JPH0514513Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、集積回路が形成された半導体ウエハ
等の基板の切断予定線上に設けられる測定用パツ
ドに関するものである。

（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、例えば
第２図及び第３図１，２のようなものがあつた。
以下、その構成を説明する。

第２図は従来の測定用パツドを有する半導体ウ
エハの平面図、第３図１はその測定用パツドの拡
大平面図、及び第３図２は同図１の切断後の平面
図である。

第２図に示すように、半導体ウエハ１の切断予
定線（以下、スクライブラインという）２で囲ま
れる多数のブロツク内には、集積回路及び複数個
のボンデイングパツドがそれぞれ形成され、さら
にそのスクライブライン２上に複数個の測定用パ
ツド３が被着されている。各ブロツクの集積回路
表面は、通常、ボンデイングパツドを除き、窒化
膜等のパツシベーシヨン膜で被覆されている。

測定用パツド３は第３図１に示すように、各ブ
ロツク内に形成された複数個のボンデイングパツ
ドと同一あるいは比例縮小した大きさと形状を有
し、例えばアルミニウム片等で形成されている。

以上のような半導体ウエハ１は、その上の測定
用パツド３に測定用針を当てがつてブロツク内に
おける集積回路の良否を測定する。その後、切断
工程（スクライブ工程）において、第３図１に示
すように切断幅Ａを有するブレードで矢印Ｂ方
向、すなわち第２図のスクライブライン２に沿つ
て半導体ウエハ１を切断し、個々のチツプ１ａに
分割する。この分割後の測定用パツド３のパツド
残部３ａが第３図２に示されている。

このようにして分割した複数個のチツプ１ａは
不良品を除き、良品のみを、例えばコレツトでバ
キユームしてリードフレームのアイランド上にダ
イボンデイング（固定）する。さらに、チツプ１
ａのボンデイングパツドとリードフレームとを、
超音波振動等でワイヤボンデイング（ワイヤ接
続）した後、モールデイング（樹脂封止）等の処
理を施して半導体装置が作られる。

（考案が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の測定用パツド３では、そ
こに正確に測定用針を当てがわなければならない
ため、ブレードの切断幅Ａよりも小さくすること
ができず、その幅Ａよりも大きく形成する必要が
ある。

そのため、スクライブ工程において、パツド残
部３ａが飛びはねてチツプ１ａ上のボンデイング
パツド間にまたがると、シヨート状態となる。ま
た、このスクライブ工程において、大きなパツド
残部３ａがチツプ１ａ上に残ると、ダイボンデイ
ング工程時に、該パツド残部３ａがチツプ１ａ上
から剥れたり、移動したりして、ボンデイングパ
ツド間をシヨート状態にしたり、リードフレーム
のインナリード間をシヨート状態にする。さら
に、ワイヤボンデイング時の超音波振動等によ
り、パツド残部３ａがワイヤシヨートやボンデイ
ングパツドシートをもたらす。そして、これらの
シヨート状態の発生により、信頼性が低下すると
いう問題点があつた。

本考案は前記従来技術が持つていた問題点とし
て、測定用パツド残部のシヨートによる信頼性低
下の点について解決した測定用パツドを提供する
ものである。

（問題点を解決するための手段） 本考案は前記問題点を解決するために、集積回
路及び複数個のボンデイングパツドが形成された
基板上の切断予定線上に配設され、切断幅よりも
大きな幅をもつ導電性の測定用パツドにおいて、
前記パツドの切断幅よりも外側に位置する箇所
で、かつ分割後のパツド残部の長さがボンデイン
グパツド間ピツチ、インナリード間最小ピツチ及
びワイヤ間ピツチのいずれか一つより短くなるよ
うな位置に、パツド残部分割用のスリツトを形成
したものである。

（作用） 本考案によれば、以上のように測定用パツドを
構成したので、そこに形成されたスリツトは該パ
ツドの切断後の残部を、ボンデイングパツド間ピ
ツチ、インナリード間最小ピツチ、及びワイヤ間
ピツチのいずれか一つより短くなるように分割し
て細分化する。これにより、スクライブ工程、ダ
イボンデイング工程あるいはワイヤボンデイング
工程等におけるシヨートの防止が図れる。従つ
て、前記問題点を除去できるのである。

（実施例） 第１図１，２は本考案の実施例を示すもので、
同図１は切断前の測定用パツドの平面図、同図２
は切断後の測定用パツド残部の平面図である。

第１図１に示すように、この測定用パツド１０
は、従来の第２図と同様に、半導体ウエハ等の基
板上のスクライブライン上に設けられるもので、
アルミニウム等の導電膜で例えば方形状に形成さ
れている。このパツド１０はダイヤモンドブレー
ド等による切断幅Ｃよりも大きな幅を有し、さら
にその両側部には矢印Ｄで示す切断方向とほぼ直
交する方向に１対のスリツト１０ａが形成されて
いる。このスリツト１０ａは、分割後のパツド残
部１０ｂの長さが、ボンデイングパツド間ピツ
チ、インナリード間最小ピツチ、及びワイヤ間ピ
ツチのいずれか一つより短くなるような位置に、
形成されている。

以上のように構成される測定用パツド１０は、
そこに測定用針を当てがつて基板に形成された集
積回路の良否測定に使用される。測定後、スクラ
イブ工程において、基板がスクライブラインに沿
つて第１図１の矢印Ｄ方向にダイヤモンドブレー
ド等で切断されると、測定用パツド１０は切断幅
Ｃで切断され、その両側部のパツド残部１０ｂ，
１０ｂが第１図２のように基板上に残る。この
際、一対のパツド残部１０ｂ，１０ｂはスリツト
１０ａにより、それぞれ２分割される。

切断後の基板に対しては、従来と同様、リード
フレームのアイランド上へのダイボンデイング、
基板上のボンデイングパツドとリードフレームの
インナリードとのワイヤボンデイング、さらにモ
ールデイング等の処理が順に施される。

本実施例では、測定用パツド１０にスリツト１
０ａを形成しているが、そのパツド外縁で囲まれ
る面積は従来のパツドと変わらないため、そこに
測定用針を正確に当てがうことができる。

しかも、測定後に該測定用パツド１０を切断し
た場合、そのパツド残部１０ｂはスリツト１０ａ
で分割され、ボンデイングパツド間ピツチ、イン
ナリード間最小ピツチ、あるいはワイヤ間ピツチ
よりも小さく細分化される。そのため、スクライ
ブ工程でのパツド残部１０ｂの飛びはねによるボ
ンデイングパツド間のシヨートを防止できる。さ
らに、基板上に残存すパツド残部１０ｂによるダ
イボンデイング時のボンデイングパツド間シヨー
トやインナリード間シヨート、あるいはワイヤボ
ンデイング時のワイヤシヨートやボンデイングパ
ツドシヨート等を的確に防止することができる。

第４図１，２は本考案の他の実施例を示すもの
で、同図１は切断前の測定用パツドの平面図、同
図２は切断後の測定用パツド残部の平面図であ
る。

この測定用パツド２０が第１図のパツド１０と
異なる点は、切断幅Ｃの外側箇所において矢印Ｄ
の切断方向とほぼ直交する方向に複数本のスリツ
ト２０ａを両側部に形成したことである。このよ
うにスリツト２０ａの本数を多くすると、切断後
の測定用パツド２０の残部２０ｂがより小さく細
分化されるため、スクライブ工程、ダイボンデイ
ング工程及びワイヤボンデイング工程等における
シヨート防止効果がより向上する。

なお、本考案は図示の実施例に限定されず、ス
リツト１０ａ，２０ａの数を他の数にしたり、あ
るいはそのスリツト１０ａ，２０ａの形成方向を
矢印Ｄの切断方向に対して例えば45°や60°のよう
に他の方向に傾斜させてもよい。さらに測定用パ
ツド１０，２０の全体形状を方形以外に、円形等
の他の形状にすることも可能である。

（考案の効果） 以上詳細に説明したように、本考案によれば、
切断幅よりも外側に位置する箇所にスリツトを形
成したので、切断前においては測定用針の接触面
積が十分に確保される。さらに、切断により、ス
リツトによつてパツド残部が分割されて細分化さ
れるため、スクライブ工程において、パツド残部
の飛びはねによるボンデイングパツド間のシヨー
ト、ダイボンデイング時において、基板上に残存
するパツド残部の剥離や移動等によるボンデイン
グパツド間のシヨートやインナリード間のシヨー
ト、あるいはワイヤボンデイング時のワイヤシヨ
ートやボンデイングパツドシヨート等を的確に防
止できる。

従つて、本考案は切断前において大きな面積を
必要とし、切断後には最低限の大きさにおさえた
い種々の導体に適用可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図１，２は本考案の実施例を示す測定用パ
ツドの平面図、第２図は従来の測定用パツドを有
する半導体ウエハの平面図、第３図１，２は第２
図中の測定用パツドの拡大平面図、第４図１，２
は本考案の他の実施例を示す測定用パツドの平面
図である。 １……半導体ウエハ、２……切断予定線（スク
ライブライン）、３，１０，２０……測定用パツ
ド、１０ａ，２０ａ……スリツト、１０ｂ，２０
ｂ……パツド残部、Ｃ……切断幅。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 集積回路及び複数個のボンデイングパツドが形
   成された基板上の切断予定線上に配設され、切断
   幅よりも大きな幅をもつ導電性の測定用パツドに
   おいて、 前記パツドの切断幅よりも外側に位置する箇所
   で、かつ分割後のパツド残部の長さがボンデイン
   グパツド間ピツチ、インナリード間最小ピツチ及
   びワイヤ間ピツチのいずれか一つより短くなるよ
   うな位置に、パツド残部分割用のスリツトを形成
   したことを特徴とする測定用パツド。