JPH07176511A

JPH07176511A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH07176511A
Application number: JP5318696A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Murata; 正博村田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-12-17
Filing date: 1993-12-17
Publication date: 1995-07-14

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は半導体ウェハを個々のＩＣチップに
切断した後に洗浄、乾燥を行う工程を含む半導体装置の
製造方法に関し、確実に乾燥を行い、乾燥工程の時間短
縮を図ることを目的とする。【構成】半導体ウェハより切断して洗浄した所定数の
半導体チップ３１を、チップトレイ３２及び蓋トレイ３
６の第１及び第２の貫通孔３３，３７のそれぞれのテー
パ面３４ａ〜３４ｄ，３８ａ〜３８ｄで保持する。そし
て、第１及び第２貫通孔３３，３７より該半導体チップ
３１の両面からエアを吹き付けて乾燥させる構成とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハを個々の
ＩＣチップに切断した後に洗浄、乾燥を行う工程を含む
半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】近年、半導体チップの微細化に伴い、配線
コンタクトや薄いゲート酸化膜等を十分に洗浄を行う必
要があるが、洗浄後に行う乾燥においても乾燥の不十分
による純水の水滴によりシリコンウェハの酸化反応で生
じる不良発生を防止するために確実に乾燥を行う必要が
ある。

【０００３】

【従来の技術】従来、半導体製造におけるウェハプロセ
ス（前処理技術）において、半導体ウェハを個々のＩＣ
チップに切断した後、純水等で洗浄し、洗浄後に乾燥を
行う。すなわち、洗浄後に水滴が残ると、空気中の酸素
によって水滴とシリコンとの界面で酸化反応が起こり、
酸化物質（ＳｉＯ₂など）が水滴に溶解し、水滴の蒸発
で残渣として残ってゲートやコンタクト等で不良の原因
となることから、乾燥工程が必須として行われるもので
ある。

【０００４】図３に、従来のチップ洗浄後における乾燥
の説明図を示す。図３（Ａ）において、半導体ウェハよ
り切断された１個のＩＣチップ１１が吸着テーブル１２
に形成された吸着孔１３上にその裏面で吸着固定され
る。吸着孔１３はバキューム（図示せず）に連結され
る。そして、ＩＣチップ１１の表面にノズル１４よりエ
アを吹き付けて乾燥を行う。

【０００５】また、図３（Ｂ）においては、チップトレ
イ２１上に所定数の凹部２２が形成され、該凹部２２の
底部より孔２３が吸気部２４に連通されて設けられる。
吸気孔２４はバキューム（図示せず）に連結させる。

【０００６】各凹部２２内にはＩＣチップ１１がそれぞ
れ嵌合されて孔２３により吸着固定される。そして、対
応して上方に配置されたノズル２５よりエアをＩＣチッ
プ１１の表面に吹き付けて乾燥を行うものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図３（Ａ），
（Ｂ）に示す乾燥では、エアを吹き付けるＩＣチップ１
１の表面の乾燥は十分であるが、吸着面となる裏面では
乾燥が不完全であり、後工程で障害となるという問題が
ある。

【０００８】また、図３（Ａ）ではＩＣチップ１１を１
個ずつ吸着固定して乾燥させることは多大な工数を必要
とし、図３（Ｂ）ではＩＣチップ１１の吸着力が凹部２
２によって異なることからバキューム性に安全性を欠
き、エアにより吹き飛ばされる危険性があるという問題
がある。

【０００９】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、確実に乾燥を行い、乾燥工程の安定性を図る半
導体製造の製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題は、所定のウェ
ハ処理後に、半導体ウェハを個々の半導体チップに切断
し、洗浄、乾燥を行う工程を含む半導体装置の製造方法
において、前記半導体チップの所定のエッジに当接する
テーパ面を有する第１の貫通孔が形成された載置部の、
該第１の貫通孔のテーパ面に洗浄後の該半導体チップを
載置させる工程と、該半導体チップの所定のエッジに当
接するテーパ面を有する第２の貫通孔が所定数形成され
た蓋部の、該第２の貫通孔のテーパ面により該第１の貫
通孔上の該半導体チップを保持する工程と、該第１及び
第２の貫通孔より該半導体チップの両面にエアを吹き付
けて乾燥を行う工程と、を含む構成とすることにより解
決される。

【００１１】

【作用】上述のように、半導体ウェハより切断して洗浄
した所定数の半導体チップを、載置部及び蓋部の第１及
び第２の貫通孔のそれぞれのテーパ面で保持し、第１及
び第２貫通孔より該半導体チップの両面からエアを吹き
付けて乾燥させる。

【００１２】すなわち、半導体チップを両面で乾燥を行
うことから、表面及び裏面で乾燥が十分かつ確実に行う
ことが可能になると共に、乾燥のための工数が減少し、
乾燥時間の短縮が可能となる。また、半導体チップを載
置部と蓋部とで保持することから、表面を傷付けること
なく品質向上を図ることが可能となるものである。

【００１３】

【実施例】図１に本発明の第１実施例の工程図を示し、
図２に図１のチップトレイの構成図を示す。図１（Ａ）
において、まず所定のウェハ処理後に半導体ウェハより
切断れて洗浄された半導体チップ３１が載置部であるチ
ップトレイ３２の第１の貫通孔３３内に載置される。

【００１４】チップトレイ３２は、図２に示すように、
所定数の第１の貫通孔３３が形成されており、第１の貫
通孔３３は、半導体チップ３１の形状（四角形状）に応
じた４つのテーパ面３４ａ〜３４ｄがそれぞれ形成され
る。このテーパ面３４ａ〜３４ｄのそれぞれに半導体チ
ップ３１の４つのエッジ（４辺）がそれぞれ当接する状
態で載置される。また、テーパ面３４ａ〜３４ｄのそれ
ぞれには、トレイ３２の厚さ方向に溝３５ａ〜３５ｄが
形成される。

【００１５】なお、テーパ面３４ａ〜３４ｄの大きさ、
すなわちテーパ角度は、載置される半導体チップ３１の
大きさに対応させるもので、載置した半導体チップ３１
の厚さの所定高さがチップトレイ３２の表面より突出す
るように設定されるものである。

【００１６】また、四角形状の半導体チップ３１に対し
てエッジの４辺に当接するテーパ面３４ａ〜３４ｄを形
成させているが、３面又は５面以上の多角面でテーパ面
を形成してもよい。この場合、半導体チップ３１とテー
パ面との間に形成される間隔よりエアや水滴な排出する
ことができ、上述の溝き形成を省くことができる。

【００１７】そこで、図１（Ａ）に戻って説明するに、
半導体チップ３１を載置したチップトレイ３２に対し
て、蓋部である蓋トレイ３６が用意される。この蓋トレ
イ３６には第１の貫通孔３３に対応する第２の貫通孔３
７が形成され、第２の貫通孔３７には第１の貫通孔３３
のテーパ面３４ａ〜３４ｄ及び溝３５ａ〜３５ｄと略同
一のテーパ面３８ａ〜３８ｄ及び溝（図に表われず）が
形成される。

【００１８】この蓋トレイ３６が、図１（Ｂ）に示すよ
うに、チップトレイ３２に重ねられる。このとき、第１
の貫通孔３３と第２の貫通孔３７とで半導体チップ３１
が保持される。

【００１９】ところで、半導体チップ３１を保持する第
１の貫通孔３３のテーパ面３４ａ〜３４ｄ及び第２の貫
通孔３７のテーパ面３８ａ〜３８ｄは相対的な大きさ
（角度）で形成される。すなわち、上述のように半導体
チップ３１の大きさに従って、それぞれの第１及び第２
の貫通孔３３，３７で保持した半導体チップ３１の表面
エッジと該第２の貫通孔３７のテーパ面３８ａ〜３８ｄ
との隙間が０．５ｍｍ程度となるように各テーパ面３４
ａ〜３４ｄ，３８ａ〜３８ｄが形成されるものである。

【００２０】そして、図１（Ｃ）に示すように、チップ
トレイ３２のそれぞれの第１の貫通孔３３の下方にエア
ノズル３９ａ〜３９ｃが配置されると共に、蓋トレイ３
６の第２の貫通孔３７の上方にエアノズル３９ａ〜３９
ｆが配置される。これらエアノズル３９ａ〜３９ｆより
半導体チップ３１の表面及び裏面よりエアが吹き付けら
れ、表裏同時に乾燥が行われる。

【００２１】このとき、エア及びエアで吹き飛ばされた
水滴は、テーパ面３４ａ〜３４ｄ，３８ａ〜３８ｄの溝
３５ａ〜３５ｄよりチップトレイ３２と蓋トレイ３６と
の間隙より排出される。また、テーパ面３４ａ〜３４
ｄ，３８ａ〜３８ｄの溝３５ａ〜３５ｄよりエアが通り
抜けることから、半導体チップ３１の側面の乾燥をも効
率的に行うことができるものである。

【００２２】このように、複数の半導体チップ３１の表
面、裏面及び側面を同時に乾燥させることが可能である
ことから、確実に乾燥を行うことができると共に、乾燥
工程の時間短縮が図られる。また、半導体チップ３１が
保持されるにあたり、エッジを第１及び第２の貫通孔３
３，３７のテーパ面３４ａ〜３４ｄ，３８ａ〜３８ｄに
接触させることからチップ表面を傷付けることがなく、
後工程でのトラブルが解消され、品質向上が図られるも
のである。

【００２３】次に、図３に、本発明の第２実施例の説明
図を示す。図３（Ａ）は、載置部及び蓋部の何れの役割
をも有するトレイ４１を示したもので、半導体チップ３
１を乾燥させるにあたり、同一の２つのトレイ４１（第
１のトレイ４１ａ、第２のトレイ４１ｂとする）で乾燥
工程を行うものである。これにより、一種類のトレイを
用意すれば足り、製造コストの低減を図ることができる
ものである。

【００２４】図３（Ａ）において、トレイ４１は、上述
の第１及び第２の貫通孔３３，３７を兼用する所定数の
貫通孔４２が形成されてり、該貫通孔４２の表面側に半
導体チップ３１が載置される第１のテーパ面４３ａ〜４
３ｄが形成されると共に、裏面側に第２のテーパ面４４
ａ〜４４ｄが形成される。また、第１のテーパ面４３ａ
〜４３ｄのそれぞれにトレイ４１の厚さ方向に第１の溝
４５ａ〜４５ｄが形成され、同様に第２のテーパ面４４
ａ〜４４ｄのそれぞれに第２の溝４６ａ〜４６ｆが形成
される。なお、第１及び第２のテーパ面４３ａ〜４３
ｄ，４４ａ〜４４ｄのテーパ角度の設定は前述と同様に
半導体チップ３１の大きさに応じて形成される。

【００２５】そこで、２つのトレイ４１を第１及び第２
のトレイ４１ａ，４１ｂを用意し、図３（Ｂ）に示すよ
うに、第１のトレイの貫通孔４２の第１のテーパ面４３
ａ〜４３ｄに洗浄された半導体チップ３１を載置する。
そして、第２のトレイ４１ｂを重ねて、第２のトレイ４
１ｂの第２のテーパ面４４ａ〜４４ｄで該半導体チップ
３１を保持する。

【００２６】また、第１のトレイ４１ａの裏面側であっ
て貫通孔４２に対応してエアノズル３９ａ〜３９ｃが配
置されると共に、第２のトレイ４１ｂの表面側であって
貫通孔４２に対応してエアノズル３９ｄ〜３９ｆが配置
される。そして、図１（Ｃ）と同様にエアを吹き付ける
ことにより半導体チップ３１の表面、裏面及び側面を乾
燥させるものである。この場合も同様に、エア及び水滴
は第１及び第２のトレイ４１ａ，４１ｂの間隙より排出
される。

【００２７】なお、第２実施例においても第１及び第２
のテーパ面の数は適宜設定されるものである。

【００２８】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体ウ
ェハより切断して洗浄した所定数の半導体チップを、載
置部及び蓋部の第１及び第２の貫通孔のそれぞれのテー
パ面で保持し、第１及び第２の貫通孔より該半導体チッ
プの両面からエアを吹き付けて乾燥させることにより、
確実に乾燥を行い、乾燥工程の時間短縮を図ることがで
きると共に、チップ表面を傷付けることなく保持される
ことから品質向上を図ることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の工程図である。

【図２】図１のチップトレイの構成図である。

【図３】本発明の第２実施例の説明図である。

【図４】従来のチップ洗浄後における乾燥の説明図であ
る。

【符号の説明】

３１半導体チップ３２チップトレイ３３第１の貫通孔３４ａ〜３４ｄ，３８ａ〜３８ｄテーパ面３５ａ〜３５ｄ溝３６蓋トレイ３７第２の貫通孔３９ａ〜３９ｆエアノズル４１トレイ４１ａ第１のトレイ４１ｂ第２のトレイ４２貫通孔４３ａ〜４３ｄ第１のテーパ面４４ａ〜４４ｄ第２のテーパ面４５ａ〜４５ｄ第１の溝４６ａ〜４６ｄ第２の溝。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定のウェハ処理後に、半導体ウェハを
個々の半導体チップ（３１）に切断し、洗浄、乾燥を行
う工程を含む半導体装置の製造方法において、前記半導体チップ（３１）の所定のエッジに当接するテ
ーパ面（３４ａ〜３４ｄ，４３ａ〜４３ｄ）を有する第
１の貫通孔（３３，４２）が形成された載置部（３２，
４１ａ）の、該第１の貫通孔（３３）のテーパ面（３４
ａ〜３４ｄ，４３ａ〜４３ｄ）に洗浄後の該半導体チッ
プ（３１）を載置させる工程と、該半導体チップ（３１）の所定のエッジに当接するテー
パ面（３８ａ〜３８ｄ，４４ａ〜４４ｄ）を有する第２
の貫通孔（３７，４２）が所定数形成された蓋部（３
６，４１ｂ）の、該第２の貫通孔（３７，４２）のテー
パ面（３８ａ〜３８ｄ，４４ａ〜４４ｄ）により該第１
の貫通孔（３３，４２）上の該半導体チップ（３１）を
保持する工程と、該第１及び第２の貫通孔（３３，３７，４２）より該半
導体チップ（３１）の両面にエアを吹き付けて乾燥を行
う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記エアを吹き付けるにあたり、前記第
１及び第２の貫通孔（３３，３７，４２）のそれぞれの
テーパ面（３４ａ〜３４ｄ，３８ａ〜３８ｄ，４３ａ〜
４３ｄ，４４ａ〜４４ｄ）が前記半導体チップ（３１）
のエッジの総てに対応させていると共に、所定の該テー
パ面（３４ａ〜３４ｄ，３８ａ〜３８ｄ，４３ａ〜４３
ｄ，４４ａ〜４４ｄ）に溝（３５ａ〜３５ｄ，４５ａ〜
４５ｄ，４６ａ〜４６ｄ）を形成して該エア及び水滴を
排出させて乾燥を行うことを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造方法。