JP3464596B2 - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および製造装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に半導体装置の
製造に関し、特に紫外線硬化性接着剤層を担持する粘着
テープで保護し、半導体基板の裏面を研削する工程を含
む半導体装置の製造方法、および製造装置に関する。
製造に関し、特に紫外線硬化性接着剤層を担持する粘着
テープで保護し、半導体基板の裏面を研削する工程を含
む半導体装置の製造方法、および製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】多数の半導体装置が形成された半導体ウ
ェハを個々の半導体チップにダイシング工程により分割
する場合、一般に、ウェハ上の半導体装置に損傷が及ば
ないように、ダイシングは、半導体ウェハの半導体装置
が形成された側の表面を粘着テープにより覆った状態
で、ダイシング溝の深さがウェハの厚さを超えるように
（フルカット法）、あるいはダイシング溝の深さがウェ
ハの厚さよりも浅くなるように（セミフルカット法）実
行される。また、かかるダイシング工程の後、個々のチ
ップがテープから容易に離れるように、粘着テープとし
て、紫外線硬化性の接着剤層を塩化ビニル樹脂、あるい
はポリオレフィン樹脂よりなるベースフィルム上に塗布
したものが使われることが多い。
ェハを個々の半導体チップにダイシング工程により分割
する場合、一般に、ウェハ上の半導体装置に損傷が及ば
ないように、ダイシングは、半導体ウェハの半導体装置
が形成された側の表面を粘着テープにより覆った状態
で、ダイシング溝の深さがウェハの厚さを超えるように
（フルカット法）、あるいはダイシング溝の深さがウェ
ハの厚さよりも浅くなるように（セミフルカット法）実
行される。また、かかるダイシング工程の後、個々のチ
ップがテープから容易に離れるように、粘着テープとし
て、紫外線硬化性の接着剤層を塩化ビニル樹脂、あるい
はポリオレフィン樹脂よりなるベースフィルム上に塗布
したものが使われることが多い。
【０００３】ダイシング工程に引き続いて、あるいはダ
イシング工程と同時に、ウェハの研削の結果生じた粉末
を除去するために、洗浄液を使った洗浄工程および洗浄
液を除去する１次乾燥工程が行われるが、その他に、従
来のダイシング工程では、特にフルカット法の場合、前
記ダイシング溝において露出している接着剤層から水分
を乾燥により除去する２次乾燥工程が必要である。
イシング工程と同時に、ウェハの研削の結果生じた粉末
を除去するために、洗浄液を使った洗浄工程および洗浄
液を除去する１次乾燥工程が行われるが、その他に、従
来のダイシング工程では、特にフルカット法の場合、前
記ダイシング溝において露出している接着剤層から水分
を乾燥により除去する２次乾燥工程が必要である。
【０００４】これは、ダイシング工程の結果形成される
ダイシング溝の部分では、露出している接着剤層が空気
あるいは残留している洗浄液や水等、酸素を含んだ媒体
に接触するが、紫外線硬化性樹脂を、このような酸素を
含む環境下で硬化させた場合、硬化が不完全になり接着
剤層に粘着性が残ってしまうためである。かかる２次乾
燥工程は、乾燥Ｎ2 中において３０分以上行う必要があ
った。
ダイシング溝の部分では、露出している接着剤層が空気
あるいは残留している洗浄液や水等、酸素を含んだ媒体
に接触するが、紫外線硬化性樹脂を、このような酸素を
含む環境下で硬化させた場合、硬化が不完全になり接着
剤層に粘着性が残ってしまうためである。かかる２次乾
燥工程は、乾燥Ｎ2 中において３０分以上行う必要があ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の方法
によって、例えば６インチ径のウェハを、各々一辺が５
ｍｍの半導体チップに分割する場合、従来は、ダイシン
グ溝を形成するダイシング工程に約５分、洗浄水を吹き
付け、その後で後エアーにより洗浄液を乾燥させる洗浄
および１次乾燥工程に約１分、前記２次乾燥工程に３０
分以上、また人手による紫外線照射装置への搬送に約１
分、さらに紫外線照射工程に約１分を要していた。ま
た、その他にも、前記ダイシングを終了したウェハを、
粘着テープと共に、紫外線照射装置にセットするのにも
余計な時間が必要であった。このため、従来の半導体装
置の製造方法では、製造スループットが低く、製造コス
トが上昇する問題があった。一方、２次乾燥工程を省略
した場合、未硬化の接着剤が半導体チップ表面に付着し
てしまい、後の工程で歩留まりが低下する等の問題が生
じる。
によって、例えば６インチ径のウェハを、各々一辺が５
ｍｍの半導体チップに分割する場合、従来は、ダイシン
グ溝を形成するダイシング工程に約５分、洗浄水を吹き
付け、その後で後エアーにより洗浄液を乾燥させる洗浄
および１次乾燥工程に約１分、前記２次乾燥工程に３０
分以上、また人手による紫外線照射装置への搬送に約１
分、さらに紫外線照射工程に約１分を要していた。ま
た、その他にも、前記ダイシングを終了したウェハを、
粘着テープと共に、紫外線照射装置にセットするのにも
余計な時間が必要であった。このため、従来の半導体装
置の製造方法では、製造スループットが低く、製造コス
トが上昇する問題があった。一方、２次乾燥工程を省略
した場合、未硬化の接着剤が半導体チップ表面に付着し
てしまい、後の工程で歩留まりが低下する等の問題が生
じる。
【０００６】そこで、本発明は上記の課題を解決した、
新規で有用な半導体装置の製造方法および製造装置を提
供することを概括的課題とする。本発明のより具体的な
課題は、半導体ウェハをチップに分割するのに要する時
間を短縮し、半導体装置の製造コストを低減させること
にある。本発明の他の課題は、テープ被覆したウェハを
ダイシング工程の後で紫外線照射工程に搬送する際に、
チップの損傷による歩留まりの低下の問題を解消し、半
導体装置の製造コストを低減させることにある。
新規で有用な半導体装置の製造方法および製造装置を提
供することを概括的課題とする。本発明のより具体的な
課題は、半導体ウェハをチップに分割するのに要する時
間を短縮し、半導体装置の製造コストを低減させること
にある。本発明の他の課題は、テープ被覆したウェハを
ダイシング工程の後で紫外線照射工程に搬送する際に、
チップの損傷による歩留まりの低下の問題を解消し、半
導体装置の製造コストを低減させることにある。
【０００７】本発明は、上記の課題を、請求項１に記載
したように、半導体基板の表面を、紫外線硬化性接着剤
層を担持する粘着テープで保護する工程と；前記粘着テ
ープで保護した半導体基板を分割するダイシング工程
と；前記粘着テープが前記半導体基板を保護した状態に
おいて、前記粘着テープに乾燥気体を作用させる乾燥工
程と；前記粘着テープが前記半導体基板を保護した状態
において、前記粘着テープに赤外線を照射して加熱する
加熱工程と；前記粘着テープが前記半導体基板を保護し
た状態において、前記粘着テープに紫外線を照射して前
記紫外線硬化性接着剤層を硬化させる硬化工程とを含む
半導体装置の製造方法において、前記乾燥工程と前記加
熱工程と前記硬化工程とは、前記ダイシング工程の後、
同時に実行され、 前記硬化工程はランプハウス中央部に
設けた紫外線光源により前記粘着テープに紫外線を照射
し、 前記加熱工程は該紫外線光源近傍に設けた赤外線光
源により前記粘着テープに赤外線を照射することを特徴
とする半導体装置の製造方法により、または請求項２に
記載したように、前記ダイシング工程の後、前記乾燥工
程の前に、前記半導体基板を洗浄液により洗浄する工程
を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法により、または請求項３に記載したように、前記
加熱工程は、前記粘着テープのうち、前記半導体ウェハ
を担持する側とは反対の側に赤外線を照射することによ
り実行されることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置の製造方法により、または請求項４に記載したよう
に、前記乾燥工程は、前記乾燥気体を、前記粘着テープ
のうち、前記半導体ウェハを担持する側に吹き付けるこ
とにより実行されることを特徴とする請求項１〜３のう
ち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法により、
または請求項５に記載したように、前記硬化工程は、前
記粘着テープのうち、前記半導体ウェハを担持する側と
は反対の側に紫外線を照射することにより実行されるこ
とを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載
の半導体装置の製造方法により、または請求項６に記載
したように、前記ダイシング工程は、スクライブライン
に沿って、形成されるダイシング溝の深さがウェハの厚
さに等しくなるように実行されるフルカット工程である
ことを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記
載の半導体装置の製造方法により、または請求項７に記
載したように、前記硬化工程は、前記粘着テープを９０
°Ｃ〜１４０°Ｃの温度に加熱して実行されることを特
徴とする請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の半導
体装置の製造方法により、または請求項８に記載したよ
うに、半導体基板の表面を、紫外線硬化性接着剤層を担
持する粘着テープで保護する工程と；前記粘着テープで
保護した半導体基板を、紫外線光源を含む光源本体の一
部に、前記粘着テープで保護された半導体基板を保持す
るように形成された開口部上に保持する工程と；前記光
源本体上において、前記粘着テープで保護した半導体基
板をダイシングする工程とよりなることを特徴とする半
導体装置の製造方法により、または請求項９に記載した
ように、前記半導体基板を前記光源本体の開口部上に保
持する工程は、前記粘着テープで保護した半導体基板
を、前記開口部上に形成された、紫外線を透過させるチ
ャック上に配設し、前記光源本体を排気することにより
前記チャック上に形成された開口部を介して吸着する工
程を含むことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の
製造方法により、または請求項１０に記載したように、
紫外線光源と、前記紫外線光源を囲むミラーを形成する
光源本体と、前記光源本体上に形成され、粘着テープで
保護された半導体基板を保持するように適合された開口
部とよりなる半導体装置の製造装置において；前記開口
部上に配設され、前記粘着テープで保護された半導体基
板を吸着・保持するように適合された真空保持台を含
み、前記真空保持台は、Ａｌ2Ｏ3で形成されていること
を特徴とする半導体装置の製造装置により、解決する。
したように、半導体基板の表面を、紫外線硬化性接着剤
層を担持する粘着テープで保護する工程と；前記粘着テ
ープで保護した半導体基板を分割するダイシング工程
と；前記粘着テープが前記半導体基板を保護した状態に
おいて、前記粘着テープに乾燥気体を作用させる乾燥工
程と；前記粘着テープが前記半導体基板を保護した状態
において、前記粘着テープに赤外線を照射して加熱する
加熱工程と；前記粘着テープが前記半導体基板を保護し
た状態において、前記粘着テープに紫外線を照射して前
記紫外線硬化性接着剤層を硬化させる硬化工程とを含む
半導体装置の製造方法において、前記乾燥工程と前記加
熱工程と前記硬化工程とは、前記ダイシング工程の後、
同時に実行され、 前記硬化工程はランプハウス中央部に
設けた紫外線光源により前記粘着テープに紫外線を照射
し、 前記加熱工程は該紫外線光源近傍に設けた赤外線光
源により前記粘着テープに赤外線を照射することを特徴
とする半導体装置の製造方法により、または請求項２に
記載したように、前記ダイシング工程の後、前記乾燥工
程の前に、前記半導体基板を洗浄液により洗浄する工程
を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法により、または請求項３に記載したように、前記
加熱工程は、前記粘着テープのうち、前記半導体ウェハ
を担持する側とは反対の側に赤外線を照射することによ
り実行されることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置の製造方法により、または請求項４に記載したよう
に、前記乾燥工程は、前記乾燥気体を、前記粘着テープ
のうち、前記半導体ウェハを担持する側に吹き付けるこ
とにより実行されることを特徴とする請求項１〜３のう
ち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法により、
または請求項５に記載したように、前記硬化工程は、前
記粘着テープのうち、前記半導体ウェハを担持する側と
は反対の側に紫外線を照射することにより実行されるこ
とを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載
の半導体装置の製造方法により、または請求項６に記載
したように、前記ダイシング工程は、スクライブライン
に沿って、形成されるダイシング溝の深さがウェハの厚
さに等しくなるように実行されるフルカット工程である
ことを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記
載の半導体装置の製造方法により、または請求項７に記
載したように、前記硬化工程は、前記粘着テープを９０
°Ｃ〜１４０°Ｃの温度に加熱して実行されることを特
徴とする請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の半導
体装置の製造方法により、または請求項８に記載したよ
うに、半導体基板の表面を、紫外線硬化性接着剤層を担
持する粘着テープで保護する工程と；前記粘着テープで
保護した半導体基板を、紫外線光源を含む光源本体の一
部に、前記粘着テープで保護された半導体基板を保持す
るように形成された開口部上に保持する工程と；前記光
源本体上において、前記粘着テープで保護した半導体基
板をダイシングする工程とよりなることを特徴とする半
導体装置の製造方法により、または請求項９に記載した
ように、前記半導体基板を前記光源本体の開口部上に保
持する工程は、前記粘着テープで保護した半導体基板
を、前記開口部上に形成された、紫外線を透過させるチ
ャック上に配設し、前記光源本体を排気することにより
前記チャック上に形成された開口部を介して吸着する工
程を含むことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の
製造方法により、または請求項１０に記載したように、
紫外線光源と、前記紫外線光源を囲むミラーを形成する
光源本体と、前記光源本体上に形成され、粘着テープで
保護された半導体基板を保持するように適合された開口
部とよりなる半導体装置の製造装置において；前記開口
部上に配設され、前記粘着テープで保護された半導体基
板を吸着・保持するように適合された真空保持台を含
み、前記真空保持台は、Ａｌ2Ｏ3で形成されていること
を特徴とする半導体装置の製造装置により、解決する。
【０００８】請求項１５に記載したように、前記真空保
持台は、セラミックにより形成されていることを特徴と
する請求項１３記載の半導体装置の製造装置により、解
決する。 ［作用］本発明によれば、半導体基板を粘着テープで保
護してダイシングする際に、前記ダイシングの結果形成
されるダイシング溝中に残留する水分を赤外線加熱によ
り除去する乾燥工程と、紫外線照射により粘着テープの
接着剤層を硬化させる工程とを同時に実行することによ
り、半導体装置の製造に要する時間を短縮できる。
持台は、セラミックにより形成されていることを特徴と
する請求項１３記載の半導体装置の製造装置により、解
決する。 ［作用］本発明によれば、半導体基板を粘着テープで保
護してダイシングする際に、前記ダイシングの結果形成
されるダイシング溝中に残留する水分を赤外線加熱によ
り除去する乾燥工程と、紫外線照射により粘着テープの
接着剤層を硬化させる工程とを同時に実行することによ
り、半導体装置の製造に要する時間を短縮できる。
【０００９】また、半導体基板を粘着テープで保護して
ダイシングする際に、前記半導体基板を吸着・保持する
真空保持台を、紫外線を透過させる材料により形成し、
紫外線光源の開口部上に前記真空保持台を設け、ダイシ
ングをかかる真空保持台上において実行することによ
り、ダイシングの後、個々のチップに分割された半導体
基板を、粘着テープごと紫外線硬化装置に搬送する必要
がなくなり、かかる搬送の際に粘着テープがたるみ、テ
ープ上の半導体チップが相互に接触して損傷する危険が
回避される。
ダイシングする際に、前記半導体基板を吸着・保持する
真空保持台を、紫外線を透過させる材料により形成し、
紫外線光源の開口部上に前記真空保持台を設け、ダイシ
ングをかかる真空保持台上において実行することによ
り、ダイシングの後、個々のチップに分割された半導体
基板を、粘着テープごと紫外線硬化装置に搬送する必要
がなくなり、かかる搬送の際に粘着テープがたるみ、テ
ープ上の半導体チップが相互に接触して損傷する危険が
回避される。
【００１０】
［第１実施例］図１は、本発明の第１実施例による半導
体ウェハのダイシング装置１の構成を示す。図１を参照
するに、ダイシング装置１は、粘着テープで保護された
半導体ウェハを切断するダイシング部２と粘着テープの
接着剤を紫外線照射により硬化させる硬化部３とにより
構成され、前記ダイシング部２は、粘着テープ６上に保
持された半導体ウェハ４を吸着・保持する真空チャック
７を含むダイシングテーブルと、前記真空チャック７上
の半導体ウェハ４を所定のダイシングラインに沿って研
削するカッターブレ−ド８と、前記真空チャック７上の
ウェハ４およびカッターブレード８に冷却水１８を吹き
付ける冷却水ノズル１７とを含んでいる。また、前記粘
着テープ６はフレ−ム５上に装着され、テープベース
６’とその上の紫外線硬化性接着剤層６”とより構成さ
れている。
体ウェハのダイシング装置１の構成を示す。図１を参照
するに、ダイシング装置１は、粘着テープで保護された
半導体ウェハを切断するダイシング部２と粘着テープの
接着剤を紫外線照射により硬化させる硬化部３とにより
構成され、前記ダイシング部２は、粘着テープ６上に保
持された半導体ウェハ４を吸着・保持する真空チャック
７を含むダイシングテーブルと、前記真空チャック７上
の半導体ウェハ４を所定のダイシングラインに沿って研
削するカッターブレ−ド８と、前記真空チャック７上の
ウェハ４およびカッターブレード８に冷却水１８を吹き
付ける冷却水ノズル１７とを含んでいる。また、前記粘
着テープ６はフレ−ム５上に装着され、テープベース
６’とその上の紫外線硬化性接着剤層６”とより構成さ
れている。
【００１１】前記ダイシング部２において、真空チャッ
ク７は、図１中に矢印で示したように回転軸周りで９０
°回転可能であり、また所定のピッチで前後に移動可能
である。一方、カッターブレード８は高速回転し、前後
方向および左右方向に移動自在に形成されている。さら
に、冷却水１８としては、純水あるいは希薄な炭酸水が
使われ、またテープベース６’としては、耐熱温度が１
４０°Ｃ以上のポリオレフィン樹脂が使われる。かかる
構成により、前記ダイシング部２において、半導体ウェ
ハ４はカッタ−ブレード８の作用により、個々の半導体
チップに分割されるが、半導体ウェハ４が粘着テ−プ６
上に保持されているため、分割されたチップが飛散する
等の問題は生じない。また、前記冷却水１８により、ダ
イシングで生じた粉は速やかに除去される。
ク７は、図１中に矢印で示したように回転軸周りで９０
°回転可能であり、また所定のピッチで前後に移動可能
である。一方、カッターブレード８は高速回転し、前後
方向および左右方向に移動自在に形成されている。さら
に、冷却水１８としては、純水あるいは希薄な炭酸水が
使われ、またテープベース６’としては、耐熱温度が１
４０°Ｃ以上のポリオレフィン樹脂が使われる。かかる
構成により、前記ダイシング部２において、半導体ウェ
ハ４はカッタ−ブレード８の作用により、個々の半導体
チップに分割されるが、半導体ウェハ４が粘着テ−プ６
上に保持されているため、分割されたチップが飛散する
等の問題は生じない。また、前記冷却水１８により、ダ
イシングで生じた粉は速やかに除去される。
【００１２】一方、前記硬化部３は、紫外線１２を放射
する紫外線ランプ１３と、ランプ１３を囲むミラーを形
成するランプ本体１６とよりなり、前記フレ−ム５に装
着された粘着テープ６は、前記ダイシング部２における
半導体ウェハ４のダイシング工程の後、図示していない
キャリアにより、いったんダイシング装置１から取り出
される。取り出されたテ−プ６は、ダイシングされた半
導体ウェハ４を担持した状態で図示していないカセット
に収用された後、ロボットにより硬化部３に搬送され、
前記ランプ本体１６上に形成された開口部上に装着され
る。図１中、前記開口部上に装着されたテープ６は、多
数のダイシング溝９により個々の半導体チップに分割さ
れた状態の半導体ウェハ４を担持している。
する紫外線ランプ１３と、ランプ１３を囲むミラーを形
成するランプ本体１６とよりなり、前記フレ−ム５に装
着された粘着テープ６は、前記ダイシング部２における
半導体ウェハ４のダイシング工程の後、図示していない
キャリアにより、いったんダイシング装置１から取り出
される。取り出されたテ−プ６は、ダイシングされた半
導体ウェハ４を担持した状態で図示していないカセット
に収用された後、ロボットにより硬化部３に搬送され、
前記ランプ本体１６上に形成された開口部上に装着され
る。図１中、前記開口部上に装着されたテープ６は、多
数のダイシング溝９により個々の半導体チップに分割さ
れた状態の半導体ウェハ４を担持している。
【００１３】さらに、前記硬化部３では、前記ランプ本
体１６中に、前記紫外線ランプ１３と並んで、赤外線１
４を放射するハロゲンランプ等の赤外線ランプ１５が形
成され、前記紫外線ランプ１３を駆動すると同時に前記
赤外線ランプ１５を駆動することにより、前記粘着テ−
プ６上の接着剤層６”を硬化させると同時に、前記テー
プ６自体を加熱し、特にダイシング溝９中の水分を乾燥
・除去する。
体１６中に、前記紫外線ランプ１３と並んで、赤外線１
４を放射するハロゲンランプ等の赤外線ランプ１５が形
成され、前記紫外線ランプ１３を駆動すると同時に前記
赤外線ランプ１５を駆動することにより、前記粘着テ−
プ６上の接着剤層６”を硬化させると同時に、前記テー
プ６自体を加熱し、特にダイシング溝９中の水分を乾燥
・除去する。
【００１４】さらに、図１の構成では、前記ランプ本体
１６の上方に、前記開口部に装着されたテ−プ６に対面
するようにノズル１１が形成され、ノズル１１は、好ま
しくはＮ2 等の不活性ガス、あるいは空気等、その他の
乾燥気体１０を、前記テ−プ６の接着剤層６”が形成さ
れている側、および前記接着剤層６”によりテ−プ６上
に保持されている半導体ウェハ４に吹き付ける。
１６の上方に、前記開口部に装着されたテ−プ６に対面
するようにノズル１１が形成され、ノズル１１は、好ま
しくはＮ2 等の不活性ガス、あるいは空気等、その他の
乾燥気体１０を、前記テ−プ６の接着剤層６”が形成さ
れている側、および前記接着剤層６”によりテ−プ６上
に保持されている半導体ウェハ４に吹き付ける。
【００１５】かかる構成の硬化部３では、前記ノズル１
１から乾燥Ｎ2 を１０リットル／分の流量で吹き付け、
同時に紫外線ランプ１３を、約４５０ｍＷ／ｃｍ2 の照
度が得られるように駆動し、さらに前記赤外線ランプ
を、前記テープ６およびその上の半導体ウェハ４が９０
〜１４０°Ｃの温度に加熱されるように駆動することに
より、前記接着剤層６”の硬化を１〜５秒程度で完了さ
せることができる。また、その際、従来のような２次乾
燥工程は省略できる。
１から乾燥Ｎ2 を１０リットル／分の流量で吹き付け、
同時に紫外線ランプ１３を、約４５０ｍＷ／ｃｍ2 の照
度が得られるように駆動し、さらに前記赤外線ランプ
を、前記テープ６およびその上の半導体ウェハ４が９０
〜１４０°Ｃの温度に加熱されるように駆動することに
より、前記接着剤層６”の硬化を１〜５秒程度で完了さ
せることができる。また、その際、従来のような２次乾
燥工程は省略できる。
【００１６】前記テ−プ６の加熱温度は、乾燥を促進す
るため９０°Ｃ以上の温度で行うのが好ましいが、ポリ
オレフィン樹脂等のテープベース６’の耐熱温度を考え
ると、１４０°Ｃ以下に設定するのが好ましい。図１の
ダイシング装置１を使った場合、６インチの半導体ウェ
ハ４を一辺が５ｍｍの半導体チップに分割する場合、ダ
イシング部２を使ったダイシングに約５分、ウェハ４を
ダイシング部２から硬化部３に搬送するのに数秒、さら
に硬化部３における硬化に数秒を要するのみであり、ダ
イシングが非常に短時間に完了する。もちろん、ダイシ
ング部２におけるダイシングの間、前記半導体ウェハ４
は粘着テープ６により保護されているため、半導体チッ
プが損傷する等の問題は生じない。 ［第２実施例］図２は本発明の第２実施例によるダイシ
ング装置２１の構成を示す。ただし、図２中、先に説明
した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
るため９０°Ｃ以上の温度で行うのが好ましいが、ポリ
オレフィン樹脂等のテープベース６’の耐熱温度を考え
ると、１４０°Ｃ以下に設定するのが好ましい。図１の
ダイシング装置１を使った場合、６インチの半導体ウェ
ハ４を一辺が５ｍｍの半導体チップに分割する場合、ダ
イシング部２を使ったダイシングに約５分、ウェハ４を
ダイシング部２から硬化部３に搬送するのに数秒、さら
に硬化部３における硬化に数秒を要するのみであり、ダ
イシングが非常に短時間に完了する。もちろん、ダイシ
ング部２におけるダイシングの間、前記半導体ウェハ４
は粘着テープ６により保護されているため、半導体チッ
プが損傷する等の問題は生じない。 ［第２実施例］図２は本発明の第２実施例によるダイシ
ング装置２１の構成を示す。ただし、図２中、先に説明
した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００１７】図２を参照するに、本実施例では、ダイシ
ング部２と硬化部３との間に、さらに洗浄部２２を配設
する。洗浄部２２は、前記ダイシング部２から搬送され
た、フレ−ム５上に装着され半導体ウェハ４を担持する
テ−プ６の裏面に係合してこれを支持する保持台２３
と、前記保持台２３上に保持されたテ−プ６およびその
上の半導体ウェハ４に洗浄液２４を吹き付ける洗浄液ノ
ズル（図示せず）と、さらに前記半導体ウェハ４に空気
等の乾燥気体２５を吹き付ける空気ノズル（図示せず）
とよりなる。
ング部２と硬化部３との間に、さらに洗浄部２２を配設
する。洗浄部２２は、前記ダイシング部２から搬送され
た、フレ−ム５上に装着され半導体ウェハ４を担持する
テ−プ６の裏面に係合してこれを支持する保持台２３
と、前記保持台２３上に保持されたテ−プ６およびその
上の半導体ウェハ４に洗浄液２４を吹き付ける洗浄液ノ
ズル（図示せず）と、さらに前記半導体ウェハ４に空気
等の乾燥気体２５を吹き付ける空気ノズル（図示せず）
とよりなる。
【００１８】そこで、洗浄部２２では、まず洗浄液２４
により半導体ウェハ４が洗浄され、ダイシング２におけ
るダイシングの結果残留していた粉末等の不純物粒子が
除去される。さらに洗浄の後、前記乾燥気体２５を吹き
付けることにより、残留している洗浄液２４が除去され
る。ただし、洗浄部２２における洗浄は乾燥気体２５の
吹きつけだけなので、さらに硬化部３における乾燥が必
要になる。
により半導体ウェハ４が洗浄され、ダイシング２におけ
るダイシングの結果残留していた粉末等の不純物粒子が
除去される。さらに洗浄の後、前記乾燥気体２５を吹き
付けることにより、残留している洗浄液２４が除去され
る。ただし、洗浄部２２における洗浄は乾燥気体２５の
吹きつけだけなので、さらに硬化部３における乾燥が必
要になる。
【００１９】図２に示すように、保持台２３上の半導体
ウェハ４には、ダイシング部２におけるダイシングの結
果、ダイシング溝９が形成されている。また、ダイシン
グ部２から洗浄部２２への搬送は、図示していないロボ
ット等により行われ、さらに洗浄部２２から硬化部３へ
の搬送も、図示していないロボット等により行われる。
ウェハ４には、ダイシング部２におけるダイシングの結
果、ダイシング溝９が形成されている。また、ダイシン
グ部２から洗浄部２２への搬送は、図示していないロボ
ット等により行われ、さらに洗浄部２２から硬化部３へ
の搬送も、図示していないロボット等により行われる。
【００２０】図３は、図１あるいは図２の硬化部３にお
いて、紫外線ランプ１３の照射量を４５０ｍＪ／ｃｍ2
に設定した場合に、ノズル１１から噴射されるＮ2 ガス
１０の流量を様々に変化させた場合の、チップに付着す
る未硬化接着剤の割合を示す図、また図４は、同じく紫
外線ランプ１３の照射量を４５０ｍＪ／ｃｍ2 に設定
し、ノズル１１から噴射されるＮ2 ガス１０の流量を変
化させた場合の、ウェハ４が、ダイシング溝９を含めて
完全に乾燥するのに要する時間を示す図である。
いて、紫外線ランプ１３の照射量を４５０ｍＪ／ｃｍ2
に設定した場合に、ノズル１１から噴射されるＮ2 ガス
１０の流量を様々に変化させた場合の、チップに付着す
る未硬化接着剤の割合を示す図、また図４は、同じく紫
外線ランプ１３の照射量を４５０ｍＪ／ｃｍ2 に設定
し、ノズル１１から噴射されるＮ2 ガス１０の流量を変
化させた場合の、ウェハ４が、ダイシング溝９を含めて
完全に乾燥するのに要する時間を示す図である。
【００２１】図３を参照するに、Ｎ2 ガス１０の流量を
１０リットル／分以上に設定することにより、半導体チ
ップに付着する未硬化接着剤をほとんどゼロにすること
ができるのがわかる。また、図４を参照するに、Ｎ2 ガ
ス１０の流量を５リットル／分に設定した場合、ウェハ
４が完全に乾燥するのに１５分程度を要するのに対し、
１０リットル／分以上に設定した場合、１分以下で乾燥
が完了するのがわかる。 ［第３実施例］ところで、図１の構成のダイシング装置
１あるいは図２の構成のダイシング装置２１では、ダイ
シングされたウェハ４をダイシング部２から硬化部３
に、あるいはダイシング部２から洗浄部２２に、またさ
らに洗浄部２２から硬化部３に搬送する際に、図５
（Ａ）に示すように、粘着テープ６が、フレ−ム５上に
張力を加えて装着されていても、チップ４の自重である
程度下方にたわむことが避けられない。このようなテ−
プ６のたわみが生じると、図５（Ｂ）に示すように、一
のチップ４Ａと隣接するチップ４Ｂとが接触し、損傷す
る危険が生じる。ただし、図５（Ａ），５（Ｂ）中、先
に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略
する。
１０リットル／分以上に設定することにより、半導体チ
ップに付着する未硬化接着剤をほとんどゼロにすること
ができるのがわかる。また、図４を参照するに、Ｎ2 ガ
ス１０の流量を５リットル／分に設定した場合、ウェハ
４が完全に乾燥するのに１５分程度を要するのに対し、
１０リットル／分以上に設定した場合、１分以下で乾燥
が完了するのがわかる。 ［第３実施例］ところで、図１の構成のダイシング装置
１あるいは図２の構成のダイシング装置２１では、ダイ
シングされたウェハ４をダイシング部２から硬化部３
に、あるいはダイシング部２から洗浄部２２に、またさ
らに洗浄部２２から硬化部３に搬送する際に、図５
（Ａ）に示すように、粘着テープ６が、フレ−ム５上に
張力を加えて装着されていても、チップ４の自重である
程度下方にたわむことが避けられない。このようなテ−
プ６のたわみが生じると、図５（Ｂ）に示すように、一
のチップ４Ａと隣接するチップ４Ｂとが接触し、損傷す
る危険が生じる。ただし、図５（Ａ），５（Ｂ）中、先
に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略
する。
【００２２】従来の半導体ウェハでは、ダイシング溝９
の幅が１５０μｍ程度と比較的大きかったため、かかる
テ−プのたわみによるチップの損傷はあまり問題になら
なかったが、最近の半導体ウェハでは、一枚のウェハか
ら得られるチップの数を増やすため、ダイシング溝９の
幅が９０μｍ程度まで減少されており、その結果、図５
（Ｂ）に示すチップの相互接触およびそれに伴う損傷の
問題が、実質的な問題となりつつある。特に、最近の８
インチあるいは１２インチ径のウェハでは、テ−プ６の
たわみが特に大きく、１．５〜２ｍｍ程度に達し、前記
チップの損傷の確率が高くなっている。
の幅が１５０μｍ程度と比較的大きかったため、かかる
テ−プのたわみによるチップの損傷はあまり問題になら
なかったが、最近の半導体ウェハでは、一枚のウェハか
ら得られるチップの数を増やすため、ダイシング溝９の
幅が９０μｍ程度まで減少されており、その結果、図５
（Ｂ）に示すチップの相互接触およびそれに伴う損傷の
問題が、実質的な問題となりつつある。特に、最近の８
インチあるいは１２インチ径のウェハでは、テ−プ６の
たわみが特に大きく、１．５〜２ｍｍ程度に達し、前記
チップの損傷の確率が高くなっている。
【００２３】従来より、この問題点を解決すべく、半導
体ウェハ４を搬送する際に、フレ−ム５を真空で吸着
し、その際真空引きにより、テ−プ６を上に凸に反らせ
て図５（Ｂ）のような、チップ相互の干渉を回避する方
法が提案されている。かかる方法では、確かにチップ相
互の干渉はなくなるが、チップのテ−プ６に接着されて
いる側の面、すなわち半導体素子や配線等が形成されて
いる側の面に引っ張り応力が加わり、チップの肝要な部
分が損傷する可能性がある。また、損傷の結果生じた破
片が真空引きによりテープ６の背面を浮遊し、チップに
衝突して損傷を生じる可能性もある。
体ウェハ４を搬送する際に、フレ−ム５を真空で吸着
し、その際真空引きにより、テ−プ６を上に凸に反らせ
て図５（Ｂ）のような、チップ相互の干渉を回避する方
法が提案されている。かかる方法では、確かにチップ相
互の干渉はなくなるが、チップのテ−プ６に接着されて
いる側の面、すなわち半導体素子や配線等が形成されて
いる側の面に引っ張り応力が加わり、チップの肝要な部
分が損傷する可能性がある。また、損傷の結果生じた破
片が真空引きによりテープ６の背面を浮遊し、チップに
衝突して損傷を生じる可能性もある。
【００２４】これに対し、本実施例では、図６に示すよ
うに、紫外線ランプ本体１６の開口部上に、紫外線透過
性の材料、例えばアクリル樹脂よりなる真空チャック３
１を形成し、その上に前記半導体ウェハ４を担持した粘
着テ−プ６を、フレ−ム５と共に装着する。真空チャッ
ク３１を構成するアクリル板は、例えば全体の厚さが１
５〜２０ｍｍで、多数の小穴３１Ａが形成されたものを
使い、さらに前記ランプ本体１６に真空引きのための吸
引ポート１６Ａ，１６Ｂを形成する。
うに、紫外線ランプ本体１６の開口部上に、紫外線透過
性の材料、例えばアクリル樹脂よりなる真空チャック３
１を形成し、その上に前記半導体ウェハ４を担持した粘
着テ−プ６を、フレ−ム５と共に装着する。真空チャッ
ク３１を構成するアクリル板は、例えば全体の厚さが１
５〜２０ｍｍで、多数の小穴３１Ａが形成されたものを
使い、さらに前記ランプ本体１６に真空引きのための吸
引ポート１６Ａ，１６Ｂを形成する。
【００２５】かかる構成では、前記真空チャック３１上
に保持された半導体ウェハ４に対してカッタ−ブレ−ド
８を作用させ、図１あるいは２の装置ではダイシング部
２でなされていたダイシングを、前記ランプ本体１６上
において行う。その際、カッタ−ブレード８を冷却する
のに冷却水の代わりに、前記真空チャック３１上に設け
られたエアノズル３２からＮ2 あるいは冷却空気を吹き
付け、さらに、前記真空チャック３１上に、ダイシング
の際に生じる粉塵を回収する集塵器３３を設ける。
に保持された半導体ウェハ４に対してカッタ−ブレ−ド
８を作用させ、図１あるいは２の装置ではダイシング部
２でなされていたダイシングを、前記ランプ本体１６上
において行う。その際、カッタ−ブレード８を冷却する
のに冷却水の代わりに、前記真空チャック３１上に設け
られたエアノズル３２からＮ2 あるいは冷却空気を吹き
付け、さらに、前記真空チャック３１上に、ダイシング
の際に生じる粉塵を回収する集塵器３３を設ける。
【００２６】このように、図６はウェハ４のダイシング
工程を示すが、かかるダイシング工程では、前記紫外線
ランプ１３は駆動されない。図６のダイシング工程がが
終了すると、次にカッタ−ブレード８、エアノズル３２
および集塵器３３は真空チャック３１上の空間から、形
成された個々のチップをロボットによりピックアップす
る作業に邪魔にならない位置に移動され、紫外線ランプ
１３が駆動されて、前記接着剤層６”が、紫外線１２に
より硬化される。
工程を示すが、かかるダイシング工程では、前記紫外線
ランプ１３は駆動されない。図６のダイシング工程がが
終了すると、次にカッタ−ブレード８、エアノズル３２
および集塵器３３は真空チャック３１上の空間から、形
成された個々のチップをロボットによりピックアップす
る作業に邪魔にならない位置に移動され、紫外線ランプ
１３が駆動されて、前記接着剤層６”が、紫外線１２に
より硬化される。
【００２７】かかる構成では、ダイシング工程と硬化工
程で、半導体ウェハ４を移動させる必要がなく、このた
め、図５（Ｂ）で説明した、チップ相互の干渉によるチ
ップの損傷、およびこれに伴う製造歩留まりの低下の問
題が回避される。図６，７の実施例中、真空チャック３
１はアクリル板である必要はなく、紫外線を透過させる
他の材料、例えばＡｌ2 Ｏ3 より構成されてもよい。
程で、半導体ウェハ４を移動させる必要がなく、このた
め、図５（Ｂ）で説明した、チップ相互の干渉によるチ
ップの損傷、およびこれに伴う製造歩留まりの低下の問
題が回避される。図６，７の実施例中、真空チャック３
１はアクリル板である必要はなく、紫外線を透過させる
他の材料、例えばＡｌ2 Ｏ3 より構成されてもよい。
【００２８】図８は、Ａｌ2 Ｏ3 の光吸収特性を示す。
図８を参照するに、Ａｌ2 Ｏ3 は約４００ｎｍ以上の可
視光帯域で吸収が少なく、約２８０ｎｍ以下の紫外光帯
域では吸収が急増するが、約４００ｎｍから前記約２８
０ｎｍの紫外光帯域では吸収は小さく、かなりの割合で
紫外光を透過させることがわかる。Ａｌ2 Ｏ3 は多孔質
であり、特に小穴３１Ａを設けなくても粘着テープ６を
吸着することができる。
図８を参照するに、Ａｌ2 Ｏ3 は約４００ｎｍ以上の可
視光帯域で吸収が少なく、約２８０ｎｍ以下の紫外光帯
域では吸収が急増するが、約４００ｎｍから前記約２８
０ｎｍの紫外光帯域では吸収は小さく、かなりの割合で
紫外光を透過させることがわかる。Ａｌ2 Ｏ3 は多孔質
であり、特に小穴３１Ａを設けなくても粘着テープ６を
吸着することができる。
【００２９】８インチ径のＳｉウェハにおいて、図６，
７の装置によりダイシングを行い、一辺が１ｍｍのチッ
プを切り出した場合について、干渉を生じたチップの個
数を調査したところ、スクライブラインの幅を３０μｍ
あるいは１５μｍまで狭めても、干渉するチップは皆無
であった。これに対し、従来の方法でダイシングを行う
と、テープの中央部において３％程度のチップが接触し
ていた。すなわち、本実施例は、半導体製造の歩留まり
を向上させるのに有用である。また、本実施例では、ダ
イシング部２から硬化部３へウェハを搬送する工程が不
要になるので、製造のスループットが向上する。
７の装置によりダイシングを行い、一辺が１ｍｍのチッ
プを切り出した場合について、干渉を生じたチップの個
数を調査したところ、スクライブラインの幅を３０μｍ
あるいは１５μｍまで狭めても、干渉するチップは皆無
であった。これに対し、従来の方法でダイシングを行う
と、テープの中央部において３％程度のチップが接触し
ていた。すなわち、本実施例は、半導体製造の歩留まり
を向上させるのに有用である。また、本実施例では、ダ
イシング部２から硬化部３へウェハを搬送する工程が不
要になるので、製造のスループットが向上する。
【００３０】以上、本発明を好ましい実施例について説
明したが、本発明は、かかる特定の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨内において様々な変形・変
更が可能である。
明したが、本発明は、かかる特定の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨内において様々な変形・変
更が可能である。
【００３１】
【発明の効果】請求項１〜７記載の本発明の特徴によれ
ば、半導体基板を粘着テープで保護してダイシングする
際に、前記ダイシングの結果形成されるダイシング溝中
に残留する水分を赤外線加熱により除去する乾燥工程
と、紫外線照射により粘着テープの接着剤層を硬化させ
る工程とを同時に実行することにより、半導体装置の製
造に要する時間を短縮できる。
ば、半導体基板を粘着テープで保護してダイシングする
際に、前記ダイシングの結果形成されるダイシング溝中
に残留する水分を赤外線加熱により除去する乾燥工程
と、紫外線照射により粘着テープの接着剤層を硬化させ
る工程とを同時に実行することにより、半導体装置の製
造に要する時間を短縮できる。
【００３２】また、請求項８〜１０記載の本発明の特徴
によれば、半導体基板を粘着テープで保護してダイシン
グする際に、前記半導体基板を吸着・保持する真空保持
台を、紫外線を透過させる材料により形成し、紫外線光
源の開口部上に前記真空保持台を設け、ダイシングをか
かる真空保持台上において実行することにより、ダイシ
ングの後、個々のチップに分割された半導体基板を、粘
着テープごと紫外線硬化装置に搬送する必要がなくな
り、かかる搬送の際に粘着テープがたるみ、テープ上の
半導体チップが相互に接触して損傷する危険が回避され
る。
によれば、半導体基板を粘着テープで保護してダイシン
グする際に、前記半導体基板を吸着・保持する真空保持
台を、紫外線を透過させる材料により形成し、紫外線光
源の開口部上に前記真空保持台を設け、ダイシングをか
かる真空保持台上において実行することにより、ダイシ
ングの後、個々のチップに分割された半導体基板を、粘
着テープごと紫外線硬化装置に搬送する必要がなくな
り、かかる搬送の際に粘着テープがたるみ、テープ上の
半導体チップが相互に接触して損傷する危険が回避され
る。
【図１】本発明の第１実施例による半導体ウェハのダイ
シング装置の構成を示す図である。
シング装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第２実施例による半導体ウェハのダイ
シング装置の構成を示す図である。
シング装置の構成を示す図である。
【図３】Ｎ2 ガス流量と、半導体チップ上への未硬化接
着剤の付着量との関係を示す図である。
着剤の付着量との関係を示す図である。
【図４】Ｎ2 ガス流量と、半導体ウェハの乾燥時間との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は、従来の半導体装置の製造工
程において生じていた問題点を説明する図である。
程において生じていた問題点を説明する図である。
【図６】本発明の第３実施例による半導体ウェハのダイ
シング装置の構成を示す図（その１）である。
シング装置の構成を示す図（その１）である。
【図７】本発明の第３実施例による半導体ウェハのダイ
シング装置の構成を示す図（その２）である。
シング装置の構成を示す図（その２）である。
【図８】Ａｌ2 Ｏ3 の紫外線吸収特性を示す図である。
１，２１，３０ ダイシング装置
２ ダイシング部
３ 光硬化部
４ 半導体ウェハ
５ テ−プ装着フレーム
６ 粘着テープ
６’テープベース
６”紫外線硬化性接着剤層
７，３１ 真空チャック
８ カッターブレード
９ ダイシング溝
１０ 乾燥気体
１１，３２ エアノズル
１２ 紫外線
１３ 紫外線ランプ
１４ 赤外線
１５ 赤外線ランプ
１６ ランプ本体
１６Ａ 吸引ポート
１８ 冷却水
２２ 洗浄部
２４ 洗浄液
２５ 空気
３３ 集塵器
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭61−1037（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−316177（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−107088（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−283179（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−90405（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−212422（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−238648（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−119243（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/301
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体基板の表面を、紫外線硬化性接着
剤層を担持する粘着テープで保護する工程と； 前記粘着テープで保護した半導体基板を分割するダイシ
ング工程と； 前記粘着テープが前記半導体基板を保護した状態におい
て、前記粘着テープに乾燥気体を作用させる乾燥工程
と； 前記粘着テープが前記半導体基板を保護した状態におい
て、前記粘着テープに赤外線を照射して加熱する加熱工
程と； 前記粘着テープが前記半導体基板を保護した状態におい
て、前記粘着テープに紫外線を照射して前記紫外線硬化
性接着剤層を硬化させる硬化工程とを含む半導体装置の
製造方法において、 前記乾燥工程と前記加熱工程と前記硬化工程とは、前記
ダイシング工程の後、同時に実行され、 前記硬化工程はランプハウス中央部に設けた紫外線光源
により前記粘着テープに紫外線を照射し、 前記加熱工程は、該紫外線光源近傍に設けた赤外線光源
により前記粘着テープに赤外線を照射する ことを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記ダイシング工程の後、前記乾燥工程
の前に、前記半導体基板を洗浄液により洗浄する工程を
含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項３】 前記加熱工程は、前記粘着テープのう
ち、前記半導体ウェハを担持する側とは反対の側に赤外
線を照射することにより実行されることを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記乾燥工程は、前記乾燥気体を、前記
粘着テープのうち、前記半導体ウェハを担持する側に吹
き付けることにより実行されることを特徴とする請求項
１〜３のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 前記硬化工程は、前記粘着テープのう
ち、前記半導体ウェハを担持する側とは反対の側に紫外
線を照射することにより実行されることを特徴とする請
求項１〜４のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項６】 前記ダイシング工程は、スクライブライ
ンに沿って、形成されるダイシング溝の深さがウェハの
厚さに等しくなるように実行されるフルカット工程であ
ることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記硬化工程は、前記粘着テープを９０
°Ｃ〜１４０°Ｃの温度に加熱して実行されることを特
徴とする請求項１〜６のうち、いずれか一項記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項８】 半導体基板の表面を、紫外線硬化性接着
剤層を担持する粘着テープで保護する工程と； 前記粘着テープで保護した半導体基板を、紫外線光源を
含む光源本体の一部に、前記粘着テープで保護された半
導体基板を保持するように形成された開口部上に保持す
る工程と； 前記光源本体上において、前記粘着テープで保護した半
導体基板をダイシングする工程とよりなることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記半導体基板を前記光源本体の開口部
上に保持する工程は、前記粘着テープで保護した半導体
基板を、前記開口部上に形成された、紫外線を透過させ
るチャック上に配設し、前記光源本体を排気することに
より前記チャック上に形成された開口部を介して吸着す
る工程を含むことを特徴とする請求項８記載の半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１０】 紫外線光源と、前記紫外線光源を囲む
ミラーを形成する光源本体と、前記光源本体上に形成さ
れ、粘着テープで保護された半導体基板を保持するよう
に適合された開口部とよりなる半導体装置の製造装置に
おいて； 前記開口部上に配設され、前記粘着テープで保護された
半導体基板を吸着・保持するように適合された真空保持
台を含み、 前記真空保持台は、Ａｌ2Ｏ3で形成されていることを特
徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24549797A JP3464596B2 (ja) | 1996-09-13 | 1997-09-10 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| TW86113344A TW384528B (en) | 1996-09-13 | 1997-09-13 | Fabrication process of a semiconductor device including a dicing process of a semiconductor wafer and an apparatus therefore |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-243686 | 1996-09-13 | ||
| JP24368696 | 1996-09-13 | ||
| JP24549797A JP3464596B2 (ja) | 1996-09-13 | 1997-09-10 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
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|---|---|
| JPH10144632A JPH10144632A (ja) | 1998-05-29 |
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|---|---|---|---|
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| JP4488686B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2010-06-23 | 日東電工株式会社 | 紫外線照射方法およびそれを用いた装置 |
| JP2009094539A (ja) * | 2009-01-21 | 2009-04-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｃｓｐ基板の分割加工方法 |
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-
1997
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