JP4734315B2 - マスク洗浄装置及びマスク洗浄方法 - Google Patents
マスク洗浄装置及びマスク洗浄方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4734315B2 JP4734315B2 JP2007325851A JP2007325851A JP4734315B2 JP 4734315 B2 JP4734315 B2 JP 4734315B2 JP 2007325851 A JP2007325851 A JP 2007325851A JP 2007325851 A JP2007325851 A JP 2007325851A JP 4734315 B2 JP4734315 B2 JP 4734315B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- mask
- resist
- machine
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 22
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明は、レジスト剥離後に静電気により再付着したゴミを洗浄するマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法に関するものである。
使用済みのフォトマスクの洗浄方法としては、酸素等のガスをプラズマ化したり、高濃度のオゾン水を利用したりして、マスクの表面や端面などに付着したフォトレジストを剥離している。
特許文献１に記載されているように、ドライエッチング後に、基板に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウェット剥離する工程を具備したレジスト剥離方法及び剥離装置の発明も公開されている。
特開２００２−３５３１９６号公報
しかしながら、ドライアッシングやウェット剥離の工程を経た後でも、洗浄に伴うバルブ動作が繰り返されると、一旦離れたゴミが静電気で引き寄せられて再度付着してしまうことがある。
そこで、本発明は、レジスト剥離後に、静電気で引き寄せられて再付着したゴミを洗浄するためのマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法を提供することを目的とするものである。
本発明は、上記の課題を解決するために、プラズマアッシャーでマスクからレジストを剥離するドライ洗浄機７と、前記ドライ洗浄機でレジストを剥離した後、マスクにオゾン水をかけながら２２２ｎｍＵＶ光を照射してレジストを除去するオゾン水洗浄機８と、前記オゾン水洗浄機で洗浄した後、薬剤とブラシによりパーティクルを除去するＳＣ−１洗浄機９と、前記ＳＣ−１洗浄機で洗浄した後、１７２ｎｍＵＶ光を照射してレジスト残渣及びフッ素樹脂のパーティクルを除去するＵＶ洗浄機１０と、前記ＵＶ洗浄機で洗浄した後、オゾン水と純水でマスクを濯ぐ最終洗浄機１１と、前記最終洗浄機で洗浄した後、加温又は冷却することによりマスクを乾燥させる乾燥機１２とからなることを特徴とするマスク洗浄装置１の構成とした。
本発明は、以上の構成であるから以下の効果が得られる。第１に、波長が１７２ｎｍのＵＶ光を照射することにより、フッ素樹脂のパーティクルを除去することができる。
第２に、純水に二酸化炭素を添加することにより抵抗を減らし、バルブ動作に伴って発生するパーティクルを抑えることができる。
本発明は、レジスト剥離後に静電気で引き寄せられて再付着したゴミを洗浄するという目的を、プラズマアッシャーでマスクからレジストを剥離するドライ洗浄機と、前記ドライ洗浄機でレジストを剥離した後、マスクにオゾン水をかけながら２２２ｎｍＵＶ光を照射してレジストを除去するオゾン水洗浄機と、前記オゾン水洗浄機で洗浄した後、薬剤とブラシによりパーティクルを除去するＳＣ−１洗浄機と、前記ＳＣ−１洗浄機で洗浄した後、１７２ｎｍＵＶ光を照射してレジスト残渣及びフッ素樹脂のパーティクルを除去するＵＶ洗浄機と、前記ＵＶ洗浄機で洗浄した後、オゾン水と純水でマスクを濯ぐ最終洗浄機と、前記最終洗浄機で洗浄した後、加温又は冷却することによりマスクを乾燥させる乾燥機とからなることを特徴とするマスク洗浄装置により実現した。
以下に、添付図面に基づいて、本発明であるマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法について詳細に説明する。図１は、本発明であるマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法における装置の構成を示す図である。
マスク洗浄装置１は、導入部２、反転機３、搬送機４、中継部５、移送機６、ドライ洗浄機７、オゾン水洗浄機８、ＡＰＭ洗浄機９、ＵＶ洗浄機１０、最終洗浄機１１、乾燥機１２、反転機１３、及び排出部１４等からなる。
導入部２は、ロードポートに洗浄を行うマスクが搬入される。尚、マスクは、表面を下に向けた状態で搬入される。
反転機３は、表面が上を向くように反転させるマスクフリッパーを備えており、ロードポートのマスクを掴み、反転させて搬送機４に渡す。
搬送機４は、ＥＦＥＭ（フロントエンドモジュール装置）により制御され、反転したマスクを中継部５に送る。また、中継部５に帰ってきた洗浄済みマスクを反転機１３に送る作業も行う。
中継部５は、搬送機４から移送機６へマスクをロードしたり、移送機６から搬送機４へマスクをアンロードするためのバッファーである。即ち、搬送機４と移送機６の間でマスクをスムーズに中継するための緩衝装置である。
移送機６は、ＥＦＥＭにより、中継部５からドライ洗浄機７、オゾン水洗浄機８、ＡＰＭ洗浄機９、ＵＶ洗浄機１０、最終洗浄機１１、乾燥機１２の順にマスクを送り、中継部５に返す。
ドライ洗浄機７は、プラズマガスを用いたプラズマアッシャーによる洗浄を行う装置である。
オゾン水洗浄機８は、オゾンと純水を用いた洗浄、及び波長が２２２ｎｍのＵＶ（紫外）光を照射する洗浄を行う装置である。
ＳＣ−１洗浄機９は、水酸化アンモニウム、過酸化水素及び水の薬液を使用するＡＰＭ洗浄、水素と純水による洗浄、加温した純水による洗浄、及びブラシによる洗浄を行う装置である。
ＵＶ洗浄機１０は、波長が１７２ｎｍのＵＶ（紫外）光を照射する洗浄を行う装置である。
最終洗浄機１１は、オゾンと純水を用いた洗浄、及び純水による洗浄を行う装置である。
乾燥機１２は、加熱による乾燥、及び冷却による乾燥を行う装置である。
反転機１３は、表面が下を向くように反転させるマスクフリッパーを備えており、搬送機４から受け取ったマスクを、反転させてアンロードポートに置く。
排出部１４は、アンロードポートから洗浄済みのマスクが搬出される。
図２は、本発明であるマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法における工程の流れを示す図である。
マスク洗浄方法１５は、導入工程１６、ドライ洗浄工程１７、オゾン水洗浄工程１８、ＡＰＭ洗浄工程１９、ＵＶ洗浄工程２０、最終洗浄工程２１、乾燥工程２２、及び排出工程２３からなる。
導入工程１６は、搬送手段により、各洗浄工程にマスクを送る工程である。即ち、導入部２のマスクを反転機３で反転させて搬送機４に渡し、中継部５を介して移送機６に送る。移送機６は、各洗浄機に対しマスクの受け渡しを行う。
ドライ洗浄工程１７は、水及び酸素によるプラズマアッシングにより、マスクの表面及び端面のレジストを剥離する。マスク上のクロムの反射率変動を抑えつつ、高いレジスト除去率を実現することができる。
オゾン水洗浄工程１８は、オゾン水によりアッシングした残渣を洗い流す。また、波長が２２２ｎｍのＵＶ（紫外）光を照射して、ＳＯ２ なども除去する。
尚、２２２ｎｍのＵＶ（紫外）光を組み合わせると、エッチングレートがＦＥＰレジストで３３から１４７ｎｍ／ｍｉｎと５倍になり、ＩＰレジストで１０９から２３６ｎｍ／ｍｉｎと２倍になり、ＺＥＰレジストで６から９０ｎｍ／ｍｉｎと１５倍になり、ＮＥＢレジストで７から４６ｎｍ／ｍｉｎと７倍になる。
ＳＣ−１洗浄工程１９は、薬液によりパーティクルやＮＨ３ などを除去する。また、水素水洗浄、温水洗浄、ブラシ洗浄なども組み合わせる。
ＵＶ洗浄工程２０は、波長が１７２ｎｍのＵＶ（紫外）光を照射して、レジスト残渣やフッ素樹脂などのパーティクルを除去する。
最終洗浄工程２１は、オゾン水をかけた後、純水で濯ぐ。
乾燥工程２２は、加熱又は冷却することによりマスクを乾燥させる。
排出工程２３は、乾燥工程２２まで終えたマスクを回収して排出する工程である。即ち、移送機６から中継部５を介して搬送機４まで送られたマスクを反転機１３で受け取り、反転させて排出部１４から搬出する。
図３は、本発明であるマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法において、レジストの分解に要するエネルギーの量を示す図である。
洗浄後のマスクに残っているＮＥＢレジストの成分は、主として、ＣＨ２Ｎ、ＣＨ２ＯＲ、Ｃ６Ｈ６などである。尚、ＣＨ２Ｎの結合エネルギーは２１２ＫＪ／ｍｏｌ、ＣＨ２ＯＲの結合エネルギーは３７８ＫＪ／ｍｏｌ、Ｃ６Ｈ６の結合エネルギーは４６４ＫＪ／ｍｏｌである。
ＮＥＢレジストの残渣については、結合エネルギー以上のエネルギーを与えれば、分解され、容易に落とすことが可能となる。
また、バルブ動作に伴い、ＰＦＡやＰＴＦＥなどのテフロン（登録商標）系のフッ素樹脂の粒子がマスクに付着してしまう。尚、フッ素樹脂の結合エネルギーは、４８７ＫＪ／ｍｏｌである。
即ち、洗浄後のマスク上に残ったゴミは、５００ＫＪ以上のエネルギーを与えれば、分解することが可能である。波長が１７２ｎｍのＵＶ（紫外）光は、エネルギーが６９６ＫＪ／ｍｏｌであり、ゴミの洗浄に適する。
図４は、本発明であるマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法において、１７２ｎｍのＵＶ光を照射したときのレジスト残渣のパーティクル数を示した図である。
図４に示すように、ＮＥＢレジスト剥離後のマスクに対し、４０ｍＷの波長が１７２ｎｍのＵＶ光を照射すると、残渣が６３３個から９５個に減少し、８５％の残渣が除去されたことが分かる。
また、ＩＰレジスト剥離後の基板に対し、４０ｍＷの波長が１７２ｎｍのＵＶ光を１０分間照射し水洗いすると、残渣が９７個から４５個に減少し、５４％の残渣を除去することができる。
図５は、本発明であるマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法において、純水のみでバルブ動作させた場合のパーティクル数を時系列で示した図である。
図に示すように、バルブのＯＮ／ＯＦＦを切り替えたり、バルブ振動を与えたりすると、パーティクル数が大きく増加する。
図６は、本発明であるマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法において、純水に二酸化炭素を添加した状態でバルブ動作させた場合のパーティクル数を時系列で示した図である。
純水は抵抗が高いので、パーティクルも多くなる傾向にある。そこで、純水に二酸化炭素を添加し、抵抗を１７．６ＭΩから０．１ＭΩまで下げる。
図に示すように、バルブのＯＮ／ＯＦＦを切り替えたり、バルブ振動を与えたりすると、パーティクル数が若干増加するが、洗浄によりほぼ除去することが可能である。即ち、純水に二酸化酸素を添加することにより、バルブ動作等による影響はほとんどなくなり、安定した状態にすることができる。
１ マスク洗浄装置
２ 導入部
３ 反転機
４ 搬送機
５ 中継部
６ 移送機
７ ドライ洗浄機
８ オゾン水洗浄機
９ ＳＣ−１洗浄機
１０ ＵＶ洗浄機
１１ 最終洗浄機
１２ 乾燥機
１３ 反転機
１４ 排出部
１５ マスク洗浄方法
１６ 導入工程
１７ ドライ洗浄工程
１８ オゾン水洗浄工程
１９ ＳＣ−１洗浄工程
２０ ＵＶ洗浄工程
２１ 最終洗浄工程
２２ 乾燥工程
２３ 排出工程
２ 導入部
３ 反転機
４ 搬送機
５ 中継部
６ 移送機
７ ドライ洗浄機
８ オゾン水洗浄機
９ ＳＣ−１洗浄機
１０ ＵＶ洗浄機
１１ 最終洗浄機
１２ 乾燥機
１３ 反転機
１４ 排出部
１５ マスク洗浄方法
１６ 導入工程
１７ ドライ洗浄工程
１８ オゾン水洗浄工程
１９ ＳＣ−１洗浄工程
２０ ＵＶ洗浄工程
２１ 最終洗浄工程
２２ 乾燥工程
２３ 排出工程
Claims (3)
- プラズマアッシャーでマスクからレジストを剥離するドライ洗浄機と、
前記ドライ洗浄機でレジストを剥離した後、マスクにオゾン水をかけながら２２２ｎｍＵＶ光を照射してレジストを除去するオゾン水洗浄機と、
前記オゾン水洗浄機で洗浄した後、薬剤とブラシによりパーティクルを除去するＳＣ−１洗浄機と、
前記ＳＣ−１洗浄機で洗浄した後、１７２ｎｍＵＶ光を照射してレジスト残渣及びフッ素樹脂のパーティクルを除去するＵＶ洗浄機と、
前記ＵＶ洗浄機で洗浄した後、オゾン水と純水でマスクを濯ぐ最終洗浄機と、
前記最終洗浄機で洗浄した後、加温又は冷却することによりマスクを乾燥させる乾燥機とからなることを特徴とするマスク洗浄装置。 - 請求項１に記載のマスク洗浄装置を用いて、レジスト残渣及びパーティクルを除去することを特徴とするマスク洗浄方法。
- 純水に二酸化炭素を添加して抵抗を減らすことにより、パーティクルの発生を抑えたことを特徴とする請求項２に記載のマスク洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007325851A JP4734315B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | マスク洗浄装置及びマスク洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007325851A JP4734315B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | マスク洗浄装置及びマスク洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009145827A JP2009145827A (ja) | 2009-07-02 |
| JP4734315B2 true JP4734315B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=40916446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007325851A Expired - Fee Related JP4734315B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | マスク洗浄装置及びマスク洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4734315B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5371854B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2013-12-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2011206720A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Hitachi High-Technologies Corp | ドライ完結型有機ｅｌ用マスククリーナ装置及びそのためのマスククリーニング方法 |
| KR101394458B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2014-05-14 | 세메스 주식회사 | 버퍼 유닛, 기판 처리 설비 그리고 기판 처리 방법 |
| US20170017151A1 (en) * | 2014-03-11 | 2017-01-19 | Shibaura Mechatronics Corporation | Reflective mask cleaning apparatus and reflective mask cleaning method |
| CN106200259B (zh) * | 2016-07-15 | 2019-08-06 | 常州瑞择微电子科技有限公司 | 低硫酸根残留浓度的光掩模清洗工艺 |
| US10636655B2 (en) * | 2018-03-19 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Methods for asymmetric deposition of metal on high aspect ratio nanostructures |
| KR102567863B1 (ko) * | 2021-01-14 | 2023-08-18 | (주)인터체크 | 스크러버를 이용한 레티클 세정장치 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6247643A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-02 | Toshiba Corp | フオトマスク洗浄装置 |
| JPH0745569A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-02-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH07104460A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Hitachi Ltd | 薄板の洗浄方法 |
| JP2002353196A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Shibaura Mechatronics Corp | レジスト剥離方法及び剥離装置 |
| JP2004101868A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Hitachi Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JP2004193455A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 処理装置および処理方法 |
| JP2005223184A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Nippon Zeon Co Ltd | 洗浄液及びその利用 |
| JP2007057821A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | マスク欠陥修正方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007227813A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Tsukuba Semi Technology:Kk | フォトレジストの剥離及び清浄方法 |
| JP2007329216A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Canon Inc | 近接場露光方法、近接場露光装置 |
-
2007
- 2007-12-18 JP JP2007325851A patent/JP4734315B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6247643A (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-02 | Toshiba Corp | フオトマスク洗浄装置 |
| JPH0745569A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-02-14 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH07104460A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Hitachi Ltd | 薄板の洗浄方法 |
| JP2002353196A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-06 | Shibaura Mechatronics Corp | レジスト剥離方法及び剥離装置 |
| JP2004101868A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Hitachi Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JP2004193455A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sharp Corp | 処理装置および処理方法 |
| JP2005223184A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Nippon Zeon Co Ltd | 洗浄液及びその利用 |
| JP2007057821A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | マスク欠陥修正方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007227813A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-06 | Tsukuba Semi Technology:Kk | フォトレジストの剥離及び清浄方法 |
| JP2007329216A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Canon Inc | 近接場露光方法、近接場露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009145827A (ja) | 2009-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4734315B2 (ja) | マスク洗浄装置及びマスク洗浄方法 | |
| WO2007030476A2 (en) | Apparatus and methods for mask cleaning | |
| TWI377453B (en) | Process sequence for photoresist stripping and/or cleaning of photomasks for integrated circuit manufacturing | |
| JP3185753B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2009543344A (ja) | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 | |
| JP2009506538A (ja) | シリコン表面の調製 | |
| JP2009506538A5 (ja) | ||
| JP3631775B2 (ja) | 自動洗浄の方法およびシステム | |
| JP2000070885A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
| JP2006295189A (ja) | 半導体基板処理装置、半導体基板洗浄装置及び方法 | |
| JP2002118085A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US7731800B2 (en) | Systems and methods for single integrated substrate cleaning and rinsing | |
| JP3125753B2 (ja) | 基板の洗浄方法および基板洗浄装置 | |
| WO2011089673A1 (ja) | 超音波洗浄方法 | |
| JP3445765B2 (ja) | 半導体素子形成用基板表面処理方法 | |
| KR100602115B1 (ko) | 습식 세정장치 및 세정방법 | |
| JP2010056208A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| CN106324983A (zh) | 一种新型的掩模清洗方法 | |
| JP4700224B2 (ja) | レジスト剥離装置 | |
| JP2004296463A (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP2007123769A (ja) | Ｆｏｕｐ洗浄乾燥装置及びｆｏｕｐ洗浄乾燥方法 | |
| JP2001203182A (ja) | 物品表面の清浄化方法およびそのための清浄化装置 | |
| KR100780353B1 (ko) | 기판의 건식 세정공정 | |
| JP2001179198A (ja) | 乾式洗浄装置 | |
| TW202146126A (zh) | 去除基板上的顆粒或光刻膠的方法及裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100730 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100731 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110121 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110127 |
|
| R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110425 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110513 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110513 |
|
| A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20110927 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |