JPH0230162A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0230162A JPH0230162A JP63180887A JP18088788A JPH0230162A JP H0230162 A JPH0230162 A JP H0230162A JP 63180887 A JP63180887 A JP 63180887A JP 18088788 A JP18088788 A JP 18088788A JP H0230162 A JPH0230162 A JP H0230162A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- wiring layer
- length
- semiconductor device
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の特にスクライブ領域の構造に関
するものである。
するものである。
［従来の技術］
従来のスクライブ領域に形成された金属配線層の残しパ
ターンは第２図のようになんら工夫もなく設置されてい
た。第２図は長さ４００μｍの縮小投影型露光装置で用
いるアライメントマークである。
ターンは第２図のようになんら工夫もなく設置されてい
た。第２図は長さ４００μｍの縮小投影型露光装置で用
いるアライメントマークである。
〔発明が解決しようとする課題）
しかし、前述の従来技術では、半導体基板上にマトリク
ス状に配置された半導体装置を切り離すグイシングツ程
において、グイシングツ−はスクライブ領域の中央部を
グイシングしていくのであるが、スクライブ領域に長い
金属配線層の残しパターンがあると、金属配線層そのも
のが軟かくまた粘っこいためにグイシングツ−にからみ
つきが生じ金属配線層は引っ張られる事により、引張ら
れた金属配線層が長い切り粉となって半導体装置の端に
存在する事によって、半導体装置のパッケージ工程にお
ける不良の原因となっていた。第３図に半導体装置の端
面に残っていた金属配線層の長い切り粉が、パッケージ
内でボンディング線と接触し電気的短絡を引き起こした
例を示した。
ス状に配置された半導体装置を切り離すグイシングツ程
において、グイシングツ−はスクライブ領域の中央部を
グイシングしていくのであるが、スクライブ領域に長い
金属配線層の残しパターンがあると、金属配線層そのも
のが軟かくまた粘っこいためにグイシングツ−にからみ
つきが生じ金属配線層は引っ張られる事により、引張ら
れた金属配線層が長い切り粉となって半導体装置の端に
存在する事によって、半導体装置のパッケージ工程にお
ける不良の原因となっていた。第３図に半導体装置の端
面に残っていた金属配線層の長い切り粉が、パッケージ
内でボンディング線と接触し電気的短絡を引き起こした
例を示した。
このようにスクライブ領域に形成された金属配線層の残
しパターンが最終的な半導体装置の歩留りを低下させる
原因になり本発明はこのような従来技術の問題点を解決
するものであり、その目的は金属配線層の長い切り粉の
発生をなくし歩留りの低下を防止する技術を提供するこ
とにある。
しパターンが最終的な半導体装置の歩留りを低下させる
原因になり本発明はこのような従来技術の問題点を解決
するものであり、その目的は金属配線層の長い切り粉の
発生をなくし歩留りの低下を防止する技術を提供するこ
とにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置は１００μｍ以上より長い金属配線
層の残しパターンを２つ以上に分解し、分解した金属配
線層の長さが１００μｍ以下である事を特徴とする。
層の残しパターンを２つ以上に分解し、分解した金属配
線層の長さが１００μｍ以下である事を特徴とする。
〔実 施 例］
第１図は本発明の実施例のスクライブ領域の平面図であ
る。
る。
スクライブ領域２に形成された金属配線層の残しパター
ンの縮小投影型露光装置用アライメントマークは４００
μｍの長さを２μｍスリットを入れて４分割して各々９
８μｍ〜９９μｍの長さにしたものであるにの構造によ
れば、金属配線層の残しパターンは１００μｍ以下にな
り、半導体装置を１つ１つに分割するグイシングツ−に
よるカット時において発生するグイシングツ−に金属配
線層の残しパターンが引っかかりからみつく現象は発生
する事はなくならないけれど、その度合が小さくなり半
導体装置に与える影響は小さくなった。特に金属配線層
の長い切り粉が発生していたものが１００μｍ以下にす
ることによって一つ一つの金属配線層は引っ張られてめ
くれはするが長い切り粉の発生はほとんどなくなった。
ンの縮小投影型露光装置用アライメントマークは４００
μｍの長さを２μｍスリットを入れて４分割して各々９
８μｍ〜９９μｍの長さにしたものであるにの構造によ
れば、金属配線層の残しパターンは１００μｍ以下にな
り、半導体装置を１つ１つに分割するグイシングツ−に
よるカット時において発生するグイシングツ−に金属配
線層の残しパターンが引っかかりからみつく現象は発生
する事はなくならないけれど、その度合が小さくなり半
導体装置に与える影響は小さくなった。特に金属配線層
の長い切り粉が発生していたものが１００μｍ以下にす
ることによって一つ一つの金属配線層は引っ張られてめ
くれはするが長い切り粉の発生はほとんどなくなった。
これにより後工程のパッケージ工程において発生してい
た金属配線層の長い切り粉が原因のポンディング線間の
短絡や半導体装置の上に切り粉が付着したままでパッケ
ージされる事により発生していた耐湿性劣化が減少し、
歩留りが向上したばかりでなく、長期信頼性も向上した
。
た金属配線層の長い切り粉が原因のポンディング線間の
短絡や半導体装置の上に切り粉が付着したままでパッケ
ージされる事により発生していた耐湿性劣化が減少し、
歩留りが向上したばかりでなく、長期信頼性も向上した
。
［発明の効果］
以上述べたように発明によれば、スクライブ領域に形成
された１００μｍ以上より長い金属配線層の残しパター
ンを２つ以上に分割し１００μｍ以下にすることにより
ダイシング工程における、金属配線層の長い切り粉の発
生を防止し、ボンデインク線の短絡を発生させなくなっ
て歩留りの低下を防ぎつるという効果を有する。また、
半導体装置の上に金属配線層の切り粉が付着したままパ
ッケージされる事もなくなることにより半導体装置の品
質の劣化も防止できるという効果も有するものである。
された１００μｍ以上より長い金属配線層の残しパター
ンを２つ以上に分割し１００μｍ以下にすることにより
ダイシング工程における、金属配線層の長い切り粉の発
生を防止し、ボンデインク線の短絡を発生させなくなっ
て歩留りの低下を防ぎつるという効果を有する。また、
半導体装置の上に金属配線層の切り粉が付着したままパ
ッケージされる事もなくなることにより半導体装置の品
質の劣化も防止できるという効果も有するものである。
また、本発明の効果は、実施例のアライメントマークの
みならず、スクライブ領に形成された金属配線の残しパ
ターンすべておいて同様の効果を有するものである。さ
らには１００μｍ以下の残しパターンであっても分割す
る事によりグイシング工程時に金属配線層が受ける影響
を低減することができ、半導体装置の品質はより向上す
るものである。また、分割後の長さも短かい程効果は大
きいものとなる。
みならず、スクライブ領に形成された金属配線の残しパ
ターンすべておいて同様の効果を有するものである。さ
らには１００μｍ以下の残しパターンであっても分割す
る事によりグイシング工程時に金属配線層が受ける影響
を低減することができ、半導体装置の品質はより向上す
るものである。また、分割後の長さも短かい程効果は大
きいものとなる。
第３図は従来技術の不良説明図。
金属配線層
スクライブ領域
金属配線層
金属配線層の切り粉
ボンディング線
半導体装置
ポンディングパッド
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（他１名）
第１図は本発明の実施例のスクライブ領域の平面図。
第２図は従来技術のスクライブ領域の平面図。
Claims (2)
- （１）スクライブ領域に形成された１００μｍ以上より
長く、かつ２つ以上に分割された金属配線層の残しパタ
ーンを有する事を特徴とする半導体装置。 - （２）分割された前記金属配線層の長さが１００μｍ以
下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180887A JPH0230162A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63180887A JPH0230162A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0230162A true JPH0230162A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16091071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63180887A Pending JPH0230162A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0230162A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5096855A (en) * | 1988-05-23 | 1992-03-17 | U.S. Philips Corporation | Method of dicing semiconductor wafers which produces shards less than 10 microns in size |
| JPH04102262A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-03 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置の同期信号再生装置 |
| US5206181A (en) * | 1991-06-03 | 1993-04-27 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device with a slotted metal test pad to prevent lift-off during wafer scribing |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63180887A patent/JPH0230162A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5096855A (en) * | 1988-05-23 | 1992-03-17 | U.S. Philips Corporation | Method of dicing semiconductor wafers which produces shards less than 10 microns in size |
| JPH04102262A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-03 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク装置の同期信号再生装置 |
| US5206181A (en) * | 1991-06-03 | 1993-04-27 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a semiconductor device with a slotted metal test pad to prevent lift-off during wafer scribing |
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