JP2958375B2 - 半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置 - Google Patents
半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハをダイシングするダイシング
方法及びダイシング装置に関する。
方法及びダイシング装置に関する。
本発明は、半導体ウエハをブレードによりダイシング
する方法において、切断直後の切断溝周辺に存在するボ
ンディングパッドに洗浄水を供給しながらダイシングす
ることにより、ウエハ表面、特にボンディングパッド周
辺を汚染させることなくダイシングできるようにしたも
のである。
する方法において、切断直後の切断溝周辺に存在するボ
ンディングパッドに洗浄水を供給しながらダイシングす
ることにより、ウエハ表面、特にボンディングパッド周
辺を汚染させることなくダイシングできるようにしたも
のである。
また、本発明は、半導体ウエハをブレードによりダイ
シングするダイシング装置において、切断後の半導体ウ
エハに冷却ノズルと一体の洗浄ノズルから真下方向中心
に洗浄水を供給する手段を設けることによって、切断直
後に発生するダストを洗い流し、半導体ウエハに対して
表面汚染のない、特に切断溝周辺の表面汚染のないダイ
シングを可能にしたものである。
シングするダイシング装置において、切断後の半導体ウ
エハに冷却ノズルと一体の洗浄ノズルから真下方向中心
に洗浄水を供給する手段を設けることによって、切断直
後に発生するダストを洗い流し、半導体ウエハに対して
表面汚染のない、特に切断溝周辺の表面汚染のないダイ
シングを可能にしたものである。
半導体集積回路の製造においては、素子を形成した後
の半導体ウェハを高速回転するブレードによりダイシン
グしてチップ化することが行われる。
の半導体ウェハを高速回転するブレードによりダイシン
グしてチップ化することが行われる。
第７図及び第８図は従来のダイシング装置の例を示す
構成図である。同図において、（１）は半導体ウェハの
ダイシング装置の全体、（２）はダイシングされる半導
体ウェハを示す。ダイシング装置（１）は支持体（３）
に支持されて高速回転するブレード（４）と、このブレ
ード（４）の刃部を覆うように配されたフランジカバー
（５）を有してなり、このフランジカバー（５）に回転
落射ノズル（６）、シャワーノズル（７）及びブレード
冷却ノズル（８）の３つのノズルが設けられ、各ノズル
（６），（７），（８）から洗浄水（6a），（7a）、冷
却兼切削水（8a）を供給しながら、高速回転するブレー
ド（４）と半導体ウェハ（２）を相対的に移動させて半
導体ウェハ（２）をダイシングするように構成される。
構成図である。同図において、（１）は半導体ウェハの
ダイシング装置の全体、（２）はダイシングされる半導
体ウェハを示す。ダイシング装置（１）は支持体（３）
に支持されて高速回転するブレード（４）と、このブレ
ード（４）の刃部を覆うように配されたフランジカバー
（５）を有してなり、このフランジカバー（５）に回転
落射ノズル（６）、シャワーノズル（７）及びブレード
冷却ノズル（８）の３つのノズルが設けられ、各ノズル
（６），（７），（８）から洗浄水（6a），（7a）、冷
却兼切削水（8a）を供給しながら、高速回転するブレー
ド（４）と半導体ウェハ（２）を相対的に移動させて半
導体ウェハ（２）をダイシングするように構成される。
ここで回転落射ノズル（６）はフランジカバー（５）
のブレード刃部に対向する内面、即ちブレード回転方向
の前方に対応するフランジカバー（５）の内面に設けら
れ、このノズル（６）から高速回転するブレード（４）
に向かって水平に放射された洗浄水（6a）によってダイ
シングされた溝底部を洗浄するようになされる。シャワ
ーノズル（７）はブレード（４）の側面より離れた位置
に半導体ウェハ（２）の面に向かって垂直に設けられ、
このノズル（７）からのシャワー状洗浄水（7a）によっ
て半導体ウェハ（２）の表面を湿らせ、ダイシング中に
付着した半導体ダストの残査を除去しやすくしている。
ブレード冷却ノズル（８）は、フランジカバー（５）か
らブレード（４）の半導体ウェハ（２）に対接する下部
両側に延長した導管（9a）（9b）に複数例えば３つのス
リット（10）を形成して構成され、このスリット（10）
よりブレード刃部に扇状に放射される冷却兼切削水（8
a）よってダイシング中のブレード刃部の冷却と、切削
の円滑化を図るようになしている。尚、（11）は回転落
射ノズル（６）に洗浄水（6a）を供給するための供給
管、（12）はシャワーノズル（７）に洗浄水（7a）を供
給するための供給管、（13）はブレード冷却ノズル
（８）に冷却兼切削水（8a）を供給するための供給管で
ある。
のブレード刃部に対向する内面、即ちブレード回転方向
の前方に対応するフランジカバー（５）の内面に設けら
れ、このノズル（６）から高速回転するブレード（４）
に向かって水平に放射された洗浄水（6a）によってダイ
シングされた溝底部を洗浄するようになされる。シャワ
ーノズル（７）はブレード（４）の側面より離れた位置
に半導体ウェハ（２）の面に向かって垂直に設けられ、
このノズル（７）からのシャワー状洗浄水（7a）によっ
て半導体ウェハ（２）の表面を湿らせ、ダイシング中に
付着した半導体ダストの残査を除去しやすくしている。
ブレード冷却ノズル（８）は、フランジカバー（５）か
らブレード（４）の半導体ウェハ（２）に対接する下部
両側に延長した導管（9a）（9b）に複数例えば３つのス
リット（10）を形成して構成され、このスリット（10）
よりブレード刃部に扇状に放射される冷却兼切削水（8
a）よってダイシング中のブレード刃部の冷却と、切削
の円滑化を図るようになしている。尚、（11）は回転落
射ノズル（６）に洗浄水（6a）を供給するための供給
管、（12）はシャワーノズル（７）に洗浄水（7a）を供
給するための供給管、（13）はブレード冷却ノズル
（８）に冷却兼切削水（8a）を供給するための供給管で
ある。
従来、このようなダイシング装置（11）では、ダイシ
ング中、ウェハ切断直後の汚染された切削水（即ち半導
体ウェハ（Si）の切削で生じた半導体（Si）ダストを含
む切削水）が段差を有する半導体ウェハ表面を湿らし、
乾燥後に半導体ダストの残査で半導体ウェハ表面特にボ
ンディングパッド周辺が汚染するを防止するために、種
々の工夫が施されている。この表面汚染は高集積化され
た半導体ウェハ程ひどくなる。
ング中、ウェハ切断直後の汚染された切削水（即ち半導
体ウェハ（Si）の切削で生じた半導体（Si）ダストを含
む切削水）が段差を有する半導体ウェハ表面を湿らし、
乾燥後に半導体ダストの残査で半導体ウェハ表面特にボ
ンディングパッド周辺が汚染するを防止するために、種
々の工夫が施されている。この表面汚染は高集積化され
た半導体ウェハ程ひどくなる。
次に従来の表面汚染対策の例を示す。通常のフランジ
カバー（５）は第９図Ａに示すようにブレード（４）の
回転方向の前方部及び後方部共に同程度の長さで形成さ
れるために、切断直後の汚染切削水（14）がフランジカ
バー（５）内部で回り込み半導体ウェハ（２）の表面に
飛散する。このため、第９図Ｂの対策例では、フランジ
カバー（５）の回転方向の後方部に切欠部（15）を形成
し、切断直後の汚染切削水（14）を切欠部（15）より放
出し、フランジカバー（５）内部での回り込みを防止す
るように構成される。この構成ではフランジカバー
（５）内部での回り込む汚染切削水（14）が低減される
ので半導体ウェハ（２）表面に飛散する量が少なく、汚
染防止となる。
カバー（５）は第９図Ａに示すようにブレード（４）の
回転方向の前方部及び後方部共に同程度の長さで形成さ
れるために、切断直後の汚染切削水（14）がフランジカ
バー（５）内部で回り込み半導体ウェハ（２）の表面に
飛散する。このため、第９図Ｂの対策例では、フランジ
カバー（５）の回転方向の後方部に切欠部（15）を形成
し、切断直後の汚染切削水（14）を切欠部（15）より放
出し、フランジカバー（５）内部での回り込みを防止す
るように構成される。この構成ではフランジカバー
（５）内部での回り込む汚染切削水（14）が低減される
ので半導体ウェハ（２）表面に飛散する量が少なく、汚
染防止となる。
第10図Ｂの対策例は、シャワーノズル（７）を第10図
Ａに示す通常の位置よりも半導体ウェハ（２）に近づく
ように下方に位置せしめ、半導体ウェハ（２）に対して
強い水圧での洗浄水（7a）で洗浄しウェハ表面に対する
洗浄効果を向上するようにしている。
Ａに示す通常の位置よりも半導体ウェハ（２）に近づく
ように下方に位置せしめ、半導体ウェハ（２）に対して
強い水圧での洗浄水（7a）で洗浄しウェハ表面に対する
洗浄効果を向上するようにしている。
さらに、第11図の対策例は、ブレード（４）の回転方
向の前方部に棒ノズル（16）を追加し、この棒ノズル
（16）よりの放水（いわゆるウォータカーテン）（16
a）によってダイシング中に常時半導体ウェハ（２）表
面を洗浄するようにしている。
向の前方部に棒ノズル（16）を追加し、この棒ノズル
（16）よりの放水（いわゆるウォータカーテン）（16
a）によってダイシング中に常時半導体ウェハ（２）表
面を洗浄するようにしている。
しかし乍ら、上述した汚染対策を施したダイシング装
置においては、いずれも切削用の純水を多量に使用する
割りには効果が小さく、半導体ウェハ（２）のデバイス
表面段差の大小によって（例えばMOS系では段差は小さ
く、バイポーラ系では段差が大きい）、特にボンディン
グパッド周辺に付着した汚染に対しては洗浄しきれない
場合が多かった。
置においては、いずれも切削用の純水を多量に使用する
割りには効果が小さく、半導体ウェハ（２）のデバイス
表面段差の大小によって（例えばMOS系では段差は小さ
く、バイポーラ系では段差が大きい）、特にボンディン
グパッド周辺に付着した汚染に対しては洗浄しきれない
場合が多かった。
この表面汚染は、半導体ウェハ（２）をＸ方向及びＹ
方向にダイシングするとき、Ｘ方向（又はＹ方向）のダ
イシングが終って次のＹ方向（又はＸ方向）のダイシン
グ時に１方向のダイシング溝が影響して大きく表われ
る。
方向にダイシングするとき、Ｘ方向（又はＹ方向）のダ
イシングが終って次のＹ方向（又はＸ方向）のダイシン
グ時に１方向のダイシング溝が影響して大きく表われ
る。
本発明は、上述の点に鑑み、切断直後の汚染切削水の
洗い流れを確実にし、半導体ウェハ表面への汚染付着を
防止するようにした半導体ウェハのダイシング方法及び
ダイシング装置を提供するものである。
洗い流れを確実にし、半導体ウェハ表面への汚染付着を
防止するようにした半導体ウェハのダイシング方法及び
ダイシング装置を提供するものである。
本発明は、半導体ウエハをブレードによりダイシング
する方法において、切断直後の切断溝周辺に存在するボ
ンディングパッドに洗浄水を供給しながらダイシングす
るようになす。
する方法において、切断直後の切断溝周辺に存在するボ
ンディングパッドに洗浄水を供給しながらダイシングす
るようになす。
また、本発明は、半導体ウエハをブレードによりダイ
シングするダイシング装置において、切断後の半導体ウ
エハに冷却ノズルと一体の洗浄ノズルから真下方向中心
に洗浄水を供給する手段を設けて構成する。
シングするダイシング装置において、切断後の半導体ウ
エハに冷却ノズルと一体の洗浄ノズルから真下方向中心
に洗浄水を供給する手段を設けて構成する。
上述のダイシング方法においては、切断直後（所謂ダ
イシング直後）の切断溝周辺に存在するボンディングパ
ッドに洗浄水を供給しながらダイシングするのでダイシ
ングと洗浄との時間差が非常に少なく、切断直後に発生
するダストを含む汚染切削水が直ちに洗い流される。即
ち、ダイシングによる汚染発生と同時にその汚染をウエ
ハ表面、特にボンディングパッド周辺から洗浄除去され
ることになり、ダイシング終了においてダストの残渣は
なく、きれいな表面をもってウエハのダイシングが完了
される。
イシング直後）の切断溝周辺に存在するボンディングパ
ッドに洗浄水を供給しながらダイシングするのでダイシ
ングと洗浄との時間差が非常に少なく、切断直後に発生
するダストを含む汚染切削水が直ちに洗い流される。即
ち、ダイシングによる汚染発生と同時にその汚染をウエ
ハ表面、特にボンディングパッド周辺から洗浄除去され
ることになり、ダイシング終了においてダストの残渣は
なく、きれいな表面をもってウエハのダイシングが完了
される。
また、上述のダイシング装置においては、切断後のウ
エハに冷却ノズルと一体の洗浄ノズルから真下方向中心
に洗浄水を供給する手段が設けられることにより、切断
直後の切断溝周辺が洗浄水によって洗浄されながらダイ
シングされ、しかも、ダイシングと洗浄との時間的差が
非常に少ない。従って、切断直後に発生するダストを含
む汚染切削水は、その発生と同時に洗い流されてウエハ
表面に残存することがなく、表面汚染のない状態でウエ
ハをダイシングすることが可能となる。
エハに冷却ノズルと一体の洗浄ノズルから真下方向中心
に洗浄水を供給する手段が設けられることにより、切断
直後の切断溝周辺が洗浄水によって洗浄されながらダイ
シングされ、しかも、ダイシングと洗浄との時間的差が
非常に少ない。従って、切断直後に発生するダストを含
む汚染切削水は、その発生と同時に洗い流されてウエハ
表面に残存することがなく、表面汚染のない状態でウエ
ハをダイシングすることが可能となる。
以下、本発明による半導体ウェハのダイシング方法及
びダイシング装置の実施例を説明する。
びダイシング装置の実施例を説明する。
第１図〜第４図は本発明に係るダイシング装置の一例
を示す。同図において、（21）は本発明に係るダイシン
グ装置の全体、（２）はダイシングされる半導体ウェハ
を示す。
を示す。同図において、（21）は本発明に係るダイシン
グ装置の全体、（２）はダイシングされる半導体ウェハ
を示す。
ダイシング装置（21）は、前述の第７図と同様に、支
持部（３）にブレード（４）が高速回転可能に取着さ
れ、このブレード（４）の刃部の外周を囲うように、即
ちその半導体ウェハ（２）に対接する部分及び回転方向
の後方部を除いて囲うようにフランジカバー（５）が配
されると共に、フランジカバー（５）に回転落射ノズル
（６）、シャワーノズル（７）及びブレード冷却ノズル
（８）が設けられる。回転落射ノズル（６）はフランジ
カバー（５）の内面（回転方向の前方部に対応する内
面）にブレード刃部に向って水平方向に洗浄水を放射す
るように形成される。シャワーノズル（７）はフランジ
カバー（５）に支持されるようにブレード（４）の側面
より離れた位置に半導体ウェハ（２）の面に向って垂直
に配され、ノズル（７）よりの洗浄水をダイシング中の
半導体ウェハ（２）の表面に放射するように形成され
る。ブレード冷却ノズル（８）は、フランジカバー
（５）からブレード（４）の半導体ウェハ（２）に対接
する下部両側に夫々延長する導管（9a）（9b）にブレー
ド刃部に向って扇状に冷却水兼切削水を放射する複数
（本例では３つの）スリット（10）を設けて形成され
る。
持部（３）にブレード（４）が高速回転可能に取着さ
れ、このブレード（４）の刃部の外周を囲うように、即
ちその半導体ウェハ（２）に対接する部分及び回転方向
の後方部を除いて囲うようにフランジカバー（５）が配
されると共に、フランジカバー（５）に回転落射ノズル
（６）、シャワーノズル（７）及びブレード冷却ノズル
（８）が設けられる。回転落射ノズル（６）はフランジ
カバー（５）の内面（回転方向の前方部に対応する内
面）にブレード刃部に向って水平方向に洗浄水を放射す
るように形成される。シャワーノズル（７）はフランジ
カバー（５）に支持されるようにブレード（４）の側面
より離れた位置に半導体ウェハ（２）の面に向って垂直
に配され、ノズル（７）よりの洗浄水をダイシング中の
半導体ウェハ（２）の表面に放射するように形成され
る。ブレード冷却ノズル（８）は、フランジカバー
（５）からブレード（４）の半導体ウェハ（２）に対接
する下部両側に夫々延長する導管（9a）（9b）にブレー
ド刃部に向って扇状に冷却水兼切削水を放射する複数
（本例では３つの）スリット（10）を設けて形成され
る。
しかして本発明では、このダイシング装置（21）にお
いて、特にダイシングと同時に、切断直後の切断周辺の
ウェハ表面を洗浄する洗浄ノズル（22）を設ける。この
洗浄ノズル（22）はダイシング中に半導体ウェハ（２）
に対して相対的に移動するブレード（４）に同期して移
動するように構成する。このため、本実施例において
は、ブレード冷却ノズル（８）を構成する導管（9a），
（9b）の夫々の下面に、即ちノズル（８）のスリット
（10）より後方位置（つまりダイシング直後に対応する
位置）にウェハ表面と対向するように下方向に向けたス
リット（23）を形成して上記洗浄ノズル（22）を構成す
る。洗浄ノズル（22）のスリット（23）は第４図に示す
ように導管（9a）（9b）の夫々の中心線Ａ−Ａ′より下
方に形成するを可とし、之より扇状放射される洗浄水
（22a）のウェハ表面に接する洗浄幅Ｃはスリット（2
3）の切込み深さａとスリット（23）の長さ（内側寸
法）ｂによってほぼ決定される。
いて、特にダイシングと同時に、切断直後の切断周辺の
ウェハ表面を洗浄する洗浄ノズル（22）を設ける。この
洗浄ノズル（22）はダイシング中に半導体ウェハ（２）
に対して相対的に移動するブレード（４）に同期して移
動するように構成する。このため、本実施例において
は、ブレード冷却ノズル（８）を構成する導管（9a），
（9b）の夫々の下面に、即ちノズル（８）のスリット
（10）より後方位置（つまりダイシング直後に対応する
位置）にウェハ表面と対向するように下方向に向けたス
リット（23）を形成して上記洗浄ノズル（22）を構成す
る。洗浄ノズル（22）のスリット（23）は第４図に示す
ように導管（9a）（9b）の夫々の中心線Ａ−Ａ′より下
方に形成するを可とし、之より扇状放射される洗浄水
（22a）のウェハ表面に接する洗浄幅Ｃはスリット（2
3）の切込み深さａとスリット（23）の長さ（内側寸
法）ｂによってほぼ決定される。
尚、この洗浄ノズル（22）としてはスリット（23）の
他、例えば第５図に示すように複数のきり穴（25）を形
成して構成することもできる。また洗浄ノズル（22）よ
りの洗浄水（22a）の放射方向も第６図に示すようにウ
ェハ表面に垂直方向ｄ、或いはブレード（４）側に傾斜
する方向ｅ等適宜選択することができる。
他、例えば第５図に示すように複数のきり穴（25）を形
成して構成することもできる。また洗浄ノズル（22）よ
りの洗浄水（22a）の放射方向も第６図に示すようにウ
ェハ表面に垂直方向ｄ、或いはブレード（４）側に傾斜
する方向ｅ等適宜選択することができる。
次に、かかるダイシング装置（21）を用いて半導体ウ
ェハ（２）をダイシングする方法を説明する。
ェハ（２）をダイシングする方法を説明する。
粘着シート（図示せず）に貼着した半導体ウェハ
（２）をダイシング装置（21）の所定位置にセットし、
ブレード（４）を高速回転させ、ブレード（４）と半導
体ウェハ（２）を相対的に移動させ、即ち本例ではブレ
ード（４）を固定として、半導体ウェハ（２）を移送し
ながらダイシングを行う。半導体ウェハ（２）の移送方
向Ａはブレード（４）の回転方向Ｂに沿う方向である。
（２）をダイシング装置（21）の所定位置にセットし、
ブレード（４）を高速回転させ、ブレード（４）と半導
体ウェハ（２）を相対的に移動させ、即ち本例ではブレ
ード（４）を固定として、半導体ウェハ（２）を移送し
ながらダイシングを行う。半導体ウェハ（２）の移送方
向Ａはブレード（４）の回転方向Ｂに沿う方向である。
このとき回転落射ノズル（６）、シャワーノズル
（７）およびブレード冷却ノズル（８）から夫々洗浄水
（6a），（7a）及び冷却兼切削水（8a）が供給されると
共に、洗浄ノズル（22）から洗浄水（22a）が供給され
る。
（７）およびブレード冷却ノズル（８）から夫々洗浄水
（6a），（7a）及び冷却兼切削水（8a）が供給されると
共に、洗浄ノズル（22）から洗浄水（22a）が供給され
る。
回転落射ノズル（６）からの洗浄水（6a）によって切
断溝内が洗浄され、シャワーノズル（７）からの洗浄水
（7a）によってダイシングされている周辺のウェハ表面
が洗浄され、さらにブレード冷却ノズル（８）からの冷
却兼切削水（8a）によってブレード刃部が冷却されると
共に良好な切削が行われる。一方ダイシング中に洗浄ノ
ズル（22）からの洗浄水（22a）が切断直後の切断周辺
のウェハ表面、特に切断位置より100μｍ程度離れたボ
ンディングパッドの周辺に向けて供給されてボンディン
グパッド周辺が洗浄される。
断溝内が洗浄され、シャワーノズル（７）からの洗浄水
（7a）によってダイシングされている周辺のウェハ表面
が洗浄され、さらにブレード冷却ノズル（８）からの冷
却兼切削水（8a）によってブレード刃部が冷却されると
共に良好な切削が行われる。一方ダイシング中に洗浄ノ
ズル（22）からの洗浄水（22a）が切断直後の切断周辺
のウェハ表面、特に切断位置より100μｍ程度離れたボ
ンディングパッドの周辺に向けて供給されてボンディン
グパッド周辺が洗浄される。
上述の本ダイシング方法によれば、ブレード（４）に
同期して移動する洗浄ノズル（22）からの洗浄水（22
a）により、ウェハ切断で発生する半導体（Si）ダスト
による汚染を、その汚染発生と同時にウェハ表面から洗
浄除去することができ、表面汚染のない状態で半導体ウ
ェハのダイシングを行うことができる。
同期して移動する洗浄ノズル（22）からの洗浄水（22
a）により、ウェハ切断で発生する半導体（Si）ダスト
による汚染を、その汚染発生と同時にウェハ表面から洗
浄除去することができ、表面汚染のない状態で半導体ウ
ェハのダイシングを行うことができる。
そして、洗浄ノズル（22）よりの洗浄水（22a）は、
ウェハ切断直後のボンディングパッド周辺の至近距離か
ら供給されるので、使用される洗浄水量に対する洗浄効
率を大とすることができる。また実施例のダイシング装
置（21）においては、ブレード冷却ノズル（８）の導管
（9a）（9b）を利用して洗浄ノズル（22）を形成するの
で、洗浄ノズル（22）を特設する必要がなく構成上も簡
素になる。しかも、ブレード冷却ノズル（８）では水量
を1.5/minとしたとき、洗浄ノズル（22）では0.3/m
in程度の小量で十分な洗浄効果が得られるものである。
ウェハ切断直後のボンディングパッド周辺の至近距離か
ら供給されるので、使用される洗浄水量に対する洗浄効
率を大とすることができる。また実施例のダイシング装
置（21）においては、ブレード冷却ノズル（８）の導管
（9a）（9b）を利用して洗浄ノズル（22）を形成するの
で、洗浄ノズル（22）を特設する必要がなく構成上も簡
素になる。しかも、ブレード冷却ノズル（８）では水量
を1.5/minとしたとき、洗浄ノズル（22）では0.3/m
in程度の小量で十分な洗浄効果が得られるものである。
尚、上例のダイシング装置では洗浄ノズル（22）をブ
レード冷却ノズル（８）の導管（9a）（9b）に設けるよ
うにしたが、その他、洗浄ノズル（22）を独立に設置す
ることも可能である。
レード冷却ノズル（８）の導管（9a）（9b）に設けるよ
うにしたが、その他、洗浄ノズル（22）を独立に設置す
ることも可能である。
本発明のダイシング方法によれば、ダイシングと洗浄
の時間差が非常に少なく、ウエハ切断後に発生するダス
トによる汚染が切断直後の切断溝周辺のボンディングパ
ッドに供給される洗浄水により、特ちに洗浄除去される
ので、特に洗浄しにくいボンディングパッド周辺にダス
トの残渣のない、きれいな面をもって半導体ウエハをダ
イシングすることができる。また、ウェハ切断直後の切
断溝周辺のウェハ表面に洗浄水を供給するので、使用す
る洗浄水量に対する洗浄効果を高めることができる。
の時間差が非常に少なく、ウエハ切断後に発生するダス
トによる汚染が切断直後の切断溝周辺のボンディングパ
ッドに供給される洗浄水により、特ちに洗浄除去される
ので、特に洗浄しにくいボンディングパッド周辺にダス
トの残渣のない、きれいな面をもって半導体ウエハをダ
イシングすることができる。また、ウェハ切断直後の切
断溝周辺のウェハ表面に洗浄水を供給するので、使用す
る洗浄水量に対する洗浄効果を高めることができる。
一方、本発明のダイシング装置によれば、切断後のウ
エハに冷却ノズルと一体の洗浄ノズルから真下方向中心
に洗浄水を供給する手段を設けるので、ダイシングと洗
浄との時間差を非常に少なくすることができ、ウエハ切
断による汚染発生と同時に、その汚染を洗浄除去するこ
とができ、表面汚染のない状態で半導体ウエハのダイシ
ングを完了させることができる。また、洗浄ノズルはブ
レードを冷却するための冷却ノズルと一体に設けられる
ので、洗浄ノズルを特設する必要がなく、構成上も簡素
になる。
エハに冷却ノズルと一体の洗浄ノズルから真下方向中心
に洗浄水を供給する手段を設けるので、ダイシングと洗
浄との時間差を非常に少なくすることができ、ウエハ切
断による汚染発生と同時に、その汚染を洗浄除去するこ
とができ、表面汚染のない状態で半導体ウエハのダイシ
ングを完了させることができる。また、洗浄ノズルはブ
レードを冷却するための冷却ノズルと一体に設けられる
ので、洗浄ノズルを特設する必要がなく、構成上も簡素
になる。
従って、本発明は特に高集積化された半導体ウェハの
ダイシングに適用して好適ならしめるものである。
ダイシングに適用して好適ならしめるものである。
第１図は本発明に係るダイシング装置の一例を示す斜視
図、第２図はその要部の側面図、第３図は要部の底面
図、第４図は要部の断面図、第５図は本発明に係るダイ
シング装置の他の例を示す要部の底面図、第６図は本発
明に係るダイシング装置の洗浄ノズルからの洗浄水の放
射方向の例を示す要部の断面図、第７図及び第８図は従
来のダイシング装置の斜視図及び側面図、第９図Ａ及び
Ｂは夫々従来のダイシング装置における比較例及び汚染
対策を施した一例を示す要部の側面図、第10図Ａ及びＢ
は従来のダイシング装置における比較例及び汚染対策を
施した他例を示す要部の側面図、第11図は従来のダイシ
ング装置における汚染対策を施したさらに他例を示す要
部の斜視図である。 （２）は半導体ウェハ、（４）はブレード、（５）はフ
ランジカバー、（６）は回転落射ノズル、（７）はシャ
ワーノズル、（８）はブレード冷却ノズル、（22）は洗
浄ノズルである。
図、第２図はその要部の側面図、第３図は要部の底面
図、第４図は要部の断面図、第５図は本発明に係るダイ
シング装置の他の例を示す要部の底面図、第６図は本発
明に係るダイシング装置の洗浄ノズルからの洗浄水の放
射方向の例を示す要部の断面図、第７図及び第８図は従
来のダイシング装置の斜視図及び側面図、第９図Ａ及び
Ｂは夫々従来のダイシング装置における比較例及び汚染
対策を施した一例を示す要部の側面図、第10図Ａ及びＢ
は従来のダイシング装置における比較例及び汚染対策を
施した他例を示す要部の側面図、第11図は従来のダイシ
ング装置における汚染対策を施したさらに他例を示す要
部の斜視図である。 （２）は半導体ウェハ、（４）はブレード、（５）はフ
ランジカバー、（６）は回転落射ノズル、（７）はシャ
ワーノズル、（８）はブレード冷却ノズル、（22）は洗
浄ノズルである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 克彦 鹿児島県国分市野口北５―１ ソニー国 分セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 鑑田 武史 東京都三鷹市下連雀９丁目７番１号 株 式会社東京精密内 (56)参考文献 特開 昭64−80506（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−35805（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−1911（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭57−131245（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/78
Claims (2)
- 【請求項１】半導体ウエハをブレードによりダイシング
する方法において、切断直後の切断溝周辺に存在するボ
ンディングパッドに洗浄水を供給しながらダイシングす
ることを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。 - 【請求項２】半導体ウエハをブレードによりダインシン
グするダイシング装置において、切断後の半導体ウエハ
に冷却ノズルと一体の洗浄ノズルから真下方向中心に洗
浄水を供給する手段が設けられて成るダイシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29782089A JP2958375B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29782089A JP2958375B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03157954A JPH03157954A (ja) | 1991-07-05 |
| JP2958375B2 true JP2958375B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=17851583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29782089A Expired - Lifetime JP2958375B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 半導体ウェハのダイシング方法及びダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2958375B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4595458B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2010-12-08 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置 |
| JP5399662B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2014-01-29 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
| CN109309025A (zh) * | 2017-07-27 | 2019-02-05 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 晶圆划片设备及晶圆划片方法 |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP29782089A patent/JP2958375B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03157954A (ja) | 1991-07-05 |
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