JPH09260340A - 回転式基板処理装置 - Google Patents

回転式基板処理装置

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Publication number
JPH09260340A
JPH09260340A JP9607596A JP9607596A JPH09260340A JP H09260340 A JPH09260340 A JP H09260340A JP 9607596 A JP9607596 A JP 9607596A JP 9607596 A JP9607596 A JP 9607596A JP H09260340 A JPH09260340 A JP H09260340A
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JP
Japan
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substrate
chuck
rotary table
support
movable chuck
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JP9607596A
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English (en)
Inventor
Katsuhiko Miya
勝彦 宮
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の回転に伴い、基板をその表面に接触す
ることなく自動的に保持することのできる回転式基板処
理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 回転テーブル2には、3個の固定チャッ
ク部4と3個の可動チャック部5とが、主軸3の軸芯を
中心とする円周上に、交互かつ等間隔に配設されてい
る。可動チャック部5は、軸体7に揺動可能に支持され
たチャック本体5aと、主軸3の軸芯に向けて下方に傾
斜した基板支持面5bを有する第1の支持部5cと、支
持面5bの外側において垂直方向を向く基板押圧部5d
を有する第2の支持部5eとを有する。さらに、軸体7
に対し第1、第2の支持部5c、5eの逆側には、錘部
5fが形成されている。この可動チャック部5において
は、軸体7についてのチャック本体5aの第1、第2の
支持部5c、5e側の回転モーメントよりも、錘部5f
側の回転モーメントの方が大きくなるように錘部5fの
重量が設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板等の基板の処理装置に関
し、特に、基板を高速で回転させることにより乾燥処理
を行ったり、基板を回転させながら処理液等を供給する
ことにより洗浄処理を行う回転式基板処理装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】このような回転式基板処理装置において
は、鉛直方向を向く軸を中心に回転する回転テーブルに
より基板を支持して回転させている。そして、基板を回
転テーブルに支持するための手段としては、基板の裏面
を吸着保持する真空吸着機構や、基板の端部をチャック
により保持するチャック機構が使用されている。
【0003】しかしながら、真空吸着機構を使用した場
合には、基板の裏面と真空吸着機構との接触面積が大き
いことから、基板の裏面が汚染されやすく、また、基板
の裏面における吸着保持部分の洗浄も困難となる。ま
た、チャック機構を使用した場合には、チャックによる
基板の保持および保持の解除を行うための時間が必要と
なり、基板の着脱に時間を要する。また、チャックを開
閉駆動するための駆動源が必要となり、構成が複雑とな
る。
【0004】このため、実公平7−49791号公報に
おいては、枢支軸に揺動自在に枢支され、上部に基板押
さえ部を、また、下部には回転テーブルの停止時に垂下
し回転時には回転テーブルの外方向へ開く垂下部を有
し、回転テーブルの回転時には支持部材により支持され
た基板表面の周辺をその上方から基板押さえ部で押さ
え、回転テーブルの停止時には基板押さえ部は支持部材
により支持された基板表面の周辺から離脱するクランプ
爪を備えた回転式基板乾燥装置が開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】実公平7−49791
号公報に記載された回転式基板乾燥装置は、基板の表面
を、その上方から基板押さえ部で押さえる構成であるた
め、半導体ディバイスが形成されるべき基板の表面が押
さえ部により汚染されることにより、処理後の基板の歩
留まりが低下するという問題がある。また、処理を行う
べき基板の表面の一部を基板押さえ部で押さえているこ
とから、例えば洗浄液等により基板の表面を洗浄処理す
る場合に、基板表面の一部が処理できないことになる。
さらに、基板の裏面を支持部材により支持した上で基板
の表面を押さえ部で押さえる構成であることから、クラ
ンプ爪以外に基板の支持手段を配設する必要があり、部
品点数が増加する。
【0006】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたものであり、基板の回転に伴い、基板をその表面
に接触することなく自動的に保持することのできる回転
式基板処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板を回転
テーブルに配設された少なくとも3個のチャック部によ
り保持して鉛直方向の軸芯まわりに回転させる回転式基
板処理装置であって、前記チャック部の各々は、基板の
裏面を支持する第1の支持部と、前記第1の支持部に支
持される基板の側面と対向する位置に略鉛直方向を向く
基板押圧部を有する第2の支持部とを備え、前記チャッ
ク部のうち少なくとも一つのチャック部は、その一端に
前記第1、第2の支持部が付設されると共に、前記回転
テーブルと連結する軸体を中心として揺動可能に配設さ
れたチャック本体と、前記チャック本体における前記軸
体に対し前記第1、第2の支持部の逆側に配設された錘
部とを有し、回転テーブルの回転時には、錘部が遠心力
により基板の回転中心から離隔する方向に移動すること
によって前記基板押圧部が基板の側面に当接する方向に
移動し、回転テーブルの停止時には、錘部が重力により
最下端位置へ移動することによって前記基板押圧部が基
板の側面より離隔する方向に移動するように構成されて
いることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図1はこの発明に係る回転式基
板処理装置の第1実施形態を示す平面図であり、図2は
その側断面図である。
【0009】この回転式基板処理装置は、回転テーブル
2と共に水平面内で回転する基板Wの表面および裏面に
薬液や純水を供給して基板Wを洗浄処理した後、窒素ガ
スを供給して基板Wを乾燥処理するものである。この回
転テーブル2は、図示しないモータの駆動を受け、鉛直
方向を向く主軸3の軸芯を中心に回転する。また、この
回転テーブル2には、3個の固定チャック部4と3個の
可動チャック部5とが、主軸3の軸芯を中心とする円周
上に、交互かつ等間隔に配設されている。
【0010】固定チャック部4は、回転テーブル2に固
設されたチャック本体4aと、主軸3の軸芯に向けて下
方に傾斜した基板支持面4bを有する第1の支持部4c
と、支持面4bの外側において鉛直方向を向く基板押圧
部4dを有する第2の支持部4eとを有する。
【0011】また、可動チャック部5は、回転テーブル
2に穿設された開口部6を貫通し、主軸3の軸芯を中心
とする円周の接線方向を向く軸体7に揺動可能に支持さ
れたチャック本体5aを有する。また、可動チャック部
5は、固定チャック部4と同様、主軸3の軸芯に向けて
下方に傾斜した基板支持面5bを有する第1の支持部5
cと、支持面5bの外側において鉛直方向を向く基板押
圧部5dを有する第2の支持部5eとを有する。さら
に、軸体7に対し第1、第2の支持部5c、5eの逆側
には、錘部5fが形成されている。
【0012】この可動チャック部5においては、軸体7
についてのチャック本体5aの第1、第2の支持部5
c、5e側の回転モーメントよりも、錘部5f側の回転
モーメントの方が大きくなるように錘部5fの重量が設
定されている。このため、回転テーブル2が回転した場
合には、遠心力により錘部5fが主軸3の軸芯から離隔
する方向にチャック本体5aが傾斜し、これに伴って第
2の支持部5eにおける基板押圧部5dが基板支持面5
bにより支持された基板Wの側面に近接する方向に移動
する。
【0013】回転テーブル2の主軸3は中空状に構成さ
れており、この中空部内には、基板Wの裏面に純水や窒
素ガス等を供給するための流体供給管8が配設されてい
る。この流体供給管8は、純水供給源12、フッ化水素
酸供給源13および窒素ガス供給源14と、各々開閉弁
15、16、17を介して接続されている。
【0014】回転テーブル2における回転中心の上方に
は、基板Wの表面に純水や窒素ガス等を供給するための
流体供給ノズル9が配設されている。この流体供給ノズ
ル9は、純水供給源22、フッ化水素酸供給源23およ
び窒素ガス供給源24と、各々開閉弁25、26、27
を介して接続されている。なお、この流体供給ノズル9
は、回転テーブル2に対する基板Wの搬入、搬出時に
は、回転テーブル2の側方の待機位置まで移動するよう
に構成されている。
【0015】次に、この回転式基板処理装置による基板
Wの処理工程について説明する。
【0016】先ず、回転テーブル2を停止させた状態
で、図示しない基板搬送機構により、基板Wを回転テー
ブル2上まで搬送し、固定チャック部4および可動チャ
ック部5上に載置する。このとき、可動チャック部5
は、図2に示すように、チャック本体5aが鉛直方向を
向き、錘部5fは最下端位置に位置している。この状態
においては、可動チャック部5における第1の支持部5
cの基板支持面5bは、図4において二点鎖線で示すよ
うに、下方に向けて傾斜しており、基板Wは、その裏面
の端縁におけるエッジ部18でのみこの基板支持面5b
と接触する。また、固定チャック部4における第1の支
持部4cの基板支持面4bも、可動チャック部5と同
様、下方に向けて傾斜しており、基板Wは、その裏面の
端縁におけるエッジ部でのみこの基板支持面4bと接触
する。従って、基板Wの裏面の汚染を防止できる。
【0017】続いて、回転テーブル2を回転させる。こ
の回転に伴い、図3に示すように、可動チャック部5に
おいては、錘部5fが主軸3の軸芯から離隔する方向に
チャック本体5aが傾斜し、これに伴って第2の支持部
5eにおける基板押圧部5dが基板支持面5bにより支
持された基板Wの側面に近接する方向に移動する。そし
て、図4において実線で示すように、基板押圧部5dが
基板Wの側面19に当接し、基板Wを各可動チャック部
5と対向する3個の固定チャック部4方向に付勢する。
これにより、基板Wは、各々3個の固定チャック部4と
可動チャック部5とにより確実に固定、保持される。
【0018】この状態において、基板Wの洗浄、乾燥処
理を行う。先ず、開閉弁25および26を開放すること
により、流体供給ノズル9から基板Wの表面にフッ化水
素酸と純水の混合液を供給し、基板Wの表面を洗浄す
る。また、同様に、開閉弁15および16を開放するこ
とにより、流体供給管8から基板Wの裏面にフッ化水素
酸と純水の混合液を供給し、基板Wの裏面を洗浄する。
次に、開閉弁16および26を閉鎖し、基板Wの両面を
純水により洗浄する。
【0019】これらの洗浄工程において、基板Wの表面
には、いかなる部材も接触していないため、流体供給ノ
ズル9から供給される液体は基板の表面全域に広がり、
その全面を十分に洗浄することが可能となる。また、基
板Wの裏面は、その裏面の端縁におけるエッジ部18で
のみ基板支持面4b、5bと接触しているだけであるた
め、流体供給管8から供給される液体は基板の裏面全域
に広がり、基板Wの裏面全面をも洗浄することができ
る。
【0020】続いて、開閉弁15および25を閉鎖す
る。そして、回転テーブル2をさらに高速で回転させる
と共に、開閉弁17、27を開放して、基板Wの両面に
おける回転中心に窒素ガスを吹き付ける。これにより、
基板Wの両面に付着する液滴が遠心力により振り切られ
ると共に、遠心力の作用の弱い基板Wの中心部に残存す
る液滴が窒素ガスの作用により除去され、基板W全体が
乾燥される。
【0021】この乾燥工程においても、基板Wの表面に
は、いかなる部材も接触していないため、その全面を十
分に乾燥することが可能となる。また、基板Wの裏面
は、その裏面の端縁におけるエッジ部18でのみ基板支
持面4bと接触しているだけであるため、基板Wの裏面
も十分に乾燥することができる。
【0022】なお、基板Wが広い範囲で支持部材と接触
している場合においては、基板Wと支持部材との接触部
分に毛細管現象により水滴が付着して除去されない現象
が発生し易いが、この実施の形態においては、基板Wは
固定チャック部4と可動チャック部5のみで支持されて
いるため、上記接触部分に付着する水滴は遠心力により
容易に除去され、乾燥処理後の基板Wに残存することは
ない。
【0023】乾燥工程が終了すれば、回転テーブル2を
停止させる。これにより、可動チャック部5は、図2に
示す姿勢に復帰する。この状態において、図示しない基
板搬送機構により、基板Wを回転テーブル2から排出す
る。
【0024】次に、この発明の第2実施形態について説
明する。図5は、第2実施形態に係る回転式基板処理装
置の可動チャック部35を示す側断面図である。なお、
第2実施形態に係る回転式基板処理装置は、第1実施形
態に係る基板処理装置に対し可動チャック部の構成のみ
が異なる。
【0025】この可動チャック部35は、回転テーブル
2上に立設した支持体36に支持され、回転テーブル2
の主軸3の軸芯を中心とする円周の接線方向を向く軸体
37と、この軸体37に揺動可能に支持されたチャック
本体35aを有する。また、可動チャック部35は、主
軸3の軸芯に向けて下方に傾斜した基板支持面35bを
有する第1の支持部35cと、支持面35bの外側にお
いて鉛直方向を向く基板押圧部35dを有する第2の支
持部35eとを有する。さらに、軸体37に対し第1、
第2の支持部35c、35eの逆側には、錘部35fが
形成されている。
【0026】この可動チャック部35においては、軸体
37についてのチャック本体35aの第2の支持部35
c、35e側の回転モーメントよりも、錘部35f側の
回転モーメントの方が大きくなるように錘部35fの重
量が設定されている。このため、回転テーブル2が回転
した場合には、遠心力により錘部35fが主軸3の軸芯
から離隔する方向にチャック本体35aが傾斜し、これ
に伴って第2の支持部35eにおける基板押圧部35d
が基板支持面35bにより支持された基板Wの側面に近
接する方向に移動する。
【0027】この可動チャック部35においても、第1
実施形態に係る可動チャック部5の場合と同様、回転テ
ーブル2の停止時においては、基板Wはその裏面のエッ
ジ部でのみ基板支持面35bと接触する。このため、基
板Wの裏面の汚染を防止することができる。また、回転
テーブル2の回転時においても、第1実施形態に係る可
動チャック部5の場合と同様、基板押圧部35dが基板
Wの側面に当接して基板Wを支持するため、基板Wの両
面全域を有効に洗浄、乾燥処理することができる。ま
た、第2実施形態に係る可動チャック部35は、その全
体が回転テーブル2上に配置されているため、回転テー
ブル2の回転時において可動チャック部35の移動領域
を小さくすることができ、装置を小型化することが可能
となる。
【0028】次に、この発明の第3実施形態について説
明する。図6は回転式基板処理装置の第3実施形態を示
す平面図であり、図7はその可動チャック部45付近を
示す部分側面図である。
【0029】第3実施形態に係る回転式基板処理装置
は、第1実施形態に係る基板処理装置に対し、固定チャ
ック部と可動チャック部の数と、可動チャック部の構成
のみが異なる。すなわち、この実施の形態においては、
回転テーブル2上に、第1実施形態に係る固定チャック
部4と同一の構成を有する2個の固定チャック部44
と、1個の可動チャック部45が、基板Wの回転軸を中
心に互いに120度離隔した位置に配設されている。
【0030】可動チャック部45は、回転テーブル2上
に配設された傾斜面46aを有する支持体46と、支持
体46の傾斜面46aに立設された鉛直方向を向く軸体
47と、この軸体47に揺動可能に支持されたチャック
本体45aを有する。チャック本体45aは支持体46
の傾斜面46aに沿って傾斜しており、傾斜面46a上
を摺動するよう構成されている。
【0031】また、図8に示すように、可動チャック部
45は、第1の実施形態に係る可動チャック部5と同
様、主軸3の軸芯に向けて下方に傾斜した基板支持面4
5bを有する第1の支持部45cと、支持面45bの外
側において鉛直方向を向く基板押圧部45dを有する第
2の支持部45eとを有する。さらに、軸体47に対し
第1、第2の支持部45c、45eの逆側には、錘部4
5fが形成されている。
【0032】この可動チャック部45においては、軸体
47についてのチャック本体45aの第2の支持部45
c、45e側の回転モーメントよりも、錘部45f側の
回転モーメントの方が十分大きくなるように錘部45f
の重量が設定されている。このため、回転テーブル2が
回転した場合には、遠心力により錘部45fが主軸3の
軸芯から離隔する方向にチャック本体45aが回転し、
これに伴って第2の支持部45eにおける基板押圧部4
5dが基板支持面45bにより支持された基板Wの側面
に近接する方向に移動する。また、回転テーブル2が停
止した状態においては、図7に示すように、錘部45f
が最下端位置に至るまで、チャック本体45aが傾斜面
46aに沿って回転する。
【0033】この回転式基板処理装置により基板Wを処
理する場合には、先ず、回転テーブル2を停止させた状
態で、図示しない基板搬送機構により、基板Wを回転テ
ーブル2上まで搬送し、固定チャック部44および可動
チャック部45上に載置する。このとき、可動チャック
部45は、図7に示すように、錘部45fが最下端位置
に位置している。
【0034】この状態においては、可動チャック部45
における第1の支持部45cの基板支持面45bは、図
8において二点鎖線で示すように、下方に向けて傾斜し
ており、基板Wは、その裏面の端縁におけるエッジ部1
8でのみこの基板支持面45bと接触する。また、固定
チャック部44においても、基板Wはその裏面の端縁に
おけるエッジ部でのみ基板支持面と接触する。従って、
基板Wの裏面の汚染を防止できる。
【0035】続いて、回転テーブル2を回転させる。こ
の回転に伴い、可動チャック部45においては、錘部4
5fが主軸3の軸芯から離隔する方向にチャック本体4
5aが回転し、これに伴って第2の支持部45eにおけ
る基板押圧部45dが基板支持面45bにより支持され
た基板Wの側面に近接する方向に移動する。そして、図
8において実線で示すように、基板押圧部45dが基板
Wの側面19に当接し、基板Wを固定チャック部44方
向に付勢する。これにより、基板Wは、固定チャック部
44と可動チャック部45とにより確実に固定、保持さ
れる。
【0036】この状態において、基板Wの洗浄、乾燥処
理を行う。これらの工程において、基板Wの表面には、
いかなる部材も接触していないため、基板Wの全面を十
分に洗浄、乾燥することが可能となる。また、基板Wの
裏面は、その裏面の端縁におけるエッジ部18でのみ基
板支持面45b等と接触しているだけであるため、基板
Wの裏面全面をも洗浄、乾燥することができる。
【0037】乾燥工程が終了すれば、回転テーブル2を
停止させる。これにより、可動チャック部5は、図8の
二点鎖線に示す姿勢に復帰する。この状態において、図
示しない基板搬送機構により、基板Wを回転テーブル2
から排出する。
【0038】なお、第3実施形態に係る可動チャック部
45においては、軸体47を支持体46を介して直接回
転テーブル2に立設することができ、また、回転テーブ
ル2に開口部を穿設する必要もないので、第1実施形態
に係る可動チャック部5に比べ、その加工を簡易化する
ことができる。また、第3実施形態に係る可動チャック
部45は、その全体が回転テーブル2上に配置されてい
るため、第2実施形態に係る可動チャック部35と同
様、回転テーブル2の回転時において可動チャック部4
5の移動領域を小さくすることができ、装置を小型化す
ることが可能となる。
【0039】上述した第1、第2、第3実施形態におい
ては、いずれも、基板Wを保持する各チャック部4、
5、35、44、45が、下方に傾斜した基板支持面4
b、5b、35b、45bを有し当該基板支持面4b、
5b、35b、45bにより基板Wの裏面を支持する第
1の支持部4c、5c、35c、45cと、略鉛直方向
を向く基板押圧部4d、5d、35d、45dを有し当
該基板押圧部4d、5d、35d、45dにより基板W
の側面19に当接する第2の支持部4e、5e、35
e、45eとを備えていることから、これらのチャック
部4、5、35、44、45は基板Wの側面19および
裏面端縁のエッジ部18のみと接触する。このため、基
板Wの表面を汚染することはなく、また、基板Wの表面
および裏面全面に対し洗浄、乾燥等の処理を施すことが
可能となる。
【0040】なお、上述した第1、第2、第3実施形態
においては、いずれも複数の固定チャック部と可動チャ
ック部とにより基板Wを保持する場合について説明した
が、少なくとも3個の可動チャック部のみにより基板W
を保持するようにしてもよい。また、チャック部の数
は、少なくとも1個の可動チャック部を含む合計3個以
上であれば、任意の数とすることができる。
【0041】また、上述した第1、第2、第3実施形態
においては、いずれも、回転する基板Wの表面および裏
面に薬液や純水を供給して基板Wを洗浄処理した後、窒
素ガスを供給して基板Wを乾燥処理する回転式基板処理
装置について説明したが、基板Wを高速で回転させるこ
とにより、基板に流体を供給することなく、基板Wに付
着した液体を振り切って乾燥処理する回転式基板処理装
置にこの発明を適用することもできる。
【0042】
【発明の効果】この発明に係る回転式基板処理装置によ
れば、基板を保持する各チャック部が、基板の裏面を支
持する第1の支持部と、略鉛直方向を向く基板押圧部を
有し当該基板押圧部により基板の側面に当接する第2の
支持部とを備えていることから、基板の回転時におい
て、これらのチャック部は基板の側面および裏面のみと
接触して基板を自動的に保持することができる。このた
め、基板の表面を汚染することはなく、また、基板の表
面全面に対し洗浄、乾燥等の処理を施すことが可能とな
る。
【0043】また、基板の停止時においても、各チャッ
ク部のみにより基板を保持することができるので、基板
保持のための特別な部材を設ける必要はない。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る回転式基板処理装置の第1実施
形態を示す平面図である。
【図2】図1の側断面図である。
【図3】回転テーブル2の回転状態を示す側断面図であ
る。
【図4】可動チャック部5の部分拡大図である。
【図5】第2実施形態に係る可動チャック部35の側断
面図である。
【図6】回転式基板処理装置の第3実施形態を示す平面
図である。
【図7】可動チャック部45付近を示す部分側面図であ
る。
【図8】可動チャック部45の部分拡大図である。
【符号の説明】
2 回転テーブル 3 主軸 8 流体供給管 9 流体供給ノズル 4、44 固定チャック部 5、35、45 可動チャック部 7、37、47 軸体 4a、5a、35a、45a チャック本体 4b、5b、35b、45b 基板支持面 4c、5c、35c、45c 第1の支持部 4d、5d、35d、45d 基板押圧部 4e、5e、35e、45e 第2の支持部 4f、5f、35f、45f 錘部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を回転テーブルに配設された少なく
    とも3個のチャック部により保持して鉛直方向の軸芯ま
    わりに回転させる回転式基板処理装置であって、 前記チャック部の各々は、基板の裏面を支持する第1の
    支持部と、前記第1の支持部に支持される基板の側面と
    対向する位置に略鉛直方向を向く基板押圧部を有する第
    2の支持部とを備え、 前記チャック部のうち少なくとも一つのチャック部は、
    その一端に前記第1、第2の支持部が付設されると共
    に、前記回転テーブルと連結する軸体を中心として揺動
    可能に配設されたチャック本体と、前記チャック本体に
    おける前記軸体に対し前記第1、第2の支持部の逆側に
    配設された錘部とを有し、回転テーブルの回転時には、
    錘部が遠心力により基板の回転中心から離隔する方向に
    移動することによって前記基板押圧部が基板の側面に当
    接する方向に移動し、回転テーブルの停止時には、錘部
    が重力により最下端位置へ移動することによって前記基
    板押圧部が基板の側面より離隔する方向に移動するよう
    に構成されている、回転式基板処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110618A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
KR20020064552A (ko) * 2001-02-02 2002-08-09 삼성전자 주식회사 반도체 웨이퍼의 밑면 세정장치 및 이를 이용한 반도체웨이퍼의 밑면 세정방법
KR20170073287A (ko) * 2015-12-18 2017-06-28 주식회사 케이씨텍 기판 스피닝 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110618A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
JP4482212B2 (ja) * 2000-09-27 2010-06-16 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置及び基板の処理方法
KR20020064552A (ko) * 2001-02-02 2002-08-09 삼성전자 주식회사 반도체 웨이퍼의 밑면 세정장치 및 이를 이용한 반도체웨이퍼의 밑면 세정방법
KR20170073287A (ko) * 2015-12-18 2017-06-28 주식회사 케이씨텍 기판 스피닝 장치

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