JP2021114520A - 切削装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】凹部を備えるウェーハを適切且つ簡易に保持可能なチャックテーブルを備える切削装置を提供する。【解決手段】中央部に形成された凹部と、凹部を囲繞する環状の外周部と、を備えるウェーハを切削する切削装置であって、ウェーハの凹部を保持する保持面を有するチャックテーブルと、チャックテーブルによって保持されたウェーハを切削ブレードで切削する切削ユニットと、吸引源と、を備え、チャックテーブルは、チャックテーブルによって保持されたウェーハのうち凹部の外周部と重なり切削ブレードによって切削される被加工領域に対応する領域に、保持面で開口し吸引源に接続される吸引路を有する。【選択図】図5

Description

本発明は、凹部を有するウェーハを切削する切削装置に関する。
デバイスチップの製造工程では、格子状に配列された分割予定ライン(ストリート)によって区画された複数の領域にそれぞれIC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等のデバイスが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えるウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。
ウェーハの分割には、例えば切削装置が用いられる。切削装置は、ウェーハを保持するチャックテーブルと、ウェーハを切削する円環状の切削ブレードが装着される切削ユニットとを備えている。切削ブレードを回転させてウェーハに切り込ませることにより、ウェーハが切削され、分割される。
また、近年では、電子機器の小型化に伴い、デバイスチップの薄型化が求められている。そこで、ウェーハの分割前にウェーハを薄化する加工が実施されることがある。ウェーハの薄化には、例えば、ウェーハを保持するチャックテーブルと、複数の研削砥石が固定された研削ホイールが装着される研削ユニットとを備える研削装置が用いられる。チャックテーブルと研削ホイールとをそれぞれ回転させながら研削砥石をウェーハの裏面側に接触させることにより、ウェーハが研削され、薄化される。
しかしながら、ウェーハを研削して薄化すると、ウェーハの剛性が低下し、その後にウェーハを取り扱う際(ウェーハの加工、洗浄、搬送等)にウェーハが破損しやすくなる。そこで、ウェーハの裏面側のうち、デバイス領域と重なる中央部のみを研削して薄化する手法が提案されている。この手法を用いると、ウェーハの外周部が薄化されずに厚い状態に維持されるため、ウェーハの剛性の低下が抑制され、ウェーハの破損が防止される。
上記のようにウェーハの中央部のみを研削すると、裏面側に形成された凹部と、凹部を囲繞する環状の外周部(凸部)とを備えるウェーハが得られる。そして、最終的にウェーハを複数のデバイスチップに分割する際には、まず、薄化されていないウェーハの外周部が切削装置等を用いて除去される(例えば、特許文献1参照)。
切削装置を用いてウェーハの外周部を除去する際には、凹部が形成されたウェーハをチャックテーブルによって保持する必要がある。例えばチャックテーブルは、円柱状の枠体(基台)の上面側の中央部に円盤状のポーラス部材を嵌め込んで形成され、枠体の外周部の上面とポーラス部材の上面とによってウェーハを保持する保持面が構成される。
チャックテーブルでウェーハを保持する際には、チャックテーブルの保持面側がウェーハの凹部に嵌め込まれ、ウェーハの凹部が保持面で保持される。そして、ポーラス部材に接続された吸引源の負圧によってウェーハの凹部の中央部が吸引されるとともに、枠体の外周部(ポーラス部材が設けられていない領域)の上面によってウェーハ11の凹部の外周部が支持される。
上記のチャックテーブルによってウェーハが保持される場合、ウェーハの凹部の外周部は、枠体の外周部の上面によって支持はされるものの、吸引はされない。そのため、ウェーハの外周部(凸部)を除去するために、特にウェーハの凹部の外周部が切削される場合には、チャックテーブルへの固定が不十分な状態のウェーハの凹部の外周部に、高速で回転する切削ブレードが接触する。その結果、ウェーハの凹部の外周部で振動(ブレ)が生じ、ウェーハに欠け(チッピング)や割れが生じることがある。
そこで、凹部が形成されたウェーハの保持には、ウェーハの凹部に対応する凸部(円柱状立ち上がり部)を上面側に備えるチャックテーブルが用いられることがある(例えば、特許文献2参照)。このチャックテーブルは、ウェーハの凹部の中央部のみでなく、凹部を囲繞するウェーハの外周部(凸部)も吸引可能に構成されている。これにより、ウェーハの全体が確実に固定され、切削時におけるウェーハの振動(ブレ)が生じにくくなる。
特開2011−61137号公報 特開2013−98248号公報
上記のように、凹部と、凹部を囲繞する環状の外周部とを備えるウェーハを加工する際には、上面側に凸部を備えるチャックテーブルを用いることができる。ここで、ウェーハの凹部の深さとチャックテーブルの凸部の突出量(高さ)とにずれがあると、ウェーハがチャックテーブルの保持面に適切に接触せず、チャックテーブルによるウェーハの保持が不完全になる。そして、この状態でウェーハを切削ブレードで切削すると、ウェーハに加工不良が発生しやすい。
そのため、凸部を備えるチャックテーブルでウェーハを保持する場合には、チャックテーブルの凸部の突出量をウェーハの凹部の深さに合わせて厳密に調整する必要がある。しかしながら、凹部の深さはウェーハ毎に異なるため、加工対象となるウェーハを変更する場合には、その都度凸部の突出量が変更される。これにより、チャックテーブルの準備作業が煩雑になり、ウェーハの加工効率が低下する。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、凹部を備えるウェーハを適切且つ簡易に保持可能なチャックテーブルを備える切削装置の提供を目的とする。
本発明の一態様によれば、中央部に形成された凹部と、該凹部を囲繞する環状の外周部と、を備えるウェーハを切削する切削装置であって、該ウェーハの該凹部を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルによって保持された該ウェーハを切削ブレードで切削する切削ユニットと、吸引源と、を備え、該チャックテーブルは、該チャックテーブルによって保持された該ウェーハのうち該凹部の外周部と重なり該切削ブレードによって切削される被加工領域に対応する領域に、該保持面で開口し該吸引源に接続される吸引路を有する切削装置が提供される。
なお、好ましくは、該吸引路は、該チャックテーブルの該保持面側に設けられた同心円状の第1溝及び第2溝と、該第1溝及び該第2溝と該吸引源とを接続する流路と、を備え、該チャックテーブルは、該第1溝と該第2溝との間の領域で該ウェーハの該被加工領域を支持するとともに、該第1溝と該第2溝とで該ウェーハを吸引する。また、好ましくは、該第1溝及び該第2溝は、上端から下端に向かって幅が狭くなるように形成されている。
また、好ましくは、該吸引路は、該チャックテーブルの該保持面側の、凹凸が形成された環状の吸引領域と、該吸引領域と該吸引源とを接続する流路と、を備え、該チャックテーブルは、該吸引領域の凸部で該ウェーハの該被加工領域を支持するとともに、該吸引領域の凹部で該ウェーハを吸引する。
本発明の一態様に係る切削装置は、ウェーハの被加工領域に対応する領域に吸引路が設けられたチャックテーブルを備える。これにより、切削装置はウェーハの凹部の深さに関わらずウェーハの被加工領域を確実に固定することが可能となり、ウェーハが適切且つ簡易に保持される。そして、切削ブレードが被加工領域に接触した際のウェーハの振動(ブレ)が抑制され、加工不良の発生が防止される。
図1(A)はウェーハの表面側を示す斜視図であり、図1(B)はウェーハの裏面側を示す斜視図である。 フレームによって支持されたウェーハを示す斜視図である。 切削装置を示す斜視図である。 図4(A)はチャックテーブルを示す平面図であり、図4(B)は第1溝及び第2溝を拡大して示す断面図である。 ウェーハを切削する切削装置を示す一部断面正面図である。 図6(A)は凹凸を有する吸引領域がチャックテーブルに設けられた切削装置を示す一部断面正面図であり、図6(B)は吸引領域を拡大して示す断面図である。
以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係る切削装置によって加工することが可能なウェーハの構成例について説明する。図1(A)はウェーハ11の表面側を示す斜視図であり、図1(B)はウェーハ11の裏面側を示す斜視図である。
ウェーハ11は、例えばシリコン等でなる円盤状の基板であり、互いに概ね平行な表面11a及び裏面11bと、表面11a及び裏面11bに接続された側面11cとを備える。ウェーハ11は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン(ストリート)13によって複数の矩形状の領域に区画されており、この領域の表面11a側にはそれぞれ、IC、LSI等のデバイス15が形成されている。
ウェーハ11は、複数のデバイス15が形成された略円形のデバイス領域17aと、デバイス領域17aを囲繞する環状の外周余剰領域17bとを、表面11a側に備える。外周余剰領域17bは、表面11aの外周縁を含む所定の幅(例えば、2mm程度)の環状の領域に相当する。図1(A)には、デバイス領域17aと外周余剰領域17bとの境界を二点鎖線で示している。
なお、ウェーハ11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ11は、シリコン以外の半導体(GaAs、InP、GaN、SiC等)、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等でなる基板であってもよい。また、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
ウェーハ11を分割予定ライン13に沿って格子状に分割することにより、デバイス15をそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。なお、分割前のウェーハ11に対して薄化処理を施すと、薄型化されたデバイスチップが得られる。
ウェーハ11の薄化には、例えば研削装置が用いられる。研削装置は、ウェーハ11を保持するチャックテーブル(保持テーブル)と、複数の研削砥石が固定された研削ホイールが装着される研削ユニットとを備える。チャックテーブルと研削ホイールとをそれぞれ回転させながら研削砥石をウェーハ11の裏面11b側に接触させることにより、ウェーハ11の裏面11b側が研削され、ウェーハ11が薄化される。
ここで、薄化処理(研削加工)は、ウェーハ11の裏面11b側の中央部のみに施される。そのため、図1(B)に示すように、ウェーハ11は中央部のみが薄化され、ウェーハ11の裏面11bの中央部には円形の凹部19が形成される。なお、凹部19はデバイス領域17aに対応する位置に設けられる。例えば、凹部19の大きさ(直径)はデバイス領域17aの大きさ(直径)と概ね同一に設定され、凹部19はデバイス領域17aと重なる位置に形成される。
凹部19は、ウェーハ11の表面11a及び裏面11bと概ね平行な底面19aと、底面19aと概ね垂直でウェーハ11の裏面11b及び底面19aに接続された環状の側面(内壁)19bとを備える。また、凹部19の周囲には、薄化処理(研削加工)が施されていないウェーハ11の外周部(凸部)21が残存しており、外周部21は凹部19を囲繞している。
仮に、ウェーハ11の裏面11b側の全体が研削されると、ウェーハ11の全体が薄化されてウェーハ11の剛性が低下し、その後にウェーハ11を取り扱う際(ウェーハ11の加工、洗浄、搬送等)にウェーハが破損しやすくなる。一方、上記のようにウェーハ11の中央部のみを薄化すると、ウェーハ11の外周部21が厚い状態に維持されてウェーハ11の剛性の低下が抑えられるため、ウェーハ11の破損が生じにくくなる。すなわち、薄化されていないウェーハ11の外周部21が、ウェーハ11を補強する補強領域として機能する。
凹部19が形成されたウェーハ11は、最終的に分割予定ライン13に沿って切断され、複数のデバイスチップに分割される。そして、ウェーハ11を分割する際には、まず、ウェーハ11を環状のフレームで支持する。図2は、環状のフレーム25によって支持されたウェーハ11を示す斜視図である。
ウェーハ11の裏面11b側には、ウェーハ11の裏面11b側の全体を覆うことが可能な大きさのテープ23が貼付される。例えば、ウェーハ11よりも直径の大きい円形のテープ23が、ウェーハ11の裏面11b側を覆うように貼付される。
例えばテープ23として、円形の基材と、基材上に設けられた粘着層(糊層)とを備える柔軟なフィルムが用いられる。基材は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層は、エポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。また、粘着層には、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂を用いることもできる。
テープ23は、ウェーハ11の裏面11b側の形状に沿って貼付される。そのため、テープ23は、凹部19の底面19aと、外周部21とに密着する(図5参照)。なお、テープ23は、凹部19の側面19bにも密着するように貼付されてもよいが、図5に示すようにテープ23と凹部19の側面19bとの間に隙間が形成されていてもよい。
テープ23の外周部には、環状のフレーム25が貼付される。フレーム25は、内部にウェーハ11を収容可能な円形の開口25aを備える。そして、ウェーハ11は、開口25aの内側に配置された状態で、テープ23を介してフレーム25によって支持される。
ウェーハ11は、フレーム25によって支持された状態で、切削装置によって切削される。図3は、切削装置2を示す斜視図である。切削装置2は、ウェーハ11を保持するチャックテーブル(保持テーブル)4と、チャックテーブル4によって保持されたウェーハ11を切削する切削ユニット16とを備える。
チャックテーブル4は、SUS(ステンレス鋼)等の金属、ガラス、セラミックス、樹脂等でなる円柱状の枠体6を備える。枠体6の上面は、水平方向と概ね平行な円形に形成されている。枠体6の上面によってチャックテーブル4の保持面4aが構成され、この保持面4aで切削装置2によって切削されるウェーハ11が保持される。
チャックテーブル4には、ウェーハ11を吸引するための吸引路8が設けられている。吸引路8の一端側(上端側)はチャックテーブル4の保持面4aで開口しており、吸引路8の他端側(下端側)はエジェクタ等の吸引源(吸引ユニット)10に接続されている。例えば吸引路8は、チャックテーブル4の保持面4a側に形成された第1溝12a及び第2溝12bと、第1溝12a及び第2溝12bと吸引源10とを接続する流路14とを備える。
図4(A)は、チャックテーブル4を示す平面図である。チャックテーブル4の外周部の保持面4a側には、保持面4aからチャックテーブル4の下側に向かって所定の深さに形成された環状の第1溝12aと第2溝12bとが設けられている。第1溝12aの直径は第2溝12bの直径よりも大きく、第1溝12aと第2溝12bとの中心の位置は一致している。すなわち、第1溝12aと第2溝12bとは同心円状に形成されている。
なお、第1溝12aと第2溝12bとは互いに離れて形成されており、第1溝12aと第2溝12bとの間には溝が形成されていない領域(保持領域12c)が確保されている。この保持領域12cは、ウェーハ11を保持する保持面4aの一部を構成する。
図4(B)は、第1溝12a及び第2溝12bを拡大して示す断面図である。例えば第1溝12a及び第2溝12bは、上端から下端に向かって幅が狭くなるように形成される。図4(B)には、第1溝12a及び第2溝12bの内壁が、第1溝12a及び第2溝12bの深さ方向(枠体6の高さ方向)に対して傾斜している例を示している。すなわち、第1溝12a及び第2溝12bは、断面視でV字状に形成されている。ただし、第1溝12a及び第2溝12bの形状に制限はない。
第1溝12aと第2溝12bとはそれぞれ、流路14を介して吸引源10に接続されている。例えば流路14は、枠体6の内部に形成された貫通孔(空間)と、該貫通孔及び吸引源10に接続されたチューブ又はパイプとによって構成される。貫通孔は、第1溝12a及び第2溝12bの底部で開口するように形成される。
第1溝12a及び第2溝12bの幅と位置とは、ウェーハ11の寸法、保持面4aの寸法等に応じて適宜設定される。例えば、第1溝12a及び第2溝12bの上端(保持面4a)における幅は0.1mm以上1mm以下(代表的には0.5mm程度)に設定される。また、保持面4aの外周縁と第1溝12aとの間の領域の幅、及び、第1溝12aと第2溝12bとの間の領域(保持領域12c)の幅は、例えば0.1mm以上0.5mm以下(代表的には0.2mm程度)に設定される。
なお、図4(A)ではチャックテーブル4に2本の溝(第1溝12a及び第2溝12b)が形成された例を示しているが、チャックテーブル4には、直径が異なる3以上の環状の溝が同心円状に形成されてもよい。また、図4(A)では第1溝12a及び第2溝12bが連続した線状に形成されている例を示しているが、第1溝12a及び第2溝12bの形状は適宜変更できる。例えば、第1溝12a及び第2溝12bはそれぞれ、不連続な線状(破線状)に形成されていてもよい。
チャックテーブル4には、ボールねじ式の移動機構(不図示)と、モータ等の回転機構(不図示)とが接続されている。移動機構は、チャックテーブル4を加工送り方向(第1水平方向)に沿って移動させる。また、回転機構は、チャックテーブル4を鉛直方向(上下方向)と概ね平行な回転軸の周りで回転させる。
図3に示すように、チャックテーブル4の上方には切削ユニット16が配置されている。切削ユニット16は、円筒状のハウジング18を備えており、ハウジング18には円筒状のスピンドル(回転軸)20が収容されている。
スピンドル20は、チャックテーブル4の保持面4aと概ね平行で、且つ、加工送り方向と概ね垂直な割り出し送り方向(第2水平方向)に沿って配置されている。スピンドル20の先端部(一端側)はハウジング18から突出しており、この先端部にはウェーハ11を切削する環状の切削ブレード22が装着される。また、スピンドル20の基端部(他端側)には、スピンドル20を回転させるモータ等の回転駆動源(不図示)が接続されている。
例えば切削ブレード22は、金属等でなる環状の基台と、基台の外周縁に沿って形成された環状の切刃とが一体となって構成されたハブタイプの切削ブレードである。ハブタイプの切削ブレードの切刃は、ダイヤモンド等でなる砥粒がニッケルめっき層等の結合材によって固定された電鋳砥石によって構成される。
ただし、切削ブレード22の砥粒及び結合材の材質に制限はなく、加工対象となるウェーハ11の材質や加工条件等に応じて適宜選択される。また、切削ブレード22は、砥粒が金属、セラミックス、樹脂等でなる結合材によって固定された環状の切刃からなるワッシャータイプの切削ブレードであってもよい。
切削ユニット16には、切削ユニット16を移動させるボールねじ式の移動機構(不図示)が接続されている。この移動機構は、切削ユニット16を割り出し送り方向及び鉛直方向に沿って移動させる。これにより、切削ユニット16に装着された切削ブレード22の割り出し送り方向における位置と高さ(ウェーハ11への切り込み深さ)とが調整される。
上記の切削装置2によってウェーハ11を切削して、ウェーハ11を分割予定ライン13(図1(A)参照)に沿って切断すると、ウェーハ11が複数のデバイスチップに分割される。なお、ウェーハ11を複数のデバイスチップに分割する際には、まず、薄化処理が施されていないウェーハ11の外周部21(図1(B)参照)を除去する。これにより、ウェーハ11の分割が外周部21によって妨げられたり、ウェーハ11を複数のデバイスチップに分割した後にデバイスチップをピックアップする作業が外周部21によって妨げられたりすることを防止できる。
図5は、ウェーハ11を切削する切削装置2を示す一部断面正面図である。切削ブレード22でウェーハ11を外周部21に沿って環状に切削することにより、ウェーハ11から外周部21が分離される。
切削装置2でウェーハ11を切削する際は、まず、ウェーハ11をチャックテーブル4によって保持する。具体的には、ウェーハ11は、表面11a側が上方に露出し、裏面11b側(凹部19側、テープ23側)が保持面4aと対向するように、チャックテーブル4上に配置される。このときウェーハ11は、凹部19にチャックテーブル4の保持面4a側が挿入されるように配置される。これにより、ウェーハ11の凹部19の底面19aが、テープ23を介してチャックテーブル4の保持面4aによって支持される。
ここで、チャックテーブル4の吸引路8は、ウェーハ11の切削ブレード22によって切削される環状の領域(被加工領域11d)に対応する位置に設けられている。具体的には、第1溝12a及び第2溝12bは、第1溝12aと第2溝12bとの間の領域(保持領域12c)がウェーハ11の被加工領域11dと重なるように形成される。そして、ウェーハ11は、被加工領域11dと吸引路8(保持領域12c)との位置合わせがなされた状態で、保持面4a上に配置される。
ウェーハ11が保持面4a上に配置された状態で、吸引源10の負圧を吸引路8に作用させると、ウェーハ11の凹部19の底面19aがテープ23を介して第1溝12a及び第2溝12bに吸引され、保持面4aで保持される。このときウェーハ11は、被加工領域11dが保持領域12cに支持されるとともに、被加工領域11dの両側(ウェーハ11の半径方向の内側及び外側)がテープ23を介して第1溝12a及び第2溝12bによって吸引された状態となる。これにより、ウェーハ11の被加工領域11dが保持領域12c上で確実に固定される。
なお、フレーム25は、クランプ等によって固定されずに浮いた状態に維持される。そのため、ウェーハ11がチャックテーブル4によって保持される際、フレーム25の高さ位置は、凹部19の底面19aが保持面4aに沿って配置されるように自動的に調整される。これにより、ウェーハ11を凹部19の深さに関わらず保持面4aに沿って水平に保持することが可能となる。
また、チャックテーブル4の保持面4a側には、第1溝12a及び第2溝12b以外にもウェーハ11を吸引する領域(吸引領域)が設けられていてもよい。例えば、チャックテーブル4の保持面4a側の中央部(第2溝12bの半径方向内側の領域)に円柱状の凹部(不図示)が形成されるとともに、この凹部にポーラスセラミックス等でなる円盤状のポーラス部材が嵌め込まれていてもよい。この場合、ポーラス部材の上面によって保持面4aの一部(中央部)が構成される。
上記のポーラス部材は、例えば流路14を介して吸引源10に接続される。そして、保持面4a上にウェーハ11が配置された状態で、吸引源10の負圧がポーラス部材に作用すると、ウェーハ11の中央部がポーラス部材の上面に吸引される。これにより、チャックテーブル4によるウェーハ11の保持力が向上する。
次に、切削ブレード22でウェーハ11の被加工領域11dを切削して、ウェーハ11の外周部21を切り落とす。なお、被加工領域11dは、ウェーハ11のうち、凹部19の外周部(凹部19のうち外周部21側の領域)と重なり且つ外周部21に沿う環状の領域、すなわち、凹部19の外周部の底部に相当する。この被加工領域11dは、被加工領域11dの半径方向内側にデバイス領域17a(図1(A)参照)が納まるように設定されることが好ましい。
まず、切削ブレード22が被加工領域11dの一部の直上に配置されるように、チャックテーブル4及び切削ユニット16の位置を調整する。そして、切削ブレード22を回転させながら切削ユニット16を下降させ、切削ブレード22をウェーハ11の被加工領域11dの一部に切り込ませる。このときの切削ユニット16の下降量は、切削ブレード22の下端がテープ23に達するように設定される。
次に、切削ブレード22がウェーハ11に切り込んだ状態で、切削ブレード22の回転を維持したままチャックテーブル4を回転させる。これにより、ウェーハ11が被加工領域11dに沿って環状に切削され、切断される。その結果、ウェーハ11の外周部21がウェーハ11の中央部から分離される。
ここで、前述の通り、ウェーハ11の被加工領域11dは、第1溝12a及び第2溝12bに作用する負圧によって、保持領域12c上で確実に固定されている。そのため、被加工領域11dに回転する切削ブレード22が接触しても、被加工領域11dの振動(ブレ)が生じにくい。これにより、ウェーハ11の破損(欠け(チッピング)、割れ等)が防止される。
その後、ウェーハ11から分離された外周部21を、テープ23から剥離して除去する。そして、切削ブレード22でウェーハ11を分割予定ライン13(図1(A)参照)に沿って切削して切断する。これにより、ウェーハ11はデバイス15(図1(A)参照)をそれぞれ備える複数のデバイスチップに分割される。このように、ウェーハ11の薄化された領域を分割することにより、薄型化されたデバイスチップを製造することができる。
上記の通り、本実施形態に係る切削装置2は、ウェーハ11の被加工領域11dに対応する領域に吸引路8が設けられたチャックテーブル4を備える。これにより、切削装置2はウェーハ11の凹部19の深さに関わらずウェーハ11の被加工領域11dを確実に固定することが可能となり、ウェーハ11が適切且つ簡易に保持される。そして、切削ブレード22が被加工領域11dに接触した際のウェーハ11の振動(ブレ)が抑制され、加工不良の発生が防止される。
なお、上記の実施形態では、チャックテーブル4の保持面4a側に設けられた第1溝12a及び第2溝12bによってウェーハ11が吸引される例について説明したが、吸引路8の態様はこれに限定されない。図6(A)は、凹凸を有する吸引領域32がチャックテーブル4に設けられた切削装置2を示す一部断面正面図である。
図6(A)に示すチャックテーブル4には、図3等に示す吸引路8とは構成が異なる吸引路30が設けられている。吸引路30は、チャックテーブル4の保持面4a側に設けられた環状の吸引領域32と、吸引領域32と吸引源10とを接続する流路34と、を備える。
吸引領域32は、チャックテーブル4の保持面4a側のうち微細な凹凸が形成された領域に相当する。この吸引領域32は、ウェーハ11の被加工領域11dに対応する位置に設けられている。具体的には、吸引領域32は、ウェーハ11がチャックテーブル4によって保持された際に、被加工領域11dと重なるように環状に設けられる。
なお、吸引領域32の幅及び位置は、ウェーハ11の寸法、保持面4aの寸法等に応じて適宜設定される。例えば、吸引領域32の幅は0.1mm以上1mm以下(代表的には0.5mm程度)に設定される。また、保持面4aの外周縁と吸引領域32との間の領域の幅は、例えば0.05mm以上0.2mm以下(代表的には0.1mm程度)に設定される。
図6(B)は、吸引領域32を拡大して示す断面図である。吸引領域32は、上端が保持面4aと概ね同じ高さ位置に配置された複数の凸部(保持部)32aと、複数の凸部32a間に設けられた凹部(溝)32bとを備える。すなわち、吸引領域32は、複数の凸部32aと、各凸部32aを囲む凹部32bとによって構成されている。
複数の凸部32aの上端はそれぞれ、保持面4aの一部を構成し、ウェーハ11の被加工領域11dを保持する。また、凹部32bは、流路34を介して吸引源10に接続されている。例えば流路34は、枠体6の内部に形成された貫通孔(空間)と、該貫通孔及び吸引源10に接続されたチューブ又はパイプとによって構成される。貫通孔は、吸引領域32の凹部32bの底で開口するように形成される。
吸引領域32は、チャックテーブル4の外周部の保持面4a側を加工することによって形成できる。例えば、サンドブラストによってチャックテーブル4の保持面4a側に凹凸を形成することにより、吸引領域32が形成される。具体的には、サンドブラスト装置を用いてチャックテーブル4の保持面4a側に研磨材を吹き付けることにより、チャックテーブル4の保持面4a側に凹凸を有する環状の領域が形成される。
なお、吸引領域32に形成される凸部32a及び凹部32bの大きさ及び形状は、吸引領域32の全域に吸引源10の負圧が作用する範囲内で適宜設定される。例えば、吸引領域32における保持面4aの表面粗さ(最大高さRy)が10μm以上100μm以下となるように、吸引領域32がサンドブラストによって形成される。
ウェーハ11は、被加工領域11dが吸引領域32と重なるように、チャックテーブル4上に配置される。この状態で吸引源10の負圧が吸引領域32の凹部32bに作用すると、被加工領域11dは、テープ23を介して凸部32aによって支持されるとともに、テープ23を介して凹部32bに吸引される。これにより、被加工領域11dが吸引領域32上で確実に固定され、切削加工時における被加工領域11dの振動(ブレ)が抑制される。
なお、吸引領域32は、枠体6の側面に達しないように形成することが好ましい。これにより、吸引領域32に作用する負圧が枠体6の側面側からリークしてウェーハ11の保持力が弱まることを回避できる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 ウェーハ
11a 表面
11b 裏面
11c 側面
11d 被加工領域
13 分割予定ライン(ストリート)
15 デバイス
17a デバイス領域
17b 外周余剰領域
19 凹部
19a 底面
19b 側面(内壁)
21 外周部(凸部)
23 テープ
25 フレーム
25a 開口
2 切削装置
4 チャックテーブル(保持テーブル)
4a 保持面
6 枠体
8 吸引路
10 吸引源(吸引ユニット)
12a 第1溝
12b 第2溝
12c 保持領域
14 流路
16 切削ユニット
18 ハウジング
20 スピンドル(回転軸)
22 切削ブレード
30 吸引路
32 吸引領域
32a 凸部(保持部)
32b 凹部(溝)
34 流路

Claims (4)

  1. 中央部に形成された凹部と、該凹部を囲繞する環状の外周部と、を備えるウェーハを切削する切削装置であって、
    該ウェーハの該凹部を保持する保持面を有するチャックテーブルと、
    該チャックテーブルによって保持された該ウェーハを切削ブレードで切削する切削ユニットと、
    吸引源と、を備え、
    該チャックテーブルは、該チャックテーブルによって保持された該ウェーハのうち該凹部の外周部と重なり該切削ブレードによって切削される被加工領域に対応する領域に、該保持面で開口し該吸引源に接続される吸引路を有することを特徴とする切削装置。
  2. 該吸引路は、該チャックテーブルの該保持面側に設けられた同心円状の第1溝及び第2溝と、該第1溝及び該第2溝と該吸引源とを接続する流路と、を備え、
    該チャックテーブルは、該第1溝と該第2溝との間の領域で該ウェーハの該被加工領域を支持するとともに、該第1溝と該第2溝とで該ウェーハを吸引することを特徴とする請求項1記載の切削装置。
  3. 該第1溝及び該第2溝は、上端から下端に向かって幅が狭くなるように形成されていることを特徴とする請求項2記載の切削装置。
  4. 該吸引路は、該チャックテーブルの該保持面側の、凹凸が形成された環状の吸引領域と、該吸引領域と該吸引源とを接続する流路と、を備え、
    該チャックテーブルは、該吸引領域の凸部で該ウェーハの該被加工領域を支持するとともに、該吸引領域の凹部で該ウェーハを吸引することを特徴とする請求項1記載の切削装置。
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