DE2504944A1 - System zum trennen einer halbleiterplatte in einzelne pellets - Google Patents

System zum trennen einer halbleiterplatte in einzelne pellets

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DE2504944A1 DE19752504944 DE2504944A DE2504944A1 DE 2504944 A1 DE2504944 A1 DE 2504944A1 DE 19752504944 DE19752504944 DE 19752504944 DE 2504944 A DE2504944 A DE 2504944A DE 2504944 A1 DE2504944 A1 DE 2504944A1
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Description

System zum Trennen einer Halbleiterplatte in einzelne Pellets
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein System zum Trennen von Pellets (auch als Pillen oder einzelne Elemente zu bezeichnen), die durch Zerteilen einer Halbleiterscheibe gebildet werden, und mehr im einzelnen auf ein verbessertes Pellet-Trennsystem, das eine "dehnbare Membran" benutzt. " -
In der einem starken Wettbewerb ausgesetzten und kastenbewußten Halbleiterindustrie findet eine ständige Suche nach Wegen zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit von Herstellungsverfahren statt, um dadurch die Kosten zu verringern. So wird derzeit z. B. viel Aufmerksamkeit den Anstrengungen gewidmet, Halbleiterelemente aus immer größeren Scheiben (wafer) herzustellen.
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Der Gebrauch großer Scheiben macht die Probleme, die beim Zerteilen der Platte auftreten, deutlicher. Im allgemeinen gibt es beim Zerteilen einer Platte zwei Hauptprobleme und zwar die Schwierigkeit, die Platte während des Zerteilens zu halten, und die Schwierigkeit, die einzelnen durch Zerteilen gebildeten Pellets zu halten und zu handhaben. Bekannte Verbesserungen beim Zerteilen haben sich im allgemeinen nur mit der Lösung eines der Probleme befaßt und sie hatten wenig oder keine Wirkung auf das andere. In gev/issen Fällen hatten die vorgeschlagenen Verfahren zum Lösen eines Problems sogar nachteilige Wirkungen hinsichtlich des anderen Problems. Ein Beispiel eines Systems mit nachteiligen Nebenwirkungen ist das Verfahren zum Anreißen und Zerteilen bei dem eine Platte mit einem Klebewachs an ein Unterlegstück aus Metall befestigt ist. Die Scheibe wird angerissen und das Unterlegstück gebogen und dabei das Zerbrechen der Scheibe und ihre Zerteilung verursacht. Dieses System stellt eine ausgezeichnete Art des Haltens einer Scheibe während des Zerteilungsverfahrens dar. Die Handhabung der erhaltenen einzelnen Pellets war jedoch schwierig, da das Wachs fest an den Pellets haftet und es schwierig war, die Pellets von dem Unterlegstück zu entfernen. Außerdem verblieb im allgemeinen eine Restschicht des rfachses nach dem Abnehmen von dem Unterlegstück an den Pellets. Diese Restschicht Wachs hatte häufig nachteilige Wirkungen hinsichtlich der weiteren Verfahrensstufen.
Es war demgemäß erwünscht, den Gebrauch einer Wachsschicht auf der Scheibe zu vermeiden. Es wurde daher ein Verfahren entwickelt, das in der US-PS 3 559 855 beschrieben ist und das " man als Verfahren zum "Anreißen ohne Unterlegstück" bezeichnen könnte. Dieses Verfahren der vorgenannten US-PS stellt ein ausgezeichnetes Verfahren zum Zerteilen von Halbleiterscheiben dar, ohne daß Wachse oder andere mögliche Verunreinigungsstoffe erforderlich sind. Die Handhabung der einzelnen Pellets nach de Anreißen onne Verwendung eines Unterlegstückes ist jedoch noch immer schwierig.
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BAD ORIGINAL
Ein anderes von anderer Seite unternommenes Herangehen konzentrierte sich auf das Erleichtern der Handhabungsprobleme nach dem Zerteilen. Bei diesem Verfahren wird eine zerteilte Scheibe auf einer Membran angeordnet, die dann in alle Richtungen gedennt wird, um die Pellets voneinander zu trennen, sie jedoch in der gleichen relativen Orientierung zu halten. Dieses Verfahren unter Verwendung einer dehnbaren Membran ist in der US-PS 3 448 510 beschrieben. Ein Problem bei diesem Verfahren ist es, daß das Zerteilen selbst noch sehr schwierig und nicht geeignet ist. So veranschaulichen z. ß. die Figuren 1OA bis einschließlich 1OR nach der zweitgenannten US-PS das Verfahren zum Zerteilen einer Halbleiterscheibe in Pellets und das Trennen der Pellets für die Angabe an den Bereich zum Zusammenbauen. Es sind 18 Figuren erforderlich, um das Verfahren darzustellen-.... Nur die letzten vier Figuren beziehen sich auf das Dehnen der Membran und die nachfolgenden Stufen. Die ersten 14 Figuren illustrieren das Zerteilen der Scheibe. Es ist daher zu sehen, daß nach dieser US-PS 3 448 510 zwar ein wirksames Verfahren zum Trennen der Pellets in einer zerteilten Scheibe gegeben wird, nachdem die zerbrochene Scheibe auf einer dehnbaren Membran angeordnet ist, daß jedoch der volle Nutzen aus diesem Nutzen erst gezogen werden kann, wenn die Zerteilung selbst in einfacherer Weise ausgeführt werden kann, als in der US-PS 3 448 beschrieben.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen einschließlich der Stufe des Erzeugens einer Halbleiterscheibe, die so diffundiert worden ist, daß sie nach dem Zerteilen eine Vielzahl von Halbleiterelement-Pellets bildet. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Schicht aus formbarem, veränderlichem Verbindungsmaterial (ductile, variable coupling material) an der einen Hauptoberfläche der Halbleiterscheibe angeklebt. An dem formbaren bzw. duktilen Material wird dann eine dehnbare Membran befestigt. Das duktile Material ist so ausgewählt, daß es fester an der Membran haftet als an der Scheibe. Als nächstes wird die Scheibe unter Bildung einer Vielzahl von Halbleiterpellets zerteilt und die Membran
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wird in alle Richtungen gedehnt, um die verschiedenen Pellets räumlich voneinander zu trennen, während sie in ihrer ursprünglichen relativen Orientierung gehalten werden. Schließlich werden die Pellets einzeln von dem Verbindungsmaterial abgenommen, um in üblicher Weise für die Herstellung der Halbleiterelemente benutzt zu werden.
Ein Merkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es, daß die Bindungsfestigkeit zwischen den Pellets und der dehnbaren Membran sich während des Dehnens vermindert. Da das duktile Material fester an der Membran haftet als an den Pellets wird die Haftung zwischen den Pellets und dem duktilen Material in Teilen der Grenzflächen zwischen beiden nahe der Peripherie der Pellets zerstört. Dies wird weiter unten noch näher beschrieben, Als Ergebnis dieser verringerten Haft fläche sind die Pellets leicht von dein duktilen Material abnehmbar. Außerdem verbleibt kein restliches duktiles Material am Pellet, wenn sie davon abgenommen werden, da daß duktile Material fester an der Membran haftet als an den Pellets. Nach dem Dehnen ist die Haftung der Pellets an dem duktilen Material gering genug, daß sie leicht durch übliche Systeme, wie Vakuumaufnahmehalter, davon abgenommen werden können.
Ein anderes Merkmal der vorliegenden Erfindung ist es, daß das duktile Material als Flüssigkeit aufgebracht und dann gehärtet werden kann. So können z. ß. Techniken wie Zentrifugieren dazu benutzt werden, um die Flüssigkeit gleichförmig über die Oberfläche der Scheibe zu verteilen. Ein wesentlicher Vorteil, der sich aus dem Aufbringen des duktilen Materials als Flüssigkeit ergibt, besteht darin, daß sich die Flüssigkeit den Unregelmäßigkeiten in der Oberfläche der Scheibe anpassen kann. Demgemäß ist das erfindungsgemäße Verfahren wirksam, wenn es bei Scheiben angewendet wird, die rauhe Oberflächen haben. Bekannte Verfahren, wie das in der US-PS 3 HHS 510 beschriebene, wurden bei Anwendung auf Scheiben mit relativ rauher Oberfläche als unwirksam befunden.
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Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Im einzelnen zeigen:
Figur 1 eine Seitenansicht eines Teiles einer Halbleiterscheibe, die durch Diffusion so behandelt wurde, daß sie nach Zerteilung eine Vielzahl von Halbleiterelement-Pellets bildet,
Figur 2 die in der Figur 1 abgebildete Scheibe, nachdem eine Schicht des veränderlichen Verbindungsmaterials daran befestigt wurde,
Figur 3 die in Figur 2 gezeigte Kombination nach der Zerteilung der Scheibe in eine Vielzahl von Pellets,
Figur 4 die zerteilte Scheibe mit einer an der Schicht aus veränderlichem Verbindungsmaterial haftenden verformbaren Membran,
Figur 5 die in Figur 4 gezeigte Kombination nach dem Dehnen der Membran,
Figur ο eine Draufsicht auf eine geeignete Vorrichtung zum Ausführen des Dehnens,
Figuren 7und 8 Vorder- bzw. Seitenaufriß der in Figur 6 gezeigten Vorrichtung,
Figuren 9 und 10 Aufrißquerschnitte der in den Figuren ό bis 8 gezeigten Vorrichtung während des Dehnens und
Figur 11 eine diagrammartige perspektivische Ansicht der gedehnten Membran mit den darauf haftenden Pellets.
In Figur 1 ist ein Körper aus Halbleitermaterial 21 in Form eines Teiles einer Scheibe aus einkristallinem Silizium gezeigt, die
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die beiden Hauptoberflächen 23 und 24 aufweist. Der Körper 21 · kann natürlich auch aus anderem Halbleitermaterial bestehen, wie Germanium oder Galliumarsenid. Der Körper 21 weist z. B. N-Leitfähigkeit auf und ist durch Eindiffundieren eines entsprechenden Dotierungsmaterials mit einer Vielzahl von Regionen 22. mit P-Leitfähigkeit versehen. Wird der Körper 21 entlang den Linien getrennt, die zwischen den P-leitenden Regionen 22 verlaufen, dann wird eine Vielzahl von Pll-Halbleiterdioden-Pellets gebildet. Ein Metallkontakt 25 bedeckt die Haupt oberfläche 24. Der Kontakt 25 ist jedoch nur zur Illustration gezeigt und die Anwesenheit oder Abwesenheit eines Kontaktes auf der Scheibe hat auf die vorliegende Erfindung keine Wirkung. Weiter ist die Art der in der Scheibe durch Diffusion erzeugten Elemente ohne Bedeutung für die Erfindung, so daß auch andere Elemente als Dioden, wie Transistoren, gesteuerte Siliziumgleichrichter, integrierte Schaltungen und ähnliche, in der Scheibe hergestellt■sein können.
In der Figur 2 weist die Scheibe 21 nach der Figur 1 zusätzlich eine Schicht aus duktilem, veränderlichem bzw. variablem Verbindungsmaterial 26 auf, die an der Metallkontaktschicht 25 befestigt worden ist. Da die Anwesenheit der Metallschicht das Verfahren nicht beeinflußt, kann die duktile Schicht 26 auch als an der Hauptoberfläche 24 haftend bezeichnet-werden.
Die duktile Schicht ist vorzugsweise"ein Material, wie ein Kunstharz mit der richtigen Dehnbarkeit und den anderen Eigenschaften, die nötwendig sind, damit die Schicht in der im folgenden näher beschriebenen Weise funktionieren kann. Typische Beispiele geeigneter Harze schließen Coverlac SC-267, Coverlac SC-25OL, Coverlac SC-249, Coverlac SC-3808/und Coverlac SC-515 ein, die alle von der Spraylat Corporation, Mount Vernon, New York, erhältlich sind. Eine andere geeignete Beschichtung ist die unter der Handelsbezeichnung Scotch Clad Strip Coating 2253 von der 3M Company, St. Paul, Minnesota, vertriebene metallbeschiehtete Streifenbeschichtung. Mit·Ausnahme des Coverlac SC-515, der in
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Wasser löslich ist, sind alle oben genannten Beschichtungen in Lösungsmitteln, wie Methyläthylketon (MEK) und Aceton löslich. Coverlac SG-267 und Scotch Clad Strip Coating 2253 weisen im wesentlichen identische Eigenschaften auf und sie werden bevorzugt verwendet, da sie leicht und rasch entweder in Methyläthylketon oder Aceton löslich sind und sie keinen Rückstand auf dem Halbleitermaterial oder metallischen Kontakten hinterlassen, wenn sie davon entfernt werden,und sie dehnbarer sind als die anderen genannten Beschichtungen.
Um zu garantieren, daß die Beschichtung gut an dem Metallkontakt 25 oder der Halbleiteroberfläche 24 haftet, wird die Verbindungsschicht 2b vorzugsweise in flüssigem Zustand aufgebracht und danach gehärtet. Es kann jedes übliche Verfahren benutzt werden, um die Verbindungsschicht 26 aufzubringen. So kann die Verbindungsschicht ζ. B. auf gestrichen ,-gesprüht oder -getropft werden. Es ist bevorzugt, die Verbindungsschicht zu zentrifugieren, um eine gleichförmige Schicht sicherzustellen. Die Härtung der vorgenannten Verbindungsschichten kann bei Zimmertemperatur für etwa 45 Minuten oder bei etwa 400C (entsprechend IQO0P) für etwa 30 Minuten vorgenommen werden. Die Verbindungsschicht sollte vorzugsweise eine Dicke im Bereich von etwa 2,5 bis etwa 12,5 Mikron (entsprechend 1 bis 5 Zehntausendstel Zoll) haben.
Als nächstes wird die Scheibe 21 in eine Vielzahl von Dioden-Pellets zerteilt, wie in Figur 3 gezeigt. Die Scheibe 21 wird ■ zuerst mit einem üblichen System angerissen und dann unter Anwendung von Techniken zerteilt, wie sie in der obigen US-PS 3 559 855 beschrieben sind. Man wird feststellen, daß während der Zerteilung die duktile Schicht 26 intakt bleibt und die verschiedenen Pellets 27 nach der Zerteilung zusammenhält.
In Figur 4 ist die nächste Verfahrensstufe illustriert. Eine dehnbare Membran 30 ist an der Schicht aus duktilem Verbindungsmaterial 26 befestigt. Die Membran 30 ist so ausgewählt, daß die Haftung zwischen der Membran und der Schicht 26 stärker ist, als
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die Haftung bzw. Adhäsion zwischen der Verbindungsschicht und der Scheibe 21 oder der Met allkont akt schicht 25. Um ζλι garantieren, daß die Adhäsion zwischen der Verbindungsschicht 26 und der Membran 30 fester ist, kann die Grenzfläche bei einer Temperatur von etwa 107°C (entsprechend 225°P) heiß versiegelt werden, wenn dies erwünscht ist. Ein anderes System, um sicherzustellen, daß die Bindung zwischen Membran und Beschichtung fester ist, besteht darin, eine Klebstoffschicht zwischen der Membran und der Beschichtung zu verwenden, indem man die Membran mit einem druckempfindlichen Klebeband versieht.
In Figur 5 ist die Kombination nach Figur k gezeigt, nachdem die dehnbare Membran 30 in alle Richtungen gedehnt worden ist. Das Dehnen kann z. B. durch Anwenden der im folgenden zu beschreibenden Vorrichtung bewirkt werden. Die am meisten bemerkbare Wirkung des Dehnens ist es, daß die einzelnen Pellets 27 voneinander getrennt werden. Es ist jedoch auch festgestellt worden, daß Teile der Haftung zwischen der variablen Verbindungsschicht 26 und der Hauptoberfläche 2k zerstört sind. Die Zerstörung der Haftung tritt zuerst entlang der Peripherie der Pellets auf und bewegt sich nach innen, wobei dann jedes Pellet an einer Erhebung haftet. Damit wird ein Teil der Bedeutung der "variablen" Verbindungsschicht 26 augenscheinlich. Während des Anreißens und Zerbrechens ist die gesamte untere Oberfläche jedes Pellets 27 an der Verbindungsschicht 26 befestigt. Die Pellets sind so fest gehaltert. Nach dem Dehnen ist jedoch nur noch ein kleiner Teil der Pelletoberfläche 2k an der Schicht 26 befestigt und so können die Pellets 27 leichter abgenommen werden. Die Bindungsfestigkeit zwischen den Pellets 27 und der Membran 30 "variiert" bzw. verändert sich während des Dehnens. Es folgt dann das Abnehmen der einzelnen Pellets durch Anwenden solcher Vorrichtungen, wie üblicher Vakuumsonden bzw. -heber.
Ein weiterer Vorteil des Gebrauches der variablen Verbindungsschicht 26 ist es, daß das Verfahren unabhängig von der Oberflächenrauhigkeit der Hauptoberfläche 2k gut arbeitet. Die in der
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US-PS 3 448 510 beschriebene Technik arbeitete nur für Pellets mit relativ glatter Oberfläche.
Obwohl gemäß der obigen Beschreibung die Zerteilung stattfand, bevor die Membran an der Verbindungss chi cht befestigt war, ist eine solche Reihenfolge der Stufen nicht erforderlich. Es sind verschiedene zeitliche Möglichkeiten für die Zerteilung gegeben. So kann die Membran z. B. an der Verbindungsschicht befestigt werden und man kann dann die Scheibe anreißen und zu Pellets zerteilen. Oder man kann die Scheibe anreißen, bevor man die Membran an der Verbindungsschicht befestigt; und nach dem Befestigen zerteilen.
In den Figuren 6 bis 9 ist eine Vorrichtung 31 zum Dehnen der Membran gezeigt, die geeignet ist, das Dehnen auszuführen. Eine Grundplatte 32 trägt einen äußeren Zylinder 33, der gleitbar ein ringförmiges inneres Teil 34 mit einer abgerundeten oberen Oberfläche enthält. Ein Handgriff 35 erstreckt sich von der Seite des Zylinders 33 aus und dieser Handgriff ist mit einer Achse 36 verbunden, die rotierbar in dem Zylinder montiert ist.
Zwei exzentrische Nocken 37 sind auf dem.Schaft 36 montiert und tragen das innere ringförmige Teil 32I. Beim Drehen des Handgriffes 35 drücken die Nocken das ringförmige Teil 31I in die im Querschnitt der Figur 9 gezeigte Stellung nach oben.
Zwei Stützen 38 erstrecken sich vom rückwärtigen Ende der Grundplatte 32 und stützen einen schwenkbaren Klemmechanismus 39. Zwei L-förmige Klemmteile 41 sind an den Stützen 38 mit Gelenkstiften· 42 befestigt und durch eine horizontale Stange 43 miteinander verbunden. Das Klemmteil 44 mit einer ringförmigen öffnung darin verspannt die beiden L-förmigen Teile 41. Eine Betrachtung der Figur 9 zeigt, daß das Klemmteil 44 fest gegen den oberen Teil des Zylinders 33 geklemmt werden kann. Die ringförmige öffnung ist etwas größer als der innere Durchmesser des Zylinders 33.
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Benachbart dem Vorderteil der Grundplatte 32 ist eine lösbare Klemme 45 befestigt, die bei ihrer Betätigung die horizontale Stange 43 in eine Richtung nach unten und so das Klemmteil 44 fest gegen die obere Oberfläche des Zylinders 33 drückt.
Während des Betriebes wird die lösbare Klemme 45 entspannt und die L-förmigen Teile werden geschwenkt, um das Klemmteil 44 und den Zylinder 33 zu trennen. Eine dehnbare Membran 46 mit einer über die Schicht aus duktilem Material 48 (wie mit Bezug auf die Figuren 1 bis 5 beschrieben), daran haftenden zerteilten Scheibe 47 wird auf der oberen Oberfläche des Zylinderteiles 33 angeordnet. Das Klemmteil 44 wird dann, wie in den Figuren 6-9 gezeigt, angeordnet und die Klemme 45 gespannt, um die dehnbare Membran 46 an die obere Oberfläche des zylindrischen Teiles 33 zu klemmen. Als nächstes wird der Handgriff 35 bis zu der in Figur 10 gezeigten Lage gedreht, wodurch das Ringteil 34 nach oben gedrückt wird und die Membran in alle Richtungen dehnt, so daß die Pellets der Scheibe 47 räumlich getrennt werden. Die Pellets 49 werden dann durch die kleinen Sockel aus Beschichtungsmaterial gehalten, wie in Figur 5 gezeigt, und sie können leicht einzeln mit üblichen Vorrichtungen, wie Vakuumsonden, aufgenommen werden. Figur 11 ist eine perspektivische Ansicht der Pellets 49, wie sie zu diesem Zeitpunkt erscheinen.
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Claims (12)

  1. 250A9A4
    - 11 Ansprüche
    Γ 1.JVerfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen, bei dem eine Halbleiterscheibe so behandelt wird, daß sie nach der Zerteilung eine Vielzahl von Halbleiter-Pellets bildet und die ■ Pellets durch Dehnen einer verformbaren Membran, mit der die Pellete verbunden sind, getrennt werden, d a d u r c h gekennzeichnet , daß man e injve ränder Ii ches Verbindungsmittel (26, 48) für das Verbinden der Pellets (27, 49) mit der Membran (30, 46) verwendet, so daß die Pellets nach dem Dehnen der Membran an der Membran weniger fest gebunden sind als vor dem Dehnen der Membran.
  2. 2. Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen, gekennzeichnet durch folgende Stufen: Schaffen einer Halbleiterscheibe (21), die zwei Hauptoberflächen (23, 24) hat und die einer solchen Diffusionsbehandlung unterzogen wurde, daß sie nach ihrer Zerteilung eine Vielzahl von Halbleiter-Pellets (27) bildet, Festkleben einer Schicht (26) aus duktilem, variablem Verbindungsmaterial an einer der Hauptoberflächen (24), Befestigen einer dehnbaren Membran (30) an dem Verbindungsraaterial (26), die an dem Verbindungsmaterial (26) fester haftet als das Verbindungsmaterial an der Scheibe (21), Zerteilen der Scheibe (21),
    Dehnen der Membran (30) in alle Richtungen, um die Pellets (27) zu trennen, während die gleiche relative Orientierung unter den Pellets beibehalten wird und Abnehmen der Pellets (27) von der Membran (30).
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß das Ankleben einer Schicht (26) aus duktilem, variablem Verbindungsmaterial die Stufen des Aufbringens des duktilen Verbindungsmaterials als Flüssigkeit und das Härten der Flüssigkeit umfaßt.
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  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß die Stufe des Aufbringens die Stufe des Zentrifugierens der Scheibe (21) umfaßt, um die Flüssigkeit zu verteilen.
  5. 5. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Hauptoberfläche (24) rauh ist.
  6. 6. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Dehnen der Membran (30) die Schritte des Zerstörens der Haftung zwischen der Schicht (26) aus Verbindungsmaterial und jedem der Pellets (27) in dem Bereich um die Peripherie jedes Pellets umfaßt, so daß die Haftung zwischen jedem der Pellets (27) und der Verbindungsschicht (26) vermindert wird.
  7. 7. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 2 - 6 , dadurch gekennzeichnet, daß das Befestigen der· Membran (30) bei einer Temperatur von etwa 107°C ausgeführt wird.
  8. 8. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 2-7, dadurch gekennzei chnet , daß die Membran (30) eine Klebeschicht zum Verkleben der Membran (30) und der Schicht (26) aus duktilem Verbindungsmaterial aufweist.
  9. 9. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 2-8, dadurch gekennzeichnet, daß das eineeine Abnehmen der Pellets (27) mit einer Vakuumaufηahmesonde ausgeführt wird.
  10. 10. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (26) aus duktilem Verbindungsmaterial eine Schicht aus Kunstharz ist.
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  11. 11. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 2 - 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (26) aus duktilem Verbindungsmaterial eine Dicke von etwa 2,5 bis etwa 12,5 Mikron (entsprechen 1-5 Zehntausendstel Zoll) aufweist.
  12. 12. Vorrichtung zur Anwendung in dem Verfahren nach irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche zur Herstellung von Halbleiterelementen, gekennzeichnet durch folgende Teile:
    eine dehnbare Membran (46) zum Trennen der durch Zerteilen einer Halbleiterscheibe (47) gebildeten Halbleiterpellets (49), wobei die Pellets in ihrer ursprünglichen relativen Orientierung verbleiben und eine Schicht (48) aus einem duktilen, variablen Verbindungsmittel zum Verbinden der Halbleiterpellets (49) mit der Membran (46), wobei die Verbindungsfestigkeit zwischen den Pellets (49) und der Membran (46) in dem Maße abnimmt, in dem die Membran (46) gedehnt wird.
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    Leerseife
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