WO2018212185A1 - 半導体加工用テープ、及び半導体加工用テープの製造方法 - Google Patents

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semiconductor processing
tape
acrylate
acrylic copolymer
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太一 小山
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    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor processing tape and a method for manufacturing a semiconductor processing tape, and more particularly to a technology of a semiconductor processing tape in which an adhesive layer and an adhesive layer are laminated.
  • a semiconductor processing tape in which an adhesive layer and an adhesive layer (for example, a slightly adhesive tape) are laminated may be used for the purpose of further improving the embedding property of the adhesive layer with respect to bump bumps.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the adhesive layer, the reaction of the curing component in the adhesive layer may proceed excessively, and the usable period of the semiconductor processing tape may be shortened. is there.
  • the present invention has been proposed in view of such a state of the art, and a semiconductor capable of achieving a good usable period even when an acrylic pressure-sensitive adhesive layer is laminated on an adhesive layer.
  • the object is to provide a processing tape.
  • the tape for semiconductor processing comprises a base material layer, a pressure-sensitive adhesive layer provided on the base material layer, and an adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer comprises
  • the acrylic copolymer contains an acrylic copolymer and a crosslinking agent, and the acrylic copolymer has an acid value of 1.0 mgKOH / g or less.
  • the present invention provides a tape for semiconductor processing, wherein the acrylic copolymer is composed of two or more monomers selected from butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, ethyl acrylate, vinyl acetate and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate. is there.
  • This invention is a tape for semiconductor processing in which the said adhesive bond layer contains at least 1 sort (s) of an epoxy resin and an acrylic resin.
  • the present invention is the tape for semiconductor processing, wherein the acid value of the acrylic copolymer is 0.5 mgKOH / g or more.
  • the present invention is a tape for semiconductor processing in which the crosslinking agent is an isocyanate.
  • the present invention is the tape for semiconductor processing, wherein the adhesive layer contains a film forming component, an epoxy resin, and a curing agent.
  • the present invention is the tape for semiconductor processing, wherein the film-forming component is an acrylate polymer having an epoxy group.
  • the present invention is a semiconductor processing tape in which the curing agent contains an acid anhydride.
  • the present invention provides a step of preparing a first laminate having an adhesive layer on a first substrate layer, and a second laminate having an adhesive layer on a second substrate layer; Adhesion provided on the first base material layer and the first base material layer by laminating the adhesive layer of the first laminate and the adhesive layer of the second laminate.
  • a step of producing a tape for semiconductor processing comprising an adhesive layer and an adhesive layer provided on the adhesive layer, wherein the adhesive layer contains an acrylic copolymer and a crosslinking agent.
  • the acid value of the said acrylic copolymer is a manufacturing method of the tape for semiconductor processing whose 1.0 mgKOH / g or less.
  • the present invention even when an acrylic pressure-sensitive adhesive layer is laminated on the adhesive layer, it is possible to suppress the progress of the reaction of the curing component in the adhesive layer, and the good use period is long. It is possible to provide a semiconductor processing tape capable of achieving the above.
  • a semiconductor processing tape 1 is provided on a base material layer 2, an adhesive layer 3 provided on the base material layer 2, and an adhesive layer 3.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 contains an acrylic copolymer and a crosslinking agent, and the acid value of the acrylic copolymer is 1.0 mgKOH / g or less.
  • the curing component for example, Epoxy resin or acrylic resin
  • the usable period of the semiconductor processing tape 1 can be made good (long).
  • the base material layer 2 is for maintaining the shape of the adhesive layer 4, and may be a single layer or may have a multilayer structure in which layers made of different materials are laminated.
  • a plastic film such as PET (Poly Ethylene Terephthalate), polyethylene, polypropylene, or polyester, or a base material made of paper, cloth, nonwoven fabric, or the like can be used.
  • a layered structure in which a release agent such as silicone is applied to PET, OPP (Oriented Polypropylene), PMP (Poly-4-methylpentene-1), PTFE (Polytetrafluoroethylene) or the like is used. It can also be used.
  • the surface of the base material layer 2 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be subjected to surface roughening treatment such as mat treatment, corona treatment, and plasma treatment for the purpose of controlling adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer 3. .
  • the thickness of the base material layer 2 can be set as appropriate, and can be, for example, 25 to 200 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 is formed on the surface of the base material layer 2 to improve the embedding property of the adhesive layer 4 with respect to bump bumps.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 contains an acrylic copolymer and a crosslinking agent.
  • the adhesive layer 3 may further contain, for example, a photopolymerization initiator as other components.
  • the range on the upper limit side of the acid value of the acrylic copolymer is 1.0 mgKOH / g or less, preferably 0.8 mgKOH / g or less.
  • the acid value of the acrylic copolymer refers to a value measured by a method defined in JISK0070.
  • the lower limit range of the acid value of the acrylic copolymer is preferably 0.1 mgKOH / g or more, more preferably 0.3 mgKOH / g or more, and further preferably 0.5 mgKOH / g or more.
  • the acid value of the acrylic copolymer is 0.1 mgKOH / g or more, it can be suppressed that the reaction component with the crosslinking agent is too small. Thereby, for example, the embedding property of the adhesive layer 4 with respect to the bump step can be improved.
  • the acrylic copolymer includes a structural unit derived from a (meth) acrylate component.
  • the (meth) acrylate component include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, butoxyethyl (meth) acrylate, and isoamyl.
  • the acrylic copolymer is used as another monomer component copolymerizable with the above-described (meth) acrylate component for the purpose of adjusting the cohesive strength and heat resistance of the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • a corresponding structural unit may be further included.
  • monomer components for example, carboxyl group-containing monomers (for example, (meth) acrylic acid), hydroxyl group-containing monomers (for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate), vinyl acetate and the like can be used.
  • the acrylic copolymer contains structural units corresponding to two or more monomers selected from butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, ethyl acrylate, vinyl acetate and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate. It is more preferable that it contains structural units corresponding to butyl acrylate, ethyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, vinyl acetate and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate.
  • the acrylic copolymer can be obtained by polymerizing the above-described (meth) acrylate component and other monomer components.
  • the polymerization method include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like.
  • the polymerization reaction of the acrylic copolymer include radical polymerization, cation polymerization, anion polymerization, living radical polymerization, living cation polymerization, living anion polymerization, and coordination polymerization.
  • the number average molecular weight of the acrylic copolymer is not particularly limited, but can be, for example, about 300,000 to 3,000,000.
  • the crosslinking agent is used, for example, for controlling the adhesive force of the adhesive layer 3.
  • the cross-linking agent is preferably a compound having two or more functional groups capable of reacting with a functional group (for example, a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, etc.) introduced into the acrylic copolymer in one molecule.
  • a functional group for example, a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, etc.
  • isocyanates are preferable as the crosslinking agent from the viewpoint of forming a stronger crosslinked structure.
  • isocyanates for example, compounds having two or more isocyanate groups in one molecule can be used.
  • the isocyanate group containing oligomer obtained by making the above-mentioned isocyanate compound and the polyhydric alcohol which has a 2 or more hydroxyl group in 1 molecule can also be used.
  • the crosslinked structure of the pressure-sensitive adhesive layer 3 can be made denser.
  • the adhesive layer 4 is formed on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • the adhesive layer 4 can be used, for example, as a dicing tape that protects and fixes the wafer during dicing of the wafer and holds it during pick-up, as will be described later.
  • the resin composition of the adhesive layer 4 is not particularly limited.
  • a thermosetting resin such as a thermal anion curable type, a thermal cation curable type, or a thermal radical curable type, or a photo curable such as a photo cation curable type or a photo radical curable type.
  • a mold resin or a combination of these can be used.
  • thermosetting adhesive composition containing a film forming component, an epoxy resin, a curing agent, a curing aid, and an inorganic filler will be described.
  • resins such as acrylic ester polymers, phenoxy resins, epoxy resins, modified epoxy resins, and urethane resins can be used. These film forming components may be used alone or in combination of two or more. Among these, an acrylate polymer having an epoxy group is suitably used from the viewpoint of film formation state, connection reliability, and the like.
  • the epoxy resin examples include dicyclopentadiene type epoxy resin, glycidyl ether type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, spiro ring type epoxy resin, Naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, terpene type epoxy resin, tetrabromobisphenol A type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, ⁇ -naphthol novolak type epoxy resin, brominated phenol novolak type epoxy resin And so on.
  • These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
  • a dicyclopentadiene type epoxy resin is preferably used from the viewpoint of high adhesion and heat resistance.
  • the curing agent those known as epoxy resin curing agents can be used, and for example, acid anhydrides are preferably used. Since the acid anhydride has a flux function for removing the oxide film on the solder surface, excellent connection reliability can be obtained.
  • the acid anhydride include aliphatic acid anhydrides such as tetrapropenyl succinic anhydride and dodecenyl succinic anhydride, alicyclic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride and methyltetrahydrophthalic anhydride, phthalic anhydride, and trihydric anhydride. Examples thereof include aromatic acid anhydrides such as merit acid and pyromellitic anhydride.
  • curing agent may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.
  • Curing aids include imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 salt (DBU salt) ), Tertiary amines such as 2- (dimethylaminomethyl) phenol, phosphines such as triphenylphosphine, and metal compounds such as tin octylate.
  • imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 salt (DBU salt)
  • Tertiary amines such as 2- (dimethylaminomethyl) phenol
  • phosphines such as triphenylphosphine
  • metal compounds such as tin octylate.
  • the inorganic filler can be used for the purpose of adjusting the fluidity of the resin layer in the adhesive layer 4 at the time of pressure bonding.
  • silica, talc, titanium oxide, calcium carbonate, magnesium oxide, or the like can be used.
  • An inorganic filler may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
  • the adhesive composition may further contain an acrylic resin, an organic peroxide, etc. as other components depending on the purpose.
  • acrylic resin for example, monofunctional (meth) acrylate, bifunctional or higher (meth) acrylate can be used.
  • monofunctional (meth) acrylate include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, i-propyl (meth) acrylate, and n-butyl (meth) acrylate.
  • Bifunctional or higher (meth) acrylates include bisphenol F-EO modified di (meth) acrylate, bisphenol A-EO modified di (meth) acrylate, trimethylolpropane PO modified (meth) acrylate, and polyfunctional urethane (meth) acrylate.
  • An acrylic resin may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
  • organic peroxides examples include peroxyesters, peroxyketals, hydroperoxides, dialkyl peroxides, diacyl peroxides, and peroxydicarbonates.
  • An organic peroxide may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.
  • the thickness of the adhesive layer 4 can be, for example, 10 to 80% of the height of a bump (a soldered electrode 22 to be described later: see FIG. 6A) formed on the wafer. By making the height 10% or more of the bump height, it becomes easier to obtain the effect of reinforcing the bump. Moreover, the adhesive layer 4 can penetrate a bump more easily by setting it as 80% or less of the height of a bump.
  • the semiconductor processing tape according to the present invention is not limited to the above-described configuration, and other layers may be formed between the surface of each layer or between adjacent layers as long as the effects of the present invention are not impaired. .
  • FIG. 2 (a) is a process diagrams showing an example of a method for manufacturing a semiconductor processing tape according to the present embodiment.
  • the first laminate 5 in which the above-described pressure-sensitive adhesive layer 3 is provided on the first base material layer 2a and the above-mentioned on the second base material layer 2b.
  • a second laminated body 6 provided with the adhesive layer 4 is prepared.
  • the first base material layer 2a and the second base material layer 2b are made of the above-described materials, and may be made of the same material or different materials.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the first laminate 5 contains an acrylic copolymer and a crosslinking agent, and the acrylic copolymer has an acid value of 1.0 mgKOH / g or less. .
  • the first laminate 5 is obtained, for example, by applying a pressure-sensitive adhesive composition on the first base layer 2a and drying the pressure-sensitive adhesive composition to form the pressure-sensitive adhesive layer 3.
  • the pressure-sensitive adhesive composition contains an acrylic copolymer having an acid value of 1.0 mgKOH / g or less and a crosslinking agent.
  • the adhesive layer 4 of the second laminate 6 is prepared by, for example, preparing the thermosetting adhesive composition described above, and using a bar coater, the adhesive composition is peeled off from the second base material. It is obtained by applying on the layer 2b and drying.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the first laminate 5 obtained by such a process and the adhesive layer 4 of the second laminate 6 are opposed to each other as shown in FIG.
  • the first and second laminates 5 and 6 are pressed by the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the first laminate 5 and the adhesive layer 4 of the second laminate 6 as shown in FIG. Is laminated to obtain a semiconductor processing tape 1A having the same configuration as that of the semiconductor processing tape 1 shown in FIG.
  • a semiconductor processing tape 1A having the same configuration as that of the semiconductor processing tape 1 shown in FIG.
  • what is necessary is just to peel the 2nd base material layer 2b, when using this semiconductor processing tape 1A. Thereby, it becomes the same structure as the tape 1 for semiconductor processing shown in FIG.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the first laminate 5 of the present embodiment contains an acrylic copolymer and a crosslinking agent, and the acid value of the acrylic copolymer is 1.0 mgKOH / g. Consists of: With this configuration, the semiconductor processing tape 1A has a peel strength (25 ° C., T-type peel test) between the adhesive layer 4 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 after 48 hours from the production of 160 g / 5 cm. Or less than 140 g / 5 cm. Moreover, the lower limit value of the peel strength between the adhesive layer 4 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is not particularly limited, but can be set to, for example, 100 g / 5 cm or more.
  • the manufacturing method of the semiconductor device of this example includes, for example, a semiconductor processing tape attaching process, a dicing process, a semiconductor chip mounting process, and a thermocompression bonding process.
  • the wafer 10 is positioned and fixed by a jig 11 having a ring-shaped or frame-shaped frame having a diameter larger than the diameter of the wafer 10.
  • the semiconductor processing tape 1 is affixed to the surface of the electrode side surface 10a which is the side.
  • the above-described semiconductor processing tape 1 is placed on a support base (not shown) with the adhesive layer 4 facing upward, and a jig 11 and a wafer 10 are placed on the semiconductor processing tape 1. Place.
  • the electrode side surface 10a provided with a scribe line (not shown) of the wafer 10 is brought into close contact with the adhesive processing layer 1 side of the semiconductor processing tape 1.
  • the adhesive layer 4 of the semiconductor processing tape 1 functions as a dicing tape that protects and fixes the wafer 10 when the wafer 10 is diced and holds the wafer 10 during pick-up.
  • the semiconductor processing tape 1 can be adhered to the entire electrode side surface 10a of the wafer 10 by cutting unnecessary portions, for example. Thereafter, the layers other than the adhesive layer 4 (the base material layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3) are removed. As a result, as shown in FIG. 4, only the adhesive layer 4 remains on the electrode side surface 10 a of the wafer 10.
  • a large number of ICs are formed in the wafer 10, and solder is provided on the electrode side surface 10a of the wafer 10 for each semiconductor chip 20 divided by scribe lines as shown in FIG. 6A, for example.
  • An attached electrode 22 is provided.
  • the blade 13 is caused to travel while being pressed along a scribe line (not shown) on the electrode side surface 10 a of the wafer 10 to move the wafer 10 and the adhesive layer 4. Cutting and dividing into individual semiconductor chips 21 with tape for semiconductor processing.
  • the semiconductor chip 21 with a tape for semiconductor processing obtained by the above dicing process is bonded and held on the adhesive layer 4 by pressing the lower end of the pickup device 14 against the adhesive layer 4. Thereafter, by raising the pickup device 14, the semiconductor chip 21 with the tape for semiconductor processing is picked up (see FIG. 5).
  • the semiconductor chip 21 with a semiconductor processing tape and the circuit board 30 are arranged so that the adhesive layer 4 faces the circuit board 30. Further, the semiconductor chip 21 with the semiconductor processing tape is aligned and arranged so that the soldered electrode 22 and the counter electrode 31 of the circuit board 30 face each other. Then, using a heating bonder (not shown), the adhesive layer 4 is heated and pressed under conditions of a predetermined temperature, pressure, and time that cause fluidity but does not cause main curing. Mounted on the substrate 30.
  • the temperature condition at the time of mounting can be, for example, 30 ° C. or more and 155 ° C. or less.
  • pressure conditions can be 50 N or less, for example.
  • the time condition can be, for example, 0.1 seconds or more and 10 seconds or less.
  • the solder portion 23 at the tip of the soldered electrode 22 of the semiconductor chip 21 with a semiconductor processing tape 21 is melted to be in a metal-bondable state, and the adhesive layer 4 is completely cured.
  • the soldered electrode 22 of the semiconductor chip 20 and the counter electrode 31 of the circuit board 30 are metal-bonded, and the adhesive layer 4 is completely cured, whereby the semiconductor chip
  • the 20 soldered electrodes 22 and the counter electrode 31 of the circuit board 30 can be electrically and mechanically connected.
  • the usable period refers to the number of days from the day of tape production (completion) until the peel strength between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer of the tape exceeds 160 g / 5 cm. Practically, it is preferable that the usable period at room temperature is 2 days or more. The results are shown in Table 1.
  • Adhesive layer 5.0 parts by mass of acrylic ester polymer (product name: Teisan Resin SG-P3, manufactured by Nagase ChemteX), 10.0 parts by mass of phenoxy resin (product name: PKHH, manufactured by Union Carbide), epoxy resin (product name) : HP7200H, manufactured by Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.
  • the tapes for semiconductor processing obtained in Experimental Examples 1 and 2 have a good usable period because the acid value of the acrylic copolymer in the pressure-sensitive adhesive layer is 1.0 mgKOH / g or less (2 days It was found that (Experiment 1 was 13 days, Experiment 2 was 7 days).

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Abstract

本発明は、接着剤層にアクリル系の粘着剤層をラミネートした場合であっても、良好な使用可能期間を達成可能な半導体加工用テープを提供することを目的とする。本発明の半導体加工用テープ１は、基材層２と、基材層２上に設けられた粘着剤層３と、粘着剤層３上に設けられた接着剤層４とを備える。粘着剤層３が、アクリル系共重合体と、架橋剤とを含有し、アクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。

Description

半導体加工用テープ、及び半導体加工用テープの製造方法
　本発明は、半導体加工用テープ、及び半導体加工用テープの製造方法に関し、特に接着剤層と粘着剤層とがラミネートされた半導体加工用テープの技術に関する。
　近年、半導体チップの実装方法において、工程短縮、歩留りの向上等を目的として、半導体ウエハのバンプ（凸状電極）上に、アンダーフィルフィルムと呼ばれる接着剤層を貼り付けることが検討されている（例えば、特許文献１）。また、バンプ高さよりも薄い厚さの接着剤層を半導体ウエハに貼り付けることが検討されている。
　さらに、バンプの段差に対する接着剤層の埋め込み性をより向上させる目的で、接着剤層と粘着剤層（例えば微粘着テープ）とがラミネートされた半導体加工用テープが用いられることがある。しかし、接着剤層に、アクリル系の粘着剤層がラミネートされると、接着剤層中の硬化成分の反応が進行し過ぎてしまい、半導体加工用テープの使用可能期間が短くなってしまうおそれがある。
特開２０１５－７００４３号公報
　本発明は、このような従来技術の実情に鑑みて提案されたものであり、接着剤層にアクリル系の粘着剤層をラミネートした場合であっても、良好な使用可能期間を達成可能な半導体加工用テープを提供することを目的とする。
　本発明に係る半導体加工用テープは、基材層と、上記基材層上に設けられた粘着剤層と、上記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを備え、上記粘着剤層が、アクリル系共重合体と、架橋剤とを含有し、上記アクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であるものである。
　本発明は、上記アクリル系共重合体が、ブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、エチルアクリレート、酢酸ビニル及び２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートから選択される２種以上のモノマーからなる半導体加工用テープである。
　本発明は、上記接着剤層が、エポキシ樹脂及びアクリル樹脂の少なくとも１種を含有する半導体加工用テープである。
　本発明は、上記アクリル系共重合体の酸価が０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である半導体加工用テープである。
　本発明は、上記架橋剤がイソシアネート類である半導体加工用テープである。
　本発明は、上記接着剤層が、膜形成成分と、エポキシ樹脂と、硬化剤とを含有する半導体加工用テープである。
　本発明は、上記膜形成成分が、エポキシ基を有するアクリル酸エステル系ポリマーである半導体加工用テープである。
　本発明は、上記硬化剤が酸無水物を含む半導体加工用テープである。
　本発明は、第１の基材層上に粘着剤層を有する第１の積層体、及び第２の基材層上に接着剤層を有する第２の積層体とを用意する工程と、上記第１の積層体の粘着剤層と、上記第２の積層体の接着剤層とをラミネートすることにより、上記第１の基材層と、上記第１の基材層上に設けられた粘着剤層と、上記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを備える半導体加工用テープを製造する工程とを有し、上記粘着剤層が、アクリル系共重合体と、架橋剤とを含有し、上記アクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である、半導体加工用テープの製造方法である。
　本発明によれば、接着剤層にアクリル系の粘着剤層をラミネートした場合であっても、接着剤層中の硬化成分の反応の進行を抑制することができ、良好な即ち長い使用可能期間を達成可能な半導体加工用テープを提供することができる。
本実施の形態に係る半導体加工用テープの一例を示す断面図である。 （ａ）（ｂ）：本実施の形態に係る半導体加工用テープの製造方法の一例を示す工程図である。 ウエハ上に半導体加工用テープを貼り付ける工程の一例を模式的に示す斜視図である。 ウエハをダイシングする工程の一例を模式的に示す斜視図である。 半導体チップをピックアップする工程の一例を模式的に示す斜視図である。 （ａ）：搭載前の半導体チップと回路基板とを模式的に示す断面図、（ｂ）：熱圧着後の半導体チップと回路基板とを模式的に示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
　＜半導体加工用テープ＞
　例えば図１に示すように、本実施の形態に係る半導体加工用テープ１は、基材層２と、基材層２上に設けられた粘着剤層３と、粘着剤層３上に設けられた接着剤層４とを備える。
　粘着剤層３は、アクリル系共重合体と、架橋剤とを含有し、アクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である。このように、粘着剤層３中のアクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることにより、半導体加工用テープ１の使用前に、接着剤層４中の硬化成分（例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂）の反応が進行しすぎてしまうことを抑制できるため、半導体加工用テープ１の使用可能期間を良好に（長く）することができる。
　＜基材層＞
　基材層２は、接着剤層４の形状を維持するためのものであり、単層であってもよいし、異なる材質からなる層が積層された多層構造を有してもよい。
　基材層２としては、例えば、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる基材を用いることができる。
　また、基材層２としては、例えば、シリコーンなどの剥離剤をＰＥＴ、ＯＰＰ（Oriented Polypropylene）、ＰＭＰ（Poly-4-methylpentene-1）、ＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）などに塗布した積層構造からなるものを用いることもできる。
　基材層２の粘着剤層３側の表面には、粘着剤層３との密着性を制御する目的で、マット処理、コロナ処理、プラズマ処理などの表面粗化処理が施されていてもよい。
　基材層２の厚さは、適宜設定することができ、例えば、２５～２００μｍとすることができる。
　＜粘着剤層＞
　本実施の形態では、粘着剤層３は、基材層２の表面に形成され、バンプの段差に対する接着剤層４の埋め込み性をより向上させるためのものである。粘着剤層３は、アクリル系共重合体と、架橋剤とを含有する。また、粘着剤層３は、その他の成分として、例えば光重合開始剤などをさらに含有してもよい。
　アクリル系共重合体の酸価の上限側の範囲は、１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であり、０．８ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましい。ここで、アクリル系共重合体の酸価は、ＪＩＳＫ００７０で規定された方法で測定した値をいう。アクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることにより、半導体加工用テープ１の使用前に、接着剤層４中の硬化成分との反応が進行しすぎてしまうことを抑止できるため、半導体加工用テープ１の使用可能期間を良好にすることができる。
　また、アクリル系共重合体の酸価の下限側の範囲は、０．１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましく、０．３ｍｇＫＯＨ／ｇ以上がより好ましく、０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上がさらに好ましい。アクリル系共重合体の酸価が０．１ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることにより、架橋剤との反応成分が少なくなりすぎることを抑制できる。これにより、例えば、バンプの段差に対する接着剤層４の埋め込み性をより良好にすることができる。
　アクリル系共重合体は、（メタ）アクリレート成分に由来する構成単位を含む。（メタ）アクリレート成分としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　アクリル系共重合体は、上述した（メタ）アクリレート成分以外に、粘着剤層３の凝集力や耐熱性を調整する目的で、上述した（メタ）アクリレート成分と共重合可能な他のモノマー成分に対応する構成単位をさらに含んでいてもよい。他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシル基含有モノマー（例えば、（メタ）アクリル酸）、ヒドロキシル基含有モノマー（例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート）、酢酸ビニル等を用いることができる。
　具体的に、アクリル系共重合体は、ブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、エチルアクリレート、酢酸ビニル及び２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートから選択される２種以上のモノマーに対応する構成単位を含むことが好ましく、ブチルアクリレート、エチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、酢酸ビニル及び２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートに対応する構成単位を含むことがより好ましい。
　アクリル系共重合体は、上述した（メタ）アクリレート成分や他のモノマー成分を重合することにより得ることができる。重合方法は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。アクリル系共重合体の重合反応の種類としては、例えば、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合等が挙げられる。
　アクリル系共重合体の数平均分子量は、特に制限されないが、例えば、３０万～３００万程度とすることができる。
　架橋剤は、例えば粘着剤層３の粘着力の制御のために用いられる。架橋剤は、アクリル系共重合体に導入された官能基（例えば、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基等）と反応し得る官能基を、１分子中に２つ以上有する化合物が好ましい。特に、より強固な架橋構造を形成する観点から、架橋剤としては、イソシアネート類が好ましい。イソシアネート類としては、例えば、１分子中に２つ以上のイソシアネート基を有する化合物を用いることができる。具体的には、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、リジンイソシアネート等が挙げられる。また、イソシアネート類としては、上述のイソシアネート化合物と、１分子中に２つ以上の水酸基を有する多価アルコール類とを反応させることで得られるイソシアネート基含有オリゴマーを用いることもできる。このようなイソシアネート含有オリゴマーを用いることにより、粘着剤層３の架橋構造をより緻密にすることができる。
　＜接着剤層＞
　本実施の形態では、接着剤層４は、粘着剤層３の表面に形成されている。接着剤層４は、例えば、後述するように、ウエハのダイシング時にウエハを保護・固定し、ピックアップ時に保持するダイシングテープとして用いることができる。
　接着剤層４の樹脂組成は、特に限定されず、例えば、熱アニオン硬化型、熱カチオン硬化型、熱ラジカル硬化型などの熱硬化型樹脂、光カチオン硬化型、光ラジカル硬化型などの光硬化型樹脂、又はこれらを併用したものを用いることができる。
　接着剤層４の材料の一例として、膜形成成分と、エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化助剤と、無機フィラーとを含有する熱硬化型の接着剤組成物について説明する。
　膜形成成分としては、アクリル酸エステル系ポリマー、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂を用いることができる。これらの膜形成成分は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点から、エポキシ基を有するアクリル酸エステル系ポリマーが好適に用いられる。
　エポキシ樹脂としては、例えば、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、スピロ環型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、テルペン型エポキシ樹脂、テトラブロムビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、α－ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などを挙げることができる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、高接着性、耐熱性の点から、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
　硬化剤としては、エポキシ樹脂の硬化剤として公知のものを用いることができ、例えば、酸無水物を用いることが好ましい。酸無水物は、ハンダ表面の酸化膜を除去するフラックス機能を有するため、優れた接続信頼性を得ることができる。酸無水物としては、例えばテトラプロペニル無水コハク酸、ドデセニル無水コハク酸などの脂肪族酸無水物、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの脂環式酸無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸などの芳香族酸無水物などを挙げることができる。これらの硬化剤の中でも、ハンダ接続性の点から、脂肪族酸無水物を用いることが好ましい。硬化剤は、１種を単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いても良い。
　硬化助剤としては、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾールなどのイミダゾ－ル類、１，８－ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン－７塩（ＤＢＵ塩）、２－（ジメチルアミノメチル）フェノールなどの第３級アミン類、トリフェニルホスフィンなどのホスフィン類、オクチル酸スズなどの金属化合物などが挙げられる。
　無機フィラーは、圧着時における接着剤層４中の樹脂層の流動性を調整する目的で用いることができる。無機フィラーとしては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等を用いることができる。無機フィラーは、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　また、接着剤組成物は、目的に応じて、その他の成分としてアクリル樹脂、有機過酸化物等をさらに含有してもよい。
　アクリル樹脂としては、例えば、単官能（メタ）アクリレート、２官能以上の（メタ）アクリレートを用いることができる。単官能（メタ）アクリレートとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｉ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。２官能以上の（メタ）アクリレートとしては、ビスフェノールＦ―ＥＯ変性ジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ－ＥＯ変性ジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンＰＯ変性（メタ）アクリレート、多官能ウレタン（メタ）アクリレート等を挙げることができる。アクリル樹脂は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　有機過酸化物としては、例えば、パーオキシエステル、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート等を挙げることができる。有機過酸化物は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　接着剤層４の厚さは、例えば、ウエハに形成されたバンプ（後述するハンダ付き電極２２：図６（ａ）参照）の高さの１０～８０％とすることができる。バンプの高さの１０％以上にすることにより、バンプの補強の効果がより得やすくなる。また、バンプの高さの８０％以下にすることにより、接着剤層４がバンプをより容易に貫通させることができる。
　なお、本発明に係る半導体加工用テープは、上述した構成に限られることなく、本発明の効果を損なわない範囲で、各層の表面や隣接する層間に、他の層が形成されていてもよい。
　＜半導体加工用テープの製造方法＞
　次に、本実施の形態に係る半導体加工用テープの製造方法の一例について説明する。
　図２（ａ）（ｂ）は、本実施の形態に係る半導体加工用テープの製造方法の一例を示す工程図である。
　図２（ａ）に示すように、まず、第１の基材層２ａ上に上述した粘着剤層３が設けられた第１の積層体５と、第２の基材層２ｂ上に上述した接着剤層４が設けられた第２の積層体６を用意する。
　ここで、第１の基材層２ａと第２の基材層２ｂは、上述した材料からなるもので、同一の材料からなるものであっても、異なる材料からなるものであってもよい。
　第１の積層体５の粘着剤層３は、上述したように、アクリル系共重合体と架橋剤とを含有し、アクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下のものからなる。
　第１の積層体５は、例えば、第１の基材層２ａ上に粘着剤組成物を塗布し、この粘着剤組成物を乾燥させて粘着剤層３を形成することにより得られる。粘着剤組成物は、上述したように、酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であるアクリル系共重合体と、架橋剤とを含有するものである。
　第２の積層体６の接着剤層４は、例えば、上述した熱硬化型の接着剤組成物を調製し、バーコーターを用い、この接着剤組成物を、剥離処理された第２の基材層２ｂ上に塗布し、乾燥させることにより得られる。
　このような工程によって得られた第１の積層体５の粘着剤層３と、第２の積層体６の接着剤層４を、図２（ａ）に示すように対向させ、図示しないプレス機によって第１及び第２の積層体５、６を押圧し、図２（ｂ）に示すように、第１の積層体５の粘着剤層３と第２の積層体６の接着剤層４とをラミネートすることによって、図１に示す半導体加工用テープ１と同一の構成の半導体加工用テープ１Ａが得られる。
　なお、この半導体加工用テープ１Ａを使用する際には、第２の基材層２ｂを剥離すればよい。これにより、図１に示す半導体加工用テープ１と同一の構成となる。
　本実施の形態の第１の積層体５の粘着剤層３は、上述したように、アクリル系共重合体と架橋剤とを含有し、アクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下のものからなる。このような構成により、半導体加工用テープ１Ａは、作製から４８時間経過した後の接着剤層４と粘着剤層３との間の剥離強度（２５℃、Ｔ型剥離試験）を、１６０ｇ／５ｃｍ以下とすることができ、１４０ｇ／５ｃｍ以下とすることもできる。また、接着剤層４と粘着剤層３との間の剥離強度の下限値は、特に制限されないが、例えば１００ｇ／５ｃｍ以上とすることができる。
　＜半導体装置の製造方法＞
　次に、上述した半導体加工用テープ１を用いた半導体装置の製造方法の一例について説明する。本例の半導体装置の製造方法は、例えば、半導体加工用テープ貼付工程と、ダイシング工程と、半導体チップ搭載工程と、熱圧着工程とを有する。
　半導体加工用テープ貼付工程では、例えば図３に示すように、ウエハ１０の直径よりも大きな直径を有するリング状又は枠状のフレームを有する治具１１によりウエハ１０を位置決め固定し、ウエハ１０の接着側である電極側面１０ａの表面に半導体加工用テープ１を貼り付ける。
　図３に示す例では、図示しない支持台上に上述した半導体加工用テープ１を接着剤層４を上方に向けた状態で載置し、この半導体加工用テープ１上に治具１１及びウエハ１０を配置する。この場合、ウエハ１０の図示しないスクライブラインが設けられている電極側面１０ａを半導体加工用テープ１の接着剤層４側に向けてこれに密着させる。
　この半導体加工用テープ１の接着剤層４は、ウエハ１０のダイシング時にウエハ１０を保護・固定し、ピックアップ時に保持するダイシングテープとして機能する。
　本例の場合、半導体加工用テープ１は、例えば不要部分を切断することにより、ウエハ１０の電極側面１０ａに対して全面的に貼付けることができる。その後、接着剤層４以外の層（基材層２及び粘着剤層３）が除去される。これにより、図４に示すように、ウエハ１０の電極側面１０ａ上には接着剤層４のみが残る。なお、ウエハ１０には多数のＩＣ（Integrated Circuit）が作り込まれ、ウエハ１０の電極側面１０ａには、例えば図６（ａ）に示すように、スクライブラインによって区分される半導体チップ２０毎にハンダ付き電極２２が設けられている。
　ダイシング工程では、例えば図４及び図５に示すように、ブレード１３をウエハ１０の電極側面１０ａ上のスクライブライン（図示せず）に沿って押圧しながら走行させてウエハ１０及び接着剤層４を切削し、個々の半導体加工用テープ付き半導体チップ２１に分割する。
　以上のダイシング工程によって得られた半導体加工用テープ付き半導体チップ２１は、ピックアップ装置１４の下端部を接着剤層４に押し付けることにより当該下端部が接着剤層４に接着保持される。その後、ピックアップ装置１４の上昇させることにより、半導体加工用テープ付き半導体チップ２１は、上方にピックアップされる（図５参照）。
　半導体チップ搭載工程では、例えば図６（ａ）に示すように、半導体加工用テープ付き半導体チップ２１と回路基板３０とを、接着剤層４が回路基板３０と対向するように配置する。
　また、半導体加工用テープ付き半導体チップ２１をハンダ付き電極２２と回路基板３０の対向電極３１とが対向するように位置合わせして配置する。
　そして、図示しない加熱ボンダーを用い、接着剤層４に流動性は生じるが本硬化が生じない程度の所定の温度、圧力、時間の条件で加熱押圧し、半導体加工用テープ付き半導体チップ２１を回路基板３０上に搭載する。
　搭載時の温度条件は、例えば３０℃以上１５５℃以下とすることができる。また、圧力条件は、例えば５０Ｎ以下とすることができる。また、時間条件は、例えば０．１秒以上１０秒以下とすることができる。
　熱圧着工程では、半導体加工用テープ付き半導体チップ２１のハンダ付き電極２２先端部のハンダ部２３を溶融させて金属結合可能な状態にするとともに、接着剤層４を完全に硬化させる。
　これにより、例えば図６（ｂ）に示すように、半導体チップ２０のハンダ付き電極２２と回路基板３０の対向電極３１とが金属結合するとともに、接着剤層４が完全硬化することによって、半導体チップ２０のハンダ付き電極２２と回路基板３０の対向電極３１とを電気的、機械的に接続させることができる。
　以下、本発明の実施例について説明する。なお、本発明は、これらの実施例（実験例１～４）に限定されるものではない。
　［酸価］
　後述する粘着剤層に用いたアクリル系共重合体の酸価を、ＪＩＳＫ００７０で規定された方法で測定した。その結果を表１に示す。
　［剥離強度］
　実験例１～４の条件で作製し、作製時から４８時間経過した後の半導体加工用テープについて、２５℃でＴ型剥離試験を行い、接着剤層と粘着剤層との間の剥離強度（ｇ／５ｃｍ）を剥離強度試験機（株式会社オリエンテック製、商品名テンシロン）を用いて測定した。実用上、剥離強度が１６０ｇ／５ｃｍ以下であることが好ましい。その結果を表１に示す。
　［使用可能期間］
　実験例１～４の条件で作製した半導体加工用テープについて、常温での使用可能期間（日）を評価した。使用可能期間は、テープ作製（完成）の日から、テープの粘着剤層と接着剤層との間の剥離強度が１６０ｇ／５ｃｍを超えるまでの日数をいう。実用上、常温での使用可能期間２日以上であることが好ましい。その結果を表１に示す。
　［判定］
　実験例１～４の条件で作製した半導体加工用テープについて、使用可能期間が２日以上である場合をＯＫ（合格）と評価し、それ以外をＮＧ（不合格）と評価した。
　＜実験例１＞
　［粘着剤層］
　表１に示すように、ブチルアクリレート（ＢＡ）８０質量部と、エチルアクリレート（ＥＡ）１０質量部と、酢酸ビニル（ＶＡｃ）５質量部と、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）５質量部とを用いて、酸価が０．８ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル系共重合体を調製した。このアクリル系共重合体１００質量部に対して、架橋剤としてのポリイソシアネート化合物（品名：コロネネートＬ、東ソー社製）を２質量部加え、粘着剤組成物を調製した。ＰＥＴ基材上に粘着剤組成物を塗布し、８０℃のオーブンで５分間乾燥し、厚み２５μｍの粘着剤層を作製した。
　［接着剤層］
　アクリル酸エステル系ポリマー（品名：テイサンレジンＳＧ－Ｐ３、ナガセケムテックス社製）を５．０質量部、フェノキシ樹脂（品名：ＰＫＨＨ、ユニオンカーバイド社製）を１０．０質量部、エポキシ樹脂（品名：ＨＰ７２００Ｈ、大日本インキ化学社製）を１５．０質量部、酸無水物（品名：ＭＨ－７００、新日本理化社製）を９．０質量部、イミダゾール（品名：２ＭＺ－Ａ、四国化成工業社製）を０．３質量部、アクリル樹脂（品名：ＤＣＰ、新中村化学社製）を２４．０質量部、重合開始剤（品名：パーブチルＺ、日本油脂社製）を０．３質量部、フィラーＡ（品名：ＳＯ－Ｅ５、アドマテックス社製）を３１．５質量部、及びフィラーＢ（品名：アエロジルＲＹ２００、日本アエロジル社製）を５．０質量部配合し、接着剤層用の樹脂組成物を調製した。これを、剥離処理されたＰＥＴ基材上にバーコーターを用いて塗布し、８０℃のオーブンで３分間乾燥させ、厚み４０μｍの接着剤層を作製した。
　［半導体加工用テープ］
　上記粘着剤層と、上記接着剤層とを、図２（ａ）（ｂ）を参照して説明した方法によってラミネートし、ＰＥＴ基材と粘着剤層と接着剤層とを備える半導体加工用テープを作製した。
　＜実験例２＞
　粘着剤層に用いたアクリル系共重合体のモノマー種のうち、ブチルアクリレートを等量の２－エチルヘキシルアクリレート（２ＥＨＡ）に変更して、アクリル系共重合体の酸価を０．５ｍｇＫＯＨ／ｇとしたこと以外は、実験例１と同一の条件で半導体加工用テープを作製した。
　＜実験例３＞
　粘着剤層に用いたアクリル系共重合体のモノマー種のうち、酢酸ビニル５質量部を、酢酸ビニル４質量部とアクリル酸（ＡＡ）１質量部に変更して、アクリル系共重合体の酸価を１１ｍｇＫＯＨ／ｇとしたこと以外は、実験例１と同一の条件で半導体加工用テープを作製した。
　＜実験例４＞
　粘着剤層に用いたアクリル系共重合体のモノマー種のうち、酢酸ビニル５質量部を、酢酸ビニル４質量部とアクリル酸１質量部に変更して、アクリル系共重合体の酸価を１０ｍｇＫＯＨ／ｇとしたこと以外は、実験例２と同一の条件で半導体加工用テープを作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実験例１，２で得られた半導体加工用テープは、粘着剤層中のアクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることにより、使用可能期間が良好である（２日以上）ことが分かった（実験例１は１３日、実験例２は７日）。
　実験例３，４で得られた半導体加工用テープは、使用可能期間が良好でない（２日未満）ことが分かった（実験例３，４共に１日）。これは、粘着剤層中のアクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えたためと考えられる。
　１　半導体加工用テープ、２　基材層、３　粘着剤層、４　接着剤層、５　第１の積層体、６　第２の積層体、１０　ウエハ、１１　治具、１３　ブレード、２０　半導体チップ、２１　半導体加工用テープ付き半導体チップ、２２　ハンダ付き電極、３０　回路基板、３１　対向電極

Claims (9)

  1. 　基材層と、上記基材層上に設けられた粘着剤層と、上記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを備え、
    　上記粘着剤層が、アクリル系共重合体と、架橋剤とを含有し、
    　上記アクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である、半導体加工用テープ。
  2. 　上記アクリル系共重合体が、ブチルアクリレート、２－エチルヘキシルアクリレート、エチルアクリレート、酢酸ビニル及び２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートから選択される２種以上のモノマーからなる、請求項１記載の半導体加工用テープ。
  3. 　上記接着剤層が、エポキシ樹脂及びアクリル樹脂の少なくとも１種を含有する、請求項１記載の半導体加工用テープ。
  4. 　上記アクリル系共重合体の酸価が０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である、請求項１記載の半導体加工用テープ。
  5. 　上記架橋剤がイソシアネート類である、請求項１記載の半導体加工用テープ。
  6. 　上記接着剤層が、膜形成成分と、エポキシ樹脂と、硬化剤とを含有する、請求項１記載の半導体加工用テープ。
  7. 　上記膜形成成分が、エポキシ基を有するアクリル酸エステル系ポリマーである、請求項６記載の半導体加工用テープ。
  8. 　上記硬化剤が酸無水物を含む、請求項６記載の半導体加工用テープ。
  9. 　第１の基材層上に粘着剤層を有する第１の積層体、及び第２の基材層上に接着剤層を有する第２の積層体とを用意する工程と、
    　上記第１の積層体の粘着剤層と、上記第２の積層体の接着剤層とをラミネートすることにより、上記第１の基材層と、上記第１の基材層上に設けられた粘着剤層と、上記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを備える半導体加工用テープを製造する工程とを有し、
    　上記粘着剤層が、アクリル系共重合体と、架橋剤とを含有し、
    　上記アクリル系共重合体の酸価が１．０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である、半導体加工用テープの製造方法。
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