加工物の該表面に粘着層を有さない樹脂シートを熱圧着により配設する樹脂シート配設ステップと、該樹脂シート配設ステップの後に、該被加工物を裏面側から研削し、該溝を該裏面側に露出させることで該被加工物を個々の該チップに分割する裏面研削ステップと、を備える。
【選択図】図7

Description

本発明は、表面が互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画され、区画された各領域にデバイスが形成され、分割予定ラインに沿った溝が形成されたウェーハ等の被加工物を裏面側から研削して薄化するとともに、溝を裏面側に露出させることで被加工物を分割する被加工物の研削方法に関する。また、これによりデバイスチップを製造する製造方法に関する。
携帯電話やパソコン等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体等の材料からなるウェーハの表面に複数の交差する分割予定ライン(ストリート)を設定する。そして、該分割予定ラインで区画される各領域にIC(Integrated Circuit)、LSI(Large-scale Integrated circuit)等のデバイスを形成する。その後、ウェーハを裏面側から研削して薄化し、ウェーハを分割予定ラインに沿って分割すると、個々の薄型のデバイスチップが形成される。
デバイスチップの他の製造工程では、ウェーハの裏面側に貫通しない溝を分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側に形成する。その後、ウェーハを裏面側から研削して溝を裏面側に露出させることにより、ウェーハを薄化するとともにウェーハを分割する。この方法は、先ダイシングと呼ばれる(特許文献1参照)。
先ダイシングにおいて研削装置でウェーハ等の被加工物を裏面側から研削する際には、溝が形成された被加工物の表面側にデバイスを保護するための保護テープを予め貼着する。保護テープは、例えば、基材層と、基材層上に配設された粘着層と、を含み、粘着層の粘着力により被加工物となるウェーハの表面側に貼着される。
特開2003-7653号公報
被加工物を裏面側から研削すると、被加工物が部分的に除去されるとともに研削に使用される研削砥石が消耗し、被加工物等に由来する研削屑が発生する。そして、表面側に溝が形成された被加工物を裏面側から研削すると、溝が裏面側に露出した後に溝に研削屑が落下して、研削屑が保護テープの粘着層に貼り付く。特に、溝が裏面側に露出する際に被加工物から微細な欠片が生じ、この欠片も溝に落下して保護テープの粘着層に付着する。
その後、形成された個々のチップをピックアップするために、被加工物の裏面側にエキスパンドテープを貼着して被加工物の表面から保護テープを剥離し、エキスパンドテープを外向きに拡張することで各チップの間隔を広げる。ここで、保護テープを被加工物から剥離する際に、保護テープの粘着層に付着していた研削屑や欠片等がチップに落下する。すると、チップが汚染され不良品となるとの問題が生じる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、形成されたチップの研削屑等による汚染を防止できる被加工物の研削方法、及びデバイスチップの製造方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、互いに交差する複数の分割予定ラインが表面に設定された被加工物を該分割予定ラインに沿って分割して個々のチップを形成する被加工物の研削方法であって、該チップの仕上がり厚さ以上の深さの溝を該分割予定ラインに沿って該被加工物の該表面に形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップの後に、該被加工物の該表面に粘着層を有さない樹脂シートを熱圧着により配設する樹脂シート配設ステップと、該樹脂シート配設ステップの後に、該被加工物を裏面側から研削し、該溝を該裏面側に露出させることで該被加工物を個々の該チップに分割する裏面研削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の研削方法が提供される。
好ましくは、該溝形成ステップでは、該被加工物の外周領域に該溝を形成しない。
また、本発明の他の一態様によれば、互いに交差する複数の分割予定ラインが表面に設定され、該表面の該分割予定ラインに沿って区画された各領域にデバイスが形成された被加工物を該分割予定ラインに沿って分割して個々のデバイスチップを形成するデバイスチップの製造方法であって、該デバイスチップの仕上がり厚さ以上の深さの溝を該分割予定ラインに沿って該被加工物の該表面に形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップの後に、該被加工物の該表面に粘着層を有さない樹脂シートを熱圧着により配設し、該樹脂シートで該デバイスを保護する樹脂シート配設ステップと、該樹脂シート配設ステップの後に、該被加工物を裏面側から研削し、該溝を該裏面側に露出させることで該被加工物を個々の該デバイスチップに分割する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップの後、該デバイスチップの裏面側にエキスパンドテープを貼着し、該表面に配設された該樹脂シートを剥離する転写ステップと、該転写ステップの後、該エキスパンドテープを外向きに拡張することで個々の該デバイスチップの間隔を広げ、該エキスパンドテープから個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップステップと、を備えることを特徴とするデバイスチップの製造方法が提供される。
好ましくは、該溝形成ステップでは、該被加工物の外周領域に該溝を形成しない。
本発明の一態様に係る被加工物の研削方法、及び、デバイスチップの製造方法では、表面に溝が形成された被加工物の該表面に粘着層を有さない樹脂シートを熱圧着により配設する。そして、その後に被加工物を裏面側から研削してこの溝を裏面側に露出し、被加工物を分割する。このとき、発生した研削屑等が溝に落下して溝の底で樹脂シートに接触する。
しかしながら、樹脂シートが粘着層を有さないため、研削中に被加工物等に供給される研削液や、研削後の洗浄工程で被加工物に供給される洗浄水等により研削屑等が容易に除去される。そのため、樹脂シートに残留する研削屑等は極めて少なくなり、樹脂シートを被加工物から剥離する際に樹脂シートからチップに落下する研削屑等も極めて少なくなるから、チップの不良が発生しにくくなる。
したがって、本発明の一態様によると、形成されたチップの研削屑等による汚染を防止できる被加工物の研削方法、及びデバイスチップの製造方法が提供される。
図1(A)は、被加工物の表面側を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、被加工物の裏面側を模式的に示す斜視図である。 溝形成ステップを模式的に示す斜視図である。 樹脂シート配設ステップの第1段階を模式的に示す斜視図である。 樹脂シート配設ステップの第2段階を模式的に示す斜視図である。 樹脂シート配設ステップの第3段階を模式的に示す斜視図である。 裏面研削ステップを模式的に示す斜視図である。 図7(A)は、溝が形成された被加工物を模式的に示す断面図であり、図7(B)は、樹脂シートが配設された被加工物を模式的に示す断面図であり、図7(C)は、裏面が研削された被加工物を模式的に示す断面図である。 裏面側から研削された被加工物を拡大して模式的に示す断面図である。 デバイスチップの製造方法の各ステップの流れを示すフローチャートである。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係る被加工物の研削方法及びデバイスチップの製造方法で加工される被加工物について説明する。
図1(A)は、被加工物1の表面1a側を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、被加工物1の裏面1b側を模式的に示す斜視図である。被加工物1は、例えば、Si(シリコン)、SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム)、GaAs(ヒ化ガリウム)、若しくは、その他の半導体等の材料からなる略円板状のウェーハ等である。
被加工物1の表面1aは、互いに交差する複数の分割予定ライン3で区画される。また、被加工物1の表面1aの分割予定ライン3で区画された各領域には、ICやLED等のデバイス5が形成される。ただし、被加工物1はこれに限定されない。被加工物1は半導体材料からなるウェーハに限定されず、被加工物1にはデバイス5が形成されていなくてもよい。
本実施形態に係る被加工物の研削方法及びデバイスチップの製造方法では、被加工物1の表面1a側に分割予定ライン3に沿った溝を形成し、被加工物1を裏面1b側から研削して溝を裏面1b側に露出させることで被加工物1を分割し、個々のチップを形成する。特に、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、表面1aにデバイス5が形成された被加工物1を分割してデバイスチップを製造し、デバイスチップ間の間隔を広げてデバイスチップをピックアップする。
以下、被加工物1が表面1aにデバイス5が形成されたウェーハである場合を例に該ウェーハを分割して個々のデバイスチップを形成する本実施形態に係るデバイスチップの製造方法について説明する。これにより、本実施形態に係る被加工物の研削方法もすべて説明される。次に、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法の各工程について説明する。図9は、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法の各工程の流れを示すフローチャートである。
本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、まず、最終的に製造されるデバイスチップの仕上がり厚さ以上の深さの溝3aを分割予定ライン3に沿って被加工物1の表面1aに形成する溝形成ステップS10を実施する。図2は、溝形成ステップS10を模式的に示す斜視図である。
溝形成ステップS10は、例えば、図2に示す切削装置2で被加工物1を分割予定ライン3に沿って切削することで実施される。切削装置2は、被加工物1を切削する切削ユニット4と、被加工物1を保持するチャックテーブル(不図示)と、を備える。チャックテーブルは、上面が多孔質部材により構成され、多孔質部材に至る吸引路を内部に備える。吸引路は、ポンプ等の吸引源に接続されている。被加工物1をチャックテーブルの上面に載せ、この吸引源を作動させると、被加工物1がチャックテーブルに吸引保持される。
切削ユニット4は、円環状の砥石部を備える切削ブレード8と、切削ブレード8の中央の貫通孔に先端側が突き通され切削ブレード8を回転させるスピンドル(不図示)と、を備える。切削ブレード8は、例えば、中央に該貫通孔を備える環状基台と、該環状基台の外周部に配設された環状の砥石部と、を備える。該スピンドルの基端側は、スピンドルハウジング6の内部に収容されたスピンドルモータ(不図示)に接続されており、スピンドルモータを作動させると切削ブレード8を回転できる。
切削ブレード8により被加工物1を切削すると、切削ブレード8と、被加工物1と、の摩擦等に起因する熱が発生する。また、被加工物1が切削されると被加工物1から切削屑が発生する。そこで、切削により生じた熱及び切削屑を除去するため、被加工物1を切削する間、切削ブレード8及び被加工物1に純水等の切削水が供給される。切削ユニット4は、例えば、切削ブレード8等に切削水を供給する切削水供給ノズル10を切削ブレード8の側方に備える。
被加工物1を切削する際には、チャックテーブルの上に被加工物1を載せ、チャックテーブルに被加工物1を吸引保持させる。そして、チャックテーブルを回転させ被加工物1の分割予定ライン3を切削装置2の加工送り方向に合わせる。また、分割予定ライン3の上方に切削ブレード8が配設されるように、チャックテーブル及び切削ユニット4の相対位置を調整する。
次に、スピンドルを回転させることで切削ブレード8を回転させるとともに切削ユニット4を所定の高さ位置に下降させる。このとき、切削ブレード8の下端の高さ位置は、被加工物1の表面1a及び裏面1bの間に位置付けられ、特に、最終的に製造されるデバイスチップの仕上がり厚さ以上に表面1aよりも低い高さ位置に位置付けられる。
その後、チャックテーブルと、切削ユニット4と、をチャックテーブルの上面に平行な加工送り方向に沿って相対移動させる。すると、回転する切削ブレード8の砥石部が被加工物1に接触し被加工物1が切削され、分割予定ライン3に沿った溝3aが被加工物1に形成される。形成された溝3aの深さは、被加工物1から製造されるデバイスチップの仕上がり厚さ以上となる。
一つの分割予定ライン3に沿って切削を実施した後、チャックテーブル及び切削ユニット4を加工送り方向とは垂直な割り出し送り方向に移動させ、他の分割予定ライン3に沿って同様に被加工物1の切削を実施する。
一つの方向に沿った全ての分割予定ライン3に沿って切削を実施した後、チャックテーブルを保持面に垂直な軸の回りに回転させ、同様に他の方向に沿った分割予定ライン3に沿って被加工物1を切削する。被加工物1のすべての分割予定ライン3に沿って被加工物1を切削して溝3aを形成すると、溝形成ステップS10が完了する。図7(A)は、溝3aが形成された被加工物1を模式的に示す断面図である。
なお、被加工物1を切削装置2に搬入する前に、被加工物1がテープ及びリングフレームと一体化されてフレームユニットが形成されてもよく、被加工物1は、フレームユニットの状態で切削装置2に搬入され切削されてもよい。
リングフレームは、例えば、金属等の材料で形成され、被加工物1の径よりも大きい径の開口を備える。フレームユニットを形成する際は、被加工物1は、リングフレームの開口内に位置付けられ、開口に収容される。テープは、基材層(不図示)と、基材層に支持された粘着層(不図示)と、を有する。テープは、粘着層の粘着力によりリングフレーム及び被加工物1に貼り付く。
切削装置2は、切削ユニット4の近傍に洗浄ユニット(不図示)を備えてもよい。切削ユニット4により切削された被加工物1は、該洗浄ユニットに搬送され、該洗浄ユニットにより洗浄されてもよい。例えば、洗浄ユニットは、被加工物1を保持する洗浄テーブルと、洗浄テーブルの上方を往復移動できる洗浄水供給ノズルと、を備える。
洗浄テーブルを保持面に垂直な軸の回りに回転させ、洗浄水供給ノズルから純水等の洗浄水を被加工物1に供給しながら、洗浄水供給ノズルを該保持面の中央の上方を通る経路で往復移動させると、被加工物1の表面1a側を洗浄できる。
なお、溝形成ステップS10では、被加工物1の一端から他端にかけて溝3aが形成される必要はない。すなわち、被加工物1の外周領域1cには溝3aが形成されなくてもよい。この場合、溝形成ステップS10では、被加工物1の溝3aの始点となる位置に回転する切削ブレード8を下降させて切削を開始し、溝3aの終点となる位置まで切削ブレード8が被加工物1を切削したときに切削ブレード8を上昇させる。
例えば、被加工物1の外周領域1cにも溝3aを形成すると、後述の通り、被加工物1を裏面1b側から研削し溝3aが被加工物1の裏面1bに露出して被加工物1がチップに分割されるとき、外周領域1cも細かく分割される。そして、チップよりも小さな小片が多数形成される。この小片は、被加工物1の表面1a側に配設される後述の樹脂シート13から剥離しやすく、飛び去りやすい。
これに対して、被加工物1の外周領域1cに溝3aを形成しない場合、溝3aが被加工物1の裏面1bに露出して被加工物1がチップに分割されるとき、外周領域1cが分割されずに環状に残るため、外周領域1cから小片が形成されない。切断されず環状に残る外周領域1cは、樹脂シート13から剥離しにくい。すなわち、被加工物1の外周領域1cに溝3aを形成しないと、樹脂シート13からの小片の飛び去りが生じない。
次に、溝形成ステップS10の後に実施される樹脂シート配設ステップS20について説明する。図3は、樹脂シート配設ステップS20の第1段階を模式的に示す斜視図である。樹脂シート配設ステップS20では、樹脂シート13を準備して被加工物1の表面1a側に配設する。
ここで、樹脂シート13について説明する。樹脂シート13は、例えば、ポリオレフィン系シート、または、ポリエステル系シート等の熱可塑性樹脂で構成されるシートである。ポリオレフィン系シートは、アルケンをモノマーとして合成されるポリマーのシートである。ポリエステル系シートは、ジカルボン酸(2つのカルボキシル基を有する化合物)と、ジオール(2つのヒドロキシル基を有する化合物)と、をモノマーとして合成されるポリマーのシートである。
樹脂シート13は、例えば、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシート、ポリエチレンテレフタレートシート、または、ポリエチレンナフタレートシート等の可視光に対して透明または半透明なシートである。ただし、樹脂シート13の材料はこれらに限定されず、樹脂シート13は不透明でもよい。
樹脂シート13は、柔軟性を有するシートであり、表裏面が平坦である。そして、被加工物1の表面1aの全域を覆うことのできる大きさ及び形状であり、粘着層を備えない。そして、樹脂シート13は、常温では被加工物1に対して実効的な粘着性を作用させない。
なお、樹脂シート13の準備方法に特に限定はない。樹脂シート13は、例えば、熱可塑性樹脂で構成される大きなシートから必要な領域を切り出して準備してもよい。または、粉状または液状の樹脂材料から樹脂シート13を形成してもよい。
例えば、ホットプレート上の所定の広さの領域に粉状の樹脂材料を均一な密度で散布し、ホットプレートを作動させて樹脂材料を加熱することで樹脂材料を溶融させ、全体を一体化させつつ全体の厚みを均一化する。その後にホットプレートを停止させて樹脂材料を冷却して硬化させ不要箇所を切除すると、樹脂シート13が得られる。
樹脂シート13は熱可塑性を有するため、所定の圧力を印加しながら被加工物1と接触させた状態で樹脂シート13を融点近傍の温度、または、軟化点まで加熱すると、樹脂シート13が部分的に溶融して被加工物1に配設できる。すなわち、樹脂シート配設ステップS20では、熱圧着により、樹脂シート13と、被加工物1と、を一体化する。
樹脂シート配設ステップS20は、例えば、上部に保持面を備えるチャックテーブル12上で実施される。チャックテーブル12は、上部中央に被加工物1の外径よりも大きな径の多孔質部材12aを備える。多孔質部材12aの上面は、被加工物1の裏面1b側の全域で被加工物1を支持できる形状とされる。
多孔質部材12aの上面は、チャックテーブル12の保持面となる。チャックテーブル12は、一端が多孔質部材12aに通じた吸引路(不図示)を内部に有し、該吸引路の他端にポンプ等の吸引源(不図示)が配設される。吸引源を作動させると、吸引路及び多孔質部材12aを通じて多孔質部材12aに載る物体に吸引源により生じた負圧が作用し、この物体がチャックテーブル12に吸引保持される。
樹脂シート配設ステップS20では、図3に示す通り、チャックテーブル12の保持面上に被加工物1を載せる。この際、被加工物1の裏面1b側を下方に向ける。次に、多孔質部材12aの上面で構成される保持面を被加工物1とともに樹脂シート13で覆う。次にチャックテーブル12の吸引源を作動させ、吸引源による負圧を樹脂シート13に作用させる。すると、大気圧により樹脂シート13が被加工物1に対して密着する。
なお、樹脂シート配設ステップS20では、チャックテーブル12の保持面よりも大きな径の樹脂シート13が使用される。これは、チャックテーブル12による負圧を樹脂シート13に作用させるとき、保持面の全体が樹脂シート13により覆われていなければ、負圧が隙間から漏れて樹脂シート13に適切に圧力を印加できないためである。
樹脂シート配設ステップS20では、次に、樹脂シート13を加熱しつつ被加工物1に押圧して樹脂シート13を被加工物1に密着させる。すなわち、樹脂シート13を被加工物1に熱圧着する。図4は、樹脂シート配設ステップS20の第2段階を模式的に示す斜視図である。図4では、可視光に対して透明または半透明である樹脂シート13を通して視認できるものの一部を破線で示す。
熱圧着は、例えば、樹脂シート13を所定の温度に加熱するとともに、被加工物1の上方において樹脂シート13を押圧部材で押圧することで実施される。図4に示す熱圧着工程では、ローラー14で樹脂シート13を押圧する。ローラー14は、被加工物1を所定の温度に加熱するための電熱線等の熱源を内蔵してもよい。また、熱源はチャックテーブル12に内蔵されていてよく、予め熱源を作動させて被加工物1を通して樹脂シート13を所定の温度に加熱してもよい。
熱圧着を実施する際、まず、被加工物1の一端と重なる位置でローラー14を樹脂シート13に載せる。そして、被加工物1の該一端から他端まで樹脂シート13上でローラー14を転がす。すると、樹脂シート13が被加工物1の表面1aに熱圧着される。この際、ローラー14により樹脂シート13を押し下げる方向に力を印加すると、大気圧より大きい圧力で熱圧着が実施される。
なお、溶融した樹脂シート13のローラー14への付着を防止するために、ローラー14の表面は、フッ素樹脂等で被覆されることが好ましい。また、ローラー14に代えて、内部に熱源を備え平たい底板を有するアイロン状の押圧部材を使用して樹脂シート13の熱圧着を実施してもよい。この場合、該押圧部材を所定の温度に加熱し、チャックテーブル12に吸引保持された樹脂シート13を該押圧部材で上方から押圧する。
さらに、熱圧着は他の手法により実施されてもよく、例えば、チャックテーブル12の上方に配設されるヒートガン(不図示)により実施される。ヒートガンは、電熱線等の熱源と、ファン等の送風機構と、を内部に備え、空気を加熱し噴射できる。チャックテーブル12から負圧を樹脂シート13に作用させながらヒートガンにより樹脂シート13に上面から熱風を供給することで樹脂シート13を所定の温度に加熱すると、樹脂シート13が被加工物1に熱圧着される。
樹脂シート13の熱圧着は、さらに他の方法により実施されてもよい。例えば、チャックテーブル12の上方に配された赤外線ランプ(不図示)を使用して樹脂シート13を加熱する。赤外線ランプは、樹脂シート13を構成する樹脂材料が吸収できる波長成分を含む赤外線を照射可能とする。赤外線ランプを作動させて、樹脂シート13に赤外線を照射して樹脂シート13を加熱すると、樹脂シート13が被加工物1に熱圧着される。
さらに、樹脂シート配設ステップS20では、樹脂シート13の準備と、熱圧着と、が同時に実施されてもよい。例えば、粉状の樹脂材料をホットプレート上の所定の広さの領域に均一な密度で散布し、ホットプレートを作動させて樹脂材料を加熱することで樹脂材料を一体化させ、溶融または軟化した樹脂シート13を形成する。
その後、ホットプレートの上方に被加工物1を運び、被加工物1の表面1aを下方に向け、被加工物1を下降させ、樹脂シート13に上方から被加工物1を押し下げる。そして、ホットプレートを停止させて樹脂シート13の温度が低下すると、樹脂シート13が被加工物1に一体化される。樹脂シート配設ステップS20では、樹脂シート13の被加工物1への熱圧着はこのように実施されてもよい。
いずれかの方法により樹脂シート13がその融点近傍の温度にまで加熱されると、樹脂シート13が被加工物1に熱圧着される。なお、熱圧着を実施する際に樹脂シート13は、好ましくは、その融点以下の温度に加熱される。加熱温度が融点を超えると、樹脂シート13が溶解してシートの形状を維持できなくなる場合があるためである。また、樹脂シート13は、好ましくは、その軟化点以上の温度に加熱される。加熱温度が軟化点に達していなければ熱圧着を適切に実施できないためである。
なお、一部の樹脂シート13は、明確な軟化点を有しない場合もある。そこで、熱圧着を実施する際に樹脂シート13は、好ましくは、その融点よりも20℃低い温度以上でかつその融点以下の温度に加熱される。ただし、樹脂シート13の加熱温度はこれに限定されない。
例えば、樹脂シート13がポリエチレンシートである場合、加熱温度は120℃~140℃とされる。また、樹脂シート13がポリプロピレンシートである場合、加熱温度は160℃~180℃とされる。さらに、樹脂シート13がポリスチレンシートである場合、加熱温度は220℃~240℃とされる。樹脂シート13がポリエチレンテレフタレートシートである場合、加熱温度は250℃~270℃とされる。また、樹脂シート13がポリエチレンナフタレートシートである場合、加熱温度は160℃~180℃とされる。
ここで、加熱温度とは、熱圧着を実施する際の樹脂シート13の温度をいう。例えば、ヒートガン、赤外線ランプ等の熱源では出力温度を設定できる機種が実用に供されているが、この熱源を使用して樹脂シート13を加熱しても、樹脂シート13の温度が設定された出力温度にまで達しない場合もある。そこで、樹脂シート13を所定の温度に加熱するために、熱源の出力温度を予定された加熱温度よりも高く設定してもよい。
樹脂シート配設ステップS20では、次に、被加工物1に熱圧着された樹脂シート13の不要部分を切断して除去する。図5は、樹脂シート配設ステップS20の第3段階を模式的に示す斜視図である。切断には、図5に示す通り、円環状のカッター16が使用される。カッター16は、中央に貫通孔を備え、該貫通孔に突き通された回転軸の回りに回転可能である。
まず、円環状のカッター16を被加工物1の一端の上方に位置付ける。このとき、カッター16の回転軸をチャックテーブル12の保持面の径方向に合わせる。次に、カッター16を下降させて被加工物1と、カッター16と、で樹脂シート13を挟み込み、樹脂シート13に切断痕13aを形成する。
さらに、カッター16を被加工物1の外周に沿って一周させ、切断痕13aにより樹脂シート13の所定の領域を囲む。そして、樹脂シート13の該領域を残すように切断痕13aの外側の領域の樹脂シート13を除去する。すると、樹脂シート13の不要な部分を除去できる。
なお、カッター16は、被加工物1の僅かに外側で被加工物1の外周に沿って樹脂シート13を切断してもよい。この場合、樹脂シート13はカッター16及び被加工物1により挟まれずに切断される。
また、樹脂シート13の切断には超音波カッターを使用してもよく、上述の円環状のカッター16を超音波帯の周波数で振動させる振動源を該カッター16に接続してもよい。さらに、樹脂シート13を切断する際は、切断を容易にするために樹脂シート13を冷却して硬化させてもよい。
以上により、被加工物1の表面1aを保護する樹脂シート13が被加工物1に配設される。このように、樹脂シート配設ステップS20では、被加工物1の表面1aに粘着層を有さない樹脂シート13を熱圧着により配設し、樹脂シート13でデバイス5を保護する。図7(B)は、樹脂シート13が表面1aに配設された被加工物1を模式的に示す断面図である。
以上に説明した方法で樹脂シート配設ステップS20を実施する場合、樹脂シート13の被加工物1への配設に接着材等を使用する必要がない。また、常温で粘着力を被加工物1に作用させる保護部材を使用する必要もない。そして、樹脂シート配設ステップS20では、樹脂シート13は、被加工物1の表面1a及びデバイス5等の構造物に直接的に接触する。
次に、樹脂シート配設ステップS20の後に実施される裏面研削ステップS30について説明する。図6は、裏面研削ステップS30を模式的に示す斜視図である。裏面研削ステップS30では、被加工物1を裏面1b側から研削し、溝3aを裏面1b側に露出させることで被加工物1を個々のチップ(デバイスチップ)に分割する。
まず、図6に示す研削装置について説明する。研削装置は、研削される被加工物1を吸引保持するチャックテーブル20と、チャックテーブル20に吸引保持された被加工物1を研削する研削ユニット18と、を備える。
チャックテーブル20は、樹脂シート配設ステップS20で使用されたチャックテーブル12と同様に構成される。ただし、チャックテーブル20の多孔質部材の上面の形状及び大きさは、チャックテーブル12とは異なり、被加工物1の平面形状及び大きさに概ね合致する。
チャックテーブル20の上面は被加工物1を保持する保持面20aとなる。チャックテーブル20は、保持面20aに載せられた被加工物1に負圧を作用させ、被加工物1を吸引保持する。また、チャックテーブル20はモータ等の回転駆動源に接続されており、回転駆動源を作動させることで保持面20aに概ね垂直な回転軸の周りに回転可能である。
チャックテーブル12の上方に配設された研削ユニット18は、昇降可能である。研削ユニット18は、チャックテーブル20の保持面20aに概ね垂直なスピンドル22と、スピンドル22の上端に接続されスピンドル22を回転させるモータ等の回転駆動源と、を備える。スピンドル22の下端には、円盤状のホイールマウント24が固定されており、ホイールマウント24の下端にはボルト等の固定具26により研削ホイール28が固定されている。
研削ホイール28は、ステンレス鋼やアルミニウム等の金属材料で形成された円環状のホイール基台30と、ホイール基台30の下面に環状に並べて配置された複数の研削砥石32と、を有する。研削砥石32は、セラミックスや樹脂、金属材料等で形成された結合材と、結合材中に分散固定されたダイヤモンド等の無数の砥粒と、を含む。
スピンドル22の上端に接続された回転駆動源を作動させると、スピンドル22が回転してホイールマウント24に固定された研削ホイール28が回転する。研削ホイール28が回転すると、各研削砥石32は円環軌道上を進行する。この円環軌道は、被加工物1の径と同程度の径とされ、チャックテーブル20の保持面20aの中心の上方を通る。
裏面研削ステップS30では、被加工物1の表面1a側を下方に向けて、樹脂シート13を介して被加工物1をチャックテーブル20の保持面20aに載せる。そして、チャックテーブル20の吸引源を作動させて被加工物1に負圧を作用させ、チャックテーブル20で被加工物1を吸引保持する。このとき、被加工物1の表面1a側が樹脂シート13により保護される。
次に、チャックテーブル20の回転を開始するとともに、研削ホイール28の回転を開始する。そして、研削ユニット18を下降させ、円環軌道上を進行する研削砥石32の下面をチャックテーブル20に吸引保持された被加工物1の裏面1bに接触させることで被加工物1の研削を開始する。
被加工物1の研削を進めると、被加工物1や研削砥石32が消耗して研削屑が発生する。また、被加工物1と研削砥石32の摩擦等により熱が発生する。そのため、この研削屑及び熱を除去するために、被加工物1の研削が進行する間、被加工物1または研削砥石32には純水等の研削水が供給される。研削装置は、被加工物1等に研削水を供給するための供給ノズル(不図示)を備える。
被加工物1の研削が進行すると、被加工物1の厚みが徐々に減少する。そして、被加工物1に形成された溝3aの底が除去されて溝3aが裏面1b側に露出すると、被加工物1が溝3aにより個々のチップ(デバイスチップ)に分割される。研削装置は、被加工物1の厚みを測定する厚み測定器(不図示)を有し、研削中の被加工物1の厚みを監視する。その後、研削がさらに進行して被加工物1の厚みが所定の仕上げ厚みとなったとき、研削ユニット18の下降を停止させ、被加工物1の研削を終了する。
図7(C)は、研削により溝3aが裏面1b側に露出して被加工物1が分割されて形成された個々のチップ15を模式的に示す断面図である。なお、形成された個々のチップ15は、樹脂シート13に支持され続ける。
溝形成ステップS10において、被加工物1の外周領域1cにまで溝3aが形成されていた場合、被加工物1の研削により溝3aが裏面1b側に露出して被加工物1が分割される際、外周領域1cも細かな欠片に分割される。この場合、さらに被加工物1の研削が進行する過程において、この欠片が樹脂シート13から剥離して予期せぬ場所に飛散することが考えられる。
これに対して、溝形成ステップS10において被加工物1の外周領域1cに溝3aが形成されていない場合、溝3aが裏面1b側に露出して被加工物1が分割されるとき、外周領域1cが分割されず、被加工物1の環状の領域が樹脂シート13上に残る。この環状の領域は、被加工物1の研削がさらに進行しても樹脂シート13から剥離しにくい。そのため、欠片が飛散することに起因する問題が生じない。
図8は、溝3aが裏面1b側に露出して個々のチップ15に分割された被加工物1を拡大して模式的に示す断面図である。裏面研削ステップS30において被加工物1を徐々に薄化する過程において、溝3aが裏面1b側に露出した後は、被加工物1等から発生した研削屑17が溝3a中を落下して、溝3a中に露出した樹脂シート13に到達する。
ここで、被加工物1の表面1a側の保護に樹脂シート13ではなく粘着層を有するテープ状の保護部材を使用していた場合、溝3aに落下した研削屑17がテープ状の保護部材の粘着層に貼り付く。特に、溝3aが裏面1b側に露出する際に被加工物1に微細な欠けが生じ、被加工物1の欠片も溝3aに落下してテープ状の保護部材の粘着層に貼り付く。この場合、被加工物1等に研削水を供給しただけでは粘着層に貼り付いた研削屑17や欠片を十分に除去できない。
その後、個々のチップ15をピックアップするために、被加工物1の裏面1b側にエキスパンドテープを貼着して被加工物1の表面1aから保護テープを剥離し、エキスパンドテープを外向きに拡張することで各チップの間隔を広げる。ここで、保護テープを被加工物1から剥離する際に、保護テープの粘着層に付着していた研削屑17や欠片等がチップ15に落下する。すると、チップ15が汚染され不良品となるとの問題が生じる。
これに対して、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、被加工物1の表面1a側には樹脂シート13が配設される。そして、樹脂シート13は粘着層を備えないため、研削屑17等が溝3aに落下して樹脂シート13に接触しても、研削屑17等が樹脂シート13に貼り付くことがない。そのため、被加工物1の研削中に被加工物1等に供給される研削水や、研削後に実施される洗浄工程で供給される洗浄水等により、研削屑17が被加工物1から極めて容易に除去される。
そのため、個々のチップ15をピックアップするために、被加工物1の裏面1b側にエキスパンドテープを貼着して被加工物1の表面1aから樹脂シート13を剥離するとき、チップ15に落下する研削屑17等が極めて少なくなる。そして、最終的に汚染のない良品のデバイスチップが得られる。
本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、裏面研削ステップS30の後、チップ(デバイスチップ)15の裏面側にエキスパンドテープを貼着し、表面に配設された樹脂シート13を剥離する転写ステップS40を実施する。エキスパンドテープは、基材層と、基材層に支持された粘着層と、を有する。転写ステップS40では、研削装置から搬出された被加工物1の裏面1b側にエキスパンドテープを貼着する。その後、被加工物1の表面1a側に配設された樹脂シート13を剥離する。
そして、本実施形態に係るデバイスチップの製造方法では、転写ステップS40の後、ピックアップステップS50を実施する。ピックアップステップS50では、該エキスパンドテープを外向きに拡張することで個々のチップ(デバイスチップ)15の間隔を広げ、該エキスパンドテープから個々のチップ15をピックアップする。これにより、複数のチップ(デバイスチップ)15が得られる。
以上に説明する通り、本実施形態に係る被加工物の研削方法及びデバイスチップの製造方法によると、粘着層を備えない樹脂シート13により研削が予定された被加工物1の表面1a側のデバイス5等を保護できる。このときに粘着層を有するテープ状の保護部材を使用しないため、被加工物1を研削したときに生じる研削屑等が被加工物1に形成された溝3aに残りにくくなり、製造されるチップ15への研削屑等の付着が抑制される。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、主にデバイスチップの製造方法の各ステップについて説明してきた。しかしながら、本発明の一態様はこれに限定されず、いずれかのステップが実施されなくてもよく、各ステップの間に別のステップが実施されてもよく、いずれかのステップにおいて別のステップが同時に実施されてもよい。
例えば、転写ステップS40が実施された後、ピックアップステップS50が実施される前に、分割されてチップ15となった被加工物1の表面1a側に、チップ15を所定の実装対象に実装する際の接着材として機能するDAFが貼着されてもよい。この場合、その後にピックアップステップS50においてエキスパンドテープが拡張される際に、チップ15間でDAFが切断され、最終的にそれぞれDAFが設けられたチップ15が得られる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
1 被加工物
1a 表面
1b 裏面
1c 外周領域
3 分割予定ライン
3a 溝
5 デバイス
13 樹脂シート
13a 切断痕
15 チップ
17 研削屑
2 切削装置
4 切削ユニット
6 スピンドルハウジング
8 切削ブレード
10 切削水供給ノズル
12 チャックテーブル
12a 多孔質部材
14 ローラー
16 カッター
18 研削ユニット
20 チャックテーブル
20a 保持面
22 スピンドル
24 ホイールマウント
26 固定具
28 研削ホイール
30 ホイール基台
32 研削砥石

Claims (4)

  1. 互いに交差する複数の分割予定ラインが表面に設定された被加工物を該分割予定ラインに沿って分割して個々のチップを形成する被加工物の研削方法であって、
    該チップの仕上がり厚さ以上の深さの溝を該分割予定ラインに沿って該被加工物の該表面に形成する溝形成ステップと、
    該溝形成ステップの後に、該被加工物の該表面に粘着層を有さない樹脂シートを熱圧着により配設する樹脂シート配設ステップと、
    該樹脂シート配設ステップの後に、該被加工物を裏面側から研削し、該溝を該裏面側に露出させることで該被加工物を個々の該チップに分割する裏面研削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の研削方法。
  2. 該溝形成ステップでは、該被加工物の外周領域に該溝を形成しないことを特徴とする請求項1記載の被加工物の研削方法。
  3. 互いに交差する複数の分割予定ラインが表面に設定され、該表面の該分割予定ラインに沿って区画された各領域にデバイスが形成された被加工物を該分割予定ラインに沿って分割して個々のデバイスチップを形成するデバイスチップの製造方法であって、
    該デバイスチップの仕上がり厚さ以上の深さの溝を該分割予定ラインに沿って該被加工物の該表面に形成する溝形成ステップと、
    該溝形成ステップの後に、該被加工物の該表面に粘着層を有さない樹脂シートを熱圧着により配設し、該樹脂シートで該デバイスを保護する樹脂シート配設ステップと、
    該樹脂シート配設ステップの後に、該被加工物を裏面側から研削し、該溝を該裏面側に露出させることで該被加工物を個々の該デバイスチップに分割する裏面研削ステップと、
    該裏面研削ステップの後、該デバイスチップの裏面側にエキスパンドテープを貼着し、該表面に配設された該樹脂シートを剥離する転写ステップと、
    該転写ステップの後、該エキスパンドテープを外向きに拡張することで個々の該デバイスチップの間隔を広げ、該エキスパンドテープから個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップステップと、を備えることを特徴とするデバイスチップの製造方法。
  4. 該溝形成ステップでは、該被加工物の外周領域に該溝を形成しないことを特徴とする請求項3に記載のデバイスチップの製造方法。
JP2022089375A 2022-06-01 2022-06-01 被加工物の研削方法、デバイスチップの製造方法 Pending JP2023176852A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022089375A JP2023176852A (ja) 2022-06-01 2022-06-01 被加工物の研削方法、デバイスチップの製造方法
TW112117761A TW202348346A (zh) 2022-06-01 2023-05-12 被加工物之磨削方法、器件晶片之製造方法
DE102023204827.2A DE102023204827A1 (de) 2022-06-01 2023-05-24 Schleifverfahren für ein werkstück und herstellungsverfahren für bauelementchips

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022089375A JP2023176852A (ja) 2022-06-01 2022-06-01 被加工物の研削方法、デバイスチップの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023176852A true JP2023176852A (ja) 2023-12-13

Family

ID=88790510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022089375A Pending JP2023176852A (ja) 2022-06-01 2022-06-01 被加工物の研削方法、デバイスチップの製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023176852A (ja)
DE (1) DE102023204827A1 (ja)
TW (1) TW202348346A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007653A (ja) 2001-06-26 2003-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割システム及び分割方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202348346A (zh) 2023-12-16
DE102023204827A1 (de) 2023-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110491820B (zh) 晶片的加工方法
CN103700584A (zh) 表面保护部件以及加工方法
TW200411755A (en) Method of processing a semiconductor wafer
CN110491783B (zh) 晶片的加工方法
KR20150140215A (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP2019212782A (ja) ウェーハの加工方法
CN110690173B (zh) 晶片的加工方法
TWI812743B (zh) 晶圓的加工方法
JP2019212812A (ja) ウェーハの加工方法
CN110808226B (zh) 晶片的加工方法
CN110571133B (zh) 晶片的加工方法
CN110808209B (zh) 晶片的加工方法
TWI831886B (zh) 裝置晶片的製造方法
JP2023176852A (ja) 被加工物の研削方法、デバイスチップの製造方法
TWI810361B (zh) 晶圓的加工方法
JP7258421B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2019201018A (ja) ウェーハの加工方法
JP7321639B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP7321652B2 (ja) ディスプレイパネルの製造方法
JP7134560B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP7134561B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2019212784A (ja) ウェーハの加工方法
JP2019212783A (ja) ウェーハの加工方法
JP2024021602A (ja) チップの製造方法
JP2019201017A (ja) ウェーハの加工方法