JPH0745569A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH0745569A JPH0745569A JP19100793A JP19100793A JPH0745569A JP H0745569 A JPH0745569 A JP H0745569A JP 19100793 A JP19100793 A JP 19100793A JP 19100793 A JP19100793 A JP 19100793A JP H0745569 A JPH0745569 A JP H0745569A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハの裏面研削時における静電気の
発生を防止できる半導体集積回路装置の製造方法を提供
する。 【構成】 ＣＯ2 ガスを添加することによって、電気比
抵抗が、静電気が発生しない領域である１ＭΩcm以下と
された超純水を用いて半導体ウエハの裏面研削を行う。
これによって、静電気の発生が防止され、形成された半
導体素子の破壊や高抵抗多結晶シリコンの半導体素子の
特性変動を未然に防止することが可能になる。
発生を防止できる半導体集積回路装置の製造方法を提供
する。 【構成】 ＣＯ2 ガスを添加することによって、電気比
抵抗が、静電気が発生しない領域である１ＭΩcm以下と
された超純水を用いて半導体ウエハの裏面研削を行う。
これによって、静電気の発生が防止され、形成された半
導体素子の破壊や高抵抗多結晶シリコンの半導体素子の
特性変動を未然に防止することが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置の
製造技術に関し、特に、半導体ウエハの裏面研削時にお
ける半導体素子の破壊や特性変動を防止できる半導体集
積回路装置の製造について有効な技術に関する。
製造技術に関し、特に、半導体ウエハの裏面研削時にお
ける半導体素子の破壊や特性変動を防止できる半導体集
積回路装置の製造について有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置は、半導体ウエハの
表面に種々の絶縁膜や金属膜を成膜させて加工、熱処理
などのプロセスを繰り返して所定の集積回路を形成し、
これを個々のチップにダイシングし、封止して完成す
る。
表面に種々の絶縁膜や金属膜を成膜させて加工、熱処理
などのプロセスを繰り返して所定の集積回路を形成し、
これを個々のチップにダイシングし、封止して完成す
る。
【０００３】このような半導体集積回路の完成に至るま
での工程においては、半導体ウエハの表面処理に伴っ
て、その裏面には熱酸化膜、ＣＶＤ膜等複数の積層膜が
形成される。したがって、ダイボンディング時にリード
フレームのダイパッドとのオーミック接触を得るため
に、また、所定のパッケージ厚に適合させるために、ウ
エハプロセスの最終工程において半導体ウエハの裏面を
研削している。
での工程においては、半導体ウエハの表面処理に伴っ
て、その裏面には熱酸化膜、ＣＶＤ膜等複数の積層膜が
形成される。したがって、ダイボンディング時にリード
フレームのダイパッドとのオーミック接触を得るため
に、また、所定のパッケージ厚に適合させるために、ウ
エハプロセスの最終工程において半導体ウエハの裏面を
研削している。
【０００４】この半導体ウエハの裏面研削は、ウエハ処
理工程の完了した半導体ウエハの表面に表面保護シート
を貼着して裏面研削機のステージに真空吸着によって固
定し、このステージおよび研削用砥石を回転させて行う
ものである。
理工程の完了した半導体ウエハの表面に表面保護シート
を貼着して裏面研削機のステージに真空吸着によって固
定し、このステージおよび研削用砥石を回転させて行う
ものである。
【０００５】そして、このときに発生する研削熱の冷却
と研削屑の洗浄を目的として、研削水である超純水を研
削用砥石の中央部より噴射している。さらに、最終の仕
上げとして、研削完了後においてもノズルによって超純
水を噴射し、洗浄している。
と研削屑の洗浄を目的として、研削水である超純水を研
削用砥石の中央部より噴射している。さらに、最終の仕
上げとして、研削完了後においてもノズルによって超純
水を噴射し、洗浄している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような半
導体集積回路装置の製造方法では、次のような問題点が
発生していた。
導体集積回路装置の製造方法では、次のような問題点が
発生していた。
【０００７】すなわち、半導体ウエハに数千ボルトとい
う静電電圧の静電気が帯電し、電極の溶断、ｐｎ接合破
壊、酸化膜破壊等といった半導体素子の破壊が発生する
というものである。さらに、含有された不純物濃度をコ
ントロールすることで高い抵抗値を得ることができる多
結晶シリコンにおいては、この静電気のために抵抗値が
変化してしまい、その結果、形成された半導体素子の特
性に変動をもたらすというものである。
う静電電圧の静電気が帯電し、電極の溶断、ｐｎ接合破
壊、酸化膜破壊等といった半導体素子の破壊が発生する
というものである。さらに、含有された不純物濃度をコ
ントロールすることで高い抵抗値を得ることができる多
結晶シリコンにおいては、この静電気のために抵抗値が
変化してしまい、その結果、形成された半導体素子の特
性に変動をもたらすというものである。
【０００８】そこで、本発明の目的は、半導体ウエハの
裏面研削時において静電気の発生を排除し、半導体ウエ
ハに形成された半導体素子の破壊や特性変動を未然に防
止することのできる技術を提供することにある。
裏面研削時において静電気の発生を排除し、半導体ウエ
ハに形成された半導体素子の破壊や特性変動を未然に防
止することのできる技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、次の通
りである。
【００１１】すなわち、本発明の半導体集積回路装置の
製造方法は、電気比抵抗の低い超純水を用いて半導体ウ
エハの裏面研削を行うものである。この場合、前記超純
水の電気比抵抗は、ＣＯ2 ガスが添加されることによっ
て低減されているものとすることができる。
製造方法は、電気比抵抗の低い超純水を用いて半導体ウ
エハの裏面研削を行うものである。この場合、前記超純
水の電気比抵抗は、ＣＯ2 ガスが添加されることによっ
て低減されているものとすることができる。
【００１２】また、これらの場合においては、前記超純
水の電気比抵抗が１ＭΩcm以下であることが望ましい。
水の電気比抵抗が１ＭΩcm以下であることが望ましい。
【００１３】
【作用】上記のような半導体集積回路装置の製造方法に
よれば、超純水の電気比抵抗を、たとえば１ＭΩcm以下
と低くすることによって、半導体ウエハの裏面研削時に
おける静電気の発生を防止し、形成された半導体素子の
破壊を未然に防止することが可能になる。同様に、静電
気の発生を防止することによって、高抵抗多結晶シリコ
ンの半導体素子の特性変動を防止することが可能にな
る。
よれば、超純水の電気比抵抗を、たとえば１ＭΩcm以下
と低くすることによって、半導体ウエハの裏面研削時に
おける静電気の発生を防止し、形成された半導体素子の
破壊を未然に防止することが可能になる。同様に、静電
気の発生を防止することによって、高抵抗多結晶シリコ
ンの半導体素子の特性変動を防止することが可能にな
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいてさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
【００１５】図１は半導体ウエハに対する静電気の静電
電圧の値を示した図、図２は多結晶シリコンにおける電
流変化率の値を示した図、そして図３は本発明の一実施
例である半導体集積回路装置の製造方法を示す断面図で
ある。
電圧の値を示した図、図２は多結晶シリコンにおける電
流変化率の値を示した図、そして図３は本発明の一実施
例である半導体集積回路装置の製造方法を示す断面図で
ある。
【００１６】本発明者は、従来の半導体ウエハの裏面研
削の技術について種々検討を重ね、その結果、半導体ウ
エハに静電気が帯電する原因、および、多結晶シリコン
の抵抗値が変化する原因を究明することができた。
削の技術について種々検討を重ね、その結果、半導体ウ
エハに静電気が帯電する原因、および、多結晶シリコン
の抵抗値が変化する原因を究明することができた。
【００１７】すなわち、半導体ウエハの裏面研削に使用
される超純水の電気比抵抗は１５〜１８ＭΩcmであり、
その水圧は、研削時に研削用砥石の中央部より噴射する
場合が1.５〜3.０×１０5 Ｐａ、研削後のクリーニング
のためにノズルより噴射する場合が3.０〜4.０×１０5
Ｐａである。そして、この高い電気比抵抗、且つ高い水
圧の超純水によって、洗浄される半導体ウエハに静電気
が帯電して半導体素子が破壊され、さらには、多結晶シ
リコンの抵抗値が変化するというものである。
される超純水の電気比抵抗は１５〜１８ＭΩcmであり、
その水圧は、研削時に研削用砥石の中央部より噴射する
場合が1.５〜3.０×１０5 Ｐａ、研削後のクリーニング
のためにノズルより噴射する場合が3.０〜4.０×１０5
Ｐａである。そして、この高い電気比抵抗、且つ高い水
圧の超純水によって、洗浄される半導体ウエハに静電気
が帯電して半導体素子が破壊され、さらには、多結晶シ
リコンの抵抗値が変化するというものである。
【００１８】このときの計測データをグラフにしたもの
が図１および図２である。
が図１および図２である。
【００１９】まず、図１は半導体ウエハ１（図３）に対
する静電気の静電電圧の値を示したものであり、表面に
厚さ１μｍの熱酸化膜を成長させた半導体ウエハ１を試
料として用い、水圧をパラメータとして、超純水２（図
３）の電気比抵抗に対する静電気の静電電圧を表したも
のである。
する静電気の静電電圧の値を示したものであり、表面に
厚さ１μｍの熱酸化膜を成長させた半導体ウエハ１を試
料として用い、水圧をパラメータとして、超純水２（図
３）の電気比抵抗に対する静電気の静電電圧を表したも
のである。
【００２０】この図１から明らかなように、超純水２の
電気比抵抗が大きくなるに従って、また、水圧が高くな
るに従って、静電電圧が大きくなっていることが判る。
すなわち、半導体ウエハ１に発生する静電気の静電電圧
は超純水２の電気比抵抗および噴射される水圧に依存し
ているのである。
電気比抵抗が大きくなるに従って、また、水圧が高くな
るに従って、静電電圧が大きくなっていることが判る。
すなわち、半導体ウエハ１に発生する静電気の静電電圧
は超純水２の電気比抵抗および噴射される水圧に依存し
ているのである。
【００２１】次に、図２は多結晶シリコンにおける電流
変化率の値を示したものであり、５Ｖにおいて初期値2.
５×１０-11 Ａの高抵抗多結晶シリコンを試料として用
い、同様に、水圧をパラメータとして、超純水２の電気
比抵抗に対する多結晶シリコンの電流変化率の割合を表
したものである。この場合も、同様に超純水２の電気比
抵抗および噴射される水圧に依存していることが判る。
変化率の値を示したものであり、５Ｖにおいて初期値2.
５×１０-11 Ａの高抵抗多結晶シリコンを試料として用
い、同様に、水圧をパラメータとして、超純水２の電気
比抵抗に対する多結晶シリコンの電流変化率の割合を表
したものである。この場合も、同様に超純水２の電気比
抵抗および噴射される水圧に依存していることが判る。
【００２２】そして、本発明者はこれら図１および図２
から、超純水２の電気比抵抗が１ＭΩcm以下の領域では
静電気が発生せず、したがって半導体ウエハ１に形成さ
れた素子の破壊や、多結晶シリコンに形成された半導体
素子の特性変動が発生していないことを発見した。
から、超純水２の電気比抵抗が１ＭΩcm以下の領域では
静電気が発生せず、したがって半導体ウエハ１に形成さ
れた素子の破壊や、多結晶シリコンに形成された半導体
素子の特性変動が発生していないことを発見した。
【００２３】つまり、静電気は超純水の電気比抵抗が１
ＭΩcmになると急激に発生し、それから先は超純水２の
電気比抵抗および水圧に比例して静電電圧が大きくなる
が、１ＭΩcm以下の領域では、水圧とは無関係に静電電
圧がゼロ、すなわち静電気が発生しないということであ
る。また、高抵抗多結晶シリコンの特性についても、超
純水２の電気比抵抗が１ＭΩcm以下の領域では、水圧と
は無関係に、流れる電流は当初の設定値から殆ど変化し
ないということである。
ＭΩcmになると急激に発生し、それから先は超純水２の
電気比抵抗および水圧に比例して静電電圧が大きくなる
が、１ＭΩcm以下の領域では、水圧とは無関係に静電電
圧がゼロ、すなわち静電気が発生しないということであ
る。また、高抵抗多結晶シリコンの特性についても、超
純水２の電気比抵抗が１ＭΩcm以下の領域では、水圧と
は無関係に、流れる電流は当初の設定値から殆ど変化し
ないということである。
【００２４】そこで、本実施例における半導体集積回路
装置の製造方法は、電気比抵抗の低い超純水２を使用し
て半導体ウエハ１の裏面研削を行うものである。そし
て、この超純水２は、半導体素子の特性および信頼性な
どに影響のない添加物、たとえば高純度のＣＯ2 ガスを
バブリングにより混入することによって、電気比抵抗が
たとえば１ＭΩcm以下に低減されたものである。
装置の製造方法は、電気比抵抗の低い超純水２を使用し
て半導体ウエハ１の裏面研削を行うものである。そし
て、この超純水２は、半導体素子の特性および信頼性な
どに影響のない添加物、たとえば高純度のＣＯ2 ガスを
バブリングにより混入することによって、電気比抵抗が
たとえば１ＭΩcm以下に低減されたものである。
【００２５】次に、本実施例の半導体集積回路装置の製
造方法の作用について説明する。
造方法の作用について説明する。
【００２６】まず、図３（ａ）に示すような、表面に種
々の絶縁膜や金属膜を成膜させて加工、熱処理などのプ
ロセスを繰り返して複数の半導体チップ１ｂが形成さ
れ、一方、これによって裏面に熱酸化膜、ＣＶＤ等の複
数の積層膜１ａが約１〜３μｍの厚さに形成された半導
体ウエハ１の表面に、図３（ｂ）に示すように、たとえ
ば厚さ約１００〜３００μｍの、水溶性の接着剤が塗布
された表面保護シート３を貼着する。
々の絶縁膜や金属膜を成膜させて加工、熱処理などのプ
ロセスを繰り返して複数の半導体チップ１ｂが形成さ
れ、一方、これによって裏面に熱酸化膜、ＣＶＤ等の複
数の積層膜１ａが約１〜３μｍの厚さに形成された半導
体ウエハ１の表面に、図３（ｂ）に示すように、たとえ
ば厚さ約１００〜３００μｍの、水溶性の接着剤が塗布
された表面保護シート３を貼着する。
【００２７】次に、図３（ｃ）に示すように、この半導
体ウエハ１の表面側を下にして裏面研削機のステージ４
に真空吸着によって固定し、ステージ４および研削用砥
石５を回転させて半導体ウエハ１の裏面を所定の寸法ま
で研削する。このとき、発生する研削熱の冷却と研削屑
の洗浄を目的として、研削用砥石５の中央部より、たと
えば1.０〜3.０×１０5 Ｐａの水圧で超純水２を噴射す
る。
体ウエハ１の表面側を下にして裏面研削機のステージ４
に真空吸着によって固定し、ステージ４および研削用砥
石５を回転させて半導体ウエハ１の裏面を所定の寸法ま
で研削する。このとき、発生する研削熱の冷却と研削屑
の洗浄を目的として、研削用砥石５の中央部より、たと
えば1.０〜3.０×１０5 Ｐａの水圧で超純水２を噴射す
る。
【００２８】ここで、この噴射される超純水２は、前記
のように、半導体素子の特性および信頼性などに影響の
ない、たとえば高純度のＣＯ2 ガスがバブリングにより
混入されることでその電気比抵抗がたとえば１ＭΩcm以
下とされたものである。
のように、半導体素子の特性および信頼性などに影響の
ない、たとえば高純度のＣＯ2 ガスがバブリングにより
混入されることでその電気比抵抗がたとえば１ＭΩcm以
下とされたものである。
【００２９】そして、図３（ｄ）に示すように、最終の
仕上げとして、裏面研削の終了した半導体ウエハ１に対
して、たとえば3.０〜4.０×１０5 Ｐａの水圧でノズル
より超純水２を噴射して洗浄を行う。ここで用いられる
超純水２も、同様に、たとえば高純度のＣＯ2 ガスがバ
ブリングにより混入されることでその電気比抵抗がたと
えば１ＭΩcm以下とされたものである。
仕上げとして、裏面研削の終了した半導体ウエハ１に対
して、たとえば3.０〜4.０×１０5 Ｐａの水圧でノズル
より超純水２を噴射して洗浄を行う。ここで用いられる
超純水２も、同様に、たとえば高純度のＣＯ2 ガスがバ
ブリングにより混入されることでその電気比抵抗がたと
えば１ＭΩcm以下とされたものである。
【００３０】その後、裏面研削機のステージ４より半導
体ウエハ１を取り外し、さらに表面保護シート３を剥離
して、半導体ウエハ１の裏面研削工程が終了する。
体ウエハ１を取り外し、さらに表面保護シート３を剥離
して、半導体ウエハ１の裏面研削工程が終了する。
【００３１】このように、本実施例の半導体集積回路装
置の製造方法によれば、半導体ウエハ１の裏面研削に用
いられる超純水２に高純度のＣＯ2 ガスがバブリングに
より混入されることで、その電気比抵抗が１ＭΩcm以下
とされているので、水圧の如何にかかわらず静電気の発
生を防止することができる。
置の製造方法によれば、半導体ウエハ１の裏面研削に用
いられる超純水２に高純度のＣＯ2 ガスがバブリングに
より混入されることで、その電気比抵抗が１ＭΩcm以下
とされているので、水圧の如何にかかわらず静電気の発
生を防止することができる。
【００３２】したがって、半導体ウエハ１に形成された
半導体素子の電極の溶断、ｐｎ接合破壊、酸化膜破壊等
といった素子破壊を未然に防止することができる。さら
に、多結晶シリコンにおいても抵抗値が変化することな
く、形成された半導体素子の特性に変動をもたらすこと
がない。
半導体素子の電極の溶断、ｐｎ接合破壊、酸化膜破壊等
といった素子破壊を未然に防止することができる。さら
に、多結晶シリコンにおいても抵抗値が変化することな
く、形成された半導体素子の特性に変動をもたらすこと
がない。
【００３３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更が可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更が可能であることは言うまでもない。
【００３４】たとえば、本実施例においては、超純水の
電気比抵抗を下げる方法として、高純度のＣＯ2 ガスを
バブリング混入したが、形成された半導体素子の特性お
よび信頼性に影響のない添加物であれば、種々のものを
採用することができる。
電気比抵抗を下げる方法として、高純度のＣＯ2 ガスを
バブリング混入したが、形成された半導体素子の特性お
よび信頼性に影響のない添加物であれば、種々のものを
採用することができる。
【００３５】また、超純水の電気比抵抗値についても、
本実施例においては１ＭΩcm以下とされているが、水圧
の如何にかかわらず静電気の発生を防止することができ
る電気比抵抗値以下であればよい。
本実施例においては１ＭΩcm以下とされているが、水圧
の如何にかかわらず静電気の発生を防止することができ
る電気比抵抗値以下であればよい。
【００３６】さらに、以上の説明では、主として本発明
者によってなされた発明をその背景となった利用分野で
ある半導体集積回路装置の製造方法について説明した
が、それに限定されるものではなく、他の種々の静電気
障害が影響される物品を製造する分野に適用することが
可能である。
者によってなされた発明をその背景となった利用分野で
ある半導体集積回路装置の製造方法について説明した
が、それに限定されるものではなく、他の種々の静電気
障害が影響される物品を製造する分野に適用することが
可能である。
【００３７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【００３８】(1).すなわち、本発明の半導体集積回路装
置の製造方法によれば、半導体ウエハの裏面研削に用い
られる超純水が、たとえばＣＯ2 ガスがバブリングによ
り混入されることで、その電気比抵抗がたとえば１ＭΩ
cm以下と低くされているので、水圧の如何にかかわらず
静電気の発生を防止することができる。
置の製造方法によれば、半導体ウエハの裏面研削に用い
られる超純水が、たとえばＣＯ2 ガスがバブリングによ
り混入されることで、その電気比抵抗がたとえば１ＭΩ
cm以下と低くされているので、水圧の如何にかかわらず
静電気の発生を防止することができる。
【００３９】(2).したがって、半導体ウエハ上に形成さ
れた半導体素子の電極の溶断、ｐｎ接合破壊、酸化膜破
壊等といった素子破壊を未然に防止することが可能にな
る。
れた半導体素子の電極の溶断、ｐｎ接合破壊、酸化膜破
壊等といった素子破壊を未然に防止することが可能にな
る。
【００４０】(3).同様に、静電気の発生を防止すること
ができるので、高抵抗多結晶シリコンなどに形成された
半導体素子の特性変動を防止することが可能になる。
ができるので、高抵抗多結晶シリコンなどに形成された
半導体素子の特性変動を防止することが可能になる。
【００４１】(4).また、ＣＯ2 ガスが混入された超純水
によれば、形成された半導体素子の特性や信頼性に悪影
響を与えることもない。
によれば、形成された半導体素子の特性や信頼性に悪影
響を与えることもない。
【００４２】(5).さらに、静電気の発生を防止しつつも
噴射される超純水の水圧は従来通りの値を維持すること
ができるので、超純水による研磨屑の洗浄能力が低下す
ることはない。
噴射される超純水の水圧は従来通りの値を維持すること
ができるので、超純水による研磨屑の洗浄能力が低下す
ることはない。
【００４３】(6).これらにより、裏面研削した半導体ウ
エハの歩留りの向上や、品質の向上を図ることができ
る。
エハの歩留りの向上や、品質の向上を図ることができ
る。
【図１】半導体ウエハに対する静電気の静電電圧の値を
示した図である。
示した図である。
【図２】多結晶シリコンにおける電流変化率の値を示し
た図である。
た図である。
【図３】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
１ 半導体ウエハ １ａ 積層膜 １ｂ 半導体チップ ２ 超純水 ３ 表面保護シート ４ ステージ ５ 研削用砥石
Claims (3)
- 【請求項１】 電気比抵抗の低い超純水を用いて半導体
ウエハの裏面研削を行うことを特徴とする半導体集積回
路装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記超純水の電気比抵抗は、ＣＯ2 ガス
が添加されることによって低減されていることを特徴と
する請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記超純水の電気比抵抗は１ＭΩcm以下
であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体
集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19100793A JPH0745569A (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19100793A JPH0745569A (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745569A true JPH0745569A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16267327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19100793A Pending JPH0745569A (ja) | 1993-08-02 | 1993-08-02 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745569A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6852241B2 (en) | 2001-08-14 | 2005-02-08 | Lexmark International, Inc. | Method for making ink jet printheads |
| KR100785433B1 (ko) * | 2000-07-11 | 2007-12-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정처리방법 및 세정처리장치 |
| JP2009145827A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Tsukuba Semi Technology:Kk | マスク洗浄装置及びマスク洗浄方法 |
| JP2019121630A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法および加工装置 |
-
1993
- 1993-08-02 JP JP19100793A patent/JPH0745569A/ja active Pending
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