JP2005223184A - 洗浄液及びその利用 - Google Patents
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Abstract
Description
更に、デバイスの高集積化、多層化、微細化に伴い、表面段差の増大を低減するために、層間絶縁膜の平坦化のため、化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing;以下、CMPという場合がある)処理が導入されている。特に、マイクロエレクトロメカニカル(MEMS)技術の発展に伴い、微小デバイスの製造が実現されるに至り、平坦化が重要となっている。
CMP処理後の基板表面は、化学的機械的研磨剤からの研磨剤(砥粒)残渣や研磨により生じた基板表面物質などの微小汚染物により汚染されており、速やかに除去する必要がある。このような微小汚染物を除去するための洗浄液として、界面活性剤を含む水系の洗浄液が多く知られている(特開2001−7071号公報、特開2002−69492号公報など)。
水系ではない洗浄液としてハイドロフルオロエーテルを用いて十分な洗浄効果を得るために、基板回転及び超音波振動を付与することが提案されている(特開2002−124504号公報)。こうした回転や振動を利用する方法は、装置を要するため経済性や簡便性に欠ける。
ハイドロフルオロエーテル以外の弗素系溶剤であるトリハイドロフルオロカーボンは、オイル類、グリース類、ワックス類、接着剤、油脂類、離型剤、手あか、ハンダ付け後のフラックス(主にロジン)、レジスト、ソルダーペーストなどの各種有機材料を除去するための洗浄成分として有用であることが知られている(特開平10−316596号公報)。
本発明に用いる弗素系溶剤は、常圧、常温で液体の弗素原子を含有する化合物であり、1つの酸素原子を有していても良い部分弗素化炭化水素が好ましい。また、この弗素系溶剤は、後述する界面活性剤を溶解するものである。
部分弗素化炭化水素は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。また、部分弗素化炭化水素は、飽和、不飽和のいずれであっても良いが、環境安全性、引火点から飽和のものが好ましい。弗素系溶剤は単独で使用しても、2種以上適宜組み合わせて用いても良い。
弗素系溶剤の中でも、乾燥効率と操作性がバランスされることから、常圧での沸点が、好ましくは40〜95℃、より好ましくは60〜90℃である。
また、弗素系溶剤は1種類を単独で用いても、2種類以上を組み合わせて用いても良い。
非イオン性界面活性剤としては、公知の高級アルコール等のエチレンオキシド・プロピレンオキシド付加物、多価アルコールの脂肪酸エステル、エステル・エーテル型、脂肪酸アルカノールアミドなどが挙げられる。
非イオン性界面活性剤としては、大日本インキ化学工業社製の界面活性剤メガファックシリーズ(F−177、F−443、F−470、F−472SF、R−08、R−30等)、三菱マテリアル社製EFシリーズ(122C、351、352、802等)、ネオス社製フタージェントシリーズ(250、251等)、ネオス社製FTXシリーズ(209F、208G、204D、207X等)等の弗素系非イオン性界面活性剤;日本乳化剤社製の界面活性剤ニューコールシリーズ(2308、2302、3‐85、723SF等)や、竹本油脂社製の界面活性剤パイオニンシリーズ(D−206、D−208−K、D−6112等)等の弗素原子を含有しない非イオン性界面活性剤;が挙げられる。
これら界面活性剤の使用量は、洗浄液全量の通常10重量%以下、好ましくは0.00001〜5重量%、特に好ましくは0.0001〜1重量%である。
有機溶剤としては以下のものが例示される。
アルコール類としては、例えばエタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、s−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、イソペンタノール、n−ヘキサノール、イソヘキサノール、n−ヘプタノール、n−オクタノール、メチルプロパノール、メチルブタノール、メチルペンタノール、2,2−ジメチル−3−ペンタノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、2−エチルヘキサノール、3−オクタノール、シクロブタノール、シクロペンタノール、2−メチルシクロペンタノール、シクロブタンメタノール、シクロプロピルカルビノール、シクロプロピルメチルカルビノール、2−メチルシクロヘキサノール、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシクロヘキサノール、2−シクロへキシルエタノール、3−シクロヘキシル−1−プロパノール等の脂肪族炭化水素系アルコール類;3−ヒドロキシ−3−メチル−2−ブタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、3−アセチル−1−プロパノール、乳酸エチル、エチル2−ヒドロキシイソブチレートなどの水酸基以外の極性基をも含有するアルコール類;3−メトキシ−1−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノn−ブチルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチレングリコールn−へキシルエーテル、エチレングリコールモノ2−エチルへキシルエーテル、エチレングリコールモノアリルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノn−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノへキシルエーテル、ジエチレングリコールモノ2−エチルへキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレンモノn−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、グリシドール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、テトラヒドロピラン−2−メタノール、2−メトキシシクロヘキサノール、5−エチル−1,3−ジオキサン−5−メタノール等の脂肪族エーテルアルコール類;が挙げられる。
本発明の洗浄液は、各成分を混合して、溶解させることによって調製される。調製方法に格別な制限はなく、各成分を同時に容器へ投入しても、任意の順番で投入しても良い。
本発明の洗浄方法に用いる洗浄液の温度に格別な制限はないが、弗素系溶剤の融点や沸点を考慮して調整すればよく、通常は20℃以上、好ましくは25℃〜70℃、より好ましくは25〜60℃である。この範囲であれば、蒸発ロスと汚染物の除去性能とをバランスさせることができる。
ここで無機物とは、基板に由来する金属(その酸化物等を含む)や絶縁材料等からなる微小汚染物、又は、研磨剤成分に含まれる微小金属不純物などの研磨剤残渣に代表される無機物であり、具体的には、Si、SiC、GaAs、石英ガラス、セラミックス、シリカ、アルミナ、チタニア、セリア、ジルコニア、有機無機複合研磨剤である。また、本発明において無機物を主成分とする微小汚染物とは、無機物の含有量が50重量%以上のものを言う。無機物の含有量が70重量%以上のものにも著効を示す。
基板としては、ガラス基板や化学的機械的研磨処理された半導体基板やシリコンウエハなどの配線を形成する前の基板そのものであっても、金属配線や層間絶縁膜が形成された(多層)配線基板であってもよい。半導体基板が(多層)配線基板である場合、その表面には、金属配線が形成されていても層間絶縁膜が形成されていても良い。
こうした研磨工程によって、基板上に微小汚染物が生じる。
直径4インチのシリコンウエハに炭素含有シリコン酸化膜を気相成長法により約5000Å成膜した後、化学的機械的研磨剤としてシリカ粒子(粒径0.3μm)を分散させた水溶液(スラリー)に浸漬し、回転乾燥して、シリカ粒子と削れたウエハ表面の炭素含有シリコン酸化膜が存在する粒子汚染ウエハを作成した。このウエハ全体にある、粒径が0.2μm以上の粒子を対象とし、ウエハ表面検査装置Surfscan4500(KLAテンコール製)を使って粒子数を測定したところ、ウエハ上の粒子数は1×104個であった。
上記で調製した粒子汚染ウエハに、35℃に保持した表1記載の組成の洗浄液を、噴霧法により2分間接触させて洗浄した。その後、1,1,2,2,3,3,4−ヘプタフルオロシクロペンタンを噴霧法により30秒間接触させ、次いで高速スピン乾燥して得られたウエハについて、前述と同様の方法で粒径が0.2μm以上の粒子数を測定した。結果を表1に示す。
Claims (9)
- 無機物を主成分とする微小汚染物を基板から除去することのできる洗浄液であって、当該洗浄液が弗素系溶剤と界面活性剤とを含有することを特徴とする洗浄液。
- 界面活性剤が、非イオン性界面活性剤である請求項1記載の洗浄液。
- 界面活性剤が、弗素原子を含有するものである請求項2記載の洗浄液。
- 前記弗素系溶剤が、1つの酸素原子を有していても良い部分弗素化炭化水素である請求項1に記載の洗浄液。
- 更に弗素系溶剤以外の有機溶剤を含有する請求項1記載の洗浄液。
- 基板表面に、請求項1〜7のいずれかに記載の洗浄液を、20℃以上で接触させることを特徴とする基板の洗浄方法。
- 前記基板が、デバイス製造工程における基板である、請求項8記載の基板の洗浄方法。
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