JP2009145827A - マスク洗浄装置及びマスク洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、プラズマアッシャーでマスクからレジストを剥離するドライ洗浄機と、前記ドライ洗浄機でレジストを剥離した後、マスクにオゾン水をかけながら222nmUV光を照射してレジストを除去するオゾン水洗浄機と、前記オゾン水洗浄機で洗浄した後、薬剤とブラシによりパーティクルを除去するSC−1洗浄機と、前記SC−1洗浄機で洗浄した後、172nmUV光を照射してレジスト残渣及びフッ素樹脂のパーティクルを除去するUV洗浄機と、前記UV洗浄機で洗浄した後、オゾン水と純水でマスクを濯ぐ最終洗浄機と、前記最終洗浄機で洗浄した後、加温又は冷却することによりマスクを乾燥させる乾燥機とからなることを特徴とするマスク洗浄装置の構成とした。
【選択図】図1
Description
2 導入部
3 反転機
4 搬送機
5 中継部
6 移送機
7 ドライ洗浄機
8 オゾン水洗浄機
9 SC−1洗浄機
10 UV洗浄機
11 最終洗浄機
12 乾燥機
13 反転機
14 排出部
15 マスク洗浄方法
16 導入工程
17 ドライ洗浄工程
18 オゾン水洗浄工程
19 SC−1洗浄工程
20 UV洗浄工程
21 最終洗浄工程
22 乾燥工程
23 排出工程
Claims (3)
- プラズマアッシャーでマスクからレジストを剥離するドライ洗浄機と、
前記ドライ洗浄機でレジストを剥離した後、マスクにオゾン水をかけながら222nmUV光を照射してレジストを除去するオゾン水洗浄機と、
前記オゾン水洗浄機で洗浄した後、薬剤とブラシによりパーティクルを除去するSC−1洗浄機と、
前記SC−1洗浄機で洗浄した後、172nmUV光を照射してレジスト残渣及びフッ素樹脂のパーティクルを除去するUV洗浄機と、
前記UV洗浄機で洗浄した後、オゾン水と純水でマスクを濯ぐ最終洗浄機と、
前記最終洗浄機で洗浄した後、加温又は冷却することによりマスクを乾燥させる乾燥機とからなることを特徴とするマスク洗浄装置。 - 請求項1に記載のマスク洗浄装置を用いて、レジスト残渣及びパーティクルを除去することを特徴とするマスク洗浄方法。
- 純水に二酸化炭素を添加して抵抗を減らすことにより、パーティクルの発生を抑えたことを特徴とする請求項2に記載のマスク洗浄方法。
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