KR20140102756A - 레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법 - Google Patents

레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140102756A
KR20140102756A KR1020147019552A KR20147019552A KR20140102756A KR 20140102756 A KR20140102756 A KR 20140102756A KR 1020147019552 A KR1020147019552 A KR 1020147019552A KR 20147019552 A KR20147019552 A KR 20147019552A KR 20140102756 A KR20140102756 A KR 20140102756A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
film
ionomer
resin
copolymer
Prior art date
Application number
KR1020147019552A
Other languages
English (en)
Inventor
시게노리 나카노
마사히로 니시코리
요시에 하시모토
유스케 미야시타
Original Assignee
듀폰-미츠이 폴리케미칼 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 듀폰-미츠이 폴리케미칼 가부시키가이샤 filed Critical 듀폰-미츠이 폴리케미칼 가부시키가이샤
Publication of KR20140102756A publication Critical patent/KR20140102756A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F210/00—Copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond
    • C08F210/02—Ethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/04—Acids; Metal salts or ammonium salts thereof
    • C08F220/06—Acrylic acid; Methacrylic acid; Metal salts or ammonium salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
    • C08F8/44—Preparation of metal salts or ammonium salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08L23/08—Copolymers of ethene
    • C08L23/0846—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons containing other atoms than carbon or hydrogen atoms
    • C08L23/0869—Acids or derivatives thereof
    • C08L23/0876—Neutralised polymers, i.e. ionomers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/412—Transparent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2323/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2323/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2323/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08J2323/08—Copolymers of ethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2423/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2423/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2423/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08J2423/08—Copolymers of ethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/16—Applications used for films
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08L23/08—Copolymers of ethene
    • C08L23/0846—Copolymers of ethene with unsaturated hydrocarbons containing other atoms than carbon or hydrogen atoms
    • C08L23/0853—Vinylacetate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/414—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components presence of a copolymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/04—Presence of homo or copolymers of ethene
    • C09J2423/046—Presence of homo or copolymers of ethene in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C09J2433/006—Presence of (meth)acrylic polymer in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Abstract

두께가 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이고, 초기 응력이 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위이며, 확장률이 102% 이상 120% 이하의 범위이고, 헤이즈 값이 10 이하이며, 전체 광선 투과율이 90% 이상인 스텔스 다이싱용 필름 기재를 제공한다.

Description

레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법{SUBSTRATE FOR STEALTH DICING FILM, FILM FOR STEALTH DICING, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은, 스텔스 다이싱용 필름 기재, 및 그것을 이용한 스텔스 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에는, 냉각수 및 세정수를 이용하면서 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼를 절단하고, 다음의 확장 공정에 있어서, 절단된 웨이퍼에 대응하는 다이싱용 필름을 확장함으로써, 칩을 소편화(小片化)하는 것이 행하여지고 있었다. 이때, 반도체 웨이퍼를 다이싱용 필름으로 고정하여, 칩의 비산을 방지하고 있었다.
한편, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법으로서 레이저광에 의해 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2007-245173호 공보 참조). 레이저광을 이용한 다이싱법에 대해서는, 레이저를 웨이퍼 표면에 집광, 흡수시켜 홈을 파가는 표면 아브레이션 방식이 예로부터 알려져 있다. 최근에는, 레이저광을 웨이퍼 내부에 집광하여 개질 영역을 형성한 후, 웨이퍼와 대응하는 다이싱용 필름을 잡아당김으로써, 상기 개질 영역을 기점으로 하여 웨이퍼를 분할하는 방법(예를 들면, 스텔스 다이싱법)이 제안되고 있다.
레이저광을 이용한 다이싱법에 있어서, 레이저광을, 다이싱용 필름을 개재하여 조사하는 경우, 조사된 레이저광을 저해하지 않고 웨이퍼를 분단하기 위해서는, 다이싱용 필름이 높은 투명성을 가지고 있는 것이 요구된다. 또한, 다이싱용 필름에는, 레이저 조사 후의 웨이퍼의 분단을 양호하게 행할 수 있는 성상(性狀)을 가지고 있는 것이 요구된다.
상기 사정과의 관련에 있어서, 레이저광을 이용한 다이싱법에 관한 기술로서는, 예를 들면, 소정의 인장 탄성률이나 점착력 등을 가지는 점착층과, 소정의 인장 탄성률을 가지는 기재층을 포함하고, 확장률 및 헤이즈가 소정의 범위에 있는 다이싱 필름이 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2011-61097호 공보 참조). 이 다이싱 필름에 의하면, 높은 분단율이 얻어진다고 되어 있다.
아이오노머를 이용한 다이싱 기술로서, 칼륨 아이오노머를 포함하는 층을 구비한 다이싱 테이프용 기재가 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2011-40449호 공보 참조). 이 다이싱 테이프용 기재에 의하면, 대전방지 성능이 우수하다고 되어 있다. 또한, 아이오노머 수지를 베이스 폴리머로 하고, 소정의 결정 분산제가 배합된 기재 시트와, 점착제층을 가지는 반도체 웨이퍼용의 시트가 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2000-273416호 공보 및 일본국 공개특허 특개2000-345129호 공보 참조). 이 반도체 웨이퍼용의 시트에 의하면, 익스팬드(expand) 균일성이 얻어진다고 되어 있다.
또한, 아이오노머를 포함하는 가교 수지를 이용한 다이싱 기술로서는, 기재 필름으로서 비카트 연화점 및 열수축에 의한 응력의 증대를 소정의 범위로 함으로써, 가열 수축 공정 후에, 헐거움에 의한 문제를 일으키지 않는 다이싱 필름이 기재되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2011-216508호 공보 참조). 또한, 수염모양 절삭 부스러기의 실모양화를 방지하는 관점에서, 아연이나 마그네슘 등의 금속 이온으로 가교된 아이오노머 수지를 이용하는 것이 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2011-210887호 공보 참조).
또한, EMAA를 이용한 30㎛ 두께의 점착제 도포층과 저밀도 폴리에틸렌을 이용한 30㎛ 두께의 익스팬드 링 접촉층의 사이에, 결정성 폴리프로필렌을 함유하는 40㎛ 두께의 중간층이 배치된 3층 구조의 웨이퍼 다이싱 테이프용 기재가 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개2003-158098호 공보 참조). 이 웨이퍼 다이싱 테이프용 기재에 의하면, 균일 확장성이 우수하다고 되어 있다. 또한, 저밀도 폴리에틸렌을 이용한 2층의 사이에, 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산 2-메틸-프로필) 3원 공중합체 또는 그 아연 아이오노머 수지를 이용한 중심층이 배치된, 3층 구조의 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프가 개시되어 있다(예를 들면, 일본국 공개특허 특개평7-230972호 공보 참조). 이 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프에 의하면, 익스팬드시의 네킹 및 픽업 핀으로의 부착이 방지된다고 되어 있다.
그러나, 일본국 공개특허 특개2011-61097호 공보에 기재된 다이싱용 필름에 대해서는, 효율적으로 기판을 분할하는 점에서 어느 정도의 적성(適性)을 가지고 있고, 일본국 공개특허 특개2011-40449호 공보에 기재된 다이싱 테이프용 기재에 대해서는, 칼륨 아이오노머를 이용함으로써 대전방지 성능의 향상이 기대되나, 모두 투명성 또는 웨이퍼의 분단성의 점에서 시장의 요구에 반드시 적합하지는 않은 경우가 있다. 또한, 일본국 공개특허 특개2000-273416호 공보 및 일본국 공개특허 특개2000-345129호 공보에 기재되어 있는 시트는, 다이싱 블레이드에 의한 다이싱을 상정한 것으로, 레이저광에 의한 다이싱으로의 적용은 어렵다. 또한, 일본국 공개특허 특개2011-216508호 공보에는, 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 아이오노머를 적용하는 것에 관한 개시가 있으나, 블레이드에 의한 다이싱시의 과제 해소를 위한 기술이며, 레이저 다이싱시의 가공성까지는 예정되어 있지 않다.
일본국 공개특허 특개2011-210887호 공보에도, 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 아이오노머를 적용하는 것에 관한 개시가 있으나, 이 개시도 블레이드에 의한 다이싱시의 과제 해소를 위한 기술이며, 레이저 다이싱시의 가공성까지는 예정되어 있지 않다.
상기와 같이, 다이싱용 필름의 레이저 가공성에 대해서는, 가일층의 개량이 기대되고 있다.
또한, 일본국 공개특허 특개2003-158098호 공보에 기재되어 있는 웨이퍼 다이싱 테이프용 기재에서는, 적층 구조를 구성하는 중간층에 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀이 이용되고 있다. 일반적으로 폴리프로필렌 등은 신장시킬 때의 응력이 매우 크기 때문에, 특히 스텔스 다이싱법으로 레이저 조사 후에 다이싱용 필름을 익스팬드하면, 다이싱용 필름을 확장했을 때에 백화 현상을 초래하기 쉽다. 반대로, 3원 공중합체를 이용한 층을 중간층으로 한 3층 구조로 구성하는 일본국 공개특허 특개평7-230972호 공보에 기재된 기술에서는, 신장 초기에 있어서의 응력이 지나치게 작아지기 때문에, 웨이퍼의 분단을 양호하게 행하는 것은 어렵다. 이 경우에 웨이퍼의 분단성을 높이기 위해서는, 테이프의 익스팬드량을 늘릴 필요가 있으나, 테이프의 익스팬드량을 늘리면 테이프 휨량이 증대한 결과, 반송 공정 등에 악영향을 미칠 우려가 있다.
이와 같이, 레이저광을 이용한 종래의 다이싱 기술에서는, 레이저광을, 다이싱용 필름을 개재하여 조사하는 경우, 조사된 레이저광을 그 흡수나 산란 등의 영향을 받지 않고 웨이퍼 내부에 집광시키는 관점에서, 반드시 충분한 투명성을 확보할 수 있는 것에 도달하고 있지는 않은 것이 실정이다. 또한, 레이저광 조사 위치를 결정하는 관점에서, 가시 영역의 투명성이 필요하게 된다.
또한, 레이저광을 이용하는 스텔스 다이싱법에서는, 레이저 조사 후에 다이싱용 필름을 익스팬드함으로써 다이싱용 필름을 균일하게 확장하고, 다이싱용 필름에 대응하는 웨이퍼 내부의 크랙을 기점으로 분단한다. 이때의 분단성을 높이기 위해서는, 다이싱용 필름에 필요한 응력이, 백화 등 다른 성상에 악영향을 주는 일 없는 소정의 범위를 충족하고 있는 것이 요구된다. 특히, 다이싱용 필름의 응력이 부족한 경우에는, 반드시 충분한 분단성이 얻어지는 것은 아니다. 또한 다이싱용 필름에는 대전방지성을 갖추고 있는 것도 요구된다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 레이저광에 의한 스텔스 다이싱에 적합하고, 투명성과 웨이퍼 분단성이 우수한 스텔스 다이싱용 필름 기재 및 스텔스 다이싱용 필름, 및 웨이퍼 분단성이 우수한 전자부품의 제조방법을 제공하는 것이다.
웨이퍼의 분단성이란, 레이저광을 이용하여 형성된 웨이퍼 내부의 개질 영역에 있어서의 분할의 용이함이다. 다이싱용 필름 기재는, 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위(바람직한 하한치는 10MPa를 초과하는 범위)의 응력을 갖추면서 102% 이상의 확장성(확장률)을 가지고 있는 것이 양호한 분단성을 얻는 점에서 바람직하다.
본 발명자들은, 점착층과 기재를 구비한 스텔스 다이싱용 필름을 제작할 때에 설치되는 상기 기재(이하, 「스텔스 다이싱용 필름 기재」라고 하는 경우가 있다.)의 웨이퍼 분단성(즉 초기 응력)과 확장성을 개선하기 위하여 검토를 거듭하였다. 본 발명은, 상기 필름 기재의 두께를 적절한 두께로 유지하고, 필름 기재의 초기 응력 및 확장률을 소정의 범위로 조절함으로써, 필름 기재의 분단성과 확장성의 밸런스를 도모할 수 있다는 식견을 얻고, 이러한 식견에 의거하여 달성된 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 구체적 수단은 이하와 같다.
<1> 점착층과 기재를 구비한 스텔스 다이싱용 필름의 상기 기재로서 이용되고, 두께가 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이며, 초기 응력이 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위이고, 확장률이 102% 이상 120% 이하의 범위이며, 헤이즈 값이 10 이하이고, 전체 광선 투과율이 90% 이상인 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<2> 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 마그네슘 아이오노머 및 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 아연 아이오노머로부터 선택되고, 공중합체 중에 있어서의 (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 공중합비가 7질량% 미만인 아이오노머 수지를 포함하는 <1>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<3> 상기 마그네슘 아이오노머 및 상기 아연 아이오노머의 적어도 일방의, 상기 (메타)아크릴산 유래의 구성단위의 공중합체 중에 있어서의 공중합비가, 10질량% 초과 30질량% 이하인 <2>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<4> 상기 마그네슘 아이오노머 및 상기 아연 아이오노머의 적어도 일종은, 중화도가 0% 초과 60% 이하인 <2> 또는 <3>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<5> 상기 마그네슘 아이오노머 및 상기 아연 아이오노머의 적어도 일종은, 중화도가 10% 이상 40% 이하인 <2> 또는 <3>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<6> 상기 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 순서대로 중층된 중층 구조, 또는 상기 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)과 제 1 층(Y)이 순서대로 중층된 중층 구조를 가지고, 상기 층(X), 상기 층(Y) 및 상기 층(Z)의 두께가 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위인 <1>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<7> 상기 점착층과 접하는 층(X)이 수지 A를 포함하고, 상기 수지 A의 굽힘 강성률이 100MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며, 상기 제 1 층(Y)이 수지 B를 포함하고, 상기 수지 B의 굽힘 강성률이 5MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며, 상기 제 2 층(Z)이 수지 C를 포함하고, 상기 수지 C의 굽힘 강성률이 50MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며,
상기 수지 A 또는 상기 수지 C의 굽힘 강성률의 각각으로부터 상기 수지 B의 굽힘 강성률을 뺀 차의 절대값이 큰 쪽의 값이 50MPa 이상 345MPa 이하의 범위 내인 <6>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<8> 상기 점착층과 접하는 층(X)이 수지 A를 포함하고, 상기 수지 A가 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체의 아이오노머인 <6> 또는 <7>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<9> 상기 2원 공중합체 중에 있어서의 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유량은 1질량% 이상 35질량% 이하인 <8>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<10> 상기 제 1 층(Y)이 수지 B를 포함하고, 상기 수지 B가 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산 에스테르 2원 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종인 <6>∼<9> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<11> 상기 제 2 층(Z)이 수지 C를 포함하고, 상기 수지 C가 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머로부터 선택되는 적어도 1종인 <6>∼<10> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<12> 융점이 155℃ 이상 185℃ 이하의 대전방지제를 포함하는 <1>∼<11> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<13> 표면 저항률이 1×109Ω/sq 이상 1×1012Ω/sq 이하인 <1>∼<12> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재이다.
<14> 점착층과, <1>∼<13> 중 어느 하나에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재를 구비한 스텔스 다이싱용 필름이다.
<15> 웨이퍼의 이면에 <14>에 기재된 스텔스 다이싱용 필름을 부착하는 공정과, 상기 스텔스 다이싱용 필름이 부착된 웨이퍼에 대하여, 상기 스텔스 다이싱용 필름측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름을 개재하여 레이저광에 의해 상기 웨이퍼를 다이싱하는 공정을 포함하는 전자부품의 제조방법이다.
<16> 두께가 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이고, 초기 응력이 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위이며, 확장률이 102% 이상 120% 이하의 범위이고, 헤이즈 값이 10 이하이며, 전체 광선 투과율이 90% 이상인 필름 기재를, 스텔스 다이싱용 필름의 기재로서 사용하는 방법이다.
<17> 스텔스 다이싱용 필름의 제조를 위한 필름 기재의 사용에 있어서, 두께가 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이고, 초기 응력이 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위이며, 확장률이 102% 이상 120% 이하의 범위이고, 헤이즈 값이 10 이하이며, 전체 광선 투과율이 90% 이상인 필름 기재의 사용이다.
또한, 본 명세서에 있어서 「∼」을 이용하여 나타내는 수치 범위는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 범위를 의미한다.
본 발명에 의하면, 레이저광에 의한 다이싱에 적합하고, 투명성과 웨이퍼 분단성이 우수한 스텔스 다이싱용 필름 기재 및 스텔스 다이싱용 필름이 제공된다. 또한, 본 발명에 의하면, 웨이퍼 분단성이 우수한 전자부품의 제조방법이 제공된다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 스텔스 다이싱용 필름의 구성례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는, 도 1의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 다른 구성례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 3a는, 웨이퍼의 다이싱시에, 스텔스 다이싱용 필름을 개재하여 레이저광을 조사하고 있는 것을 나타내는 개략도이다.
도 3b는, 웨이퍼의 다이싱시에, 웨이퍼에 개질부가 형성된 상태를 나타내는 개략도이다.
도 4는, 스텔스 다이싱용 필름에 외부 응력을 부여하여 웨이퍼를 복수의 칩 으로 분리하는 것을 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재, 및 이것을 이용한 스텔스 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
[스텔스 다이싱용 필름 기재 및 스텔스 다이싱용 필름]
도 1∼도 4를 참조하여 스텔스 다이싱용 필름(1)에 대하여 설명하고, 당해 설명을 통해 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여 상세히 설명한다. 도 1은 스텔스 다이싱용 필름의 구성례를 나타내는 개략 단면도이다.
스텔스 다이싱은, 실리콘 웨이퍼의 내부에 레이저를 집광함으로써 웨이퍼 내에 개질층(크랙 등)을 형성하고, 테이프 익스팬드 등으로 외부 응력을 부여하여 칩 분할을 행하는 다이싱 방법이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)은 스텔스 다이싱용 필름 기재(11)(이하, 기재(11)라고 한다.)와, 기재(11) 상에 설치된 점착층(12)을 구비하고 있다.
기재(11)는 단층 또는 다층의 어느 것으로 구성되어도 된다. 기재(11)가 다층으로 구성되는 경우, 기재(11)는, 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름을 구성하는 점착층(12)과 접하는 층(11X)과 중간층(11Y 또는 11Z)과 내층(11Z 또는 11Y)을 중층한 3층 구조를 포함하는 구조로 구성할 수 있다.
스텔스 다이싱법에서는, 다이싱용 필름의 신장력을 이용하여, 웨이퍼를 칩화한다. 최근 주목받고 있는 스텔스 다이싱법에서는, 미소 사이즈의 반도체칩을 생산하는 경우, 종래부터 널리 이용되고 있는 블레이드 다이싱이나 레이저 다이싱에 사용되고 있는 다이싱 시트가 그대로 이용되어 왔다. 그러나, 이와 같은 종래의 다이싱 시트를 사용하면, 확장 초기의 강도(초기 응력)가 지나치게 낮은 경우가 있다. 필름의 초기 응력이 너무 지나치게 낮으면, 웨이퍼 내부에 형성된 개질부에 신장력이 충분히 전달되지 않기 때문에, 웨이퍼를 칩화하는 것이 곤란해진다. 즉, 초기 응력이 충분히 얻어지지 않는 필름에서는, 각 칩을 다이싱 라인에서 분할할 수가 없고, 칩이 복수 개 연결된 상태가 되어, 반도체칩의 생산 수율이 저하될 우려가 있다. 그 때문에, 본 발명에 있어서는, 스텔스 다이싱용 필름 기재의 웨이퍼 분단성(즉 초기 강도(초기 응력이라고도 한다)) 및 확장성을 개선하기 위하여, 상기 기재의 두께를 소정의 두께로 유지하고, 상기 기재의 초기 응력 및 확장률을 소정의 범위로 조절함으로써, 분단성과 확장성의 밸런스가 도모되고 있다.
특히 기재가 다층으로 구성되는 경우, 상기와 동일하게 웨이퍼 분단성(초기 강도) 및 확장성을 개선하기 위하여, 점착층에 접하는 층(X)에 대하여 층(11Y)(제 1 층(Y))과 층(11Z)(제 2 층(Z))을 중층하도록 하고, 기재의 초기 응력을 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위로 조정함으로써, 분단성과 확장성의 밸런스가 도모된다. 또한, 본 발명의 필름 기재는 중층 구조로 하면서, 층의 투명성은 유지되고 있고, 레이저의 확산이나 흡수가 적어, 스텔스 다이싱에 의한 가공 적성이 우수하다.
스텔스 다이싱용 필름(1)은, 일방(一方)면이 점착면으로 구성되고, 레이저광의 조사에 의해 웨이퍼에 형성된 크랙을 기점으로 비접촉으로 웨이퍼를 분단(분리)하는, 소위 스텔스 다이싱에 이용된다. 구체적으로는, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 다이싱 테이블(6) 상에 두어 웨이퍼(W)의 이면에 부착하고, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 개재하여 레이저를 조사한다. 레이저 조사에 의해 웨이퍼(W)의 내부에 레이저광(L)을 도광하고, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 레이저광에 의해 웨이퍼(W)의 내부에 개질 영역(W1)을 복수 형성한다. 그 후, 도 4에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)에 외부 응력을 부여하여 화살표 방향으로 확장함으로써, 상기 개질 영역(W1)을 기점으로 웨이퍼(W)를 개개의 칩으로 분리한다.
또한, 스텔스 다이싱용 필름(1)은, 상기의 스텔스 다이싱뿐만 아니라, 다이싱 블레이드에 의한 다이싱 방법이나 레이저광을 이용한 다른 다이싱 방법에도 적용 가능하다.
(기재)
기재는 단층 또는 2층 이상의 다층의 어느 것으로 구성되어도 된다.
∼A. 단층 구성∼
먼저, 기재가 단층 구조로 구성되어 있는 경우를 설명한다.
도 1은 기재(11)가 단층 구조로 구성된 예를 나타낸다. 도 1에서는, 기재(11)는 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 마그네슘 아이오노머 및/또는 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 아연 아이오노머를 이용하여 형성된 아이오노머 수지 기재이다.
마그네슘 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 마그네슘으로 중화된 마그네슘 아이오노머가 바람직하다. 공중합체에 있어서는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 혹은 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체를 사용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2원 랜덤 공중합체 또는 3원 랜덤 공중합체이다.
상기 아이오노머 수지 중 바람직한 마그네슘 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 마그네슘 이온으로 중화한 것이다. 마그네슘 이온에 의한 중화도는 0% 초과 60%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 60% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다. 더 바람직한 중화도는 10% 이상 40% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 확장성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하다.
그 중에서도, 마그네슘 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.
아연 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 아연으로 중화된 아연 아이오노머가 바람직하다. 공중합체는 상기 마그네슘 아이오노머와 동일하게, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 혹은 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2원 랜덤 공중합체 또는 3원 랜덤 공중합체이다.
적합한 아연 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 아연 이온으로 중화한 것이다. 아연 이온에 의한 중화도는 0% 초과 60%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 60% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다. 더 바람직한 중화도는 10% 이상 40% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 확장성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하다.
그 중에서도, 아연 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.
아이오노머를 구성하는 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체는, 적어도 에틸렌과 아크릴산 또는 메타크릴산이 공중합한 공중합체이고, 제 3 공중합 성분이 더 공중합된 3원 이상의 다원 공중합체여도 된다.
다원 공중합체를 형성하는 모노머로서는, 에틸렌 및 당해 에틸렌과 공중합 가능한 상기 (메타)아크릴산 외에, 제 3 공중합 성분으로서 불포화카르본산 에스테르(예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 이소옥틸, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸, 말레산 디메틸, 말레산 디에틸 등의 (메타)아크릴산 알킬에스테르), 비닐에스테르(예를 들면, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등), 불포화탄화수소(예를 들면, 프로필렌, 부텐, 1,3-부타디엔, 펜텐, 1,3-펜타디엔, 1-헥센 등), 비닐황산이나 비닐질산 등의 산화물, 할로겐 화합물(예를 들면, 염화비닐, 불화비닐 등), 비닐기 함유 1, 2급 아민화합물, 일산화탄소, 이산화유황 등이 공중합되어 있어도 된다.
그 중에서도, 상기 제 3 공중합 성분으로서는 불포화카르본산 에스테르가 바람직하고, (메타)아크릴산 알킬에스테르(알킬 부위의 바람직한 탄소수는 1∼4)가 보다 바람직하다.
상기 제 3 공중합 성분 유래의 구성단위의 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체 중에 있어서의 함유 비율은 7질량% 미만의 범위가 바람직하다.
본 발명에 있어서의 아이오노머 수지는, 불포화카르본산 에스테르를 포함해도 되나, 특히 (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 공중합체 중에 차지하는 함유 비율을 7질량% 미만으로 하는 것이 바람직하다. (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 함유 비율이 7질량% 미만이면, 다이싱용 필름의 응력을 유지하므로 보다 우수한 분단성이 얻어진다. (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 함유 비율로서는 5질량% 이하로 하는 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위를 가지지 않는(함유 비율: 0%[질량비]) 것이 보다 바람직하다.
∼B. 다층 구성∼
다음에, 기재가 다층 구조로 구성되어 있는 경우를 설명한다.
기재(11)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 점착층(12)과 접하는 층(11X)과 층(11Y)(제 1 층(Y))과 층(11Z)(제 2 층(Z))이 적어도 이 순서대로 중층된 중층 구조, 및 상기 점착층(12)과 접하는 층(X)과 층(11Z)(제 2 층(Z))과 층(11Y)(제 1 층(Y))이 적어도 이 순서대로 중층된 중층 구조로부터 선택되는 3층 이상으로 이루어지는 다층 구조를 설치하여 구성할 수 있다.
기재(11)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 그 일방측에 있어서 웨이퍼를 고정화하기 위한 점착층(12)과 접촉시킴으로써, 스텔스 다이싱용 필름을 구성할 수 있다. 스텔스 다이싱용 필름으로 한 경우, 점착층(12)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 기재(11)의 중층 구조에 있어서의 「점착층과 접하는 층(11X)」과 밀착된다. 그 때문에, 점착층과 접하는 층(11X)은 중층 구조의 표층(최외층)에 위치하도록 설치되어 있다.
기재(11)가, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 이 순서대로 배치된 중층 구조를 가지고 있는 경우, 제 1 층(Y)이 3층 구조를 형성하는 중간층을 이룬다. 또한, 이 중층 구조는, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)의 3층에 추가로, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)의 사이 또는 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)의 사이, 혹은 점착층과 접하는 층(X)/제 1 층(Y)/제 2 층(Z)의 3층 구조의 일단(一端)인 제 2 층(Z) 상에, 다른 층이 더 설치되어 4층 이상의 중층 구조로 구성되어도 된다.
또한, 기재(11)는, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)을 가지는 중층 구조의 다른 양태로서, 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 반대로 배치되고, 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)과 제 1 층(Y)이 이 순서대로 배치된 중층 구조로 구성되어도 된다. 이 경우, 제 2 층(Z)이 3층 구조를 형성하는 중간층을 이룬다. 이 중층 구조의 경우도 상기 구조의 경우와 동일하게, 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)의 사이 또는 제 2 층(Z)과 제 1 층(Y)의 사이, 혹은 점착층과 접하는 층(X)/제 2 층(Z)/제 1 층(Y)의 3층 구조의 일단인 제 1 층(Y) 상에, 다른 층이 더 설치되어 4층 이상의 중층 구조로 구성되어도 된다.
[점착층과 접하는 층(X)]
점착층과 접하는 층(X)은, 도 2에 나타내는 바와 같이 웨이퍼를 고정화하기 위한, 예를 들면 점착제로 이루어지는 점착층(12)과 밀착되는 층이고, 적어도 수지(본 명세서 중에 있어서 「수지 A」라고도 한다)를 함유한다. 밀착의 방법으로서는, 층(X) 면에 점착제를 공지의 방법, 예를 들면 그라비아 롤 코터, 리버스 롤 코터, 키스 롤 코터, 딥 롤 코터, 바 코터, 나이프 코터, 스프레이 코터 등을 이용하여 직접 도포하는 방법, 혹은 박리 시트 상에 점착제를 상기 공지의 방법으로 도포하여 점착층을 설치한 후, 이것을 층(X)에 부착하고, 점착층을 전사하는 방법 등을 이용할 수 있다. 층(X)의 수지 A로서는, 극성을 가지고, 자외선 경화성에 적합하게 구성되는 점착층(12)의 점착제와 잘 맞는 수지가 바람직하게 이용된다. 점착층(12)은 후술하는 바와 같이 자외선 경화성으로 구성된 층이 적합하고, 이와 같은 경우는 자외선 경화성의 조성과 양호한 밀착을 유지할 수 있는 수지를 이용하여 적합하게 구성할 수 있다.
점착층과 접하는 층(X)은 수지 A를 포함한다. 상기 수지 A의 굽힘 강성률로서는 100MPa 이상 350MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 수지 A의 굽힘 강성률이 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합한 것을 나타낸다. 그 중에서도, 수지 A의 굽힘 강성률은, 웨이퍼 분단성의 점에서 150MPa 이상 350MPa 이하가 보다 바람직하고, 180MPa 이상 350MPa 이하가 더 바람직하다.
점착층과 접하는 층(X)에 포함되는 수지 A로서는, 열가소성 수지가 바람직하고, 보다 바람직하게는 올레핀계 중합체이며, 예를 들면 에틸렌 및 불포화카르본산을 공중합 성분으로서 포함하는 에틸렌·불포화카르본산계 공중합체이다. 이 중에서도 에틸렌과 불포화카르본산이 공중합한 2원 공중합체(에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체)의 아이오노머가 적합하게 이용된다. 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체의 아이오노머를 이용함으로써, 투명성(헤이즈 및 전체 광선 투과율) 및 분단성이 우수하다.
아이오노머의 베이스 폴리머가 되는 상기 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체에 있어서, 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율은 1질량% 이상 35질량% 이하의 범위가 바람직하고, 5질량% 이상 25질량% 이하의 범위가 보다 바람직하며, 특히 바람직하게는 10질량% 이상 20질량% 이하의 범위이다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상인 것은 이 구성단위를 적극적으로 포함함을 의미하고, 불포화카르본산의 함유에 의해 투명성이나 접착성이 양호해진다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 35질량% 이하임으로써, 실용적인 내열성이 유지된다.
또한, 에틸렌으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율로서는 99질량% 이상 65질량% 이하의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 90질량% 이상 80질량% 이하의 범위이다.
에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 무수말레산, 말레산 모노에스테르 등을 들 수 있고, 특히, 아크릴산 또는 메타크릴산이 바람직하다.
아이오노머의 베이스 폴리머가 되는 2원 공중합체 중의 카르복실기를 중화하는 금속 이온으로서는, 예를 들면 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온 등의 알칼리 금속 이온;마그네슘 이온, 칼슘 이온, 아연 이온, 알루미늄 이온 등의 다가 금속의 이온 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 마그네슘 이온 또는 아연 이온이 보다 바람직하다. 이러한 금속 이온은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 아이오노머는 2원 공중합체 중의 카르복실기의 100% 이하의 범위에서 상기 금속 이온에 의해 중화되고, 그 중화도는 90% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 20% 이상 85% 이하의 범위이다.
마그네슘 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체의 적어도 일부가 마그네슘으로 중화된 마그네슘 아이오노머가 바람직하다. 공중합체에 있어서는 블록 공중합체, 랜덤 공중합체 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체가 바람직하다.
상기 아이오노머 수지 중 적합한 마그네슘 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 마그네슘 이온으로 중화한 것이다. 마그네슘 이온에 의한 중화도는 0% 초과 60%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 60% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다. 더 바람직한 중화도는 10% 이상 40% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 확장성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하다.
그 중에서도, 마그네슘 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.
아연 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체의 적어도 일부가 아연으로 중화된 아연 아이오노머가 바람직하다. 공중합체는, 상기 마그네슘 아이오노머와 동일하게, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체가 바람직하다.
적합한 아연 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 아연 이온으로 중화한 것이다. 아연 이온에 의한 중화도는 0% 초과 90%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 90% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다.
그 중에서도, 아연 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.
점착층과 접하는 층(X)을 형성하는 아이오노머로서는, 입수가 용이한 점에서 에틸렌·아크릴산 공중합체의 마그네슘(Mg) 아이오노머 또는 아연(Zn) 아이오노머, 및 에틸렌·메타크릴산 공중합체의 마그네슘(Mg) 아이오노머 또는 아연(Zn) 아이오노머가 바람직하다.
상기 점착층과 접하는 층(X)의 두께로서는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 바람직하다. 이 두께가 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 점착층과 접하는 층(X)의 바람직한 두께는 15㎛ 이상 80㎛ 이하이다.
점착층과 접하는 층(X)의 스텔스 다이싱용 필름 기재에 있어서의 두께의 비율로서는, 필름 기재로서의 안정 생산의 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 10% 이상인 것이 바람직하다. 제 1 층(Y)의 두께의 비율은, 분단성과 확장성의 밸런스를 도모하는 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 20% 이상인 것이 바람직하다.
[제 1 층(Y)]
기재(11)의 중층 구조를 구성하는 층(11Y)(제 1 층(Y))은, 상기 점착층과 접하는 층(X)과 후술하는 층(11Z)(제 2 층(Z))의 사이에 설치되는 중간층(도 2의 부호 11Y)으로서, 혹은 상기 점착층과 접하는 층(X)에 대하여 층(11Z)(제 2 층(Z))을 개재하여 설치되는 내층(도 2의 부호 11Y)으로서 배치되어 있는 것이 바람직하다.
제 1 층(Y)은 수지 B를 포함한다. 상기 수지 B의 굽힘 강성률로서는 5MPa 이상 350MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 수지 B의 굽힘 강성률이 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 그 중에서도, 수지 B의 굽힘 강성률은, 확장성의 점에서 5MPa 이상 330MPa 이하가 보다 바람직하고, 10MPa 이상 270MPa 이하가 보다 바람직하다.
제 1 층(Y)에 포함되는 수지 B로서는 열가소성 수지가 바람직하고, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌(low-density polyethylene;LDPE), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(linear low-density polyethylene;LLDPE), 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머, 에틸렌·불포화카르본산 에스테르 2원 공중합체 등이 적합하게 이용된다.
상기 수지 B의 예 중, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머는, 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상 35질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 5질량% 이상 25질량% 이하의 범위가 보다 바람직하며, 특히 바람직하게는 10질량% 이상 20질량% 이하의 범위이다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상인 것은, 이 구성단위를 적극적으로 포함함을 의미하고, 불포화카르본산의 함유에 의해 투명성이나 금속 접착성이 양호해진다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 35질량% 이하임으로써, 실용적인 내열성이 유지된다.
또한, 에틸렌으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율로서는 99질량% 이상 65질량% 이하의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 90질량% 이상 80질량% 이하의 범위이다.
상기 2원 공중합체 또는 상기 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산으로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 무수말레산, 말레산 모노에스테르 등을 들 수 있고, 특히, 아크릴산 또는 메타크릴산이 바람직하다.
상기 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산 에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 이소옥틸, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸, 말레산 디메틸, 말레산 디에틸 등의 (메타)아크릴산 알킬에스테르 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (메타)아크릴산 알킬에스테르(알킬 부위의 바람직한 탄소수는 1∼4)가 보다 바람직하다.
아이오노머의 베이스 폴리머가 되는 2원 공중합체 또는 3원 공중합체 중의 카르복실기를 중화하는 금속 이온으로서는 마그네슘, 아연, 나트륨, 칼륨 등이 바람직하고, 그 중에서도 마그네슘 및 아연이 보다 바람직하다. 아이오노머는 2원 공중합체 중의 카르복실기의 100% 이하의 범위에서 상기 금속 이온에 의해 중화되고, 그 중화도는 90% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 20% 이상 85% 이하의 범위이다.
마그네슘 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 마그네슘으로 중화된 마그네슘 아이오노머가 바람직하다. 공중합체에 있어서는, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 혹은 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체를 사용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 2원 랜덤 공중합체 또는 3원 랜덤 공중합체이다.
상기 아이오노머 수지 중 적합한 마그네슘 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 마그네슘 이온으로 중화한 것이다. 마그네슘 이온에 의한 중화도는 0% 초과 60%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 60% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다. 더 바람직한 중화도는 10% 이상 40% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 확장성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하다.
그 중에서도, 마그네슘 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.
아연 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 아연으로 중화된 아연 아이오노머가 바람직하다. 공중합체는, 상기 마그네슘 아이오노머와 동일하게, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체 또는 그래프트 공중합체의 어느 것이어도 되나, 투명성을 고려하면 2원 랜덤 공중합체, 3원 랜덤 공중합체, 2원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체 혹은 3원 랜덤 공중합체의 그래프트 공중합체가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2원 랜덤 공중합체또는 3원 랜덤 공중합체이다.
적합한 아연 아이오노머는, 고압 라디칼 중합법으로 합성된 에틸렌과 (메타)아크릴산의 공중합체를 베이스로 하고, 상기 (메타)아크릴산의 공중합비를 10질량% 초과 30질량% 이하의 범위로 한 것을, 아연 이온으로 중화한 것이다. 아연 이온에 의한 중화도는 0% 초과 90%의 범위이고, 이 범위에서는 확장성과 분단성이 우수하다. 바람직한 중화도는 10% 이상 90% 이하의 범위이고, 이 범위 내이면 투명성이 우수하다.
그 중에서도, 아연 아이오노머 중에 있어서의 (메타)아크릴산의 공중합비는, 확장성, 성형 가공성, 분단성 및 투명성의 밸런스가 우수하고, 공업적으로 입수하기 쉬운 점에서, 10질량% 초과 20질량% 이하가 보다 바람직하다.
상기 수지 B의 예 중, 에틸렌·불포화카르본산 에스테르 공중합체는 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체가 바람직하다.
에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체를 구성하는 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 이소부틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 이소옥틸, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 이소부틸, 말레산 디메틸, 말레산 디에틸 등을 적합하게 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 바람직한 양태의 하나는 제 1 층(Y)이, 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)의 사이에 배치되는 중간층으로서 설치된 양태이다. 다른 바람직한 양태의 하나는 제 2 층(Z)이, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)의 사이에 배치되는 중간층으로서 설치된 양태이다.
제 1 층(Y)이, 중층 구조를 구성하는 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)의 사이에 배치되는 중간층으로서 설치되는 경우, 점착층과 접하는 층(X) 및 제 2 층(Z)에 대하여 비교적 부드러운 층으로 구성하고, 필름 기재로서의 응력(특히 초기 응력)을 완화하여, 확장 기능을 갖게 하는 관점에서, 제 1 층(Y)에 포함되는 수지 B로서는, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌(low-density polyethylene;LDPE), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(linear low-density polyethylene;LLDPE), 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머가 바람직하다.
또한, 제 2 층(Z)이, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)의 사이에 배치되는 중간층으로서 설치되는 경우, 필름 기재로서의 응력(특히 초기 응력)을 완화하고, 확장 기능을 갖게 하며, 확장시에 층(Y)과 접하는 확장 스테이지와의 미끄럼성이나 내블로킹성을 갖게 하는 관점에서, 제 2 층(Z)에 포함되는 수지 C로서는, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌(low-density polyethylene;LDPE), 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(linear low-density polyethylene;LLDPE), 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머가 바람직하다.
상기 제 1 층(Y)의 두께로서는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 바람직하다. 이 두께가 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 제 1 층(Y)의 바람직한 두께는 15㎛ 이상 80㎛ 이하이다.
제 1 층(Y)의 스텔스 다이싱용 필름 기재에 있어서의 두께의 비율로서는, 필름 기재로서의 안정 생산의 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 10% 이상인 것이 바람직하다. 제 1 층(Y)의 두께의 비율은, 분단성과 확장성의 밸런스를 도모하는 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 20% 이상인 것이 바람직하다.
[제 2 층(Z)]
기재(11)의 중층 구조를 구성하는 층(11Z)(제 2 층(Z))은, 상기 점착층과 접하는 층(X)에 대하여 층(11Y)(제 1 층(Y))을 개재하여 설치되는 내층(도 2의 부호 11Z)으로서, 혹은 상기 점착층과 접하는 층(X)과 상기 층(11Y)(제 1 층(Y))의 사이에 설치되는 중간층(도 2의 부호 11Z)으로서 배치된다.
제 2 층(Z)은 수지 C를 포함한다. 상기 수지 C의 굽힘 강성률로서는 50MPa 이상 350MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 수지 C의 굽힘 강성률이 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 그 중에서도, 수지 C의 굽힘 강성률은, 웨이퍼 분단성의 점에서 50MPa 이상 330MPa 이하가 보다 바람직하고, 70MPa 이상 330MPa 이하가 더 바람직하다.
제 2 층(Z)에 포함되는 수지 C로서는 열가소성 수지가 바람직하고, 예를 들면 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머가 적합하게 이용된다.
상기 수지 C의 예 중, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머는, 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상 35질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5질량% 이상 20질량% 이하의 범위이다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 1질량% 이상인 것은, 이 구성단위를 적극적으로 포함함을 의미하고, 불포화카르본산의 함유에 의해 투명성이나 금속 접착성이 양호해진다. 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율이 35질량% 이하임으로써, 실용적인 내열성이 유지된다.
또한, 에틸렌으로부터 유도되는 구성단위의 함유 비율로서는 99질량% 이상 65질량% 이하의 범위가 바람직하고, 보다 바람직하게는 95질량% 이상 80질량% 이하의 범위이다.
상기 2원 공중합체 또는 상기 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산, 및 상기 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산 에스테르의 상세에 대해서는, 이미 서술한 제 1 층(Y)에 있어서의 2원 공중합체 또는 3원 공중합체를 구성하는 불포화카르본산, 및 불포화카르본산 에스테르와 동의이고, 바람직한 양태도 동일하다.
아이오노머의 베이스 폴리머가 되는 2원 공중합체 중의 카르복실기를 중화하는 금속 이온으로서는, 예를 들면 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온 등의 알칼리 금속 이온;마그네슘 이온, 칼슘 이온, 아연 이온, 알루미늄 이온 등의 다가 금속의 이온 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 마그네슘 이온 또는 아연 이온이 보다 바람직하다. 이러한 금속 이온은 1종 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 아이오노머는 2원 공중합체 중의 카르복실기의 100% 이하의 범위에서 상기 금속 이온에 의해 중화되고, 그 중화도는 90% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 20% 이상 85% 이하의 범위이다.
상기 중, 마그네슘 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 마그네슘으로 중화된 마그네슘 아이오노머가 바람직하다.
아연 아이오노머로서는 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체, 또는 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산 알킬에스테르 공중합체의 적어도 일부가 아연으로 중화된 아연 아이오노머가 바람직하다.
이러한 마그네슘 아이오노머, 아연 아이오노머의 상세에 대해서는, 이미 서술한 제 1 층(Y)의 항목에서 설명한 마그네슘 아이오노머 및 아연 아이오노머와 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.
상기 제 2 층(Z)의 두께로서는 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위가 바람직하다. 이 두께가 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 의한 가공(분단 가공, 특히 초기 응력의 유지)에 적합함을 나타낸다. 제 2 층(Z)의 바람직한 두께는 15㎛ 이상 80㎛ 이하이다.
제 2 층(Z)의 스텔스 다이싱용 필름 기재에 있어서의 두께의 비율로서는, 필름 기재로서의 안정 생산의 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 10% 이상인 것이 바람직하다. 제 2 층(Z)의 두께의 비율은, 분단성과 확장성의 밸런스를 도모하는 관점에서는 필름 기재 전체의 두께의 20% 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기 점착층과 접하는 층(X)에 포함되는 수지 A의 굽힘 강성률 또는 상기 층(Z)에 포함되는 수지 C의 굽힘 강성률의 각각으로부터 층(Y)에 포함되는 수지 B의 굽힘 강성률을 뺀 차의 절대값(|수지 A의 굽힘 강성률－수지 B의 굽힘 강성률|, 또는 |수지 C의 굽힘 강성률－수지 B의 굽힘 강성률|)이 큰 쪽의 값이, 50MPa 이상 345MPa 이하의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 「||」의 기호는 절대값을 나타낸다.
상기 값이 50MPa 이상이면, X의 강도가 낮은 경우라도 웨이퍼 분단성이 보다 우수하고, 또한 X의 강도가 높은 경우라도 확장성이 보다 우수하다. 또한, 상기 값이 345MPa 이하이면, 점착층과 접하는 층(X)의 강도(굽힘 강성률)를 분단성에 양호한 정도로 완화할 수 있는 점에서 유리하다.
그 중에서도, 상기 동일한 이유에서, 상기 차의 절대값이 큰 쪽의 값은 50MPa 이상 330MPa 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 스텔스 다이싱에 의한 웨이퍼의 분단성이 보다 우수한 점에서, 점착층과 접하는 층(X)의 두께가 15㎛ 이상 80㎛ 이하이고, 상기 층(Y)의 두께가 15㎛ 이상 80㎛ 이하이며, 상기 층(Z)의 두께가 15㎛ 이상 80㎛ 이하인 양태가 바람직하다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 순서대로 중층된 중층 구조, 또는 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)과 제 1 층(Y)이 순서대로 중층된 중층 구조를 포함하고, 상기 점착층과 접하는 층(X)이 수지 A를 포함하고, 상기 수지 A의 굽힘 강성률이 180MPa 이상 350MPa 이하이며, 상기 제 1 층(Y)이 수지 B를 포함하고, 상기 수지 B의 굽힘 강성률이 10MPa 이상 270MPa 이하이며, 상기 제 2 층(Z)이 수지 C를 포함하고, 상기 수지 C의 굽힘 강성률이 70MPa 이상 330MPa 이하인 양태가 바람직하다.
또한, 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 순서대로 중층된 중층 구조를 포함하고, 상기 점착층과 접하는 층(X)에 포함되는 수지 A가 에틸렌·아크릴산 공중합체의 Zn 아이오노머 또는 Mg 아이오노머, 에틸렌·메타크릴산 공중합체의 Zn 아이오노머 또는 Mg 아이오노머이며, 상기 제 1 층(Y)에 포함되는 수지 B가 저밀도 폴리에틸렌(low-density polyethylene;LDPE), 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌(linear low-density polyethylene;LLDPE), 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 2원 공중합체 및 그 Zn 아이오노머, 에틸렌·(메타)아크릴산·(메타)아크릴산(바람직하게는 탄소수 1∼4의)알킬에스테르 3원 공중합체 및 그 Zn 아이오노머이고, 상기 제 2 층(Z)에 포함되는 수지 C가 에틸렌·(메타)아크릴산 2원 공중합체 및 그 Zn 아이오노머 및 Mg 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머인 양태가 바람직하다.
스텔스 다이싱용 필름 기재를 구성하는 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)(또는 층(Y))과 제 1 층(Y)(또는 층(Z))의 층 두께(㎛)의 비율(X/Z/Y(또는 X/Y/Z))로서는, 층(X)의 비율이 10% 이상 80% 이하이고, 층(Y)의 비율이 10% 이상 70% 이하이며, 층(Z)의 비율이 10% 이상 80% 이하인 것이 바람직하다. 각 층 두께의 비율은 합계가 100%가 되도록 선택한다. 비율[%]은 「각 층의 두께/총두께×100」으로부터 구할 수 있다.
∼물성∼
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 헤이즈는, 분단성을 높이는 점에서 레이저광의 투과를 저해하지 않도록 작을수록 바람직하다. 구체적으로는, 헤이즈는 10 이하로 한다. 헤이즈가 10 이하인 것은, 레이저광을 이용한 스텔스 다이싱에 의한 가공에 적합한 투명성을 가지고 있음을 나타낸다. 그 중에서도, 헤이즈는 9.0 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 8.0 이하이다.
헤이즈는, 헤이즈 미터를 이용하여 JIS K 7136에 따라 측정되는 값이다.
또한, 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 전체 광선 투과율은, 스텔스 다이싱 공정에 있어서의 카메라를 사용한 조사 위치 정밀도를 높이는 점에서 90% 이상으로 한다. 전체 광선 투과율이 90% 이상인 것은, 레이저광을 이용한 스텔스 다이싱에 의한 가공에 적합한 광 투과성을 갖추고 있음을 나타낸다. 전체 광선 투과율은 HM-150형((주)무라카미시키사이겐큐죠제)을 이용하고, 23℃, 50% 상대습도 분위기하에서, JIS K 7361에 준거하여 측정되는 값이다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 초기 응력은 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위로 하고, 바람직한 하한치는 10MPa를 초과하는 범위이다. 또한, 초기 응력은 10MPa 이상 17MPa 미만인 것이 보다 바람직하다. 초기 응력이 9MPa 미만이면, 웨이퍼를 분단할 때의 외부 응력을 유지할 수 없어, 웨이퍼의 분할을 양호하게 행할 수 없다. 또한, 초기 응력이 19MPa를 초과하면, 확장률이 악화되어, 균일하게 분단할 수 없는 등, 분단성이 떨어진다.
본 발명에 있어서의 초기 응력은, JIS K 7127에 준거하고, 스텔스 다이싱용 필름 기재의 MD방향 및 TD방향에 대하여, 시험 속도:500mm/s, 시험편:폭 10mm×길이 200mm, 척 사이:100mm의 조건하에서, 시험편이 6% 신장했을 때에 측정되는 응력으로서 얻어지며, MD 및 TD의 측정치의 평균으로 평가한다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 확장률은 102% 이상 120% 이하로 하고, 바람직하게는 104% 이상 120% 이하이며, 보다 바람직하게는 104% 이상 110% 이하이다. 확장률이 상기 범위의 하한치(102%) 미만이면, 웨이퍼를 분단할 때의 외부 응력을 유지할 수 없어, 웨이퍼의 분단을 양호하게 행할 수 없다. 확장률이 상기 범위의 상한치(120%)를 초과하는 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 초기 응력 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위에서 현실적으로 존재할 수 없다.
확장률은 이하의 방법에 의해 측정되는 값이다.
즉, 제작한 스텔스 다이싱용 필름 기재로부터 세로(MD)방향 300mm이상×가로(TD)방향 300mm이상의 4각형의 시료편을 잘라낸다. 이 시료편에 141mm 모서리(角)의 정방형을 유성펜 등의 필기 용구로 그린 측정 대상 1을 작성하고, 이 측정 대상 1을, 스테이지 중심과 측정 대상 1에 그린 정방형의 중심이 맞도록, 8인치 웨이퍼용의 웨이퍼 확장 장치(테크노비전사제의 웨이퍼 확장 장치 TEX-218G GR-8)에 세팅한다. 이어서, 스테이지를 15mm 끌어올려, 스텔스 다이싱용 필름을 확장한 후 60초간 정치(靜置)하고, 측정 대상 1의 정방형의 각 변의 길이(변 길이)를 측정한다. 얻어지는 변 길이 4점에 대하여, 각각 신장률(%;＝확장 후의 변 길이/확장 전의 변 길이×100)을 계산하고, 그 평균치를 구한다.
기재(11)의 두께로서는 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이다. 기재의 총두께가 상기 범위 내에 있는 것은, 스텔스 다이싱에 적합한 기재의 두께임을 나타낸다. 또한, 기재의 두께는, 확장성과 투명성의 관점에서 150㎛ 이하가 적합하고, 또 분단성의 관점에서 80㎛ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 기재(11)는 레이저광(L)을 산란시키지 않는 것이 바람직하고, 표면 및 이면이 평활한 것이 바람직하다. 기재(11)의 표면 및 이면은, 그 표면 거칠기(Ra)(산출 평균 거칠기)가 1.0㎛ 이하인 것이 바람직하다.
표면 거칠기(Ra)는, 광 간섭식의 비접촉형 표면 형상 거칠기 측정기를 사용하고, JIS B 0601-2001에 준거하여 측정되는 값이다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재의 표면 저항률은, 대전방지 성능의 관점에서 1.0×109Ω/sq 이상 1.0×1012Ω/sq 이하인 것이 바람직하다. 표면 저항률의 조정은, 예를 들면 일본국 특허 제4606029호에 개시되어 있는 바와 같이, 폴리에테르에스테르 성분을 포함하는 대전방지제를 첨가하는 방법이나 이온 전도성 화합물을 스텔스 다이싱용 필름 기재에 미리 첨가하는 방법 등의 공지의 방법을 이용하여 행할 수 있다.
표면 저항률은 Hiresta-UP(미쓰비시가가쿠(주)제)을 이용하고, 시험 온도 23℃, 상대습도 50%의 조건에서, 인가 전압 500V로 하여 측정되는 값이다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재는, 폴리에테르에스테르 성분을 포함하는 대전방지제를 포함하는 것이 바람직하다. 대전방지제의 융점은 155℃ 이상 185℃ 이하인 것이 바람직하고, 160℃ 이상 185℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 160℃ 이상 180℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 이와 같은 대전방지제를 포함함으로써, 필름 기재의 투명성을 손상하지 않고 대전방지성을 높일 수 있다. 대전방지제의 융점이 상기 범위 내임으로써, 대전방지제를 함유한 경우의 아이오노머 수지(특히, 아연 아이오노머 또는 마그네슘 아이오노머)의 투명성을 높게 유지할 수 있다.
융점은, 시차 주사 열량 측정(Differential scanning calorimetry;DSC)에 의해 측정 시료와 기준 물질 사이의 열량의 차를 계측하여, 나타나는 피크 파형으로부터 구할 수 있다.
상기 대전방지제로서는 저분자형 대전방지제나 고분자형 대전방지제를 들 수 있으나, 고분자형 대전방지제가 바람직하고, 고분자형 대전방지제로서는 분자 내에 술폰산염을 가지는 비닐 공중합체, 알킬술폰산염, 알킬벤젠술폰산염, 베타인 등을 들 수 있다. 또한, 폴리에테르, 폴리아미드엘라스토머, 폴리에스테르엘라스토머, 폴리에테르아미드 또는 폴리에테르에스테르아미드의 무기프로톤산의 염 등을 들 수 있다. 무기프로톤산의 염으로서는 알칼리 금속염, 알칼리토류 금속, 아연염, 또는 암모늄염을 들 수 있다.
폴리에테르에스테르아미드로서는, 폴리아미드 블록과 폴리옥시알킬렌글리콜 블록으로 구성되고, 이러한 블록이 에스테르 결합된 블록 공중합체를 들 수 있다.
폴리에테르에스테르아미드에 있어서의 폴리아미드 블록은, 예를 들면 디카르본산(예:초산, 숙신산, 아디핀산, 세바신산, 도데칸 2산, 테레프탈산, 이소프탈산, 1,4-시클로헥산디카르본산 등)과, 디아민(예:에틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디아민, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디아민, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 메틸렌비스(4-아미노시클로헥산), m-크실릴렌디아민, p-크실릴렌디아민 등)의 중축합, ε-카프로락탐, ω-도데카락탐 등의 락탐의 개환 중합, 6-아미노카프론산, 9-아미노노난산, 11-아미노운데칸산, 12-아미노도데칸산 등의 아미노카르본산의 중축합, 혹은 상기 락탐과 디카르본산과 디아민의 공중합 등에 의해 얻어지는 것이다. 이와 같은 폴리아미드 세그먼트는 나일론4, 나일론6, 나일론46, 나일론66, 나일론610, 나일론612, 나일론6T, 나일론11, 나일론12, 나일론6/66, 나일론6/12, 나일론6/610, 나일론66/12, 나일론6/66/610 등이고, 특히 나일론11, 나일론12 등이 바람직하다. 폴리아미드 블록의 분자량은, 예를 들면 400∼5000 정도이다.
또한, 폴리에테르 블록으로서는 폴리옥시에틸렌글리콜, 폴리옥시프로필렌글리콜, 폴리옥시테트라메틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌글리콜 등의 폴리옥시알킬렌글리콜 혹은 이들의 혼합물 등이 예시된다. 이들의 분자량은, 예를 들면 400∼6000 정도, 나아가서는 600∼5000 정도가 좋다.
대전방지제로서는 출시되어 있는 시판품을 이용해도 되고, 구체예로서, BASF재팬사제의 IRGASTAT P-16, 동(同)P-18, 동P-20, 동P-22 등, 산요가세이고교사제의 PELESTAT 230, PELESTAT HC250, PELESTAT 300, PELESTAT 2450, PELECTRON PVH, 미츠이·듀폰폴리케미칼사제의 ENTIRA MK400, MK440, SD100 등을 들 수 있다.
상기 대전방지제는 열가소성 수지 중에 소정량을 용융 혼합하거나, 또는 대전방지제를 드라이 블렌드하여, 이것을 용융 혼합할 수 있다.
상기 대전방지제는 필름 기재를 구성하는 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 어느 것에 함유되어도 되고, 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 모든 층에 함유시켜도 된다. 자외선 흡수제를 함유시키는 경우, 자외선 흡수제를 반죽하여 넣는 방법 등 상기 방법에 의해 행할 수 있다.
상기 대전방지제를 함유하는 경우, 상기 대전방지제의 필름 기재 중에 있어서의 함유량으로서는, 아이오노머 수지에 대하여 10질량% 초과 30질량%가 바람직하고, 10질량% 초과 20질량%가 보다 바람직하다. 대전방지제의 함유량이 10질량%를 초과함으로써, 필름 기재의 대전방지 효과가 우수하다. 대전방지제의 함유량이 30질량% 이하임으로써, 필름 기재의 투명성이 유지된다. 대전방지제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 필름 기재의 표면 저항률을 1.0×109Ω/sq 이상 1.0×1012Ω/sq 이하의 범위로 적합하게 조정할 수 있다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름 기재에는, 상기 성분 외에, 또한, 임의의 각종 첨가제를 배합할 수 있다. 이와 같은 첨가제의 일례로서 산화방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 윤활제, 블로킹 방지제, 방청제, 항균제, 난연제, 난연조제, 가교재, 가교조제 등을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라 스텔스 다이싱용 필름 기재에 전자선 조사를 행하여도 된다.
스텔스 다이싱용 필름 기재의 제조방법으로서는, 종래 공지된 T 다이캐스트 성형법, T 다이 닙 성형법, 인플레이션 성형법, 압출 라미네이트법, 캘린더 성형법 등의 방법을 이용할 수 있다.
(점착층)
점착층(12)은 특별히 한정되지 않으나, 자외선 경화성으로 구성된 층이 바람직하고, 예를 들면 자외선 경화 타입의 아크릴계 점착제 등을 이용하여 형성할 수 있다.
자외선 경화 타입의 아크릴계 점착제의 구체예로서는, (메타)아크릴산이나 (메타)아크릴산 에스테르 등의 (메타)아크릴계 단량체의 (메타)아크릴계 중합체, 상기 (메타)아크릴계 단량체와 관능성 단량체(예를 들면, 폴리아크릴산 부틸이나 폴리아크릴산 2-에틸헥실 등의 폴리아크릴산 에스테르)의 공중합체, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 및 이러한 중합체의 혼합물과 광중합개시제를 적어도 포함하는 자외선경화성 점착제를 들 수 있다.
상기 중합체의 평균 분자량은 50만∼100만 정도의 고분자량이 바람직하다. 평균 분자량은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 말한다.
상기 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 올리고에스테르(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 우레탄아크릴레이트계 올리고머는 적어도 2개의 탄소-탄소 불포화 이중결합을 가지는 자외선 중합성 화합물이고, 예를 들면 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들면, 2,4-트릴렌디이소시아네이트, 2,6-트릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 단말 이소시아네이트우레탄프레폴리머에, 하이드록실기를 가지는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들면, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시프로필메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어지는 것을 들 수 있다.
상기 광중합개시제로서는, 예를 들면 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤진에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤, 벤질디메틸케탈, α-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시메틸페닐프로판 등을 들 수 있다. 광중합개시제는 단독으로 혹은 2종류 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 광중합개시제를 점착층에 첨가함으로써, 경화 반응 시간 또는 방사선 조사량을 억제하여 효율적으로 경화 반응을 진행시킬 수 있다.
또한, 점착층도 이미 서술한 기재와 동일하게 투명성이 높은 것이 바람직하다.
점착층에 있어서의 가시광의 광선 투과율로서는, 가시광선의 400nm∼800nm의 전체 파장 영역에 있어서, 점착층에 있어서의 광선 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다.
또한, 기재의 광선 투과율이 90% 이상이 되는 파장의 가시광선을 이용한 경우에, 스텔스 다이싱용 필름 전체에서의 광선 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하고, 나아가서는 400nm∼800nm의 전체 파장 영역의 광을 이용한 경우에, 스텔스 다이싱용 필름 전체의 광선 투과율이 90% 이상인 것이 바람직하다.
또한, 광선 투과율은 분광광도계를 이용하여 측정되는 값이다.
점착층(12)의 두께는 5㎛ 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상이다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름의 헤이즈는, 분단율을 높이는 점에서 레이저광의 투과를 저해하지 않도록 작을수록 바람직하다. 구체적으로는, 헤이즈는 10.0 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 9.0 이하, 더 바람직하게는 8.0 이하이다. 헤이즈의 측정 방법은 이미 서술한 바와 같다.
또한, 필름 확장 후에, 필름의 전체 또는 일부분에 백화 현상이 확인되지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름의 초기 응력은, 9MPa를 초과하는 것이 바람직하고, 10MPa 이상 19MPa 이하인 것이 보다 바람직하며, 10MPa 이상 17MPa 미만인 것이 보다 바람직하다. 초기 응력이 9MPa를 초과하는 범위이면, 웨이퍼를 분단할 때의 외부 응력이 유지되어, 웨이퍼의 분단을 양호하게 행할 수 있다. 또한, 초기 응력이 19MPa 이하이면, 확장성의 점에서 유리하다. 초기 응력의 측정 방법은 이미 서술한 바와 같다(JIS K 7127에 준거).
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름의 확장률은 102% 이상 120% 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 104% 이상 120% 이하이다. 확장률이 상기 범위의 하한치 이상이면, 웨이퍼를 분단할 때의 외부 응력이 유지되어, 웨이퍼의 분단을 양호하게 행할 수 있다. 확장률이 상기 범위의 상한치 이하이면, 균일하게 필름이 신장하여, 확장의 불균일이나 필름 변형의 발생을 억제할 수 있다. 확장률의 측정 방법은 이미 서술한 바와 같다.
[전자부품의 제조방법]
본 발명의 스텔스 다이싱용 필름을 이용한 전자부품의 제조방법에 대하여 상술한다.
본 발명의 전자부품의 제조방법은, 웨이퍼의 이면에, 이미 서술한 본 발명의 스텔스 다이싱용 필름을 부착하는 공정(필름 부착 공정)과, 스텔스 다이싱용 필름이 부착된 웨이퍼에 대하여, 스텔스 다이싱용 필름측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름을 개재하여 레이저광에 의해 웨이퍼를 스텔스 다이싱하는 공정(다이싱 공정)을 설치하여 구성되어 있다. 본 발명의 전자부품의 제조방법은, 필요에 따라 다른 공정을 더 설치하여 구성되어 있어도 된다.
도 3a에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 점착층(12)을 웨이퍼(W)의 이면(소자 형성면과 반대측의 면)에 고정함과 함께, 스텔스 다이싱용 필름(1)을, 그 점착층(12)의 단부(端部)가 다이싱 테이블(6)과 접하도록 두고, 점착층(12)에서 다이싱 테이블에 고정한다(필름 부착 공정).
다음에, 다이싱 테이프(1)의 기재(11)측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 개재하여 웨이퍼(W)의 내부에 레이저광(L)을 도광함으로써, 웨이퍼(W)의 내부의 다이싱 라인을 따라, 도 3b에 나타내는 바와 같이 개질부(개질 영역)(W1)를 형성한다. 그 후, 도 4에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 단부를 화살표방향으로 잡아당김으로써, 필름을 확장시킨다(다이싱 공정). 이로 인해, 상기 개질부(W1)를 기점으로, 웨이퍼(W)가 개질부(W1)를 따라 복수로 분할되게 된다.
이어서, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 점착층(12)에 자외선을 조사하면, 점착층(12)이 고체화하여, 당해 층의 점착력은 저하된다. 이로 인해, 스텔스 다이싱용 필름(1)으로부터 복수의 웨이퍼, 즉 개개의 칩(전자부품)을 떼어낼 수 있어, 원하는 전자부품이 얻어진다.
레이저로서는, 예를 들면 펄스 레이저 광을 발생하는 Nd:YAG 레이저, Nd:YVO 레이저, Nd:YLF 레이저, 티탄사파이어 레이저, CO2 레이저, 아르곤 이온 레이저 등의 공지의 레이저를, 경우에 따라 선택할 수 있다.
본 발명의 전자부품의 제조방법은 실리콘 웨이퍼를 대상으로 하나, 예를 들면 유리 웨이퍼, 탄화규소 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 인화갈륨 웨이퍼, 비소화갈륨 웨이퍼 등의 화합물 반도체 웨이퍼 등을 이용해도 된다.
(실시예)
이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니다. 또한, 에틸렌 단위 함유량은 에틸렌 유래의 구성단위의 함유 비율을, 메타크릴산 단위 함유량은 메타크릴산 유래의 구성단위의 함유 비율을, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량은 아크릴산 이소부틸 유래의 구성단위의 함유 비율을, 각각 나타낸다.
〔A〕실시예 1∼27 및 비교예 1∼4
이하에 나타내는 실시예 1∼27 및 비교예 1∼4에 이용하는 원료의 조성 및 물성, 및 얻어진 필름 및 시트의 물성의 측정 방법은, 이하와 같다.
- 1. 원재료 -
(1) 아이오노머(IO-1)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）
금속 양이온원(源):마그네슘
중화도:35%
MFR(190℃, 2160g 하중):5.9g/10분
(2) 아이오노머(IO-2)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）
금속 양이온원:마그네슘
중화도:54%
MFR(190℃, 2160g 하중):0.7g/10분
(3) 아이오노머(IO-3)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체(에틸렌 단위 함유량:80질량%, 메타크릴산 단위 함유량:10질량%, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량:10질량%）
금속 양이온원:아연
중화도:70%
MFR(190℃, 2160g 하중):1.0g/10분
(4) 아이오노머(IO-4)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:89질량%, 메타크릴산 단위 함유량:11질량%）
금속 양이온원:아연
중화도:65%
MFR(190℃, 2160g 하중):5.0g/10분
(5) 아이오노머(IO-5)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체(에틸렌 단위 함유량:81질량%, 메타크릴산 단위 함유량:11.5질량%, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량:7.5질량%）
금속 양이온원:마그네슘
중화도:14%
MFR(190℃, 2160g 하중):5.9g/10분
(6) 아이오노머(IO-6)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체(에틸렌 단위 함유량:82질량%, 메타크릴산 단위 함유량:13질량%, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량:5질량%）
금속 양이온원:마그네슘
중화도:27%
MFR(190℃, 2160g 하중):5.9g/10분
(7) 아이오노머(IO-7)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）
금속 양이온원:아연
중화도:59%
MFR(190℃, 2160g 하중):0.9g/10분
(8) 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체(EMAA)
에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:91질량%, 메타크릴산 단위 함유량:9질량%）
MFR(190℃, 2160g 하중):3.0g/10분
(9) 폴리에테르에스테르 성분(B-1)
상품명:IRGASTAT P-16(융점(DSC측정):158℃, BASF재팬(주)제, 폴리에테르에스테르아미드 블록 공중합체)
(10) 폴리에테르에스테르 성분(B-2)
상품명:IRGASTAT P-18(융점(DSC측정):173℃, BASF재팬(주)제, 폴리에테르에스테르아미드 블록 공중합체)
(11) 폴리에테르에스테르 성분(B-3)
상품명:IRGASTAT P-20(융점(DSC측정):195℃, BASF재팬(주)제, 폴리에테르에스테르아미드 블록 공중합체)
- 2. 물성 측정 방법 -
스텔스 다이싱용 필름 기재의 물성에 대해서는, 후술하는 실시예 및 비교예에서 제조한 아이오노머 필름 기재 등을 이용하여 측정을 행하였다. 측정 결과는 하기 표 1∼표 2에 나타낸다.
(1) 초기 응력
제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재의 세로(MD)방향 및 가로(TD)방향에 대해, JIS K 7127에 준거하여, 하기의 조건하에서 6% 신장했을 때의 응력을 측정하였다. 하기 표 1∼표 2에 나타내는 값은 MD 및 TD의 평균치이다.
<조건>
·시험 속도:500mm/초
·시험편:폭 10mm×길이 200mm
·척 사이:100mm
(2) 헤이즈
제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여, (주)무라카미시키사이겐큐죠제의 HM-150형을 이용하고, 온도 23℃, 상대습도 50%의 분위기하에서, JIS K 7136에 준거하여 측정하였다.
(3) 확장성(확장률)
제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재로부터, 세로(필름의 MD방향) 300mm 이상×가로(필름의 TD방향) 300mm 이상의 4각형의 필름 기재편을 잘라내고, 이 잘라낸 필름 기재편에, 141mm 모서리의 정방형을 유성펜 등의 필기 용구를 이용하여 그렸다(이하, 측정 대상 1). 8인치 웨이퍼용의 웨이퍼 확장 장치(테크노비전사제의 웨이퍼 확장 장치 TEX-218G GR-8)에 측정 대상 1을 세팅하였다. 이때, 웨이퍼 확장 장치의 스테이지 중심과, 측정 대상 1에 그린 정방형의 중심이 맞도록 세팅하였다. 다음에, 스테이지를 15mm 끌어올려, 스텔스 다이싱용 필름을 확장한 후, 60초간 정치하고, 측정 대상 1의 정방형의 각 변의 길이(변 길이)를 측정하였다. 얻어진 변 길이 4점에 대하여, 각각 신장률(%;＝확장 후의 변 길이/확장 전의 변 길이×100)을 계산하고, 그 평균치를 확장률[%]로 하였다.
(4) 분단성
제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재의 분단 성능을, 하기의 평가기준에 따라 평가하였다. 또한, 분단율[%]이란, 「(실제로 분단된 수)/(총분할수)×100」에 의해 구해지는 값이다.
<평가기준>
A:분단율이 80% 이상 100% 이하였다.
B:분단율이 60% 이상 80% 미만이었다.
C:분단율이 60% 미만이었다.
D:분단을 용이하게 행할 수 없었다.
(5) 표면 저항률
미쓰비시가가쿠(주)제의 Hiresta-UP을 이용하고, 23℃, 50% 상대습도 분위기하에서, 인가 전압 500V로 하여 측정하였다.
(6) 전체 광선 투과율
제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여, (주)무라카미시키사이겐큐죠제의 HM-150형을 이용하고, 23℃, 50% 상대습도 분위기하에서, JIS K 7361에 준거하여 측정하였다.
먼저, 대전방지제를 함유하지 않는 경우의 예로서, 실시예 1∼4를 비교예와 대비하여 나타낸다.
[실시예 1]
50mmφ 단축 압출기 인플레이션 성형기를 사용하고, 이 성형기의 수지 투입구에 상기 아이오노머(IO-1)를 투입하여, 다이스 온도 190℃로 하여, 80㎛ 두께의 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
[실시예 2]
실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-6)로, 또한, 다이스 온도를 200℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
[실시예 3]
실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 230℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
[실시예 4]
실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-4)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 180℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
[비교예 1]
실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-3)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 210℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
[비교예 2]
실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-5)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 180℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
[비교예 3]
실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-7)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 210℃로, 두께를 220㎛로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
[비교예 4]
실시예 1에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 EMAA로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 180℃로 바꾼 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
다음에, 대전방지제를 함유하는 경우의 예를 실시예 5∼실시예 9에 나타낸다.
[실시예 5]
실시예 1에 있어서, 사용한 아이오노머(IO-1)를, 아이오노머(IO-1) 85질량부, IRGASTAT P-16(폴리에테르에스테르 성분(B-1)) 7.5질량부 및 IRGASTAT P-18(폴리에테르에스테르 성분(B-2)) 7.5질량부로 바꾸고, 이들 성분을 드라이 블렌드하였다. 이 드라이 블렌드한 원료를, 풀플라이트 타입의 스크루(40mmφ)를 구비한 단축 압출기의 수지 투입구에 투입한 후, 용융 혼련하여 펠릿화하였다. 얻어진 펠릿을 이용하고, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
[실시예 6]
실시예 1에 있어서, 사용한 아이오노머(IO-1)를, 아이오노머(IO-1) 85질량부 및 IRGASTAT P-18(폴리에테르에스테르 성분(B-2)) 15질량부로 바꾸고, 이들 성분을 드라이 블렌드하였다. 이 드라이 블렌드한 원료를, 풀플라이트 타입의 스크루(40mmφ)를 구비한 단축 압출기의 수지 투입구에 투입한 후, 용융 혼련하여 펠릿화하였다. 얻어진 펠릿을 이용하고, 실시예 1과 동일하게 하여 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
[실시예 7]
실시예 5에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꾼 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 하여, 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
[실시예 8]
실시예 6에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꾼 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
[실시예 9]
실시예 6에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꿈과 함께, IRGASTAT P-18(15질량부)을 IRGASTAT P-16(폴리에테르에스테르 성분(B-1)) 15질량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
[비교예 5]
실시예 6에 있어서, 아이오노머(IO-1)를 아이오노머(IO-2)로 바꿈과 함께, IRGASTAT P-18(15질량부)을 IRGASTAT P-20(폴리에테르에스테르 성분(B-3)) 15질량부로 바꾼 것 이외에는 실시예 6과 동일하게 하여, 아이오노머 필름 기재(스텔스 다이싱용 필름 기재)를 제작하였다. 이 제작한 필름 기재에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 확장률, 표면 저항률 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00001
[표 2]
Figure pct00002
[실시예 10∼18]
기재로서 실시예 1∼9에서 제작한 아이오노머 필름 기재를 준비하고, 점착층 형성용의 점착제로서 자외선 경화형 아크릴계 점착제(아라카와가가쿠고교사제의 빔세트 575(우레탄아크릴레이트계 올리고머))를 준비하였다.
상기의 기재 및 점착제를 이용하여, 기재의 위에, 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 아세트산 에틸에 녹인 것을 바 코트 도포함으로써, 도 1에 나타내는 아이오노머 필름 기재(11)/건조 두께 20㎛의 점착층(12)의 중층 구조로 이루어지는 9종의 스텔스 다이싱용 필름을 제작하였다.
[실시예 19∼27]
실시예 10∼18에서 제작한 스텔스 다이싱용 필름을 이용하여, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 각 스텔스 다이싱용 필름(1)의 점착층(12)을 웨이퍼(W)의 이면에 고정하고, 또한 스텔스 다이싱용 필름(1)을 그 점착층(12)의 단부를 다이싱 테이블(6)과 접촉시켜 다이싱 테이블에 고정한다. 다음에, 다이싱 테이프(1)의 기재(11)측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 개재하여 도광함으로써, 도 3b에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 내부의 다이싱 라인을 따라 개질부(W1)를 형성한다. 그 후, 도 4에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 단부를 화살표방향으로 잡아당겨 필름을 확장하고, 개질부(W1)를 기점으로 하여 복수로 분할한다. 그 후, 점착층(12)에 자외선 조사하고, 복수의 칩을 취출(取出)함으로써, 원하는 전자부품이 얻어진다.
〔B〕실시예 28∼89 및 비교예 6∼10
이하에 나타내는 실시예 28∼49 및 비교예 6∼10에 이용하는 원료의 조성 및 물성, 및 얻어진 필름 및 시트의 물성의 측정 방법은, 이하와 같다.
- 1. 원재료 -
(1) 아이오노머(IO-11)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）
금속 양이온원:마그네슘
중화도:35%
MFR(190℃, 2160g 하중):5.9g/10분
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):330MPa
(2) 아이오노머(IO-12)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）
금속 양이온원:마그네슘
중화도:54%
MFR(190℃, 2160g 하중):0.7g/10분
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):320MPa
(3) 아이오노머(IO-13)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산·아크릴산 이소부틸 공중합체(에틸렌 단위 함유량:80질량%, 메타크릴산 단위 함유량:10질량%, 아크릴산 이소부틸 단위 함유량:10질량%）
금속 양이온원:아연
중화도:70%
MFR(190℃, 2160g 하중):1.0g/10분
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):90MPa
(4) 아이오노머(IO-14)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:89질량%, 메타크릴산 단위 함유량:11질량%）
금속 양이온원:아연
중화도:65%
MFR(190℃, 2160g 하중):5.0g/10분
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):260MPa
(5) 아이오노머(IO-15)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）
금속 양이온원:아연
중화도:23%
MFR(190℃, 2160g 하중):5.0g/10분
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):200MPa
(6) 아이오노머(IO-16)
베이스 폴리머:에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:85질량%, 메타크릴산 단위 함유량:15질량%）
금속 양이온원:아연
중화도:59%
MFR(190℃, 2160g 하중):0.9g/10분
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):310MPa
(7) 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체(EMAA)
에틸렌·메타크릴산 공중합체(에틸렌 단위 함유량:91질량%, 메타크릴산 단위 함유량:9질량%）
MFR(190℃, 2160g 하중):3.0g/10분
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):140MPa
(8) 에틸렌·아세트산 비닐 공중합체(EVA)
에틸렌·아세트산 비닐 공중합체(에틸렌 단위 함유량:81질량%, 아세트산 비닐 단위 함유량:19질량%）
MFR(190℃, 2160g 하중):2.5g/10분
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):40MPa
(9) 폴리올레핀(C1)
선형상 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE:(주)프라임폴리머제, EVOLUE SP2320, 밀도:919kg/㎥, MFR:1.9g/10분)
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):240MPa
(10) 폴리올레핀(C2)
저밀도 폴리에틸렌(LDPE:밀도:920kg/㎥, MFR:1.6g/10분)
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):140MPa
(11) 폴리올레핀(C3)
랜덤 폴리프로필렌(r-PP:(주)프라임폴리머제, PrimePolypro F219DA, 밀도:910kg/㎥, MFR:8.0g/10분)
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):960MPa
(12) 폴리올레핀(C4)
호모폴리프로필렌(호모-PP:(주)프라임폴리머제, PrimePolypro F113DA, 밀도:910kg/㎥, MFR:3.0g/10분)
굽힘 강성률(JIS K 7106준거):1290MPa
(13) 폴리에테르에스테르 성분(B-1)
상품명:IRGASTAT P-16, BASF재팬(주)제
(14) 폴리에테르에스테르 성분(B-2)
상품명:IRGASTAT P-18, BASF재팬(주)제
(15) 폴리에테르에스테르 성분(B-4)
상품명:PELESTAT 230, 산요가세이고교(주)제(융점(DSC측정):163℃)
- 2. 물성 측정 방법 -
스텔스 다이싱용 필름 기재의 물성에 대해서는, 후술하는 실시예 및 비교예에서 제작한 아이오노머 필름 기재 등을 이용하여 측정을 행하였다. 측정 및 평가의 결과는, 하기 표 3∼표 5에 나타낸다.
(1) 초기 응력
제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재의 세로(MD)방향에 대하여, JIS K 7127에 준거하고, 하기의 조건하에서 6% 신장했을 때의 응력을 측정하였다.
<조건>
·시험 속도:500mm/sec
·시험편:폭 10mm×길이 200mm
·척 사이:100mm
(2) 헤이즈·분단성
제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여, 상기 〔A〕에 있어서의 경우와 동일한 방법으로 측정 및 평가를 행하였다.
(3) 전체 광선 투과율
제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재에 대하여, (주)무라카미시키사이겐큐죠제의 HM-150형을 이용하고, 23℃, 50% 상대습도 분위기하에서, JIS K 7361에 준거하여 측정하였다.
(4) 확장성(확장률)
제작한 각 스텔스 다이싱용 필름 기재로부터 세로(필름의 MD방향) 300mm 이상×가로(필름의 TD방향) 300mm 이상의 4각형의 필름 기재편을 잘라내고, 이 잘라낸 필름 기재편에, 141mm 모서리의 정방형을 유성펜 등의 필기 용구를 이용하여 그렸다(이하, 측정 대상 2). 상기 〔A〕와 동일한 방법으로, 측정 대상 2에 그린 정방형의 각 변의 길이(변 길이)를 측정하여, 얻어진 변 길이 4점에 대하여, 각각 신장률(%;＝확장 후의 변 길이/확장 전의 변 길이×100)을 계산하고, 그 평균치를 구하여, 확장률[%]로 하였다. 또한, 확장 후의 필름에 백화 현상이 발생한다(유), 발생하지 않는다(무)를 육안으로 확인하였다.
(5) 굽힘 강성률(올젠식)
원재료를 190℃로 설정한 프레스 성형기에서 프레스 성형하고, 250mm×250mm, 2mm 두께의 프레스 시트를 작성하였다. 작성한 2mm 두께의 시트에 대하여, JIS K 7106에 준거하여, 굽힘 강성률을 측정하였다.
[실시예 28]
스크루 직경이 45mmφ인 3종 3층 인플레이션 성형기를 사용하고, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 IO-12(Mg)를, 층(Y) 형성용 수지로서 IO-13(Zn)을, 층(Z) 형성용 수지로서 IO-12(Mg)를 이용하여, 다이스 온도:220℃의 조건에서, 점착층과 접하는 층(X)/층(Y)/층(Z)의 중층 구조를 가지는 3층 필름(총두께 80㎛;스텔스 다이싱용 필름 기재)을 제작하였다. 이 3층 필름의 점착층과 접하는 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께는 각각 25㎛, 30㎛ 및 25㎛이다. 이어서, 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 결과는 하기 표 3에 나타낸다.
[실시예 29]
아이오노머(IO-11(Mg)) 85질량부, IRGASTAT P-16(폴리에테르에스테르 성분(B-1)) 7.5질량부 및 IRGASTAT P-18(폴리에테르에스테르 성분(B-2)) 7.5질량부를, 스크루 직경이 40mmφ인 단축 압출기에 의해 용융 혼련하고, 점착층과 접하는 층(X) 및 층(Z)을 형성하기 위한 아이오노머 조성물을 조제하였다. 다음에, 실시예 1에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 이 아이오노머 조성물을, 층(Y) 형성용 수지로서 IO-14(Zn)를 이용함과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다. 아울러, 표면 저항률을 측정한 바, 표면 저항률은 1.7×1014Ω/sq였다.
[실시예 30]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-15(Zn)로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-15(Zn)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 200℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.
[실시예 31]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-14(Zn)로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-14(Zn)로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 200℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.
[실시예 32]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X)(A), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 28㎛, 21㎛ 및 30㎛로 한 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.
[실시예 33]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.
[실시예 34]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 점착층과 접하는 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 20㎛, 40㎛ 및 20㎛로 한 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다.
[실시예 35]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 EMAA로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 200℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.
[실시예 36]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.
[실시예 37]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 EVA로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기한다.
[실시예 38]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 28㎛, 22㎛ 및 30㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다.
[실시예 39]
스크루 직경이 40mmφ인 3종 3층 캐스트 필름 성형기를 이용하여, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 IO-16(Zn)을, 층(Y) 형성용 수지로서 EMAA를, 층(Z) 형성용 수지로서 IO-16(Zn)을 사용하고, 다이스 온도:210℃의 조건에서, 점착층과 접하는 층(X)/층(Y)/층(Z)의 중층 구조를 가지는 3층 필름(총두께 77㎛;스텔스 다이싱용 필름 기재)을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름의 점착층과 접하는 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께는 각각 29㎛, 20㎛ 및 28㎛이다. 이어서, 작성한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다.
[실시예 40]
실시예 39에 있어서, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로 바꾼 것 이외에는 실시예 39와 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다.
[실시예 41]
아이오노머(IO-16(Zn)) 85질량부 및 PELESTAT 230(B-4) 15질량부를, 스크루 직경이 30mmφ인 2축 압출기에 의해 용융 혼련하고, 점착층과 접하는 층(X) 및 층(Z)을 형성하기 위한 아이오노머 조성물을 조제하였다. 다음에, 실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 이 아이오노머 조성물을, 층(Y) 형성용 수지 C2를, 층(Z) 형성용 수지를 이 아이오노머 수지 조성물을 이용함과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 3에 병기하였다. 아울러 표면 저항률을 측정하였다. 표면 저항률은 1.3×1010Ω/sq였다.
[실시예 42]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일한 조건에서, 층(X)/층(Z)/층(Y)의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기한다.
[실시예 43]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 30㎛, 20㎛ 및 30㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다.
[실시예 44]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 20㎛, 30㎛ 및 30㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다.
[실시예 45]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 20㎛, 40㎛ 및 20㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다.
[실시예 46]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C2로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 15㎛, 50㎛ 및 15㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다.
[실시예 47]
아이오노머(IO-16(Zn)) 85질량부 및 PELESTAT 230(B-4) 15질량부를, 스크루 직경이 30mmφ인 2축 압출기에 의해 용융 혼련하고, 점착층과 접하는 층(X)을 형성 하기 위한 아이오노머 조성물을 조제하였다. 또한, 아이오노머(IO-13(Zn)) 85질량부 및 PELESTAT 230(B-4) 15질량부를, 스크루 직경이 30mmφ인 2축 압출기에 의해 용융 혼련하고, 층(Z)을 형성하기 위한 아이오노머 조성물(Z)을 조제하였다.
다음에, 실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지로서 이 아이오노머 조성물을, 층(Y) 형성용 수지로서 C2를, 층(Z) 형성용 수지로서 이 아이오노머 수지 조성물(Z)을 이용하고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 45㎛, 15㎛ 및 30㎛(3층 필름의 총두께:90㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다. 아울러 표면 저항률을 측정하였다. 표면 저항률은 1.5×1011Ω/sq였다.
[실시예 48]
실시예 47에 있어서, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 35㎛, 15㎛ 및 40㎛(3층 필름의 총두께:90㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 47과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다. 아울러 표면 저항률을 측정하였다. 표면 저항률은 2.1×1011Ω/sq였다.
[실시예 49]
실시예 47에 있어서, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 40㎛, 15㎛ 및 25㎛(3층 필름의 총두께:80㎛)에 바꾼 것 이외에는 실시예 47과 동일하게 하여, 층(X)/층(Z)/층(Y) 구성의 중층 구조를 가지는 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 4에 병기하였다. 아울러, 표면 저항률을 측정한 바, 표면 저항률은 1.7×1011Ω/sq였다.
[비교예 6]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-13(Zn)으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-13(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여 필름을 제작하였다. 여기에서, 각 층은 모두 IO-13(Zn)을 이용하여 형성되어 있어, 실질적으로 제작한 필름은 단일층으로 이루어진다. 또한, 제작한 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다.
[비교예 7]
실시예 39에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 C4로, 층(Y) 형성용 수지를 C4로, 층(Z) 형성용 수지를 C4로 바꾸고, 다이스 온도를 210℃에서 240℃로 바꾸며, 또한, 총두께를 80㎛로 한 것 이외에는 실시예 39과 동일하게 하여 필름을 제작하였다. 여기에서, 각 층은 모두 C4를 이용하여 형성되어 있어, 실질적으로 제작한 필름은 단일층으로 이루어진다. 또한, 제작한 필름에 대하여 초기 응력 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다.
[비교예 8]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C1으로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꾸고, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾸며, 또한, 3층 필름의 층(X), 층(Y) 및 층(Z)의 층 두께를 각각 70㎛, 90㎛ 및 70㎛(3층 필름의 총두께:230㎛)로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다. 또한, 확장률을 측정했으나, 웨이퍼 확장 장치 스테이지가 상승하지 않아, 측정 불가(NG)였다.
[비교예 9]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 C2로, 층(Y) 형성용 수지를 EVA로, 층(Z) 형성용 수지를 C2로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 200℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈 및 전체 광선 투과율의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다.
[비교예 10]
실시예 28에 있어서, 점착층과 접하는 층(X) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로, 층(Y) 형성용 수지를 C3로, 층(Z) 형성용 수지를 IO-16(Zn)으로 바꿈과 함께, 다이스 온도를 220℃에서 210℃로 바꾼 것 이외에는 실시예 28과 동일하게 하여, 3층 필름을 제작하였다. 이 제작한 3층 필름에 대하여 초기 응력, 헤이즈, 전체 광선 투과율 및 확장률의 측정을 행하였다. 이러한 결과를 하기 표 5에 병기한다.
[실시예 50∼69]
기재로서 실시예 28∼49에서 제작한 아이오노머 필름 기재를 준비하고, 점착층 형성용의 점착제로서 자외선 경화형 아크릴계 점착제(아라카와가가쿠고교사제의 빔세트 575(우레탄아크릴레이트계 올리고머))를 준비하였다.
상기의 기재 및 점착제를 이용하여, 기재의 위에, 자외선 경화형 아크릴계 점착제를 아세트산 에틸에 녹인 것을 바 코트 도포함으로써, 도 2에 나타내는 바와 같이 아이오노머 필름 기재(11)/건조 두께 20㎛의 점착층(12)의 중층 구조로 이루어지는 스텔스 다이싱용 필름을 제작하였다.
[실시예 70∼89]
실시예 50∼69에서 제작한 스텔스 다이싱용 필름을 이용하여, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 각 스텔스 다이싱용 필름(1)의 점착층(12)을 웨이퍼(W)의 이면에 고정하고, 또한 스텔스 다이싱용 필름(1)을 그 점착층(12)의 단부를 다이싱 테이블(6)과 접촉시켜 다이싱 테이블에 고정한다. 다음에, 다이싱 테이프(1)의 기재(11)측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름(1)을 개재하여 도광함으로써, 도 3b에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 내부의 다이싱 라인을 따라 개질부(W1)를 형성한다. 그 후, 도 4에 나타내는 바와 같이, 스텔스 다이싱용 필름(1)의 단부를 화살표방향으로 잡아당겨 필름을 확장하고, 개질부(W1)를 기점으로 하여 복수로 분할한다. 그 후, 점착층(12)에 자외선 조사하고, 복수의 칩을 취출함으로써, 원하는 전자부품이 얻어진다.
[표 3]
Figure pct00003
[표 4]
Figure pct00004
[표 5]
상기 표 3∼표 5에 나타내는 바와 같이, 실시예에서는, 헤이즈 및 전체 광선 투과율에 대하여 양호한 결과가 얻어지고 있는 바와 같이 투명성이 높고, 또한, 초기 응력도 양호한, 스텔스 다이싱에 적합한 필름 기재 및 다이싱용 필름이 얻어졌다.
이에 대하여 비교예 6 및 비교예 9에서는, 어느 정도의 헤이즈 값이나 광선 투과율이 얻어지지만, 초기 응력이 지나치게 작아져, 스텔스 다이싱에서의 분단성이 떨어지는 결과가 되었다. 비교예 7에서는 반대로, 초기 응력이 지나치게 높아져, 스텔스 다이싱에서의 확장시에 양호한 확장률을 없을 수 없고, 또한, 비교예 10에서는 확장할 수는 있었지만, 확장 후에 백화 현상이 생겨버렸다. 그리고, 비교예 8에서는 총두께가 지나치게 두껍기 때문에 확장성을 유지할 수 없어, 분단성이 떨어지고 있었다.
일본 출원 2011-284379, 2012-053389 및 2012-122540의 개시는, 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 포함된다.
본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허출원 및 기술규격은, 개개의 문헌, 특허출원 및 기술규격이 참조에 의해 포함됨이 구체적으로 또한 개별적으로 기재된 경우와 동일한 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 포함된다.

Claims (15)

  1. 점착층과 기재를 구비한 스텔스 다이싱용 필름의 상기 기재로서 이용되고, 두께가 50㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위이며, 초기 응력이 9MPa 이상 19MPa 이하의 범위이고, 확장률이 102% 이상 120% 이하의 범위이며, 헤이즈 값이 10 이하이고, 전체 광선 투과율이 90% 이상인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 마그네슘 아이오노머 및 에틸렌·(메타)아크릴산계 공중합체의 아연 아이오노머로부터 선택되고, 공중합체 중에 있어서의 (메타)아크릴산 알킬에스테르 유래의 구성단위의 공중합비가 7질량% 미만인 아이오노머 수지를 포함하는 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 마그네슘 아이오노머 및 상기 아연 아이오노머의 적어도 일방의, 상기 (메타)아크릴산 유래의 구성단위의 공중합체 중에 있어서의 공중합비가, 10질량% 초과 30질량% 이하인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 마그네슘 아이오노머 및 상기 아연 아이오노머의 적어도 일종은, 중화도가 0% 초과 60% 이하인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 마그네슘 아이오노머 및 상기 아연 아이오노머의 적어도 일종은, 중화도가 10% 이상 40% 이하인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착층과 접하는 층(X)과 제 1 층(Y)과 제 2 층(Z)이 순서대로 중층된 중층 구조, 또는 상기 점착층과 접하는 층(X)과 제 2 층(Z)과 제 1 층(Y)이 순서대로 중층된 중층 구조를 가지고, 상기 층(X), 상기 층(Y) 및 상기 층(Z)의 두께가 10㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 점착층과 접하는 층(X)이 수지 A를 포함하고, 상기 수지 A의 굽힘 강성률이 100MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며, 상기 제 1 층(Y)이 수지 B를 포함하고, 상기 수지 B의 굽힘 강성률이 5MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며, 상기 제 2 층(Z)이 수지 C를 포함하고, 상기 수지 C의 굽힘 강성률이 50MPa 이상 350MPa 이하의 범위이며,
    상기 수지 A 또는 상기 수지 C의 굽힘 강성률의 각각으로부터 상기 수지 B의 굽힘 강성률을 뺀 차의 절대값이 큰 쪽의 값이 50MPa 이상 345MPa 이하의 범위 내인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 점착층과 접하는 층(X)이 수지 A를 포함하고, 상기 수지 A가 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체의 아이오노머인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 2원 공중합체 중에 있어서의 불포화카르본산으로부터 유도되는 구성단위의 함유량은, 1질량% 이상 35질량% 이하인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  10. 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 층(Y)이 수지 B를 포함하고, 상기 수지 B가 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌, 에틸렌아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산 에스테르 2원 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  11. 제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 층(Z)이 수지 C를 포함하고, 상기 수지 C가 에틸렌·불포화카르본산 2원 공중합체 및 그 아이오노머, 및 에틸렌·불포화카르본산·불포화카르본산 에스테르 3원 공중합체 및 그 아이오노머로부터 선택되는 적어도 1종인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    융점이 155℃ 이상 185℃ 이하인 대전방지제를 포함하는 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    표면 저항률이 1.0×109Ω/sq 이상 1.0×1012Ω/sq 이하인 스텔스 다이싱용 필름 기재.
  14. 점착층과, 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 스텔스 다이싱용 필름 기재를 구비한 스텔스 다이싱용 필름.
  15. 웨이퍼의 이면에 제 14 항에 기재된 스텔스 다이싱용 필름을 부착하는 공정과,
    상기 스텔스 다이싱용 필름이 부착된 웨이퍼에 대하여, 상기 스텔스 다이싱용 필름측으로부터 레이저광을 조사하고, 스텔스 다이싱용 필름을 개재하여 레이저광에 의해 상기 웨이퍼를 다이싱하는 공정을 포함하는 전자부품의 제조방법.
KR1020147019552A 2011-12-26 2012-12-20 레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법 KR20140102756A (ko)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-284379 2011-12-26
JP2011284379 2011-12-26
JP2012053389 2012-03-09
JPJP-P-2012-053389 2012-03-09
JPJP-P-2012-122540 2012-05-29
JP2012122540 2012-05-29
PCT/JP2012/083154 WO2013099778A1 (ja) 2011-12-26 2012-12-20 レーザーダイシング用フィルム基材、レーザーダイシング用フィルム、及び電子部品の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167010280A Division KR101742647B1 (ko) 2011-12-26 2012-12-20 레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140102756A true KR20140102756A (ko) 2014-08-22

Family

ID=48697267

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147019552A KR20140102756A (ko) 2011-12-26 2012-12-20 레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법
KR1020167018806A KR101832297B1 (ko) 2011-12-26 2012-12-20 레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법
KR1020167010280A KR101742647B1 (ko) 2011-12-26 2012-12-20 레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167018806A KR101832297B1 (ko) 2011-12-26 2012-12-20 레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법
KR1020167010280A KR101742647B1 (ko) 2011-12-26 2012-12-20 레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP6073810B2 (ko)
KR (3) KR20140102756A (ko)
CN (2) CN104011836B (ko)
TW (2) TWI500731B (ko)
WO (1) WO2013099778A1 (ko)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6111827B2 (ja) * 2013-04-30 2017-04-12 三星ダイヤモンド工業株式会社 ブレイク用治具
JP6482818B2 (ja) * 2013-10-23 2019-03-13 リンテック株式会社 ダイシングシート
JP6472972B2 (ja) * 2013-10-23 2019-02-20 三井・デュポンポリケミカル株式会社 ダイシングテープ基材用樹脂組成物およびダイシングテープ基材
US20160297179A1 (en) * 2013-11-22 2016-10-13 Lintec Corporation Base film for dicing sheet, dicing sheet comprising base film, and method of manufacturing base film
JP6334223B2 (ja) * 2014-03-26 2018-05-30 リンテック株式会社 粘着シート
JP6158753B2 (ja) * 2014-06-03 2017-07-05 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム
WO2015193990A1 (ja) * 2014-06-18 2015-12-23 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP6804860B2 (ja) * 2016-04-05 2020-12-23 パナック株式会社 キャリアシート及びカット部材の製造方法
JP6980684B2 (ja) * 2016-11-02 2021-12-15 リンテック株式会社 ダイシングシート
KR102293749B1 (ko) * 2016-12-27 2021-08-26 미츠이·다우 폴리케미칼 가부시키가이샤 다이싱 필름 기재 및 다이싱 필름
CN106784200B (zh) * 2017-02-15 2018-10-19 西安中为光电科技有限公司 一种隐形切割和背镀led芯片的制作方法
TWI701097B (zh) * 2017-09-13 2020-08-11 新加坡商誠解電子私人有限公司 用於以聚合物樹脂鑄模化合物為基底的基板之切割方法及其系統
JP7141924B2 (ja) * 2018-02-09 2022-09-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ
JP7042667B2 (ja) 2018-03-28 2022-03-28 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法
CN110408334B (zh) * 2018-04-27 2023-04-07 东丽先端材料研究开发（中国）有限公司 粘合薄膜
CN112236469B (zh) * 2018-08-08 2023-07-14 三井—陶氏聚合化学株式会社 切割膜基材用树脂组合物、切割膜基材及切割膜
CN108996470A (zh) * 2018-08-09 2018-12-14 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种mems晶圆切割方法
CN109081301A (zh) * 2018-08-09 2018-12-25 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种mems晶圆切割方法
CN109599463A (zh) * 2018-12-07 2019-04-09 广东工业大学 一种用于Micro-LED巨量转移的拾取结构及转移方法
CN109599354A (zh) * 2018-12-07 2019-04-09 广东工业大学 一种Micro-LED巨量转移的结构及方法
JP7392515B2 (ja) * 2019-03-04 2023-12-06 日本ポリエチレン株式会社 多元アイオノマー
JP2021195545A (ja) * 2020-06-12 2021-12-27 エスケー イノベーション カンパニー リミテッドSk Innovation Co., Ltd. エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、及びそれを含む水分散組成物
CN112518141B (zh) * 2020-11-24 2022-07-15 无锡光导精密科技有限公司 一种激光诱导切割方法及装置
KR20230160227A (ko) * 2021-03-23 2023-11-23 린텍 가부시키가이샤 기재 필름 및 워크 가공용 시트
CN113214746A (zh) * 2021-06-29 2021-08-06 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种隐形切割用紫外光固化胶带、制备方法及应用
WO2023281996A1 (ja) * 2021-07-08 2023-01-12 マクセル株式会社 粘着テープ
WO2023054299A1 (ja) * 2021-09-28 2023-04-06 リンテック株式会社 基材フィルムおよびワーク加工用シート

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3845129B2 (ja) * 1995-06-20 2006-11-15 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ固定用粘着テープ
JP4780828B2 (ja) * 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
JP4578050B2 (ja) * 2001-09-04 2010-11-10 グンゼ株式会社 ウェハダイシングテープ用基材
BR0315478B1 (pt) * 2002-11-20 2014-03-11 Du Pont Artigo laminado de múltiplas camadas, composição antiestática e artigo
JP4413499B2 (ja) * 2003-01-24 2010-02-10 古河電気工業株式会社 半導体ウェハー固定用粘着テープ
AU2005245892A1 (en) * 2004-05-12 2005-12-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ionomer compositions suitable for use in antifog applications
JP4712468B2 (ja) * 2004-11-30 2011-06-29 古河電気工業株式会社 ダイシングダイボンドテープ
JP4526937B2 (ja) * 2004-12-02 2010-08-18 アキレス株式会社 半導体製造テープ用帯電防止基材フィルム
JP4873863B2 (ja) * 2005-01-14 2012-02-08 日東電工株式会社 レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用粘着シート
JP4744196B2 (ja) * 2005-05-31 2011-08-10 電気化学工業株式会社 粘着シート
JP4748518B2 (ja) * 2005-07-20 2011-08-17 古河電気工業株式会社 ダイシングダイボンドテープおよびダイシングテープ
JP4676398B2 (ja) * 2006-07-26 2011-04-27 古河電気工業株式会社 ダイシング用粘着テープ
JP4850625B2 (ja) * 2006-08-22 2012-01-11 日東電工株式会社 レーザ加工用粘着シート
US20100247939A1 (en) * 2007-12-07 2010-09-30 Du Pont-Mitsui Polychemicals Co., Ltd. Ionomer, resin composition containing the ionomer, unstretched film, sheet or molded body each made of the composition, and laminate comprising layer of the unstretched film
JP5493460B2 (ja) * 2008-08-20 2014-05-14 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法及びダイシングテープ一体型接着シート
US8497326B2 (en) * 2008-09-09 2013-07-30 E I Du Pont De Nemours And Company Antistatic ionomer composition and articles therewith
JP5124778B2 (ja) * 2008-09-18 2013-01-23 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
JP2010202735A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Dainippon Printing Co Ltd 粘着シート
JP2010215256A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Sumitomo Chemical Co Ltd 電子部品収納容器用蓋材及び電子部品収納容器
JP2011040449A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Du Pont Mitsui Polychem Co Ltd ダイシングテープ用基材、ダイシングテープ、半導体装置の製造方法
JP2011061097A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Mitsui Chemicals Inc ダイシング用プロセステープ。
KR101682726B1 (ko) * 2009-10-15 2016-12-12 아키레스 가부시키가이샤 반도체 제조 공정용 테이프의 기재필름
JP2011210887A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化型ウエハ加工用粘着テープ
JP5554118B2 (ja) * 2010-03-31 2014-07-23 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP4976522B2 (ja) * 2010-04-16 2012-07-18 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104011836A (zh) 2014-08-27
JP6247733B2 (ja) 2017-12-13
WO2013099778A1 (ja) 2013-07-04
JP2017063210A (ja) 2017-03-30
CN107057594A (zh) 2017-08-18
KR20160049041A (ko) 2016-05-04
KR101832297B1 (ko) 2018-02-26
CN104011836B (zh) 2017-07-25
TWI500731B (zh) 2015-09-21
CN107057594B (zh) 2021-02-09
KR20160086989A (ko) 2016-07-20
TW201600582A (zh) 2016-01-01
TWI563061B (en) 2016-12-21
TW201333152A (zh) 2013-08-16
KR101742647B1 (ko) 2017-06-01
JP6073810B2 (ja) 2017-02-01
JPWO2013099778A1 (ja) 2015-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101832297B1 (ko) 레이저 다이싱용 필름 기재, 레이저 다이싱용 필름 및 전자부품의 제조방법
JP6554708B2 (ja) ダイシングフィルム基材用樹脂組成物、ダイシングフィルム基材およびダイシングフィルム
JP6617215B2 (ja) ダイシングシート
WO2002042389A1 (fr) Bande adhesive pour usinage de tranches et procedes de fabrication et d&#39;utilisation associes
CN112236469B (zh) 切割膜基材用树脂组合物、切割膜基材及切割膜
KR101845857B1 (ko) 적층 필름 및 그것을 사용한 반도체 제조용 필름
JP6472972B2 (ja) ダイシングテープ基材用樹脂組成物およびダイシングテープ基材
JP6667671B2 (ja) ダイシングフィルム基材およびダイシングフィルム
JP5207660B2 (ja) ダイシング用基体フイルム及びダイシングフイルム
JP6106526B2 (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP7326025B2 (ja) ダイシング用基体フィルム
TW202302747A (zh) 切割膜基材用樹脂組成物、切割膜基材及切割膜

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E601 Decision to refuse application