TWI481692B - 晶圓加工用帶 - Google Patents

晶圓加工用帶 Download PDF

Info

Publication number
TWI481692B
TWI481692B TW100108007A TW100108007A TWI481692B TW I481692 B TWI481692 B TW I481692B TW 100108007 A TW100108007 A TW 100108007A TW 100108007 A TW100108007 A TW 100108007A TW I481692 B TWI481692 B TW I481692B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
semiconductor wafer
adhesive layer
semiconductor
tape
Prior art date
Application number
TW100108007A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201202382A (en
Inventor
Naoaki Mihara
Yasumasa Morishima
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Publication of TW201202382A publication Critical patent/TW201202382A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI481692B publication Critical patent/TWI481692B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Description

晶圓加工用帶
本發明係關於一種當藉由延伸而沿著晶片分割接著劑層時使用的可延伸之晶圓加工用帶
於IC等半導體裝置之製造步驟中實施如下步驟：為了使電路圖案形成後之晶圓薄膜化而研削晶圓背面之背面研磨步驟；於半導體晶圓之背面貼附有具有黏著性及伸縮性之晶圓加工用帶之後，以晶片為單位分割晶圓之切割步驟；延伸晶圓加工用帶之步驟；拾取經分割之晶片之步驟；進而將所拾取之晶片接著於引線框架或封裝基板等，或者，於堆疊封裝中，將半導體晶片彼此積層、接著之黏晶(貼片，mount)步驟。
上述背面研磨步驟中，為了保護晶圓之電路圖案形成面(晶圓表面)免受污染，而使用表面保護帶。晶圓之背面研削結束之後，於將該表面保護帶自晶圓表面剝離時，將以下描述之晶圓加工用帶(切割黏晶帶)貼合於晶圓背面之後，將切割黏晶帶側固定於吸附台上，對表面保護帶實施使對晶圓之接著力下降之處理之後，剝離表面保護帶。之後，剝離表面保護帶後之晶圓係於背面貼合有切割黏晶帶之狀態下自吸附台抬起，提供給下一切割步驟。另外，上述之所謂使接著力下降之處理係指，當表面保護帶由紫外線等能量線硬化性成分所構成之情形時以紫外線照射處理，當表面保護帶由熱硬化性成分所構成之情形時以熱照射(加熱)處理。
上述背面研磨步驟後之切割步驟至安裝步驟中，使用有基材膜上依序積層有黏著劑層及接著劑層之切割黏晶帶。一般而言，當使用切割黏晶帶之情形時，首先，於半導體晶圓之背面貼附切割黏晶帶之接著劑層，從而將半導體晶圓固定，且使用切割刀片對半導體晶圓及接著劑層以晶片為單位進行切割。之後實施延伸步驟，即，使帶於半導體晶圓之徑向延伸，藉此擴大晶片彼此間之間隔。實施該延伸步驟之目的在於：於之後的拾取步驟中，提高CCD相機等對晶片之識別性，並且防止拾取晶片時因鄰接之晶片彼此接觸而導致晶片破損。之後，於拾取步驟中，晶片係與接著劑層一同自黏著劑層剝離而被拾取，且於安裝步驟中，直接接著於引線框架或封裝基板等上。如此，藉由使用切割黏晶帶，能夠將附有接著劑層之晶片直接接著於引線框架或封裝基板等上，因此，可省略接著劑之塗佈步驟或另外將黏晶膜接著於各晶片上之步驟。
然而，上述切割步驟中，因如上所述使用切割刀片對半導體晶圓及接著劑層一併進行切割，因此，不僅會產生晶圓之切削屑，亦會產生接著劑層之切削屑。接著劑層之切削屑自身具有接著功能，故當切削屑堵塞晶圓之切割槽之時，晶片彼此會黏在一起導致產生拾取不良等，從而半導體裝置之製造良率下降。
為了解決上述問題，提出如下方法：於切割步驟中僅對半導體晶圓利用刮刀進行切割，於延伸步驟中，藉由使切割黏晶帶延伸而對應於各個晶片分割接著劑層(例如，專利文獻1之[0055]～[0056])。藉由如此之利用延伸時之張力之分割接著劑層之方法，接著劑不會產生切削屑，拾取步驟中不會產生不良影響。
並且，近年來，半導體晶圓之切斷方法，提出使用雷射加工裝置且能夠以非接觸之方式切斷晶圓之所謂隱形切割法(stealth dicing)。
例如，專利文獻2中，隱形切割法，揭示有具備如下步驟之半導體基板之切斷方法：於經由黏晶樹脂層(接著劑層)而貼附有片材之半導體基板的內部，對準焦點光照射雷射光，藉此，於半導體基板之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域，且於該改質區域形成預定切斷部；以及，使片材擴展(延伸)，藉此沿著預定切斷部切斷半導體基板及黏晶樹脂層。
而且，使用雷射加工裝置切斷半導體晶圓之另一種方法，例如，專利文獻3中提出一種半導體晶圓之分割方法，其包括如下步驟：於半導體晶圓之背面安裝黏晶用之接著膜(接著劑層)；於背面安裝有該接著膜之半導體晶圓之接著膜側，貼附可伸展之保護黏著帶；自貼附有保護黏著帶之半導體晶圓之表面，沿著路線(street)照射雷射光線，從而分割成各個半導體晶片；使保護黏著帶擴展(延伸)，而對接著膜賦予拉伸力，且對應於各個半導體晶片而斷裂接著膜；使貼附有斷裂之接著膜之半導體晶片自保護黏著帶脫離。
藉由該等專利文獻2及專利文獻3中記載之半導體晶圓之切斷方法，利用雷射光之照射及帶之延伸，而以非接觸之方式切斷半導體晶圓，故而，對於半導體晶圓之物理性負載較小，可切斷半導體晶圓，而不會出現如採用目前主流之刀刃切割法(blade dicing)時產生的晶圓之切削屑(碎屑)。而且，藉由延伸而對接著劑層進行分割，故而，接著劑層不會產生切削屑。因此，作為能代替刀刃切割法之優良技術而受到關注。
當如上述專利文獻1～3中之記載所述之於藉由延伸分割接著劑層之情形時，為了於使用之切割黏晶帶，沿著半導體晶片確實地分割接著劑層，要求基材膜具有均勻且等向性之擴展性。其原因在於，當於基材膜局部產生擴展不充分之部位之情形時，於該部位無法傳遞充分之拉伸力於接著劑層，變得無法將接著劑層分割。
然而，一般而言，可知，於將基材膜擠出成形時、或作為產品而將帶捲繞成輥狀時，切割黏晶帶受到異向性之力，且產生應變應力，基材膜之擴展性變得不均勻且變為異向性。因此，目前為止提出多種方案作為具有均勻之擴展性之切割黏晶帶(例如，參照專利文獻4～9)。
而且，上述延伸之後，上述帶產生鬆弛，故而，無法穩定地保持各個晶片之間隔，搬送時鄰接晶片之間會接觸從而導致接著劑層之再黏接。為了解決該問題，提出如下方法：使用加熱收縮性帶作為上述帶，於上述分割步驟之後加熱帶且使其緊繃，保持晶片之間的間隔(例如，參照專利文獻10、11)。上述加熱收縮性帶，理想的是聚氯乙烯帶(例如，參照專利文獻10之[0008])。然而，當使用上述聚氯乙烯帶後將其焚燒處理時，可能會產生戴奧辛(dioxin)或其類似物即氯化芳香族烴，從而會對環境帶來負擔。
[專利文獻1]日本特開2007-5530號公報
[專利文獻2]日本特開2003-338467號公報
[專利文獻3]日本特開2004-273895號公報
[專利文獻4]日本特開平6-134941號公報
[專利文獻5]日本特開平11-199840號公報
[專利文獻6]日本特開2000-273416號公報
[專利文獻7]日本特開2001-11207號公報
[專利文獻8]日本特開2003-158098號公報
[專利文獻9]日本特開2009-231699號公報
[專利文獻10]日本特開2002-334852號公報
[專利文獻11]日本特開2007-27562號公報
如上所述，使用加熱收縮性帶而於分割步驟之後加熱帶，而使其緊繃且保持晶片之間的間隔之方法，藉此能夠防止因延伸後之帶之鬆弛所致接著劑層再黏接。然而，有時，根據使用之加熱收縮性帶之性能，加熱所產生之收縮並不足，加熱收縮步驟之後仍有鬆弛，無法將分割後之半導體晶片及分離後之接著劑層穩定地固定於帶上，鄰接之半導體晶片彼此接觸而產生破損，或者接著劑層彼此接觸而再黏接，因此，半導體零件製造步驟之良率惡化。
本發明之目的在於提供一種晶圓加工用帶，其具有適用於藉由延伸而分割接著劑層之步驟的均勻擴展性，並且於加熱收縮步驟中表現出充分之收縮性，於加熱收縮步驟之後不會因鬆弛而產生不良狀況。
為了解決以上問題，本發明之第1態樣係一種當藉由延伸而沿著晶片分割接著劑層時使用的可延伸之晶圓加工用帶，其特徵在於：具有基材膜、及設於上述基材膜上之黏著劑層，上述基材膜係由以JIS K7206規定之維卡軟化點為50℃以上且未達90℃之熱塑性交聯樹脂構成，且因熱收縮產生之應力之增大為9MPa以上。而且，本發明之第2態樣之特徵為，於上述黏著劑層上積層有接著劑層。
根據第1及第2態樣之晶圓加工用帶，基材膜由維卡軟化點為50℃以上且未達90℃之熱塑性交聯樹脂構成，且因熱收縮產生之應力之增大為9MPa以上，故而，可成為具有適用於藉由延伸分割接著劑層之步驟的均勻擴展性、且於加熱收縮步驟中表現出充分之收縮性、於加熱收縮步驟之後不會因鬆弛而引起不良狀況的晶圓加工用帶。
亦即，非交聯樹脂中之分子鏈係配向於加工方向故而擴展性成為異向性，但只要分子鏈之間交聯，則擴展性進一步成為等向性，亦可較佳地用於接著劑層分割用之延伸步驟中。而且，當賦予由交聯樹脂構成之膜一定程度以上之拉伸應變之情形時，非交聯部分崩潰，而於交聯點保存應力，故而，若因加熱而使非交聯部分軟化，則藉由保存於交聯點之應力對基材膜施加恢復力。一般而言，延伸步驟中晶圓加工用帶之擴展率為10%左右，但當將10%之拉伸應變施加於聚乙烯等由普通的非交聯樹脂構成之膜時，會崩潰，即便加熱亦幾乎不會恢復，但若為交聯樹脂之膜，則藉由加熱至軟化點附近或者其以上之溫度，可容易收縮而恢復。
而且，一般而言，於上述延伸步驟後之加熱步驟中，使用溫風鼓風機等進行加熱，使晶圓加工用帶之溫度達到50℃～90℃之程度，因此，該晶圓加工用帶之基材膜樹脂適合為以JIS K7206規定之維卡軟化點為50℃以上且未達90℃者，更佳為50℃以上且未達80℃者。另外，若維卡軟化點過低，則上述加熱收縮時樹脂會過度軟化且流體化，故而不佳。若加熱收縮步驟中晶圓加工用帶之基材流體化，則晶圓加工用帶會熔斷。因此，適當的維卡軟化點之下限為50℃左右。因以上之理由，將維卡軟化點為50℃以上且未達90℃之熱塑性交聯樹脂用於基材膜，則可成為具有適用於藉由延伸而分割接著劑層之步驟的均勻擴展性、且於加熱收縮步驟中表現出充分之收縮性的晶圓加工用帶。
並且，若非下述晶圓加工用帶，則不容易充分消除延伸步驟中產生之晶圓加工用帶之鬆弛，該晶圓加工用帶係：當施加對應於普通的延伸步驟中之晶圓加工用帶擴展率之10%左右的拉伸之後，藉由加熱使收縮應力增大至一定程度以上。若無法充分消除鬆弛，則無法將分割之後的半導體晶片及已分離之接著劑穩定地固定於晶圓加工用帶上，鄰接晶片彼此接觸而產生破損，或接著劑層彼此接觸而再黏接，從而導致半導體零件製造步驟之良率惡化。
就加熱收縮時作用於晶圓加工用帶之應力的增大而言，利用依據JIS K7162所決定之方法，賦予上述晶圓加工用帶之試驗片10%之拉伸應變之後，將夾頭間之距離保持為一定，於此狀態下，進行加熱直至該試驗片之溫度達到70℃為止的過程、將該試驗片保持於70℃之溫度1分鐘之過程、及之後將該試驗片返回至室溫之過程中，該試驗片之最大熱收縮應力較佳為比剛要開始加熱之前的初始應力大9MPa以上，更佳為10MPa以上。當採用使用有上述因熱收縮產生之應力之增大未達9MPa的基材膜之晶圓加工用帶之情形時，因半導體晶圓或晶圓加工用帶之本身重量而產生之擴展應力與收縮應力相抵，故而，即便藉由加熱亦無法充分地消除鬆弛。因以上理由，可成為如下之晶圓加工用帶，其藉由將因熱收縮產生之應力之增大為9MPa以上之熱塑性交聯樹脂用於基材膜，使得加熱收縮步驟之後不會因鬆弛而產生不良狀況。
如上述第1或第2態樣之晶圓加工用帶，本發明之第3態樣之特徵在於，上述熱塑性交聯樹脂係由乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或者乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物以金屬離子交聯而成之離子聚合物樹脂。
如上述第1或第2態樣之晶圓加工用帶，本發明之第4態樣之特徵在於，上述熱塑性交聯樹脂係藉由電子束照射而使低密度聚乙烯或者超低密度聚乙烯交聯而成者。
如上述第1或第2態樣之晶圓加工用帶，本發明之第5態樣之特徵在於，上述熱塑性交聯樹脂係藉由電子束照射而使乙烯-乙酸乙烯酯共聚物交聯而成者。
如上述第1、第2、第3、第4或第5態樣之晶圓加工用帶，本發明之第6態樣之特徵在於，上述熱塑性交聯樹脂之氯原子之含量未達1質量%。
根據第3至第5態樣之晶圓加工用帶，因分子鏈之構成單位中不含氯，故而，可提供能夠解決上述問題、且環境負擔低的晶圓加工用帶。
如上述第2、第3、第4、第5或第6態樣之晶圓加工用帶，本發明之第7態樣之特徵在於，上述晶圓加工用帶係使用於包括如下步驟之半導體裝置之製造方法，係：
(a)　於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶；
(b)　研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；
(c)　於已將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層；
(d)　自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶；
(e)　對上述半導體晶圓之預定分割部分照射雷射光，從而於該晶圓之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域；
(f)　延伸上述晶圓加工用帶，藉此，沿著分割線分割上述半導體晶圓及上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片；
(g)對上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除上述延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及
(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有上述接著劑層之上述半導體晶片。
如上述第2、第3、第4、第5或第6態樣之晶圓加工用帶，本發明之第8態樣之特徵在於，上述晶圓加工用帶係使用於包括如下步驟之半導體裝置之製造方法，係：
(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶；
(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；
(c)於已將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層；
(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶；
(e)自上述半導體晶圓之表面沿著分割線照射雷射光，分割成各個半導體晶片；
(f)藉由延伸上述晶圓加工用帶，對應於每一個上述半導體晶片而分割上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片；
(g)對上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除上述延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及
(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有上述接著劑層之上述半導體晶片。
如上述第2、第3、第4、第5或第6態樣之晶圓加工用帶，本發明之第9態樣之特徵在於，上述晶圓加工用帶係使用於包括如下步驟之半導體裝置之製造方法，係：
(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶；
(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；
(c)於已將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層；
(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶；
(e)使用切割刀片沿著分割線切削上述半導體晶圓，從而分割成各個半導體晶片；
(f)藉由延伸上述晶圓加工用帶，對應於每一個上述半導體晶片而分割上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片；
(g)對上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除上述延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及
(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有上述接著劑層之上述半導體晶片。
如上述第2、第3、第4、第5或第6態樣之晶圓加工用帶，本發明之第10態樣之特徵在於，上述晶圓加工用帶係使用於包括如下步驟之半導體裝置之製造方法，係：
(a)使用切割刀片，沿著分割線預定線對形成有電路圖案之半導體晶圓進行切削至未達晶圓厚度之深度；
(b)於上述半導體晶圓表面上貼合表面保護帶；
(c)研削上述半導體晶圓背面而分割成各個半導體晶片之背面研磨步驟；
(d)於已將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶片之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層；
(e)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶；
(f)藉由延伸上述晶圓加工用帶，對應於每一個上述半導體晶片而分割上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片；
(g)對上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除上述延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及
(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有上述接著劑層之上述半導體晶片。
本發明之晶圓加工用帶中，基材膜由維卡軟化點為50℃以上且未達90℃之熱塑性交聯樹脂構成，且因熱收縮產生之應力之增大為9MPa以上，故而可成為如下之晶圓加工用帶，其具有適用於藉由延伸而分割接著劑層的步驟之均勻擴展性，並且於加熱收縮步驟中表現出充分之收縮性，於加熱收縮步驟之後不會因鬆弛而產生不良狀況。
亦即，因係維卡軟化點為50℃以上且未達90℃之熱塑性交聯樹脂，故可成為具有適用於藉由延伸而分割接著劑層的步驟之均勻擴展性、並且於加熱收縮步驟中表現出充分之收縮性的晶圓加工用帶。而且，因熱收縮產生之應力之增大為9MPa以上，故可成為於加熱收縮步驟之後不會因鬆弛而產生不良狀況之晶圓加工用帶。
以下，參照圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。
圖1係表示於本發明之實施形態之晶圓加工用帶10貼合有半導體晶圓W的狀態之剖面圖。於半導體晶圓W之電路圖案形成面(晶圓表面)，利用研削晶圓背面之背面研磨步驟，貼合用於保護電路圖案之表面保護帶14。而且，於半導體晶圓W之背面貼合晶圓加工用帶10。本發明之晶圓加工用帶10係，當藉由延伸而沿著晶片分割接著劑層13時使用之可延伸的帶。該晶圓加工用帶10具有基材膜11、設於基材膜11上之黏著劑層12、及設於黏著劑層12上之接著劑層13，且接著劑層13貼合於半導體晶圓W之背面。另外，各個層亦可配合使用步驟或裝置而預先切斷(預切割)成指定形狀。進而，本發明之晶圓加工用帶包括下述型態：對應於每1塊晶圓進行切斷之形態、及將形成有多個該晶圓加工用帶之長形片材捲繞成輥狀之形態。以下，對各層之構成進行說明。
＜基材膜＞
基材膜11係由依據JIS K7206所規定之維卡軟化點為50℃以上且未達90℃之熱塑性交聯樹脂構成。藉由使用具有如此構成之基材膜11，可實現能夠使用於分割接著劑層13之延伸步驟中之具有均勻且等向性之擴展性的晶圓加工用帶10。而且，與非交聯樹脂相比，交聯樹脂對於拉伸之恢復力較大，因此，於延伸步驟後之拉伸狀態下進行加熱而使該樹脂軟化時的收縮應力較大，可藉由加熱收縮而消除延伸步驟後帶所產生之鬆弛，且能使帶緊繃而穩定地保持各個半導體晶片之間隔。另外，一般而言，於延伸步驟後之加熱步驟中，帶之溫度為50℃～90℃之程度，故而，若軟化點過度高於該範圍則難以充分消除鬆弛，相反，若軟化點過低則有帶熔斷之危險。
上述熱塑性交聯樹脂，只要為依據JIS K7206所規定之維卡軟化點為50℃以上且未達90℃者，則無任何限制；將乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或者乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸以金屬離子進行交聯而成之離子聚合物樹脂，於均勻擴展性方面適用於延伸步驟，且因交聯而使得加熱時具有較強之恢復力，該方面亦特別適用於消除延伸步驟中產生之帶之鬆弛的步驟。而且，上述離子聚合物樹脂之分子鏈之構成中不含氯，故而，即便使用後對多餘之帶進行焚燒處理，亦不會產生戴奧辛或其類似物即氯化芳香族烴，故而環境負擔亦較小。上述離子聚合物樹脂中所含之金屬離子可為任一種，但尤其是鋅離子，由於其溶出性較低，故特別是由低污染性方面而言較佳。
上述熱塑性交聯樹脂，除了上述離子聚合物樹脂之外，對比重為0.910以上～未達0.930之低密度聚乙烯或者比重未達0.910之超低密度聚乙烯照射電子束而使其交聯而成者亦較適宜。該熱塑性交聯樹脂，因交聯部位與非交聯部位共存於樹脂中，故具有一定之均勻擴展性，因此適於上述延伸步驟，並且，於加熱時具有較強之恢復力，該方面亦特別適於消除延伸步驟中產生之帶之鬆弛的步驟。藉由適當地調整對低密度聚乙烯或者超低密度聚乙烯照射之電子束之量，可獲得維卡軟化點為50℃以上且未達90℃且具有充分之均勻擴展性的樹脂。並且，上述經電子束交聯之聚乙烯係分子鏈之構成中不含氯，因此，使用後即便對多餘之帶進行焚燒處理，亦不會產生戴奧辛或其類似物即氯化芳香族烴，故而，環境負擔亦較小。上述低密度聚乙烯或者超低密度聚乙烯之一例，可列舉Japan Polychem Corporation製造之KERNEL等。
上述熱塑性交聯樹脂，除了上述離子聚合物樹脂或經電子束交聯之聚乙烯之外，藉由對乙烯一乙酸乙烯酯共聚物照射電子束而交聯所得者亦較適合。該熱塑性交聯樹脂於加熱時具有較強之恢復力，該方面特別適於消除延伸步驟中產生之帶之鬆弛的步驟。藉由適當地調整電子束之量，能獲得維卡軟化點為50℃以上且未達90℃且具有充分之均勻擴展性之樹脂。上述經電子束交聯之乙烯一乙酸乙烯酯共聚物之分子鏈之構成中亦不含氯，故而，即便於使用後對多餘之帶進行焚燒處理，亦不會產生戴奧辛或其類似物即氯化芳香族烴，故而，環境負擔亦較小。上述乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之一例，可列舉Japan Polychem公司製造之Ultrathene等。
另外，圖1所示之示例中，基材膜11為單層，但並不限定於此，亦可為由2種以上之維卡軟化點為50℃以上且未達90℃之熱塑性交聯樹脂積層而成之2層以上之多層構造。基材膜11之厚度並無特別限制，但作為具有於晶圓加工用帶10之擴展步驟中容易拉伸、且不會斷裂之程度的充分之強度之厚度，較佳為50um～200um之程度，更佳為100um～150um。
多層基材膜11之製造方法，可使用先前已知之擠出法、層疊法等方法。當使用層疊法之情形時，層間亦可夾入有接著劑。接著劑可使用先前已知之接著劑。
＜黏著劑層＞
黏著劑層12可藉由在基材膜11塗佈黏著劑而形成。構成本發明之晶圓加工用帶10之黏著劑層12並無特別限制，只要具有如下特性即可：切割時不會與接著劑層13剝離且不會產生晶片飛散等不良狀況之程度的保持性，或拾取時與接著劑層13之剝離較容易。為了提高切割後之拾取性，黏著劑層12較佳為能量線硬化性者，且較佳為硬化後容易與接著劑層13剝離之材料。
例如，本發明中，較佳為，含有由分子中具有碘值為0.5～20之能量線硬化性碳-碳雙鍵之化合物(A)與選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂、及環氧樹脂中之至少1種化合物(B)進行加成反應而成之聚合物。此處，所謂能量線，係指如紫外線之光線、或電子束等電離性放射線。
以下，對於黏著劑層12之一個主成分即化合物(A)進行說明。化合物(A)之能量線硬化性碳一碳雙鍵之較佳的導入量，較佳為碘值為0.5～20，更佳為0.8～10。若碘值為0.5以上，則能夠獲得降低能量線照射後之黏著力之效果，而若碘值為20以下，則能量線照射後之黏著劑之流動性較充分、且晶圓加工用帶10擴展後晶片能獲得充分之間隙，因此，能夠抑制拾取時各晶片之圖像識別變得困難的問題。進而，化合物(A)自身具有穩定性，製造較容易。
上述化合物(A)之玻璃轉移點較佳為-70℃～0℃，更佳為-66℃～-28℃。若玻璃轉移點為-70℃以上，則對於伴隨能量線照射而產生之熱的耐熱性較充分，而若為0℃以下，則可獲得防止表面狀態粗糙之晶圓之切割後半導體晶片飛散的效果。上述化合物(A)可由任意方法製造，可使用例如：丙烯酸系共聚物與具有能量線硬化性碳-碳雙鍵之化合物混合而成者；由具有官能基之丙烯酸系共聚物或者具有官能基之甲基丙烯酸系共聚物(A1)、與具有可與該官能基反應之官能基並且具有能量線硬化性碳-碳雙鍵之化合物(A2)反應而得者。
其中，上述具有官能基之化合物(A1)，可由丙烯酸烷基酯或者甲基丙烯酸烷基酯等具有能量線硬化性碳-碳雙鍵之單體(A1-1)、與具有能量線硬化性碳-碳雙鍵並且具有官能基之單體(A1-2)共聚而得。單體(A1-1)，可列舉：烷基鏈之碳數為6～12之丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯，或者烷基鏈之碳數為5以下之單體，即丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、或者與其等相同之甲基丙烯酸酯等。
單體(A1-1)，因使用之單體之碳數越大則玻璃轉移點越低，故而能夠製作具有所需之玻璃轉移點者。並且，除了玻璃轉移點之外，為了提高相溶性及各種性能，亦可於單體(A1-1)之總質量之5質量%以下之範圍內摻合乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等具有碳-碳雙鍵之低分子化合物。
單體(A1-2)所含之官能基，可列舉羧基、羥基、胺基、環狀酸酐基、環氧基、異氰酸酯基等，單體(A1-2)之具體例，可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、反丁烯二酸、鄰苯二甲酸、丙烯酸-2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸-2-羥基烷基酯類、二醇單丙烯酸酯類、二醇單甲基丙烯酸酯類、N-羥甲基丙烯醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺、烯丙醇、丙烯酸-N-烷基胺基乙酯類、甲基丙烯酸-N-烷基胺基乙基酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯醯胺類、順丁烯二酸酐、衣康酸酐、反丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸酐、丙烯酸環氧丙基酯、甲基丙烯酸環氧丙基酯、烯丙基環氧丙基醚、將聚異氰酸酯化合物之異氰酸酯基之一部分藉由具有羥基或羧基及能量線硬化性碳-碳雙鍵之單體而胺酯化所得者等。
化合物(A2)中使用之官能基，當化合物(A1)、亦即單體(A1-2)具有之官能基為羧基或者環狀酸酐基之情形時，可列舉羥基、環氧基、異氰酸酯基等；當其為羥基時，可列舉環狀酸酐基、異氰酸酯基等；當其為胺基時，可列舉環氧基、異氰酸酯基等；當其為環氧基時，可列舉羧基、環狀酸酐基、胺基等，具體例可列舉與單體(A1-2)之具體例中所列舉者相同者。
化合物(A1)與化合物(A2)之反應中，殘留有未反應之官能基，藉此，可製造酸值或者羥值等特性係本發明中所規定者。上述化合物(A)之合成中，藉由溶液聚合而進行反應時之有機溶劑可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系溶劑，其中，較佳為甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯甲基賽璐蘇、乙基賽璐蘇、丙酮、甲基乙基酮等一般為丙烯酸系聚合物之良溶劑且沸點為60℃～120℃之溶劑，聚合起始劑通常使用α,α'一偶氮雙異丁腈等偶氮雙系、過氧化苯甲醯等有機過氧化物系等自由基產生劑。此時，可根據需要併用觸媒、聚合抑制劑，且可藉由調節聚合溫度及聚合時間而獲得所需之分子量之化合物(A)。並且，關於調節分子量，較佳為使用硫醇、四氯化碳系之溶劑。另外，該反應並不限於溶液聚合，亦可利用塊狀聚合、懸浮聚合等其他方法。
雖然如上所述可獲得化合物(A)，但本發明中，化合物(A)之分子量較佳為30萬～100萬之程度。若未達30萬，則變凝集力小，切割晶圓時容易產生晶片之偏移，圖像識別變得困難。為了極力防止該晶片之偏移，分子量較佳為40萬以上。而且，若分子量超過100萬，則合成時以及塗佈時可能會產生凝膠化。另外，本發明中之分子量係指聚苯乙烯換算之質量平均分子量。
若化合物(A)具有羥值為5～100之OH基，則藉由減少能量線照射後之黏著力可進一步降低拾取錯誤之危險性，故而較佳。而且，較佳為，化合物(A)具有酸值為0.5～30之COOH基。此處，若化合物(A)之羥值過低，則能量線照射後之黏著力之降低效果不充分，而若過高，則有損壞能量線照射後之黏著劑之流動性之傾向。而且，若酸值過低，則帶之恢復性之改善效果不充分，而若過高，則有損壞黏著劑之流動性之傾向。
繼而，對於黏著劑層之另一主成分即化合物(B)進行說明。化合物(B)為選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂、以及環氧樹脂中之化合物，可單獨使用、或將2種以上組合使用。該化合物(B)係作為交聯劑而作用，藉由與化合物(A)或者基材膜反應所得之交聯構造，於塗佈黏著劑之後，能夠提高以化合物(A)及(B)為主成分之黏著劑之凝集力。
聚異氰酸酯類並不特別限制，可列舉例如：4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、4,4'-二苯基醚二異氰酸酯、4,4'-[2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷]二異氰酸酯等芳香族異氰酸酯，六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4'-二環己基甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離胺酸三異氰酸酯等，具體而言，可使用CORONATE L(商品名，日本聚氨酯(Nippon Polyurethane)股份有限公司製造)等。三聚氰胺-甲醛樹脂具體而言，可使用Nikalac MX-45(商品名，SANWA CHEMICAL股份有限公司製造)、MELAN(商品名，日立化成工業股份有限公司製造)等。環氧樹脂可使用TETRAD-X(商品名，三菱化學股份有限公司製造)等。本發明中，尤佳為使用聚異氰酸酯類。
關於(B)之添加量，相對於化合物(A)100質量份而言，必需以成為0.1～10質量份、較佳為0.4～3質量份之比例之方式進行選擇。藉由於該範圍內進行選擇，能成為適當之凝集力，且不會劇烈地進行交聯反應，故而，黏著劑之摻合或塗佈等之作業性較良好。
並且，本發明中，較佳為，黏著劑層12中含有光聚合起始劑(C)。黏著劑層12中所含之光聚合起始劑(C)並無特別限制，可使用先前已知者。可列舉例如：二苯甲酮、4,4'-二甲胺基二苯甲酮、4,4'-二乙胺基二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮等二苯甲酮類，苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮類，2-乙基蒽醌、第三丁基蒽醌等蒽醌類，2-氯-9-氧硫、安息香乙醚、安息香異丙醚、二苯乙二酮、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(咯吩二聚物)、吖啶系化合物等，其等可單獨使用、或將2種以上組合使用。關於(C)之添加量，相對於化合物(A)100質量份而言，較佳為0.1～10質量份，更佳為0.5～5質量份。
進而，本發明所使用之能量線硬化性黏著劑中，可根據需要而摻合黏著賦予劑、黏著調整劑、界面活性劑等、或者其他改質劑等。而且，亦可適當地添加無機化合物填料。
黏著劑層12之厚度至少為5μm，更佳為10μm以上。另外，黏著劑層可為積層有多層之構成，各層之組成可相同、亦可各自不同。
＜接著劑層＞
接著劑層13如下所述：於貼合有半導體晶圓且進行切割之後，當拾取晶片時，與黏著劑層12剝離且附著於晶片上，使用為將晶片固定於基板或引線框架時之接著劑。於半導體晶圓加工時，該接著劑層13可預先積層於在基材膜11積層有黏著劑層12之晶圓加工用帶10，亦可各自分別貼合於半導體晶圓。接著劑並無特別限制，只要為一般使用於切割黏晶帶之膜狀接著劑即可，較佳為丙烯酸系黏接著劑、環氧樹脂/苯酚樹脂/丙烯酸樹脂之混合系黏接著劑等。其厚度可適當地設定，較佳為5μm～100μm之程度。
本發明之晶圓加工用帶10中，接著劑層13亦可藉由將預先使接著劑層13膜化而成者(以下稱作接著膜)直接或者間接地層疊於基材膜11上而形成。層疊時之溫度較佳為，於10℃～100℃之範圍內施加0.01N/m～10N/m之線壓。另外，接著膜可為於間隔件上形成有接著劑層13者，亦可為於層疊後將間隔件剝離、或者直接作為晶圓加工用帶10之防護膜使用而當貼合半導體晶圓時將其剝離。
接著膜可積層於黏著劑層12之整個面，但亦可積層預先切割成與貼合之半導體晶圓對應之形狀(預切割)的接著膜。當積層有與半導體晶圓對應之接著膜之情形時，如圖1所示，於貼合半導體晶圓W之部分存在接著劑層13，而於貼合環狀框架20之部分無接著劑層13而僅存在黏著劑層12。一般而言，接著劑層13不容易與被著體剝離，故而，藉由使用經預切割之接著膜，可獲得如下效果：能夠使環狀框架20與黏著劑層12貼合，且當使用後進行帶剝離時環狀框架20不容易殘留糊劑。
＜用途＞
關於本發明之晶圓加工用帶10之使用用途，只要使用於至少包含藉由延伸而分割接著劑層13之步驟的半導體裝置之製造方法中，則並無特別限制。例如，可較佳地適用於以下之半導體裝置之製造方法(A)～(D)中。
半導體裝置之製造方法(A)包括如下步驟：
(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶；
(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；
(c)於已將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層；
(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶；
(e)對上述半導體晶圓之預定分割部分照射雷射光，從而於該晶圓之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域；
(f)延伸上述晶圓加工用帶，藉此，沿著分割線分割上述半導體晶圓及上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片；
(g)對上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除上述延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及
(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有接著劑層之上述半導體晶片。
半導體裝置之製造方法(B)包括如下步驟：
(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶；
(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；
(c)於已將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層；
(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶；
(e)自上述半導體晶圓之表面沿著分割線照射雷射光，從而分割成各個半導體晶片；
(f)藉由延伸上述晶圓加工用帶，對應於每一個上述半導體晶片而分割上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片；
(g)對上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除上述延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及
(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有接著劑層之上述半導體晶片。
半導體裝置之製造方法(C)包括如下步驟：
(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶；
(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟；
(c)於已將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層；
(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶；
(e)使用切割刀片沿著分割線切削上述半導體晶圓，從而分割成各個半導體晶片；
(f)藉由延伸上述晶圓加工用帶，對應於每一個上述半導體晶片而分割上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片；
(g)對上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除上述延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及
(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有接著劑層之上述半導體晶片。
半導體裝置之製造方法(D)包括如下步驟：
(a)使用切割刀片，沿著分割線預定線對形成有電路圖案之半導體晶圓以未達晶圓厚度之深度進行切削；
(b)於上述半導體晶圓表面上貼合表面保護帶；
(c)研削上述半導體晶圓背面而分割成各個半導體晶片之背面研磨步驟；
(d)於已將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶片之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層；
(e)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶；
(f)藉由延伸上述晶圓加工用帶，對應於每一個上述半導體晶片而分割上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片；
(g)對上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除上述延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及
(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有接著劑層之上述半導體晶片。
另外，上述半導體裝置之製造方法(A)～(D)係當使用具有基材膜、黏著劑層及接著劑層之晶圓加工用帶之情形時的製造方法。當晶圓加工用帶僅具有基材膜及黏著劑層之情形時，於將晶圓加工用帶貼合於半導體晶圓之步驟中，於半導體晶圓之背面經由接著劑層而貼合晶圓加工用帶。
＜使用方法＞
關於將本發明之晶圓加工用帶10適用於上述半導體裝置之製造方法(A)之情形時的帶之使用方法，參照圖2～圖5進行說明。首先，如圖2所示，於形成有電路圖案之半導體晶圓W之表面，貼合由紫外線硬化性成分構成之表面保護帶14，且實施研削半導體晶圓W之背面之背面研磨步驟。
背面研磨步驟結束之後，如圖3所示，將半導體晶圓W之表面側朝下而將半導體晶圓W載置於晶圓貼片機(wafer mounter)之加熱器台25上之後，於半導體晶圓W之背面貼合晶圓加工用帶10。此處使用之晶圓加工用帶10係積層有預先切割成與貼合之半導體晶圓W對應之形狀(預切割)的接著膜者，於與半導體晶圓W貼合之面，在露出接著劑層13之區域之周圍設有露出黏著劑層12之區域。將該晶圓加工用帶10之露出接著劑層13之部分與半導體晶圓W之背面貼合，並且將接著劑層13之周圍的露出黏著劑層12之部分與環狀框架20貼合。此時，加熱器台25設定為70℃～80℃，藉此實施加熱貼合。
繼而，將貼合有晶圓加工用帶10之半導體晶圓W自加熱器台25上搬出，如圖4所示，將晶圓加工用帶10側朝下而載置於晶圓吸附台26上。然後，自被吸附固定於吸附台26之半導體晶圓W之上方，例如使用紫外線光源27，將1000mJ/cm2 之紫外線照射於表面保護帶14之基材面側，使表面保護帶14對於半導體晶圓W之接著力下降，自半導體晶圓W之表面剝離表面保護帶14。
繼而，如圖5所示，對半導體晶圓W之預定分割部分照射雷射光，從而於半導體晶圓W之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域30。
繼而，如圖6(a)所示，將於貼合有半導體晶圓W及環狀框架20之晶圓加工用帶10，以基材膜11側朝下而載置於延伸裝置的平台21。圖中，符號22表示延伸裝置之中空圓柱形狀之推頂構件。
繼而，如圖6(b)所示，於固定環狀框架20之狀態下，使延伸裝置之推頂構件22上升，從而使晶圓加工用帶10延伸。延伸條件係，延伸速度為例如10～500mm/sec，延伸量(推頂量)為例如5～25mm。藉由如此使晶圓加工用帶10於半導體晶圓W之徑向拉伸，以改質區域30為起點而以晶片為單位分割半導體晶圓W。此時，接著劑層13係於與半導體晶圓W之背面接著之部分，因延伸而產生之拉伸(變形)受到抑制，故而未產生斷裂；但於晶片C之間的位置，因帶之延伸而產生之張力較集中，故產生斷裂。因此，接著劑層13亦與半導體晶圓W一同被分割。藉此，可獲得附有接著劑層13之多個半導體晶片C。
繼而，如圖7所示，實施如下步驟：將推頂構件22恢復至原來之位置，消除先前之延伸步驟中產生的晶圓加工用帶10之鬆弛，從而穩定地保持半導體晶片C之間隔。該步驟中，例如，於晶圓加工用帶10之存在半導體晶片C之區域與環狀框架20之間的圓環狀區域28，使用溫風噴嘴29噴附50℃～90℃之溫風，使基材膜11加熱收縮，從而使晶圓加工用帶10緊繃。之後，對黏著劑層12實施能量線硬化處理或熱硬化處理等，減弱黏著劑層12對於接著劑層13之黏著力。然後，如圖8所示，利用推頂銷41自基材膜11之背面(未貼合半導體晶圓之面)推頂半導體晶片C，並且藉由吸附筒夾42進行吸附而拾取半導體晶片C。
於上述之半導體裝置之製造方法中，由熱塑性交聯樹脂構成之基材膜11對於延伸時所施加之拉伸之恢復力較大，且維卡軟化點亦較低，故而加熱時容易收縮。因此，可較佳地適用於下述步驟：藉由加熱收縮而消除於分割接著劑層13之延伸步驟後的晶圓加工用帶10所產生之鬆弛，從而使帶緊繃的步驟。
【實施例】
繼而，針對用於明確本發明之效果的實施例及比較例進行詳細說明，但本發明並不限於該等實施例。
實施例1～5、比較例1～7中之晶圓加工用帶10係分別使用表1、表2所示之基材膜11。其他構成即構成黏著劑層12之黏著劑組成物、構成接著劑層13之接著劑組成物及晶圓加工用帶10之製作方法係相同。另外，以下之說明中，密度係依據JIS K7112進行測定，熔點係依據DSC(示差掃描熱量測定)進行測定。
(1)樣品之製作
(1.1)實施例1
(基材膜11之製作)
將利用自由基聚合法而合成之乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸乙酯(質量比為8: 1: 1)三元共聚物之鋅離子聚合物a(密度為0.96g/cm3 、鋅離子含量為4質量%、氯含量未達1質量%、維卡軟化點為56℃、熔點為86℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機將其形成為厚度為100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材1。
(黏著劑組成物1之製備)
使丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-羥基乙酯及丙烯酸進行自由基聚合，藉此獲得丙烯酸系共聚物(分子量為60萬，羥值為4.7mgKOH/g，酸值為0.2mgKOH/g)。相對於該丙烯酸系共聚物之100質量份，將添加作為光聚合性硬化物之三羥甲基丙烷三丙烯酸酯30質量份、作為聚異氰酸酯之CORONATE L(日本聚氨酯公司製造)2質量份、作為光聚合起始劑之Irgacure184(日本Ciba-Geigy公司製造)1質量份所得之混合物溶解於乙酸乙酯中，加以攪拌而製備黏著劑組成物1。
(接著劑組成物1之製備)
於由作為環氧樹脂之甲酚清漆型環氧樹脂(環氧當量為197，分子量為1200，軟化點為70℃)50質量份、作為矽烷偶合劑之γ-巰丙基三甲氧基矽烷1.5質量份、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷3質量份、平均粒徑為16nm之矽土填料30質量份構成之組成物中，添加環己酮並加以攪拌混合，進而使用珠磨機混練90分鐘。進而，添加由丙烯酸丁酯與丙烯酸-2-羥基乙酯進行自由基聚合而合成之丙烯酸樹脂(分子量為20萬，羥值為3.5mgKOH/g)100質量份、以及作為硬化劑之CORONATE L 1質量份，進行攪拌混合，而製備接著劑組成物1。
(晶圓加工用帶10之製作)
於構成基材膜11之支持基材1上，以乾燥後之厚度為20μm之方式塗佈黏著劑組成物1，於110℃下乾燥3分鐘，從而製作基材膜11上形成有黏著劑層12之黏著片。除此之外，將對接著劑組成物1以乾燥後之厚度為20μm之方式塗佈於由已進行脫模處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜構成之剝離襯墊，且於110℃下乾燥3分鐘，從而製作剝離襯墊上形成有接著劑層13之接著膜。
繼而，將黏著片剪裁成，如對於環狀框架20能夠以覆蓋開口部之方式進行貼合的如圖3等所示之形狀。而且，將接著膜剪裁成，如能夠覆蓋半導體晶圓W之背面之如圖3等所示之形狀。然後，使上述黏著片之黏著劑層12側與上述接著膜之接著劑層13側，如圖3等所示，以於接著膜之周圍形成露出黏著劑層12之部分之方式進行貼合，從而製作晶圓加工用帶10。藉此，製作出依序積層有構成基材膜11之支持基材、能量線硬化型黏著劑層12、及接著劑層13之晶圓加工用帶10，將其作為實施例1之樣品。
(1.2)實施例2
(基材膜11之製備)
將利用自由基聚合法而合成之乙烯-甲基丙烯酸(質量比為9.5:0.5)二元共聚物之鋅離子聚合物b(密度為0.95g/cm3 ，鋅離子含量為2質量%，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為81℃，熔點為100℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材2。
使用該構成基材膜11之支持基材2、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為實施例2之樣品。
(1.3)實施例3
(基材膜11之製備)
將由二茂金屬聚合法(metallocene polymerization)而合成之超低密度聚乙烯ULDPEa(密度為0.90g/cm3 、氯含量未達1質量%、維卡軟化點為72℃、熔點為90℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀之後，使用中能量電子束加速裝置以加速電壓1MeV、照射量20Mrad照射電子束，藉此製作構成基材膜11之支持基材3。
使用該構成基材膜11之支持基材3、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為實施例3之樣品。
(1.4)實施例4
(基材膜11之製備)
將由二茂金屬聚合法合成之低密度聚乙烯LDPEb(密度為0.91g/cm3 、氯含量未達1質量%，維卡軟化點為81℃，熔點為102℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm長形膜狀之後，使用中能量電子束加速裝置以加速電壓1MeV、照射量20Mrad照射電子束，藉此，製作構成基材膜11之支持基材4。
使用該構成基材膜11之支持基材4、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為實施例4之樣品。
(1.5)實施例5
(基材膜11之製備)
將利用自由基聚合法而合成之乙烯-乙酸乙烯酯(質量比為9：1)共聚物EVAa(密度為0.93g/cm3 ，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為69℃，熔點為96℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀之後，使用中能量電子束加速裝置以加速電壓1MeV、照射量20Mrad照射電子束，藉此，製作構成基材膜11之支持基材5。
使用該構成基材膜11之支持基材5、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為實施例5之樣品。
(1.6)比較例1
(基材膜11之製備)
將利用自由基聚合法而合成之乙烯-甲基丙烯酸(質量比為9.5:0.5)二元共聚物之鋅離子聚合物c(密度為0.94g/cm3 ，鋅離子含量為1質量%，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為80℃，熔點為98℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀，藉此，製作構成基材膜11之支持基材6。
使用該構成基材膜11之支持基材6、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例1之樣品。
(1.7)比較例2
(基材膜11之製備)
將利用自由基聚合法而合成之乙烯-乙酸乙烯酯(質量比為9: 1)共聚物EVAa(密度為0.93g/cm3 ，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為69℃，熔點為96℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材7。
使用該構成基材膜11之支持基材7、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例2之樣品。
(1.8)比較例3
(基材膜11之製備)
將市售之工業用聚氯乙烯a(塑化劑30質量%，密度為1.45g/cm3 ，氯含量為56.8質量%，維卡軟化點為76℃，熔點為100℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材8。
使用該構成基材膜11之支持基材8、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例3之樣品。
(1.9)比較例4
(基材膜11之製備)
將利用二茂金屬聚合法而合成之超低密度聚乙烯ULDPEa(密度為0.90g/cm3 、氯含量未達1質量%、維卡軟化點為72℃、熔點為90℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材9。
使用該構成基材膜11之支持基材9、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例4之樣品。
(1.10)比較例5
(基材膜11之製備)
將利用二茂金屬聚合法而合成之低密度聚乙烯LDPEb(密度為0.91g/cm3 、氯含量未達1質量%、維卡軟化點為81℃、熔點為102℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材10。
使用該構成基材膜11之支持基材10、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例5之樣品。
(1.11)比較例6
(基材膜11之製備)
將利用二茂金屬聚合法而合成之低密度聚乙烯LDPEc(密度為0.91g/cm3 ，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為96℃，熔點為102℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀之後，使用中能量電子束加速裝置以加速電壓1MeV、照射量20Mrad照射電子束，藉此製作構成基材膜11之支持基材11。
使用該構成基材膜11之支持基材11、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例6之樣品。
(1.12)比較例7
(基材膜11之製備)
將利用二茂金屬聚合法而合成之低密度聚乙烯LDPEc(密度為0.91g/cm3 ，氯含量未達1質量%，維卡軟化點為96℃，熔點為102℃)之樹脂珠粒於140℃下熔融，利用擠出機形成厚度為100μm之長形膜狀，藉此製作構成基材膜11之支持基材12。
使用該構成基材膜11之支持基材12、黏著劑組成物1、及接著劑組成物1，藉由與實施例1相同之方法製作晶圓加工用帶10，將其作為比較例7之樣品。
(2)樣品之評估
(2.1)因加熱產生之收縮應力之增大量
藉由以下所示之方法，測定出對實施例1～5及比較例1～7之晶圓加工用帶進行加熱時收縮應力之增大量。
自實施例1～5及比較例1～7之晶圓加工用帶去除接著劑層之後，將該晶圓加工用帶加工成依據JIS K7162所決定之尺寸之試驗片。此時，製作兩種試驗片：試驗片之長度方向(賦予拉伸應變之方向)係沿著將晶圓加工用帶呈輥狀捲繞時之捲繞方向(支持基材之擠出成形步驟中的擠出‧捲繞方向(MD方向))；長度方向係沿著與捲繞方向垂直之方向(TD方向)。接著，針對該試驗片，使用附有加熱腔室之STROGRAPH，利用依據JIS K7162所決定之方法，賦予上述帶之試驗片10%之拉伸應變之後將夾頭間之距離保持為一定，於此狀態下，對於進行加熱直至該試驗片之溫度達到70℃為止之過程、此後於70℃之溫度保持1分鐘之過程、及此後將該試驗片返回至室溫之過程中的收縮應力進行監控。根據所得之測定結果，由觀測到之最大收縮應力之值減去剛要開始加熱之前的初始應力之值，求出收縮應力之增大量。使用各實施例及各比較例之晶圓加工用帶之情形時的結果如表1及表2所示。
(2.2)半導體加工步驟之適應性試驗
藉由以下所示之方法，關於上述實施例及上述比較例之晶圓加工用帶，實施相當於上述半導體裝置之製造方法(A)的下述半導體加工步驟之適應性試驗。
(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶之步驟。
(b)研削上述半導體晶圓背面之背面研磨步驟。
(c)於已將半導體晶圓加熱至70℃～80℃之狀態下，在上述半導體晶圓之背面貼合上述晶圓加工用帶之接著劑層，同時將晶圓加工用環狀框架與下述部位貼合之步驟，該部位係：上述晶圓加工用帶之黏著劑層未與接著劑層重合而露出之部分。
(d)自上述半導體晶圓表面剝離表面保護帶之步驟。
(e)對上述半導體晶圓之預定分割部分照射雷射光，於該晶圓之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域之步驟。
(f)藉由使上述晶圓加工用帶延伸10%，而沿著分割線分割上述半導體晶圓及上述接著劑層，從而獲得附有上述接著劑層之多個半導體晶片的步驟。
(g)加熱步驟，即，將上述晶圓加工用帶之不與上述半導體晶片重合之部分(存在半導體晶片之區域與環狀框架之間的圓環狀區域)加熱至50℃或者70℃或者90℃，持續加熱，直至藉由目測確認上述帶不鬆弛為止。另外，記錄有該加熱步驟中加熱之時間。而且，上述加熱步驟之後，將符合JIS B7609之10g砝碼載置於基材膜之背面(未與半導體晶圓貼合之面)，測定晶圓加工用帶之鬆弛量，確認該鬆弛量未達5mm。
(h)將附有接著劑層之上述半導體晶片，自晶圓加工用帶之黏著劑層拾取之步驟。
(g)步驟結束時之鬆弛量之測定係如圖9所示，於晶圓加工用帶10貼於環狀框架20之狀態下，將符合JIS B7609之10g砝碼載置於基材膜之背面(未貼合半導體晶圓之面)而進行測定，將晶圓加工用帶10與處於與環狀框架20之貼合面平行之狀態時的位置(圖9中虛線所示之位置)間之距離(圖9中a之距離)作為鬆弛量。使用各實施例及各比較例之晶圓加工用帶之情形時的鬆弛量及加熱時間之結果如表1及表2所示。
(2.3)拾取成功率
關於上述實施例及比較例之晶圓加工用帶，評價最後之(h)步驟之良率(拾取成功率)。使用各實施例及各比較例之晶圓加工用帶之情形時的結果如表1及表2所示。
(3)總結
根據以上結果可知，藉由使用由JIS K7206所規定之維卡軟化點為50℃以上且未達90℃、因熱收縮產生之應力之增大為9MPa以上之熱塑性交聯樹脂作為基材膜，能成為適用於半導體裝置之製造的晶圓加工用帶。亦即，可知，藉由50℃、70℃、90℃之任一溫度下之加熱收縮步驟皆可於較短的加熱時間內表現出充分之收縮性，加熱收縮步驟之後的鬆弛亦非常少。而且可知，因鬆弛量如此少，故能夠將分割完畢之半導體晶片及已分離之接著劑穩定地固定於晶圓加工用帶上，不會導致鄰接之晶片彼此接觸而產生破損、或接著劑層彼此接觸而再黏接，從而表現出良好的拾取性。另外，因於較短的加熱時間內表現出充分之收縮性，故亦不會因施加過多之熱量而使接著劑層13與黏著劑層12密接而導致拾取性下降。
關於維卡軟化點為90℃以上者、或因熱收縮產生之應力之增大量未達9.0MPa者(比較例1、2及4～7)，為了獲得鬆弛而需要較長地加熱時間，加熱收縮步驟後之鬆弛量亦較多，拾取性不佳。
另外，比較例3中，無交聯構造，但維卡軟化點為50℃以上且未達90℃，且熱收縮產生之應力之增大為9MPa以上，故而，加熱收縮性表現出良好之結果。然而，因材質為聚氯乙烯帶，故使用後經焚燒處理之時會產生戴奧辛或其類似物即氯化芳香族烴，從而可能會對環境帶來負擔。對此，實施例1～5中所示之基材膜11係因具有交聯構造故擴展性更具有等向性，並且氯原子之含量未達1質量%，故而，即便使用後進行焚燒處理亦不會產生戴奧辛或其類似物即氯化芳香族烴，從而不會對環境帶來負擔。
而且，上述之半導體裝置之製造方法B~D係於延伸步驟中已分割成各個半導體晶片，除該點之外，皆進行與半導體裝置之製造方法A中之延伸步驟、熱收縮步驟、拾取步驟相同之步驟。因此可知，使用實施例1～5及比較例1～7之晶圓加工用帶10時的結果係與表1、表2所示之結果相同，且半導體裝置之製造方法B~D中，於熱收縮性、拾取性之觀點而言，使用本發明之晶圓加工用帶10皆有用。另外，可知，當晶圓加工用帶10僅包含黏著劑層12時，亦可獲得與表1、表2所示結果相同的結果。
10．．．晶圓加工用帶
11．．．基材膜
12．．．黏著劑層
13．．．接著劑層
14‧‧‧表面保護膜
20‧‧‧環狀框架
21‧‧‧平台
22‧‧‧推頂構件
25‧‧‧加熱器台
26‧‧‧吸附台
27‧‧‧紫外線光源
28‧‧‧加熱收縮區域
29‧‧‧溫風噴嘴
30‧‧‧改質區域
41‧‧‧推頂銷
42‧‧‧吸附筒夾
50‧‧‧符合JIS B7609之10g砝碼
W‧‧‧半導體晶圓
C‧‧‧半導體晶片
a‧‧‧鬆弛量
圖1係表示於半導體晶圓貼合有本發明之實施形態之晶圓加工用帶、及表面保護帶的狀態之剖面圖。
圖2係表示於半導體晶圓貼合有表面保護用帶之狀態的剖面圖。
圖3係用於對在晶圓加工用帶貼合半導體晶圓及環狀框架之步驟進行說明的剖面圖。
圖4係用於對自半導體晶圓之表面剝離表面保護帶之步驟進行說明的剖面圖。
圖5係表示藉由雷射加工而於半導體晶圓形成有改質區域之樣態的剖面圖。
圖6(a)係表示晶圓加工用帶載置於延伸裝置之狀態之剖面圖。圖6(b)係表示延伸後之晶圓加工用帶、接著劑層、及半導體晶圓之剖面圖。
圖7係用於對藉由加熱收縮而消除帶之鬆弛的步驟進行說明之剖面圖。
圖8係用於自晶圓加工用帶之黏著劑層之表面拾取附有接著劑層之半導體晶片的步驟進行說明之剖面圖。
圖9係用於對鬆弛量之測定方法進行說明之剖面圖。
11．．．基材膜
12．．．黏著劑層
13．．．接著劑層
20．．．環狀框架
21．．．平台
22．．．推頂構件
W．．．半導體晶圓
C．．．半導體晶片

Claims (7)

  1. 一種晶圓加工用帶，其係當藉由延伸而沿晶片分割接著劑層時使用的可延伸之晶圓加工用帶，其具有基材膜、及設於該基材膜上之黏著劑層，該基材膜係由以JIS K7206規定之維卡軟化點為50℃以上且未達90℃之熱塑性交聯樹脂構成，該熱塑性交聯樹脂係由乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物以鋅離子交聯而成之離子聚合物樹脂，或係由乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物以鋅離子交聯而成之離子聚合物樹脂，利用依據JIS K7162所決定之方法，賦予該晶圓加工用帶之試驗片10%之拉伸應變之後，將夾頭間之距離保持為一定，於此狀態下，對該試驗片進行加熱直至其溫度達到70℃為止的過程、將該試驗片保持為70℃之溫度1分鐘的過程、及之後將該試驗片返回至室溫的過程中，該試驗片之最大熱收縮應力比剛要開始加熱前的初始應力大9MPa以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓加工用帶，其中，該黏著劑層上積層有接著劑層，該黏著劑層之黏著劑含有由分子中具有碘值為0.5~20之能量線硬化性碳-碳雙鍵之化合物與選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺-甲醛樹脂、及環氧樹脂中之至少1種化合物進行加成反應而成之聚合物；該接著劑層之接著劑係丙烯酸系黏接著劑、環氧樹脂/苯酚樹脂/丙烯酸樹脂之混合系黏接著劑。
  3. 如申請專利範圍第1項之晶圓加工用帶，其中，該熱塑性交聯樹脂之氯原子之含量未達1質量%，或不含氯原子。
  4. 如申請專利範圍第2項之晶圓加工用帶，其係使用於包括如下步驟之半導體裝置之製造方法：(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶；(b)研削該半導體晶圓背面之背面研磨步驟；(c)於已將半導體晶圓加熱至70℃~80℃之狀態下，在該半導體晶圓之背面貼合該晶圓加工用帶之接著劑層；(d)自該半導體晶圓表面剝離表面保護帶；(e)對該半導體晶圓之預定分割部分照射雷射光，從而於該晶圓之內部形成因多光子吸收而產生之改質區域；(f)藉由延伸該晶圓加工用帶，而沿分割線分割該半導體晶圓及該接著劑層，從而獲得附有該接著劑層之多個半導體晶片；(g)對該晶圓加工用帶之不與該半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除該延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有該接著劑層之該半導體晶片。
  5. 如申請專利範圍第2項之晶圓加工用帶，其係使用於包括如下步驟之半導體裝置之製造方法：(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保 護帶；(b)研削該半導體晶圓背面之背面研磨步驟；(c)於已將半導體晶圓加熱至70℃~80℃之狀態下，在半導體晶圓之背面貼合該晶圓加工用帶之接著劑層；(d)自該半導體晶圓表面剝離表面保護帶；(e)自該半導體晶圓之表面沿著分割線照射雷射光，從而分割成各個半導體晶片；(f)藉由延伸該晶圓加工用帶，對應於每一個該半導體晶片而分割該接著劑層，從而獲得附有該接著劑層之多個半導體晶片；(g)對該晶圓加工用帶之不與該半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除該延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有該接著劑層之該半導體晶片。
  6. 如申請專利範圍第2項之晶圓加工用帶，其係使用於包括如下步驟之半導體裝置之製造方法：(a)於形成有電路圖案之半導體晶圓表面貼合表面保護帶；(b)研削該半導體晶圓背面之背面研磨步驟；(c)於已將半導體晶圓加熱至70℃~80℃之狀態下，在半導體晶圓之背面貼合該晶圓加工用帶之接著劑層；(d)自該半導體晶圓表面剝離表面保護帶；(e)使用切割刀片沿著分割線切削該半導體晶圓，從 而分割成各個半導體晶片；(f)藉由延伸該晶圓加工用帶，對應於每一個該半導體晶片而分割該接著劑層，從而獲得附有該接著劑層之多個半導體晶片；(g)對該晶圓加工用帶之不與該半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除該延伸步驟中產生之鬆弛，保持該半導體晶片之間隔；及(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有該接著劑層之該半導體晶片。
  7. 如申請專利範圍第2項之晶圓加工用帶，其係使用於包括如下步驟之半導體裝置之製造方法：(a)使用切割刀片，沿著分割線預定線對形成有電路圖案之半導體晶圓進行切削至未達晶圓厚度之深度；(b)於該半導體晶圓表面上貼合表面保護帶；(c)研削該半導體晶圓背面而分割成各個半導體晶片之背面研磨步驟；(d)於已將半導體晶圓加熱至70℃~80℃之狀態下，於該半導體晶片之背面貼合該晶圓加工用帶之接著劑層；(e)自該半導體晶圓表面剝離表面保護帶；(f)藉由延伸該晶圓加工用帶，對應於每一個該半導體晶片而分割該接著劑層，從而獲得附有該接著劑層之多個半導體晶片；(g)對該晶圓加工用帶之不與該半導體晶片重疊之部分進行加熱而使其收縮，藉此消除該延伸步驟中產生之鬆 弛，保持該半導體晶片之間隔；及(h)自晶圓加工用帶之黏著劑層，拾取附有該接著劑層之該半導體晶片。
TW100108007A 2010-03-31 2011-03-10 晶圓加工用帶 TWI481692B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010080180A JP5554118B2 (ja) 2010-03-31 2010-03-31 ウエハ加工用テープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201202382A TW201202382A (en) 2012-01-16
TWI481692B true TWI481692B (zh) 2015-04-21

Family

ID=44695542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100108007A TWI481692B (zh) 2010-03-31 2011-03-10 晶圓加工用帶

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5554118B2 (zh)
KR (1) KR101322160B1 (zh)
CN (1) CN102206469B (zh)
TW (1) TWI481692B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI685028B (zh) * 2018-03-28 2020-02-11 日商古河電氣工業股份有限公司 半導體加工用膠帶

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5013148B1 (ja) * 2011-02-16 2012-08-29 株式会社東京精密 ワーク分割装置及びワーク分割方法
JP6012602B2 (ja) * 2011-07-25 2016-10-25 リンテック株式会社 半導体加工シート用基材フィルム、半導体加工シート及び半導体装置の製造方法
TWI461498B (zh) * 2011-09-22 2014-11-21 Furukawa Electric Co Ltd Cut sticky ribbon
CN103013365A (zh) * 2011-09-23 2013-04-03 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
JP2013098443A (ja) * 2011-11-02 2013-05-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体用接着シート
CN107057594B (zh) * 2011-12-26 2021-02-09 三井-陶氏聚合化学株式会社 激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法
JP5294358B2 (ja) * 2012-01-06 2013-09-18 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ及びこれを使用した半導体装置の製造方法
CN103715117B (zh) * 2012-09-28 2016-11-16 株式会社东芝 半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法
JP6104925B2 (ja) * 2012-10-05 2017-03-29 リンテック株式会社 保護膜形成層付ダイシングシートおよびチップの製造方法
JP6219565B2 (ja) * 2012-12-26 2017-10-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP5379919B1 (ja) * 2013-02-13 2013-12-25 古河電気工業株式会社 半導体加工用粘着テープ
CN105143380B (zh) * 2013-03-28 2019-05-17 古河电气工业株式会社 粘合带及晶片加工用胶带
JP6306362B2 (ja) * 2014-02-13 2018-04-04 リンテック株式会社 伸長可能シートおよび積層チップの製造方法
US10106700B2 (en) * 2014-03-24 2018-10-23 Lintec Corporation Protection membrane forming film, protection membrane forming utilization sheet, production method and inspection method for workpiece or processed product, workpiece determined as adequate product, and processed product determined as adequate product
JP6266429B2 (ja) * 2014-05-08 2018-01-24 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置及びチップ間隔維持方法
JP6445315B2 (ja) * 2014-12-12 2018-12-26 日東電工株式会社 ダイシングシート、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP6758801B2 (ja) * 2015-03-20 2020-09-23 株式会社サンエー化研 表面保護フィルム
SG11201706197VA (en) * 2015-03-24 2017-08-30 Furukawa Electric Co Ltd Semiconductor processing tape
TWI699420B (zh) * 2015-03-24 2020-07-21 日商古河電氣工業股份有限公司 半導體加工用膠帶
CN106531638B (zh) * 2015-09-11 2020-02-07 晟碟信息科技（上海）有限公司 包括堆叠的半导体裸芯块的半导体装置及其制造方法
WO2018083986A1 (ja) * 2016-11-02 2018-05-11 リンテック株式会社 ステルスダイシング用粘着シート
CN109997218B (zh) * 2016-11-02 2023-08-08 琳得科株式会社 隐形切割用粘着片
KR102319730B1 (ko) 2016-12-07 2021-11-02 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 반도체 가공용 테이프
JP2018195822A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 デクセリアルズ株式会社 半導体加工用テープ、及び半導体加工用テープの製造方法
JP7105120B2 (ja) * 2017-07-04 2022-07-22 日東電工株式会社 ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法
JP7092526B2 (ja) * 2018-03-14 2022-06-28 マクセル株式会社 バックグラインド用粘着テープ
MY187307A (en) * 2018-03-28 2021-09-21 Furukawa Electric Co Ltd Tape for semiconductor processing
JP6535118B1 (ja) * 2018-03-28 2019-06-26 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
JP6535119B1 (ja) * 2018-03-28 2019-06-26 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ
SG11201906507PA (en) * 2018-03-28 2019-11-28 Furukawa Electric Co Ltd Tape for semiconductor processing
JP7143156B2 (ja) 2018-04-27 2022-09-28 日東電工株式会社 半導体装置製造方法
JP6928183B2 (ja) * 2018-08-08 2021-09-01 三井・ダウポリケミカル株式会社 ダイシングフィルム基材用樹脂組成物、ダイシングフィルム基材およびダイシングフィルム
JP7154962B2 (ja) * 2018-11-09 2022-10-18 株式会社ディスコ 板状物加工方法
KR102193721B1 (ko) 2019-01-21 2020-12-21 주식회사 야스 점착척의 점착시트 보호 용 커버 필름
WO2020194613A1 (ja) 2019-03-27 2020-10-01 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、ダイボンディングフィルム、及びダイシング・ダイボンディング一体型接着シート
JP7060547B2 (ja) * 2019-05-29 2022-04-26 古河電気工業株式会社 ガラス加工用テープ
JP7269096B2 (ja) * 2019-05-29 2023-05-08 古河電気工業株式会社 ガラス加工用テープ
JP7269095B2 (ja) * 2019-05-29 2023-05-08 古河電気工業株式会社 ガラス加工用テープ
JP7060548B2 (ja) * 2019-05-29 2022-04-26 古河電気工業株式会社 ガラス加工用テープ
US11508606B2 (en) 2019-11-05 2022-11-22 Nxp B.V. Technique for handling diced wafers of integrated circuits
US11658056B2 (en) 2019-11-05 2023-05-23 Nxp B.V. Technique for handling diced wafers of integrated circuits
CN113725169A (zh) * 2021-04-22 2021-11-30 成都芯源系统有限公司 倒装芯片封装单元及相关封装方法
WO2023281996A1 (ja) * 2021-07-08 2023-01-12 マクセル株式会社 粘着テープ
US20230377972A1 (en) * 2022-05-23 2023-11-23 Western Digital Technologies, Inc. Die separation ring for wafers having a large die aspect ratio
CN115223851B (zh) * 2022-09-21 2022-12-09 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) 一种机械式晶片分离方法及装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231699A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
TW201009009A (en) * 2008-04-25 2010-03-01 Lg Chemical Ltd Epoxy composition, adhesive film, dicing die bonding film and semiconductor device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05211234A (ja) * 1991-12-05 1993-08-20 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シートおよびウェハダイシング方法
JP4288392B2 (ja) * 2003-09-29 2009-07-01 株式会社東京精密 エキスパンド方法
JP4482271B2 (ja) 2002-12-03 2010-06-16 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ
JP2005244206A (ja) 2004-01-28 2005-09-08 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウエハの保護方法および半導体ウエハ保護用粘着フィルム
JP4558345B2 (ja) 2004-02-19 2010-10-06 リンテック株式会社 保護シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP4923398B2 (ja) * 2004-09-21 2012-04-25 日立化成工業株式会社 接着剤層付き半導体素子の製造方法
JP2008066688A (ja) * 2006-08-11 2008-03-21 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープ
JP5045745B2 (ja) * 2007-04-05 2012-10-10 日立化成工業株式会社 半導体チップの製造方法、並びに半導体用接着フィルム及びこれを用いた複合シート
JP4934620B2 (ja) * 2008-03-25 2012-05-16 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009231699A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ
TW201009009A (en) * 2008-04-25 2010-03-01 Lg Chemical Ltd Epoxy composition, adhesive film, dicing die bonding film and semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI685028B (zh) * 2018-03-28 2020-02-11 日商古河電氣工業股份有限公司 半導體加工用膠帶

Also Published As

Publication number Publication date
CN102206469A (zh) 2011-10-05
KR20110110001A (ko) 2011-10-06
CN102206469B (zh) 2014-09-03
JP5554118B2 (ja) 2014-07-23
TW201202382A (en) 2012-01-16
JP2011216508A (ja) 2011-10-27
KR101322160B1 (ko) 2013-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI481692B (zh) 晶圓加工用帶
KR101545805B1 (ko) 웨이퍼가공용 테이프 및 이를 사용한 반도체장치의 제조방법
TWI510591B (zh) Adhesive tape and wafer processing tape
JP5501060B2 (ja) 半導体ウエハ保護用粘着シートの貼り合わせ方法、及びこの貼り合わせ方法に用いる半導体ウエハ保護用粘着シート
TWI699420B (zh) 半導體加工用膠帶
KR20110087302A (ko) 다이싱용 표면 보호 테이프 및 다이싱용 표면 보호 테이프의 박리 제거 방법
JP6306362B2 (ja) 伸長可能シートおよび積層チップの製造方法
KR20130099854A (ko) 자발 권취성 점착 필름
KR101311647B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프 및 그것을 이용한 반도체 가공 방법
JP2012174945A (ja) 半導体ウエハの加工方法
JP5582836B2 (ja) ダイシング・ダイボンディングテープ
JP2011224853A (ja) フィルム及び粘接着シート
JP2015156438A (ja) 半導体チップの製造方法
KR20190113746A (ko) 반도체 가공용 테이프
WO2004107423A1 (ja) 貫通構造を有する薄膜化回路基板の製造方法と保護用粘着テープ
JP2011077235A (ja) 素子保持用粘着シートおよび素子の製造方法
TWI461498B (zh) Cut sticky ribbon
KR101314398B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프
KR20210015889A (ko) 유리 가공용 테이프
JP6800062B2 (ja) 粘着テープ
KR20190113747A (ko) 반도체 가공용 테이프
WO2023281996A1 (ja) 粘着テープ
KR20190113748A (ko) 반도체 가공용 테이프
JP2013199580A (ja) ウエハ貼着用粘着テープ
KR102112772B1 (ko) 반도체 가공용 테이프