JP2024021602A - チップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】保護テープに付着した異物の残存を抑制することが可能なチップの製造方法を提供する。【解決手段】分割予定ラインによって複数の領域に区画された被加工物を複数のチップに分割するチップの製造方法であって、被加工物の表面側に溝を分割予定ラインに沿って形成する溝形成ステップと、溝形成ステップの後に、被加工物の表面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、保護テープ貼着ステップの後に、被加工物の裏面側を研削して溝を露出させることにより、被加工物を複数のチップに分割する研削ステップと、研削ステップの後に、被加工物を回転させつつ、被加工物と重なる領域を移動するノズルから被加工物の裏面側に洗浄液を供給することにより、被加工物を洗浄する洗浄ステップと、を含み、洗浄ステップでは、ノズルが被加工物の回転軸に接近する際にノズルを減速させ、ノズルが被加工物の回転軸から遠ざかる際にノズルを加速させる。【選択図】図２

Description

本発明は、被加工物を複数のチップに分割するチップの製造方法に関する。

デバイスチップの製造工程では、格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスを備えるチップ（デバイスチップ）が得られる。デバイスチップは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。

近年では、電子機器の小型化に伴い、デバイスチップの薄型化が求められている。そこで、ウェーハの分割前に、ウェーハを研削して薄化する処理が実施されることがある。薄化されたウェーハを分割することにより、薄型のデバイスチップを得ることができる。

また、ウェーハを薄化して複数のデバイスチップに分割する手法として、ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）と称されるプロセスが提案されている。ＤＢＧプロセスでは、まず、デバイスが形成されたウェーハの表面側に、深さがウェーハの厚さ未満の溝を分割予定ラインに沿って形成する（ハーフカット）。そして、ウェーハの表面側にデバイスを保護する保護テープが貼着された後、ウェーハの裏面側が研削される。ウェーハの裏面側で溝が露出するまでウェーハを薄化すると、ウェーハが分割予定ラインに沿って複数のデバイスチップに分割される。このＤＢＧプロセスを用いると、ウェーハの裏面側での欠け（チッピング）の発生が抑制される等の効果が得られ、加工品質が向上する。

研削後のウェーハには、研削加工によって発生した屑（研削屑）やパーティクル（塵、ダスト等）等の異物が付着していることがある。そこで、ウェーハの研削後には、ウェーハに対して洗浄処理が施される（特許文献１、２参照）。例えば、ウェーハをスピンナテーブルで保持し、スピンナテーブルを回転させつつウェーハに洗浄液を供給する。これにより、ウェーハに付着している異物が洗い流され、デバイスチップの品質低下が防止される。

特開２０１１－１７６０３５号公報 特開２０１３－２５８２０３号公報

前述のＤＢＧプロセスを用いてウェーハ等の被加工物を複数のチップに分割する場合、被加工物に形成されている溝が被加工物の研削中に被加工物の裏面側で露出する。このとき、被加工物の研削によって発生した研削屑が溝に入り込み、被加工物の表面側に貼着されている保護テープに固着することがある。

保護テープに固着した異物は、被加工物の研削後に実施される洗浄処理によって除去される。しかしながら、ＤＢＧプロセスによって分割された被加工物に洗浄処理を施しても、保護テープの中央部には異物が残存しやすいことが確認されている。これは、被加工物の外周部の溝に供給された洗浄液は被加工物の側面から排出されやすい一方で、被加工物の中央部の溝に供給された洗浄液は排出されにくく、保護テープの中央部に固着している異物が洗い流されにくいことに起因していると考えられる。そして、保護テープに異物が残存すると、その後の工程（例えば保護テープの剥離工程）において異物が保護テープから落下してチップに付着し、チップの品質を低下させるおそれがある。

本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものであり、保護テープに付着した異物の残存を抑制することが可能なチップの製造方法の提供を目的とする。

本発明の一態様によれば、分割予定ラインによって複数の領域に区画された被加工物を複数のチップに分割するチップの製造方法であって、該被加工物の表面側に溝を該分割予定ラインに沿って形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップの後に、該被加工物の表面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、該保護テープ貼着ステップの後に、該被加工物の裏面側を研削して該溝を露出させることにより、該被加工物を複数の該チップに分割する研削ステップと、該研削ステップの後に、該被加工物を回転させつつ、該被加工物と重なる領域を移動するノズルから該被加工物の裏面側に洗浄液を供給することにより、該被加工物を洗浄する洗浄ステップと、を含み、該洗浄ステップでは、該ノズルが該被加工物の回転軸に接近する際に該ノズルを減速させ、該ノズルが該被加工物の回転軸から遠ざかる際に該ノズルを加速させるチップの製造方法が提供される。

なお、好ましくは、該洗浄ステップでは、該被加工物の回転軸と重なる位置で該ノズルの移動方向が切り替わるように該ノズルを往復移動させる。

本発明の一態様に係るチップの製造方法では、溝が露出する被加工物の裏面側にノズルから洗浄液を供給する洗浄ステップにおいて、ノズルが被加工物の回転軸に接近する際にノズルを減速させ、ノズルが被加工物の回転軸から遠ざかる際にノズルを加速させる。これにより、被加工物に貼着された保護テープの中央部が重点的に洗浄され、保護テープの中央部に固着した異物の残存が抑制される。

被加工物を示す斜視図である。 チップの製造方法を示すフローチャートである。 溝形成ステップにおける被加工物を示す斜視図である。 保護テープ貼着ステップにおける被加工物を示す斜視図である。 研削ステップにおける被加工物を示す一部断面正面図である。 図６（Ａ）は洗浄ステップにおける被加工物を示す一部断面正面図であり、図６（Ｂ）は洗浄ステップにおける被加工物を示す平面図である。 図７（Ａ）はフレームによって支持される被加工物を示す断面図であり、図７（Ｂ）は保護テープが剥離される被加工物を示す断面図である。

以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るチップの製造方法に用いることが可能な被加工物の構成例について説明する。図１は、被加工物１１を示す斜視図である。

例えば被加工物１１は、単結晶シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハであり、互いに概ね平行な表面（第１面）１１ａ及び裏面（第２面）１１ｂを備える。被加工物１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって、複数の矩形状の領域に区画されている。分割予定ライン１３によって区画された複数の領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイス等のデバイス１５が形成されている。

ただし、被加工物１１の種類、材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば被加工物１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等でなる基板（ウェーハ）であってもよい。また、デバイス１５の種類、数、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はなく、被加工物１１にはデバイス１５が形成されていなくてもよい。

被加工物１１を分割予定ライン１３に沿って格子状に分割することにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のチップ（デバイスチップ）が製造される。また、被加工物１１の分割前又は／及び分割後に被加工物１１を研削して薄化することにより、薄型化されたチップが得られる。

次に、ＤＢＧプロセスを用いて被加工物１１を複数のチップに分割するチップの製造方法の具体例について説明する。図２は、チップの製造方法を示すフローチャートである。

まず、被加工物１１の表面１１ａ側に溝を分割予定ライン１３に沿って形成する（溝形成ステップＳ１）。図３は、溝形成ステップＳ１における被加工物１１を示す斜視図である。なお、図３において、Ｘ軸方向（加工送り方向、第１水平方向）とＹ軸方向（割り出し送り方向、第２水平方向）とは、互いに垂直な方向である。また、Ｚ軸方向（鉛直方向、高さ方向、上下方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と垂直な方向である。

例えば溝形成ステップＳ１では、切削装置２を用いて被加工物１１に溝を形成する。切削装置２は、被加工物１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）４と、被加工物１１に切削加工を施す切削ユニット６とを備える。

チャックテーブル４の上面は、水平面（ＸＹ平面）と概ね平行な平坦面であり、被加工物１１を保持する円形の保持面（不図示）を構成している。チャックテーブル４の保持面は、チャックテーブル４の内部に形成された流路（不図示）、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。

また、チャックテーブル４には、移動ユニットと回転駆動源とが連結されている。移動ユニットは、例えばボールねじ式の移動機構によって構成され、チャックテーブル４をＸ軸方向に沿って移動させる。また、回転駆動源は、モータ等によって構成され、チャックテーブル４をＺ軸方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させる。

チャックテーブル４の上方には、切削ユニット６が設けられている。切削ユニット６は柱状のハウジング８を備え、ハウジング８にはＹ軸方向に沿って配置された円柱状のスピンドル（不図示）が収容されている。スピンドルの先端部（一端部）はハウジング８から露出しており、スピンドルの基端部（他端部）にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。

スピンドルの先端部には、環状の切削ブレード１０が装着される。切削ブレード１０は、回転駆動源からスピンドルを介して伝達される動力によって、Ｙ軸方向と概ね平行な回転軸の周りを回転する。

切削ブレード１０としては、例えばハブタイプの切削ブレード（ハブブレード）が用いられる。ハブブレードは、金属等でなる環状のハブ基台と、ハブ基台の外周縁に沿って形成された環状の切り刃とを備える。ハブブレードの切刃は、ダイヤモンド等でなる砥粒と、砥粒を固定するニッケルめっき層等の結合材とを含む電鋳砥石によって構成される。ただし、砥粒及び結合材の材質に制限はない。また、切削ブレード１０として、ワッシャータイプの切削ブレード（ワッシャーブレード）を用いてもよい。ワッシャーブレードは、ダイヤモンド等でなる砥粒が金属、セラミックス、樹脂等でなる結合材によって固定された環状の切り刃のみによって構成される。

スピンドルの先端部に装着された切削ブレード１０は、ハウジング８に固定されたブレードカバー１２によって覆われる。ブレードカバー１２は、純水等の液体（切削液）が供給される配管（不図示）に接続される一対の接続部１４と、接続部１４に接続された一対のノズル１６とを備える。一対のノズル１６は、切削ブレード１０の下部を挟むように切削ブレード１０の表裏面側に配置される。また、一対のノズル１６にはそれぞれ、切削ブレード１０側に向かって開口する供給口（不図示）が設けられている。

切削ブレード１０で被加工物１１を切削する際には、接続部１４に切削液が供給され、一対のノズル１６の供給口から切削ブレード１０の両面（表裏面）に向かって切削液が噴射される。これにより、被加工物１１及び切削ブレード１０が冷却されるとともに、切削加工によって生じた屑（切削屑）が洗い流される。

切削ユニット６には、移動ユニット（不図示）が連結されている。移動ユニットは、例えばボールねじ式の移動機構によって構成され、切削ユニット６をＹ軸方向及びＺ軸方向に沿って移動させる。

切削装置２で被加工物１１を切削する際には、被加工物１１の取り扱い（搬送、保持等）の便宜のため、被加工物１１が環状のフレーム１７によって支持される。フレーム１７は、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、アルミニウム等の金属や硬質の樹脂等でなり、薄板状に形成される。フレーム１７の中央部には、フレーム１７を厚さ方向に貫通する円形の開口１７ａが設けられている。なお、開口１７ａの直径は被加工物１１の直径よりも大きく、被加工物１１を開口１７ａの内側に配置可能となっている。

被加工物１１及びフレーム１７には、被加工物１１を支持するテープ（ダイシングテープ）１９が貼着される。例えばテープ１９は、円形に形成されたフィルム状の基材と、基材上に設けられた粘着剤（糊剤）とを含む。基材は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなる。また、粘着剤は、エポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。なお、粘着剤は紫外線硬化性樹脂であってもよい。

被加工物１１がフレーム１７の開口１７ａの内側に配置された状態で、テープ１９の中央部が被加工物１１の裏面１１ｂ側に貼着され、テープ１９の外周部がフレーム１７に貼着される。これにより、被加工物１１がテープ１９を介してフレーム１７によって支持される。

被加工物１１を切削する際は、まず、被加工物１１がチャックテーブル４で保持される。具体的には、被加工物１１は、表面１１ａ側が上方を向いて裏面１１ｂ側（テープ１９側）が保持面と対面するように、チャックテーブル４上に配置される。また、チャックテーブル４の周囲には、フレーム１７を把持して固定する複数のクランプ（不図示）が設けられている。被加工物１１がチャックテーブル４上に配置されると、複数のクランプによってフレーム１７が固定される。この状態で、チャックテーブル４の保持面に吸引源の吸引力（負圧）を作用させると、被加工物１１がテープ１９を介してチャックテーブル４によって吸引保持される。

次に、切削ブレード１０で被加工物１１を分割予定ライン１３に沿って切削する。具体的には、まず、チャックテーブル４を回転させ、所定の分割予定ライン１３の長さ方向をＸ軸方向に合わせる。また、切削ブレード１０が所定の分割予定ライン１３の延長線と重なるように、切削ユニット６のＹ軸方向における位置を調整する。

さらに、切削ブレード１０の下端がＺ軸方向において表面１１ａよりも下方で裏面１１ｂよりも上方に位置付けられるように、切削ユニット６の高さを調整する。このときの被加工物１１の表面１１ａと切削ブレード１０の下端との高さ位置（Ｚ軸方向における位置）の差が、切削ブレード１０の被加工物１１への切り込み深さに相当する。切削ブレード１０の切り込み深さは、後述の研削ステップＳ３（図５参照）の実施後における被加工物１１の厚さの目標値（仕上げ厚さ）以上に設定される。

そして、切削ブレード１０を回転させつつ、チャックテーブル４をＸ軸方向に沿って移動させる。これにより、チャックテーブル４と切削ブレード１０とがＸ軸方向に沿って相対的に移動し（加工送り）、切削ブレード１０が所定の分割予定ライン１３に沿って被加工物１１の表面１１ａ側に切り込む。その結果、被加工物１１の表面１１ａ側に、仕上げ厚さ以上の深さの溝１１ｃ（切削溝）が、分割予定ライン１３に沿って形成される。

その後、同様の手順を繰り返し、被加工物１１を他の分割予定ライン１３に沿って切削する。そして、全ての分割予定ライン１３に沿って被加工物１１を切削すると、格子状の溝１１ｃが形成された被加工物１１が得られる（図４参照）。そして、被加工物１１の切削加工が完了した後、被加工物１１からテープ１９が剥離され、フレーム１７による被加工物１１の支持が解除される。

なお、溝１１ｃの形成方法は、切削ブレード１０による切削に限られない。例えば溝形成ステップＳ１では、レーザー加工によって被加工物１１に溝１１ｃ（レーザー加工溝）を形成してもよい。

具体的には、被加工物１１にレーザービームを照射することにより、被加工物１１にアブレーション加工を施す。この場合、レーザービームの照射条件は、被加工物１１のレーザービームが照射された領域がアブレーション加工によって除去されるように設定される。より詳細には、レーザービームの波長は、少なくともレーザービームの一部が被加工物１１に吸収されるように設定される。すなわち、被加工物１１に対して吸収性を有する波長のレーザービームが被加工物１１に照射される。また、レーザービームの他の照射条件も、被加工物１１にアブレーション加工が適切に施されるように適宜設定される。

そして、レーザービームの集光点を被加工物１１の分割予定ライン１３に位置付けた状態で、被加工物１１の表面１１ａ側からレーザービームを分割予定ライン１３に沿って照射する。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側のうち分割予定ライン１３に沿う領域がアブレーション加工によって除去され、被加工物１１の表面１１ａ側に溝１１ｃが形成される。その他、ウェットエッチングやプラズマエッチングによって被加工物１１に溝１１ｃを形成することもできる。

次に、被加工物１１の表面１１ａ側に保護テープを貼着する（保護テープ貼着ステップＳ２）。図４は、保護テープ貼着ステップＳ２における被加工物１１を示す斜視図である。

保護テープ貼着ステップＳ２では、被加工物１１の表面１１ａ側に、被加工物１１の表面１１ａ側の全体を覆うことが可能な大きさの保護テープ２１が貼着される。例えば、被加工物１１と概ね同径の円形に形成された保護テープ２１が、複数のデバイス１５を覆うように貼着される。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側及びデバイス１５が保護される。

保護テープ２１は、フィルム状の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを備える。例えば、基材はポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層はエポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。また、粘着層は、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂であってもよい。

なお、保護テープ２１は、被加工物１１に貼着された後に円形に成形されてもよい。例えば、被加工物１１に矩形状の保護テープ２１を貼着した後、保護テープ２１を被加工物１１の外周縁に沿って環状にカットすることにより、被加工物１１と概ね同径の保護テープ２１が得られる。

次に、被加工物１１の裏面１１ｂ側を研削して溝１１ｃを露出させることにより、被加工物１１を複数のチップに分割する（研削ステップＳ３）。図５は、研削ステップＳ３における被加工物１１を示す一部断面正面図である。

例えば研削ステップＳ３では、研削装置２０を用いて被加工物１１を研削する。研削装置２０は、被加工物１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）２２と、被加工物１１に研削加工を施す研削ユニット２４とを備える。

チャックテーブル２２の上面は、被加工物１１を保持する円形の保持面２２ａを構成している。保持面２２ａは、チャックテーブル２２の内部に形成された流路（不図示）、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。

チャックテーブル２２には、移動ユニット（不図示）及び回転駆動源（不図示）が連結されている。移動ユニットは、例えばボールねじ式の移動機構やターンテーブルによって構成され、チャックテーブル２２を水平方向に沿って移動させる。また、回転駆動源は、モータ等によって構成され、チャックテーブル２２を保持面２２ａの径方向と概ね垂直な回転軸の周りで回転させる。

チャックテーブル２２の上方には、研削ユニット２４が配置されている。研削ユニット２４は、鉛直方向に沿って配置された円柱状のスピンドル２６を備える。スピンドル２６の先端部（下端部）には、金属等でなる円盤状のホイールマウント２８が固定されている。また、スピンドル２６の基端部（上端部）には、スピンドル２６を回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。

ホイールマウント２８の下面側には、被加工物１１を研削する研削ホイール３０が装着される。研削ホイール３０は、ステンレス、アルミニウム等の金属でなりホイールマウント２８と概ね同径に形成された環状のホイール基台３２を備える。

ホイール基台３２の下面側には、複数の研削砥石３４が固定されている。研削砥石３４は、ダイヤモンド、ｃＢＮ（cubic Boron Nitride）等でなる砥粒を、メタルボンド、レジンボンド、ビトリファイドボンド等の結合材（ボンド材）で固定することによって形成される。例えば、直方体状に形成された複数の研削砥石３４が、ホイール基台３２の外周縁に沿って概ね等間隔で環状に配列される。

研削ホイール３０は、回転駆動源からスピンドル２６及びホイールマウント２８を介して伝達される動力により、鉛直方向と概ね平行な回転軸の周りを回転する。また、研削ユニット２４には、移動ユニット（不図示）が連結されている。移動ユニットは、例えばボールねじ式の移動機構によって構成され、研削ユニット２４を鉛直方向に沿って移動（昇降）させる。さらに、研削ユニット２４の近傍には、純水等の研削液３８を供給するノズル３６が設けられている。

被加工物１１を研削する際は、まず、被加工物１１がチャックテーブル２２で保持される。具体的には、被加工物１１は、表面１１ａ側（保護テープ２１側）が保持面２２ａに対面して裏面１１ｂ側が上方に露出するように、チャックテーブル２２上に配置される。この状態で、保持面２２ａに吸引源の吸引力（負圧）を作用させると、被加工物１１が保護テープ２１を介してチャックテーブル２２によって吸引保持される。

次に、チャックテーブル２２が研削ユニット２４の下方に配置される。そして、チャックテーブル２２及び研削ホイール３０をそれぞれ回転させつつ、研削ホイール３０をチャックテーブル２２に向かって下降させる。これにより、複数の研削砥石３４が旋回しながら被加工物１１の裏面１１ｂ側に接触し、被加工物１１の裏面１１ｂ側が削り取られる。その結果、被加工物１１の裏面１１ｂ側が研削され、被加工物１１が薄化される。

被加工物１１の厚さが仕上げ厚さになるまで被加工物１１が研削されると、被加工物１１に形成されている溝１１ｃが裏面１１ｂで露出する。その結果、被加工物１１が分割予定ライン１３に沿って分割される。このようにして、被加工物１１がデバイス１５（図１参照）をそれぞれ備える複数のチップ（デバイスチップ）２３に分割される。その後、研削ユニット２４が上昇して研削砥石３４が被加工物１１から離れ、被加工物１１の研削が停止される。

なお、研削ホイール３０で被加工物１１を研削すると、被加工物１１と研削砥石３４との接触領域において研削屑が発生する。そして、研削ステップＳ３では、溝１１ｃが裏面１１ｂで露出するまで被加工物１１が研削されるため、研削の終盤では露出した溝１１ｃに研削屑が入り込む。その結果、溝１１ｃの内側で露出している保護テープ２１の粘着層に、研削屑が固着する。

次に、被加工物１１の裏面１１ｂ側に洗浄液を供給することにより、被加工物１１を洗浄する（洗浄ステップＳ４）。図６（Ａ）は洗浄ステップＳ４における被加工物１１を示す一部断面正面図であり、図６（Ｂ）は洗浄ステップＳ４における被加工物１１を示す平面図である。

洗浄ステップＳ４では、研削後の被加工物１１を洗浄装置（洗浄ユニット）４０で洗浄する。洗浄装置４０は、被加工物１１を保持して回転するスピンナテーブル（チャックテーブル）４２と、洗浄液を供給する洗浄液供給ユニット４４とを備える。なお、洗浄装置４０は、研削装置２０（図５参照）と独立して設置されてもよいし、研削装置２０の一部であってもよい。

スピンナテーブル４２の上面は、水平面と概ね平行な平坦面であり、被加工物１１を保持する円形の保持面４２ａを構成している。保持面４２ａは、スピンナテーブル４２の内部に形成された流路（不図示）、バルブ等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。また、スピンナテーブル４２には、スピンナテーブル４２を鉛直方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。

洗浄液供給ユニット４４は、Ｌ字状の支持アーム４６と、支持アーム４６を旋回させるモータ等の回転駆動源４８と、洗浄液５２を供給するノズル５０とを備える。支持アーム４６の先端部（一端部）にはノズル５０が固定され、支持アーム４６の基端部（他端部）には回転駆動源４８が連結されている。

ノズル５０は、洗浄液５２を噴射する円形の噴射口５０ａを備える。また、ノズル５０には、ノズル５０に洗浄液５２を供給する洗浄液供給源（不図示）が接続されている。例えば、純水等の液体や、液体（水等）及び気体（エアー等）を含む混合流体が、流体供給源からノズル５０に供給され、噴射口５０ａから噴射される。

回転駆動源４８を駆動させると、支持アーム４６及びノズル５０が旋回し、スピンナテーブル４２とノズル５０とが保持面４２ａと平行な方向（水平方向）に沿って相対的に移動する。これにより、ノズル５０を保持面４２ａと重なる位置（供給位置）及び保持面４２ａと重ならない位置（退避位置）に位置付けることができる。

被加工物１１を洗浄する際は、まず、被加工物１１がスピンナテーブル４２で保持される。具体的には、被加工物１１は、表面１１ａ側（保護テープ２１側）が保持面４２ａに対面して裏面１１ｂ側が上方に露出するように、スピンナテーブル４２上に配置される。この状態で、保持面４２ａに吸引源の吸引力（負圧）を作用させると、被加工物１１が保護テープ２１を介してスピンナテーブル４２によって吸引保持される。

なお、洗浄装置４０で被加工物１１を洗浄する際、被加工物１１はフレーム１７（図３参照）によって支持されてもよい。この場合には、スピンナテーブル４２の周囲に設けられた複数のクランプ（不図示）によって、フレーム１７が把持、固定される。

次に、支持アーム４６が旋回してノズル５０が被加工物１１と重なる位置に配置され、ノズル５０の噴射口５０ａが被加工物１１の裏面１１ｂと対面する。この状態で、スピンナテーブル４２を回転させつつノズル５０の噴射口５０ａから洗浄液５２を噴射させると、被加工物１１の裏面１１ｂ側に洗浄液５２が供給される。これにより、被加工物１１が洗浄され、被加工物１１に付着している研削屑、パーティクル（塵、ダスト等）等の異物が洗い流される。

なお、洗浄ステップＳ４では、溝１１ｃの内側で露出している保護テープ２１の粘着層に固着した研削屑等の異物も洗い流される。ここで、被加工物１１の外周部の溝１１ｃに供給された洗浄液５２は被加工物１１の側面から排出されやすい一方で、被加工物１１の中央部の溝１１ｃに供給された洗浄液５２は排出されにくい。そのため、保護テープ２１の中央部に固着している異物は、洗浄液５２によって洗い流されずに残存しやすい傾向がある。

そこで、本実施形態においては、被加工物１１の洗浄中、ノズル５０が被加工物１１の回転軸に接近する際にノズル５０を減速させ、ノズル５０が被加工物１１の回転軸から遠ざかる際にノズル５０を加速させる。これにより、ノズル５０が被加工物１１の中央部の上方に位置付けられる期間が長くなり、保護テープ２１の中央部が重点的に洗浄される。その結果、保護テープ２１の中央部に固着した異物の残存が抑制される。

洗浄ステップＳ４では、スピンナテーブル４２によって被加工物１１を回転させた状態で、ノズル５０から洗浄液５２を供給しつつ、ノズル５０を被加工物１１と重なる領域で移動させる。例えばノズル５０は、被加工物１１の外周縁と重なる位置（外周縁重畳位置）と、被加工物１１の回転軸（被加工物１１の中心）と重なる位置（回転軸重畳位置）との間で往復移動する。図６（Ｂ）には、外周縁重畳位置から回転軸重畳位置に至る経路（往路）Ａと、回転軸重畳位置から外周縁重畳位置に至る経路（往路）Ｂとに沿って移動するノズル５０を図示している。この場合、ノズル５０は、被加工物１１の回転軸（スピンナテーブル４２の回転軸）と重なる位置で移動方向が逆方向に切り替わるように往復移動する。

そして、ノズル５０が経路Ａに沿って移動して外周縁重畳位置から回転軸重畳位置に接近する間に、ノズル５０の移動速度（旋回速度）を減少させる。例えば、経路Ａの全体にわたってノズル５０を徐々に減速させてもよいし、ノズル５０が回転軸重畳位置から所定の範囲内に位置付けられた後の期間にのみノズル５０を減速させてもよい。これにより、ノズル５０が経路Ａに沿って移動している間において、被加工物１１及び保護テープ２１の中央部に供給される洗浄液５２の量が、被加工物１１及び保護テープ２１の外周部に供給される洗浄液５２の量よりも多くなる。

また、ノズル５０が経路Ｂに沿って移動して回転軸重畳位置から遠ざかる間に、ノズル５０の移動速度（旋回速度）を増加させる。例えば、経路Ｂの全体にわたってノズル５０を徐々に加速させてもよいし、ノズル５０が回転軸重畳位置から所定の範囲外に位置付けられた後の期間にのみノズル５０を加速させてもよい。これにより、ノズル５０が経路Ｂに沿って移動している間において、被加工物１１及び保護テープ２１の中央部に供給される洗浄液５２の量が、被加工物１１及び保護テープ２１の外周部に供給される洗浄液５２の量よりも多くなる。

上記のようにノズル５０を移動させて洗浄液５２を供給することにより、被加工物１１及び保護テープ２１の中央部が重点的に洗浄される。これにより、保護テープ２１の中央部に固着している異物が除去されやすくなる。

なお、洗浄液５２の供給条件は、被加工物１１及び保護テープ２１の材質、形状、大きさ等に応じて適宜設定できる。例えば、洗浄液５２として、純水とエアーとを含む混合流体を用いることができる。また、例えば、洗浄液５２の圧力は０．２ＭＰａ以上０．６ＭＰａ以下、洗浄液５２の流量は１５０ｍｌ／ｍｉｎ以上２５０ｍｌ／ｍｉｎ以下、支持アーム４６及びノズル５０の旋回速度は１８°／ｓ以上３６°／ｓ以下、洗浄時間は２０秒以上４０秒以下に設定できる。

また、洗浄ステップＳ４では、被加工物１１の回転軸と重なる位置、又は、被加工物１１の回転軸から所定の距離内の位置で、ノズル５０を一時的に停止させてもよい。これにより、被加工物１１及び保護テープ２１の中央部に洗浄液５２が一定期間集中的に供給され、保護テープ２１の中央部に固着している異物がさらに除去されやすくなる。ただし、被加工物１１及び保護テープ２１の外周部の洗浄が不十分にならないように、ノズル５０の停止時間は、被加工物１１の洗浄時間全体の１／５以下であることが好ましく、１／１０以下であることがよい好ましい。

次に、被加工物１１から保護テープ２１を剥離する（保護テープ剥離ステップＳ５）。保護テープ剥離ステップＳ５における被加工物１１及び保護テープ２１を、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示す。図７（Ａ）はフレーム２５によって支持される被加工物１１を示す断面図であり、図７（Ｂ）は保護テープ２１が剥離される被加工物１１を示す断面図である。

被加工物１１から保護テープ２１を剥離する際は、まず、被加工物１１を環状のフレーム２５で支持する。フレーム２５の中央部には、円形の開口２５ａが設けられている。また、フレーム２５には、開口２５ａを塞ぐようにテープ２７が貼着されている。なお、フレーム２５及びテープ２７の形状、構造、材質等は、フレーム１７及びテープ１９（図３参照）と同様である。

洗浄ステップＳ４で洗浄された被加工物１１は、裏面１１ｂ側がフレーム２５の開口２５ａの内側で露出するテープ２７の粘着層と接触するように配置される。これにより、被加工物１１の裏面１１ｂ側にテープ２７が貼着され、被加工物１１がテープ２７を介してフレーム２５によって支持される。

次に、フレーム２５を所定の位置に固定した状態で、被加工物１１に貼着されている保護テープ２１の一端部を把持し、保護テープ２１の他端側に移動させる。これにより、保護テープ２１が被加工物１１の表面１１ａ側から剥離、除去される。なお、保護テープ２１の被加工物１１に対する粘着力は、テープ２７の被加工物１１に対する粘着力よりも弱い。そのため、剥離された保護テープ２１にチップ２３は残存しない。

ここで、保護テープ２１に固着した異物は、前述の保護テープ剥離ステップＳ５（図６（Ａ）及び図６（Ｂ）参照）によって除去されている。そのため、被加工物１１から保護テープ２１を剥離する際に、保護テープ２１に固着している異物が落下してチップ２３に付着する心配がない。これにより、異物の付着によるチップ２３の品質低下が回避される。

なお、上記では被加工物１１を支持しているフレーム２５を固定した状態で保護テープ２１を剥離する例について説明したが、被加工物１１の固定方法に制限はない。例えば、被加工物１１をフレーム２５で支持する代わりに、被加工物１１をチャックテーブルで吸引保持してもよい。

以上の通り、本実施形態に係るチップの製造方法では、溝１１ｃが露出する被加工物１１の裏面１１ｂ側にノズル５０から洗浄液５２を供給する洗浄ステップＳ４において、ノズル５０が被加工物１１の回転軸に接近する際にノズル５０を減速させ、ノズル５０が被加工物１１の回転軸から遠ざかる際にノズル５０を加速させる。これにより、被加工物１１に貼着された保護テープ２１の中央部が重点的に洗浄され、保護テープ２１の中央部に固着した異物の残存が抑制される。

なお、上記実施形態では、ノズル５０の移動方向を被加工物１１の回転軸と重なる位置で切り替える形態について説明した（図６（Ｂ）参照）。ただし、被加工物１１の全体に洗浄液５２を供給可能であれば、ノズル５０の移動経路に制限はない。

例えば、被加工物１１の外周縁上の異なる２点と重なる位置（第１外周縁重畳位置及び第２外周縁重畳位置）と、被加工物１１の回転軸と重なる位置（回転軸重畳位置）とを通過する円弧状の経路に沿って、ノズル５０を往復移動させてもよい。この場合、ノズル５０は、第１外周縁重畳位置から回転軸重畳位置を通過して第２外周縁重畳位置に至るように円弧状に移動した後（往路）、第２外周縁重畳位置から回転軸重畳位置を通過して第１外周縁重畳位置に至るように円弧状に移動する（復路）。

上記のように移動するノズル５０で被加工物１１を洗浄する場合、ノズル５０は、第１外周縁重畳位置から回転軸重畳位置に接近する間、及び、第２外周縁重畳位置から回転軸重畳位置に接近する間に減速する。また、ノズル５０は、回転軸重畳位置から遠ざかって第２外周縁重畳位置へ移動する間、及び、回転軸重畳位置から遠ざかって第１外周縁重畳位置へ移動する間に加速する。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ 被加工物
１１ａ 表面（第１面）
１１ｂ 裏面（第２面）
１１ｃ 溝
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ フレーム
１７ａ 開口
１９ テープ（ダイシングテープ）
２１ 保護テープ
２３ チップ（デバイスチップ）
２５ フレーム
２５ａ 開口
２７ テープ
２ 切削装置
４ チャックテーブル（保持テーブル）
６ 切削ユニット
８ ハウジング
１０ 切削ブレード
１２ ブレードカバー
１４ 接続部
１６ ノズル
２０ 研削装置
２２ チャックテーブル（保持テーブル）
２２ａ 保持面
２４ 研削ユニット
２６ スピンドル
２８ ホイールマウント
３０ 研削ホイール
３２ ホイール基台
３４ 研削砥石
３６ ノズル
３８ 研削液
４０ 洗浄装置（洗浄ユニット）
４２ スピンナテーブル（チャックテーブル）
４２ａ 保持面
４４ 洗浄液供給ユニット
４６ 支持アーム
４８ 回転駆動源
５０ ノズル
５０ａ 噴射口
５２ 洗浄液

Claims (2)

1. 分割予定ラインによって複数の領域に区画された被加工物を複数のチップに分割するチップの製造方法であって、
   該被加工物の表面側に溝を該分割予定ラインに沿って形成する溝形成ステップと、
   該溝形成ステップの後に、該被加工物の表面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、
   該保護テープ貼着ステップの後に、該被加工物の裏面側を研削して該溝を露出させることにより、該被加工物を複数の該チップに分割する研削ステップと、
   該研削ステップの後に、該被加工物を回転させつつ、該被加工物と重なる領域を移動するノズルから該被加工物の裏面側に洗浄液を供給することにより、該被加工物を洗浄する洗浄ステップと、を含み、
   該洗浄ステップでは、該ノズルが該被加工物の回転軸に接近する際に該ノズルを減速させ、該ノズルが該被加工物の回転軸から遠ざかる際に該ノズルを加速させることを特徴とするチップの製造方法。
2. 該洗浄ステップでは、該被加工物の回転軸と重なる位置で該ノズルの移動方向が切り替わるように該ノズルを往復移動させることを特徴とする請求項１に記載のチップの製造方法。
   

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